JP2000101141A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露出するＰＮ接合部及びその近傍の加工は、
ダイシング等の機械加工後に、硫酸−過酸化水素系のエ
ッチング液等で化学処理されるのみで、機械加工のダメ
ージを完全に除去することは困難であり、ＰＮ接合面の
表面リークを完全に防止することは困難であった。 【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、ＰＮ接合を
有する半導体層が積層形成され、該半導体層を挟んで電
極層が形成されてなる半導体発光素子であり、且つ、前
記半導体層のＰＮ接合面に垂直な端面のうち少なくとも
一端面上に露出するＰＮ接合部及びその近傍が、周囲の
前記電極層端面よりも低い位置になるようにエッチング
法を主体とした外形形状加工を施すことを特徴とするも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、超小型で高性能の
半導体発光素子に関し、特に、チップ型半導体発光素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来例のチップ型半導体発光素子とし
て、例えば、特開平７−２８３４３９号公報に示される
ようなものがあり、これを図５に示す。図５（ａ）は従
来例のチップ型半導体発光素子の外観図であり、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ′面における略断面図であ
り、図５（ｃ）はプリント基板等上に横型実装した場合
の略断面図である。

【０００３】図５において、チップ型半導体発光素子１
００の構造は、ＧａＰやＧａＡｓ等よりなるＮ型の半導
体層８０上に、同じくＧａＰやＧａＡｓ等よりなるＰ型
の半導体層８１を積層形成した後、ＰＮ接合面８２に平
行な両端面上に、ＡｕやＭｏ等よりなる金属薄膜を順次
積層して、Ｐ電極層８３とＮ電極層８４が形成される。

【０００４】図５（ｃ）はプリント基板等上に横型実装
した略断面図であり、プリント基板８６上の導体電極パ
ターン８７、８８に異方導電性樹脂接着剤８９により接
着した構造図である。

【０００５】異方導電性樹脂接着剤８９は、熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂或いはこれら両方の混合物のいずれか
の樹脂の中に、金属粉等の導電性物質（粒状又は鱗片
状、最大径：約数μｍ〜１０μｍ程度）を所定量混練し
て接着性と導電性を併せ持たせたもので、Ａｇ−エポキ
シ樹脂等に代表される導電性樹脂接着剤と同じである。
ただ、導電性樹脂接着剤が常に導電性を持っているのに
対し、異方導電性樹脂接着剤は、無負荷の状態で硬化さ
せた場合には絶縁性樹脂接着剤として作用し、荷重下の
状態で硬化させた場合には導電性樹脂接着剤として作用
する点で異なっている。従って、図５（ｃ）における異
方導電性樹脂接着剤９０は、絶縁性樹脂接着剤として作
用し、ＰＮ接合面８２の絶縁性を確保している。

【０００６】次に、従来例の半導体発光素子の製造方法
について説明すると、 （１） ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体或いはＳｉＣ等の半導体材料よりなるＮ型の半
導体層８０上に、同じくＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体或いはＳｉＣ等の半導体材料よ
りなるＰ型の半導体層８１を積層形成（層厚：約２００
〜３００μｍ、ＰＮ接合面８２はＰ型半導体層表面より
約数乃至数十μｍ）した後、ＰＮ接合面８２に平行な両
端面の全面上に、例えばＡｕやＭｏ等よりなる金属薄膜
９１、９２を積層形成（層厚：約３μｍ）する。

【０００７】（２） 次に、ウエハー状態の半導体発光
素子１００′（図示せず）のＰ型半導体層８１側の表面
より、ＰＮ接合面８２を越えてＮ型半導体層８０に至る
までの深さに、例えばダイヤモンドブレード等を用いて
複数の垂直に交差する２種類の平行な溝部を形成する。
この時の溝部の幅は約５０〜８０μｍであり、深さはＰ
型半導体層８１側の表面より約５０〜１５０μｍ、又隣
り合う溝部間のピッチは約２００〜５００μｍである。
尚、これらの寸法は最終に得られる個々の半導体発光素
子の外形寸法や量産性等を考慮して適宜設定される。

【０００８】（３） 例えば、Ｈ₂ＳＯ₄：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂
Ｏ＝３：１：１の組成のエッチング液等で、溝部９７の
表面に化学処理を施して、微細なクラックの除去を行
う。

