JP2000111867A - Liquid crystal driving power source circuit - Google Patents

Liquid crystal driving power source circuit

Info

Publication number
JP2000111867A
JP2000111867A JP10283011A JP28301198A JP2000111867A JP 2000111867 A JP2000111867 A JP 2000111867A JP 10283011 A JP10283011 A JP 10283011A JP 28301198 A JP28301198 A JP 28301198A JP 2000111867 A JP2000111867 A JP 2000111867A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
output
load
voltage
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10283011A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Nishimaki
辰夫 西牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP10283011A priority Critical patent/JP2000111867A/en
Publication of JP2000111867A publication Critical patent/JP2000111867A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to switch an output impedance of an liquid crystal drive voltage output according to a load condition of a liquid crystal panel. SOLUTION: This liquid crystal driving power source circuit is composed of a reference voltage generation circuit 101 for forming driving voltages at plural levels, voltage-follower type buffer amplifiers 102, 107, 111 for converting V1, V2, and V3 in impedance, comparators 103, 106, 110 provided with input offsets for comparing the outputs of the buffer amplifiers with the inputs of the buffer amplifiers, and load circuits to the driving voltages controlled by the outputs from the comparators. In such a manner, there is the effect of realizing a low current consumption in a liquid crystal driving voltage output circuit by reducing the output impedance of the liquid crystal driving circuit only in a necessary case according to a load of an arbitrary size of a liquid crystal panel. Moreover, it is unnecessary to connect a capacitor for stabilizing the liquid crystal output, and also it becomes possible to reduce the number of parts and the number of terminals of the semiconductor integrated circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の液
晶駆動電源回路に関する。
The present invention relates to a liquid crystal drive power supply circuit for a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の液晶駆動電圧発生回路において
は、出力段に流れる貫通電流を削減するため、図2のよ
うに、VDD側の液晶駆動電圧VL1の出力はP型MO
S出力203とVSS側内蔵負荷208の組み合わせで
構成され、逆にVSS側の液晶駆動電圧VL2の出力は
図3に示すようにN型MOS出力308とVDD側への
内蔵負荷307で構成される。前記内蔵負荷はMOSト
ランジスタまたは、抵抗成分で形成され、この時それぞ
れの液晶駆動出力回路の内蔵負荷は、液晶駆動電圧出力
を安定させる働きをする。図2に示すようにV1は液晶
基準電圧であり、VL1は液晶基準電圧V1をボルテー
ジフォロア接続されたバッファアンプ回路によりインピ
ーダンス変換された出力である。液晶パネルのサイズが
大きく、液晶駆動電圧出力VL1への液晶パネル負荷が
大きい場合、VL1の出力は+電位側や−電位側へ引か
れる事になる。VL1出力の場合、バッファアンプの出
力段はPchのトランジスタとVSS側への負荷で構成
されているため、+電位側への負荷への対応は容易であ
る。しかしながら、液晶駆動波形のタイミングによって
はVL1の出力は+電位側への負荷がかかることもあ
り、この時VL1の出力を安定化させ液晶表示の品質を
維持するためにはバッファアンプの出力つまり、電源回
路に内蔵されるVSS側への内蔵負荷を低インピーダン
スとすることが理想である。しかし、内蔵負荷には定常
的に電流を流す事になるため、液晶駆動電圧発生回路で
の消費電流を考慮した場合、ある程度インピーダンスを
上げる必要がある。同様にVSS側の液晶駆動電圧VL
2の出力はN型MOS出力とVDD側への内蔵負荷で構
成されるため、VL2出力の+電位側への負荷の変化へ
の対応は容易であるが、−電位側への負荷への対応のた
めにVDD側への内蔵負荷は低インピーダンスであるこ
とが望ましい。
2. Description of the Related Art In a conventional liquid crystal driving voltage generating circuit, as shown in FIG. 2, the output of a liquid crystal driving voltage VL1 on the VDD side is reduced by a P-type MO as shown in FIG.
The output of the liquid crystal drive voltage VL2 on the VSS side is constituted by the N-type MOS output 308 and the internal load 307 on the VDD side as shown in FIG. . The built-in load is formed by a MOS transistor or a resistance component. At this time, the built-in load of each liquid crystal drive output circuit functions to stabilize the liquid crystal drive voltage output. As shown in FIG. 2, V1 is a liquid crystal reference voltage, and VL1 is an output obtained by impedance-converting the liquid crystal reference voltage V1 by a buffer amplifier circuit connected in a voltage follower. When the size of the liquid crystal panel is large and the load on the liquid crystal driving voltage output VL1 is large, the output of VL1 is pulled to the + potential side or the-potential side. In the case of the VL1 output, since the output stage of the buffer amplifier is composed of a Pch transistor and a load on the VSS side, it is easy to cope with a load on the + potential side. However, depending on the timing of the liquid crystal drive waveform, the output of VL1 may be loaded on the + potential side. At this time, in order to stabilize the output of VL1 and maintain the quality of the liquid crystal display, the output of the buffer amplifier, that is, Ideally, the built-in load on the VSS side built in the power supply circuit has low impedance. However, since current always flows through the built-in load, it is necessary to raise the impedance to some extent in consideration of current consumption in the liquid crystal drive voltage generation circuit. Similarly, the liquid crystal drive voltage VL on the VSS side
Output 2 is composed of an N-type MOS output and a built-in load on the VDD side. Therefore, it is easy to cope with a load change of the VL2 output to the + potential side, but it is possible to cope with a load on the-potential side. Therefore, it is desirable that the internal load on the VDD side has low impedance.

