JP2000124022A - 低損失酸化物磁性材料 - Google Patents
低損失酸化物磁性材料Info
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- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
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- H01F1/342—Oxides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＮｉ−Ｚｎ系フェライトと比較して磁
気的損失が小さく、初透磁率（μｉ）が大きく、キュリ
ー温度（Ｔｃ）、飽和磁束密度（Ｂｓ）、および比抵抗
（ρ）の変化も、実用上、無視できる範囲の低損失酸化
物磁性材料を得る。 【解決手段】 主成分Ｆｅ2Ｏ3４４.５〜４９.８ｍｏｌ
％、ＮｉＯ１０.５〜２５.５ｍｏｌ％、ＺｎＯ２０.０
〜３５.０ｍｏｌ％、及び残部をＣｕＯとし、副成分
を、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2
Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少な
くとも１種類以上を０〜５.０ｍｏｌ％（但し、０を含
まず）とすることを特徴とする低損失酸化物磁性材料を
提供する。
気的損失が小さく、初透磁率（μｉ）が大きく、キュリ
ー温度（Ｔｃ）、飽和磁束密度（Ｂｓ）、および比抵抗
（ρ）の変化も、実用上、無視できる範囲の低損失酸化
物磁性材料を得る。 【解決手段】 主成分Ｆｅ2Ｏ3４４.５〜４９.８ｍｏｌ
％、ＮｉＯ１０.５〜２５.５ｍｏｌ％、ＺｎＯ２０.０
〜３５.０ｍｏｌ％、及び残部をＣｕＯとし、副成分
を、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2
Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少な
くとも１種類以上を０〜５.０ｍｏｌ％（但し、０を含
まず）とすることを特徴とする低損失酸化物磁性材料を
提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源トランスまた
はチョークコイル用フェライトコア等の材料に好適な酸
化物磁性材料に関するものである。
はチョークコイル用フェライトコア等の材料に好適な酸
化物磁性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電源用トランス材料としては、主に比較
的飽和磁束密度が高く電力損失が小さいＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトが用いられている。Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト
は、直流比抵抗が１０1〜１０3Ωｃｍと低い。そこで、
短絡等の不具合を無くすため、通常、これらの磁芯にボ
ビンを介して巻線を行っており、ボビンは、小型化、軽
量化、および低コスト化を進める上での障害となってい
る。
的飽和磁束密度が高く電力損失が小さいＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトが用いられている。Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト
は、直流比抵抗が１０1〜１０3Ωｃｍと低い。そこで、
短絡等の不具合を無くすため、通常、これらの磁芯にボ
ビンを介して巻線を行っており、ボビンは、小型化、軽
量化、および低コスト化を進める上での障害となってい
る。
【０００３】一方、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、一般
に、直流比抵抗が１０6〜１０10Ωｃｍと高く、巻線を
する際にボビンを必要としないので、小型化、軽量化の
点では有利であった。
に、直流比抵抗が１０6〜１０10Ωｃｍと高く、巻線を
する際にボビンを必要としないので、小型化、軽量化の
点では有利であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライトは、 電力損失がＭｎ−Ｚｎ系フェライトに
比べて著しく高いという問題点がある。そのため、電源
用トランス材料として使用する場合、発熱、温度上昇に
対して考慮した設計を行う必要があった。
フェライトは、 電力損失がＭｎ−Ｚｎ系フェライトに
比べて著しく高いという問題点がある。そのため、電源
用トランス材料として使用する場合、発熱、温度上昇に
対して考慮した設計を行う必要があった。
【０００５】フェライトの磁気損失（以後、Ｐｃｖと略
称する）は、ヒステリシス損失、渦電流損失、および残
