JP2000099410A - Memory control circuit and information processor - Google Patents
Memory control circuit and information processorInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ポステッドライト
を行う情報処理装置や、ダイナミック・ランダム・メモ
リ等の主記憶装置の誤り検出/訂正符号(ECC:Erro
r Checking and Correcting)機能を備えたメモリ制御
回路及び情報処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an error detection / correction code (ECC: Erro) for an information processing apparatus for performing posted write and a main memory such as a dynamic random memory.
r Checking and Correcting) function and a data processing device.
【0002】[0002]
【従来の技術】記憶装置の故障などのハードウェア的原
因によって起こる主記憶装置に記憶されているデータの
誤りは、計算機システム全体に大きな故障を引き起こ
す。そのため、主記憶装置に誤り訂正符号を付加して、
もともとの情報の誤りを訂正できる。例えば、1ビット
誤り訂正用のビット数kはもともとの情報のビット数n
が大きくなってもそれほど増えない。n=16なら、k
=5でよい。記憶素子の誤りの多くは、同時誤りビット
数が1であり、2ビット以上の同時誤りはまれである。
この場合の誤り訂正回路では、記憶装置と、記憶装置か
ら訂正用ビットとデータビットとを入力されて誤りビッ
ト反転符号を出力する誤り検出回路と、当該誤りビット
反転符号と先のデータビットとを入力して訂正済みデー
タを出力するビット反転回路とから構成される。この訂
正済みデータはデータバスを経由してCPUに送られ
る。近年では、LSIチップ内に誤り訂正回路を内蔵す
る場合が多い。2. Description of the Related Art An error in data stored in a main storage device caused by a hardware cause such as a storage device failure causes a major failure in the entire computer system. Therefore, by adding an error correction code to the main storage device,
Corrects errors in the original information. For example, the number of bits k for 1-bit error correction is the number of bits n of the original information.
It doesn't increase so much even if it gets bigger. If n = 16, k
= 5. Many of the errors in the storage element have a simultaneous error bit number of 1, and a simultaneous error of 2 bits or more is rare.
The error correction circuit in this case includes a storage device, an error detection circuit that receives a correction bit and a data bit from the storage device and outputs an error bit inversion code, and an error detection circuit that outputs the error bit inversion code and the preceding data bit. And a bit inversion circuit for inputting and outputting corrected data. The corrected data is sent to the CPU via the data bus. In recent years, an error correction circuit is often built in an LSI chip.
【0003】さらに、2ビット以上のデータ訂正を行う
データ誤り訂正回路を有するメモリ制御回路の例を図4
を参照して説明する。図4において、BUSはシステム
バスであり、WDBはライトバッファ、WDSはライト
データセレクタ(BUSのデータXとECCチェックデ
ータとを選択する)回路、ECGはECCビットジェネ
レータ、DATAはメモリデータ、ECHはECCチェ
ック回路、RDBはデータ部用リードデータバッファ、
ECBはECCビット用リードデータバッファ、ECC
はメモリECCビットメモリである。FIG. 4 shows an example of a memory control circuit having a data error correction circuit for correcting data of 2 bits or more.
This will be described with reference to FIG. In FIG. 4, BUS is a system bus, WDB is a write buffer, WDS is a write data selector (to select BUS data X and ECC check data) circuit, ECG is an ECC bit generator, DATA is memory data, and ECH is ECC check circuit, RDB is read data buffer for data part,
ECB is read data buffer for ECC bit, ECC
Is a memory ECC bit memory.
【0004】本メモリ制御回路において、システムバス
BUSからメモリデータを取り込み一時バッファWDB
に格納し、書き込みデータにてメモリデータをWDSで
選択してメモリの一つのDATAに記憶すると共に、当
該メモリデータに従ってECCビットをECGで生成し
て他方のメモリの一つECCに記憶する。In this memory control circuit, memory data is fetched from a system bus BUS and a temporary buffer WDB
, And the memory data is selected by the WDS by the write data and stored in one DATA of the memory, and the ECC bit is generated by the ECG according to the memory data and stored in one ECC of the other memory.
