JP2000114801A - 高周波伝送線路の接続構造 - Google Patents
高周波伝送線路の接続構造Info
- Publication number
- JP2000114801A JP2000114801A JP10276186A JP27618698A JP2000114801A JP 2000114801 A JP2000114801 A JP 2000114801A JP 10276186 A JP10276186 A JP 10276186A JP 27618698 A JP27618698 A JP 27618698A JP 2000114801 A JP2000114801 A JP 2000114801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- signal conductor
- frequency transmission
- signal
- transmission line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】伝送方向の異なる２つの高周波伝送線路の接続
部において信号の反射を抑制した線路の接続構造を提供
する。 【解決手段】誘電体基板２の表面あるいは内部に設けら
れ、所定の線幅を有する信号導体線３とグランド層４と
を具備してなるマイクロストリップ線路、トリプレート
線路、コプレーナ線路などの高周波伝送線路からなり、
信号伝送方向が所定の角度をもって同一平面内にて配置
された２つの信号導体線３ａ、３ｂを接続するための構
造であって、２つの信号導体線３ａ、３ｂの信号伝送方
向に直交する端部における内側角部５ａ，５ｂ同士、お
よび外側角部６ａ、６ｂ同士とを直線的に接続した２つ
の線分７，８を線路縁とする接続用導体線９によって接
続することにより、特に１０ＧＨｚ以上の高周波領域に
おいて、伝送方向の異なる２つの高周波伝送線路の接続
部における信号の反射を抑制することができる。
部において信号の反射を抑制した線路の接続構造を提供
する。 【解決手段】誘電体基板２の表面あるいは内部に設けら
れ、所定の線幅を有する信号導体線３とグランド層４と
を具備してなるマイクロストリップ線路、トリプレート
線路、コプレーナ線路などの高周波伝送線路からなり、
信号伝送方向が所定の角度をもって同一平面内にて配置
された２つの信号導体線３ａ、３ｂを接続するための構
造であって、２つの信号導体線３ａ、３ｂの信号伝送方
向に直交する端部における内側角部５ａ，５ｂ同士、お
よび外側角部６ａ、６ｂ同士とを直線的に接続した２つ
の線分７，８を線路縁とする接続用導体線９によって接
続することにより、特に１０ＧＨｚ以上の高周波領域に
おいて、伝送方向の異なる２つの高周波伝送線路の接続
部における信号の反射を抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波伝送線路を
具備する高周波伝送線路の接続構造に関するもので、特
に、マイクロ波帯からミリ波帯領域の高周波信号を進行
方向を変えて伝送するのに好適な伝送線路の接続構造の
改良に関する。
具備する高周波伝送線路の接続構造に関するもので、特
に、マイクロ波帯からミリ波帯領域の高周波信号を進行
方向を変えて伝送するのに好適な伝送線路の接続構造の
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達
に用いられる電波は１〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域か
ら、更に３０〜３００ＧＨｚのミリ波領域の周波数まで
活用することが検討されており、例えば、車間レーダー
やオフィス内高速データ通信システム（無線ＬＡＮ）の
ようなミリ波を用いたさまざまな高周波システムも提案
されるようになっている。
に用いられる電波は１〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域か
ら、更に３０〜３００ＧＨｚのミリ波領域の周波数まで
活用することが検討されており、例えば、車間レーダー
やオフィス内高速データ通信システム（無線ＬＡＮ）の
ようなミリ波を用いたさまざまな高周波システムも提案
されるようになっている。
【０００３】このような高周波技術において、信号の伝
送を担う高周波伝送線路としては、従来から導波管、誘
電体導波管、マイクロストリップ線路、コプレーナ線
路、トリプレート線路などが知られている。これらの中
でもマイクロストリップ線路、コプレーナ線路、トリプ
レート線路などの線路は、誘電体材料からなる誘電体基
板の表面あるいは内部に設けられた、信号導体線とグラ
ンド層とを対として、両者の電磁的な結合によって信号
を所定の方向に伝送するものである。
送を担う高周波伝送線路としては、従来から導波管、誘
電体導波管、マイクロストリップ線路、コプレーナ線
路、トリプレート線路などが知られている。これらの中
でもマイクロストリップ線路、コプレーナ線路、トリプ
レート線路などの線路は、誘電体材料からなる誘電体基
板の表面あるいは内部に設けられた、信号導体線とグラ
ンド層とを対として、両者の電磁的な結合によって信号
を所定の方向に伝送するものである。
【０００４】また、上記の高周波システムは、いずれも
電波を利用したものであり、アンテナの指向性をコント
ロールしたりビームを切り替えたりする必要があること
から、このような信号を伝送する高周波伝送線路におい
ては、信号の伝送方向を屈曲したり、あるいは分岐する
ことが行われている。
