JP2000068331A - Electronic component bonding apparatus and method therefor - Google Patents

Electronic component bonding apparatus and method therefor

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JP2000068331A
JP2000068331A JP10235302A JP23530298A JP2000068331A JP 2000068331 A JP2000068331 A JP 2000068331A JP 10235302 A JP10235302 A JP 10235302A JP 23530298 A JP23530298 A JP 23530298A JP 2000068331 A JP2000068331 A JP 2000068331A
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heat block
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an electronic component bonding apparatus and method which can stabilize bonding quality. SOLUTION: In this method for eutectically bonding a chip 8 onto a substrate 6 heated in an inert-gas atmosphere, nitrogen gas is supplied from a nitrogen gas blow-out port provided in the heat block 22 to surroundings of the substrate 6, while the substrate 6 is heated by a heat block 22 carrying the substrate 6. Then the heated nitrogen gas is supplied from a plurality of holes in a periphery of an opening 23a made in a cover member 23, provided to cover the heat block 22 and corresponding to an elevating position of a bonding tool 32 to the surroundings of the chip 8. Thereby a stable low-oxygen atmosphere can be provided to the surroundings of the chip 8 to be bonded, thus making a bonding quality stabilized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に電子部品を
ボンディングする電子部品のボンディング装置およびボ
ンディング方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component bonding apparatus and method for bonding electronic components to a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子部品を基板に実装する方法として、
共晶ボンディングや半田接合など基板を加熱しながらボ
ンディングを行う方法が知られている。この方法は、基
板を共晶温度や半田融点温度などの所定温度以上に加熱
することにより電子部品の電極を基板に接合するもので
ある。この接合過程では、接合部の金属表面の酸化を防
止して良好な接合品質を得るため接合部の周囲に窒素ガ
スなどの不活性ガスを供給して酸素濃度を低下させるこ
とが一般に行われている。窒素ガスの供給方法として従
来より、基板を載置して加熱するヒートブロックに窒素
ガスの供給孔を設け、基板周囲に窒素を供給する方式が
知られている。そして、窒素ガスの基板周辺からの放散
を防ぐために、基板上を覆ってカバー部材が配設される
場合が多い。このカバー部材には、電子部品を保持する
ボンディングツールが基板に対して昇降動作を行うため
の開口部が設けられている。ところが、この開口部は不
活性ガスの流出孔ともなるため、この開口部からの窒素
ガスの流出を防ぐ対策が必要となる。このため、従来は
開口部の外側にホットガンのノズルを設け、ノズルから
噴出させた窒素ガスを開口部を介して内側に吹き込むこ
とにより窒素ガスの流出を減少させる方法が用いられて
いた。
2. Description of the Related Art As a method for mounting an electronic component on a substrate,
Methods of performing bonding while heating the substrate, such as eutectic bonding and solder bonding, are known. In this method, an electrode of an electronic component is bonded to a substrate by heating the substrate to a predetermined temperature such as a eutectic temperature or a melting point of solder. In this joining process, it is common practice to supply an inert gas such as nitrogen gas around the joint to reduce the oxygen concentration in order to prevent oxidation of the metal surface of the joint and obtain good joining quality. I have. Conventionally, as a method for supplying nitrogen gas, a method has been known in which a nitrogen gas supply hole is provided in a heat block on which a substrate is placed and heated, and nitrogen is supplied around the substrate. In order to prevent the nitrogen gas from diffusing from the periphery of the substrate, a cover member is often provided over the substrate. The cover member has an opening through which a bonding tool for holding an electronic component moves up and down with respect to the substrate. However, since this opening also serves as an inert gas outflow hole, it is necessary to take measures to prevent nitrogen gas from flowing out from this opening. For this reason, conventionally, a method has been used in which a nozzle of a hot gun is provided outside the opening and nitrogen gas ejected from the nozzle is blown in through the opening to reduce the outflow of nitrogen gas.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、窒素ガス吹
き込み時には、周囲の大気中の酸素も同時に開口部から
カバー部材の内部に吹き込まれ、電子部品の周囲には酸
素が供給される結果となっていた。このため接合部周囲
に安定した低酸素雰囲気を形成することが難しく、その
結果ボンディング品質が安定しないという問題点があっ
た。
However, when nitrogen gas is blown, oxygen in the surrounding atmosphere is also blown into the inside of the cover member from the opening at the same time, so that oxygen is supplied around the electronic components. Was. For this reason, it is difficult to form a stable low-oxygen atmosphere around the joint, and as a result, there is a problem that the bonding quality is not stable.

