JP2000040849A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JP2000040849A JP2000040849A JP10225272A JP22527298A JP2000040849A JP 2000040849 A JP2000040849 A JP 2000040849A JP 10225272 A JP10225272 A JP 10225272A JP 22527298 A JP22527298 A JP 22527298A JP 2000040849 A JP2000040849 A JP 2000040849A
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- capacitor
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Abstract
(57)【要約】
［課題］ 変調用パルス信号の立ち上げ時のアップスロ
ープ勾配を安定かつ高精度に制御し、Ｑスイッチパルス
レーザ光の尖頭値を設定通りに制御できるようにする。 ［解決手段］ カレントミラー回路４６を構成する両ト
ランジスタ４２，４４のエミッタ端子は互いに共通接続
され、ＮＰＮ型トランジスタ４８を介して電源電圧ＶB
（第１の電源電圧）の端子に電気的に接続されている。
第１のトランジスタ４２のコレクタ端子は、コンデンサ
５０を介してグランド電位（第２の電源電圧）の端子に
接続されている。第２のトランジスタ４４のコレクタ端
子は、抵抗値可変型の抵抗回路５２を介してグランド電
位の端子に接続されている。抵抗回路５２の抵抗値は主
制御部からの抵抗値選択信号ＲＳに応じて抵抗値選択手
段５３によって所望の値に選択される。コンデンサ５０
は放電回路６１に接続されるとともに、パルス信号出力
回路７４の入力端子にも接続されている。
ープ勾配を安定かつ高精度に制御し、Ｑスイッチパルス
レーザ光の尖頭値を設定通りに制御できるようにする。 ［解決手段］ カレントミラー回路４６を構成する両ト
ランジスタ４２，４４のエミッタ端子は互いに共通接続
され、ＮＰＮ型トランジスタ４８を介して電源電圧ＶB
（第１の電源電圧）の端子に電気的に接続されている。
第１のトランジスタ４２のコレクタ端子は、コンデンサ
５０を介してグランド電位（第２の電源電圧）の端子に
接続されている。第２のトランジスタ４４のコレクタ端
子は、抵抗値可変型の抵抗回路５２を介してグランド電
位の端子に接続されている。抵抗回路５２の抵抗値は主
制御部からの抵抗値選択信号ＲＳに応じて抵抗値選択手
段５３によって所望の値に選択される。コンデンサ５０
は放電回路６１に接続されるとともに、パルス信号出力
回路７４の入力端子にも接続されている。
Description
【００１０】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｑスイッチパルス
レーザ光を発振出力するＱスイッチ型の固体レーザ装置
に関する。
レーザ光を発振出力するＱスイッチ型の固体レーザ装置
に関する。
【００２０】
【従来の技術】ＹＡＧレーザ装置等の固体レーザ装置
は、Ｑスイッチを用いることで、連続発振を尖頭出力値
の高い高速繰返しパルス発振に変えることが可能であ
る。ＹＡＧレーザ装置には、一般に、超音波によるブラ
ッグ回折を利用する音響光学Ｑスイッチが使われてい
る。
は、Ｑスイッチを用いることで、連続発振を尖頭出力値
の高い高速繰返しパルス発振に変えることが可能であ
る。ＹＡＧレーザ装置には、一般に、超音波によるブラ
ッグ回折を利用する音響光学Ｑスイッチが使われてい
る。
【００３０】図１１に示すように、音響光学Ｑスイッチ
１００は、入射面および出射面に反射防止膜１０２を施
された偏光媒体である合成石英ガラス１０４と、この石
英ガラス１０４の一面（底面）に接着層１０６を介して
結合された超音波発生用の圧電体１０８と、高周波整合
回路１１０とから構成される。
１００は、入射面および出射面に反射防止膜１０２を施
された偏光媒体である合成石英ガラス１０４と、この石
英ガラス１０４の一面（底面）に接着層１０６を介して
結合された超音波発生用の圧電体１０８と、高周波整合
回路１１０とから構成される。
【００４０】Ｑスイッチ・ドライバ１１２よりたとえば
２４ＭＨｚ、５０Ｗの高周波電気信号ＥＳが整合回路１
１０を介して圧電体１０８に与えられると、ピエゾ効果
によって高周波電気信号ＥＳが超音波ＡＳに変換され、
その超音波ＡＳが石英ガラス１０４内を伝播する。そう
すると、光弾性効果により石英ガラス１０４内に周期的
な屈折率分布が生じ、ここに適当な角度で光ＬＢi を入
射させると、入射した光ＬＢi がＬＢR のように回折さ
れる（音響光学効果）。
２４ＭＨｚ、５０Ｗの高周波電気信号ＥＳが整合回路１
１０を介して圧電体１０８に与えられると、ピエゾ効果
によって高周波電気信号ＥＳが超音波ＡＳに変換され、
その超音波ＡＳが石英ガラス１０４内を伝播する。そう
すると、光弾性効果により石英ガラス１０４内に周期的
な屈折率分布が生じ、ここに適当な角度で光ＬＢi を入
射させると、入射した光ＬＢi がＬＢR のように回折さ
れる（音響光学効果）。
【００５０】図１２にＹＡＧレーザ共振器の構成を示
す。楕円反射鏡筒１１４内の一対の楕円焦点位置にＹＡ
Ｇロッド１１６および励起ランプ１１８が平行に配置さ
れる。ＹＡＧロッド１１６の両端面と対向して出力ミラ
ー１２０および全反射ミラー１２２が配置され、ＹＡＧ
ロッド１１６の一端面と出力ミラー１２０との間にＱス
イッチ１００が配置される。
す。楕円反射鏡筒１１４内の一対の楕円焦点位置にＹＡ
Ｇロッド１１６および励起ランプ１１８が平行に配置さ
れる。ＹＡＧロッド１１６の両端面と対向して出力ミラ
ー１２０および全反射ミラー１２２が配置され、ＹＡＧ
ロッド１１６の一端面と出力ミラー１２０との間にＱス
イッチ１００が配置される。
【００６０】上記のように高周波電気信号ＥＳがＱスイ
ッチ１００に入力されて石英ガラス１０４内を超音波Ａ
Ｓが伝播すると、ＹＡＧロッド１１６からのレーザ光Ｌ
Ｂiの一部がＱスイッチ１００で回折され、レーザ共振
器の損失が増加してＱ値が下がり、レーザ発振が停止す
る。
ッチ１００に入力されて石英ガラス１０４内を超音波Ａ
Ｓが伝播すると、ＹＡＧロッド１１６からのレーザ光Ｌ
Ｂiの一部がＱスイッチ１００で回折され、レーザ共振
器の損失が増加してＱ値が下がり、レーザ発振が停止す
る。
【００７０】しかし、レーザ発振が止まっても、励起ラ
ンプ１１８によるＹＡＧロッド１１６の励起は継続され
ているため、ＹＡＧロッド１１６内の反転分布（熱平衡
状態の低いエネルギーレベルにある原子の数よりも励起
状態の高いエネルギーレベルにある原子の数が多い割
合）は増大する。この反転分布が十分に大きくなった時
に高周波電気信号ＥＳを遮断して急激にＱ値を戻すと、
レーザ共振器でパルス発振が起こり、きわめて尖頭出力
の高いＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ が得られる。
ンプ１１８によるＹＡＧロッド１１６の励起は継続され
ているため、ＹＡＧロッド１１６内の反転分布（熱平衡
状態の低いエネルギーレベルにある原子の数よりも励起
状態の高いエネルギーレベルにある原子の数が多い割
合）は増大する。この反転分布が十分に大きくなった時
に高周波電気信号ＥＳを遮断して急激にＱ値を戻すと、
レーザ共振器でパルス発振が起こり、きわめて尖頭出力
の高いＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ が得られる。
【００８０】実際の応用では、図１３に示すような所望
の周波数（変調周波数）を有するパルス信号ＭＰで変調
されてパルス信号ＭＰのＬレベルに応じたオン期間とパ
ルス信号ＭＰのＨレベルに応じたオフ期間とを有する高
周波電気信号ＥＳをＱスイッチ１００に供給し、これに
よって変調周波数に等しい繰返し周波数でＱスイッチパ
ルスレーザ光ＬＢQ を発振出力させるようにしている。
の周波数（変調周波数）を有するパルス信号ＭＰで変調
されてパルス信号ＭＰのＬレベルに応じたオン期間とパ
ルス信号ＭＰのＨレベルに応じたオフ期間とを有する高
周波電気信号ＥＳをＱスイッチ１００に供給し、これに
よって変調周波数に等しい繰返し周波数でＱスイッチパ
ルスレーザ光ＬＢQ を発振出力させるようにしている。
【００９０】ところが、このようなＱスイッチ型の固体
レーザ装置では、高周波電気信号ＥＳのオン期間の長さ
に依存して、その直後のＱスイッチング開始時の反転分
布が変化し、Ｑスイッチパルスレーザ光ＬＢQ の尖頭値
（レーザ出力ピーク値）が変化するという特性がある。
レーザ装置では、高周波電気信号ＥＳのオン期間の長さ
に依存して、その直後のＱスイッチング開始時の反転分
布が変化し、Ｑスイッチパルスレーザ光ＬＢQ の尖頭値
（レーザ出力ピーク値）が変化するという特性がある。
【０１００】このため、レーザ発振の開始または再開直
後では概して反転分布が飽和値になっている状態でＱス
イッチングが行われるのに対して、それ以降の定常時で
は概して反転分布が飽和値に達する前にＱスイッチング
が行われるので、図１３に示すように最初のＱスイッチ
パルスレーザ光ＬＢQ の尖頭値が定常時のものよりも異
常に高くなりやすい。
後では概して反転分布が飽和値になっている状態でＱス
イッチングが行われるのに対して、それ以降の定常時で
は概して反転分布が飽和値に達する前にＱスイッチング