電波を利用したものであり、アンテナの指向性をコント
ロールしたりビームを切り替えたりする必要があること
から、このような信号を伝送する高周波伝送線路におい
ては、信号の伝送方向を屈曲したり、あるいは分岐する
ことが行われている。
【０００５】通常、このような高周波伝送線路の屈折に
関して、例えば、信号伝送方向が９０度の角度をもって
同一平面内に配置された２つの信号導体線２１、２２間
を接続する場合、図４の（ａ）に示すように、信号導体
線２１、２２を一辺が信号導体線の線幅からなる四角形
状の接続部２３によって接続したもの、（ｂ）に示すよ
うに、（ａ）の四角形状の接続部２３の外側の線路縁に
テーパ２４を設けて、内側角部ａからテーパ２４までの
距離を導体線の線幅ｘに整合させたもの、（ｃ）に示す
ように、接続部２３における外側線路縁ｂを内側角部ａ
を中心とする円弧状に形成して、接続部２３での内側角
部ａから外側線路縁ｂまでの線路幅を導体線２１、２２
の線幅ｘと同一となるようにしたもの、（ｄ）信号導体
線２１、２２を同一の線幅ｘの接続用線路２５によって
接続したもの、などが知られている。
関して、例えば、信号伝送方向が９０度の角度をもって
同一平面内に配置された２つの信号導体線２１、２２間
を接続する場合、図４の（ａ）に示すように、信号導体
線２１、２２を一辺が信号導体線の線幅からなる四角形
状の接続部２３によって接続したもの、（ｂ）に示すよ
うに、（ａ）の四角形状の接続部２３の外側の線路縁に
テーパ２４を設けて、内側角部ａからテーパ２４までの
距離を導体線の線幅ｘに整合させたもの、（ｃ）に示す
ように、接続部２３における外側線路縁ｂを内側角部ａ
を中心とする円弧状に形成して、接続部２３での内側角
部ａから外側線路縁ｂまでの線路幅を導体線２１、２２
の線幅ｘと同一となるようにしたもの、（ｄ）信号導体
線２１、２２を同一の線幅ｘの接続用線路２５によって
接続したもの、などが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】また、従来の図４
（ａ）に示すような単純構造の接続構造においては、接
続部における線路幅ｙが信号導体線の線路幅ｘより大き
くなり、特性インピーダンスが小さくなってインピーダ
ンス不整合による反射が大きくなるという観点から、
（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すような、接続部における線路
幅が直線部の線路幅と実質的に同一となるようにしたも
のである。
（ａ）に示すような単純構造の接続構造においては、接
続部における線路幅ｙが信号導体線の線路幅ｘより大き
くなり、特性インピーダンスが小さくなってインピーダ
ンス不整合による反射が大きくなるという観点から、
（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すような、接続部における線路
幅が直線部の線路幅と実質的に同一となるようにしたも
のである。
【０００７】しかしながら、このような図４（ｂ）
（ｃ）（ｄ）に示されるような改善構造においては、周
波数が比較的低い信号に対してはある程度の効果はあっ
ても、伝送する信号の周波数が１０ＧＨｚ以上のなると
線路の接続部で高周波信号が反射するという現象が生じ
ることがわかった。
（ｃ）（ｄ）に示されるような改善構造においては、周
波数が比較的低い信号に対してはある程度の効果はあっ
ても、伝送する信号の周波数が１０ＧＨｚ以上のなると
線路の接続部で高周波信号が反射するという現象が生じ
ることがわかった。
【０００８】これは、上記従来の構造において、信号導
体線２１から導体線２２に高周波信号が伝送される場
合、図４（ａ）〜（ｄ）の構造では、いずれも信号導体
線２１の信号伝送方向に対して直交方向の信号導体線幅
Ｌが接続部２３で急激に大きくなっており、その結果、
特性インピーダンスが急激に小さくなるために高周波信
号の反射が大きくなってしまうものであった。
体線２１から導体線２２に高周波信号が伝送される場
合、図４（ａ）〜（ｄ）の構造では、いずれも信号導体
線２１の信号伝送方向に対して直交方向の信号導体線幅
Ｌが接続部２３で急激に大きくなっており、その結果、
特性インピーダンスが急激に小さくなるために高周波信
号の反射が大きくなってしまうものであった。
【０００９】従来より、高周波領域における信号伝送方
向の異なる２つの導体線を接続する場合には、特定長さ
の整合用伝送線路の挿入について検討されるものの、高
周波伝送線路における接続部での線路幅の制御による反
射の抑制については、十分検討されていないのが現状で
あり、高周波技術における損失の小さい線路の引き回し
を行うためには、この接続部における反射の小さい線路
構造が必要不可欠となっていた。
向の異なる２つの導体線を接続する場合には、特定長さ
の整合用伝送線路の挿入について検討されるものの、高
周波伝送線路における接続部での線路幅の制御による反
射の抑制については、十分検討されていないのが現状で
あり、高周波技術における損失の小さい線路の引き回し
を行うためには、この接続部における反射の小さい線路
構造が必要不可欠となっていた。
【００１０】従って、本発明は、伝送方向の異なる２つ
の高周波伝送線路の接続部において信号の反射を抑制し
た線路の接続構造を提供することにある。
の高周波伝送線路の接続部において信号の反射を抑制し
た線路の接続構造を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
に対して検討を重ねた結果、誘電体材料からなる誘電体
基板の表面あるいは内部に設けられ、所定の線幅を有す