【0004】そこで本発明は、ボンディング品質を安定
させることができる電子部品のボンディング装置および
ボンディング方法を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide an electronic component bonding apparatus and a bonding method capable of stabilizing bonding quality.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の電子部品
のボンディング装置は、不活性ガス雰囲気中で加熱され
た基板に電子部品をボンディングする電子部品のボンデ
ィング装置であって、前記基板を載置し加熱するヒート
ブロックと、このヒートブロックに設けられ、載置され
た前記基板周囲に不活性ガスを供給する第1の不活性ガ
ス供給部と、前記基板に電子部品を搭載してボンディン
グするボンディングツールと、前記ヒートブロックを覆
って配設され前記ボンディングツールの昇降位置に対応
して開口部が設けられたカバー部材と、このカバー部材
の前記開口部の周辺に設けられた複数の孔部から前記電
子部品の周囲に不活性ガスを供給する第2の不活性ガス
供給部と、第2の不活性ガス供給部から供給される不活
性ガスを加熱するガス加熱手段とを備えた。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electronic component bonding apparatus for bonding an electronic component to a substrate heated in an inert gas atmosphere. A heat block to be placed and heated; a first inert gas supply unit provided in the heat block to supply an inert gas around the placed substrate; and an electronic component mounted on the substrate and bonded. A bonding tool, a cover member disposed over the heat block, the cover member having an opening corresponding to an elevation position of the bonding tool, and a plurality of holes provided around the opening of the cover member. A second inert gas supply unit for supplying an inert gas to the periphery of the electronic component from the above, and heating the inert gas supplied from the second inert gas supply unit And a scan heating means.

【0006】請求項2記載の電子部品のボンディング装
置は、請求項1記載のボンディング装置であって、前記
ボンディングツールおよびカバー部材に対して前記基板
を載置するヒートブロックを相対的に水平方向に移動さ
せる移動手段を備えた。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a bonding apparatus for an electronic component, wherein the heat block on which the substrate is mounted is horizontally moved relative to the bonding tool and the cover member. A moving means for moving is provided.

【0007】請求項3記載の電子部品のボンディング方
法は、不活性ガス雰囲気中で加熱された基板に電子部品
をボンディングする電子部品のボンディング方法であっ
て、前記基板を載置するヒートブロックによって前記基
板を加熱しながらこのヒートブロックに設けられた第1
の不活性ガス供給部によって前記基板周囲に不活性ガス
を供給するとともに、前記ヒートブロックを覆って配設
されたカバー部材にボンディングツールの昇降位置に対
応して設けられた開口部の周辺の複数の孔部から、ガス
加熱手段により加熱された不活性ガスを、第2の不活性
ガス供給部によって前記電子部品の周囲に供給するよう
にした。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for bonding an electronic component to a substrate heated in an inert gas atmosphere, wherein the electronic component is bonded by a heat block on which the substrate is placed. While heating the substrate, the first
An inert gas supply unit for supplying an inert gas around the substrate, and a plurality of peripheral parts around an opening provided on a cover member disposed over the heat block so as to correspond to an elevation position of a bonding tool. The inert gas heated by the gas heating means is supplied to the periphery of the electronic component from the hole by the second inert gas supply unit.

【0008】各請求項記載の発明によれば、基板を載置
して加熱するヒートブロックに設けられた第1の不活性
ガス供給部によって不活性ガスを供給するとともに、前
記ヒートブロックを覆って配設されたカバー部材にボン
ディングツールの昇降位置に対応して設けられた開口部
の周辺の複数の孔部から、ガス加熱手段により加熱され
た不活性ガスを、第2の不活性ガス供給部によって前記
電子部品の周囲に供給することにより、ボンディングさ
れる電子部品の周囲に安定した低酸素雰囲気を形成する
ことができる。
According to the invention described in each claim, an inert gas is supplied by a first inert gas supply section provided on a heat block on which a substrate is placed and heated, and the heat block is covered by the first inert gas supply section. The inert gas heated by the gas heating means is supplied to the second inert gas supply unit from a plurality of holes around the opening provided in the cover member corresponding to the elevation position of the bonding tool. Thus, a stable low oxygen atmosphere can be formed around the electronic component to be bonded.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明の一実施の形態の電子
部品のボンディング装置の斜視図、図2は同電子部品の
ボンディング装置のボンディング部の斜視図、図3
(a)は同電子部品のボンディング装置のボンディング
部の側面図、図3(b)は同電子部品のボンディング装
置のボンディング部の正面図、図4は同ボンディング用
ヒートブロックの断面図、図5(a),(b)は同電子
部品のボンディング装置の窒素ガスノズルユニットの斜
視図である。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of an electronic component bonding apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of a bonding portion of the electronic component bonding apparatus.
3A is a side view of a bonding portion of the electronic component bonding apparatus, FIG. 3B is a front view of a bonding portion of the electronic component bonding device, FIG. 4 is a cross-sectional view of the bonding heat block, and FIG. (A), (b) is a perspective view of the nitrogen gas nozzle unit of the bonding device of the same electronic component.