留損失からなる。Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、一般に、
直流比抵抗が１０6〜１０10Ωｃｍと高く、渦電流損失
は無視できるほど小さい。ヒステリシス損失は、磁気異
方性により発生する損失である。磁気異方性のうち、結
晶磁気異方性は、結晶磁気異方性定数（以後、Ｋ１と略
称する）の絶対値の大小で表される。
称する）は、ヒステリシス損失、渦電流損失、および残
留損失からなる。Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、一般に、
直流比抵抗が１０6〜１０10Ωｃｍと高く、渦電流損失
は無視できるほど小さい。ヒステリシス損失は、磁気異
方性により発生する損失である。磁気異方性のうち、結
晶磁気異方性は、結晶磁気異方性定数（以後、Ｋ１と略
称する）の絶対値の大小で表される。
【０００６】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、一般に、Ｆｅ
2Ｏ3が５０ｍｏｌ％以上含まれるため、負のＫ１を発生
すると考えられているＭｎ2+とＦｅ3+に加えて、正のＫ
１を発生すると考えられているＦｅ2+が存在する。その
ため、正負が互いにうち消し合って、Ｋ１の絶対値を小
さくしていると考えられている。また、それに伴ってＦ
ｅ2+とＦｅ3+の間でホッピング伝導が起こり、比抵抗は
低下する。
2Ｏ3が５０ｍｏｌ％以上含まれるため、負のＫ１を発生
すると考えられているＭｎ2+とＦｅ3+に加えて、正のＫ
１を発生すると考えられているＦｅ2+が存在する。その
ため、正負が互いにうち消し合って、Ｋ１の絶対値を小
さくしていると考えられている。また、それに伴ってＦ
ｅ2+とＦｅ3+の間でホッピング伝導が起こり、比抵抗は
低下する。
【０００７】一方、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、一般
に、Ｆｅ2Ｏ3量は５０ｍｏｌ％以下であり、Ｆｅ2+が存
在しないため、Ｋ１の絶対値が大きく、ヒステリシス損
失が大きいと考えられている。
に、Ｆｅ2Ｏ3量は５０ｍｏｌ％以下であり、Ｆｅ2+が存
在しないため、Ｋ１の絶対値が大きく、ヒステリシス損
失が大きいと考えられている。
【０００８】すなわち、本発明の課題は、従来のＮｉ−
Ｚｎ系フェライトと比較して、磁気的損失が小さい、か
つ、初透磁率（μｉ）が大きい低損失酸化物磁性材料で
あって、一方、キュリー温度（Ｔｃ）、飽和磁束密度
（Ｂｓ）、および比抵抗（ρ）の変化は、従来のＮｉ−
Ｚｎ系フェライトと比較して、実用上、無視できる程度
である低損失酸化物磁性材料を提供することである。
Ｚｎ系フェライトと比較して、磁気的損失が小さい、か
つ、初透磁率（μｉ）が大きい低損失酸化物磁性材料で
あって、一方、キュリー温度（Ｔｃ）、飽和磁束密度
（Ｂｓ）、および比抵抗（ρ）の変化は、従来のＮｉ−
Ｚｎ系フェライトと比較して、実用上、無視できる程度
である低損失酸化物磁性材料を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明では、以下の組成の低損失酸化物磁性材料
を提供するものである。
めに、本発明では、以下の組成の低損失酸化物磁性材料
を提供するものである。
【００１０】すなわち、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ
ｕＯを主成分とする低損失酸化物磁性材料であって、主
成分をＦｅ2Ｏ3 ４４.５〜４９.８ｍｏｌ％ 、ＮｉＯ１
０.５〜２５.５ｍｏｌ％、ＺｎＯ２０.０〜３５.０ｍｏ
ｌ％、残部ＣｕＯとし、副成分を、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ
2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ
2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少なくとも１種類以上を０
〜５.０ｍｏｌ％（但し、０を含まず）とすることを特
徴とする低損失酸化物磁性材料を提供する。
ｕＯを主成分とする低損失酸化物磁性材料であって、主
成分をＦｅ2Ｏ3 ４４.５〜４９.８ｍｏｌ％ 、ＮｉＯ１
０.５〜２５.５ｍｏｌ％、ＺｎＯ２０.０〜３５.０ｍｏ
ｌ％、残部ＣｕＯとし、副成分を、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ
2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ
2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少なくとも１種類以上を０
〜５.０ｍｏｌ％（但し、０を含まず）とすることを特
徴とする低損失酸化物磁性材料を提供する。
【００１１】本発明品は、従来のＮｉ−Ｚｎ系フェライ
