JP2000124103A - Exposure method and aligner - Google Patents

Exposure method and aligner

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JP2000124103A
JP2000124103A JP29435998A JP29435998A JP2000124103A JP 2000124103 A JP2000124103 A JP 2000124103A JP 29435998 A JP29435998 A JP 29435998A JP 29435998 A JP29435998 A JP 29435998A JP 2000124103 A JP2000124103 A JP 2000124103A
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exposure
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shot
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JP29435998A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Someya
篤志 染矢
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure method and an aligner, where even a complicated lithographic pattern in which a dense pattern and a coarse pattern are mixedly present in the same shot can be controlled accurately in dimensions. SOLUTION: A size change of a pattern, when an exposure is changed, is obtained for plural patterns in a shot, and an exposure in a shot is determined on the basis of a relationship between the size change of a pattern and the amount of change in exposure. That is, optimal exposures for a logic pattern and a DRAM pattern are averaged for target dimensions, or an optimal exposure amount E of small exposure latitude in a shot is determined through weighting the logic pattern.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセスの1つであるリソグラフィ工程におけるパターン寸法制御の向上を図った露光方法および露光装置に関する。 The present invention relates to relates to an exposure method and an exposure apparatus to improve the pattern dimension control in which is one lithography step of a semiconductor manufacturing process.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体デバイスの微細化・高性能化により、マスクパターンを基板上のレジストに投影露光してレジストパターンを形成する露光工程を含むリソグラフィ工程に要求される寸法制御精度も益々厳しくなっている。 The miniaturization and high performance of semiconductor devices, increasingly stricter dimensional control accuracy required for the lithographic process including the exposure process the mask pattern to form a resist to the projection exposure with a resist pattern on the substrate ing. 従来、露光パラメータの1つである露光量(光の照射度と照射時間との積)決定方法は、ショット(1回の露光で照射される領域)内の1つのパターンに対し、テスト露光等により露光量を変化させた時のパターンサイズ変化量(以下、必要に応じてパターンサイズ−露光量カーブとする)を求め、これを図3に示すように直線近似(最小二乗法)などを用いて内挿することにより最適露光量を求めていた。 Conventionally, the method (a product and irradiation of light and irradiation time) determined is one exposure amount of the exposure parameters, for one pattern in the shot (area irradiated with a single exposure), test exposure, etc. pattern size variation when changing the exposure amount (hereinafter, pattern size if necessary - to the exposure curve) by the determined, and linear approximation which, as shown in FIG. 3 (least squares method) using It was seeking an optimal exposure amount by the interpolation Te.

【0003】最適な露光量を決定するための方法として、従来よりSend Ahead法とフィードバックシステムとがある。 As a method for determining an optimal exposure amount, there is a conventionally Send Ahead method and feedback system. 前者は、ロットの作業に先立って1 The former is, prior to the work of Lot 1
枚程度のウェーハを抜き取り、露光量を変化させてサンプルを作成し最適な条件を見つける方法であり、後者は、以前に処理された同じ工程の数ロットの結果より移動平均などを計算して露光条件を決定する方法である。 Withdrawn sheets about the wafer, by changing the exposure amount is a way to find create optimal conditions Samples latter calculates and exposing the moving average and the results of several lots of the same steps that were previously processed it is a method to determine the conditions.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した最適露光量を決定する両方法を用いても、露光装置がもつ癖(投影レンズの収差など)や現像ローディング効果による周辺パターンの影響を受けてしまうため、厳密には同じパターンでも上記パターンサイズ−露光量カーブは測定場所によって変わってしまうという問題がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, even using both methods to determine the optimal exposure amount described above, under the influence of the peripheral pattern by habit (such as aberration of the projection lens) and the developing loading effect which the exposure apparatus has put away because, strictly speaking, the pattern size in the same pattern - there is a problem that will change by the amount of exposure curve measured location. 従って、ショット内の1つのパターンを基準として最適露光量を定めても、他のパターンについてはその露光量が変わってしまい、所望の寸法制御を行うことができなくなる場合がある。 Therefore, even determine the optimum exposure dose based on the single pattern in the shot, for the other patterns will change its exposure, it may become impossible to perform the desired dimensional control.