【0010】まず、図1を参照してボンディング装置の
構造を説明する。ボンディング装置は基板供給部1、搬
送路2A,2B、ボンディング部3、チップ供給部4、
位置補正部5から構成される。基板供給部1のストッカ
11には基板6が積層して収納されている。基板6は移
載ヘッド12のノズル13に吸着されてストッカ11か
ら搬送路2A上に移載される。搬送路2Aは複数のヒー
トブロック15から構成されており、上流側に載置され
た基板6を、搬送爪16で順送りすることによりボンデ
ィング部3まで搬送する。この搬送途中で、基板6はヒ
ートブロック15により加熱され、共晶ボンディング温
度まで昇温する。
First, the structure of the bonding apparatus will be described with reference to FIG. The bonding apparatus includes a substrate supply unit 1, transport paths 2A and 2B, a bonding unit 3, a chip supply unit 4,
It comprises a position correction unit 5. The substrates 6 are stacked and stored in the stocker 11 of the substrate supply unit 1. The substrate 6 is sucked by the nozzle 13 of the transfer head 12 and transferred from the stocker 11 onto the transport path 2A. The transport path 2 </ b> A includes a plurality of heat blocks 15, and transports the substrate 6 placed on the upstream side to the bonding unit 3 by sequentially feeding the substrate 6 with the transport claws 16. During this transfer, the substrate 6 is heated by the heat block 15 and rises to the eutectic bonding temperature.

【0011】ボンディング部3はXテーブル20、Yテ
ーブル21より成る可動テーブル上にヒートブロック2
2を装着して構成されている。ヒートブロック22はカ
バー23により覆われており、カバー23上には不活性
ガスである窒素ガスを供給する窒素ガスノズルユニット
24が装着されている。
The bonding section 3 is provided with a heat block 2 on a movable table including an X table 20 and a Y table 21.
2 is mounted. The heat block 22 is covered with a cover 23, and a nitrogen gas nozzle unit 24 for supplying nitrogen gas as an inert gas is mounted on the cover 23.

【0012】ボンディング部3の側方にはチップ供給部
4が配設されている。チップ供給部4はウェハ7の電子
部品であるチップ8を供給し、チップ8は移載ヘッド3
1のノズル32によってピックアップされ、位置補正部
5に仮置きされる。位置補正部5では、テーブル33上
に仮置きされたチップ8に位置規制爪34を押し当てる
ことにより、チップ8の位置ずれ補正を行う。
A chip supply section 4 is provided beside the bonding section 3. The chip supply unit 4 supplies a chip 8 which is an electronic component of the wafer 7, and the chip 8
It is picked up by one nozzle 32 and temporarily placed in the position correction unit 5. The position corrector 5 corrects the position of the chip 8 by pressing the position regulating claw 34 against the chip 8 temporarily placed on the table 33.

【0013】ここで位置ずれが補正されたチップ8は、
ボンディングヘッド35のボンディングツール36によ
ってピックアップされ、ヒートブロック22上に載置さ
れた基板6に搭載され、共晶ボンディングされる。ボン
ディング部3の他方の側方には、金プリフォームの供給
ユニット39が設けられており、供給ユニット39から
導出された金テープ40は、チップ8のサイズに合せて
金プリフォーム40aに切断される。切断された金プリ
フォーム40aは、プリフォームヘッド37のノズル3
8により真空吸着され、基板6に移載される。ボンディ
ングヘッド35は、この金プリフォーム40a上にチッ
プ8を搭載してボンディングする。
The chip 8 whose position has been corrected here is
It is picked up by the bonding tool 36 of the bonding head 35, mounted on the substrate 6 mounted on the heat block 22, and subjected to eutectic bonding. A gold preform supply unit 39 is provided on the other side of the bonding unit 3, and the gold tape 40 derived from the supply unit 39 is cut into gold preforms 40 a according to the size of the chip 8. You. The cut gold preform 40a is supplied to the nozzle 3 of the preform head 37.
Then, the wafer is vacuum-sucked by 8 and transferred to the substrate 6. The bonding head 35 mounts and bonds the chip 8 on the gold preform 40a.