【0005】この場合、メモリライトバッファ(MW
B)を備えたポステッドライトを行う情報処理装置の従
来のメモリ制御回路では、メモリデータの一部を書き替
えるパーシャルライトにおける、メモリのDATAとE
CCとからの読み出し時、このパーシャルライトにおけ
るメモリ内の誤り訂正する場合のデータ流路を図5に示
すと、DATA及びECCから読み出された各データは
各バッファRDB,ECBを介して、ECHでECCチ
ェックを行い、誤り訂正してセレクタWDSで選択し、
それぞれメモリのDATAとECCに更新データを書き
込んでいた。しかし、訂正不可能なECCエラー(2ビ
ット以上が不正の場合)が発生すると、メモリのDAT
AとECCへの書き込みを行わず、その後、そのアドレ
スに対するメモリリードが発生してECCエラーと判明
することにより、エラー警告を通知していた。In this case, a memory write buffer (MW
In a conventional memory control circuit of an information processing apparatus that performs posted write with B), in a partial write in which a part of memory data is rewritten, DATA and E of the memory are used.
FIG. 5 shows a data flow path for error correction in the memory in the partial write at the time of reading from the CC. Each data read from DATA and ECC is transmitted through each buffer RDB and ECB to the ECH. Performs ECC check, corrects the error and selects with the selector WDS.
Update data was written to DATA and ECC of the memory, respectively. However, when an uncorrectable ECC error (when two or more bits are invalid) occurs, the DAT
A and ECC are not written, and then a memory read for that address occurs and it is determined that an ECC error has occurred, thereby notifying an error warning.
【0006】ここで、ポステッドライトとは、BUSの
バスマスタによるメモリライトが発生した場合、データ
が書き込みバッファWDBに保持され、BUS側のメモ
リライトサイクルが終了し、その後、メモリ側のメモリ
ライトサイクルにより、WDBのデータがメモリに書き
込まれることをいう。また、パーシャルライトとはバイ
ト単位(例えば8ビット)のライトの場合、ECCはワ
ード単位(例えば16ビット)で生成されるため、バイ
ト単位とワード単位が異なる場合に部分書き込みとなる
ことをいう。Here, posted write means that when a memory write by the bus master of the BUS occurs, data is held in the write buffer WDB, the memory write cycle on the BUS side ends, and then the memory write cycle on the memory side occurs. Means that the data of the WDB is written to the memory. In the case of partial writing, in the case of writing in byte units (for example, 8 bits), since the ECC is generated in word units (for example, 16 bits), partial writing is performed when the byte units and word units are different.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなメモリ制御回路の場合、書き込みが行われていない
データのアドレスがないので、エラーを通知したとして
も、エラーの発生個所がメモリ制御回路そのものである
場合、例えば、メモリ制御回路の故障または外来ノイズ
によってECCエラーが発生した場合、メモリ内のデー
タの内容が正しいにもかかわらず、外的要因でそのエラ
ーの発生したアドレスからリードしてもエラーが発生せ
ず、その結果、ECCエラーが発生したパーシャルライ
ト時の書き込み漏れによるデータ化けという致命的な障
害が発生する可能性があった。However, in such a memory control circuit, since there is no address of data that has not been written, even if an error is notified, the place where the error occurs is the memory control circuit itself. In some cases, for example, when an ECC error occurs due to a failure of a memory control circuit or external noise, even if the content of the data in the memory is correct, even if the error is read from the address where the error occurred due to an external factor, an error occurs. Does not occur, and as a result, there is a possibility that a catastrophic failure such as garbled data due to write omission at the time of partial write in which an ECC error has occurred may occur.