【0005】更に、最近の半導体デバイスでは、図4に示すようにDRAMのパターンP DとLogicのパターンP Lを1つのチップに同時に作り込む様なシステムLSIが主流となりつつあり、その場合には密集したパターンP D (密パターン)とそうでないパターンP L Furthermore, recent semiconductor devices, there system LSI such as fabricated simultaneously pattern P L of the pattern P D and Logic of DRAM on one chip becoming mainstream as shown in FIG. 4, in that case and dense pattern P D (dense pattern) is not the case pattern P L
(疎パターン)という特性の大きく異なるパターンを同時に形成しなければならないため、上述した従来の露光量決定方法では更に寸法制御が難しくなっている。 Since it is necessary to form a very different pattern (sparse pattern) that the characteristics at the same time, has become more difficult dimensional control in the conventional exposure amount determining method described above.

【0006】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、密パターンと疎パターンが同一ショット内に存在するような複雑なリソグラフィパターンに対しても高精度な寸法制御を得ることができる露光方法および露光装置を提供することを課題とする。 [0006] The present invention has been made in view of the above problems, it is possible to obtain a highly accurate dimensional control for complex lithographic pattern as dense pattern and isolated pattern exists in the same shot exposure method and and to provide a device.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するにあたり、本発明は、ショット内の複数のパターンに対し、露光量を変化させたときのパターンサイズ変化量をそれぞれ求め、これらパターンサイズ変化量との関係に基づいてショット内の露光量を決定するようにしている。 Upon solving the above object, according to an aspect of the present invention, the plurality of patterns in a shot, respectively determined variations of the pattern size in the case of changing the exposure amount, the patterns change in size and so as to determine the exposure of the shot based on the relationship between the amount. すなわち、ショット内の最適露光量を決定するに当たり、ショット内のある複数のパターンのそれぞれの上記パターンサイズ変化量を考慮に入れることにより、ショット内のすべてのパターンに対する寸法制御精度の向上を図っている。 That is, in determining the optimum exposure amount in the shot, by taking into account each of the pattern size variation of a plurality of pattern of the shot, to improve the dimensional control accuracy for all patterns in the shot there. 具体的には、基準とする複数のパターンに線幅制御の重要性が等価であれば平均をとり、あるいは各パターンの露光裕度比を基に全体の露光量のバランスをとるようにする。 Specifically, a plurality of patterns as a reference averages if the importance of the line width control is equivalent, or to balance the overall exposure based on the exposure latitude ratio of each pattern.

【0008】 [0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described with reference to the drawings the embodiments of the present invention.

【0009】(第1の実施の形態)本実施の形態では、 [0009] (First Embodiment) In this embodiment,
Send Ahead法により最適な露光量を決定する方法について説明する。 It describes a method of determining an optimal exposure amount by Send Ahead method.

【0010】まず、ショット内で高精度な寸法制御を必要とする複数のパターン、あるいは同一パターンでもショット内で場所により大きくその挙動が異なる場所を抽出する。 [0010] First, it extracts a plurality of patterns or larger where that behavior varies depending on the location in the shot in the same pattern, which requires high-precision dimensional control in a shot. ここでは、ショット内のLogicパターンとDRAMパターンの2種類のパターンとする。 Here, the two kinds of patterns of Logic pattern and DRAM pattern in the shot. そして、 And,
テスト露光によりそれぞれのパターンについて、露光量を変化させたときのパターン寸法を求める。 For each pattern by test exposure, determining a pattern size when changing the exposure amount. その結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0011】 [0011]

【表1】 [Table 1]