【0014】次に図2〜図5を参照して、ボンディング
部3について説明する。図2において、Xテーブル20
に段積みされたYテーブル21上には、ヒートブロック
22が装着されている。ヒートブロック22の上面には
切り込み部22aが設けられており、上流側のヒートブ
ロック15上を搬送された基板6を搬送爪16によって
押送することにより、基板6はヒートブロック22の切
り込み部22a上に送り込まれ載置される。
Next, the bonding section 3 will be described with reference to FIGS. In FIG. 2, the X table 20
A heat block 22 is mounted on a Y table 21 stacked on the table. A notch 22a is provided on the upper surface of the heat block 22, and the substrate 6 conveyed on the heat block 15 on the upstream side is pushed by the conveying claw 16 so that the substrate 6 is placed on the notch 22a of the heat block 22. Is sent and placed.

【0015】Xテーブル20には、ヒートブロック22
の上面を覆うカバー部材23が固定されている。カバー
部材23にはチップ8の搭載用の開口部23aおよびチ
ップ認識用の開口部23bが設けられている。ボンディ
ングツール36に保持されたチップ8は開口部23aを
介してヒートブロック22上の基板6に搭載される。ま
た基板6は開口部23bを介してカメラ41により認識
される。開口部23a、23bとボンディングツール3
6やカメラ41の位置関係は固定されており、Xテーブ
ル20,Yテーブル21は、ボンディングツール36お
よびカバー部材23に対して基板6を載置するヒートブ
ロック22を相対的に水平方向に移動させる移動手段と
なっている。
The X table 20 has a heat block 22
A cover member 23 that covers the upper surface of the cover is fixed. The cover member 23 is provided with an opening 23a for mounting the chip 8 and an opening 23b for chip recognition. The chip 8 held by the bonding tool 36 is mounted on the substrate 6 on the heat block 22 via the opening 23a. The substrate 6 is recognized by the camera 41 via the opening 23b. Openings 23a, 23b and bonding tool 3
The positional relationship between the camera 6 and the camera 41 is fixed, and the X table 20 and the Y table 21 move the heat block 22 on which the substrate 6 is placed relative to the bonding tool 36 and the cover member 23 in the horizontal direction. It is a means of transportation.

【0016】開口部23aの周囲には、第2の不活性ガ
ス供給手段である窒素ガスノズルユニット24が装着さ
れている。図5(a)に示すように、窒素ガスノズルユ
ニット24の下面には窒素ガスの吹出孔24aが多数設
けられている。図外のガス供給源から供給された窒素ガ
スは、ガス加熱手段であるヒータ47によって加熱され
る。加熱温度は温度センサ46によって検出され、図外
の温調部により温度制御された窒素ガスは、吹出孔24
aから吹き出される。
Around the opening 23a, a nitrogen gas nozzle unit 24 as a second inert gas supply means is mounted. As shown in FIG. 5A, a large number of nitrogen gas blowing holes 24a are provided on the lower surface of the nitrogen gas nozzle unit 24. A nitrogen gas supplied from a gas supply source (not shown) is heated by a heater 47 as gas heating means. The heating temperature is detected by a temperature sensor 46, and the nitrogen gas whose temperature is controlled by a temperature control unit (not shown)
It is blown out from a.

【0017】窒素ガスノズルユニット24は図5(b)
に示すように、開口部23aに位置合せして装着され
る。カバー部材23には吹出孔24aの位置に対応して
窒素ガス供給孔23cが設けられている。したがって、
窒素ガスノズルユニット24を駆動することにより、開
口部23aの周囲には所定温度に加熱された窒素ガスが
供給され、ボンディング対象のチップ8の周囲には低酸
素雰囲気が形成される。なお、窒素ガス供給孔23cの
配置は図5に示す直線状配置に限定されず、開口部23
aの周囲を囲むような配置としてもよい。このような配
置を採用すれば、さらに安定した低酸素雰囲気をチップ
8の周囲に集中させて形成することができる。また、こ
の窒素ガスユニット24をカバー部材23に装着するこ
とにより、カバー部材23の剛性を増大させる効果が得
られ、加熱時に発生するカバー部材23の撓みを有効に
防止することができる。
The nitrogen gas nozzle unit 24 is shown in FIG.
As shown in (2), it is mounted in alignment with the opening 23a. The cover member 23 is provided with a nitrogen gas supply hole 23c corresponding to the position of the blowout hole 24a. Therefore,
By driving the nitrogen gas nozzle unit 24, a nitrogen gas heated to a predetermined temperature is supplied around the opening 23a, and a low oxygen atmosphere is formed around the chip 8 to be bonded. The arrangement of the nitrogen gas supply holes 23c is not limited to the linear arrangement shown in FIG.
It may be arranged so as to surround the periphery of a. By employing such an arrangement, a more stable low oxygen atmosphere can be formed concentrated around the chip 8. Further, by mounting the nitrogen gas unit 24 on the cover member 23, an effect of increasing the rigidity of the cover member 23 is obtained, and the bending of the cover member 23 that occurs during heating can be effectively prevented.

