JP2000087225A - Vacuum film forming device - Google Patents

Vacuum film forming device

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JP2000087225A
JP2000087225A JP26053398A JP26053398A JP2000087225A JP 2000087225 A JP2000087225 A JP 2000087225A JP 26053398 A JP26053398 A JP 26053398A JP 26053398 A JP26053398 A JP 26053398A JP 2000087225 A JP2000087225 A JP 2000087225A
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vacuum
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Ryoichi Daito
Yoji Iwamoto
東 良 一 大
本 要 司 岩
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Dainippon Printing Co Ltd
大日本印刷株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum film forming device capable of previously estimating the state of a thin film formed on the body to be film-formed by detecting the atmosphere in a vacuum chamber. SOLUTION: A plasma beam 22 is generated toward the inside of a vacuum chamber 12 by a plasma gun 11 in a vacuum film forming device 10. A short tube part 12A is projected toward the outlet port part of the plasma gun 11, and a convergent coil 18 is provided so as to surround the short tube part 12A. A film forming material 20 in a crucible 19 is evaporated by a plasma beam 22, and, from the evaporated film forming material 20, a thin film is formed on a substrate 13. The atmosphere in the vacuum chamber 12 is detected by a mass spectrometer 55, and, based on the signal from the mass spectrometer 55, a regulating valve 57 in an oxygen feed tube 43 is controlled by a control part 58.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜材料からなる薄膜を被成膜体上に形成する真空成膜装置に関する。 The present invention relates to relates to a vacuum deposition apparatus for forming on a film-forming material a thin film made of the film forming material.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来より被成膜体上に成膜材料からなる薄膜を形成するため、被成膜体が配置された真空チャンバと、プラズマビームを生成し、このプラズマビームを真空チャンバ内に送るプラズマガンと、プラズマガンから生成されたプラズマビームを収束させる収束コイルとを備えた真空成膜装置が用いられている。 To form a thin film made of the film forming material of the Prior Art on Conventionally the deposition target object, a vacuum chamber the deposition body is arranged to generate a plasma beam, the plasma beam into the vacuum chamber a plasma gun to send, vacuum deposition apparatus and a convergence coil for converging the plasma beam generated from the plasma gun is used.

【0003】このような真空成膜装置において、プラズマガンから生成されたプラズマビームは真空チャンバ内に送られ、真空チャンバ内に設置されたるつぼ内の成膜材料に照射する。 In such a vacuum deposition apparatus, a plasma beam generated from the plasma gun is fed into the vacuum chamber, irradiating the film forming material in a crucible placed in a vacuum chamber. プラズマビームが照射した成膜材料は蒸発した後、被成膜体上に蒸着して薄膜を形成する。 After the film forming material plasma beam is irradiated evaporated, to form a thin film deposited on the deposition target object. この場合、真空チャンバ内のるつぼは電気的に浮遊状態にある。 In this case, a crucible in the vacuum chamber is in the electrically floating state.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで従来の真空成膜装置において、真空チャンバ内の雰囲気は放電ガスとしてのArガス、あるいは酸素を供給した場合はO ガスからなっているが、真空チャンバ内の雰囲気、とりわけO ガスの量は被成膜体上に形成される薄膜の状態に大いに影響を与える。 [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally in conventional vacuum deposition apparatus, but the atmosphere in the vacuum chamber is in the case of supplying the Ar gas or oxygen, as the discharge gas consists O 2 gas, a vacuum chamber atmosphere, especially the amount of O 2 gas gives greatly affect the state of the thin film formed on the deposition target object.

【0005】このような場合、真空チャンバ内の雰囲気を予め検出しておけば安定した薄膜を形成する上で都合が良い。 [0005] Such case, convenient in forming the atmosphere previously detected stable thin film if it a vacuum chamber.

【0006】本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、真空チャンバ内の雰囲気を予め検出しておくことができる真空成膜装置を提供することを目的とする。 [0006] The present invention has been made in consideration of these points, and an object thereof is to provide a vacuum deposition apparatus can be previously detected the atmosphere in the vacuum chamber.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、内部に成膜材料を収納したるつぼと、被成膜体が配置されるとともに、接地された真空チャンバと、プラズマビームを生成しこのプラズマビームを真空チャンバ内に送るプラズマガンと、プラズマガンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道および/あるいは形状を制御させてるつぼ内の成膜材料に照射させ、この成膜材料を被成膜体に蒸着させる収束コイルとを備え、真空チャンバ内の雰囲気を分析する質量分析計を設けたことを特徴とする真空成膜装置である。 Means for Solving the Problems The present invention comprises a crucible accommodating the film-forming material therein, together with the film body is disposed, and a vacuum chamber which is grounded, to generate a plasma beam of this plasma beam a plasma gun to send to the vacuum chamber, is exposed to the plasma beam generated by a plasma gun deposition material in the crucible is made to control the trajectory and / or shape by a magnetic field, depositing the film forming material to the deposition body and a converging coil, a vacuum film forming apparatus characterized in that a mass spectrometer for analyzing the atmosphere in the vacuum chamber.

【0008】本発明によれば、真空チャンバ内の雰囲気を質量分析計により予め検出しておくことにより、被成膜体上に形成される薄膜の状態を予め予測しておくことができる。 According to the present invention, by previously detected by atmosphere mass spectrometer in the vacuum chamber, it can be previously predicted state of the thin film formed on the deposition target object.

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next will be described embodiments of the present invention.

【0010】まず図2により、本発明による真空成膜装置10が組込まれたシステム全体の概略について説明する。 [0010] First with reference to FIG. 2, the vacuum deposition apparatus 10 according to the present invention will be briefly described the overall system incorporated. まずテーブル51上に設けられた基板(被成膜体) First substrate provided on the table 51 (HiNarumakutai)
13がロードロック室52内に搬送され、このロードロック室52内で加熱装置52aにより加熱されるようになっている。 13 is transferred into the load lock chamber 52, and is heated by the heating device 52a in the load lock chamber 52. この場合、ロードロック室52は、真空ポンプ53により吸引される。 In this case, the load lock chamber 52 is sucked by the vacuum pump 53.

【0011】ロードロック室52内の基板13は、次に真空成膜装置10の上方部分54に搬送され、この真空成膜装置10の上方部分54内において、搬送される基板13の下面に薄膜が形成されるようになっている。 [0011] substrate 13 in the load lock chamber 52 is then conveyed to the upper portion 54 of the vacuum deposition apparatus 10, in the upper portion 54 of the vacuum deposition apparatus 10, a thin film on the lower surface of the substrate 13 to be transported There has been so formed. なお、基板13の搬送速度は搬送速度計54aによって測定される。 The transport speed of the substrate 13 is measured by the transport speed meter 54a. また真空成膜装置10は真空チャンバ12 The vacuum deposition apparatus 10 includes a vacuum chamber 12
と、プラズマガン11とを備えている。 And, and a plasma gun 11. さらに真空チャンバ12内は真空ポンプ56によって吸引され、さらに真空チャンバ12には真空チャンバ12内の雰囲気を分析する質量分析計55が接続されている。 Further vacuum chamber 12 is sucked by the vacuum pump 56, and mass spectrometer 55 for analyzing the atmosphere in the vacuum chamber 12 is connected further to a vacuum chamber 12.

