JP2000106384A - ボンディングワイヤーの製造方法 - Google Patents

ボンディングワイヤーの製造方法

Info

Publication number
JP2000106384A
JP2000106384A JP10275188A JP27518898A JP2000106384A JP 2000106384 A JP2000106384 A JP 2000106384A JP 10275188 A JP10275188 A JP 10275188A JP 27518898 A JP27518898 A JP 27518898A JP 2000106384 A JP2000106384 A JP 2000106384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
plasma treatment
electrolytic degreasing
treatment
alkaline electrolytic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10275188A
Other languages
English (en)
Inventor
Naohito Mitsunari
尚人 三成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP10275188A priority Critical patent/JP2000106384A/ja
Publication of JP2000106384A publication Critical patent/JP2000106384A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/432—Mechanical processes
    • H01L2224/4321—Pulling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/438—Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01205—5N purity grades, i.e. 99.999%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、表面状態の安定したボンディ
ングワイヤの製造方法の提供を課題とする。 【解決手段】 金や金合金インゴットを原材料とし、こ
れらを伸線加工してワイヤとし、これをアニールし、ワ
イヤ表面を洗浄してボンディングワイヤを得る方法にお
いて、アニール後、ワイヤ表面を、低真空中でのプラズ
マ処理、またはアルカリ電解脱脂処理を行い、その後表
面洗浄を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として半導体素
子実装用に用いられるボンディングワイヤの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ボンディングワイヤは、例えば純度５Ｎ
の金のインゴットや純度３Ｎないし４Ｎの金合金インゴ
ットを原料とし、これらを所望の径になるまで、伸線加
工して製造している。
【０００３】ところで、金や金合金を伸線加工して得た
ワイヤを用いてボンディングすると、ワイヤ表面に形成
された加工層によりワイヤボンディングがうまくできな
い場合がある。このため、ワイヤを良好な製品とするた
めには表面の加工歪みを低減させることが必要となる。
表面の加工歪みを低減させるためには、伸線時にワイ
ヤとダイスとの潤滑性を高めるべく用いる潤滑油を最適
化し、伸線後にワイヤをアニールすることが行われる。
例えば、金や金合金インゴットはダイスを用いて所望の
径まで伸線され、アニール工程に至る。アニール工程で
は、表面の加工歪みを除去すると共に、所望の強度、伸
びを得るために１００〜６００℃の所望温度でワイヤを
アニールする。
【０００４】アニール後のワイヤは冷却をかね洗浄する
のが一般的である。このアニールは表面の加工歪みの問
題を解消する方法として最も一般的な方法であるが、ボ
ンディングワイヤの製造時には、ワイヤ表面に付着する
潤滑油等がアニールにより熱分解や熱変質を受け、これ
がアニール後の表面洗浄で十分除去できず製品不良の原
因となることがあり、必ずしも好ましい方法とは言えな
いのが実情である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のワイ
ヤ製造方法において、表面状態の安定したワイヤの製造
方法を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の方法は、金や金合金インゴットを原材料とし、これ
らを伸線加工してワイヤとし、これをアニールし、ワイ
ヤ表面を洗浄してボンディングワイヤを得る方法におい
て、アニール後、ワイヤ表面を浄化処理し、その後表面
を洗浄するものであり、浄化処理法として、低真空中で
のプラズマ処理、またはアルカリ電解脱脂処理を行い、
その後表面洗浄を行うものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】上記した様に、アニールによりワ
イヤ表面に発生した変質層は洗浄で取り除くことが一般
的である。しかし、変質層は一般に疎水性である場合が
多く、水洗では必ずしも十分除去できていなかった。本
発明の方法は、プラズマ処理を施すことにより疎水性の
変質層を親水化するものである。この親水化現象は、活
性イオン種による表面有機物の分解や親水基の生成のた
めと言われているが、確定的なことは確認できていな
い。
【０００８】また、アルカリ電解脱脂を用いるのも同様
に変質層の親水化を目的としたものである。この場合、
親水化は、活性イオン（Ｈ+、Ｏ2-）による表面有機物
の分解等が効くと言われているが、確定的なことは確認
できていない。
【０００９】本発明の方法を採用するに際しては、従来
のアニール工程と水洗工程との間にプラズマ処理工程お
よび／または電解脱脂工程を設ければ良く、簡単に実施
できる。
【００１０】具体的なプラズマ処理条件や電解脱脂条件
はワイヤに付着形成されている変質層の量や伸線工程で
用いる潤滑油により異なるため、あらかじめ最適条件を
求めておくことが好ましい。
【００１１】
【実施例】次に実施例を用いて本発明をさらに説明す
る。 （実施例１）純度５Ｎの金インゴットを用い、最終直径