る信号導体線とグランド層とを具備してなる高周波伝送
線路からなり、信号伝送方向が所定の角度をもって同一
平面内にて配置された２つの信号導体線を接続するため
の構造であって、前記２つの信号導体線の信号伝送方向
に直交する端部における内側角部同士、および外側角部
同士とを接続した２つの線分を線路縁とする接続用導体
線によって接続することにより、接続部での反射を抑制
できることを見いだしたものである。
に対して検討を重ねた結果、誘電体材料からなる誘電体
基板の表面あるいは内部に設けられ、所定の線幅を有す
る信号導体線とグランド層とを具備してなる高周波伝送
線路からなり、信号伝送方向が所定の角度をもって同一
平面内にて配置された２つの信号導体線を接続するため
の構造であって、前記２つの信号導体線の信号伝送方向
に直交する端部における内側角部同士、および外側角部
同士とを接続した２つの線分を線路縁とする接続用導体
線によって接続することにより、接続部での反射を抑制
できることを見いだしたものである。
【００１２】なお、この高周波伝送線路としては、前記
誘電体基板表面に形成された信号導体線と、前記誘電体
基板内部または基板裏面に形成されたグランド層とから
なるマイクロストリップ線路、前記誘電体基板の内部に
形成された信号導体線と、前記信号導体線の上下に設け
られた一対のグランド層とからなるトリプレート線路、
前記誘電体基板の表面あるいは内部に設けられた信号導
体線と、該信号導体線と同一平面内の両側に形成された
一対のグランド層を具備するコプレーナ線路などのいず
れに対しても適用できる。
誘電体基板表面に形成された信号導体線と、前記誘電体
基板内部または基板裏面に形成されたグランド層とから
なるマイクロストリップ線路、前記誘電体基板の内部に
形成された信号導体線と、前記信号導体線の上下に設け
られた一対のグランド層とからなるトリプレート線路、
前記誘電体基板の表面あるいは内部に設けられた信号導
体線と、該信号導体線と同一平面内の両側に形成された
一対のグランド層を具備するコプレーナ線路などのいず
れに対しても適用できる。
【００１３】また、本発明における線路構造は、周波数
１０ＧＨｚ以上の信号が伝送される伝送線路に最も有効
的であり、さらに損失を低減する上では、前記信号導体
線が誘電体基板表面に薄膜法によって形成されてなり、
さらには、銀、銅および金のうちの少なくとも１種の低
抵抗金属によって形成されてなることが望ましい。
１０ＧＨｚ以上の信号が伝送される伝送線路に最も有効
的であり、さらに損失を低減する上では、前記信号導体
線が誘電体基板表面に薄膜法によって形成されてなり、
さらには、銀、銅および金のうちの少なくとも１種の低
抵抗金属によって形成されてなることが望ましい。
【００１４】
【作用】従来の図４（ａ）〜（ｄ）の接続構造において
は、例えば、図４（ｄ）を例にして説明すると、信号導
体線２１、２２をそれらと同一の線路幅の接続用線路２
５によって接続した場合、高周波信号の伝送方向に対し
て直交方向の導体幅が、信号導体線２１から屈曲部とな
る接続用線路２５との接続部で線路幅ｚとなり、大きく
なってしまうために、特性インピーダンスが小さくなっ
てしまう。このため、この図３（ｄ）における線路構造
では、反射が大きくなってしまうと考えられる。このよ
うな原理に基づくと、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）の線路構
造によれば、接続部において、信号導体線の線路幅ｘか
ら屈曲後の線路幅ｚに急激に変化することから、その反
射はさらに大きいものである。
は、例えば、図４（ｄ）を例にして説明すると、信号導
体線２１、２２をそれらと同一の線路幅の接続用線路２
５によって接続した場合、高周波信号の伝送方向に対し
て直交方向の導体幅が、信号導体線２１から屈曲部とな
る接続用線路２５との接続部で線路幅ｚとなり、大きく
なってしまうために、特性インピーダンスが小さくなっ
てしまう。このため、この図３（ｄ）における線路構造
では、反射が大きくなってしまうと考えられる。このよ
うな原理に基づくと、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）の線路構
造によれば、接続部において、信号導体線の線路幅ｘか
ら屈曲後の線路幅ｚに急激に変化することから、その反
射はさらに大きいものである。
【００１５】これに対して、前記２つの信号導体線の信
号伝送方向に直交する端部における内側角部同士、およ
び外側角部同士とを接続した２つの線分を線路縁とする
接続用導体線によって接続すると、信号の伝送方向に直
交する線幅は、接続部において、接続部における信号入
力側の線幅が信号導体線の線幅を維持した状態となるた
めに急激な線幅の変化がないことから特性インピーダン
スの変化が小さくなり接続部での反射を低減することが
できる。
号伝送方向に直交する端部における内側角部同士、およ
び外側角部同士とを接続した２つの線分を線路縁とする
接続用導体線によって接続すると、信号の伝送方向に直
交する線幅は、接続部において、接続部における信号入
力側の線幅が信号導体線の線幅を維持した状態となるた
めに急激な線幅の変化がないことから特性インピーダン
スの変化が小さくなり接続部での反射を低減することが
できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の伝送線路を図面に
基づき詳述する。図１は、本発明の高周波伝送線路の接
続構造の一例を説明するための（ａ）平面図と、（ｂ）