【0012】 [0012]

【0011】次に図1により真空成膜装置10について詳述する。 [0011] Next will be described in detail a vacuum deposition apparatus 10 by FIG. 真空成膜装置10は、上述のように真空ポンプ56により吸引されるとともに接地された真空チャンバ12と、真空チャンバ12に短管部12Aを介して取付けられるとともに、プラズマビーム22を生成し、このプラズマビーム22を真空チャンバ12内に供給するプラズマガン11とを備えている。 Vacuum deposition apparatus 10 includes a vacuum chamber 12 which is grounded is sucked by the vacuum pump 56 as described above, together with the attached via a short tube section 12A to the vacuum chamber 12, generates a plasma beam 22, this the plasma beam 22 and a plasma gun 11 is supplied to the vacuum chamber 12. また真空チャンバ1 The vacuum chamber 1
0の上方部分54には、ロードロック室52から搬送された基板13が配設されている。 0 of the upper portion 54 includes a substrate 13 which is transported from the load lock chamber 52 is arranged. この場合、基板13 In this case, the substrate 13
は、例えば、低アルカリガラス(コーニング社製 17 It is, for example, low-alkali glass (manufactured by Corning 17
37ガラス 550×650×0.9t)のようなガラス材からなり、液晶カラーフィルタ65上にITO膜6 37 made of glass material such as glass 550 × 650 × 0.9t), ITO film 6 on the liquid crystal color filter 65
1を形成して液晶ディスプレイ用カラーフィルタ62を作製する為に用いられる(図13(a))。 To form a 1 is used for producing a color filter 62 for liquid crystal displays (FIG. 13 (a)).

【0013】また、後述のようにフィルム13a(東レ(株)製 ルミラーS−10 厚み12μm、幅600 Further, the film 13a (Toray Co. Lumirror S-10 Thickness 12μm as described later, the width 600
mm、長さ5000m)上にSiO膜63を形成してバリアフィルム64を作してもよい(図13(b))。 mm, MAY create a barrier film 64 to form the SiO film 63 on the length 5000 m) (FIG. 13 (b)).

【0014】すなわち被成膜体として供給ローラ67a [0014] That supply roller 67a as the deposition material
から繰り出され、コーティングドラム66を経て巻取ローラ67bに巻取られる合成樹脂フィルム13aを用いてもよい(図15)。 Fed from, may be a synthetic resin film 13a to be wound on the take-up roller 67b through the coating drum 66 (Figure 15). 図15に示すように、真空チャンバ12内が仕切板65により仕切られており、仕切板6 As shown in FIG. 15, the vacuum chamber 12 is partitioned by a partition plate 65, the partition plate 6
5より上方にコーティングドラム66が設けられている。 A coating drum 66 is provided above the 5. なお、図15に示す真空成膜装置10は、基板13 The vacuum deposition apparatus 10 shown in FIG. 15, the substrate 13
の代わりにコーティングドラム66に巻付けられた合成樹脂フィルム13aを用いる点が異なるのみであり、他は図1に示す真空成膜装置と略同一である。 Coating drum 66 is the point of using the wound Tagged synthetic resin film 13a differ only in place, others are substantially identical to the vacuum film forming apparatus shown in FIG.

【0015】図15においてコーティングドラム66に例えばPETフィルムのような合成樹脂フィルム13a The synthetic resin film 13a such as PET film coated drum 66 in FIG. 15
が巻付けられ、このフィルム13aの下面にITOの薄膜61またはSiOxの薄膜63を形成することができる。 There wound, it is possible to form an ITO thin film 61 or SiOx thin film 63 on the lower surface of the film 13a. また被成膜体としてカラーフィルムを用いてもよい。 Also it may be used color film as the deposition material.

【0016】図1に示すようにプラズマガン11は、放電電源14のマイナス側に接続された環状の陰極15 The plasma gun 11 as shown in FIG. 1, an annular cathode 15 connected to the negative side of discharge power supply 14
と、放電電源14のプラス側に抵抗を介して接続された環状の第1中間電極16および第2中間電極17とを有し、陰極15側から放電ガス(Ar)が供給され、この放電ガスをプラズマ状態にして第2中間電極17から真空チャンバ12内に向けて流出させるようになっている。 When, and a first intermediate electrode 16 and second intermediate electrode 17 positive is connected via a resistor to the side annular discharge power supply 14, a discharge gas (Ar) is supplied from the cathode 15 side, the discharge gas and it is adapted to flow out toward the vacuum chamber 12 from the second intermediate electrode 17 in the plasma state.

【0017】また、真空チャンバ12と第2中間電極1 Further, the vacuum chamber 12 and the second intermediate electrode 1
7との間の短管部12Aの外側には、この短管部12A On the outside of the short tube portion 12A between 7, the short-tube portion 12A
を包囲するように収束コイル18が設けられている。 Convergence coil 18 are provided so as to surround the. この収束コイル18はプラズマビーム22を磁場により軌道および/あるいは形状を制御するものであり、このような制御としてはプラズマビーム22の収束、平らな形状にすること、およびるつぼ内に引込む等の制御が考えられる。 The convergence coil 18 is for controlling the trajectory and / or shape of the plasma beam 22 by a magnetic field, convergence of the plasma beam 22 as such control, be a flat shape, and control such as pulling into a crucible It can be considered. また真空チャンバ12内の下部には、電気的に浮遊状態にあるるつぼ19が配置されており、このるつぼ19上に薄膜の材料となる成膜材料20が収納されている。 Also in the lower part of the vacuum chamber 12 is disposed a crucible 19 in the electrically floating state, the film forming material 20 which is a thin film of material is housed on the crucible 19. さらに、るつぼ19の内部にはるつぼ用磁石21 Furthermore, the interior of the crucible 19 crucible magnet 21
が設けられている。 It is provided.

【0018】また図1に示すように、短管部12A内にプラズマガン11の出口部から絶縁管1が突設され、この絶縁管1はプラズマビーム22の周囲を取囲み、プラズマガン11から電気的に浮遊状態となっている。 [0018] As shown in FIG. 1, the insulating tube 1 from the outlet portion of the plasma gun 11 is protruded into the short tube portion 12A, the insulating tube 1 surrounds the periphery of the plasma beam 22 from the plasma gun 11 It has become an electrically floating state. また真空チャンバ12に連結された短管部12A内に、絶縁管1の外周側を取巻くとともに、放電電源14のプラス側に接続され、プラズマガン11の出口部よりも高い電位状態となる電子帰還電極2が設けられている。 Also linked short tube portion 12A to the vacuum chamber 12, together surround the outer periphery of the insulating tube 1, it is connected to the positive side of the discharge power supply 14, an electronic feedback a higher potential state than an outlet portion of the plasma gun 11 electrode 2 is provided. なお、 It should be noted that,
前記絶縁管1としては、たとえば、セラミック製短管が採用される。 As the insulating tube 1, for example, a ceramic short tube is employed.