【0003】駆動する液晶パネルのサイズが一定であれ
ば、消費電力を考慮してVDD側内蔵負荷およびVSS
側内蔵負荷を設定することにより最適な電源回路を設計
することは可能であるが、ワンチップマイクロコンピュ
ータ等に組み込まれる汎用的な液晶駆動回路において
は、駆動する液晶パネルのサイズは不定であり、様々な
液晶パネルの負荷に適した液晶駆動電圧発生回路を提供
する事は難しかった。
If the size of the liquid crystal panel to be driven is constant, the internal load on the VDD side and the VSS
Although it is possible to design the optimal power supply circuit by setting the internal built-in load, in a general-purpose liquid crystal drive circuit incorporated in a one-chip microcomputer or the like, the size of the liquid crystal panel to be driven is undefined, It has been difficult to provide a liquid crystal drive voltage generation circuit suitable for loads of various liquid crystal panels.

【0004】このため従来技術では、図4に示すように
液晶パネル駆動中における、液晶駆動電圧出力への負荷
の変化が大きい駆動波形切り替わり時における、負荷変
動に対応できるようにするため、液晶駆動波形の切り換
わりのタイミングにあわせて負荷を切り替えることで対
応していた。
Therefore, in the prior art, as shown in FIG. 4, in order to cope with a load fluctuation at the time of driving waveform switching when a load to the liquid crystal driving voltage output changes greatly during driving of the liquid crystal panel, liquid crystal driving is performed. This was addressed by switching the load in accordance with the timing of the waveform switching.

【0005】これにより液晶駆動波形の切り換わりのタ
イミング時に内蔵負荷を増加させる事により、バッファ
アンプの出力インピーダンスを下げ、液晶パネルの負荷
の変動に対応している。または、半導体集積回路上に液
晶駆動電圧を出力するための専用端子を設け、前記専用
端子と電源グランド間に駆動電圧安定化のための容量を
接続し、容量に電荷を蓄積させておくことで液晶駆動波
形の切り換わり時の急激な液晶パネルの駆動負荷の変動
に対応している。
By increasing the built-in load at the timing of switching of the liquid crystal driving waveform, the output impedance of the buffer amplifier is lowered to cope with fluctuations in the load on the liquid crystal panel. Alternatively, a dedicated terminal for outputting a liquid crystal drive voltage is provided on the semiconductor integrated circuit, a capacitor for stabilizing the drive voltage is connected between the dedicated terminal and a power supply ground, and charge is accumulated in the capacitor. It corresponds to a sudden change in the driving load of the liquid crystal panel when the liquid crystal driving waveform is switched.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の方式では、液晶
駆動電圧を安定化するために半導体集積回路外部に容量
を接続する必要があった。このため、実装する部品が増
加してしまうことになり、実装のコストアップにつなが
る。一方、半導体集積回路にとっては液晶駆動出力の端
子を設ける必要があるため、半導体集積回路のチップサ
イズを小さくできないという不具合が生じる。
In the conventional method, it was necessary to connect a capacitor outside the semiconductor integrated circuit in order to stabilize the liquid crystal driving voltage. Therefore, the number of components to be mounted increases, which leads to an increase in mounting cost. On the other hand, since it is necessary to provide a liquid crystal drive output terminal for the semiconductor integrated circuit, there is a problem that the chip size of the semiconductor integrated circuit cannot be reduced.