【0012】次に、テスト露光により求めたLogic [0012] Next, Logic, which was determined by the test exposure
パターンとDRAMパターンのそれぞれのパターンサイズと露光量の関係を、図1に示すように最小二乗法により直線近似する。 The relationship between the pattern and each pattern size and exposure amount of DRAM pattern, linearly approximated by the least squares method as shown in FIG. その結果、Logicパターンについては、縦軸をy、横軸をxとすると、y=584.22 As a result, for the Logic pattern, vertical axis y, the horizontal axis is x, y = 584.22
−7.6762x、DRAMパターンについては、同様に、y=560.07−6.1333xという回帰直線が得られた。 -7.6762X, for DRAM pattern, likewise, regression line of y = 560.07-6.1333x was obtained. なお、便宜的にLogicパターンの回帰直線をy=k 1 +m 1 x、DRAMパターンの回帰直線をy=k 2 +m 2 xと称するものとする。 It is assumed for convenience to the regression line Logic pattern y = k 1 + m 1 x , the regression line of DRAM pattern referred to as y = k 2 + m 2 x .

【0013】各パターンの設計寸法(ターゲット寸法) [0013] The design dimensions of each pattern (target size)
をそれぞれL 1 、L 2 、最適露光量をそれぞれE 1 、E Each L 1, L 2, E 1 optimum exposure amount, respectively, E
2とすると、E 1 =(L 1 −k 1 )/m 1 、E 2 =(L When 2, E 1 = (L 1 -k 1) / m 1, E 2 = (L
2 −k 2 )/m 2となる。 2 the -k 2) / m 2. そこで、LogicパターンおよびDRAMパターンの実際のターゲット寸法を30 Therefore, 30 the actual target dimensions Logic pattern and DRAM pattern
0nm(寸法規格は両パターンとも±30nm)とすると、E 1 =(300−584.22)/(−7.676 When 0 nm (the size standard is ± 30 nm both patterns) and, E 1 = (300-584.22) / (- 7.676
2)≒37[mj/cm 2 ]、E 2 =(300−56 2) ≒ 37 [mj / cm 2], E 2 = (300-56
0.07)/(−6.1333)≒42[mj/cm 0.07) / (- 6.1333) ≒ 42 [mj / cm
2 ]となる。 2] to become.

【0014】LogicパターンおよびDRAMパターンの重み付け係数をそれぞれw 1 、w 2 (但し、w 1 [0014] Logic pattern and the weighting coefficient of DRAM pattern each w 1, w 2 (However, w 1 +
2 =1)とすると、ショット全体の最適露光量Eは、 When w 2 = 1) to the shot overall optimum exposure amount E is
E=w 1・E 1 +w 2・E 2により求められる。 E = obtained by w 1 · E 1 + w 2 · E 2. ここで、各パターンの線幅制御の重要度は等価なので、重み付けを行わず、w 1 =w 2 =0.5とする。 Since importance is equivalent line width control for each pattern, without weighting, and w 1 = w 2 = 0.5. 従って、最適露光量Eは、40mj/cm 2となり、この時の線幅は、Logicパターンで279nm、DRAMパターンで316nmといずれも規格内であった。 Therefore, the optimum exposure amount E is, 40 mJ / cm 2, and the line width at this time, 279 nm in Logic pattern, both the 316nm in DRAM pattern were within specifications.

【0015】また、以上の方法では各パターンの最適露光量E 1 、E 2に対して重み付けを行わず、単に2つの露光量E 1 、E 2の平均値をとったが、露光量に対する線幅変動に関してLogicパターンの方が大きい(すなわち、傾きm 1の方が大きい)ことに着目して重み付けを決定するようにしてもよい。 Further, without performing the weighting optimum exposure E 1, E 2 of each pattern in the above method, but simply took two mean value of the exposure amount E 1, E 2, lines for exposure it is larger Logic pattern with respect to the width variation (i.e., the larger the slope m 1) in particular may be determined weighting focused. すなわち、露光裕度比により重みを決定するようにしてもよい。 That may be determined the weight by exposure latitude ratio. この場合、w In this case, w
1 :w 2 =0.56:0.44となる。 1: w 2 = 0.56: 0.44.