【0019】さらにまた、真空チャンバ12の内面には、真空チャンバ12から電気的に浮遊状態となる防着板40が設けられている。 [0019] Furthermore, the inner surface of the vacuum chamber 12, a deposition preventing plate 40 made of an electrically floating state is provided from the vacuum chamber 12. この防着板40はSUS板からなり、後述するプラズマビーム2が成膜材料(IT The deposition preventing plate 40 is made of SUS plate, described later plasma beam 2 is film-forming material (IT
O)20に照射した場合に生じる反射電子流3が真空チャンバ12へ帰還して接地されることを防止するものである。 O) reflection electron flow 3 occurring when irradiated to 20 is intended to prevent is grounded returned to the vacuum chamber 12. なお、防着板40を設ける代わりに、真空チャンバ12内面に反射電子流が真空チャンバ12へ帰還することを防止するための絶縁コーティング膜(図示せず) Instead of providing a deposition preventing plate 40, (not shown) insulating coating film for preventing the reflection electron flow in the vacuum chamber 12 inner surface is fed back to the vacuum chamber 12
を設けてもよい。 The may be provided.

【0020】また真空チャンバ12内には、基板13近傍に基板13上に形成される薄膜の形成速度を測定する成膜速度計41が設けられ、また成膜速度計41の下方には真空チャンバ12内の真空度および成膜真空度を各々測定する真空計42が設けられている。 [0020] The vacuum chamber 12, the film formation rate meter 41 is provided to measure the rate of formation of the thin film formed on the substrate 13 in the vicinity of the substrate 13, also a vacuum chamber below the deposition rate meter 41 vacuum gauge 42 is provided for each measuring the degree of vacuum and deposition vacuum in 12. さらに、真空チャンバ12内のるつぼ19近傍には、調整弁57を有する酸素供給管43が設けられている。 Further, the crucible 19 near the vacuum chamber 12, the oxygen supply pipe 43 having a regulating valve 57 is provided.

【0021】調整弁57は制御部58に接続されており、質量分析計55からの信号に基づいて制御部58により調整弁57を制御するようになっている。 The control valve 57 is connected to the control unit 58, and controls the regulating valve 57 by the control unit 58 based on a signal from the mass spectrometer 55.

【0022】さらに放電電源14には、プラズマガン1 [0022] Furthermore, the discharge power supply 14, plasma gun 1
1の電流値および電圧値を各々測定するプラズマガン電流計45およびプラズマガン電圧計46が接続され、また電子帰還電極2には電子帰還電極電流を測定する電子帰還電極電流計47が接続されている。 Plasma gun ammeter 45 and the plasma gun voltmeter 46 respectively measure the first current value and a voltage value is connected also to the electron return electrode 2 is connected to electron return electrode ammeter 47 for measuring the electron return electrode current there. さらにまた真空チャンバ12とアース60との間には、真空チャンバ1 Furthermore between the vacuum chamber 12 and ground 60 also, the vacuum chamber 1
2からの接地電流を測定する接地電流計48が設けられている。 Ground current meter 48 for measuring the ground current from the 2 is provided.

【0023】なお、上述したプラズマガン電流計45、 [0023] It should be noted that the plasma gun ammeter 45 as described above,
プラズマガン電圧計46、電子帰還電極電流計47、接地電流計48、成膜速度計41、真空計42および搬送速度計54aからの測定値は、測定値収集ユニット44 Plasma gun voltmeter 46, the electron return electrode ammeter 47, the measurements from the ground ammeter 48, the film formation rate meter 41, a vacuum gauge 42 and the conveyance speed meter 54a, the measurement value acquisition unit 44
内に収集され、この測定値収集ユニット44において、 Are collected within, in this measurement value collection unit 44,
上述した測定値を一括して収納し、成膜工程を適切に管理することができるようになっている。 Accommodated collectively measurements described above, so that it is possible to appropriately manage the film forming process.

【0024】次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。 Next a description of the operation of the embodiment having such a configuration. まず成膜材料20がITOの場合について述べる。 First film-forming material 20 is described for the case of ITO. るつぼ19内にITOのペレットからなる成膜材料20が収納される。 Film forming material 20 of ITO pellets are housed in the crucible 19. またロードロック室52内で加熱装置52aにより例えば190°まで加熱された基板13が真空チャンバ12内に導入される。 The substrate 13, which is heated to e.g. 190 ° by a heating device 52a in the load lock chamber 52 is introduced into the vacuum chamber 12.
次に放電電源14によってプラズマガン11が作動して、プラズマガン11の第2中間電極17からITOからなる成膜材料20に向けてプラズマビーム22が形成され、プラズマビーム22が成膜材料20に照射される。 Then by the discharge power supply 14 to the plasma gun 11 is actuated, the plasma beam 22 is formed from the second intermediate electrode 17 of the plasma gun 11 toward the deposition material 20 made of ITO, the plasma beam 22 to the film forming material 20 It is irradiated. この場合、るつぼ19内の成膜材料20が蒸発し、 In this case, the deposition material 20 in the crucible 19 is evaporated,
蒸発した成膜材料20はイオン化して基板13の下面に蒸着し、基板13の下面にITOの薄膜61(図13 The evaporated deposition material 20 is ionized and deposited on the lower surface of the substrate 13, ITO thin film 61 on the lower surface of the substrate 13 (FIG. 13
(a))が形成される。 (A)) is formed. この間、プラズマビーム22に対して、収束コイル18はプラズマビーム22の横断面を収縮させる作用を行ない、またるつぼ用磁石21はプラズマビーム22の焦点合わせおよびプラズマビーム2 During this time, with respect to the plasma beam 22, converging coil 18 plasma beam performs the action of contracting the cross section of 22, also the crucible magnet 21 is focused and the plasma beam 2 of the plasma beam 22
2を曲げさせる作用を行なう。 Perform an action which causes bend 2. また、プラズマビーム2 In addition, the plasma beam 2
2がるつぼ19内の成膜材料20に照射され、成膜材料20が蒸発する際、同時に酸素供給管43から蒸発する成膜材料(ITO)20に対して酸素を供給し、蒸発するITOの酸素濃度を高める。 2 is irradiated onto the deposition material 20 in the crucible 19, when the film-forming material 20 is evaporated, supplying oxygen against the film-forming material (ITO) 20 that evaporates from the oxygen supply pipe 43 at the same time, the ITO to be evaporated increase the oxygen concentration.

【0025】このようにしてカラーフィルタ64上にI [0025] I on the color filter 64 in this way
TOの薄膜61を形成することにより、液晶ディスプレイ用カラーフィルタ62を作製することができる(図1 By forming the TO of the thin film 61, it is possible to prepare a liquid crystal display color filter 62 (FIG. 1
3(a))。 3 (a)). ここでITOについて詳述する。 Here it will be described in detail ITO.