【0007】また、半導体集積回路外部の液晶駆動電圧
の安定化のための容量を削減する方法としては、図4の
ように液晶の駆動波形の切り換わり時点で液晶駆動電圧
出力の内蔵負荷電流を大きくして出力のインピーダンス
を下げることにより、液晶駆動電圧出力の液晶パネル負
荷に対する応答を上げる方法があるが、液晶パネルのサ
イズおよび負荷の状況によらず定期的に負荷電流を流し
ているため、液晶駆動電圧発生回路における消費電力が
大きくなってしまう。さらには液晶パネルのサイズが大
きくなり、液晶駆動の負荷が大きいときには内蔵負荷電
流を流すタイミングによっては、その時間が短すぎ液晶
表示の品質が劣化するという不具合がある。
As a method of reducing the capacitance for stabilizing the liquid crystal driving voltage outside the semiconductor integrated circuit, as shown in FIG. 4, a built-in load current of the liquid crystal driving voltage output is switched at the time of switching of the liquid crystal driving waveform. There is a method to increase the response of the LCD drive voltage output to the LCD panel load by increasing the output impedance and increasing the output impedance.However, since the load current flows regularly regardless of the LCD panel size and load conditions, Power consumption in the liquid crystal drive voltage generation circuit increases. Furthermore, when the size of the liquid crystal panel becomes large and the load for driving the liquid crystal is large, depending on the timing of supplying the internal load current, the time is too short to deteriorate the quality of the liquid crystal display.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】半導体集積回路におい
て、複数レベルの駆動電圧を形成する液晶基準電圧発生
回路と、前記液晶基準電圧発生回路により形成されたそ
れぞれの液晶駆動基準電圧を、インピーダンス変換する
ためのボルテージフォロア型バッファアンプと、前記バ
ッファアンプより出力される液晶駆動電圧と前記バッフ
ァアンプの非反転入力へ入力される前記液晶駆動基準電
圧を比較するための作為的に入力オフセット電圧を持た
せた比較器と、前記比較器からの出力により制御される
前記駆動電圧への負荷回路からなることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal reference voltage generating circuit for forming a plurality of levels of driving voltages, and impedance conversion of each liquid crystal driving reference voltage formed by the liquid crystal reference voltage generating circuit. A voltage follower type buffer amplifier, and an input offset voltage for comparing the liquid crystal drive voltage output from the buffer amplifier with the liquid crystal drive reference voltage input to the non-inverting input of the buffer amplifier. And a load circuit for the drive voltage controlled by an output from the comparator.

【0009】[0009]

【作用】本発明によれば、図5に示すように、液晶基準
電圧であるV1と、V1を501から507および51
0により構成されるバッファアンプによりインピーダン
ス変換した液晶駆動電圧出力VL1とを511から51
5により構成されるコンパレータにより比較し、液晶パ
ネルの負荷によりVL1の出力電位がVDD側へシフト
している場合、VSS側への負荷に接続しているN型M
OSトランジスタ509をONさせVSS側への内蔵負
荷508を増やすことにより、液晶駆動電圧出力VL1
の出力インピーダンスを低くし、バッファアンプからの
出力電位VL1を安定させる。VL1の出力電圧がV1
と同じ電圧に収束した場合には前記N型MOSトランジ
スタ509をOFFさせ内蔵負荷を507のMOSトラ
ンジスタのみとする事により、バッファアンプの出力段
で消費する電流を低減する。
According to the present invention, as shown in FIG. 5, a liquid crystal reference voltage V1 and V1 are set to 501 to 507 and 51.
The liquid crystal drive voltage output VL1 whose impedance has been converted by the buffer amplifier composed of
The N-type M connected to the load on the VSS side when the output potential of VL1 is shifted to the VDD side due to the load of the liquid crystal panel.
By turning on the OS transistor 509 to increase the internal load 508 on the VSS side, the liquid crystal driving voltage output VL1
, The output potential VL1 from the buffer amplifier is stabilized. The output voltage of VL1 is V1
If the voltage converges to the same voltage as described above, the N-type MOS transistor 509 is turned off and the internal load is made only the MOS transistor 507, thereby reducing the current consumed in the output stage of the buffer amplifier.

【0010】VSS側の液晶駆動電圧出力VL2につい
ても、同様な方式で液晶駆動出力VL2のバッファアン
プの出力インピーダンスを制御し、VL2の出力電圧を
安定化させる。
Regarding the liquid crystal drive voltage output VL2 on the VSS side, the output impedance of the buffer amplifier of the liquid crystal drive output VL2 is controlled in the same manner, and the output voltage of VL2 is stabilized.