【0018】前述のようにカバー部材23の開口部23
a、23bと、ボンディングツール36やカメラ41の
位置関係は固定されていることから、開口部23a、2
3bは必要最小限の大きさに限定することができる。従
来のボンディング装置では、カバー部材はYテーブルに
固定されていたため、Xテーブルを駆動するとカバー部
材はボンディングツールに対し相対移動することとなっ
ていた。このためボンディング用の開口部は、この相対
移動分をカバーする長穴形状とせざるを得ず、大きな開
口面積の開口部を設ける必要があった。このことが従来
のボンディング装置において安定した低酸素雰囲気を実
現できない1つの要因となっていた。このような従来の
ボンディング装置におけるカバー部材の構成と比較し
て、本実施の形態のカバー部材23によれば、ボンディ
ング用の開口部23a、および認識用の開口部23bを
最小限の開口面積に抑えることができ、窒素ガスの流出
量を最小限に抑えて、安定した低酸素雰囲気を実現する
ことができる。
As described above, the opening 23 of the cover member 23
Since the positional relationship between the bonding tools 36 and the camera 41 is fixed, the openings 23a, 23b,
3b can be limited to the minimum required size. In the conventional bonding apparatus, since the cover member is fixed to the Y table, when the X table is driven, the cover member moves relative to the bonding tool. For this reason, the opening for bonding must be formed into a long hole shape that covers the relative movement, and it is necessary to provide an opening with a large opening area. This is one of the factors that makes it impossible to realize a stable low oxygen atmosphere in the conventional bonding apparatus. Compared with the structure of the cover member in such a conventional bonding apparatus, according to the cover member 23 of the present embodiment, the bonding opening 23a and the recognition opening 23b are reduced to a minimum opening area. Thus, a stable low oxygen atmosphere can be realized by minimizing the outflow of nitrogen gas.

【0019】カバー部材23の上面には開口部23a,
23bを開閉するシャッター42が配設されており、シ
リンダ43を駆動することにより、開口部23a,23
bを必要時のみ開放することができる。またヒートブロ
ック22の側面にも同様にシャッター44が設けられて
いる。シリンダ45を駆動することにより、切り込み部
22aの端部を開閉することができる。このように、開
口部分にシャッターを設けることにより、基板6が載置
されるヒートブロック22の上方の基板6が載置される
空間の密閉性を改善し、更に安定した低酸素雰囲気を形
成することができる。
Openings 23a,
A shutter 42 for opening and closing the opening 23a is provided.
b can be opened only when necessary. A shutter 44 is also provided on the side surface of the heat block 22. By driving the cylinder 45, the end of the notch 22a can be opened and closed. As described above, by providing the shutter at the opening, the hermeticity of the space where the substrate 6 is placed above the heat block 22 on which the substrate 6 is placed is improved, and a more stable low oxygen atmosphere is formed. be able to.

【0020】次に図4を参照してヒートブロック22の
構造を説明する。図4において、ヒートブロック22の
切り込み部22aの上面には、第1の不活性ガス供給部
である多数の窒素吹出孔22bが設けられている。窒素
吹出孔22bは、内孔22cを介して図外の窒素ガス供
給源に接続されている。ヒートブロック22の内部には
ヒータ50が埋設されており、ヒータ50を駆動するこ
とにより、切り込み部22a上に載置された基板6を加
熱するとともに、窒素吹出孔22bから吹き出される窒
素ガスを加熱する。
Next, the structure of the heat block 22 will be described with reference to FIG. In FIG. 4, on the upper surface of the cut portion 22a of the heat block 22, a large number of nitrogen blowing holes 22b as a first inert gas supply portion are provided. The nitrogen outlet 22b is connected to a nitrogen gas supply source (not shown) through the inner hole 22c. A heater 50 is embedded inside the heat block 22. By driving the heater 50, the substrate 6 placed on the cutout 22a is heated and the nitrogen gas blown out from the nitrogen blowout hole 22b is removed. Heat.