【0008】本発明は、ECCを有するメモリ制御回路
そのものでECCエラーが発生したとしても、誤り訂正
できるメモリ制御回路を提供することを課題とする。An object of the present invention is to provide a memory control circuit that can correct an error even if an ECC error occurs in a memory control circuit having an ECC itself.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、メモリライト
バッファによるポステッドライトを行うシステムバスに
接続されたメモリ制御回路を備えた情報処理装置におい
て、前記メモリ制御回路は、パーシャルライトにおける
メモリからの読み出し時、誤り検出/訂正符号(EC
C:Error Checking and Correcting)の訂正不可能な
エラーが発生した場合、前記誤り検出/訂正符号のビッ
トも含め読み出したデータをそのまま前記メモリに書き
戻すことを特徴とする。According to the present invention, there is provided an information processing apparatus having a memory control circuit connected to a system bus for performing a posted write by a memory write buffer, wherein the memory control circuit is configured to perform a partial write from a memory in a partial write. At the time of reading, the error detection / correction code (EC
When an uncorrectable error (C: Error Checking and Correcting) occurs, the read data including the bit of the error detection / correction code is written back to the memory as it is.
【0010】また、本発明による情報処理装置は、シス
テムバスからの書き込みデータを一時的に記憶するライ
トバッファと、該書き込みデータとエラー訂正されたデ
ータとのいずれかを選択するライトデータセレクタと、
前記ライトデータセレクタの出力とリードデータとのい
ずれかを選択するエラーデータセレクタと、前記エラー
データセレクタの出力を記憶するメモリのデータ部と、
前記ライトデータセレクタの出力データに基づいて誤り
訂正ビットを生成する誤り訂正生成部と、前記誤り訂正
ビットとリード訂正ビットとのいずれかを選択するエラ
ー訂正セレクタと、前記エラー訂正セレクタの出力を記
憶するメモリのエラー検出訂正部と、前記メモリのデー
タ部と前記エラー検出訂正部との出力に基いてデータの
誤りをチェックし、誤り訂正するエラー検出訂正部と、
前記エラー検出訂正部の誤りの有無により前記エラーデ
ータセレクタとエラー訂正セレクタとを制御するセレク
タ制御部とを備えたことを特徴とする。The information processing apparatus according to the present invention further comprises a write buffer for temporarily storing write data from the system bus, a write data selector for selecting one of the write data and error-corrected data,
An error data selector for selecting one of the output of the write data selector and the read data, and a data portion of a memory for storing an output of the error data selector.
An error correction generation unit that generates an error correction bit based on the output data of the write data selector, an error correction selector that selects one of the error correction bit and the read correction bit, and an output of the error correction selector. An error detection and correction unit of a memory to be checked, an error detection and correction unit for checking data errors based on outputs of the data unit and the error detection and correction unit of the memory, and correcting the error;
A selector control unit that controls the error data selector and the error correction selector based on the presence or absence of an error in the error detection and correction unit.