が行われるので、図１３に示すように最初のＱスイッチ
パルスレーザ光ＬＢQ の尖頭値が定常時のものよりも異
常に高くなりやすい。
【０１１０】このようなＱスイッチパルスレーザ光ＬＢ
Q の尖頭値における不所望なばらつきは、実際の応用た
とえばレーザマーキング装置では印字ドットのばらつき
を来すため、好ましくない現象とされている。
Q の尖頭値における不所望なばらつきは、実際の応用た
とえばレーザマーキング装置では印字ドットのばらつき
を来すため、好ましくない現象とされている。
【０１２０】そこで、Ｑスイッチパルスレーザ光ＬＢQ
の尖頭値を自在に可変制御するための技法が従来より種
々考案されている。その中の１つの方式は、図１４に示
すように、パルス信号ＭＰのパルスをＬレベルからＨレ
ベルに瞬時に立ち上げるのではなく、適当な傾斜度を有
するアップスロープ波形にして、高周波電気信号ＥＳの
振幅を減衰させながらオフにする方法である。
の尖頭値を自在に可変制御するための技法が従来より種
々考案されている。その中の１つの方式は、図１４に示
すように、パルス信号ＭＰのパルスをＬレベルからＨレ
ベルに瞬時に立ち上げるのではなく、適当な傾斜度を有
するアップスロープ波形にして、高周波電気信号ＥＳの
振幅を減衰させながらオフにする方法である。
【０１３０】この方式によれば、高周波電気信号ＥＳの
振幅が或るしきい値を割った時点でＱスイッチングのパ
ルス発振が起こる。パルス信号ＭＰにおけるアップスロ
ープの傾斜度または勾配を小さくするほど高周波電気信
号ＥＳの振幅がしきい値を割るまでの時間が長くなって
（それだけＱスイッチング開始時の反転分布の損失が大
きくなって）、Ｑスイッチパルスレーザ光ＬＢQ の尖頭
値が低くなる。
振幅が或るしきい値を割った時点でＱスイッチングのパ
ルス発振が起こる。パルス信号ＭＰにおけるアップスロ
ープの傾斜度または勾配を小さくするほど高周波電気信
号ＥＳの振幅がしきい値を割るまでの時間が長くなって
（それだけＱスイッチング開始時の反転分布の損失が大
きくなって）、Ｑスイッチパルスレーザ光ＬＢQ の尖頭
値が低くなる。
【０１４０】この方式を用いると、図１４に示すよう
に、レーザ発振の開始または再開直後からＱスイッチパ
ルスレーザ光ＬＢQ の尖頭値を一定に揃えることができ
る。あるいは、定常時において、特定のＱスイッチパル
スレーザ光ＬＢQ の尖頭値を他のものの尖頭値よりも所
定値だけ高くしたり低くすることも可能である。
に、レーザ発振の開始または再開直後からＱスイッチパ
ルスレーザ光ＬＢQ の尖頭値を一定に揃えることができ
る。あるいは、定常時において、特定のＱスイッチパル
スレーザ光ＬＢQ の尖頭値を他のものの尖頭値よりも所
定値だけ高くしたり低くすることも可能である。
【０１５０】従来のこの種固体レーザ装置では、上記の
方式を実現するために、変調用パルス信号を生成するた
めの回路を演算増幅器からなる積分回路で構成して、該
演算増幅器の入力または帰還ループに可変抵抗を設け、
この可変抵抗の抵抗値（つまり積分定数）を適当な値に
選ぶことにより、アップスロープ勾配の可変制御可能な
変調用パルス信号ＭＰを得るようにしていた。
方式を実現するために、変調用パルス信号を生成するた
めの回路を演算増幅器からなる積分回路で構成して、該
演算増幅器の入力または帰還ループに可変抵抗を設け、
この可変抵抗の抵抗値（つまり積分定数）を適当な値に
選ぶことにより、アップスロープ勾配の可変制御可能な
変調用パルス信号ＭＰを得るようにしていた。
【０１６０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の固体レーザ装置では、変調用パルス信号を
生成するための積分回路において演算増幅器のゼロ点変
動等により積分定数が変動しやすく、変調用パルス信号
のアップスロープ勾配を安定かつ高精度に制御するのが
難しく、ひいてはＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ の尖
頭値を自在に制御するのが難しかった。また、安定度お
よび精度を上げるための補正回路を該演算増幅器回りに
付加するとなると、回路全体が複雑・高価で大掛かりな
ものになってしまうという問題がある。
ような従来の固体レーザ装置では、変調用パルス信号を
生成するための積分回路において演算増幅器のゼロ点変
動等により積分定数が変動しやすく、変調用パルス信号
のアップスロープ勾配を安定かつ高精度に制御するのが
難しく、ひいてはＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ の尖
頭値を自在に制御するのが難しかった。また、安定度お
よび精度を上げるための補正回路を該演算増幅器回りに
付加するとなると、回路全体が複雑・高価で大掛かりな
ものになってしまうという問題がある。
【０１７０】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、変調用パルス信号の立ち上げ時のアップスロー
プ勾配を安定かつ高精度に制御し、Ｑスイッチパルスレ
ーザ光の尖頭値を設定通りに制御できるようにした固体
レーザ装置を提供することを目的とする。
もので、変調用パルス信号の立ち上げ時のアップスロー
プ勾配を安定かつ高精度に制御し、Ｑスイッチパルスレ
ーザ光の尖頭値を設定通りに制御できるようにした固体
レーザ装置を提供することを目的とする。
【０１８０】また、本発明は、簡単な構成でもって、Ｑ
スイッチパルスレーザ光の尖頭値を設定通りに制御でき
るようにした固体レーザ装置を提供することを目的とす
る。
スイッチパルスレーザ光の尖頭値を設定通りに制御でき
るようにした固体レーザ装置を提供することを目的とす
る。
【０１９０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のうち請求項１に記載の発明は、レーザ共
振器内にＱスイッチを設け、所望の繰り返し周波数を有
するパルス信号で変調されて前記パルス信号の第１の論
理値レベルに応じたオン期間と前記パルス信号の第２の
論理値レベルに応じたオフ期間とを有する一定周波数の
高周波電気信号を前記Ｑスイッチ供給し、前記パルス信
号の第１の論理値レベルから第２の論理値レベルへ移行
する速度を制御することにより、前記レーザ共振器より
発振出力されるＱスイッチパルスレーザ光の尖頭値を制
御するようにした固体レーザ装置において、前記繰り返
し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有する矩形波形
の基準パルスを生成する基準パルス信号生成手段と、そ
れぞれの制御端子を互いに共通接続された第１および第
２のトランジスタを有するカレントミラー回路と、第１
の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間に接
続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルスのパ
ルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレントミ
ラー回路に前記第１の電源電圧を供給せしめるスイッチ
手段と、第２の電源電圧の端子と前記第１のトランジス
タとの間に接続されたコンデンサと、前記第２の電源電
圧の端子と前記第２のトランジスタとの間に接続された
抵抗値可変型の抵抗回路と、前記抵抗回路の抵抗値を所
望の値に選択するための抵抗値選択手段と、前記コンデ
ンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパルス幅に対
応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可能とし、前
記時間の終了後に前記コンデンサを放電させる放電手段
と、前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出力
するパルス信号出力手段とを具備することを特徴とす
る。
めに、本発明のうち請求項１に記載の発明は、レーザ共
振器内にＱスイッチを設け、所望の繰り返し周波数を有
するパルス信号で変調されて前記パルス信号の第１の論
理値レベルに応じたオン期間と前記パルス信号の第２の
論理値レベルに応じたオフ期間とを有する一定周波数の
高周波電気信号を前記Ｑスイッチ供給し、前記パルス信
号の第１の論理値レベルから第２の論理値レベルへ移行
する速度を制御することにより、前記レーザ共振器より
発振出力されるＱスイッチパルスレーザ光の尖頭値を制
御するようにした固体レーザ装置において、前記繰り返
し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有する矩形波形
の基準パルスを生成する基準パルス信号生成手段と、そ
れぞれの制御端子を互いに共通接続された第１および第
２のトランジスタを有するカレントミラー回路と、第１
の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間に接
続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルスのパ
ルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレントミ
ラー回路に前記第１の電源電圧を供給せしめるスイッチ
手段と、第２の電源電圧の端子と前記第１のトランジス
タとの間に接続されたコンデンサと、前記第２の電源電