（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。図１の接続構造
における高周波伝送線路１は、マイクロストリップ線路
からなるもので、誘電体材料からなる誘電体基板２の表
面に設けられ、所定の線幅を有する信号導体線３と、グ
ランド層４とを具備してなるものである。
基づき詳述する。図１は、本発明の高周波伝送線路の接
続構造の一例を説明するための（ａ）平面図と、（ｂ）
（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。図１の接続構造
における高周波伝送線路１は、マイクロストリップ線路
からなるもので、誘電体材料からなる誘電体基板２の表
面に設けられ、所定の線幅を有する信号導体線３と、グ
ランド層４とを具備してなるものである。
【００１７】そして、図１の接続構造においては、その
平面図（ａ）に示されるように、誘電体基板２の表面に
は、信号の伝送方向Ｘ、Ｙが９０度異なり、且つ同一の
線幅ｍからなる２つの信号導体線３ａと３ｂが被着形成
されている。そして、この２つの信号導体線３ａ，３ｂ
は、各信号導体線の信号伝送方向に直交する端部におけ
る内側角部５ａ，５ｂ同士、および外側角部６ａ，６ｂ
同士を接続した２つの線分７、８を線路縁とする接続用
導体線９によって接続されている。なお、上記内側角部
５ａ，５ｂ同士、および外側角部６ａ，６ｂ同士は、直
線的に接続し、線分７，８が平行線からなることが望ま
しい。
平面図（ａ）に示されるように、誘電体基板２の表面に
は、信号の伝送方向Ｘ、Ｙが９０度異なり、且つ同一の
線幅ｍからなる２つの信号導体線３ａと３ｂが被着形成
されている。そして、この２つの信号導体線３ａ，３ｂ
は、各信号導体線の信号伝送方向に直交する端部におけ
る内側角部５ａ，５ｂ同士、および外側角部６ａ，６ｂ
同士を接続した２つの線分７、８を線路縁とする接続用
導体線９によって接続されている。なお、上記内側角部
５ａ，５ｂ同士、および外側角部６ａ，６ｂ同士は、直
線的に接続し、線分７，８が平行線からなることが望ま
しい。
【００１８】かかる接続構造では、信号導体線３ａから
信号導体線３ｂに信号が伝送される場合、信号導体線３
ａの信号伝送方向に対して直交方向の線幅が、信号導体
線３ａから接続用導体線９に至った場合においてもほぼ
同一の線幅からなり線幅が急激に変化することがないた
めに、この接続部における高周波信号の反射を抑制する
ことができる。
信号導体線３ｂに信号が伝送される場合、信号導体線３
ａの信号伝送方向に対して直交方向の線幅が、信号導体
線３ａから接続用導体線９に至った場合においてもほぼ
同一の線幅からなり線幅が急激に変化することがないた
めに、この接続部における高周波信号の反射を抑制する
ことができる。
【００１９】また、上記の接続構造においては、接続用
導体線９の中央部における高周波信号の進行方向は信号
導体線３ａの進行方向Ｘと信号導体線３ｂの進行方向Ｙ
との中間の方向となる。従って、この中央部での高周波
信号の進行方向Ｚの直交方向の線幅ｎは、信号導体線３
ａ，３ｂの線幅ｍよりも狭くなっており、特性インピー
ダンスの不整合が生じることが懸念されるが、接続用導
体線９の中央部で線幅は一定の場合、この接続用導体線
９の形状に倣って高周波信号の電磁界分布が変化しなが
らその進行方向を変えるため、信号導体線の線幅が変化
して特性インピーダンスが変化する場合があり、インピ
ーダンス不整合による高周波信号の反射は小さくなる。
また、接続部の各領域で特性インピーダンスが一定にな
るように、導体幅を連続的に変化させる、具体的には、
角部５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂを曲線によって形成すれ
ば、更に反射を小さくすることができる。
導体線９の中央部における高周波信号の進行方向は信号
導体線３ａの進行方向Ｘと信号導体線３ｂの進行方向Ｙ
との中間の方向となる。従って、この中央部での高周波
信号の進行方向Ｚの直交方向の線幅ｎは、信号導体線３
ａ，３ｂの線幅ｍよりも狭くなっており、特性インピー
ダンスの不整合が生じることが懸念されるが、接続用導
体線９の中央部で線幅は一定の場合、この接続用導体線
９の形状に倣って高周波信号の電磁界分布が変化しなが
らその進行方向を変えるため、信号導体線の線幅が変化
して特性インピーダンスが変化する場合があり、インピ
ーダンス不整合による高周波信号の反射は小さくなる。
また、接続部の各領域で特性インピーダンスが一定にな
るように、導体幅を連続的に変化させる、具体的には、
角部５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂを曲線によって形成すれ
ば、更に反射を小さくすることができる。
【００２０】本発明の接続構造は、図１に示したマイク
ロストリップ線路のみならず、図１の信号導体線３ａ、
３ｂが誘電体基板内部に設けられ、その信号導体線３
ａ、３ｂの上下面に一対のグランド層が設けられたトリ
プレート線路に適用できる。
ロストリップ線路のみならず、図１の信号導体線３ａ、
３ｂが誘電体基板内部に設けられ、その信号導体線３
ａ、３ｂの上下面に一対のグランド層が設けられたトリ
プレート線路に適用できる。
【００２１】また、本発明の接続構造は、誘電体基板の
表面あるいは内部に設けられた信号導体線と、信号導体
線と同一平面内の両側に形成された一対のグランド層を
具備するコプレーナ線路や、そのコプレーナ線路の上面
あるいは下面に別のグランド層を配置したグランド付き
コプレーナ線路に対しても適用することもできる。