【0011】また、本発明は、データ誤り検出して訂正
するメモリ制御回路において、システムバスからの書き
込みデータを一時的に記憶するライトバッファと、該書
き込みデータとエラー訂正されたデータとのいずれかを
選択するライトデータセレクタと、前記ライトデータセ
レクタの出力とリードデータとのいずれかを選択するエ
ラーデータセレクタと、前記エラーデータセレクタの出
力を記憶するメモリのデータ部と、前記ライトデータセ
レクタの出力データに基づいて誤り訂正ビットを生成す
る誤り訂正生成部と、前記誤り訂正ビットとリード訂正
ビットとのいずれかを選択するエラー訂正セレクタと、
前記エラー訂正セレクタの出力を記憶するメモリのエラ
ー検出訂正部と、前記メモリのデータ部から読み出した
データを一時的に記憶する読み出しデータバッファと、
前記メモリのエラー検出訂正部から読み出したデータを
一時的に記憶する読み出しエラー訂正バッファと、前記
読み出しデータバッファと前記読み出しエラー訂正バッ
ファとの出力に基いてデータの誤りをチェックし、誤り
訂正するエラー検出訂正部と、前記エラー検出訂正部の
誤りの有無により前記エラーデータセレクタとエラー訂
正セレクタとを制御するセレクタ制御部とを備えたこと
を特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a memory control circuit for detecting and correcting a data error, comprising: a write buffer for temporarily storing write data from a system bus; A write data selector, an error data selector for selecting one of the output of the write data selector and the read data, a data portion of a memory for storing an output of the error data selector, and an output of the write data selector. An error correction generation unit that generates an error correction bit based on data, an error correction selector that selects one of the error correction bit and the read correction bit,
An error detection and correction unit of a memory that stores an output of the error correction selector, a read data buffer that temporarily stores data read from a data unit of the memory,
A read error correction buffer for temporarily storing data read from the error detection and correction unit of the memory, and an error for checking and correcting data errors based on outputs from the read data buffer and the read error correction buffer. A detection / correction unit; and a selector control unit that controls the error data selector and the error correction selector based on the presence or absence of an error in the error detection / correction unit.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】本発明による実施形態について、
図面を参照しつつ詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments according to the present invention will be described.
This will be described in detail with reference to the drawings.
【0013】[本実施形態の構成]図1は本発明の一実
施形態の構成図である。図において、WDBはシステム
バスBUSからのライトデータを一時格納するデータバ
ッファであり、RDBはメモリのDATAからのデータ
を一時格納するバッファであり、ECBはメモリのEC
CからのECCビットを一時保持するバッファである。
WDSはWDBとECHからのデータを選択し、EDS
はRDBとWDSからのデータを選択し、EESはEC
GとECBからのデータを選択して切り替えるセレクタ
である。ECGとECHはそれぞれ、ECCジェネレー
タ及びチェッカである。SELはECHからのエラー情
報により、EDSとEESを制御する回路である。DA
TAとECCはメモリMEMであり、それぞれデータ及
びECCビットとして、例えば32ビットのデータDA
TAと、その32ビットデータの誤り訂正符号の16ビ
ットのECCビットを対として格納し、読み出すもので
ある。また、図1において、各信号線の斜め線を付した
信号線はバス構成であることを示している。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention. In the figure, WDB is a data buffer for temporarily storing write data from the system bus BUS, RDB is a buffer for temporarily storing data from DATA in the memory, and ECB is an EC in the memory of the memory.
This buffer temporarily holds the ECC bit from C.
WDS selects data from WDB and ECH and EDS
Selects data from RDB and WDS, EES selects EC
A selector for selecting and switching data from G and ECB. ECG and ECH are an ECC generator and a checker, respectively. SEL is a circuit that controls EDS and EES based on error information from ECH. DA
TA and ECC are memories MEM, and as data and ECC bits, for example, 32-bit data DA
TA and 16 ECC bits of the 32-bit data error correction code are stored and read as a pair. Further, in FIG. 1, the signal lines with diagonal lines of the respective signal lines indicate a bus configuration.