【0026】ITO(酸化インジウムスズ)は、In 2 [0026] ITO (indium tin oxide) is, an In 2
3の粉末(数μm程度)と、SnO 2の粉末(数μm And O 3 powder (about several [mu] m), of SnO 2 powder (several [mu] m
程度)とを混合して焼結することにより作られる。 The extent) and by mixing produced by sintering. またITOの薄膜61は85%以上の可視光透過率を有する透明導電性薄膜となっている。 The thin film 61 of ITO has a transparent conductive thin film having a visible light transmittance of 85% or more. ITOの薄膜61は、このため帯電防止特性に優れ、電極あるいは電源波シールドとして機能する。 Thin film 61 of ITO is Thus excellent antistatic properties, and functions as an electrode or the power wave shield.

【0027】なお、ITOの薄膜61はガラス基板13 [0027] Incidentally, the thin film 61 of ITO glass substrate 13
上で抵抗率1.0〜1.4×10 -4 Ω・cmの値をとることができ、最適値として抵抗率1.05×10 -4 Ω・cm It can have a value of resistivity of 1.0~1.4 × 10 -4 Ω · cm above resistivity 1.05 × the optimum value 10 -4 Ω · cm
の値をとることができる。 You can take a value. またITOの薄膜61は後述する合成樹脂フィルム13a(図13(b))上において抵抗率3×10 -4 Ω・cmの値をとることができる。 The thin film 61 of ITO can have a value which will be described later synthetic resin film 13a (FIG. 13 (b)) -4 Ω · resistivity 3 × 10 on cm. これに対して通常のスパッタリングにより基板上に形成されたITO薄膜は、2.0×10 -4 Ω・mの抵抗率を有し、かつ基板を300°以上に加熱することが要求される。 This ITO thin film formed on the substrate by conventional sputtering respect has a resistivity of 2.0 × 10 -4 Ω · m, and it is required to heat the substrate to 300 ° or more.

【0028】次に図14(a)により、るつぼ19から蒸発するITOに対して酸素供給管43から酸素を供給した場合のITOの薄膜61の特性について説明する。 [0028] By now FIG. 14 (a), the described characteristics of the thin film 61 of ITO in the case of supplying oxygen from an oxygen supply pipe 43 with respect to ITO evaporated from the crucible 19.

【0029】図14(a)に示すように、酸素流量を増加させてITOの酸素をリッチにしていくと、ITOの薄膜61の抵抗率(Ω・cm)は徐々に低下した後で上昇し(図14(a)の○印)、可視光透過率(%)は徐々に上昇して平坦化する(図14(a)の□印)。 As shown in FIG. 14 (a), when increasing the oxygen flow rate going to the oxygen of the ITO rich, the resistivity of the ITO thin film 61 (Ω · cm) rises gradually after reduction (○ mark in FIG. 14 (a)), visible light transmittance (%) is gradually flattened rising (□ mark in FIG. 14 (a)). 図14 Figure 14
(a)の結果から明らかなように、酸素供給管43からの酸素流量を変化させることにより、所望の抵抗率(Ω As is clear from the results of (a), by changing the oxygen flow from the oxygen supply pipe 43, the desired resistivity (Omega
・cm)または可視光透過率(%)を有するITOの薄膜61を得ることができる。 · Cm) or visible light transmittance (%) can be obtained a thin film 61 of ITO having a.

【0030】次に酸素供給管43からの酸素流量の調整について説明する。 [0030] Next, a description will be given of adjustment of the oxygen flow from the oxygen supply pipe 43. 真空成膜装置10の運転中、質量分析計55によって真空チャンバ12内の雰囲気が分析され、真空チャンバ12内の雰囲気、とりわけ放電ガスとしてのArガス、酸素供給管43からのO ガス、真空チャンバ12内へのH OおよびN 等のリークガス、 During operation of the vacuum deposition apparatus 10, the atmosphere in the vacuum chamber 12 is analyzed by the mass spectrometer 55, the atmosphere in the vacuum chamber 12, especially Ar gas as a discharge gas, O 2 gas from the oxygen supply pipe 43, the vacuum leak gas 2 such as H 2 O and N into the chamber 12,
壁面からの放出ガスの量が求められる。 The amount of gas released from the wall surface is obtained.

【0031】質量分析計55からの信号が制御部58に送られ、この制御部58により調整弁57を制御することにより、真空チャンバ12内の酸素ガス量を所望値に定めることができる。 The signal from the mass spectrometer 55 is sent to the control unit 58, by controlling the regulating valve 57 by the control unit 58, it is possible to determine the amount of oxygen gas in the vacuum chamber 12 to a desired value.

【0032】ところで上述のように、図14(a)により所望の酸素流量が予め定まっている場合、この図14 [0032] Incidentally, as described above, if the desired oxygen flow rate with 14 (a) is determined in advance, the 14
(a)に示す酸素流量と質量分析計55からの信号の双方を考慮して、制御部58により調整弁57を適切に制御する。 In view of both the signal from the oxygen flow rate and the mass spectrometer 55 shown in (a), to properly control the adjustment valve 57 by the control unit 58. このことにより所望性状のITO薄膜61を得ることができる。 It is possible to obtain an ITO film 61 of the desired properties by this.

【0033】ところでプラズマビーム22がるつぼ19 [0033] By the way plasma beam 22 is crucible 19
内の成膜材料(ITO)20に照射されると、プラズマビーム22が成膜材料20から反射して反射電子流3が生じる。 When irradiated in the film-forming material (ITO) 20 of the inner, the plasma beam 22 is generated reflection electron flow 3 is reflected from the film forming material 20. この場合、真空チャンバ12内面には真空チャンバ12から電気的に浮遊する防着板40が設けられているので、防着板40により反射電子流3の真空チャンバ12側への帰還が妨げられる。 In this case, the vacuum chamber 12 interior surface since deposition preventing plate 40 to be electrically floating from the vacuum chamber 12 is provided, the deposition preventing plate 40 is returned to the vacuum chamber 12 side of the reflection electron flow 3 is prevented. このため大部分の反射電子流3をプラズマビーム22の外側を通して電子帰還電極2側へ確実に帰還させることができる。 Therefore it is possible to reliably fed back to the most electron return electrode 2 side reflection electron flow 3 through the outer plasma beam 22.