【０００９】（４） 化学処理を行った後のウエハー状
態の半導体発光素子１００′は、金属薄膜９１、９２各
々の表面上に例えば、ハイソール社製の「モーフィット
ＴＧ−９０００Ｒ」やその類似品で液状の透光性エポ
キシ樹脂に数乃至数十ｗｔ％の導電性粗粒子（粒径：約
１０μｍ以下）を配合した樹脂材料等の異方導電性樹脂
接着剤９３、９４を塗布（膜厚：約数〜１０μｍ）す
る。

【００１０】（５） 更に異方導電性樹脂接着剤９３、
９４を塗布した両表面上に、Ａｕ、Ｍｏ等からなる金属
箔９５、９６を張り付ける。これらの金属箔９５、９６
の膜厚は、後工程での実装状態等を考慮して、少なくと
も２０μｍ以上、望ましくは３０〜１００μｍの間に設
定される。何故ならば、金属箔９５、９６の膜厚が２０
μｍ以下の場合は、絶縁基板又はリードフレーム等の基
体の電極部との導通が充分に取れず、逆に１００μｍ以
上の場合は、応力破壊や電極剥離等が発生しやすくなる
からである。上記導通は膜厚が２０μｍ以上あれば取れ
るが、３０μｍ以上ある方がより確実である。又、１５
０μｍ程度までの膜厚であれば本発明における上記不良
の発生頻度はそれほど高くない。

【００１１】（６） 次にウエハー状態の半導体発光素
子１００′の両面から荷重（約２〜２０ｋｇ／ｃｍ²）
を架けながら異方導電性樹脂接着剤９３、９４の硬化
（１５０℃−２分乃至２００℃−３０秒）を行う。

【００１２】（７） 次に例えばダイヤモンドブレード
等を用いて、複数の垂直に交差する２種類の平行な溝部
（幅：約５０〜８０μｍ）の中央に沿ってウエハー状態
の半導体発光素子１００′を個々のチップ状の半導体発
光素子１００に分割する。この時、後工程での実装状態
等を考慮して溝部９７に形成される凹状部分の深さが、
少なくとも異方導電性樹脂接着剤９３、９４中に含まれ
る導電性物質の最大径よりも大きくなるように分割幅が
設定される。この従来例では、導電性粗粒子等の導電性
物質の最大径が約１０μｍ以下であるので分割精度等も
加味して、凹状部分の深さが少なくとも２０μｍ以上に
なるように分割幅は４０μｍ以下に設定されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
のチップ型半導体発光素子においては、以下に述べるよ
うな問題点があった。

【００１４】（１） 従来例において、溝部９７の加工
は先ずダイヤモンドブレード等を用いたダイシングの機
械加工により、切り込みを入れた後、例えば、Ｈ₂Ｓ
Ｏ₄：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝３：１：１の組成のエッチング液
等で、溝部９７の表面に化学処理を施して、微細なクラ
ックの除去を行うのみであり、化学処理を主体とした外
形加工処理ではなく、機械加工のダメージを完全に除去
することは困難であり、ＰＮ接合面８２の表面リークを
完全に除去することは困難であった。

【００１５】（２） 溝部９７の形状は段差のある平面
で形成されているため、横置き型ＬＥＤとして、横置き
実装した場合、実装基板表面上の導体パターンとＰＮ接
合面８２との距離を大きくとることが困難であった。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体発光素子は、ＰＮ接合を有する半導体層が積層形
成され、該半導体層を挟んで電極層が形成されてなる半
導体発光素子であり、且つ、前記半導体層のＰＮ接合面
に垂直な端面のうち少なくとも一端面上に露出するＰＮ
接合部及びその近傍が、周囲の前記電極層端面よりも低
い位置になるように形成されてなる半導体発光素子であ
って、前記露出するＰＮ接合部及びその近傍にエッチン
グ法を施すことよりその外形形状を加工することを特徴
とするものである。

【００１７】また、本発明の請求項２記載の半導体発光
素子は、前記電極層の一方の層厚は、前記電極層の他方
の層厚と異なることをことを特徴とするものである。

【００１８】また、本発明の請求項３記載の半導体発光
素子は、前記電極層の一方の色彩または表面模様は、前
記電極層の他方の色彩または表面模様と異なることを特
徴とするものである。