３０μｍのワイヤを得た。このワイヤを５００℃でアニ
ールし、その後、このワイヤにアルゴン・水素プラズマ
処理を施した。その後、ワイヤを洗浄した。水洗後のワ
イヤ表面状態を観察したところ、金ワイヤの表面は清浄
になっていた。この時の各工程での主要条件を下記に示
した。
【００１２】 使用潤滑油 信越化学工業株式会社製 ＫＦ９６１ プラズマ条件 テクニックスプラズマ社製 プラズマプ
ロセッサー 電極とワイヤとの間隔 ５ ｃｍ 電圧 ６００Ｗ ガス圧 ０．１Ｔｏｒｒ（Ａｒ−Ｈ2） ワイヤ表面の清浄度の目安としてワイヤと水との接触角
を調べた。その結果を表１に示した。なお、この値は小
さいほどワイヤ表面が清浄であることを示している。 （実施例２）純度４Ｎの金合金インゴットを用いた以外
は実施例１と同様にしてワイヤ表面の清浄化を行った。
水洗後のワイヤ表面を観察したところ表面が清浄になっ
ていることがわかった。
【００１３】次に実施例１と同様にワイヤ表面の清浄度
の目安であるワイヤと水との接触角を調べた。その結果
を表１に示した。 （実施例３）プラズマの種類をアルゴン・酸素プラズマ
とし、プラズマ条件を下記のようにした以外は、実施例
１と同様にしてワイヤを作成した。水洗後のワイヤ表面
を観察したところ表面が清浄になっていることがわかっ
た。
【００１４】次に実施例１と同様にワイヤ表面の清浄度
の目安であるワイヤと水との接触角を調べた。その結果
を表１に示した。
【００１５】 プラズマ条件 テクニックスプラズマ社製 プラズマプ
ロセッサー 電極とワイヤとの間隔 ５ ｃｍ 電圧 ６００Ｗ ガス圧 ０．５Ｔｏｒｒ（Ａｒ−Ｏ2） （実施例４）純度４Ｎの金合金インゴットを用いた以外
は実施例３と同様にしてワイヤ表面の清浄化を行った。
水洗後のワイヤ表面を観察したところ表面が清浄になっ
ていることがわかった。
【００１６】次に実施例１と同様にワイヤ表面の清浄度
の目安であるワイヤと水との接触角を調べた。その結果
を表１に示した。 （実施例５）プラズマ処理の代わりに以下に示す条件の
ワイヤを陰極とするマイナス電解処理を施した以外は実
施例１と同様にしてワイヤ表面の清浄化を行った。水洗
後のワイヤ表面を観察したところ表面が清浄になってい
ることがわかった。
【００１７】 電解条件 電解液 ユケン工業株式会社製 製品名 パクナエレクターＣｕ３５ 電解液温度 ５０℃ 使用電解液濃度 ６０ｇ／リットル 処理時間 １５ 秒 陰極電流密度 ５ Ａ／ｄｍ2 陰極材料 ステンレス板 （実施例６）純度４Ｎの金合金インゴットを用いた以外
は実施例５と同様にしてワイヤ表面の清浄化を行った。
水洗後のワイヤ表面を観察したところ表面が清浄になっ
ていることがわかった。
【００１８】次に実施例１と同様にワイヤ表面の清浄度
の目安であるワイヤと水との接触角を調べた。その結果
を表１に示した。 （実施例７）プラズマ処理の変わりに以下に示す条件の
ワイヤを陽極とする電解処理を施した以外は実施例１と
同様にしてワイヤ表面の清浄化を行った。水洗後のワイ
ヤ表面を観察したところ表面が清浄になっていることが
わかった。
【００１９】 電解条件 電解液 ユケン工業株式会社製 製品名 パクナエレクターＣｕ３５ 電解液温度 ５０℃ 使用電解液濃度 ６０ｇ／リットル 処理時間 １５ 秒 陰極電流密度 ４ Ａ／ｄｍ2 陰極材料 ステンレス板 （実施例８）純度４Ｎの金合金インゴットを用いた以外
は実施例７と同様にしてワイヤ表面の清浄化を行った。
水洗後のワイヤ表面を観察したところ表面が清浄になっ
ていることがわかった。
【００２０】次に実施例１と同様にワイヤ表面の清浄度
の目安であるワイヤと水との接触角を調べた。その結果
を表１に示した。 （従来例１）プラズマ処理も電解処理もしない以外は実
施例１と同様にしてワイヤを作成し、処理した。水洗後
のワイヤの表面状態を観察したところ、金ワイヤ表面は
実施例１ほどではないが清浄になっていた。
【００２１】次に実施例１と同様にワイヤ表面の清浄度
の目安であるワイヤと水との接触角を調べた。その結果
を表１に示した。 （従来例２）プラズマ処理も電解処理もしない以外は実
施例２と同様にしてワイヤを作成し、処理した。水洗後
のワイヤの表面状態を観察したところ、金ワイヤ表面は
従来例１と同程度に清浄になっていた。
【００２２】次に実施例１と同様にワイヤ表面の清浄度
の目安であるワイヤと水との接触角を調べた。その結果
を表１に示した。
【００２３】
【表１】 表1の結果より、本発明の方法に従えば、従来法で作成
されたワイヤより格段に清浄な表面を有するワイヤの製
造が可能であることが解る。よって、本発明の方法で得
たワイヤを用いてボンディングすればワイヤ表面に付着
する変質物による接着障害は起きない。
【００２４】
【発明の効果】本発明では、アニール時に形成されたワ
イヤ表面の変質層を強制的に除去するために従来法で作
成されたワイヤよりより清浄な表面を有するワイヤの製
造が可能である。従って、本発明の方法で得られたワイ
ヤを用いれば信頼性の高い半導体装置を得ることが可能
である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金や金合金インゴットを原材料とし、
    これらを伸線加工してワイヤとし、これをアニールし、
    ワイヤ表面を洗浄してボンディングワイヤを得る方法に
    おいて、アニール後、ワイヤ表面を浄化処理し、その後
    ワイヤ表面を洗浄することを特徴とするボンディングワ
    イヤーの製造方法。
  2. 【請求項２】 浄化処理法が低真空中でのプラズマ処
    理および／またはアルカリ電解脱脂処理であることを特
    徴とする請求項1記載の方法。
JP10275188A 1998-09-29 1998-09-29 ボンディングワイヤーの製造方法 Pending JP2000106384A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10275188A JP2000106384A (ja) 1998-09-29 1998-09-29 ボンディングワイヤーの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10275188A JP2000106384A (ja) 1998-09-29 1998-09-29 ボンディングワイヤーの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000106384A true JP2000106384A (ja) 2000-04-11