【0014】さらに、本実施形態によるデータ誤り検出
して訂正する情報処理装置及びこれに用いるメモリ制御
回路を具体的に説明すれば、システムバスからの書き込
みデータを一時的に記憶するライトバッファWDBと、
該書き込みデータとエラー訂正されたデータとのいずれ
かを選択するライトデータセレクタWDSと、前記ライ
トデータセレクタの出力とリードデータとのいずれかを
選択するエラーデータセレクタEDSと、前記エラーデ
ータセレクタの出力を記憶するメモリのデータ部DAT
Aと、前記ライトデータセレクタの出力データに基づい
て誤り訂正ビットを生成する誤り訂正生成部ECGと、
前記誤り訂正ビットとリード訂正ビットとのいずれかを
選択するエラー訂正セレクタEESと、前記エラー訂正
セレクタの出力を記憶するメモリのエラー検出訂正部E
CCと、前記メモリのデータ部から読み出したデータを
一時的に記憶する読み出しデータバッファRDSと、前
記メモリのエラー検出訂正部から読み出したデータを一
時的に記憶する読み出しエラー訂正バッファECBと、
前記読み出しデータバッファと前記読み出しエラー訂正
バッファとの出力に基いてデータの誤りをチェックし、
誤り訂正するエラー検出訂正部ECHと、前記エラー検
出訂正部の誤りの有無により前記エラーデータセレクタ
とエラー訂正セレクタとを制御するセレクタ制御部SE
Lと、から構成されている。なお、本メモリ制御回路は
他の構成要素が加わってもよいし、例えばセレクタED
S,EESとメモリのDATA,ECC間に安定した手
順とデータ処理のためメモリバッファを挿入してもよ
い。Further, the information processing apparatus for detecting and correcting a data error according to the present embodiment and a memory control circuit used for the information processing apparatus will be specifically described. A write buffer WDB for temporarily storing write data from a system bus is provided. ,
A write data selector WDS for selecting one of the write data and the error-corrected data; an error data selector EDS for selecting one of the output of the write data selector and the read data; and an output of the error data selector. Data part DAT of the memory for storing
A, an error correction generation unit ECG that generates error correction bits based on output data of the write data selector,
An error correction selector EES for selecting one of the error correction bit and the read correction bit; and an error detection and correction unit E of a memory for storing an output of the error correction selector.
CC, a read data buffer RDS for temporarily storing data read from the data section of the memory, a read error correction buffer ECB for temporarily storing data read from the error detection and correction section of the memory,
Check the data error based on the output of the read data buffer and the read error correction buffer,
An error detection and correction unit ECH for correcting errors, and a selector control unit SE for controlling the error data selector and the error correction selector based on the presence or absence of an error in the error detection and correction unit.
L. The memory control circuit may include other components, for example, the selector ED
A memory buffer may be inserted between S, EES and DATA, ECC of the memory for stable procedures and data processing.
【0015】[本実施形態の動作]以下、本実施形態の
動作を説明する。図1を参照して、BUSのバスマスタ
によるメモリライトが発生すると、データがWDBに保
持され、BUS側のメモリライトサイクルは終了され
る。その後、メモリ側のメモリライトサイクルにより、
WDBのデータがメモリに書き込まれる(これをポステ
ッドライトという)。バイト単位のライトの場合、EC
Cはワード単位で生成されるため、部分書き込み(パー
シャルライト)となる。パーシャルライトは、一旦メモ
リのDATAからワード単位でデータを読み出し、リー
ドバッファRDBを介してECHでデータ誤りをチェッ
クし、誤り訂正(コレクト)し、そのデータの中の該当
するバイトをWDSでWDBのデータと入れ替え、EC
GでECCのデータを生成し、ワード単位でDATA、
ECCに書き込む動作により完了する。[Operation of this Embodiment] The operation of this embodiment will be described below. Referring to FIG. 1, when a memory write by the BUS bus master occurs, the data is held in the WDB, and the memory write cycle on the BUS side ends. Then, by the memory write cycle on the memory side,
WDB data is written to the memory (this is called posted write). EC for write in byte unit
Since C is generated in word units, it is a partial write (partial write). In the partial write, data is read once in word units from DATA in the memory, a data error is checked by the ECH via the read buffer RDB, error correction (correction) is performed, and a corresponding byte in the data is written in the WDB by the WDS. Replace with data, EC
G generates ECC data, and DATA,
This is completed by the operation of writing to the ECC.