表面あるいは内部に設けられた信号導体線と、信号導体
線と同一平面内の両側に形成された一対のグランド層を
具備するコプレーナ線路や、そのコプレーナ線路の上面
あるいは下面に別のグランド層を配置したグランド付き
コプレーナ線路に対しても適用することもできる。
【００２２】図２は、本発明の接続構造をこれらのコプ
レーナ線路に適用した場合の一例を示す平面図である。
図２によれば、誘電体基板１０の表面に信号の伝送方向
Ｘ、Ｙが９０度異なり、且つ同一の線幅ｍからなる２つ
の信号導体線１１ａと１１ｂが被着形成されており、こ
の２つの信号導体線１１ａ，１１ｂは、図１の同様に、
各信号導体線の信号伝送方向に直交する端部における内
側角部１２ａ，１２ｂ同士、および外側角部１３ａ，１
３ｂ同士を直線的に接続した２つの線分１４、１５を線
路縁とする接続用導体線１６によって接続されている。
そして、この信号導体線１１ａ，１１ｂおよび接続用導
体線１６の両側には、所定の間隔ｐをもってグランド層
１７が形成された構造からなる。
レーナ線路に適用した場合の一例を示す平面図である。
図２によれば、誘電体基板１０の表面に信号の伝送方向
Ｘ、Ｙが９０度異なり、且つ同一の線幅ｍからなる２つ
の信号導体線１１ａと１１ｂが被着形成されており、こ
の２つの信号導体線１１ａ，１１ｂは、図１の同様に、
各信号導体線の信号伝送方向に直交する端部における内
側角部１２ａ，１２ｂ同士、および外側角部１３ａ，１
３ｂ同士を直線的に接続した２つの線分１４、１５を線
路縁とする接続用導体線１６によって接続されている。
そして、この信号導体線１１ａ，１１ｂおよび接続用導
体線１６の両側には、所定の間隔ｐをもってグランド層
１７が形成された構造からなる。
【００２３】かかる接続構造においても、信号導体線１
１ａから信号導体線１１ｂに信号が伝送される場合、信
号導体線１１ａの信号伝送方向に対して直交方向の線幅
が、信号導体線１１ａから接続用導体線１６に至った場
合においてもほぼ同一の線幅からなり線幅が急激に変化
することがないために、この接続部における高周波信号
の反射を抑制することができる。
１ａから信号導体線１１ｂに信号が伝送される場合、信
号導体線１１ａの信号伝送方向に対して直交方向の線幅
が、信号導体線１１ａから接続用導体線１６に至った場
合においてもほぼ同一の線幅からなり線幅が急激に変化
することがないために、この接続部における高周波信号
の反射を抑制することができる。
【００２４】本発明の接続構造において、用いられる誘
電体基板材料としては、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、ガラ
スセラミックス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラ
ミックスや有機樹脂を構成要素とする有機質絶縁材によ
って構成されるが、高周波信号の伝送損失を小さくする
ためには、比誘電率が１０以下の誘電体からなることが
望ましい。
電体基板材料としては、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、ガラ
スセラミックス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラ
ミックスや有機樹脂を構成要素とする有機質絶縁材によ
って構成されるが、高周波信号の伝送損失を小さくする
ためには、比誘電率が１０以下の誘電体からなることが
望ましい。
【００２５】また、信号導体線やグランド層を形成する
導体材料としては、銀、銅および金のうちのいずれかの
低抵抗金属から形成されてなることが望ましい。これ
は、上記低抵抗導体を信号伝送用の導体として採用する
ことにより、周波数が高くなるとその平方根に比例して
増大する導体損を低減でき、従来のＷ、Ｍｏなどの高融
点金属による場合に比較して導体損を更に低減すること
が可能となり、特に周波数が１０ＧＨｚ以上の領域にな
るとその効果は更に顕著となる。
導体材料としては、銀、銅および金のうちのいずれかの
低抵抗金属から形成されてなることが望ましい。これ
は、上記低抵抗導体を信号伝送用の導体として採用する
ことにより、周波数が高くなるとその平方根に比例して
増大する導体損を低減でき、従来のＷ、Ｍｏなどの高融
点金属による場合に比較して導体損を更に低減すること
が可能となり、特に周波数が１０ＧＨｚ以上の領域にな
るとその効果は更に顕著となる。
【００２６】また、誘電体基板としてセラミックスを用
いる場合には、信号導体線やグランド層と誘電体基板と
を同時に焼成して形成することができ、特に、上記低抵
抗金属を用いる場合には、誘電体基板用セラミックスと
しては、焼成温度が８００〜１０００℃程度のガラスセ
ラミックスが最適である。
いる場合には、信号導体線やグランド層と誘電体基板と
を同時に焼成して形成することができ、特に、上記低抵
抗金属を用いる場合には、誘電体基板用セラミックスと
しては、焼成温度が８００〜１０００℃程度のガラスセ
ラミックスが最適である。
【００２７】誘電体基板と上記の接続構造を有する高周
波伝送線路とを具備する配線基板を同時焼成によって形
成する場合には、例えば、ガラスセラミックスを構成す
る原料粉末に有機物系のバインダーを混合して調製した
成形材料を、ドクターブレード法やプレス成形法、圧延
法等の周知の成形方法でシート状の成形体を得た後、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の低抵抗金属を主体とするペーストを
用いて伝送線路の信号導体線やグランド層の導体パター