【0021】ヒートブロック22は、断熱材51および
多孔質部材52を介してYテーブル21に装着されてい
る。多孔質部材52には空間52aが設けられており、
配管55を介して空間52a内に冷却用のエアーを供給
することにより、多孔質部材52の微細孔にはエアーが
送り込まれ、ヒータ50からの熱を吸収して熱が下方に
伝導されるのを防止する。多孔質部材52はボルト53
によってYテーブル21に固定されており、ヒートブロ
ック22は多孔質部材52にボルト53によって固着さ
れている。したがって、ヒートブロック22からの熱を
直接をYテーブル21に伝導する熱の良導体は存在せ
ず、多孔質部材52の冷却効果と相まって、優れた断熱
効果を得ることができる。
The heat block 22 is mounted on the Y table 21 via a heat insulating material 51 and a porous member 52. A space 52a is provided in the porous member 52,
By supplying cooling air into the space 52a via the pipe 55, air is sent into the fine holes of the porous member 52, absorbing heat from the heater 50 and conducting the heat downward. To prevent The porous member 52 is a bolt 53
The heat block 22 is fixed to the porous member 52 by bolts 53. Accordingly, there is no good heat conductor that directly conducts the heat from the heat block 22 to the Y table 21, and an excellent heat insulating effect can be obtained in combination with the cooling effect of the porous member 52.

【0022】この電子部品のボンディング装置は上記の
ように構成されており、以下、ボンディング動作につい
て説明する。図1において、ストッカ11の基板6は移
載ヘッド12により搬送路2Aの最上流のヒートブロッ
ク15上に載置される。基板6が下流側のヒートブロッ
ク15上を順次搬送される過程で、基板6は加熱されて
昇温する。そしてボンディング部3のヒートブロック2
2上に送り込まれた基板6は、チップ8の共晶温度まで
加熱される。この基板6に対してプリフォームヘッド3
7により、金プリフォーム40aが搭載され、この金プ
リフォーム40a上に、位置補正部5で位置ずれが補正
されたチップ8が搭載され、共晶ボンディングされる。
This electronic component bonding apparatus is configured as described above, and the bonding operation will be described below. In FIG. 1, the substrate 6 of the stocker 11 is placed on the uppermost stream heat block 15 of the transport path 2A by the transfer head 12. While the substrate 6 is sequentially conveyed on the downstream heat block 15, the substrate 6 is heated and its temperature rises. And the heat block 2 of the bonding part 3
The substrate 6 fed onto 2 is heated to the eutectic temperature of the chip 8. The preform head 3 is
7, the gold preform 40a is mounted, and the chip 8 whose position has been corrected by the position correction unit 5 is mounted on the gold preform 40a, and eutectic bonding is performed.

【0023】このとき、ヒートブロック22に設けられ
た窒素吹出孔22bから窒素ガスが基板6全体の周囲に
吹き出されるとともに、カバー部材23に設けられた窒
素ガス供給孔23cからボンディング対象のチップ8の
周囲に吹き出されるため、ボンディング部位の周囲を安
定した低酸素雰囲気に保持することができる。また、ヒ
ートブロック22の上面のボンディングスペースは、カ
バー部材23の開口部23a,23bがシャッター42
によって、切り込み部22aの端部がシャッター44に
よって開閉可能となっているため、必要時のみこれらの
開口部分を開状態とすることにより、ヒートブロック2
2上の空間内に供給された窒素ガスの外部への流出を有
効に防止することができ、ボンディング時に安定した低
酸素雰囲気が保たれることにより、接合部の金属表面の
酸化を抑制して、良好なボンディング品質を得ることが
できる。
At this time, nitrogen gas is blown out around the entire substrate 6 from nitrogen blowing holes 22 b provided in the heat block 22, and the chip 8 to be bonded is blown through nitrogen gas supply holes 23 c provided in the cover member 23. , The surroundings of the bonding site can be maintained in a stable low oxygen atmosphere. The bonding space on the upper surface of the heat block 22 is such that the openings 23a and 23b of the cover member 23 are
As a result, the end of the cut portion 22a can be opened and closed by the shutter 44, so that these opening portions are opened only when necessary, so that the heat block 2
2. The nitrogen gas supplied into the space above 2 can be effectively prevented from flowing out, and a stable low oxygen atmosphere is maintained during bonding, thereby suppressing the oxidation of the metal surface of the joint. And good bonding quality can be obtained.