【0011】さらに、図5に示す上記コンパレータ回路
の作動増幅段のMOSトランジスタ501とMOSトラ
ンジスタ514はトランジスタのチャネル長がそれぞれ
異なるように形成されており、これにより作為的に入力
オフセット電圧VOFをもたせている。MOSトランジ
スタ514のチャンネル長をMOSトランジスタ513
に比べて長くする事により、判定電圧=VL1+VOF
というプラスのオフセット電圧を与えている。これによ
り安定状態であるV1=VL1の状態でのVSS側への
負荷に接続しているN型MOSトランジスタが常時ON
することを防止し、消費電流の増加を防ぐという作用を
有する。
Further, the MOS transistor 501 and the MOS transistor 514 in the operation amplification stage of the comparator circuit shown in FIG. 5 are formed so that the channel lengths of the transistors are different from each other, whereby the input offset voltage VOF is intentionally provided. ing. The channel length of the MOS transistor 514 is
By making it longer than, the judgment voltage = VL1 + VOF
The positive offset voltage is given. As a result, the N-type MOS transistor connected to the load on the VSS side in the stable state of V1 = VL1 is always ON.
And prevents an increase in current consumption.

【0012】以上のように、それぞれの液晶駆動電圧出
力に同様な構成をとるこにより、前述のような効果がそ
れぞれの電圧出力に対して得られる。
As described above, by adopting a similar configuration for each liquid crystal drive voltage output, the above-described effects can be obtained for each voltage output.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1が本発明の請求項1に相当す
る図である。図中101は液晶駆動用の基準電圧を発生
する基準電圧発生回路である。この基準電圧発生回路か
らは、液晶パネルの駆動バイアスに応じた複数レベルの
基準電圧を出力する。この基準電圧発生回路の1つの例
を図6に示す。図6は1/3バイアスの液晶駆動基準電
圧を出力した時の例である。+側電源VDDおよび−側
電源VSS間を固定抵抗R1,R2,R3および可変抵
抗R4により分割し、液晶駆動用の基準電圧V1,V
2,V3を発生している。半導体装置中の抵抗R4を可
変抵抗とする事で、液晶駆動電圧を調整する事ができ、
液晶表示のコントラスト調整が可能となる。消費電流を
低減するためには、R1からR4の抵抗値は比較的高く
設定する必要があるため、V1,V2,V3の出力イン
ピーダンスは高くなる。
FIG. 1 is a diagram corresponding to claim 1 of the present invention. In the figure, reference numeral 101 denotes a reference voltage generation circuit for generating a reference voltage for driving a liquid crystal. This reference voltage generation circuit outputs a plurality of levels of reference voltages according to the driving bias of the liquid crystal panel. FIG. 6 shows one example of the reference voltage generating circuit. FIG. 6 shows an example in which a 1/3 bias liquid crystal driving reference voltage is output. The + power supply VDD and the − power supply VSS are divided by fixed resistors R1, R2, R3 and a variable resistor R4, and reference voltages V1 and V for driving the liquid crystal are divided.
2, V3. By making the resistor R4 in the semiconductor device a variable resistor, the liquid crystal drive voltage can be adjusted,
The contrast of the liquid crystal display can be adjusted. In order to reduce the current consumption, the resistance values of R1 to R4 need to be set relatively high, so that the output impedances of V1, V2, and V3 increase.

【0014】図1の102および103は液晶駆動用の
基準電圧発生回路からのV1,V2,V3の液晶駆動基
準電圧をインピーダンス変換するためのバッファアンプ
でありボルテージフォロアで結線されている。VL1,
VL2,VL3はバッファアンプ102,106,11
0によりインピーダンス変換された液晶駆動電圧の出力
である。VDDに近い出力であるVL1の液晶パネル負
荷としてはVL2,VL3へのマイナス側への負荷が主
となるため、図2に示すようなP型MOSの出力バッフ
ァが選択される。逆にVL2,VL3の駆動電圧出力へ
の液晶パネル負荷はプラス側への負荷が主となるため、
図3に示すようなN型MOSの出力バッファが選択され
る。
Reference numerals 102 and 103 in FIG. 1 denote buffer amplifiers for impedance-converting the liquid crystal driving reference voltages V1, V2, and V3 from the liquid crystal driving reference voltage generating circuit, and are connected by voltage followers. VL1,
VL2, VL3 are buffer amplifiers 102, 106, 11
This is the output of the liquid crystal drive voltage whose impedance has been converted by 0. As the load on the liquid crystal panel of VL1, which is an output close to VDD, is mainly the load on the minus side of VL2 and VL3, a P-type MOS output buffer as shown in FIG. 2 is selected. On the contrary, since the load on the liquid crystal panel to the drive voltage output of VL2 and VL3 is mainly on the plus side,
An N-type MOS output buffer as shown in FIG. 3 is selected.