ンを印刷形成する。その後、必要に応じて前記所要パタ
ーンを印刷形成したシート状成形体を位置合わせして複
数枚積層し、該積層体を８００〜１０００℃の温度で、
窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成することにより伝送線
路が得られる。
波伝送線路とを具備する配線基板を同時焼成によって形
成する場合には、例えば、ガラスセラミックスを構成す
る原料粉末に有機物系のバインダーを混合して調製した
成形材料を、ドクターブレード法やプレス成形法、圧延
法等の周知の成形方法でシート状の成形体を得た後、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の低抵抗金属を主体とするペーストを
用いて伝送線路の信号導体線やグランド層の導体パター
ンを印刷形成する。その後、必要に応じて前記所要パタ
ーンを印刷形成したシート状成形体を位置合わせして複
数枚積層し、該積層体を８００〜１０００℃の温度で、
窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成することにより伝送線
路が得られる。
【００２８】また、焼結後の誘電体基板表面に形成され
る信号導体線あるいはグランド層は、上記の同時焼成法
に限られず、焼結後の誘電体基板の表面に公知の厚膜
法、薄膜法によっても形成することができるが、特に薄
膜法は、パターンを高精度に形成できる点で望ましい。
る信号導体線あるいはグランド層は、上記の同時焼成法
に限られず、焼結後の誘電体基板の表面に公知の厚膜
法、薄膜法によっても形成することができるが、特に薄
膜法は、パターンを高精度に形成できる点で望ましい。
【００２９】
【実施例】本発明の接続構造による信号の反射特性（Ｓ
１１）について電磁界シミュレータによりシミュレーシ
ョンした結果を図３に示した。この反射特性は、図１に
示したマイクロストリップ線路による接続構造によるも
ので、誘電率が９の誘電体材料と、信号導体線およびグ
ランド層を完全導体によって形成したものである。図３
から明らかなように、１０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波
領域においても反射が−２０（ｄＢ）以下の優れた特性
を示した。
１１）について電磁界シミュレータによりシミュレーシ
ョンした結果を図３に示した。この反射特性は、図１に
示したマイクロストリップ線路による接続構造によるも
ので、誘電率が９の誘電体材料と、信号導体線およびグ
ランド層を完全導体によって形成したものである。図３
から明らかなように、１０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波
領域においても反射が−２０（ｄＢ）以下の優れた特性
を示した。
【００３０】これに対して、図４（ａ）および図４
（ｂ）の接続構造に対しても同様の測定を行った結果を
図５、図６に示した。図５、図６から明らかなように、
周波数が１０ＧＨｚより小さい場合には、反射は−２０
ｄＢ以下と小さいが、周波数が１０ＧＨｚよりも大きく
なると、反射が次第に大きくなり、図３と図５、図６の
対比から本発明の接続構造による信号の反射が効果的に
抑制されることが理解される。
（ｂ）の接続構造に対しても同様の測定を行った結果を
図５、図６に示した。図５、図６から明らかなように、
周波数が１０ＧＨｚより小さい場合には、反射は−２０
ｄＢ以下と小さいが、周波数が１０ＧＨｚよりも大きく
なると、反射が次第に大きくなり、図３と図５、図６の
対比から本発明の接続構造による信号の反射が効果的に
抑制されることが理解される。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波伝送
線路の接続構造によれば、特に１０ＧＨｚ以上の高周波
領域において、伝送方向の異なる２つの高周波伝送線路
の接続部における信号の反射を抑制することができるこ
とから、高周波領域における損失のない高周波伝送線路
の引き回しを行うことができる。
線路の接続構造によれば、特に１０ＧＨｚ以上の高周波
領域において、伝送方向の異なる２つの高周波伝送線路
の接続部における信号の反射を抑制することができるこ
とから、高周波領域における損失のない高周波伝送線路
の引き回しを行うことができる。
【図１】本発明の高周波伝送線路の接続構造として、マ
イクロストリップ線路を用いた場合の一例を説明するた
めの（ａ）平面図および（ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’断面図
である。
イクロストリップ線路を用いた場合の一例を説明するた
めの（ａ）平面図および（ｂ）（ａ）のＡ−Ａ’断面図
である。
【図２】本発明の高周波伝送線路の接続構造として、コ
プレーナ線路を用いた場合の一例を説明するための平面
図である。
プレーナ線路を用いた場合の一例を説明するための平面
図である。
【図３】図１の高周波伝送線路の接続構造による伝送特
性を示した図である。
性を示した図である。
【図４】従来の高周波伝送線路の接続構造を説明するた
めの平面図である。
めの平面図である。
【図５】図４（ａ）の接続構造による伝送特性を示した
図である。
図である。
【図６】図４（ｂ）の接続構造による伝送特性を示した
図である。
図である。
１ 高周波伝送線路 ２，１０ 誘電体基板 ３，３ａ，３ｂ，１１ａ，１１ｂ 信号導体線 ４，１７ グランド層 ５ａ，５ｂ，１２ａ，１２ｂ 内側角部 ６ａ，６ｂ，１３ａ，１３ｂ 外側角部 ７，８，１４，１５ 線分 ９，１６ 接続用導体線