トと比較して、磁気的損失が小さく、初透磁率（μｉ）
が大きく、キュリー温度（Ｔｃ）、飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）、および比抵抗（ρ）の変化も、実用上、無視でき
る程度である。μｉおよびＰｃｖが改善される原因は明
らかではないが、μｉの温度特性がセカンダリーピーク
を有することから判断して、Ｌａ3+、Ｃｅ3+、Ｐｒ3+、
Ｎｄ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｇｄ3+またはＴｂ3+が、正の
Ｋ１を発生し、Ｆｅ3+またはＮｉ2+が発生する負のＫ１
と打ち消し合って、結晶磁気異方性を低減している可能
性がある。
トと比較して、磁気的損失が小さく、初透磁率（μｉ）
が大きく、キュリー温度（Ｔｃ）、飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）、および比抵抗（ρ）の変化も、実用上、無視でき
る程度である。μｉおよびＰｃｖが改善される原因は明
らかではないが、μｉの温度特性がセカンダリーピーク
を有することから判断して、Ｌａ3+、Ｃｅ3+、Ｐｒ3+、
Ｎｄ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｇｄ3+またはＴｂ3+が、正の
Ｋ１を発生し、Ｆｅ3+またはＮｉ2+が発生する負のＫ１
と打ち消し合って、結晶磁気異方性を低減している可能
性がある。
【００１２】Ｆｅ2Ｏ3量を４４.５ｍｏｌ％以上とした
のは、４４.５ｍｏｌ％よりも少ないと、μｉが著しく
低下し、Ｐｃｖが著しく増大するためである。Ｆｅ2Ｏ3
量を４９.８ｍｏｌ％以下としたのは、４９.８ｍｏｌ％
を超えると、比抵抗が著しく低下するためである。
のは、４４.５ｍｏｌ％よりも少ないと、μｉが著しく
低下し、Ｐｃｖが著しく増大するためである。Ｆｅ2Ｏ3
量を４９.８ｍｏｌ％以下としたのは、４９.８ｍｏｌ％
を超えると、比抵抗が著しく低下するためである。
【００１３】ＺｎＯ量を２０.０ｍｏｌ％以上としたの
は、２０.０ｍｏｌ％より少ないと、Ｐｃｖが著しく低
下するためである。ＺｎＯ量を３５.０ｍｏｌ％以下と
したのは、３５.０ｍｏｌ％を超えると、ＢｓおよびＴ
ｃが著しく低下するためである。
は、２０.０ｍｏｌ％より少ないと、Ｐｃｖが著しく低
下するためである。ＺｎＯ量を３５.０ｍｏｌ％以下と
したのは、３５.０ｍｏｌ％を超えると、ＢｓおよびＴ
ｃが著しく低下するためである。
【００１４】Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ
2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3の
うち、少なくとも１種類以上の総量を０ｍｏｌ％以上
（０を含まず）としたのは、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト中
にＬａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ
2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少な
くとも１種類を微量添加することは、一般的ではない
が、微量であっても、損失を低減する効果があることを
見い出したからである。また、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐ
ｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およ
びＴｂ2Ｏ3のうち、少なくとも１種類以上を総量で５.
０ｍｏｌ％以下としたのは、５.０ｍｏｌ％を超える
と、μｉが著しく低下し、Ｐｃｖが著しく増大するため
である。
2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3の
うち、少なくとも１種類以上の総量を０ｍｏｌ％以上
（０を含まず）としたのは、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト中
にＬａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ
2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少な
くとも１種類を微量添加することは、一般的ではない
が、微量であっても、損失を低減する効果があることを
見い出したからである。また、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐ
ｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およ
びＴｂ2Ｏ3のうち、少なくとも１種類以上を総量で５.