【0015】ここではP型MOS出力バッファを持った
VL1について説明する。図1中の103は102のバ
ッファアンプの出力VL1とバッファアンプの非反転入
力V1の電圧レベルを比較する比較器である。この比較
器の出力は104のVL1のVSS側への内蔵負荷を制
御するN型MOSのゲートに結線され、VL1への内蔵
負荷電流を制御する。比較器103の非反転入力に入力
されるVL1の電圧レベルが比較器103の反転入力に
入力されるV1の電圧レベルより高い場合、比較器10
3の出力は高レベルが出力され、105のVL1への負
荷を制御するN型MOSがONする。逆にVL1のレベ
ルが比較器103の反転入力へ入力されているV1と比
較器103の作動段に与えられたオフセット電圧VOF
の和である、比較器の判定電圧より低い場合には105
のN型MOSはOFFし、消費電流を低減する。105
のN型MOSトランジスタにより制御される104の負
荷は、製造コストやその負荷の占める面積等を考慮して
決定され、拡散抵抗やイオン打ち込みされたPOLYの
抵抗成分によって形成されてもよいし、MOSトランジ
スタで構成されてもよい。また、104の負荷を制御す
るMOSと104のVL1への負荷は状況により、10
5のMOSがVL1側へ挿入され、104の負荷がVS
S側へ挿入されても本発明の効果を得るのになんら問題
が無い事は容易に想像される。
Here, VL1 having a P-type MOS output buffer will be described. Reference numeral 103 in FIG. 1 denotes a comparator for comparing the output VL1 of the buffer amplifier 102 and the voltage level of the non-inverting input V1 of the buffer amplifier. The output of this comparator is connected to the gate of an N-type MOS that controls the internal load of VL1 on the VSS side of 104, and controls the internal load current to VL1. If the voltage level of VL1 input to the non-inverting input of the comparator 103 is higher than the voltage level of V1 input to the inverting input of the comparator 103, the comparator 10
The output of No. 3 is at a high level, and the N-type MOS for controlling the load on VL1 of 105 is turned on. Conversely, the level of VL1 is V1 input to the inverting input of the comparator 103 and the offset voltage VOF applied to the operation stage of the comparator 103.
105 when the voltage is lower than the judgment voltage of the comparator.
N-type MOS is turned off to reduce current consumption. 105
The load of 104 controlled by the N-type MOS transistor is determined in consideration of the manufacturing cost, the area occupied by the load, and the like, and may be formed by a diffusion resistance or a resistance component of ion-implanted POLY. It may be composed of a transistor. Also, depending on the situation, the MOS that controls the load of 104 and the load on VL1 of 104 may be 10
5 is inserted into the VL1 side, and the load of 104 is
It is easily imagined that there is no problem in obtaining the effects of the present invention even if inserted on the S side.

【0016】図5に本発明のトランジスタレベルでの1
つの実施例を示す。図中VGは定電流回路より発生され
るある一定の値をもった中間電圧である。この電圧によ
りバッファアンプおよび比較器で消費される電流が制御
される。501から507のMOSトランジスタおよび
抵抗510で構成されるのがV1の入力をVL1へイン
ピーダンス変換するバッファアンプ部である。507の
N型MOSトランジスタはVL1を安定化するための最
低限の負荷であり、本発明の場合この負荷電流の値は数
マイクロアンペアまたはそれ以下の負荷で問題無い。5
11から515のMOSトランジスタで構成されている
のが比較器である。V1の電圧レベルとVL1の電圧レ
ベルを比較し、その結果により509のMOSトランジ
スタを制御する。ミラー回路で構成されている513の
MOSトランジスタと514のMOSトランジスタは入
力オフセット電圧を持たせるために、その能力が異なる
ようにサイズを換えて形成されている。
FIG. 5 shows the transistor level 1 according to the present invention.
Two examples are shown. In the figure, VG is an intermediate voltage having a certain value generated by the constant current circuit. This voltage controls the current consumed by the buffer amplifier and the comparator. The buffer amplifier unit that includes the MOS transistors 501 to 507 and the resistor 510 converts the input of V1 into VL1. The N-type MOS transistor 507 is a minimum load for stabilizing VL1. In the present invention, the value of this load current is several microamperes or less, and there is no problem. 5
The comparator is composed of 11 to 515 MOS transistors. The voltage level of V1 and the voltage level of VL1 are compared, and the result is used to control the 509 MOS transistors. The MOS transistors 513 and 514 constituted by the mirror circuit are formed in different sizes so as to have different capabilities in order to have an input offset voltage.