【0034】次に反射電子流3の流れについてさらに詳述する。 [0034] Next will be described in more detail the flow of reflection electron flow 3. 図11に示すように、電子帰還電極2はるつぼ19から離れた位置に設けられているため、るつぼ19 As shown in FIG. 11, since the electron return electrode 2 is provided at a position away from the crucible 19, the crucible 19
上から蒸発した成膜材料20が電子帰還電極2に付着しにくくなっている。 Deposition material 20 evaporated from above is less likely to adhere to the electron return electrode 2. また、プラズマガン11から出たプラズマビーム22と電子帰還電極2との間に両者を遮る絶縁管1が設けられているので、このプラズマビーム2 Further, since the insulating tube 1 to block both is provided between the plasma beam 22 and the electron return electrode 2 exiting from the plasma gun 11, the plasma beam 2
2が電子帰還電極2に入射して、陰極15と電子帰還電極2との間で異常放電が発生するのを防止するようになっている。 2 is incident on the electron return electrode 2, so that the abnormal discharge between the cathode 15 and the electron return electrode 2 can be prevented. このため、反射電子流3はプラズマビーム2 Therefore, the reflected electron flow 3 plasma beam 2
2の外側の、プラズマビーム22とは分離した経路に沿って電子帰還電極2まで延びて形成され、プラズマビーム22が連続的かつ安定して持続される。 The second outer, the plasma beam 22 along a separate path is formed to extend up to the electron return electrode 2, the plasma beam 22 is continued continuously and stably. この持続時間は絶縁管1および電子帰還電極2を設けない場合に比して倍以上となり、飛躍的に向上することが確認されている。 The duration becomes more times than the case without the insulating tube 1 and the electron return electrode 2 has been confirmed to be remarkably improved. また、絶縁管1を設けて、異常放電の発生を防止して、プラズマビーム22の電子帰還電極2への流れ込みによる電力ロスを減少させるようにした結果、プラズマガン11から照射するプラズマビーム22が同一の場合、約20%だけ成膜速度(材料蒸発量)が向上した。 Further, by providing the insulating tube 1, to prevent the occurrence of abnormal discharge, results so as to reduce power loss due to inflow of the electron return electrode 2 of the plasma beam 22, the plasma beam 22 irradiated from the plasma gun 11 If the same has improved by about 20% film forming rate (material evaporation amount).
さらに、電子帰還電極2を収束コイル18に近い位置に設けることにより装置全体が、小型化される。 Furthermore, the entire apparatus by providing the electron return electrode 2 at a position near the converging coil 18 is miniaturized. 次に真空成膜装置10を用いたSiOx膜形成方法について説明する。 It will now be described SiOx film forming method using the vacuum deposition apparatus 10. SiOx膜形成方法は、るつぼ19内にSiOx SiOx film forming method, SiOx in the crucible 19
(酸化珪素)のペレットからなる成膜材料を収納するものであり、上述したITO膜形成方法と略同一の方法によりフィルム13a上にSiOxの薄膜63を形成することによってバリアフィルム64を作製することができる(図13(b))。 It is intended for accommodating the film-forming material comprising a pellet (silicon oxide), making a barrier film 64 by forming a thin film 63 of SiOx on the film 13a by ITO film forming method substantially the same methods described above it is (FIG. 13 (b)). ここでSiOxの薄膜63について詳述する。 Here will be described the thin film 63 of SiOx.

【0035】SiOxの薄膜63は、蒸発源としてSi The thin film 63 of SiOx is, Si as an evaporation source
Ox(0≦x≦2)の粉末(3〜5mmφ)を用いて成膜されたSiOx(1.5≦x≦2)を主体とする薄膜である。 Ox is a thin film mainly composed of the formed SiOx (1.5 ≦ x ≦ 2) using powder (3~5mmφ) of (0 ≦ x ≦ 2). このSiOxの薄膜63の酸素量が上記範囲を下回ると、酸素欠乏による透過率の低下が発生する(図14(b))。 When the amount of oxygen in the thin film 63 of the SiOx is lower than the above range, decrease in transmittance due to oxygen deficiency occurs (FIG. 14 (b)). なお、SiOxの粉末としては、焼結された石英の粉末が考えられ、SiOxの薄膜63は、透明性および酸素、水蒸気に対する高いガリバリア性を有する。 As the powder SiOx, believed powder sintered quartz, a thin film 63 of SiOx has high Garibaria against transparency and oxygen, water vapor.

【0036】またSiOxの薄膜63は、SiO 2の薄膜63の主たる構成要素である珪素および酸素の他に、 Further SiOx thin film 63, in addition to the principal component is silicon and oxygen of the SiO 2 thin film 63,
アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、カリウム、 Aluminum, magnesium, calcium, potassium,
ナトリウム、チタン、ジルコニウム、イットリウム等の金属や、炭素、ホウ素、窒素、フッ素等の非金属元素が含まれていても構わない。 Sodium, titanium, zirconium, and metal yttrium, etc., may carbon, boron, nitrogen, be contained non-metallic element such as fluorine.

【0037】このようなSiOxの薄膜63は、上述のように透明性を有し、波長633nmにおける屈折率が1.48〜1.51の範囲内にあるようなSiOxの薄膜からなっている。 The thin film 63 of such a SiOx has a transparency as described above, the refractive index at a wavelength of 633nm is made of SiOx thin film, such as in the range of 1.48 to 1.51. 上記の屈折率とは、光学的測定、すなわち、エリプソメトリー法、あるいは、分光特性測定によって得られるものである。 The above refractive index, optical measurement, i.e., ellipsometry, or those obtained by the spectroscopic characteristic measurement. また、屈折率は測定光の波長による依存性をもつので、本発明でいう屈折率は、 Further, the refractive index has a dependency on the wavelength of the measuring light, the refractive index in the present invention,
測定光の波長が633nmであるときの屈折率をいう。 Wavelength of the measuring light refers to a refractive index when a 633 nm.

【0038】ここで、上記のような可視光領域の屈折率は、対象としている媒体中の光散乱能よって決定される。 [0038] Here, the refractive index in the visible light region as described above, is determined by the light scattering ability of the medium of interest. 光散乱は、電子によって生じるため、ある原子の光散乱能は、その原子に帰属する電子の数や状態によって決まり、原子の種類によってほぼ一定の値になる。 Light scattering, because caused by electrons, the light scattering power of an atom is determined by the electron number and state attributable to the atom, substantially constant value depending on the type of atoms. したがって、媒体の屈折率は、媒体中に含まれている原子の一原子当たりの光散乱能と、光散乱を生じさせる原子を単位体積当たりに含まれる量に比例する。 Accordingly, the refractive index of the medium is proportional to the amount contained and the light scattering power per atom of atoms contained in the medium, the atomic causing light scattering per unit volume. すなわち、単位体積当たりに含まれる原子の数が一定であれば、その原子の構成比率(媒体の化学組成)によって屈折率が決まる。 That is, if the number of atoms contained per unit volume is constant, the refractive index is determined by the component ratio of the atoms (the chemical composition of the medium). 例えば、珪素と酸素の場合、珪素の方が光散乱能が高いため、珪素が多く、酸素が少ない場合に屈折率が高くなる。 For example, in the case of silicon and oxygen, for better silicon has a higher light scattering ability, silicon is large, the refractive index increases when the oxygen is small. また、媒体の化学組成が一定であれば、単位体積当たり含まれる原子の数が多いほど、すなわち、原子間の距離が短く緻密な状態を形成しているほど、屈折率は高くなる。 Further, if the constant chemical composition of the medium, the greater the number of atoms contained per unit volume is large, i.e., as the distance between atoms form a short dense state, the refractive index is high.