【0016】図2にパーシャルライトにおけるデータの
読み出し書き込み経路を示す。メモリのDATAおよび
ECCから読み出した各データはバッファRDBとEC
Bに一時的に書き込み、ECHでそれぞれ読み出してデ
ータ誤りをチェックして誤りデータ訂正を実行して、W
DSで誤りデータ訂正信号を選択して、EDSを介して
DATAに先のアドレスに更新データとして書き込まれ
る。また、誤りデータ訂正信号は、EDGでを誤りデー
タ訂正信号に基いてECCビットを生成して、EESを
介してECCに格納される。FIG. 2 shows a data read / write path in partial write. Each data read from DATA and ECC of the memory is stored in buffer RDB and EC
B, temporarily read the data by ECH, check for data errors, and perform error data correction.
An error data correction signal is selected by DS, and is written to DATA via EDS at a previous address as update data. The error data correction signal generates ECC bits based on the error data correction signal in EDG, and is stored in the ECC via EES.
【0017】つぎに、このメモリのDATAからの読み
出しでECCの訂正不可能なエラーが発生したとする。
図3はECCの訂正不可能なエラーが発生した場合のデ
ータの流路を示している。DATAとECCから読み出
されたデータは、それぞれRDBとECBに一時保持さ
れる。RDBとECBのデータはECHでチェックさ
れ、前記エラーが検出されると、ECHからエラー情報
を発生し、このエラー情報によりSELは、EDSとE
ESを、RDB側とECB側に切り替る。そして、DA
TAとECCへの書き込みが実行される。この場合、E
CHにはデータの経路に入っていないが、各データは入
力されてエラーチェックを行い、エラーの存否により、
エラーがなければEDSおよびEESにおいてRDBお
よびECB側を選択し、エラーのないデータがDATA
およびECCに格納される。エラーがあれば、ECCで
誤り検出/訂正がなされ、エラーのないデータに訂正さ
れ、ライトデータセレクタWDSに入力されて、データ
メモリDATAとこの訂正されたデータに対応するEC
CデータをECCメモリに格納する。Next, it is assumed that an uncorrectable error of the ECC has occurred during reading from DATA in the memory.
FIG. 3 shows a data flow path when an uncorrectable error of the ECC occurs. Data read from DATA and ECC are temporarily stored in RDB and ECB, respectively. The data of the RDB and ECB are checked by the ECH, and when the error is detected, error information is generated from the ECH.
The ES is switched between the RDB side and the ECB side. And DA
Writing to TA and ECC is performed. In this case, E
Although the CH does not enter the data path, each data is input and an error check is performed.
If there is no error, the RDB and ECB sides are selected in EDS and EES.
And ECC. If there is an error, error detection / correction is performed by the ECC, the data is corrected to error-free data, input to the write data selector WDS, and the data memory DATA and the EC corresponding to the corrected data are input.
The C data is stored in the ECC memory.
【0018】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、パーシャルライトにお
ける、メモリからの読み出し時、メモリの内容が正しい
にもかかわらず、メモリ制御回路の故障または外来ノイ
ズによってECCの訂正不可能なエラーが発生した場合
でも、ECCのビットも含め、読み出したデータをその
ままメモリに書き戻す、つまり正常なデータであったも
のを不正なデータに書き換えることにより、そのエラー
の発生したアドレスに対するメモリリードで確実にEC
Cエラーを発生させることにより、装置の信頼性を向上
できる。According to the present invention, when reading from a memory in a partial write, an uncorrectable error of the ECC occurs due to a failure of the memory control circuit or external noise even though the contents of the memory are correct. Even in this case, the read data, including the ECC bit, is written back to the memory as it is, that is, by rewriting the data that was normal data to incorrect data, it is ensured that the memory read for the address where the error occurred causes the EC to be read.
By generating the C error, the reliability of the device can be improved.
【図1】本発明によるメモリ制御回路の構成ブロック図
である。FIG. 1 is a configuration block diagram of a memory control circuit according to the present invention.
【図2】本発明によるメモリ制御回路の正常時のデータ
経路図である。FIG. 2 is a data path diagram in a normal state of a memory control circuit according to the present invention.
【図3】本発明によるメモリ制御回路の不正常時のデー
タ経路図である。FIG. 3 is a data path diagram of a memory control circuit according to the present invention in an irregular state.