【0016】ここで、露光裕度とは、ある規格内に線幅をコントロールするためにどの程度の露光量の変動が許容されるかを示すものであり、寸法変動の許容値(上限と下限のレンジ)が同じ2つのパターンの場合には、この露光裕度は回帰直線の傾きに反比例する。 [0016] Here, the exposure latitude, which indicates variations in the degree of exposure to control the line width within a certain standard is allowed, the allowable value of the dimensional change (upper and lower limits If the range) of the same two patterns, the exposure latitude is inversely proportional to the slope of the regression line. 従って、重み付けを行う際にはより露光裕度の小さいパターンに対して重みを付けることが望ましいことになる。 Therefore, it would be desirable to assign a weight for more exposure latitude small pattern when performing weighting.

【0017】さて、比較として、以上のような最適露光量決定方法を従来法で行った場合を想定して計算により求めると(すなわち、一方のパターンで決定された露光条件(露光量)を他方のパターンの回帰直線に代入して得られる線幅を求めると)、Logicパターンで露光条件を決定した場合にはDRAMパターンの線幅は33 [0017] Now, as comparison, obtained by calculation on the assumption that was optimum exposure amount determining method as described above in the conventional method (i.e., as determined in one pattern exposure condition (exposure amount) other of the Request line width obtained by substituting the regression line patterns), the line width of the DRAM pattern when determining the exposure conditions in Logic pattern 33
3nmとなり、一方、DRAMパターンで露光条件を決定した場合にはLogicパターンの線幅は259nm 3nm. On the other hand, the line width of the Logic pattern when determining the exposure conditions in DRAM pattern 259nm
となり、ともに規格外となってしまう。 Next, resulting in both a non-standard.

【0018】(第2の実施の形態)本実施の形態では、 [0018] (Second Embodiment) In this embodiment,
露光条件決定用フィードバックシステムを用いた露光装置に適用した場合について説明する。 It will be described when applied to an exposure apparatus using a feedback system for exposure condition determining.

【0019】まず、ショット内で高精度な寸法制御を必要とする複数のパターン、あるいは同一パターンでもショット内で場所により大きくその挙動が異なる場所を抽出する。 Firstly, to extract a plurality of patterns or larger where that behavior varies depending on the location in the shot in the same pattern, which requires high-precision dimensional control in a shot. ここでは、上述の第1の実施の形態と同様に、 Here, as in the first embodiment described above,
ショット内のLogicパターンとDRAMパターンの2種類のパターンとし、テスト露光によりそれぞれのパターンについて、露光量を変化させたときのパターン寸法を求める。 The two kinds of patterns of Logic pattern and DRAM pattern in the shot, for each pattern by the test exposure, determining a pattern size when changing the exposure amount. なお、本実施の形態においてもLogic Incidentally, Logic also in this embodiment
パターン、DRAMパターンのパターンサイズ変化量は第1の実施の形態と同様とする。 Pattern, pattern size variation of DRAM pattern the same as in the first embodiment.

【0020】次に、テスト露光により求めたLogic [0020] Next, Logic, which was determined by the test exposure
パターンとDRAMパターンのそれぞれのパターンサイズと露光量の関係を最小二乗法により直線近似する。 Linear approximation by a least squares method the relationship between the pattern and each pattern size and exposure amount of DRAM pattern. ここでは、Logicパターン、DRAMパターンの最小二乗近似直線(回帰直線)の傾きをそれぞれm 1 、m 2 Here, the inclination of each m 1 of Logic pattern, the least square approximation line of the DRAM pattern (regression line), m 2
(m 1 =−7.6762、m 2 =−6.1333)とする。 And (m 1 = -7.6762, m 2 = -6.1333).