Family

ID=17551918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10275188A Pending JP2000106384A (ja) 1998-09-29 1998-09-29 ボンディングワイヤーの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000106384A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100358499B1 (ko) * 2000-08-23 2002-10-30 엘지전선 주식회사 알루미늄 전선의 표면 세정장치
JP2003031607A (ja) * 2001-07-19 2003-01-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体素子用ボンディングワイヤおよびその製造方法
JP2003055748A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Nittetsu Micro Metal:Kk 金ボンディングワイヤの熱処理方法及び熱処理装置
JP2007019416A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 金の表面処理方法
CN102467987A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 钰成材料科技股份有限公司 封装用导线及其制造方法
JP2013172032A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Nippon Micrometal Corp ボンディングワイヤの製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100358499B1 (ko) * 2000-08-23 2002-10-30 엘지전선 주식회사 알루미늄 전선의 표면 세정장치
JP2003031607A (ja) * 2001-07-19 2003-01-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体素子用ボンディングワイヤおよびその製造方法
JP2003055748A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Nittetsu Micro Metal:Kk 金ボンディングワイヤの熱処理方法及び熱処理装置
JP2007019416A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 金の表面処理方法
JP4675702B2 (ja) * 2005-07-11 2011-04-27 日本電信電話株式会社 金の表面処理方法
CN102467987A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 钰成材料科技股份有限公司 封装用导线及其制造方法
JP2013172032A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Nippon Micrometal Corp ボンディングワイヤの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20040224171A1 (en) Electrochemically roughened aluminum semiconductor chamber surfaces
JP2010236091A (ja) 耐食性導電部材とその製造方法及び燃料電池
JP2006100777A (ja) ボンディングワイヤー及びその製造方法
CN101823240A (zh) 金刚石线锯及金刚石线锯的制造方法
EP2859138B1 (en) Method for producing a metal coating
EP1477585B1 (en) Electrolytic electrode and process of producing the same
US8470158B2 (en) Porous metal article and about method for manufacturing same
JPWO2020008704A1 (ja) フッ化物皮膜形成用アルミニウム合金部材及びフッ化物皮膜を有するアルミニウム合金部材
JP2018021255A (ja) 金属部品及びその製造方法、並びに金属部品を備えるプロセスチャンバー
CN113692455A (zh) 氟化物皮膜形成用铝合金构件和具有氟化物皮膜的铝合金构件
JP2000106384A (ja) ボンディングワイヤーの製造方法
US6242111B1 (en) Anodized aluminum susceptor for forming integrated circuit structures and method of making anodized aluminum susceptor
US20130302636A1 (en) Porous metal article and about method for manufacturing same
JP6229084B1 (ja) チタン部材およびチタン部材の製造方法、並びに電解セル用部材
JP2017179558A (ja) 薄膜めっき用金属材料およびその製造方法
JP4523234B2 (ja) 燃料電池用セパレータ
JPH07201673A (ja) 電解コンデンサ電極用アルミニウム材料の製造方法
WO2006129540A1 (ja) 強固に付着した銅めっき安定化材を有するＮｂ－Ａｌ系超伝導線材とその製造方法
JP3687346B2 (ja) Ｎｂ３ Ａｌ系超電導線およびその製造方法
JPWO2004074545A1 (ja) 成膜装置用構成部品およびその洗浄方法
JP4552468B2 (ja) 錫めっき皮膜のウイスカ検査方法
JPH09135045A (ja) 圧電振動子およびその電極の形成方法
JPH0517890A (ja) 電解電極材及びその製造方法
JP2008088455A (ja) 貴金属めっきを施したチタン又はチタン合金材料
JP2003105579A (ja) 固体高分子形水電解用電極接合体の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050304

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060829

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061220