０ｍｏｌ％以下としたのは、５.０ｍｏｌ％を超える
と、μｉが著しく低下し、Ｐｃｖが著しく増大するため
である。
【００１５】また、主成分組成が４４.５〜４９.８ｍｏ
ｌ％Ｆｅ2Ｏ3、２０.０〜３５.０ｍｏｌ％ＺｎＯ、残部
ＮｉＯまたはＣｕＯであれば、副成分が０〜５.０ｍｏ
ｌ％Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2
Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3（０を含ま
ず）、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ
2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3は、これらの
酸化物のうち、少なくとも１種類以上を含んでいれば、
複合添加しても、同様の効果が得られる。
ｌ％Ｆｅ2Ｏ3、２０.０〜３５.０ｍｏｌ％ＺｎＯ、残部
ＮｉＯまたはＣｕＯであれば、副成分が０〜５.０ｍｏ
ｌ％Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2
Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3（０を含ま
ず）、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ
2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3は、これらの
酸化物のうち、少なくとも１種類以上を含んでいれば、
複合添加しても、同様の効果が得られる。
【００１６】即ち、本発明は、主成分Ｆｅ2Ｏ3４４.５
〜４９.８ｍｏｌ％ 、ＮｉＯ１０.５〜２５.５ｍｏｌ
％、ＺｎＯ２０.０〜３５.０ｍｏｌ％、及び残部をＣｕ
Ｏとする低損失酸化物磁性材料において、副成分として
Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、
Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少なくとも
１種類以上を０〜５.０ｍｏｌ％（但し、０を含まず）
含む低損失酸化物磁性材料である。
〜４９.８ｍｏｌ％ 、ＮｉＯ１０.５〜２５.５ｍｏｌ
％、ＺｎＯ２０.０〜３５.０ｍｏｌ％、及び残部をＣｕ
Ｏとする低損失酸化物磁性材料において、副成分として
Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、
Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少なくとも
１種類以上を０〜５.０ｍｏｌ％（但し、０を含まず）
含む低損失酸化物磁性材料である。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、以
下、実施例を用いて説明する。
下、実施例を用いて説明する。
【００１８】
【実施例】（実施例１）Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ
ｕＯおよび、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ
2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3の
中から、それぞれ表１、表２に示す組成となるように秤
量し、湿式で２０分間混合し、乾燥・造粒後、８００℃
の大気中で仮焼し、得られた粉末を湿式で１２０分間粉
砕し、乾燥・造粒し、プレスした。その後、大気中で１
１００℃で１２０分間焼成した。そして、得られた焼結
体（寸法：１５ｍｍφ−１０ｍｍφ−５ｍｍ）のＰｃ
ｖ、μｉ、Ｂｓ、ρおよびＴｃを測定した。
ｕＯおよび、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ
2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3の
中から、それぞれ表１、表２に示す組成となるように秤
量し、湿式で２０分間混合し、乾燥・造粒後、８００℃
の大気中で仮焼し、得られた粉末を湿式で１２０分間粉
砕し、乾燥・造粒し、プレスした。その後、大気中で１
１００℃で１２０分間焼成した。そして、得られた焼結
体（寸法：１５ｍｍφ−１０ｍｍφ−５ｍｍ）のＰｃ
ｖ、μｉ、Ｂｓ、ρおよびＴｃを測定した。
【００１９】表１には、各発明品と従来品の組成を示
し、表２には、諸特性に及ぼすＬａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐ
ｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3また
はＴｂ2Ｏ3添加効果を、添加量が０.５ｍｏｌ％の場合
について示す。発明品１〜８は、従来品１と比較して、
μｉが増加し、Ｐｃｖが低下し、Ｔｃ、Ｂｓおよびρの
変化も、従来品１と比較して、実用上、無視できる程度
である。
し、表２には、諸特性に及ぼすＬａ2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐ
ｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3また
はＴｂ2Ｏ3添加効果を、添加量が０.５ｍｏｌ％の場合