【0024】ボンディング後の基板6は搬送路2Bに送
り出され、下流側に順次ヒートブロック15上を搬送さ
れることにより徐々に降温し冷却される。冷却された基
板6はストッカ17内に搬入爪16によって送り込ま
れ、ボンディング工程を完了する。
The substrate 6 after bonding is sent out to the transport path 2B, and is sequentially transported on the heat block 15 to the downstream side, so that the temperature is gradually lowered and cooled. The cooled substrate 6 is sent into the stocker 17 by the carry-in claw 16 to complete the bonding process.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明によれば、基板を載置して加熱す
る第1のヒートブロックに設けられた第1の不活性ガス
供給部によって不活性ガスを供給するとともに、基板を
覆うカバー部材に設けられた第2の不活性ガス供給部に
よって加熱された不活性ガスを供給することにより、ボ
ンディングされる電子部品の周囲に安定した低酸素雰囲
気を形成することができる。したがって、ボンディング
過程において接合部の金属表面の酸化を防ぎ、安定した
ボンディング品質を確保することができる。
According to the present invention, a cover member for supplying an inert gas by a first inert gas supply unit provided in a first heat block for mounting and heating a substrate and covering the substrate. By supplying the inert gas heated by the second inert gas supply unit provided in the above, a stable low oxygen atmosphere can be formed around the electronic component to be bonded. Therefore, oxidation of the metal surface of the bonding portion can be prevented in the bonding process, and stable bonding quality can be ensured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態の電子部品のボンディン
グ装置の斜視図
FIG. 1 is a perspective view of an electronic component bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態の電子部品のボンディン
グ装置のボンディング部の斜視図
FIG. 2 is a perspective view of a bonding unit of the electronic component bonding apparatus according to one embodiment of the present invention;

【図3】(a)本発明の一実施の形態の電子部品のボン
ディング装置のボンディング部の側面図 (b)本発明の一実施の形態の電子部品のボンディング
装置のボンディング部の正面図
3A is a side view of a bonding unit of the electronic component bonding apparatus according to one embodiment of the present invention; FIG. 3B is a front view of a bonding unit of the electronic component bonding apparatus according to one embodiment of the present invention;

【図4】本発明の一実施の形態のボンディング用ヒート
ブロックの断面図
FIG. 4 is a sectional view of a bonding heat block according to an embodiment of the present invention.

【図5】(a)本発明の一実施の形態の電子部品のボン
ディング装置の窒素ガスノズルユニットの斜視図 (b)本発明の一実施の形態の電子部品のボンディング
装置の窒素ガスノズルユニットの斜視図
5A is a perspective view of a nitrogen gas nozzle unit of an electronic component bonding apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 5B is a perspective view of a nitrogen gas nozzle unit of an electronic component bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板供給部 2A、2B 搬送路 3 ボンディング部 4 チップ供給部 6 基板 8 チップ 20 Xテーブル 21 Yテーブル 22 ヒートブロック 22b 窒素吹出孔 23 カバー部材 23a 開口部 24 窒素ガスノズルユニット 47 ヒータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate supply part 2A, 2B conveyance path 3 Bonding part 4 Chip supply part 6 Substrate 8 Chip 20 X table 21 Y table 22 Heat block 22b Nitrogen blowing hole 23 Cover member 23a Opening 24 Nitrogen gas nozzle unit 47 Heater