【0017】図5の場合、514のMOSトランジスタ
の能力は513のMOSトランジスタの能力に比べて小
さくなるように設定されている。これにより511から
515のMOSトランジスタで構成される比較器にプラ
ス側の入力オフセット電圧を持たせている。514のM
OSトランジスタの能力を小さく調整する方法として
は、チャネル長を513のMOSトランジスタに比べて
長く設定する事で容易に実現可能である。他にもチャネ
ル幅を狭めることでも対応可能である。さらには513
と514のスレッショルド電圧を製造上で調整する事に
よっても実現可能である。この比較器の出力は509の
MOSトランジスタに接続され508の負荷のON/O
FFの制御を行う。509のMOSが比較器からの出力
によりONした場合の負荷508に流れる、VL1への
負荷電流は大きめに設定されている必要がある。もちろ
ん図5の実施例において507の負荷をなくしても動作
させる事は問題無いが、比較器の応答速度等を考慮した
場合、507に構成したようにある程度の負荷電流を与
えた方が安定した低消費電流動作を実現する。VL2,
VL3の出力に関しても同様に回路を構成する事で上記
効果を得ることが可能である。ただし、1/3バイアス
液晶駆動回路のVL2,VL3出力に関して、その出力
はN型MOS出力になる。以上により、液晶パネルの負
荷状況にあわせて液晶駆動電圧の出力の負荷電流を制御
する事により出力インピーダンスを自動で変化させ安定
した液晶駆動電圧を出力させることが可能となる。
In the case of FIG. 5, the capacity of the MOS transistor 514 is set to be smaller than the capacity of the MOS transistor 513. Thus, the comparator composed of the MOS transistors 511 to 515 has a positive input offset voltage. 514 M
As a method of adjusting the capability of the OS transistor to a small value, it can be easily realized by setting the channel length to be longer than that of the 513 MOS transistor. In addition, it is possible to cope by reducing the channel width. And 513
It can also be realized by adjusting the threshold voltages of 514 and 514 in manufacturing. The output of this comparator is connected to the MOS transistor 509 and the ON / O of the load 508 is turned on.
The FF is controlled. When the MOS 509 is turned on by the output from the comparator, the load current to the VL1 flowing through the load 508 needs to be set to a relatively large value. Of course, in the embodiment of FIG. 5, there is no problem even if the load of 507 is eliminated, but in consideration of the response speed of the comparator, it is more stable to apply a certain load current as configured in 507. Realizes low current consumption operation. VL2,
The same effect can be obtained by configuring a circuit for the output of VL3 in the same manner. However, regarding the VL2 and VL3 outputs of the 1/3 bias liquid crystal drive circuit, the outputs are N-type MOS outputs. As described above, by controlling the load current of the output of the liquid crystal drive voltage according to the load condition of the liquid crystal panel, it is possible to automatically change the output impedance and output a stable liquid crystal drive voltage.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明によれば、液晶駆動基準電圧と液
晶駆動基準電圧をインピーダンス変換したあとの液晶駆
動電圧出力とを比較し、その比較結果により液晶駆動電
圧出力の負荷を自動で制御する事により、液晶駆動電圧
出力の出力インピーダンスを液晶パネルの負荷の状況に
応じて切り替える事が可能となる。このため単一の液晶
駆動電圧出力回路において、負荷の小さい小型の液晶パ
ネルから、サイズの大きな液晶パネルまで、それぞれに
最適な液晶駆動電源回路を提供する事が可能となり、そ
れぞに必要最小限の消費電流とする事ができる。また、
液晶駆動電圧出力の出力インピーダンスを液晶駆動電圧
出力回路にて自動で制御するため、IC外部に液晶駆動
電圧出力を安定化するための容量を接続する必要が無く
なり、容量接続用の端子の配置が不要となるため、本発
明による液晶駆動電圧出力回路は小型の液晶駆動電圧出
力回路を提供することが可能となる。
According to the present invention, the liquid crystal driving reference voltage is compared with the liquid crystal driving voltage output after the liquid crystal driving reference voltage is subjected to impedance conversion, and the load of the liquid crystal driving voltage output is automatically controlled based on the comparison result. As a result, the output impedance of the liquid crystal drive voltage output can be switched according to the load condition of the liquid crystal panel. This makes it possible to provide optimal liquid crystal drive power supply circuits for a single liquid crystal drive voltage output circuit, from a small liquid crystal panel with a small load to a large liquid crystal panel. Current consumption. Also,
Since the output impedance of the liquid crystal drive voltage output is automatically controlled by the liquid crystal drive voltage output circuit, there is no need to connect a capacitor for stabilizing the liquid crystal drive voltage output outside the IC, and the arrangement of the capacitor connection terminals is reduced. Since it becomes unnecessary, the liquid crystal driving voltage output circuit according to the present invention can provide a small liquid crystal driving voltage output circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の請求項1の回路構成を示す液晶駆動電
圧出力回路図。
FIG. 1 is a liquid crystal drive voltage output circuit diagram showing a circuit configuration according to claim 1 of the present invention.