圧の端子と前記第２のトランジスタとの間に接続された
抵抗値可変型の抵抗回路と、前記抵抗回路の抵抗値を所
望の値に選択するための抵抗値選択手段と、前記コンデ
ンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパルス幅に対
応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可能とし、前
記時間の終了後に前記コンデンサを放電させる放電手段
と、前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出力
するパルス信号出力手段とを具備することを特徴とす
る。
【０２００】また、請求項２に記載の発明は、レーザ共
振器内にＱスイッチを設け、所望の繰り返し周波数を有
するパルス信号で変調されて前記パルス信号の第１の論
理値レベルに応じたオン期間と前記パルス信号の第２の
論理値レベルに応じたオフ期間とを有する一定周波数の
高周波電気信号を前記Ｑスイッチに供給し、前記パルス
信号の第１の論理値レベルから第２の論理値レベルへ移
行する速度を制御することにより、前記レーザ共振器よ
り発振出力されるＱスイッチパルスレーザ光の尖頭値を
制御するようにした固体レーザ装置において、前記繰り
返し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有する矩形波
形の基準パルスを生成する基準パルス信号生成手段と、
それぞれの制御端子を互いに共通接続された第１および
第２のトランジスタを有するカレントミラー回路と、第
１の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間に
接続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルスの
パルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレント
ミラー回路に前記第１の電源電圧を供給せしめるスイッ
チ手段と、第２の電源電圧の端子と前記第１のトランジ
スタとの間に接続されたコンデンサと、前記第２の電源
電圧の端子と前記第２のトランジスタとの間に接続され
た電流値可変型の定電流源と、前記定電流源の電流値を
所望の値に選択するための電流値選択手段と、前記コン
デンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパルス幅に
対応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可能とし、
前記時間の終了後に前記コンデンサを放電させる放電手
段と、前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出
力するパルス信号出力手段とを具備することを特徴とす
る。
振器内にＱスイッチを設け、所望の繰り返し周波数を有
するパルス信号で変調されて前記パルス信号の第１の論
理値レベルに応じたオン期間と前記パルス信号の第２の
論理値レベルに応じたオフ期間とを有する一定周波数の
高周波電気信号を前記Ｑスイッチに供給し、前記パルス
信号の第１の論理値レベルから第２の論理値レベルへ移
行する速度を制御することにより、前記レーザ共振器よ
り発振出力されるＱスイッチパルスレーザ光の尖頭値を
制御するようにした固体レーザ装置において、前記繰り
返し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有する矩形波
形の基準パルスを生成する基準パルス信号生成手段と、
それぞれの制御端子を互いに共通接続された第１および
第２のトランジスタを有するカレントミラー回路と、第
１の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間に
接続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルスの
パルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレント
ミラー回路に前記第１の電源電圧を供給せしめるスイッ
チ手段と、第２の電源電圧の端子と前記第１のトランジ
スタとの間に接続されたコンデンサと、前記第２の電源
電圧の端子と前記第２のトランジスタとの間に接続され
た電流値可変型の定電流源と、前記定電流源の電流値を
所望の値に選択するための電流値選択手段と、前記コン
デンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパルス幅に
対応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可能とし、
前記時間の終了後に前記コンデンサを放電させる放電手
段と、前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出
力するパルス信号出力手段とを具備することを特徴とす
る。
【０２１０】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図１０を参照して本
発明の実施例を説明する。
発明の実施例を説明する。
【０２２０】図１に、本発明の一実施例によるスキャニ
ングマーキング用のＱスイッチ型ＹＡＧレーザ加工装置
の要部の構成を示す。
ングマーキング用のＱスイッチ型ＹＡＧレーザ加工装置
の要部の構成を示す。
【０２３０】このＹＡＧレーザ加工装置において、ＹＡ
Ｇロッド１０、励起ランプ１２、出力ミラー１４、全反
射ミラー１６およびＱスイッチ１８は、図１２に示した
ものと同様のＹＡＧレーザ共振器（発振器）１９を構成
する。
Ｇロッド１０、励起ランプ１２、出力ミラー１４、全反
射ミラー１６およびＱスイッチ１８は、図１２に示した
ものと同様のＹＡＧレーザ共振器（発振器）１９を構成
する。
【０２４０】励起ランプ１２は、電源回路２０より直流
ランプ電流の供給を受けて連続発光する。ＹＡＧロッド
１０は、励起ランプ１２より照射された光で励起され、
その両端面より軸方向に光を出射する。Ｑスイッチ１８
において高周波電気信号ＥＳの印加が止められると、Ｙ
ＡＧロッド１０の両端面より出た光は、Ｑスイッチ１８
を通って出力ミラー１４と全反射ミラー１６との間で反
射を繰り返して共振増幅ののちＱスイッチパルスレーザ
光ＬＢQ として出力ミラー１４を軸方向に抜け出る。出
力ミラー１４より出射されたＱスイッチパルスレーザ光
ＬＢQ は、ミラーまたは光ファイバ等の伝送光学系（図
示せず）を通ってスキャニングユニット２２へ送られ
る。
ランプ電流の供給を受けて連続発光する。ＹＡＧロッド
１０は、励起ランプ１２より照射された光で励起され、
その両端面より軸方向に光を出射する。Ｑスイッチ１８
において高周波電気信号ＥＳの印加が止められると、Ｙ
ＡＧロッド１０の両端面より出た光は、Ｑスイッチ１８
を通って出力ミラー１４と全反射ミラー１６との間で反
射を繰り返して共振増幅ののちＱスイッチパルスレーザ
光ＬＢQ として出力ミラー１４を軸方向に抜け出る。出
力ミラー１４より出射されたＱスイッチパルスレーザ光
ＬＢQ は、ミラーまたは光ファイバ等の伝送光学系（図
示せず）を通ってスキャニングユニット２２へ送られ
る。
【０２５０】スキャニングユニット２２は、Ｑスイッチ
パルスレーザ光ＬＢQ のビームスポットを被加工材Ｗ上
で所望の描画パターンでスキャニングするための光学ス
キャニング機構およびスキャング駆動回路等を内蔵して
いる。
パルスレーザ光ＬＢQ のビームスポットを被加工材Ｗ上
で所望の描画パターンでスキャニングするための光学ス
キャニング機構およびスキャング駆動回路等を内蔵して
いる。
【０２６０】Ｑスイッチ１８は、図１１に示したものと
同様の構成および機能を有する音響光学Ｑスイッチでよ
い。したがって、このＱスイッチ１８は、Ｑスイッチ制
御部２４の制御の下でＱスイッチ・ドライバ２６より高
周波電気信号ＥＳを供給されている間はＹＡＧロッド１
０からの入射光ＬＢi を音響光学効果により回折させて
（Ｑ値を下げて）共振器内の反転分布を蓄積増大させて
おき、高周波電気信号ＥＳの供給を断たれると入射光Ｌ
Ｂi を直進させて（Ｑ値を戻して）Ｑスイッチパルスレ
ーザ光ＬＢQ を発振出力させるように機能する。
同様の構成および機能を有する音響光学Ｑスイッチでよ
い。したがって、このＱスイッチ１８は、Ｑスイッチ制
御部２４の制御の下でＱスイッチ・ドライバ２６より高
周波電気信号ＥＳを供給されている間はＹＡＧロッド１
０からの入射光ＬＢi を音響光学効果により回折させて
（Ｑ値を下げて）共振器内の反転分布を蓄積増大させて
おき、高周波電気信号ＥＳの供給を断たれると入射光Ｌ
Ｂi を直進させて（Ｑ値を戻して）Ｑスイッチパルスレ
ーザ光ＬＢQ を発振出力させるように機能する。
【０２７０】主制御部２８はマイクロコンピュータから
なり、内蔵のメモリに蓄積されている所要のプログラム
および設定部３０より設定入力された各種設定値にした
がって、電源回路２０、スキャニングユニット２２およ
びＱスイッチ制御部２４等の動作を制御する。
なり、内蔵のメモリに蓄積されている所要のプログラム
および設定部３０より設定入力された各種設定値にした
がって、電源回路２０、スキャニングユニット２２およ
びＱスイッチ制御部２４等の動作を制御する。
【０２８０】図２に、本実施例におけるＱスイッチ制御
部２４の回路構成を示す。このＱスイッチ制御部２４
は、パルス発生器３２、パルス整形回路３４、変調パル