【００１９】また、本発明の請求項４記載の半導体発光
素子は、前記露出するＰＮ接合部及びその近傍の位置を
半導体発光素子の外形のほぼ中央に位置するよう前記電
極層の両層厚を制御してなることをことを特徴とするも
のである。

【００２０】さらに、本発明の請求項５記載の半導体発
光素子の製造方法は、前記エッチング法として、リン酸
−過酸化水素系水溶液を用いるエッチング法であること
を特徴とするものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】［製造方法の工程フロー］本発明
の一実施の形態に関わるチップ型半導体発光素子の製造
方法を図２に示す。チップの作成、及びチップの搭載
を、以下の手順によって実施した。本実施例では、−例
として、端子電極を半田メッキで形成する方法で示し
た。

【００２２】（１）ウエハー貼付 図２（ａ）は、ウエハー貼付工程を示す。ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体或いはＳｉＣ
等の半導体材料よりなるＮ型の半導体層１１上に、同じ
くＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体或いはＳｉＣ等の半導体材料よりなるＰ型の半導体層
１２が積層形成（層厚：約２００〜３００μｍ、ＰＮ接
合面１３はＰ型半導体層表面より約数〜数十μｍ）され
たＬＥＤウエハーの両面に、上に、ＡｕやＭｏ等よりな
る金属薄膜（１〜３μｍ程度）を順次積層し、パターン
化して、Ｐ電極層及びＮ電極層が形成される。

【００２３】（２）メッキ ＬＥＤウエハーのＰ側、Ｎ側にメッキを行う。パターン
化されたＰ電極層及びＮ電極層のＡｕやＭｏ等よりなる
金属薄膜に対して、半田メッキを行うので、半田メッキ
層はパターン化される。後の（４）ダイシング工程のた
め、ダイシングラインには、半田メッキ層が形成されな
い金属薄膜のパターンを用いることが望ましい。メッキ
厚みについては、結晶のＰＮ接合部の位置がチップの中
央にくるように、どちらか一方を厚く形成しても良い。
本実施例では、Ｐ電極の厚み＝約５０μｍ、Ｎ電極の厚
み＝約５０μｍ、とする。メッキ工程は通常のもので、
例えば、スルホン酸浴のＰｂ：Ｓｎ＝６：４の電界メッ
キによる半田メッキを用い、ＬＥＤウエハーのＡｕやＭ
ｏ等よりなる金属薄膜（例えば、Ａｕ蒸着膜）上に施
す。

【００２４】（３）ＬＥＤウエハーの貼り付け 半田メッキ層が形成されたＬＥＤウエハー１４を粘着シ
ート又はＵＶ硬化型粘着シート（シート（Ａ））１５に
貼り付ける。粘着シートは、ウエハー貼り付け用（粘着
力：１５０ｇ／２５ｍｍ程度）あるいは、ＵＶ硬化型粘
着シート（ウエハー貼り付け用、粘着力：１５０ｇ／２
５ｍｍ以上）を用いる。ＬＥＤウエハー１４の両面に
は、（２）メッキ工程により、半田メッキ層が形成され
ているが、図２の工程図においては、その図示を省略し
てある。

【００２５】（４）ダイシング 図２（ｂ）は、ダイシング工程を示す。（３）の状態の
ものを、ダイシング装置にセットし、ブレードを用いて
フルダイスカット（結晶、Ｐ電極、Ｎ電極共カットす
る）をする。ダイシングビッチは、０．３ｍｍ程度で、
ダイシングブレードの厚みは３０μｍ程度である。この
結果、シート上にチップ１６が出来上がる。

【００２６】（５）シート拡大 図２（ｃ）は、シート拡大工程を示す。（４）のチップ
を別のシート（Ｂ）（延伸用貼着シート）１７に転写
し、シート（Ｂ）を引き伸ばすことにより、各チップ間
の間隔を広げる。

【００２７】（６）転写 （５）のチップを別のシート（Ｃ）（エッチング用粘着
シート、例えば、住友スリーＭ製 ８５／Ｔ等）１８に
転写する。

【００２８】（７）チップ側面のエッチング 図２（ｄ）は、チップ側面のエッチング工程を示す。露
出するＰＮ接合部及びその近傍１９を端子電極２０、２
１よりも引っ込ませる（低くする）と共に、ダイシング
工程で発生した結晶のダメージや、微細なクラック層を
除去する。