【図2】従来の液晶駆動電圧出力回路のPch−MOS
出力回路図。
FIG. 2 shows a Pch-MOS of a conventional liquid crystal drive voltage output circuit.
Output circuit diagram.

【図3】従来の液晶駆動電圧出力回路のNch−MOS
出力回路図。
FIG. 3 shows an Nch-MOS of a conventional liquid crystal drive voltage output circuit.
Output circuit diagram.

【図4】従来の液晶駆動電圧出力回路の図。FIG. 4 is a diagram of a conventional liquid crystal drive voltage output circuit.

【図5】本発明の液晶駆動電圧出力回路のPch−MO
S出力詳細回路図。
FIG. 5 shows a Pch-MO of a liquid crystal drive voltage output circuit according to the present invention.
S output detailed circuit diagram.

【図6】液晶駆動基準電圧発生回路図。FIG. 6 is a circuit diagram of a liquid crystal drive reference voltage generation circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

LCD Reference Volatge Gen
erator………液晶基準電圧発生回路 BUFFER AMP………液晶基準電圧をインピーダ
ンス変換するためのボルテージフォロア接続されたオペ
アンプ COMPARATOR………比較器 LOAD………液晶電圧出力への電流負荷回路 VDD………+側電源 VSS………−側電源 V1………第1の液晶基準電圧 V2………第2の液晶基準電圧 V3………第3の液晶基準電圧 VL1………第1の液晶駆動電圧出力 VL2………第2の液晶駆動電圧出力 VL3………第3の液晶駆動電圧出力 VG………定電流回路より発生される一定の値を持った
中間電圧 Pch Output………P型MOS出力 Nch Output………N型MOS出力 LOADResistor………抵抗性負荷 LCD Drive Waveform………液晶駆動
波形 Vbias………液晶駆動電圧出力負荷制御信号 R1………液晶基準電圧発生回路の第1の抵抗 R2………液晶基準電圧発生回路の第2の抵抗 R3………液晶基準電圧発生回路の第3の抵抗 R4………液晶基準電圧発生回路の第4の可変抵抗
LCD Reference Voltgen
LCD: Reference voltage generation circuit BUFFER AMP: Operation amplifier connected to a voltage follower for impedance conversion of the liquid crystal reference voltage COMPATOR: Comparator LOAD: Current load circuit for liquid crystal voltage output VDD: .. + -Side power supply VSS... --Side power supply V1... First liquid crystal reference voltage V2... Second liquid crystal reference voltage V3... Third liquid crystal reference voltage VL1. Voltage output VL2... Second liquid crystal drive voltage output VL3... Third liquid crystal drive voltage output VG... Intermediate voltage having a constant value generated by constant current circuit Pch Output... P-type MOS output Nch Output: N-type MOS output LOADResistor: Resistive load LCD Drive Waveform: Liquid crystal drive waveform Vbias: Liquid crystal drive voltage output load control signal R1: First resistance of liquid crystal reference voltage generation circuit R2: Second resistance of liquid crystal reference voltage generation circuit R3: Liquid crystal reference voltage generation Third resistor R4 of circuit R4 fourth variable resistor of liquid crystal reference voltage generating circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体集積回路において、複数レベルの駆
動電圧を形成する液晶基準電圧発生回路と、前記液晶基
準電圧発生回路により形成されたそれぞれの液晶駆動基
準電圧を、インピーダンス変換するためのボルテージフ
ォロア型バッファアンプと、前記バッファアンプより出
力される液晶駆動電圧と前記バッファアンプの非反転入
力へ入力される前記液晶駆動基準電圧を比較するための
作為的に入力オフセット電圧を持たせた比較器と、前記
比較器からの出力により制御される前記駆動電圧への負
荷回路からなることを特徴とする液晶駆動電源回路。
In a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal reference voltage generating circuit for forming a plurality of levels of driving voltages, and a voltage follower for impedance-converting each liquid crystal driving reference voltage formed by the liquid crystal reference voltage generating circuit. A buffer amplifier, and a comparator having an input offset voltage artificially for comparing the liquid crystal driving voltage output from the buffer amplifier with the liquid crystal driving reference voltage input to the non-inverting input of the buffer amplifier. And a load circuit for the drive voltage controlled by an output from the comparator.
JP10283011A 1998-10-05 1998-10-05 Liquid crystal driving power source circuit Withdrawn JP2000111867A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10283011A JP2000111867A (en) 1998-10-05 1998-10-05 Liquid crystal driving power source circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10283011A JP2000111867A (en) 1998-10-05 1998-10-05 Liquid crystal driving power source circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000111867A true JP2000111867A (en) 2000-04-21