【図4】従来のメモリ制御回路の構成ブロック図であ
る。FIG. 4 is a configuration block diagram of a conventional memory control circuit.
【図5】従来のメモリ制御回路のデータ経路図である。FIG. 5 is a data path diagram of a conventional memory control circuit.
BUS システムバス WDB 書き込みデータバッファ WDS 書き込みデータバッファ ECG ECCビットジェネレータ EES ライトデータ選択回路(ECCチェックデータ
とメモリリードデータデータ部) EES ライトデータ選択回路(ECCジェネレータデ
ータとメモリリードデータECC部) DATA メモリデータ部 ECC メモリECCデータ部 RDB リードデータバッファ(データ部) ECB リードデータバッファ(ECCビット部) ECH ECCチェック回路 SEL セレクタ制御回路BUS System bus WDB Write data buffer WDS Write data buffer ECG ECC bit generator EES Write data selection circuit (ECC check data and memory read data data section) EES write data selection circuit (ECC generator data and memory read data ECC section) DATA Memory data Section ECC memory ECC data section RDB read data buffer (data section) ECB read data buffer (ECC bit section) ECH ECC check circuit SEL selector control circuit
Claims (5)
ライトを行うシステムバスに接続されたメモリ制御回路
を備えた情報処理装置において、前記メモリ制御回路
は、パーシャルライトにおけるメモリからの読み出し
時、誤り検出/訂正符号(ECC:Error Checking and
Correcting)の訂正不可能なエラーが発生した場合、
前記誤り検出/訂正符号のビットも含め読み出したデー
タをそのまま前記メモリに書き戻すことを特徴とする情
報処理装置。1. An information processing apparatus comprising a memory control circuit connected to a system bus for performing posted write by a memory write buffer, wherein the memory control circuit detects / corrects an error when reading from a memory in a partial write. Code (ECC: Error Checking and
Correcting) uncorrectable error,
An information processing apparatus, wherein data read out, including bits of the error detection / correction code, is written back to the memory as it is.
エラーは、誤りのない正常なデータであることを特徴と
する請求項1に記載の情報処理装置。2. The information processing apparatus according to claim 1, wherein the uncorrectable error of the error detection / correction code is error-free normal data.
時的に記憶するライトバッファと、該書き込みデータと
エラー訂正されたデータとのいずれかを選択するライト
データセレクタと、前記ライトデータセレクタの出力と
リードデータとのいずれかを選択するエラーデータセレ
クタと、前記エラーデータセレクタの出力を記憶するメ
モリのデータ部と、前記ライトデータセレクタの出力デ
ータに基づいて誤り訂正ビットを生成する誤り訂正生成
部と、前記誤り訂正ビットとリード訂正ビットとのいず
れかを選択するエラー訂正セレクタと、前記エラー訂正
セレクタの出力を記憶するメモリのエラー検出訂正部
と、前記メモリのデータ部と前記エラー検出訂正部との
出力に基いてデータの誤りをチェックし、誤り訂正する
エラー検出訂正部と、前記エラー検出訂正部の誤りの有
無により前記エラーデータセレクタとエラー訂正セレク
タとを制御するセレクタ制御部とを備えたことを特徴と
する情報処理装置。3. A write buffer for temporarily storing write data from a system bus, a write data selector for selecting one of the write data and error-corrected data, and an output and read of the write data selector. An error data selector for selecting any of data, a data portion of a memory for storing an output of the error data selector, and an error correction generation portion for generating an error correction bit based on output data of the write data selector, An error correction selector for selecting any one of the error correction bit and the read correction bit; an error detection and correction unit of a memory that stores an output of the error correction selector; a data unit of the memory and the error detection and correction unit. An error detection and correction unit that checks data errors based on the output and corrects the errors; An information processing apparatus, comprising: a selector control unit that controls the error data selector and the error correction selector based on the presence or absence of an error in the error detection and correction unit.