【００２９】本実施例では、ＧａＰ系のＬＥＤウエーハ
を用いているので、エッチング液としては、燐酸：過酸
化水素＝３：１、６０℃溶液を用いる。エッチングレー
トは、１μｍ／分程度であり、エッチング時間は、数分
〜数十分程度行う。エッチング用粘着シート（例えば、
住友スリーＭ製 ８５／Ｔ使用）を用いており、Ａｕ系
の金属薄膜及び半田メッキ層は、燐酸−過酸化水素系エ
ッチング液に侵されないので、図２（ｄ）に示されるよ
うに、弓なりの外形曲面を持つＬＥＤチップが形成され
る。弓なりの外形曲面の凹みは、必要に応じて、数μｍ
〜３０数μｍ程度に選ばれる。この工程後、チップを更
に別のシート（Ｄ）に転写する場合もある。

【００３０】（８）チップ横倒し 図２（ｅ）は、チップ横倒し工程を示す。各チップ間
に、仕切り板を挿入し、この仕切り板をスライドするこ
とにより、チップの横倒しを行うこともできる。チップ
横倒しすることにより、次の実装工程との繋ぎを容易に
することができる。

【００３１】このようにして得られたチップ型半導体発
光素子（チップ）は、外部発光効率を約２０％程度向上
することができた。

【００３２】図１は、本発明の一実施の形態に関わるチ
ップ型半導体発光素子２５を説明する図であり、図１
（ａ）はその外観図を示し、図１（ｂ）はその略断面図
を示す。図１において、１１はＮ型の半導体層、１２は
Ｐ型の半導体層、１３はＰＮ接合面、１６はチップ（半
導体発光素子のチップ）、１９は露出するＰＮ接合部及
びその近傍、２０は端子電極（Ｐ側）、２１は端子電極
（Ｎ側）、である。チップ型半導体発光素子２５の外形
サイズは、０．２〜０．３ｍｍ角程度であり、端子電極
（Ｐ側）２０及び端子電極（Ｎ側）２１は、ＡｕやＭｏ
等よりなる金属薄膜に約５０μｍ程度の半田メッキ層が
形成されている。露出するＰＮ接合部及びその近傍１９
は、数μｍ〜３０数μｍ程度の弓なりの外形曲面の凹み
となっている。

【００３３】また、端子電極（Ｐ側）及び端子電極（Ｎ
側）は、半田メッキ層以外に、Ａｇペースト層、半田デ
ップ層、厚板金属片、等によって形成されている。

【００３４】［実装方法の工程フロー］図３は、本発明
の一実施の形態に関わるチップ型半導体発光素子の実装
方法の一例を説明する図である。

【００３５】（９）接着剤塗布 図３（ａ）は接着剤塗布工程を示し、基板３１上の導体
パターン３２、３３間に、仮止め用の接着剤３４を塗布
し、その上にチップ型半導体発光素子３０を横置きす
る。

【００３６】（１０）チップ型半導体発光素子のダイボ
ンド接着剤硬化 図３（ｂ）はチップ型半導体発光素子のダイボンド接着
剤硬化工程を示し、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂また
は、これら両方の混合物、或いはＵＶ硬化樹脂等の種類
に応じて、硬化処理を行う。この工程により、露出する
ＰＮ接合部及びその近傍３５は、導体パターン３２、３
３と完全に隔離された状態で、基板上に仮固定される。

【００３７】（１１）クリーム半田塗布 図３（ｃ）はクリーム半田塗布工程を示し、チップ型半
導体発光素子３０の両端に配設された電極層３６、３７
上に、クリーム半田３８を塗布する。

【００３８】（１２）半田リフロー 図３（ｄ）は半田リフロー工程を示し、図３（ｃ）に示
される基板をリフロー炉に入れ、端子電極の半田３９を
溶融し、基板３１上の導体パターン３２、３３と半導体
発光素子のチップ型半導体発光素子３０とを接続し、実
装工程を終了する。

【００３９】図３において、露出するＰＮ接合部及びそ
の近傍は弓なりの外形形状と基板表面の導体パターン上
面との間には、数μｍ〜３０数μｍ程度の間隔があるた
め、搭載後、露出するＰＮ接合部及びその近傍と基板表
面の導体パターンとは電気的接触を生ぜず、電気的にリ
ークすることが無い。