ス生成回路３６、高周波発振器３８および変調回路４０
で構成されている。
部２４の回路構成を示す。このＱスイッチ制御部２４
は、パルス発生器３２、パルス整形回路３４、変調パル
ス生成回路３６、高周波発振器３８および変調回路４０
で構成されている。
【０２９０】パルス発生器３２は、たとえばＶ−Ｆ（電
圧−周波数）コンバータからなり、主制御部２８からの
周波数制御電圧ＶS を入力し、この制御電圧ＶS の電圧
レベルに比例した繰り返し周波数でパルス信号ＳＰを発
生する。
圧−周波数）コンバータからなり、主制御部２８からの
周波数制御電圧ＶS を入力し、この制御電圧ＶS の電圧
レベルに比例した繰り返し周波数でパルス信号ＳＰを発
生する。
【０３００】図３に模式的に示すように、パルス発生器
３２より発生されるパルス信号ＳＰにおいては、そのパ
ルス幅ＴSPが繰り返し周波数に反比例して変化する。す
なわち、繰り返し周波数が低いほどパルス幅ＴSPが大き
く、繰り返し周波数が高くなるほどパルス幅ＴSPが小さ
くなる。
３２より発生されるパルス信号ＳＰにおいては、そのパ
ルス幅ＴSPが繰り返し周波数に反比例して変化する。す
なわち、繰り返し周波数が低いほどパルス幅ＴSPが大き
く、繰り返し周波数が高くなるほどパルス幅ＴSPが小さ
くなる。
【０３１０】パルス整形回路３４はたとえばワンショッ
ト・マルチバイブレータからなり、パルス発生器３２か
らのパルス信号ＳＰを入力し、図３に示すようにパルス
信号ＳＰの立ち上がりエッジに応動して一定のパルス幅
ＴW を有するパルス信号ＣＰを出力する。
ト・マルチバイブレータからなり、パルス発生器３２か
らのパルス信号ＳＰを入力し、図３に示すようにパルス
信号ＳＰの立ち上がりエッジに応動して一定のパルス幅
ＴW を有するパルス信号ＣＰを出力する。
【０３２０】本実施例では、パルス発生器３２およびパ
ルス整形回路３４が基準パルス信号生成手段を構成し、
パルス整形回路３４より出力される一定パルス幅のパル
ス信号ＣＰが基準パルスとなる。
ルス整形回路３４が基準パルス信号生成手段を構成し、
パルス整形回路３４より出力される一定パルス幅のパル
ス信号ＣＰが基準パルスとなる。
【０３３０】なお、図３では、本実施例における基準パ
ルス信号生成手段の機能を説明するうえでパルス発生器
３２に対する周波数制御電圧ＶS のレベルを時間的に単
調増加させているが、実際の応用ではＱスイッチパルス
レーザ光ＬＢQ の繰り返し周波数の設定値に対応した電
圧レベルに周波数制御電圧ＶS を選ぶ。
ルス信号生成手段の機能を説明するうえでパルス発生器
３２に対する周波数制御電圧ＶS のレベルを時間的に単
調増加させているが、実際の応用ではＱスイッチパルス
レーザ光ＬＢQ の繰り返し周波数の設定値に対応した電
圧レベルに周波数制御電圧ＶS を選ぶ。
【０３４０】変調パルス生成回路３６は、パルス整形回
路３４からのパルス信号ＣＰを入力し、図３に模式的に
示すようにパルス信号ＣＰに同期し、かつ個々のパルス
について立ち上がり部の勾配（速度）を可変制御できる
変調用のパルス信号ＭＰを生成する。変調パルス生成回
路３６は本実施例の主たる特徴をなす部分であり、その
構成および作用については後に詳述する。
路３４からのパルス信号ＣＰを入力し、図３に模式的に
示すようにパルス信号ＣＰに同期し、かつ個々のパルス
について立ち上がり部の勾配（速度）を可変制御できる
変調用のパルス信号ＭＰを生成する。変調パルス生成回
路３６は本実施例の主たる特徴をなす部分であり、その
構成および作用については後に詳述する。
【０３５０】変調回路４０は、変調パルス生成回路３６
からの変調用パルス信号ＭＰを入力するとともに、高周
波発振器３８よりたとえば２４ＭＨｚ、５０Ｗで連続的
に出力される高周波電気信号ＥＳ0 を搬送波として入力
し、図１３および図１４に示したものと同様の仕方で高
周波電気信号ＥＳ0 をパルス信号ＭＰで変調して、Ｑス
イッチング用の高周波電気信号ＥＳを生成する。
からの変調用パルス信号ＭＰを入力するとともに、高周
波発振器３８よりたとえば２４ＭＨｚ、５０Ｗで連続的
に出力される高周波電気信号ＥＳ0 を搬送波として入力
し、図１３および図１４に示したものと同様の仕方で高
周波電気信号ＥＳ0 をパルス信号ＭＰで変調して、Ｑス
イッチング用の高周波電気信号ＥＳを生成する。
【０３６０】これら３つの信号ＭＰ，ＥＳ0 ，ＥＳの間
には次のような関係がある。すなわち、ＭＰがＬレベル
になっている間はＥＳがオン（出力）期間となってＥＳ
0 がそのままＥＳとして出力され、ＭＰがＨレベルにな
っている間はＥＳがオフ（中断）期間となってＥＳ0 が
遮断されＥＳの振幅は零レベルとなる。そして、ＭＰが
ＬレベルからＨレベルに立ち上がり、これに応動してＥ
Ｓがオン期間からオフ期間に切り替わる際には、ＭＰの
立ち上がり速度の大きさ、つまりアップスロープ勾配に
比例した減衰率でＥＳの振幅が減衰する。
には次のような関係がある。すなわち、ＭＰがＬレベル
になっている間はＥＳがオン（出力）期間となってＥＳ
0 がそのままＥＳとして出力され、ＭＰがＨレベルにな
っている間はＥＳがオフ（中断）期間となってＥＳ0 が
遮断されＥＳの振幅は零レベルとなる。そして、ＭＰが
ＬレベルからＨレベルに立ち上がり、これに応動してＥ
Ｓがオン期間からオフ期間に切り替わる際には、ＭＰの
立ち上がり速度の大きさ、つまりアップスロープ勾配に
比例した減衰率でＥＳの振幅が減衰する。
【０３７０】Ｑスイッチ・ドライバ２６は、図１１に示
すものと同様の構成および機能を有するパワーアンプ型
の駆動回路でよく、変調回路４０からの高周波電気信号
ＥＳを電力増幅してＱスイッチ１８に供給する。
すものと同様の構成および機能を有するパワーアンプ型
の駆動回路でよく、変調回路４０からの高周波電気信号
ＥＳを電力増幅してＱスイッチ１８に供給する。
【０３８０】図４に、第１の実施例における変調パルス
生成回路３６の回路構成を示す。
生成回路３６の回路構成を示す。
【０３９０】この変調パルス生成回路３６において、そ
れぞれのベース端子を互いに共通接続された一対のＰＮ
Ｐ型トランジスタ４２，４４はカレントミラー回路４６
を構成する。
れぞれのベース端子を互いに共通接続された一対のＰＮ
Ｐ型トランジスタ４２，４４はカレントミラー回路４６
を構成する。
【０４００】両トランジスタ４２，４４のエミッタ端子
は互いに共通接続され、ＮＰＮ型トランジスタ４８を介
してたとえば＋５Ｖの電源電圧ＶB （第１の電源電圧）
の端子に電気的に接続されている。第１のトランジスタ
４２のコレクタ端子は、コンデンサ５０を介してグラン
ド電位（第２の電源電圧）の端子に接続されている。第
２のトランジスタ４４のコレクタ端子は、抵抗値可変型
の抵抗回路５２を介してグランド電位の端子に接続され
ている。
は互いに共通接続され、ＮＰＮ型トランジスタ４８を介
してたとえば＋５Ｖの電源電圧ＶB （第１の電源電圧）
の端子に電気的に接続されている。第１のトランジスタ
４２のコレクタ端子は、コンデンサ５０を介してグラン
ド電位（第２の電源電圧）の端子に接続されている。第
２のトランジスタ４４のコレクタ端子は、抵抗値可変型
の抵抗回路５２を介してグランド電位の端子に接続され
ている。
【０４１０】抵抗回路５２は抵抗値選択部５３に電気
的、光学的または機械的に接続されており、主制御部２
８からの抵抗値選択信号ＲＳに応じて抵抗値選択手段５
３が抵抗回路５２の抵抗値ＲF を所望の値に選択または
切換するようになっている。
的、光学的または機械的に接続されており、主制御部２
８からの抵抗値選択信号ＲＳに応じて抵抗値選択手段５
３が抵抗回路５２の抵抗値ＲF を所望の値に選択または
切換するようになっている。
【０４２０】両トランジスタ４２，４４の共通接続され
たベース端子は、第２のトランジスタ４４のコレクタ端
子に接続されるとともに、コンデンサ５４を介してトラ
ンジスタ４８のエミッタ端子に接続されている。
たベース端子は、第２のトランジスタ４４のコレクタ端
子に接続されるとともに、コンデンサ５４を介してトラ
ンジスタ４８のエミッタ端子に接続されている。
【０４３０】トランジスタ４８は、抵抗５６を介してパ
ルス整形回路３４からの基準パルスＣＰをベース端子に
入力し、基準パルスＣＰがＨレベルになっている間だけ
導通するスイッチである。トランジスタ４８が導通する
と、このトランジスタを介して電源電圧ＶB がカレント
ミラー回路４６に供給されるようになっている。
ルス整形回路３４からの基準パルスＣＰをベース端子に
入力し、基準パルスＣＰがＨレベルになっている間だけ
導通するスイッチである。トランジスタ４８が導通する
と、このトランジスタを介して電源電圧ＶB がカレント
ミラー回路４６に供給されるようになっている。
【０４４０】コンデンサ５０には、ダイオード５８およ
び抵抗６０からなる放電回路６１が閉回路を形成するよ
うに接続されている。より詳細には、ダイオード５８の
アノード端子がコンデンサ５０のグランド側とは反対の
端子５０ａに接続され、カソード端子がトランジスタ４
８のエミッタ端子に接続されるとともに抵抗６０を介し
てコンデンサ５０のグランド側端子５０ｂに接続されて
いる。
び抵抗６０からなる放電回路６１が閉回路を形成するよ
うに接続されている。より詳細には、ダイオード５８の
アノード端子がコンデンサ５０のグランド側とは反対の
端子５０ａに接続され、カソード端子がトランジスタ４
８のエミッタ端子に接続されるとともに抵抗６０を介し
てコンデンサ５０のグランド側端子５０ｂに接続されて
いる。
【０４５０】コンデンサ５０の端子５０ａは、抵抗６２