Claims (9)
- 【請求項１】誘電体材料からなる誘電体基板の表面ある
いは内部に設けられ、所定の線幅を有する信号導体線と
グランド層とを具備してなる高周波伝送線路からなり、
信号伝送方向が所定の角度をもって同一平面内にて配置
された２つの信号導体線を接続するための構造であっ
て、前記２つの信号導体線の信号伝送方向に直交する端
部における内側角部同士、および外側角部同士とを接続
した２つの線分を線路縁とする接続用導体線によって接
続してなることを特徴とする高周波伝送線路の接続構
造。 - 【請求項２】前記２つの線分が直線からなる請求項１記
載の高周波伝送線路の接続構造。 - 【請求項３】前記高周波伝送線路が、前記誘電体基板表
面に形成された信号導体線と、前記誘電体基板内部また
は基板裏面に形成されたグランド層とからなるマイクロ
ストリップ線路である請求項１記載の高周波伝送線路の
接続構造。 - 【請求項４】前記高周波伝送線路が、前記誘電体基板の
内部に形成された信号導体線と、前記信号導体線の上下
に設けられた一対のグランド層とからなるトリプレート
線路である請求項１記載の高周波伝送線路の接続構造。 - 【請求項５】前記高周波伝送線路が、前記誘電体基板の
表面あるいは内部に設けられた信号導体線と、該信号導
体線の両側に形成された一対のグランド層を具備するコ
プレーナ線路である請求項１記載の高周波伝送線路の接
続構造。 - 【請求項６】前記高周波伝送線路に、周波数１０ＧＨｚ
以上の信号が伝送される請求項１記載の高周波伝送線路
の接続構造。 - 【請求項７】前記信号導体線が誘電体基板表面に薄膜法
によって形成されてなる請求項１、請求項２または請求
項４記載の高周波伝送線路の接続構造。 - 【請求項８】前記信号導体線が、Ａｇ、ＣｕおよびＡｕ
のうちの少なくとも１種により形成されてなる請求項１
乃至請求項５のいずれか記載の高周波伝送線路の接続構
造。 - 【請求項９】前記誘電体基板が、セラミックスからな
り、前記信号導体線および前記グランド層と同時焼成に
よって形成されてなる請求項１乃至請求項７のいずれか
記載の高周波伝送線路の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276186A JP2000114801A (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 高周波伝送線路の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276186A JP2000114801A (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 高周波伝送線路の接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114801A true JP2000114801A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17565913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10276186A Pending JP2000114801A (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 高周波伝送線路の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114801A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047530A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| KR100653653B1 (ko) | 2005-12-12 | 2006-12-06 | 한국전자통신연구원 | 수십㎓ 대역에서 ｒｆ의 진행방향을 변경할 수 있도록개선된 코플래너 웨이브가이드 및 이를 적용한 광통신용모듈 |
| US7177549B2 (en) | 2002-04-25 | 2007-02-13 | Opnext Japan, Inc. | High-frequency transmission line and an optical module incorporating the same line |
| US7193490B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-03-20 | Tdk Corporation | High frequency transmission line and high frequency board |
| KR100777967B1 (ko) | 2006-09-29 | 2007-11-21 | 한국전자통신연구원 | 불연속 영역에서의 반사 손실을 상쇄하는 코플래너웨이브가이드 및 이를 적용한 광통신용 모듈 |
| JP2010212795A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Toshiba Corp | 増幅器及び無線機 |
| JP2010237615A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御デバイス |
-
1998