【００４０】図４は、本発明の一実施の形態に関わるチ
ップ型半導体発光素子の電極層の厚さとその実装方法の
一例を説明する図である。

【００４１】図４において、電極層の厚さが異なるチッ
プ型半導体発光素子４０は、基板３１上の導体パターン
３２、３３に、半田３９により固定されている。

【００４２】例えば、チップ型半導体発光素子４０がＧ
ａＰ系の半導体発光素子の場合、Ｐ層及びＮ層は、それ
ぞれ、約３０〜１００μｍ、１５０〜２７０μｍ程度で
ある。薄い方の電極層４７は、例えばＡｕやＭｏ等より
なる金属薄膜のオーミック電極層４１、Ａｕ、Ｍｏ等か
らなる金属箔４５と、電極層４１と金属箔４５とを接着
する導電接着層４３、とからなる。

【００４３】一方、厚い方の電極層４８は、例えばＡｕ
やＭｏ等よりなる金属薄膜のオーミック電極層４２、Ａ
ｕ、Ｍｏ等からなる金属箔４６と、電極層４２と金属箔
４６とを接着する導電接着層４４、とからなる。

【００４４】そして、厚い方の電極層４８の厚さを
Ｗ₁、薄い方の電極層４７の厚さをＷ₂、とする時、Ｗ₁
＞＞Ｗ₂の関係にあり、図４に示すように、導体パター
ン３２と露出するＰＮ接合部及びその近傍３５との距離
をＬ₁、導体パターン３３と露出するＰＮ接合部及びそ
の近傍３５との距離をＬ₂とする時、Ｌ₁≒Ｌ₂の関係と
なるように、Ｗ₁とＷ₂の関係が調整される。Ｗ₁及びＷ₂
の大きさは適宜選択されるが、ＧａＰ系の半導体発光素
子の場合、Ｗ₁＝２０〜３００μｍ程度、Ｗ₂＝２０〜１
００μｍ程度である。

【００４５】この結果、Ｌ₁≒Ｌ₂の関係となり、露出す
るＰＮ接合部及びその近傍の位置を半導体発光素子の外
形のほぼ中央に位置するできると共に、ＰＮ接合部の発
光領域を実装基板のほぼ中央に位置するように実装する
ことができる。

【００４６】また、Ｐ側電極およびＮ側電極の識別が容
易となり、極性間違いによる誤配線、誤実装を避けるこ
とができる。

【００４７】さらに、電極層４６、４７の電極層の一方
の色彩または表面模様を、電極層の他方の色彩または表
面模様と異なるようにすれば、Ｐ側電極およびＮ側電極
の識別が容易となり、極性間違いによる誤配線、誤実装
を避けることができる。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
半導体発光素子によれば、ＰＮ接合を有する半導体層が
積層形成され、該半導体層を挟んで電極層が形成されて
なる半導体発光素子であり、且つ、前記半導体層のＰＮ
接合面に垂直な端面のうち少なくとも一端面上に露出す
るＰＮ接合部及びその近傍が、周囲の前記電極層端面よ
りも低い位置になるように形成されてなる半導体発光素
子であって、前記露出するＰＮ接合部及びその近傍にエ
ッチング法を施すことよりその外形形状を加工すること
を特徴とするものである。従って、前記露出するＰＮ接
合部及びその近傍に加工ダメージが残存せず、ＰＮ接合
面の表面リークを完全に除去することができ、特性の優
れた半導体発光素子を得ることができる。

【００４９】また、本発明の請求項２記載の半導体発光
素子によれば、前記電極層の一方の層厚は、前記電極層
の他方の層厚と異なることをことを特徴とするものであ
る。従って、Ｐ側電極およびＮ側電極の識別が容易とな
り、極性間違いによる誤配線、誤実装を避けることがで
きる。

【００５０】また、本発明の請求項３記載の半導体発光
素子によれば、前記電極層の一方の色彩または表面模様
は、前記電極層の他方の色彩または表面模様と異なるこ
とを特徴とするものである。従って、Ｐ側電極およびＮ
側電極の識別が容易となり、実装機械を用いた場合で
も、極性間違いによる誤配線、誤実装を避けることがで
きる。

【００５１】また、本発明の請求項４記載の半導体発光
素子によれば、前記露出するＰＮ接合部及びその近傍の
位置を半導体発光素子の外形のほぼ中央に位置するよう
前記電極層の両層厚を制御してなることをことを特徴と
するものである。