【0021】Logicパターンについて、図2を参照して、直近に処理された数ロットのパターン寸法L 1 ' [0021] For Logic pattern, with reference to FIG. 2, the pattern dimension L 1 of the most recently processed number lots'
の移動平均により、ターゲット寸法L 1からの差はΔL The moving average, the difference from the target dimension L 1 [Delta] L
1であった。 It was 1. 同様に、DRAMパターンについては図示せずとも、ΔL 2とする。 Similarly, without illustration of the DRAM pattern, and [Delta] L 2. そして、上で求めた各パターンの最小二乗近似直線の傾きより、各パターンの露光量変動分ΔE 1 、ΔE 2を求めると、Logicパターンについては、ΔE 1 =ΔL 1 /m 1 、DRAMパターンについては、ΔE 2 =ΔL 2 /m 2となる。 Then, from the slope of the least square approximation line of each pattern obtained above, the exposure amount variation Delta] E 1 of each pattern, the seeking Delta] E 2, for the Logic pattern, the ΔE 1 = ΔL 1 / m 1 , DRAM pattern becomes ΔE 2 = ΔL 2 / m 2 .

【0022】LogicパターンおよびDRAMパターンの重み付け係数をそれぞれw 1 、w 2 (但し、w 1 [0022] Logic pattern and the weighting coefficient of DRAM pattern each w 1, w 2 (However, w 1 +
2 =1)とすると、ショット全体の最適露光量変動分ΔEは、ΔE=w 1・ΔE 1 +w 2・ΔE 2により求められる。 When w 2 = 1) to the optimum exposure dose variation Delta] E of the entire shot is determined by ΔE = w 1 · ΔE 1 + w 2 · ΔE 2. 従って、パターンサイズ変動後の最適露光量E Therefore, after the pattern size fluctuation optimum exposure amount E
は、過去の最適露光量E'に最適露光量変動分ΔEを加算して得られる。 It is obtained by adding the optimum exposure variation ΔE historical optimum exposure E '.

【0023】本実施の形態による一連の処理手順を、図3に示すフローを参照して説明すると、これから着工するロットがシステム内に導入されたことを確認した後(ステップS 1 )、プロセス/デバイス名、露光装置名、レチクル名が一致する過去に処理されたロットの各種データが保存されている図示しないホストコンピュータ(あるいは別のシステム)に照合し(ステップS [0023] The series of processes according to the present embodiment, with reference to the flow chart of FIG. 3, after the lot that now starts is confirmed to have been introduced into the system (Step S 1), the process / device name, exposure device name, against the host computer in which various data processed lot in the past reticle name matches is not shown is stored (or another system) (step S
2 )、今回の処理に必要な条件が一致するロットをデータベースにより検索する(ステップS 3 )。 2), searches for the lot conditions necessary to the present process are matched by the database (step S 3). そして、予め設定された最新の数ロット(例えば5ロット)に基づいて最適露光量E=E'+(L−e)/mを演算し(ステップS 4 )、これより得られた露光条件にて処理を開始する(ステップS 5 )。 Then, calculates the optimal exposure amount E = E '+ (L- e) / m on the basis of preset latest several lots (e.g. 5 lots) (Step S 4), this from the obtained exposure conditions Te starts processing (step S 5).

【0024】ここで、Eはこれから着工するロットに提示する最適露光量、E'は前回処理した時に設定した露光量、eは移動平均により得られた最新の数ロットの測定結果の移動平均値、Lはターゲット寸法(線幅)、m [0024] Here, the optimum dose to be presented to the lot E are to now construction, E 'exposure amount set when the last processing, e is the moving average of the measurement results of the most recent several lots obtained by the moving average , L is the target dimension (line width), m
はパターンサイズ−露光量カーブの回帰係数をそれぞれ示している。 The pattern size - respectively show regression coefficients of the exposure amount curve. なお(L−e)は、上述のΔL(ΔL 1 Note (L-e), the above-mentioned [Delta] L ([Delta] L 1,
ΔL 2 )に相当する。 Corresponding to the ΔL 2).