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】不活性ガス雰囲気中で加熱された基板に電
子部品をボンディングする電子部品のボンディング装置
であって、前記基板を載置し加熱するヒートブロック
と、このヒートブロックに設けられ、載置された前記基
板周囲に不活性ガスを供給する第1の不活性ガス供給部
と、前記基板に電子部品を搭載してボンディングするボ
ンディングツールと、前記ヒートブロックを覆って配設
され前記ボンディングツールの昇降位置に対応して開口
部が設けられたカバー部材と、このカバー部材の前記開
口部の周辺に設けられた複数の孔部から前記電子部品の
周囲に不活性ガスを供給する第2の不活性ガス供給部
と、第2の不活性ガス供給部から供給される不活性ガス
を加熱するガス加熱手段とを備えたことを特徴とする電
子部品のボンディング装置。
1. An electronic component bonding apparatus for bonding an electronic component to a substrate heated in an inert gas atmosphere, comprising: a heat block for mounting and heating the substrate; A first inert gas supply unit for supplying an inert gas around the mounted substrate, a bonding tool for mounting an electronic component on the substrate for bonding, and the bonding tool disposed over the heat block. A cover member provided with an opening corresponding to the elevating position of the electronic component, and a second supplying an inert gas to the periphery of the electronic component through a plurality of holes provided around the opening of the cover member. An electronic component bonding apparatus comprising: an inert gas supply unit; and gas heating means for heating an inert gas supplied from the second inert gas supply unit. Location.
【請求項2】前記ボンディングツールおよびカバー部材
に対して前記基板を載置するヒートブロックを相対的に
水平方向に移動させる移動手段を備えたことを特徴とす
る請求項1記載の電子部品のボンディング装置。
2. A bonding apparatus for electronic parts according to claim 1, further comprising moving means for relatively moving a heat block on which said substrate is mounted on said bonding tool and said cover member in a horizontal direction. apparatus.
【請求項3】不活性ガス雰囲気中で加熱された基板に電
子部品をボンディングする電子部品のボンディング方法
であって、前記基板を載置するヒートブロックによって
前記基板を加熱しながらこのヒートブロックに設けられ
た第1の不活性ガス供給部によって前記基板周囲に不活
性ガスを供給するとともに、前記ヒートブロックを覆っ
て配設されたカバー部材にボンディングツールの昇降位
置に対応して設けられた開口部の周辺の複数の孔部か
ら、ガス加熱手段により加熱された不活性ガスを、第2
の不活性ガス供給部によって前記電子部品の周囲に供給
することを特徴とする電子部品のボンディング方法。
3. A method of bonding an electronic component to a substrate heated in an inert gas atmosphere, the method comprising bonding the electronic component to the substrate while heating the substrate with the heat block on which the substrate is mounted. An inert gas is supplied to the periphery of the substrate by the first inert gas supply unit provided, and an opening is provided in a cover member disposed over the heat block so as to correspond to an elevation position of the bonding tool. The inert gas heated by the gas heating means is passed through the plurality of holes around the
And supplying the electronic component around the electronic component by an inert gas supply unit.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332523A (en) * 2005-05-30 2006-12-07 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd Mounting equipment of semiconductor device
JP2008311265A (en) * 2007-06-12 2008-12-25 Nec Electronics Corp Bonding device, and manufacturing method of electronic device using bonding device
EP3373325A4 (en) * 2015-11-05 2019-05-01 Furukawa Electric Co. Ltd. Die bonding device and die bonding method
JP2019179826A (en) * 2018-03-30 2019-10-17 東レエンジニアリング株式会社 Mounting device and mounting method
JP2019179834A (en) * 2018-03-30 2019-10-17 東レエンジニアリング株式会社 Mounting device, and mounting method and method for manufacturing semiconductor device using mounting method
JP2021164928A (en) * 2020-04-06 2021-10-14 アスリートFa株式会社 Joining device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6000626B2 (en) 2012-05-01 2016-10-05 新光電気工業株式会社 Electronic device manufacturing method and electronic component mounting apparatus

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332523A (en) * 2005-05-30 2006-12-07 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd Mounting equipment of semiconductor device
JP4667122B2 (en) * 2005-05-30 2011-04-06 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ Semiconductor device mounting device
JP2008311265A (en) * 2007-06-12 2008-12-25 Nec Electronics Corp Bonding device, and manufacturing method of electronic device using bonding device
EP3373325A4 (en) * 2015-11-05 2019-05-01 Furukawa Electric Co. Ltd. Die bonding device and die bonding method
JP2019179826A (en) * 2018-03-30 2019-10-17 東レエンジニアリング株式会社 Mounting device and mounting method
JP2019179834A (en) * 2018-03-30 2019-10-17 東レエンジニアリング株式会社 Mounting device, and mounting method and method for manufacturing semiconductor device using mounting method
JP7103822B2 (en) 2018-03-30 2022-07-20 東レエンジニアリング株式会社 Mounting device and mounting method
JP7163047B2 (en) 2018-03-30 2022-10-31 東レエンジニアリング株式会社 Mounting apparatus, mounting method, and semiconductor device manufacturing method using the same
JP2021164928A (en) * 2020-04-06 2021-10-14 アスリートFa株式会社 Joining device
JP7425476B2 (en) 2020-04-06 2024-01-31 アスリートFa株式会社 Bonding equipment

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