を介してＮＰＮ型トランジスタ６４のベース端子にも接
続されている。このトランジスタ６４はＮＰＮ型トラン
ジスタ６６とダーリントン接続されており、両トランジ
スタ６４，６６とバイアス抵抗６８，７０および負荷抵
抗７２とによってパルス信号出力回路７４が構成されて
いる。
を介してＮＰＮ型トランジスタ６４のベース端子にも接
続されている。このトランジスタ６４はＮＰＮ型トラン
ジスタ６６とダーリントン接続されており、両トランジ
スタ６４，６６とバイアス抵抗６８，７０および負荷抵
抗７２とによってパルス信号出力回路７４が構成されて
いる。
【０４６０】次に、図５および図６を参照して上記構成
の変調パルス生成回路３６の作用を説明する。
の変調パルス生成回路３６の作用を説明する。
【０４７０】パルス整形回路３４より与えられる基準パ
ルスＣＰがＬレベルになっている間は、トランジスタ・
スイッチ４８がオフ（遮断）状態にあり、カレントミラ
ー回路４６に電流は流れない。コンデンサ５０には充電
電荷がほとんどなく、その電圧（端子５０ａの電位）Ｖ
c はほぼ０Ｖ（Ｌレベル）にある。パルス信号出力回路
７４においては、両増幅トランジスタ６４，６６がそれ
ぞれオフ状態であり、トランジスタ６６のエミッタ端子
より得られる変調用の出力パルス信号ＭＰはほぼ０Ｖ
（Ｌレベル）になっている。
ルスＣＰがＬレベルになっている間は、トランジスタ・
スイッチ４８がオフ（遮断）状態にあり、カレントミラ
ー回路４６に電流は流れない。コンデンサ５０には充電
電荷がほとんどなく、その電圧（端子５０ａの電位）Ｖ
c はほぼ０Ｖ（Ｌレベル）にある。パルス信号出力回路
７４においては、両増幅トランジスタ６４，６６がそれ
ぞれオフ状態であり、トランジスタ６６のエミッタ端子
より得られる変調用の出力パルス信号ＭＰはほぼ０Ｖ
（Ｌレベル）になっている。
【０４８０】基準パルスＣＰがＬレベルからＨレベルに
変化すると、トランジスタ・スイッチ４８がオン（導
通）する。この基準パルスＣＰのＬレベルからＨレベル
への変化（立ち上がり）は、本実施例で制御対象となっ
ている変調用パルス信号ＭＰのＬレベルからＨレベルへ
の立ち上がり（アップスロープ部）の勾配からみれば、
ほとんど常時直角（９０゜）の勾配で瞬時に移行すると
みてよい。
変化すると、トランジスタ・スイッチ４８がオン（導
通）する。この基準パルスＣＰのＬレベルからＨレベル
への変化（立ち上がり）は、本実施例で制御対象となっ
ている変調用パルス信号ＭＰのＬレベルからＨレベルへ
の立ち上がり（アップスロープ部）の勾配からみれば、
ほとんど常時直角（９０゜）の勾配で瞬時に移行すると
みてよい。
【０４９０】トランジスタ・スイッチ４８がオンする
と、電源電圧ＶB がトランジスタ４８を介してカレント
ミラー回路４６に供給され、両トランジスタ４２，４４
が同時にオンし、それぞれコレクタ電流Ｉ1 ，Ｉ2 が流
れ始める。この際、コンデンサ５４は、トランジスタ４
８のオン直後に両トランジスタ４２，４４のエミッタ・
ベース間に電圧を印加し、両トランジスタ４２，４４の
オンを早める（促進する）ように作用する。
と、電源電圧ＶB がトランジスタ４８を介してカレント
ミラー回路４６に供給され、両トランジスタ４２，４４
が同時にオンし、それぞれコレクタ電流Ｉ1 ，Ｉ2 が流
れ始める。この際、コンデンサ５４は、トランジスタ４
８のオン直後に両トランジスタ４２，４４のエミッタ・
ベース間に電圧を印加し、両トランジスタ４２，４４の
オンを早める（促進する）ように作用する。
【０５００】トランジスタ４４がオンすることによっ
て、このトランジスタ４４と抵抗回路５２とを通ってグ
ランド電位へと至る電流パスに電流Ｉ2 が流れる。図５
に示すように、抵抗回路５２の抵抗値ＲF とこの電流Ｉ
2 との間には一定の逆比例関係がある。主制御部２８
は、この抵抗−電流特性に基づき電流Ｉ2 が所望の電流
値で流れるよう抵抗値選択部５３を介して抵抗回路５２
の抵抗値ＲF を予め所定の値に選択している。
て、このトランジスタ４４と抵抗回路５２とを通ってグ
ランド電位へと至る電流パスに電流Ｉ2 が流れる。図５
に示すように、抵抗回路５２の抵抗値ＲF とこの電流Ｉ
2 との間には一定の逆比例関係がある。主制御部２８
は、この抵抗−電流特性に基づき電流Ｉ2 が所望の電流
値で流れるよう抵抗値選択部５３を介して抵抗回路５２
の抵抗値ＲF を予め所定の値に選択している。
【０５１０】このようにしてトランジスタ４４側の電流
パスで電流Ｉ2 が所望の電流値で流れると、カレントミ
ラー効果によりトランジスタ４２側の電流パスでも電流
Ｉ2と等しい電流値で電流Ｉ1 が流れる。そして、この
電流Ｉ1 のほとんどがコンデンサ５０に供給される。電
流Ｉ1 のうちパルス信号出力回路７４のトランジスタ６
４のベース端子に流れる分は相対的に非常に小さく、無
視できる。
パスで電流Ｉ2 が所望の電流値で流れると、カレントミ
ラー効果によりトランジスタ４２側の電流パスでも電流
Ｉ2と等しい電流値で電流Ｉ1 が流れる。そして、この
電流Ｉ1 のほとんどがコンデンサ５０に供給される。電
流Ｉ1 のうちパルス信号出力回路７４のトランジスタ６
４のベース端子に流れる分は相対的に非常に小さく、無
視できる。
【０５２０】これにより、コンデンサ５０はほぼ一定の
電流Ｉ1 で充電され、その電圧ＶCが次式（１）にした
がってほぼ直線的に上昇する。 ＶC ＝Ｉ1 ・ｔ／Ｃ ………（１）
電流Ｉ1 で充電され、その電圧ＶCが次式（１）にした
がってほぼ直線的に上昇する。 ＶC ＝Ｉ1 ・ｔ／Ｃ ………（１）
【０５３０】ここで、Ｃはコンデンサ５０の容量（ファ
ラド）であり、ｔはスイッチ・トランジスタ４８がオン
してからの経過時間（秒）である。
ラド）であり、ｔはスイッチ・トランジスタ４８がオン
してからの経過時間（秒）である。
【０５４０】そして、コンデンサ５０の電圧ＶC が電源
電圧ＶB 近くの所定レベルに達すると、放電回路６１に
おいてダイオード５８が導通し、コンデンサ５０から溢
れた電荷がダイオード５８および抵抗６０を通ってグラ
ンドへ放電される。この放電電荷量と電流Ｉ1 による充
電量とが平衡すると、コンデンサ５０の電圧ＶC は平坦
なレベル（Ｈレベル）となる。
電圧ＶB 近くの所定レベルに達すると、放電回路６１に
おいてダイオード５８が導通し、コンデンサ５０から溢
れた電荷がダイオード５８および抵抗６０を通ってグラ
ンドへ放電される。この放電電荷量と電流Ｉ1 による充
電量とが平衡すると、コンデンサ５０の電圧ＶC は平坦
なレベル（Ｈレベル）となる。
【０５５０】パルス信号出力回路７４は、コンデンサ５
０の電圧ＶC を抵抗６２を介して入力し、両トランジス
タ６４，６６で増幅して、電圧ＶC と相似な波形の出力
電圧をパルス信号ＭＰとして出力する。
０の電圧ＶC を抵抗６２を介して入力し、両トランジス
タ６４，６６で増幅して、電圧ＶC と相似な波形の出力
電圧をパルス信号ＭＰとして出力する。
【０５６０】その後、入力側で基準パルスＣＰがＨレベ
ルからＬレベルに変化すると、トランジスタ・スイッチ
４８がオフ状態に変わり、電源電圧ＶB の端子とカレン
トミラー回路４６とを遮断する。これにより、カレント
ミラー回路４６では、両トランジスタ４２，４４の双方
で電流Ｉ1 ，Ｉ2 が止まる。
ルからＬレベルに変化すると、トランジスタ・スイッチ
４８がオフ状態に変わり、電源電圧ＶB の端子とカレン
トミラー回路４６とを遮断する。これにより、カレント
ミラー回路４６では、両トランジスタ４２，４４の双方
で電流Ｉ1 ，Ｉ2 が止まる。
【０５７０】すると、コンデンサ５０の充電も止まり、
コンデンサ５０に蓄積されていた電荷は全て放電回路６
１（５８，６０）で一瞬に放電され、コンデンサ電圧Ｖ
C は瞬時にそれまでのＨレベルからＬレベル（０ボル
ト）へ立ち下がる。これに応動して、パルス信号出力回
路７４の出力電圧（パルス信号ＭＰ）もＨレベルからＬ
レベルに急速に立ち下がる。
コンデンサ５０に蓄積されていた電荷は全て放電回路６
１（５８，６０）で一瞬に放電され、コンデンサ電圧Ｖ
C は瞬時にそれまでのＨレベルからＬレベル（０ボル
ト）へ立ち下がる。これに応動して、パルス信号出力回
路７４の出力電圧（パルス信号ＭＰ）もＨレベルからＬ
レベルに急速に立ち下がる。
【０５８０】こうして、変調パルス生成回路３６より、
図６に示すように、矩形波形の入力パルス（基準パルス
ＣＰ）に同期し、かつ立ち上がり時のアップスロープ勾
配θを可変制御可能な変調用のパルス信号ＭＰが得られ
る。
図６に示すように、矩形波形の入力パルス（基準パルス
ＣＰ）に同期し、かつ立ち上がり時のアップスロープ勾
配θを可変制御可能な変調用のパルス信号ＭＰが得られ
る。
【０５９０】この変調パルス生成回路３６において、パ
ルス信号ＭＰのアップスロープ勾配θは上式（１）の係
数（Ｉ1 ／Ｃ）で規定され、Ｉ1 がパラメータ（変数）
である。そして、Ｉ1 を可変制御するために、これと等
しいＩ2 を規定する抵抗回路５２の抵抗値ＲF を主制御
部２８が抵抗値選択部５３を介して適当な値に選択する
ように構成されている。
ルス信号ＭＰのアップスロープ勾配θは上式（１）の係
数（Ｉ1 ／Ｃ）で規定され、Ｉ1 がパラメータ（変数）
である。そして、Ｉ1 を可変制御するために、これと等
しいＩ2 を規定する抵抗回路５２の抵抗値ＲF を主制御
部２８が抵抗値選択部５３を介して適当な値に選択する
ように構成されている。
【０６００】図５および図６に示すように、抵抗回路５
２の抵抗値ＲF を比較的小さな値Ｒa に選ぶことでアッ