【0039】図14(b)に示すようにSiOを材料に用いた場合、酸素流量が高くなって酸素濃度が上昇すると、可視透過率は上昇する。 In the case of using the material of SiO, as shown in FIG. 14 (b), the oxygen flow rate becomes oxygen concentration is raised high, the visible transmittance is increased. 一方、図14(b)に示すように酸素流量が減少して酸素濃度が低下すると、化学組成に変化が生じ、酸素に対する珪素の比率が増大して珪素の酸化度が減少することになり、このような珪素の酸化度の減少は、SiOxの薄膜63の可視光に対する吸収係数の上昇をまねき、SiOxの薄膜63に着色を生じるので好ましくない。 On the other hand, when the oxygen concentration of oxygen flow rate is decreased as shown in FIG. 14 (b) decreases, the change in chemical composition occurs, oxidation of the silicon ratio of silicon to oxygen is increased is to decrease, such decrease in the degree of oxidation of silicon is unfavorable leads to increase of the absorption coefficient for visible light of SiOx thin film 63, since they produce colored thin film 63 of SiOx.

【0040】SiOxの薄膜63の膜厚としては、例えば、50〜3000A程度、好ましくは、100〜10 [0040] As the thickness of the thin film 63 of SiOx, for example, about 50~3000A, preferably, 100 to 10
00A程度の範囲内で任意に選択して設定することができる。 Optionally it is possible to select and set within the range of about 00A.

【0041】この間、図14(b)から求められた所望酸素流量と、質量分析計55からの信号の双方を考慮して、制御部58により調整弁57を適切に制御する。 [0041] During this period, the desired oxygen flow rate obtained from FIG. 14 (b), taking into account both the signal from the mass spectrometer 55, to appropriately control the adjustment valve 57 by the control unit 58. このことにより所望性状のSiOx薄膜63を得ることができる。 It can be obtained SiOx thin film 63 of the desired properties by this.

【0042】次に図3および図4により、真空成膜装置10の変形例について説明する。 [0042] Next the 3 and 4, a description will be given of a variation of the vacuum deposition apparatus 10. 図3および図4において、図1および図2に示す装置と同一の部分については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。 3 and 4, the same parts as the apparatus shown in FIGS. 1 and 2, and detailed description thereof will be omitted given the same reference numerals.

【0043】図3および図4に示すように、真空チャンバ12には一対のプラズマガン11が連結され、各プラズマガン11から発生するプラズマビーム22の横断面を収縮させるため、各プラズマビーム22に対して同極性同志(N極同志、或いはS極同志)のシート状磁石4,4が電子帰還電極2の前方に設けられている。 As shown in FIGS. 3 and 4, since the vacuum chamber 12 a pair of plasma gun 11 is connected, to contract the cross-section of the plasma beam 22 generated from the plasma gun 11, each plasma beam 22 are the same polarity each other (N-pole comrade, or S pole each other) is sheet-like magnets 4, 4 provided in front of the electron return electrode 2 against.

【0044】このようにシート状磁石4,4を設けることにより、成膜材料20に入射するプラズマビーム22 The plasma beam 22 incident By providing the sheet magnets 4, 4, the film-forming material 20
をシート状にし、成膜材料20に対する広巾の蒸発源を形成することができる。 Was into sheets, it is possible to form the evaporation source Hirohaba for the film-forming material 20. このため広巾基板13に対して適切に薄膜を形成することができる。 Therefore it is possible to properly form a thin film with respect Hirohaba substrate 13.

【0045】図5〜図11は、真空成膜装置10の他の変形例を示すプラズマガン11および真空チャンバ12 [0045] FIGS. 5 11, the plasma gun 11 and the vacuum chamber 12 showing another modification of the vacuum deposition apparatus 10
の短管部12Aの図である。 It is a view of the short tube portion 12A of the. 図5〜図11において、図1および図2に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明を省略する。 In FIGS. 5 to 11, a detailed description thereof is omitted the same reference numeral is applied to form the same parts as those of the first embodiment shown in FIGS.

【0046】図5および図6に示す実施の形態は、電子帰還電極2にその表面に付着する成膜材料20を払拭して、除去する旋回式ワイパ5を設け、電子帰還電極2の表面を反射電子帰還のために良好な状態を長期間保てるようにしたものである。 The embodiment shown in FIGS. 5 and 6, to dispel the deposition material 20 that adheres to the surface of the electron return electrode 2, the provided swivel wiper 5 for removing the surface of the electron return electrode 2 in good condition for a reflected electron return is obtained as maintained long term.

【0047】図7に示す実施の形態は、電子帰還電極2 The embodiment shown in FIG. 7, electron return electrode 2
のプラズマガン11とは反対の側の面6を凹凸形状に形成して、反射電子帰還のための表面積を増大させたものである。 Of the plasma gun 11 to form a surface 6 facing away from the uneven shape is obtained by increasing the surface area for the reflection electron return.

【0048】図8に示す実施の形態は、真空チャンバ1 The embodiment shown in Figure 8, the vacuum chamber 1
2の短管部12Aの真空チャンバ12内側開口部に、バッフルプレート7を設けたものである。 The vacuum chamber 12 inside the opening of the short-tube portion 12A of the 2, is provided with a baffle plate 7. このバッフルプレート7は例えば格子状に、多数の貫通部7aを全面にわたって万遍なく散在させ、かつ、中央部にプラズマビーム22の通過口7bを設けたものであり、電子帰還電極2の表面に達するガス状態の成膜材料20の量を減少させるようにしたものである。 The baffle plate 7 is, for example, a lattice shape, a large number of through portions 7a interspersed evenly over the entire surface, and having thereon a passage port 7b of the plasma beam 22 in the central portion, on the surface of the electron return electrode 2 reached is obtained so as to reduce the amount of film forming material 20 of the gas state. なお、このバッフルプレート7は、前述したワイパ5とともに、或いは凹凸の面6を有する真空成膜装置10にも適用できる。 Note that this baffle plate 7 can also be applied to the vacuum deposition apparatus 10 having with wiper 5 described above, or the surface 6 of the irregularities.

【0049】これら図5〜図8に示す構成により、より一層、プラズマビームを連続安定して形成することができるようになる。 [0049] The configuration shown in these figures 5 to 8, further, it is possible to form a plasma beam stably continuously.