【0025】すなわち本実施の形態によれば、過去に決定された露光条件の変動に基づいて新たな露光条件を決定する機能(露光条件決定用フィードバックシステム) [0025] That is, according to this embodiment, functions (exposure condition determination feedback system) to determine the new exposure condition based on the variation of the determined exposure conditions in the past
と、ショット内の複数の場所で測定したパターンサイズと露光量との関係に基づいて露光量を決定する手段とを備えることにより、上述の第1の実施の形態と同様な効果を得ることができるとともに、一度各パターンの「パターンサイズ−露光量カーブ」を求めるだけで、必要に応じてショット内の最適露光量を変更することができる。 When, by providing a means for determining the exposure amount based on the relationship between the plurality of the pattern size were measured at the location exposure of the shot, to obtain the same effect as the first embodiment described above it is possible, once for each pattern - only seek "pattern size exposure curve", can change the optimum exposure in the shot if necessary.

【0026】以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、 [0026] Having described the embodiments of the present invention, of course, the present invention is not limited thereto,
本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。 And it can be variously modified within the spirit of the present invention.

【0027】例えば以上の各実施の形態では、ショット内で高精度な寸法制御を必要とする複数のパターンとして、LogicパターンとDRAMパターンとを例に挙げて説明したが、勿論、これだけに限らず、例えば同一パターンでも場所によって露光条件が大きく変わる複数のパターンを対象としてパターンサイズ−露光量カーブを求め、これらの関係に基づいて最適な露光量を決定するようにしてもよい。 [0027] In the embodiments described above For example, as a plurality of patterns requiring high precision dimensional control in the shot, has been described by way of the Logic pattern and DRAM pattern as an example, of course, not limited to this , for example, the pattern size a plurality of patterns vary greatly exposure conditions depending on the location in the same pattern as the target - seeking exposure curve, it may be determined the optimum exposure amount based on these relationships.

【0028】また、対象とするパターンは2種類に限らず、3種類以上のパターンに対しても同様に適用可能である。 Further, the pattern of interest is not limited to two, it is equally applicable to three or more kinds of patterns. この場合、異種パターンあるいは同一パターンに限らず、これらが混合した複数のパターンを適宜選択することもできる。 In this case, not only the different pattern or the same pattern, it is also possible to select multiple patterns to which they are mixed appropriately. このとき上述の第2の実施の形態について上記演算式に重み付け係数wを付記して表すと、E When the second embodiment described above the time represented by appended weighting coefficients w in the above operation expression, E
=E'+Σ((L j −e j )・(1/m j )・(w j = E '+ Σ ((L j -e j) · (1 / m j) · (w j /
Σw j ))となる。 The Σw j)). なお、w jはj番目のパターンの重み付け係数を示す。 Incidentally, w j denotes a weighting coefficient of the j-th pattern.

【0029】 [0029]

【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項1に係る露光方法によれば、密パターンと疎パターンが同一ショット内に存在するような複雑なリソグラフィパターンに対しても高精度な寸法制御が可能となり、リソグラフィ工程でのパターン寸法規格外による再生率の低減、 As described above, according to the present invention, according to the exposure method according to claim 1 of the present invention, even highly accurate for complex lithographic pattern as dense pattern and isolated pattern exists in the same shot enables dimensional control, reduction in reproduction rate by pattern size nonstandard a lithography process,
すなわち、線幅の規格外による不良を低減することができる。 That is, it is possible to reduce defects due to non-standard line width.

【0030】また、請求項2の構成により、ショット内の複数のパターンはそれぞれ、同一若しくは異なるパターン、又はその両方のパターンに対しても、高精度の寸法制御を実現することができる。 Further, the configuration of claim 2, each of the plurality of patterns in a shot, identical or different patterns, or even the pattern of both, it is possible to realize a dimensional control of high accuracy. 更に、請求項3の構成により、寸法変動の許容量が大きく異なる複数のパターンに対しても高精度な寸法制御を実現することができる。 Further, the configuration of claim 3, it is possible to achieve highly accurate dimensional control even for a plurality of patterns tolerance are largely different in dimensional variations.