プスロープ勾配θを比較的大きな値θa とし、抵抗値Ｒ
F を比較的大きな値Ｒb に選ぶことでアップスロープ勾
配θを比較的小さな値θb とすることができる。
２の抵抗値ＲF を比較的小さな値Ｒa に選ぶことでアッ
プスロープ勾配θを比較的大きな値θa とし、抵抗値Ｒ
F を比較的大きな値Ｒb に選ぶことでアップスロープ勾
配θを比較的小さな値θb とすることができる。
【０６１０】上記したように、本実施例の変調パルス生
成回路３６にはカレントミラー回路４６が設けられ、こ
のカレントミラー回路４６を構成する一対のトランジス
タ４２，４４のうち第１のトランジスタ４２側の電流パ
スにはコンデンサ５０が接続されるとともに、第２のト
ランジスタ４４側の電流パスには抵抗値可変型の抵抗回
路５２が接続される。また、カレントミラー回路４６を
基準パルスＣＰのパルス時間中だけ動作させるためのト
ランジスタ４８からなるスイッチ手段も設けられてい
る。
成回路３６にはカレントミラー回路４６が設けられ、こ
のカレントミラー回路４６を構成する一対のトランジス
タ４２，４４のうち第１のトランジスタ４２側の電流パ
スにはコンデンサ５０が接続されるとともに、第２のト
ランジスタ４４側の電流パスには抵抗値可変型の抵抗回
路５２が接続される。また、カレントミラー回路４６を
基準パルスＣＰのパルス時間中だけ動作させるためのト
ランジスタ４８からなるスイッチ手段も設けられてい
る。
【０６２０】そして、抵抗回路５２の抵抗値ＲF が抵抗
値選択部５３を介して主制御部２８により適当な値に選
択されることで、基準パルスＣＰのパルス時間中に第２
のトランジスタ４４側の電流パスに流れる電流Ｉ2 ひい
てはカレントミラー効果でこれと等しい大きさで第１の
トランジスタ４２側の電流パスに流れる電流Ｉ1 が所望
の電流値に選択され、コンデンサ５０の充電電圧の立ち
上がりの勾配（速度）が所望の大きさに制御されるよう
になっている。
値選択部５３を介して主制御部２８により適当な値に選
択されることで、基準パルスＣＰのパルス時間中に第２
のトランジスタ４４側の電流パスに流れる電流Ｉ2 ひい
てはカレントミラー効果でこれと等しい大きさで第１の
トランジスタ４２側の電流パスに流れる電流Ｉ1 が所望
の電流値に選択され、コンデンサ５０の充電電圧の立ち
上がりの勾配（速度）が所望の大きさに制御されるよう
になっている。
【０６３０】コンデンサ５０の電圧ＶC は、ダイオード
５８および抵抗６０からなる放電回路６１によって基準
パルスＣＰに同期したパルス波形となる。そして、コン
デンサ５０の電圧ＶC は、パルス信号出力回路７４によ
って増幅され、変調用のパルス信号ＭＰとして出力され
る。
５８および抵抗６０からなる放電回路６１によって基準
パルスＣＰに同期したパルス波形となる。そして、コン
デンサ５０の電圧ＶC は、パルス信号出力回路７４によ
って増幅され、変調用のパルス信号ＭＰとして出力され
る。
【０６４０】このように、本実施例では、カレントミラ
ー回路４６における安定な電流Ｉ1（Ｉ2 ）をパラメー
タとして変調用パルス信号ＭＰの立ち上がり時のアップ
スロープ勾配を制御するようにしたので、安定かつ高精
度な制御が可能であり、Ｑスイッチパルスレーザ光の尖
頭値を設定通りに制御することが可能である。
ー回路４６における安定な電流Ｉ1（Ｉ2 ）をパラメー
タとして変調用パルス信号ＭＰの立ち上がり時のアップ
スロープ勾配を制御するようにしたので、安定かつ高精
度な制御が可能であり、Ｑスイッチパルスレーザ光の尖
頭値を設定通りに制御することが可能である。
【０６５０】図７に、本実施例における抵抗回路５２お
よび抵抗値選択部５３の具体的な回路構成例を示す。こ
の例では、抵抗回路５２が直列接続された３つの抵抗７
４，７６，７８で構成され、抵抗値選択部５３が抵抗７
６，７８にそれぞれ並列接続されたアナログスイッチ８
０，８２で構成されている。
よび抵抗値選択部５３の具体的な回路構成例を示す。こ
の例では、抵抗回路５２が直列接続された３つの抵抗７
４，７６，７８で構成され、抵抗値選択部５３が抵抗７
６，７８にそれぞれ並列接続されたアナログスイッチ８
０，８２で構成されている。
【０６６０】アナログスイッチ８０，８２は、主制御部
２８からの抵抗値選択信号ＲＳ1 ，ＲＳ2 によってそれ
ぞれオン・オフ制御される。抵抗７４，７６，７８のそ
れぞれの抵抗値をＲ74，Ｒ76，Ｒ78とすると、スイッチ
８０，８２の双方をオフ状態にしたとき、抵抗回路５２
の抵抗値Ｒ53は（Ｒ74＋Ｒ76＋Ｒ78）で与えられる。ス
イッチ８０をオン、スイッチ８２をオフにすると、抵抗
回路５２の抵抗値Ｒ53は（Ｒ74＋Ｒ78）となる。スイッ
チ８０をオフ、スイッチ８２をオンにすると、全抵抗値
Ｒ53は（Ｒ74＋Ｒ76）となる。両スイッチ８０，８２の
双方をオンにすると、全抵抗値Ｒ53はＲ74となる。
２８からの抵抗値選択信号ＲＳ1 ，ＲＳ2 によってそれ
ぞれオン・オフ制御される。抵抗７４，７６，７８のそ
れぞれの抵抗値をＲ74，Ｒ76，Ｒ78とすると、スイッチ
８０，８２の双方をオフ状態にしたとき、抵抗回路５２
の抵抗値Ｒ53は（Ｒ74＋Ｒ76＋Ｒ78）で与えられる。ス
イッチ８０をオン、スイッチ８２をオフにすると、抵抗
回路５２の抵抗値Ｒ53は（Ｒ74＋Ｒ78）となる。スイッ
チ８０をオフ、スイッチ８２をオンにすると、全抵抗値
Ｒ53は（Ｒ74＋Ｒ76）となる。両スイッチ８０，８２の
双方をオンにすると、全抵抗値Ｒ53はＲ74となる。
【０６７０】このように、この構成例では、抵抗回路５
２の抵抗値Ｒ53を４通りの値（Ｒ74＋Ｒ76＋Ｒ78）、
（Ｒ74＋Ｒ76）、（Ｒ74＋Ｒ78）、Ｒ74に選択すること
が可能であり、したがって変調用パルス信号ＭＰの立ち
上がり時のアップスロープ勾配またはＱスイッチパルス
レーザ光の尖頭値を４通りの値に可変制御することがで
きる。
２の抵抗値Ｒ53を４通りの値（Ｒ74＋Ｒ76＋Ｒ78）、
（Ｒ74＋Ｒ76）、（Ｒ74＋Ｒ78）、Ｒ74に選択すること
が可能であり、したがって変調用パルス信号ＭＰの立ち
上がり時のアップスロープ勾配またはＱスイッチパルス
レーザ光の尖頭値を４通りの値に可変制御することがで
きる。
【０６８０】一般に、レーザマーキング加工では、図１
３に示したようにレーザ発振開始または再開直後の最初
の１発ないし数発のＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ が
定常時のものよりも異常に高くなるのが問題とされてい
る。すなわち、マーキング始点付近のドットが後続の描
画点のドットよりも異常に大きく形成されるという問題
である。
３に示したようにレーザ発振開始または再開直後の最初
の１発ないし数発のＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ が
定常時のものよりも異常に高くなるのが問題とされてい
る。すなわち、マーキング始点付近のドットが後続の描
画点のドットよりも異常に大きく形成されるという問題
である。
【０６９０】このような問題に対処するには、最初の１
発ないし数発のＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ に対応
する変調用パルス信号ＭＰのアップスロープ勾配θだけ
を比較的小さな値にすればよく、定常時のＱスイッチパ
ルスレーザ光ＬＢQ に対応する変調用パルス信号ＭＰの
アップスロープ勾配θは一定の値としてよい。したがっ
て、アップスロープ勾配θを４通りの値で選択できる機
能があれば十分に対応できる。その意味で、図７の例は
回路構成が簡単で実用性に優れている。
発ないし数発のＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ に対応
する変調用パルス信号ＭＰのアップスロープ勾配θだけ
を比較的小さな値にすればよく、定常時のＱスイッチパ
ルスレーザ光ＬＢQ に対応する変調用パルス信号ＭＰの
アップスロープ勾配θは一定の値としてよい。したがっ
て、アップスロープ勾配θを４通りの値で選択できる機
能があれば十分に対応できる。その意味で、図７の例は
回路構成が簡単で実用性に優れている。
【０７００】もっとも、抵抗回路５２をより複雑な抵抗
回路網たとえばラダー抵抗回路網や重み抵抗回路網で構
成し、該抵抗回路網内の所要の分岐部に抵抗値選択部５
３のスイッチ素子を設ける構成によって、抵抗回路５２
の抵抗値ＲF の分解能ひいては変調用パルス信号ＭＰの
アップスロープ勾配θの分解能を高くすることができ
る。
回路網たとえばラダー抵抗回路網や重み抵抗回路網で構
成し、該抵抗回路網内の所要の分岐部に抵抗値選択部５
３のスイッチ素子を設ける構成によって、抵抗回路５２
の抵抗値ＲF の分解能ひいては変調用パルス信号ＭＰの
アップスロープ勾配θの分解能を高くすることができ
る。
【０７１０】また、抵抗回路５２を光の照射強度によっ
て抵抗値が変化するような抵抗素子たとえばＣｄＳ素子
で構成するとともに、抵抗値選択部５３を該ＣｄＳ素子
に光を照射するための発光素子たとえばＬＥＤとこのＬ
ＥＤに可変制御可能な駆動電流を供給するための可変電
流源とで構成することによって、抵抗回路５２の抵抗値
ＲF ひいては変調用パルス信号ＭＰのアップスロープ勾
配θを連続的に可変制御することもできる。
て抵抗値が変化するような抵抗素子たとえばＣｄＳ素子
で構成するとともに、抵抗値選択部５３を該ＣｄＳ素子
に光を照射するための発光素子たとえばＬＥＤとこのＬ
ＥＤに可変制御可能な駆動電流を供給するための可変電