【0050】なお、真空成形装置10は、電子帰還電極2あるいは絶縁管1の配設位置と断面形状について、前述した各実施形態に示すものに限定するものではない。 [0050] The vacuum forming apparatus 10, for arrangement position and cross-sectional shape of the electron return electrode 2 or the insulating tube 1 is not limited to those shown in the embodiments described above.
これら電子帰還電極2あるいは絶縁管1の配置位置については、プラズマビーム22を取り巻くとともに、短管部12A内であればよく、例えば、図9に示すように、 These positions of the electron return electrode 2 or the insulating tube 1, together with the surrounding plasma beam 22, may be within the short tube portion 12A, for example, as shown in FIG. 9,
電子帰還電極2および絶縁管1を短管部12A内の真空チャンバ12内側に片寄らせて配置してもよい。 The electron return electrode 2 and the insulating tube 1 may be disposed in biasing the vacuum chamber 12 inside the short tube portion 12A. また断面形状についても、この図9に示す例では、電子帰還電極2の断面形状を矩形とし、絶縁管1をプラズマガン1 Regarding also the cross-sectional shape, in the example shown in FIG. 9, the cross-sectional shape electron return electrode 2 and a rectangular, plasma gun 1 an insulating tube 1
1側にフランジを有する筒体形状とするのが好ましい。 Preferably a tubular member shape having a flange on one side.

【0051】このような構成により、さらに一層反射電子を効率よく捕捉できるようになる。 [0051] With such a configuration, further it becomes possible to capture more backscattered electrons efficiently.

【0052】図10は、電子帰還電極2内に水冷用ジャケット23を形成し、この水冷用ジャケット23の入口部に冷却水流入管24を接続するとともに、その出口部に冷却水流出管25を接続して、電子帰還電極2を水冷構造としたものである。 [0052] Figure 10 is a water cooling jacket 23 is formed on the electron return electrode 2, with connecting cooling water inlet pipe 24 to the inlet of the water cooling jacket 23, connected to the cooling water outlet pipe 25 to the outlet section to is the electron return electrode 2 that a water-cooling structure.

【0053】また、図11は、図8に示すバッフルプレート7内に水冷用ジャケット26を形成し、この水冷用ジャケット26の入口部に冷却水流入管27を接続するとともに、その出口部に冷却水流出管28を接続して、 [0053] FIG. 11 is a water cooling jacket 26 is formed in the baffle plate 7 shown in FIG. 8, with connecting cooling water inlet pipe 27 to the inlet portion of the water-cooled jacket 26, the cooling water to the outlet portion connect the outlet pipe 28,
バッフルプレート7を水冷構造としたものである。 A baffle plate 7 is obtained by a water-cooled structure.

【0054】図10および図11において、電子帰還電極2およびバッフルプレート7のそれぞれの温度上昇を抑制することができ、投入可能放電電力を増大させ、成膜速度を向上させ得るようになっている。 [0054] In FIGS. 10 and 11, each of the temperature rise of the electron return electrode 2 and the baffle plate 7 can be suppressed, increase turned dischargeable power and so on can improve the deposition rate .

【0055】なお、前述した各実施形態において、絶縁管1はプラズマガン11に対して電気的に浮遊状態に保たれていれば、その材料は、導電性物質か否かは問わない。 [0055] In each embodiment described above, if the insulating tube 1 if kept in an electrically floating state with respect to the plasma gun 11, the material does not matter whether the conductive material. 次に図12により真空成形装置の他の変形例について説明する。 It will now be described another modification of the vacuum forming apparatus by FIG. 図12に示す実施の形態は、電子帰還電極2の構成が異なるのみであり、他は図1および図2に示す実施の形態と同一である。 Embodiment shown in FIG. 12 is the configuration of the electronic return electrode 2 are different only the other is the same as the embodiment shown in FIGS.

【0056】図12に示すように、電子帰還電極2は内部にコイル(又は永久磁石)2aを有し、プラズマガン11から発生するプラズマビーム22を電子帰還電極2 [0056] As shown in FIG. 12, electron return electrode 2 which incorporates a coil (or permanent magnets) 2a, electron return electrode 2 plasma beam 22 generated from the plasma gun 11
に接触することなく通過させるようになっている。 And it is adapted to pass without contacting the. また電子帰還電極2は、内部にヒータ2bを有し、電子帰還電極2の表面に付着する成膜材料20を加熱除去するようになっている。 The electron return electrode 2 has a heater 2b therein, so as to heat removing deposition material 20 adhering to the surface of the electron return electrode 2. なお、電子帰還電極2が反射電子流3 The electronic return electrode 2 is reflected electron flow 3
の帰還によって加熱され、一定温度が保持される場合はヒータ2bを設ける必要はない。 Is heated by the feedback, there is no need to provide a heater 2b if constant temperature is maintained. さらにまた図12に示すように、電子帰還電極2のコイル(又は永久磁石)2 Furthermore, as shown in FIG. 12, the coils (or permanent magnets) electron return electrode 2 2
aの外側には、コイル(又は永久磁石)2aを保護するため、水冷ジャケット2cおよび真空断熱層2dが設けられている。 On the outside of a, for protecting the coil (or permanent magnets) 2a, a water-cooled jacket 2c and the vacuum heat insulating layer 2d is provided.

【0057】次に図12において、電子帰還電極2の表面に付着する成膜材料20を加熱除去する作用について説明する。 [0057] Then in FIG. 12, a description will be given of the operation to heat removing deposition material 20 adhering to the surface of the electron return electrode 2. 電子帰還電極2が加熱されると、表面に付着する成膜材料20が蒸発して除去される。 When the electron return electrode 2 is heated, the deposition material 20 adhering to the surface is removed by evaporation. 但し電子帰還電極2は一般に無酸化銅からなっているが、成膜材料2 However although the electron return electrode 2 are made of generally no copper oxide film forming material 2
0がMgOの場合融点が1300℃以上となるため、無酸化銅を用いることはできず、この場合は電子帰還電極2として高融点金属のMo又はWを用いる。 0 because is the melting point when the MgO is 1300 ° C. or higher, not can be used free copper oxide, in this case using a Mo or W refractory metal as the electron return electrode 2.

【0058】また電子帰還電極2を付着した成膜材料2 [0058] The film forming material 2 adhered to electron return electrode 2
0が蒸発するまで加熱する場合、電子帰還電極2内のコイル(又は永久磁石)2aの性能が低下するが、上述のようにコイル(又は永久磁石)2aの外側に水冷用ジャケット2cおよび真空断熱層2dを設けることにより、 If 0 is heated to evaporate, but the performance of the coil (or permanent magnets) 2a of the electron return electrode in 2 drops, water cooling jacket 2c and vacuum insulation on the outside of the coil (or permanent magnet) 2a as described above by providing a layer 2d,
コイル(又は永久磁石)2aの性能低下を防止することができる。 It is possible to prevent performance degradation of the coil (or permanent magnet) 2a.

【0059】 [0059]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、真空チャンバ内の雰囲気を質量分析計により予め検出しておくことにより、被成膜体上に形成される薄膜の状態を予め予測しておくことができる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, by previously detected by atmosphere mass spectrometer in the vacuum chamber, and predicting the state of the thin film formed on the deposition target object it can be placed.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明によるITO膜形成方法およびSiOx [1] This ITO film forming method and SiOx by the inventor
膜形成方法を行なう真空成膜装置を示す図。 It shows a vacuum deposition apparatus for performing film formation method.

【図2】真空成膜装置が組込まれたシステム全体を示す図。 Figure 2 illustrates the overall system vacuum deposition apparatus is incorporated.