Family

ID=17660078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10283011A Withdrawn JP2000111867A (en) 1998-10-05 1998-10-05 Liquid crystal driving power source circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000111867A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100354204B1 (en) * 1999-10-21 2002-09-27 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Voltage supplying device, and semiconductor device, electro-optical device and electronic apparatus using the same
KR100427039B1 (en) * 2001-06-30 2004-04-17 주식회사 하이닉스반도체 OP-Amp for capacitor load
US6975313B2 (en) 2001-12-12 2005-12-13 Seiko Epson Corporation Power supply circuit for display unit, method for controlling same, display unit, and electronic apparatus
US7019730B2 (en) 2000-12-20 2006-03-28 Seiko Epson Corporation Power supply circuit, operational amplifier circuit, liquid crystal device and electronic instrument
KR100637408B1 (en) 2004-07-29 2006-10-23 샤프 가부시키가이샤 Capacitive load charge-discharge device and liquid crystal display device having the same
CN100339883C (en) * 2000-09-29 2007-09-26 株式会社东芝 Liquid crystal driving circuit and load driving circuit
JP2008026512A (en) * 2006-07-20 2008-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd Power supply circuit
CN100382130C (en) * 2001-08-29 2008-04-16 日本电气株式会社 Semiconductor device for driving a current load device and a current load device provided therewith
US7772813B2 (en) * 2005-12-21 2010-08-10 Panasonic Corporation Power supply circuit
WO2016119271A1 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal display panel and liquid crystal display device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100354204B1 (en) * 1999-10-21 2002-09-27 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Voltage supplying device, and semiconductor device, electro-optical device and electronic apparatus using the same
CN100339883C (en) * 2000-09-29 2007-09-26 株式会社东芝 Liquid crystal driving circuit and load driving circuit
US7019730B2 (en) 2000-12-20 2006-03-28 Seiko Epson Corporation Power supply circuit, operational amplifier circuit, liquid crystal device and electronic instrument
US7061481B2 (en) 2000-12-20 2006-06-13 Seiko Epson Corporation Power supply circuit, operational amplifier circuit, liquid crystal device and electronic instrument
KR100427039B1 (en) * 2001-06-30 2004-04-17 주식회사 하이닉스반도체 OP-Amp for capacitor load
CN100382130C (en) * 2001-08-29 2008-04-16 日本电气株式会社 Semiconductor device for driving a current load device and a current load device provided therewith
US6975313B2 (en) 2001-12-12 2005-12-13 Seiko Epson Corporation Power supply circuit for display unit, method for controlling same, display unit, and electronic apparatus
KR100637408B1 (en) 2004-07-29 2006-10-23 샤프 가부시키가이샤 Capacitive load charge-discharge device and liquid crystal display device having the same
US7772813B2 (en) * 2005-12-21 2010-08-10 Panasonic Corporation Power supply circuit
JP2008026512A (en) * 2006-07-20 2008-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd Power supply circuit
JP4724615B2 (en) * 2006-07-20 2011-07-13 Okiセミコンダクタ株式会社 Power circuit
WO2016119271A1 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal display panel and liquid crystal display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100375259B1 (en) Output circuit
US6236194B1 (en) Constant voltage power supply with normal and standby modes
US8193861B2 (en) Differential amplifier
US7557648B2 (en) Operational amplifier, integrating circuit, feedback amplifier, and controlling method of the feedback amplifier
JP4407881B2 (en) Buffer circuit and driver IC
JP2000049585A (en) Output buffer circuit
KR100212348B1 (en) Potential detecting circuit and semiconductor integrated circuit
US20030038655A1 (en) Differential amplifier and semiconductor integrated circuit for LCD drive
US7746126B2 (en) Load driving circuit
US6590453B2 (en) Folded cascode high voltage operational amplifier with class AB source follower output stage
JP2000111867A (en) Liquid crystal driving power source circuit
US8289071B2 (en) Charge pump
JP3806011B2 (en) Voltage detection circuit
US6310520B1 (en) High slew-rate operational amplifier architecture
US6236195B1 (en) Voltage variation correction circuit
US8237502B2 (en) Amplifier with bias stabilizer
JPH05114291A (en) Generating circuit of reference voltage
JP3422706B2 (en) Startup circuit of reference voltage generator
US6297596B1 (en) Power supply circuit arranged to generate intermediate voltage and liquid crystal display device including power supply circuit
JP4357698B2 (en) Reset circuit and power supply device
JP3175983B2 (en) Constant voltage generating circuit and semiconductor integrated circuit device using the same
KR0144900B1 (en) Semiconductor input buffer for low voltage
JP3403638B2 (en) Buffer device
US20080018385A1 (en) Electric power circuit for driving display panel
CN112987842B (en) Band-gap reference voltage source circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060110