流源とで構成することによって、抵抗回路５２の抵抗値
ＲF ひいては変調用パルス信号ＭＰのアップスロープ勾
配θを連続的に可変制御することもできる。
【０７２０】図８に、別の実施例による変調パルス生成
回路３６の回路構成を示す。図中、図４のものと同様の
構成・機能を有する部分には同一の符号を付している。
回路３６の回路構成を示す。図中、図４のものと同様の
構成・機能を有する部分には同一の符号を付している。
【０７３０】この第２の実施例では、図４の回路構成に
おいて、抵抗値可変型の抵抗回路５２を電流値可変型の
定電流源８４で置き換えるとともに、抵抗値選択部５３
に代えて定電流源８４の電流値ＩF を適宜選択するため
の電流値選択部８６を設けている。
おいて、抵抗値可変型の抵抗回路５２を電流値可変型の
定電流源８４で置き換えるとともに、抵抗値選択部５３
に代えて定電流源８４の電流値ＩF を適宜選択するため
の電流値選択部８６を設けている。
【０７４０】この第２の実施例による変調パルス生成回
路３６において、スイッチ・トランジスタ４８がオフ状
態の間は、カレントミラー回路４６の両トランジスタ４
２，４４もオフ状態にあるため、定電流源８４も非アク
ティブ状態にあり、電流ＩFを流さない。
路３６において、スイッチ・トランジスタ４８がオフ状
態の間は、カレントミラー回路４６の両トランジスタ４
２，４４もオフ状態にあるため、定電流源８４も非アク
ティブ状態にあり、電流ＩFを流さない。
【０７５０】基準パルスＣＰに応動してスイッチ・トラ
ンジスタ４８がオンし、カレントミラー回路４６の両ト
ランジスタ４２，４４もオンすると、定電流源８４がア
クティブ状態に変わり、所定の定電流ＩF を流す。
ンジスタ４８がオンし、カレントミラー回路４６の両ト
ランジスタ４２，４４もオンすると、定電流源８４がア
クティブ状態に変わり、所定の定電流ＩF を流す。
【０７６０】これにより、カレントミラー回路４６にお
いて、第２のトランジスタ４４側の電流パスには定電流
ＩF と同じ電流Ｉ2 が流れ、カレントミラー効果により
第１のトランジスタ４２側の電流パスでも定電流ＩF
（Ｉ2 ）に等しい電流Ｉ1 が流れる。その他の作用は図
４の実施例と同様である。
いて、第２のトランジスタ４４側の電流パスには定電流
ＩF と同じ電流Ｉ2 が流れ、カレントミラー効果により
第１のトランジスタ４２側の電流パスでも定電流ＩF
（Ｉ2 ）に等しい電流Ｉ1 が流れる。その他の作用は図
４の実施例と同様である。
【０７７０】この実施例では、定電流源８４によって、
カレントミラー回路４６で流れる電流Ｉ1 ，Ｉ2 を厳密
に一定に制御し、コンデンサ５０の充電電圧の立ち上が
りの直線性を厳密に一定に制御できるため、より安定か
つ高精度に変調用パルス信号ＭＰのアップスロープ勾配
θひいてはＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ の尖頭値を
可変制御することができる。
カレントミラー回路４６で流れる電流Ｉ1 ，Ｉ2 を厳密
に一定に制御し、コンデンサ５０の充電電圧の立ち上が
りの直線性を厳密に一定に制御できるため、より安定か
つ高精度に変調用パルス信号ＭＰのアップスロープ勾配
θひいてはＱスイッチパルスレーザ光ＬＢQ の尖頭値を
可変制御することができる。
【０７８０】図９に、図８の実施例における定電流源８
４および電流値選択部８６の具体的構成例を示す。
４および電流値選択部８６の具体的構成例を示す。
【０７９０】この構成例は、定電流源８４をそれぞれＩ
／２n ，Ｉ／２n-1 ，…，Ｉ／４，Ｉ／２の重み定電流
値を流すｎ個の重み定電流源８８(n) ，８８(n-1) ，
…，８８(2) ，８８(1) で構成し、電流値選択部８６を
各重み定電流源に１つずつ割り当てられたｎ個の切換ス
イッチ９０(n) ，９０(n-1) ，…，９０(2) ，９０(1)
と各切換スイッチの切換位置を制御するためのレジスタ
９２とで構成している。
／２n ，Ｉ／２n-1 ，…，Ｉ／４，Ｉ／２の重み定電流
値を流すｎ個の重み定電流源８８(n) ，８８(n-1) ，
…，８８(2) ，８８(1) で構成し、電流値選択部８６を
各重み定電流源に１つずつ割り当てられたｎ個の切換ス
イッチ９０(n) ，９０(n-1) ，…，９０(2) ，９０(1)
と各切換スイッチの切換位置を制御するためのレジスタ
９２とで構成している。
【０８００】各切換スイッチ９０(i) の固定端子は各対
応する重み定電流源８８(i) のグランド側と反対側の端
子に接続され、可動端子がレジスタ９２の各対応する出
力端子Ｙ(i) より与えられる切換制御信号に応じて端子
９１もしくは９３のいずれかに接続されるようになって
いる。端子９１は、カレントミラー回路４６の第２のト
ランジスタ４４のエミッタ端子に接続されている。端子
９１には適当な電位（たとえば０ボルト）が与えられ
る。
応する重み定電流源８８(i) のグランド側と反対側の端
子に接続され、可動端子がレジスタ９２の各対応する出
力端子Ｙ(i) より与えられる切換制御信号に応じて端子
９１もしくは９３のいずれかに接続されるようになって
いる。端子９１は、カレントミラー回路４６の第２のト
ランジスタ４４のエミッタ端子に接続されている。端子
９１には適当な電位（たとえば０ボルト）が与えられ
る。
【０８１０】レジスタ９２は、たとえばｎビットのシリ
アル入力／パラレル出力のシフトレジスタで構成され、
主制御部２８からのｎビットの電流値選択データＩＳを
格納し、このデータＩＳの各桁のビットに対応する切換
制御信号Ｙ(i) を各切換スイッチ９０(i) に与える。
アル入力／パラレル出力のシフトレジスタで構成され、
主制御部２８からのｎビットの電流値選択データＩＳを
格納し、このデータＩＳの各桁のビットに対応する切換
制御信号Ｙ(i) を各切換スイッチ９０(i) に与える。
【０８２０】この構成例では、Ｉ／２n の分解能で０
（アンペア）から（２n −１）・Ｉ／２n （アンペア）
まで定電流源８４の電流値ＩF （Ｉ2)つまりコンデンサ
５０の充電電流Ｉ1 を可変調整できる。
（アンペア）から（２n −１）・Ｉ／２n （アンペア）
まで定電流源８４の電流値ＩF （Ｉ2)つまりコンデンサ
５０の充電電流Ｉ1 を可変調整できる。
【０８３０】図１０に、Ｑスイッチパルスレーザ光ＬＢ
Q の尖頭値を各パルス毎に制御するための主制御部２８
の機能的構成を示す。主制御部２８は、パルス発生器３
２、パルス整形回路３４あるいは変調パルス生成回路３
６より出力されるパルスＳＰ（ＣＰ，ＭＰ）をカウンタ
９４で計数することで、次のパルスが何番目のものかを
識別し、その次パルスに対応する電流設定値ＩＳを設定
値記憶部９８に保持されている各種設定値（たとえば尖
頭値の設定値）から演算で求め、求めた電流設定値ＩＳ
をディジタルデータのまま、あるいはアナログ信号に変
換したうえで、電流値選択部８６に与える。
Q の尖頭値を各パルス毎に制御するための主制御部２８
の機能的構成を示す。主制御部２８は、パルス発生器３
２、パルス整形回路３４あるいは変調パルス生成回路３
６より出力されるパルスＳＰ（ＣＰ，ＭＰ）をカウンタ
９４で計数することで、次のパルスが何番目のものかを
識別し、その次パルスに対応する電流設定値ＩＳを設定
値記憶部９８に保持されている各種設定値（たとえば尖
頭値の設定値）から演算で求め、求めた電流設定値ＩＳ
をディジタルデータのまま、あるいはアナログ信号に変
換したうえで、電流値選択部８６に与える。
【０８４０】上記した抵抗値可変方式（図４，図７）で
も、主制御部２８は図１０のような構成を採ることがで
きる。
も、主制御部２８は図１０のような構成を採ることがで
きる。
【０８５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体レー
ザ装置によれば、カレントミラー回路により安定化され
た電流を用いて変調用パルス信号の立ち上げ時のアップ
スロープ勾配を制御するようにしたので、安定かつ高精
度な可変制御が可能であり、Ｑスイッチパルスレーザ光
の尖頭値を設定通りに制御することができる。
ザ装置によれば、カレントミラー回路により安定化され
た電流を用いて変調用パルス信号の立ち上げ時のアップ
スロープ勾配を制御するようにしたので、安定かつ高精
度な可変制御が可能であり、Ｑスイッチパルスレーザ光
の尖頭値を設定通りに制御することができる。
【図１】本発明の一実施例によるスキャニングマーキン
グ用のＱスイッチ型ＹＡＧレーザ加工装置の要部の構成
を示すブロック図である。
グ用のＱスイッチ型ＹＡＧレーザ加工装置の要部の構成
を示すブロック図である。
【図２】実施例におけるＱスイッチ制御部の回路構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図３】実施例のＱスイッチ制御部におけるパルス発生
器、パルス整形回路および変調パルス生成回路の機能を
説明するための各部の信号の波形を示す波形図である。
器、パルス整形回路および変調パルス生成回路の機能を
説明するための各部の信号の波形を示す波形図である。
【図４】第１の実施例における変調パルス生成回路の回
路構成を示す回路図である。
路構成を示す回路図である。
【図５】実施例の抵抗値可変型の抵抗回路における抵抗
値と電流値との関係を示す図である。
値と電流値との関係を示す図である。
【図６】実施例における変調パルス生成回路の作用を説
明するための入力パルスおよび出力パルスの波形を示す
図である。
明するための入力パルスおよび出力パルスの波形を示す
図である。