したデータを一時的に記憶する読み出しデータバッファ
と、前記メモリのエラー検出訂正部から読み出したデー
タを一時的に記憶する読み出しエラー訂正バッファと、
を前記メモリと前記エラー検出訂正部間に備えたことを
特徴とする請求項3に記載の情報処理装置。4. A read data buffer for temporarily storing data read from a data section of the memory, a read error correction buffer for temporarily storing data read from an error detection and correction section of the memory,
The information processing apparatus according to claim 3, wherein the information processing apparatus is provided between the memory and the error detection and correction unit.
回路において、システムバスからの書き込みデータを一
時的に記憶するライトバッファと、該書き込みデータと
エラー訂正されたデータとのいずれかを選択するライト
データセレクタと、前記ライトデータセレクタの出力と
リードデータとのいずれかを選択するエラーデータセレ
クタと、前記エラーデータセレクタの出力を記憶するメ
モリのデータ部と、前記ライトデータセレクタの出力デ
ータに基づいて誤り訂正ビットを生成する誤り訂正生成
部と、前記誤り訂正ビットとリード訂正ビットとのいず
れかを選択するエラー訂正セレクタと、前記エラー訂正
セレクタの出力を記憶するメモリのエラー検出訂正部
と、前記メモリのデータ部から読み出したデータを一時
的に記憶する読み出しデータバッファと、前記メモリの
エラー検出訂正部から読み出したデータを一時的に記憶
する読み出しエラー訂正バッファと、前記読み出しデー
タバッファと前記読み出しエラー訂正バッファとの出力
に基いてデータの誤りをチェックし、誤り訂正するエラ
ー検出訂正部と、前記エラー検出訂正部の誤りの有無に
より前記エラーデータセレクタとエラー訂正セレクタと
を制御するセレクタ制御部とを備えたことを特徴とする
メモリ制御回路。5. A memory control circuit for detecting and correcting a data error, comprising: a write buffer for temporarily storing write data from a system bus; and a write buffer for selecting one of the write data and the error-corrected data. A data selector, an error data selector for selecting one of the output of the write data selector and the read data, a data portion of a memory for storing an output of the error data selector, and an output data of the write data selector. An error correction generation unit that generates an error correction bit, an error correction selector that selects one of the error correction bit and the read correction bit, an error detection and correction unit of a memory that stores an output of the error correction selector, Read to temporarily store data read from the data part of the memory A data buffer, a read error correction buffer for temporarily storing data read from the error detection and correction unit of the memory, and a data error check based on outputs of the read data buffer and the read error correction buffer. A memory control circuit comprising: an error detection / correction unit that corrects an error; and a selector control unit that controls the error data selector and the error correction selector based on the presence or absence of an error in the error detection / correction unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10271779A JP2000099410A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Memory control circuit and information processor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10271779A JP2000099410A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Memory control circuit and information processor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000099410A true JP2000099410A (en) | 2000-04-07 |
Family
ID=17504743
Family Applications (1)
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JP10271779A Pending JP2000099410A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Memory control circuit and information processor |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2000099410A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009217754A (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | Memory system |
US8276043B2 (en) | 2008-03-01 | 2012-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
WO2024119610A1 (en) * | 2022-12-06 | 2024-06-13 | 上海美仁半导体有限公司 | Storage apparatus, error-correcting storage system, chip and vehicle |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP10271779A patent/JP2000099410A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8276043B2 (en) | 2008-03-01 | 2012-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
US8751901B2 (en) | 2008-03-01 | 2014-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory system configured to control data transfer |
US9176816B2 (en) | 2008-03-01 | 2015-11-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system configured to control data transfer |
JP2009217754A (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | Memory system |
WO2024119610A1 (en) * | 2022-12-06 | 2024-06-13 | 上海美仁半导体有限公司 | Storage apparatus, error-correcting storage system, chip and vehicle |
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