について示す。発明品１〜８は、従来品１と比較して、
μｉが増加し、Ｐｃｖが低下し、Ｔｃ、Ｂｓおよびρの
変化も、従来品１と比較して、実用上、無視できる程度
である。
【００２０】
【表１】
【００２１】 （Ｐｃｖは５０ｋＨｚ−１５００Ｇ、８０℃の値）
【００２２】（実施例２）表３には、各発明品、従来
品、比較品の組成を示し、表４には、ＮｉＯ、ＺｎＯ、
およびＣｕＯ量を一定とし、Ｃｅ2Ｏ3量とＦｅ2Ｏ3量を
変えた場合の諸特性を示す。発明品９，２，１０、およ
び１１は、従来品１と比較して、μｉが増加し、Ｐｃｖ
が低下し、Ｔｃ、Ｂｓおよびρの変化も、従来品１と比
較して、実用上、無視できる程度である。比較品１は、
従来品１と比べて、μｉが低下し、損失が増大してい
る。Ｃｅ2Ｏ3以外のＬａ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓ
ｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3でも、同様
の効果が得られる。
品、比較品の組成を示し、表４には、ＮｉＯ、ＺｎＯ、
およびＣｕＯ量を一定とし、Ｃｅ2Ｏ3量とＦｅ2Ｏ3量を
変えた場合の諸特性を示す。発明品９，２，１０、およ
び１１は、従来品１と比較して、μｉが増加し、Ｐｃｖ
が低下し、Ｔｃ、Ｂｓおよびρの変化も、従来品１と比
較して、実用上、無視できる程度である。比較品１は、
従来品１と比べて、μｉが低下し、損失が増大してい
る。Ｃｅ2Ｏ3以外のＬａ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓ
ｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3でも、同様
の効果が得られる。
【００２３】
【００２４】 （Ｐｃｖは５０ｋＨｚ−１５００Ｇ、８０℃の値）
【００２５】（実施例３）表５には、各発明品と従来
品、比較品の組成を示し、また、表６には、ＮｉＯおよ
びＺｎＯ量を変えた場合の諸特性に及ぼすＣｅ2Ｏ3添加
効果を示す。ＮｉＯおよびＺｎＯ量に関わらずＣｅ2Ｏ3
の添加によりμｉは増加し、Ｐｃｖは低下しているが、
比較品２は、発明品１２，２，１３、および１４に比べ
て、Ｐｃｖが著しく大きい。また、比較品３は、発明品
１２，２，１３、および１４に比べて、ＢｓおよびＴｃ
が著しく小さい。Ｃｅ2Ｏ3以外のＬａ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、
Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2
Ｏ3でも同様の効果が得られる。
品、比較品の組成を示し、また、表６には、ＮｉＯおよ
びＺｎＯ量を変えた場合の諸特性に及ぼすＣｅ2Ｏ3添加
効果を示す。ＮｉＯおよびＺｎＯ量に関わらずＣｅ2Ｏ3
の添加によりμｉは増加し、Ｐｃｖは低下しているが、
比較品２は、発明品１２，２，１３、および１４に比べ
て、Ｐｃｖが著しく大きい。また、比較品３は、発明品
１２，２，１３、および１４に比べて、ＢｓおよびＴｃ
が著しく小さい。Ｃｅ2Ｏ3以外のＬａ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、
Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2
Ｏ3でも同様の効果が得られる。
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】（実施例４）表７には、発明品、従来品、
比較品の組成を示し、表８には、Ｆｅ2Ｏ3およびＮｉＯ
量を変えた場合の諸特性に及ぼすＣｅ2Ｏ3添加効果を示
す。Ｆｅ2Ｏ3量が４９.８ｍｏｌ％以下の場合は、Ｃｅ2
Ｏ3の添加によりμｉは増加し、Ｐｃｖは低下してい
る。Ｆｅ2Ｏ3量が４９.８ｍｏｌ％を超えると、Ｃｅ2Ｏ
3を添加する、しないに関わらず、ρが著しく低下す
る。Ｃｅ2Ｏ3以外のＬａ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓ
ｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3でも、同様
の効果が得られる。
比較品の組成を示し、表８には、Ｆｅ2Ｏ3およびＮｉＯ
量を変えた場合の諸特性に及ぼすＣｅ2Ｏ3添加効果を示
す。Ｆｅ2Ｏ3量が４９.８ｍｏｌ％以下の場合は、Ｃｅ2
Ｏ3の添加によりμｉは増加し、Ｐｃｖは低下してい
る。Ｆｅ2Ｏ3量が４９.８ｍｏｌ％を超えると、Ｃｅ2Ｏ
3を添加する、しないに関わらず、ρが著しく低下す
る。Ｃｅ2Ｏ3以外のＬａ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓ
ｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3またはＴｂ2Ｏ3でも、同様
の効果が得られる。
【００２９】
【００３０】 （Ｐｃｖは５０ｋＨｚ−１５００Ｇ、８０℃の値）
【００３１】図１に、発明品および従来品のＰｃｖの温
度特性を示す。測定温度範囲でＰｃｖは、発明品が従来
品を下回っている。
度特性を示す。測定温度範囲でＰｃｖは、発明品が従来
品を下回っている。
【００３２】図２に、発明品および従来品のμｉの温度
特性を示す。測定温度範囲でμｉは発明品が従来品を上
回っている。