【００５２】従って、溝部の形状が弓張り面の曲面とで
きるため、横置き実装した場合、実装基板表面上の導体
パターンとＰＮ接合面との距離を大きくとる容易とな
り、実装基板表面上の導体パターンとの電気的な接触や
電気的なリークによる実装不良率を低減することができ
る。

【００５３】さらに、本発明の請求項５記載の半導体発
光素子の製造方法によれば、前記エッチング法として、
リン酸−過酸化水素系水溶液を用いるエッチング法であ
ることを特徴とするものである。従って、半導体発光素
子の製造方法を容易にすると共に、半導体結晶のエッチ
ング量やエッチング面の弓なりの外形形状の制御が容易
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に関わるチップ型半導体
発光素子を説明する図であり、（ａ）はその外観図を示
し、（ｂ）はその略断面図を示す。

【図２】本発明の一実施の形態に関わるチップ型半導体
発光素子の製造方法を説明する図であり、（ａ）はウエ
ハー貼付工程を示し、（ｂ）はダイシング工程を示し、
（ｃ）はシート拡大工程を示し、（ｄ）はチップ側面の
エッチング工程を示し、（ｅ）はチップ横倒し工程を示
す。

【図３】本発明の一実施の形態に関わるチップ型半導体
発光素子の実装方法を説明する図であり、（ａ）は接着
剤塗布工程を示し、（ｂ）はチップダイボンド接着剤硬
化工程を示し、（ｃ）はクリーム半田塗布工程を示し、
（ｄ）は半田リフロー工程を示す。

【図４】本発明の一実施の形態に関わるチップ型半導体
発光素子の電極層の厚さとその実装方法の一例を説明す
る図である。

【図５】従来例のチップ型半導体発光素子を説明する図
であり、（ａ）は外観図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−
Ｂ′面における略断面図であり、（ｃ）はプリント基板
等上に横型実装した場合の略断面図である。

【符号の説明】

１１ Ｎ型の半導体層 １２ Ｐ型の半導体層 １３ ＰＮ接合面 １４ ＬＥＤウエハー １５ 粘着シート（シートＡ） １６ チップ １７ 延伸用粘着シート（シートＢ） １８ エッチング用粘着（シートＣ） １９ 露出するＰＮ接合部及びその近傍 ２０ 端子電極 ２１ 端子電極 ２５ チップ型半導体発光素子 ３０ 半導体発光素子のチップ ３１ 基板 ３２ 導体パターン ３３ 導体パターン ３４ 仮止め用の接着剤 ３５ 露出するＰＮ接合部及びその近傍 ３６ 電極層 ３７ 電極層、 ３８ クリーム半田 ３９ 半田 ４０ 半導体発光素子 ４１ 電極層 ４２ 電極層 ４３ 導電接着層 ４４ 導電接着層 ４５ 金属箔 ４６ 金属箔 ４７ 薄い方の電極層 ４８ 厚い方の電極層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＰＮ接合を有する半導体層が積層形成さ
   れ、該半導体層を挟んで電極層が形成されてなる半導体
   発光素子であり、且つ、前記半導体層のＰＮ接合面に垂
   直な端面のうち少なくとも一端面上に露出するＰＮ接合
   部及びその近傍が、周囲の前記電極層端面よりも低い位
   置になるように形成されてなる半導体発光素子におい
   て、 前記露出するＰＮ接合部及びその近傍にエッチング法を
   施すことよりその外形形状を加工することを特徴とする
   半導体発光素子。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体発光素子におい
   て、 前記電極層の一方の層厚は、前記電極層の他方の層厚と
   異なることをことを特徴とする半導体発光素子。
3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体発光素子におい
   て、 前記電極層の一方の色彩または表面模様は、前記電極層
   の他方の色彩または表面模様と異なることを特徴とする
   半導体発光素子。
4. 【請求項４】 請求項２記載の半導体発光素子におい
   て、 前記露出するＰＮ接合部及びその近傍の位置を半導体発
   光素子の外形のほぼ中央に位置するよう前記電極層の両
   層厚を制御してなることをことを特徴とする半導体発光
   素子。
5. 【請求項５】 請求項１記載の半導体発光素子の製造方
   法において、 前記エッチング法として、リン酸−過酸化水素系水溶液
   を用いるエッチング法であることを特徴とする半導体発
   光素子の製造方法。