【0031】そして、本発明の請求項4に係る露光装置によれば、上記方法にフィードバック機能のもつ効果を加えた高精度な寸法制御を実現できる。 [0031] Then, according to the exposure apparatus according to claim 4 of the present invention, it is possible to realize a highly accurate dimensional control plus the effect of having the feedback function to the above method.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1の実施の形態を説明するための図であり、ショット内のLogicパターンとDRAMパターンのそれぞれのパターンサイズと露光量の関係を示す図である。 [1] is a diagram for explaining a first embodiment of the present invention, is a diagram showing the relationship between each pattern size and exposure amount of Logic pattern and DRAM pattern in the shot.

【図2】本発明の第2の実施の形態を説明するための図であり、Logicパターンのパターンサイズと露光量との関係を示す図である。 Figure 2 is a diagram for explaining the second embodiment of the present invention, is a graph showing the relationship between the pattern size and exposure amount of Logic pattern.

【図3】本発明の第2の実施の形態の処理手順を示すフロー図である。 3 is a flowchart showing a processing procedure of the second embodiment of the present invention.

【図4】パターンサイズと露光量との関係を最小二乗法によって近似した状態を示す図である。 [4] pattern size and the relationship between the exposure amount is a diagram showing a state in which approximated by the least square method.

【図5】LogicパターンとDRAMパターンとを有するシステムLSIの一例を示す模式図である。 5 is a schematic diagram showing an example of a system LSI having a Logic pattern and DRAM pattern.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

E………ショット内の最適露光量、E 1 ………Logi The optimum exposure dose of E ......... within a shot, E 1 ......... Logi
cパターンの最適露光量、E 2 ………DRAMパターンの最適露光量、E 1 '………前回設定したLogicパターンの露光量、E 2 '………前回設定したDRAMパターンの露光量、L 1 ………Logicパターンのターゲット寸法、L 2 ………DRAMパターンのターゲット寸法。 optimum exposure of c patterns, the optimum exposure amount E 2 ......... DRAM pattern, E 1 '......... exposure of Logic pattern previously set, E 2' ......... exposure of DRAM pattern previously set, L target size of 1 ......... Logic pattern, the target dimension of L 2 ......... DRAM pattern.

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 マスクパターンを基板上のレジストに投影露光してレジストパターンを形成する露光方法であって、 ショット内の複数のパターンに対し、露光量を変化させたときのパターンサイズ変化量をそれぞれ求めるステップと、 これらパターンサイズ変化量との関係に基づいて前記ショット内の露光量を決定するステップとを有した露光方法。 1. A mask pattern there is provided an exposure method for forming a resist pattern projection exposure to the resist on the substrate, the plurality of patterns in a shot, variations of the pattern size in the case of changing the exposure amount a step of obtaining each exposure method and a step of determining the exposure amount in the shot based on the relationship between these pattern size variation.
  2. 【請求項2】 前記ショット内の複数のパターンはそれぞれ、同一若しくは異なるパターン、又はその両方のパターンであることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 2. An exposure method according to claim 1, wherein the plurality of patterns within the shot are each the same or different patterns, or patterns of both.
  3. 【請求項3】 前記ショット内の複数のパターンに対して、露光裕度比により重み付けを行うことを特徴とする請求項2に記載の露光方法。 3. An exposure method according to claim 2, characterized in that for a plurality of patterns in the shot, weighted by exposure latitude ratio.
  4. 【請求項4】 マスクパターンを基板上のレジストに投影露光して、前記マスクパターンを前記レジストに転写する露光装置であって、 過去に決定された露光条件からの変動量に基づいて新たな露光条件を決定する手段と、 ショット内の複数の場所で測定したパターンサイズと露光量との関係に基づいて露光量を決定する手段とを備えた露光装置。 4. A projecting exposing the mask pattern on the resist on the substrate, wherein the mask pattern there is provided an exposure apparatus which transfers the resist, a new exposure on the basis of the fluctuation amount from the determined exposure conditions in the past exposure apparatus that comprises means for determining a condition, and means for determining the exposure amount based on a relationship between the pattern size and exposure amount was measured at a plurality of locations in the shot.
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