【図3】真空成膜装置の変形例を示す図である。 3 is a diagram showing a modification of the vacuum deposition apparatus.

【図4】図3に示す真空成膜装置におけるシート状磁石の前後のプラズマビームの状態を示す図である。 It is a diagram showing a state before and after the plasma beam of sheet magnets in the vacuum film forming apparatus shown in FIG. 3; FIG.

【図5】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガン、および真空チャンバの短管部の図である。 5 is a diagram of a short tube of the plasma gun, and a vacuum chamber showing another modification of the vacuum deposition apparatus.

【図6】図5に示す電子帰還電極を前方側から見た図である。 6 is a view of the electron return electrode from the front side shown in FIG.

【図7】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガン、および真空チャンバの短管部の図である。 7 is a view of the short tube of the plasma gun, and a vacuum chamber showing another modification of the vacuum deposition apparatus.

【図8】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガン、および真空チャンバの短管部の図である。 8 is a view of the short tube of the plasma gun, and a vacuum chamber showing another modification of the vacuum deposition apparatus.

【図9】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガン、および真空チャンバの短管部の図である。 9 is a diagram of a short tube of the plasma gun, and a vacuum chamber showing another modification of the vacuum deposition apparatus.

【図10】真空成膜装置の電子帰還電極を示す図である。 10 is a diagram showing an electron return electrode of a vacuum deposition apparatus.

【図11】真空成膜装置のバッフルプレートを示す図である。 11 is a diagram showing a baffle plate of a vacuum deposition apparatus.

【図12】真空成膜装置の他の変形例を示す図である。 12 is a diagram showing another modification of the vacuum deposition apparatus.

【図13】PDPパネルを示す図である。 13 is a diagram showing a PDP panel.

【図14】酸素流量に対するITO膜とSiOx膜の特性を示す図。 Figure 14 is a graph showing characteristics of the ITO film and the SiOx film to oxygen flow rate.

【図15】真空成膜装置の他の変形例を示す図。 15 is a diagram showing another modification of the vacuum deposition apparatus.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 絶縁管 2 電子帰還電極 2a コイル又は永久磁石 2b ヒータ 3 反射電子流 4 シート状磁石 11 プラズマガン 12 真空チャンバ 12A 短管部 13 基板 13a 合成樹脂フィルム 14 放電電源 15 陰極 16 第1中間電極 17 第2中間電極 18 収束コイル 19 るつぼ 20 成膜材料 21 るつぼ用磁石 22 プラズマビーム 40 防着板 41 成膜速度計 42 真空計 43 酸素供給管 44 測定値収集ユニット 45 プラズマガン電流計 46 プラズマガン電圧計 47 電子帰還電極電流計 48 接地電流計 55 質量分析計 56 制御部 57 調整弁 61 ITOの薄膜 62 液晶ディスプレイ用カラーフィルタ 63 SiOxの薄膜 64 バリアフイルム 65 カラーフィルター 66 コーティングドラム 1 the insulating tube 2 electron return electrode 2a coils or permanent magnets 2b heater 3 reflected electron flow 4 sheet magnets 11 plasma gun 12 vacuum chamber 12A the short tube portion 13 substrate 13a synthetic resin film 14 discharge power supply 15 the cathode 16 first intermediate electrode 17 second 2 intermediate electrode 18 converges the coil 19 the crucible 20 film forming material 21 crucible magnet 22 plasma beam 40 preventing plate 41 deposition rate meter 42 gauge 43 oxygen supply pipe 44 measured value collection unit 45 plasma gun ammeter 46 plasma gun voltmeter 47 electron return electrode ammeter 48 ground ammeter 55 mass spectrometer 56 thin film 64 barrier film 65 color filter 66 a coating drum of the thin film 62 color filter 63 SiOx for liquid crystal display of the control unit 57 adjusts valve 61 ITO

フロントページの続き Fターム(参考) 4K029 AA09 AA11 AA24 AA25 BA46 BA50 BC07 BC09 CA04 DD00 DD05 EA04 EA05 4M104 AA10 BB36 CC01 DD35 5F045 AA08 AB32 AB40 AC11 AF07 CA15 DP22 EB08 EE12 EH04 EH16 EH19 EJ05 EJ09 GB06 GB07 5F058 BA20 BB06 BB07 BC02 BC03 BF07 BF18 BF29 BG01 BG02 BG10 5F103 AA10 BB02 BB14 BB44 BB49 BB51 BB60 DD27 DD30 HH04 LL13 NN10 Front page of the continued F-term (reference) 4K029 AA09 AA11 AA24 AA25 BA46 BA50 BC07 BC09 CA04 DD00 DD05 EA04 EA05 4M104 AA10 BB36 CC01 DD35 5F045 AA08 AB32 AB40 AC11 AF07 CA15 DP22 EB08 EE12 EH04 EH16 EH19 EJ05 EJ09 GB06 GB07 5F058 BA20 BB06 BB07 BC02 BC03 BF07 BF18 BF29 BG01 BG02 BG10 5F103 AA10 BB02 BB14 BB44 BB49 BB51 BB60 DD27 DD30 HH04 LL13 NN10

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】内部に成膜材料を収納したるつぼと、被成膜体が配置されるとともに、接地された真空チャンバと、 プラズマビームを生成しこのプラズマビームを真空チャンバ内に送るプラズマガンと、 プラズマガンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道および/あるいは形状を制御させてるつぼ内の成膜材料に照射させ、この成膜材料を被成膜体に蒸着させる収束コイルとを備え、 真空チャンバ内の雰囲気を分析する質量分析計を設けたことを特徴とする真空成膜装置。 And 1. A crucible accommodating the film-forming material therein, together with the film body is disposed, and a vacuum chamber which is grounded, a plasma gun for generating a plasma beam Send this plasma beam into the vacuum chamber , it is exposed to the plasma beam generated by a plasma gun deposition material in the crucible is made to control the trajectory and / or shape by a magnetic field, and a converging coil which is deposited on the deposition body this film forming material, the vacuum chamber vacuum film forming apparatus characterized in that a mass spectrometer for analyzing the atmosphere within.
  2. 【請求項2】真空チャンバに調整弁を有する酸素供給部を連結し、質量分析計に質量分析計からの信号に基づいて調整弁を制御する制御部を接続したことを特徴とする請求項1記載の真空成膜装置。 2. A method according to claim 1, the vacuum chamber is connected to the oxygen supply unit having a regulating valve, characterized in that to connect the control unit for controlling the adjustment valve based on a signal from the mass spectrometer into the mass spectrometer vacuum deposition apparatus described.
  3. 【請求項3】真空チャンバ内のうちプラズマガン側に、 The plasma gun side of 3. A vacuum chamber,
    成膜材料に照射されたプラズマビームから生じる反射電子流が帰還する電子帰還電極を設けたことを特徴とする請求項1記載の真空成膜装置。 Vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the reflected electrons flow from the plasma beam irradiated to the deposition material is characterized in that an electron return electrode which returns.
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