特性を示す。測定温度範囲でμｉは発明品が従来品を上
回っている。
【００３３】
【発明の効果】以上、本発明によれば、従来のＮｉ−Ｚ
ｎフェライトと比較して、磁気損失（Ｐｃｖ）が小さ
い、かつ、初透磁率（μｉ）が大きい低損失酸化物磁性
材料であって、一方、キュリー温度（Ｔｃ）、飽和磁束
密度（Ｂｓ）、および比抵抗（ρ）の変化は、従来のＮ
ｉ−Ｚｎフェライトと比較して、実用上、無視できる程
度である低損失酸化物磁性材料を提供できるものであ
る。
ｎフェライトと比較して、磁気損失（Ｐｃｖ）が小さ
い、かつ、初透磁率（μｉ）が大きい低損失酸化物磁性
材料であって、一方、キュリー温度（Ｔｃ）、飽和磁束
密度（Ｂｓ）、および比抵抗（ρ）の変化は、従来のＮ
ｉ−Ｚｎフェライトと比較して、実用上、無視できる程
度である低損失酸化物磁性材料を提供できるものであ
る。
【図１】本発明の実施の形態による低損失酸化物磁性材
料と従来の酸化物磁性材料についてＰｃｖの温度特性の
比較を示す図。
料と従来の酸化物磁性材料についてＰｃｖの温度特性の
比較を示す図。
【図２】本発明の実施の形態による低損失酸化物磁性材
料と従来の酸化物磁性材料についてμｉの温度特性の比
較を示す図。
料と従来の酸化物磁性材料についてμｉの温度特性の比
較を示す図。
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分Ｆｅ2Ｏ3４４.５〜４９.８ｍｏｌ
％ 、ＮｉＯ１０.５〜２５.５ｍｏｌ％、ＺｎＯ２０.０
〜３５.０ｍｏｌ％、及び残部をＣｕＯとする低損失酸
化物磁性材料において、副成分として、Ｌａ2Ｏ3、Ｃｅ
2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ
2Ｏ3およびＴｂ2Ｏ3のうち、少なくとも１種類以上を０
〜５.０ｍｏｌ％（但し、０を含まず）含むことを特徴
とする低損失酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313997A JP2000124022A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 低損失酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313997A JP2000124022A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 低損失酸化物磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124022A true JP2000124022A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=18047986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10313997A Pending JP2000124022A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | 低損失酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124022A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095962A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Tdk Corp | サージ吸収素子 |
| US7400485B2 (en) | 2005-09-28 | 2008-07-15 | Tdk Corporation | Surge absorber |
| US7652554B2 (en) | 2005-05-02 | 2010-01-26 | Tdk Corporation | Multilayer filter |
| JP2013060361A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | ニッケル−亜鉛−銅系フェライト組成物、及びそれを利用した積層型チップ素子 |
| CN104909736A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-09-16 | 电子科技大学 | 一种镍锌铁氧体材料及其制备方法 |
| RU2573601C1 (ru) * | 2014-11-13 | 2016-01-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен" | Ферритовый материал |
| JP2020155589A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | Ｎｊコンポーネント株式会社 | 磁性材料、および積層チップ部品 |
| CN113072369A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-06 | 电子科技大学 | 高剩磁比的u型六角铁氧体材料及制备方法 |
-
1998
- 1998-10-15 JP JP10313997A patent/JP2000124022A/ja active Pending
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