【図７】第１の実施例における変調パルス生成回路の具
体的な回路構成を示す回路図である。
体的な回路構成を示す回路図である。
【図８】第２の実施例における変調パルス生成回路の回
路構成を示す回路図である。
路構成を示す回路図である。
【図９】第２の実施例における変調パルス生成回路の具
体的な回路構成を示す回路図である。
体的な回路構成を示す回路図である。
【図１０】Ｑスイッチパルスレーザ光の尖頭値を各パル
ス毎に制御するための実施例における主制御部の機能的
構成を示すブロック図である。
ス毎に制御するための実施例における主制御部の機能的
構成を示すブロック図である。
【図１１】音響光学Ｑスイッチの構成を示す図である。
【図１２】ＹＡＧレーザ共振器の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図１３】音響光学Ｑスイッチに供給する高周波電気信
号をパルス信号で変調する方式を説明するための波形図
である。
号をパルス信号で変調する方式を説明するための波形図
である。
【図１４】Ｑスイッチパルスレーザ光の尖頭値を制御す
るために変調用パルス信号の立ち上げ部にアップスロー
プ勾配を与える方式を説明するための波形図である。
るために変調用パルス信号の立ち上げ部にアップスロー
プ勾配を与える方式を説明するための波形図である。
１８ Ｑスイッチ １９ ＹＡＧレーザ共振器（発振器） ２４ Ｑスイッチ制御部 ２８ 主制御部 ４６ カレントミラー回路 ４８ トランジスタ ５０ コンデンサ ５２ 抵抗回路 ５３ 抵抗値選択部 ６１ 放電回路 ７４ パルス信号出力回路 ８４ 定電流源 ８６ 電流値選択部
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ共振器内にＱスイッチを設け、所
望の繰り返し周波数を有するパルス信号で変調されて前
記パルス信号の第１の論理値レベルに応じたオン期間と
前記パルス信号の第２の論理値レベルに応じたオフ期間
とを有する一定周波数の高周波電気信号を前記Ｑスイッ
チに供給し、前記パルス信号の第１の論理値レベルから
第２の論理値レベルへ移行する速度を制御することによ
り、前記レーザ共振器より発振出力されるＱスイッチパ
ルスレーザ光の尖頭値を制御するようにした固体レーザ
装置において、 前記繰り返し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有す
る矩形波形の基準パルスを生成する基準パルス信号生成
手段と、 それぞれの制御端子を互いに共通接続された第１および
第２のトランジスタを有するカレントミラー回路と、 第１の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間
に接続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルス
のパルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレン
トミラー回路に前記第１の電源電圧を供給せしめるスイ
ッチ手段と、 第２の電源電圧の端子と前記第１のトランジスタとの間
に接続されたコンデンサと、 前記第２の電源電圧の端子と前記第２のトランジスタと
の間に接続された抵抗値可変型の抵抗回路と、 前記抵抗回路の抵抗値を所望の値に選択するための抵抗
値選択手段と、 前記コンデンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパ
ルス幅に対応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可
能とし、前記時間の終了後に前記コンデンサを放電させ
る放電手段と、 前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出力する
パルス信号出力手段とを具備することを特徴とする固体
レーザ装置。 - 【請求項２】 レーザ共振器内にＱスイッチを設け、所
望の繰り返し周波数を有するパルス信号で変調されて前
記パルス信号の第１の論理値レベルに応じたオン期間と
前記パルス信号の第２の論理値レベルに応じたオフ期間
とを有する一定周波数の高周波電気信号を前記Ｑスイッ
チに供給し、前記パルス信号の第１の論理値レベルから
第２の論理値レベルへ移行する速度を制御することによ
り、前記レーザ共振器より発振出力されるＱスイッチパ
ルスレーザ光の尖頭値を制御するようにした固体レーザ
装置において、 前記繰り返し周波数を有し、かつ一定のパルス幅を有す
る矩形波形の基準パルスを生成する基準パルス信号生成
手段と、 それぞれの制御端子を互いに共通接続された第１および
第２のトランジスタを有するカレントミラー回路と、 第１の電源電圧の端子と前記カレントミラー回路との間
に接続され、前記基準パルスを入力し、前記基準パルス
のパルス幅に対応する時間の間だけ導通して前記カレン
トミラー回路に前記第１の電源電圧を供給せしめるスイ
ッチ手段と、 第２の電源電圧の端子と前記第１のトランジスタとの間
に接続されたコンデンサと、 前記第２の電源電圧の端子と前記第２のトランジスタと
の間に接続された電流値可変型の定電流源と、 前記定電流源の電流値を所望の値に選択するための電流
値選択手段と、 前記コンデンサと閉回路を形成し、前記基準パルスのパ
ルス幅に対応する時間の間だけ前記コンデンサを充電可
能とし、前記時間の終了後に前記コンデンサを放電させ
る放電手段と、 前記コンデンサの電圧を前記パルス信号として出力する
パルス信号出力手段とを具備することを特徴とする固体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22527298A JP4003994B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22527298A JP4003994B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | 固体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040849A true JP2000040849A (ja) | 2000-02-08 |
| JP4003994B2 JP4003994B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=16826735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22527298A Expired - Fee Related JP4003994B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | 固体レーザ装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4003994B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151777A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Keyence Corp | レーザー発振器およびそのレーザーパルス制御方法 |
| JP2007300093A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | General Electric Co <Ge> | Ｌｓｐのオンザフライエネルギー変更 |
| US9246474B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-01-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Drive circuit for insulated gate switching element |
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|---|---|---|---|---|
| CN103560392B (zh) * | 2013-09-17 | 2016-04-06 | 中北大学 | 一种具有256级灰度线性声光调制器驱动电源 |
-
1998
- 1998-07-24 JP JP22527298A patent/JP4003994B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2002151777A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Keyence Corp | レーザー発振器およびそのレーザーパルス制御方法 |
| JP2007300093A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | General Electric Co <Ge> | Ｌｓｐのオンザフライエネルギー変更 |
| US9246474B2 (en) | 2011-05-11 | 2016-01-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Drive circuit for insulated gate switching element |
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