- 1998-09-29 JP JP10276186A patent/JP2000114801A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7177549B2 (en) | 2002-04-25 | 2007-02-13 | Opnext Japan, Inc. | High-frequency transmission line and an optical module incorporating the same line |
| US7193490B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-03-20 | Tdk Corporation | High frequency transmission line and high frequency board |
| JP2006047530A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| KR100653653B1 (ko) | 2005-12-12 | 2006-12-06 | 한국전자통신연구원 | 수십㎓ 대역에서 ｒｆ의 진행방향을 변경할 수 있도록개선된 코플래너 웨이브가이드 및 이를 적용한 광통신용모듈 |
| US7331723B2 (en) | 2005-12-12 | 2008-02-19 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Enhanced coplanar waveguide and optical communication module using the same |
| KR100777967B1 (ko) | 2006-09-29 | 2007-11-21 | 한국전자통신연구원 | 불연속 영역에서의 반사 손실을 상쇄하는 코플래너웨이브가이드 및 이를 적용한 광통신용 모듈 |
| JP2010212795A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Toshiba Corp | 増幅器及び無線機 |
| JP2010237615A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光制御デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0883328B1 (en) | Circuit board comprising a high frequency transmission line | |
| EP1367671B1 (en) | Multi-band meander line antenna | |
| JP4390651B2 (ja) | ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ−ＷｉｄｅＢａｎｄ）通信用アンテナ | |
| JP4400929B2 (ja) | 極小型超広帯域マイクロストリップアンテナ | |
| EP1394898A1 (en) | Dielectric resonator wideband antenna | |
| KR101718761B1 (ko) | 대각 방향의 방사를 위한 밀리미터파 대역 안테나 | |
| US3523260A (en) | Microstrip balun | |
| KR100980678B1 (ko) | 위상 천이기 | |
| EP0984504A2 (en) | Transverse electric or quasi-transverse electric mode to waveguide mode transformer | |
| JP2000114801A (ja) | 高周波伝送線路の接続構造 | |
| JP3786545B2 (ja) | 配線基板とその接続構造 | |
| JP3580667B2 (ja) | 変換線路 | |
| JPH08162812A (ja) | 高周波結合器 | |
| JP2000165116A (ja) | 方向性結合器 | |
| JP3619396B2 (ja) | 高周波用配線基板および接続構造 | |
| KR102163069B1 (ko) | 결합기 | |
| US5160904A (en) | Microstrip circuit with transition for different dielectric materials | |
| JP4203404B2 (ja) | 導波管構造体の分岐構造およびアンテナ基板 | |
| JPH06104612A (ja) | マイクロストリップベンド | |
| TWI837652B (zh) | 雙層低溫共燒陶瓷天線 | |
| JP3351366B2 (ja) | 高周波伝送線路及びその製造方法 | |
| CN216055123U (zh) | 波导转换结构和毫米波电子器件 | |
| JP3762109B2 (ja) | 配線基板の接続構造 | |
| CN114400427B (zh) | 基于阶梯阻抗耦合线的四频功分器 | |
| JP4203405B2 (ja) | 導波管構造体の分岐構造およびアンテナ基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041109 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050111 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050215 |