JP2000029202A - Production of mask - Google Patents

Production of mask

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JP2000029202A
JP2000029202A JP20027998A JP20027998A JP2000029202A JP 2000029202 A JP2000029202 A JP 2000029202A JP 20027998 A JP20027998 A JP 20027998A JP 20027998 A JP20027998 A JP 20027998A JP 2000029202 A JP2000029202 A JP 2000029202A
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Inventor
Kazuya Ota
和哉 太田
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Nikon Corp
株式会社ニコン
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a transfer pattern with high accuracy in a short time by using a second substrate from which a part of an absorbing layer is removed as a reflection type mask.
SOLUTION: In the first step, a master pattern 36 is formed by magnifying the pattern to be formed on a mask, and the master pattern 36 is drawn on a first substrate which transmits UV rays in 100 to 400 nm wavelength region to produce master masks P1 to PN. In the second step, a reflection layer which reflects ultra UV rays and an absorbing layer which absorbs the ultra UV rays are formed on a specified second substrate. In the third step, reduced images of the patterns of the master masks P1 to PN are projected on the second substrate by using a reduction stepper which reduces and projects an image with UV rays of 100 to 400 nm wavelength as exposure beams so as to remove a part of the absorbing layer. The second substrate from which a part of the absorbing layer is removed is used as a reflection type mask.
COPYRIGHT: (C)2000,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体集積回路、撮像素子(CCD等)、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィ技術を用いて製造する際に原版パターンとして使用されるマスクの製造方法に関し、特に軟X線等の極端紫外光(EU BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is, for example, a semiconductor integrated circuit, an imaging device (CCD etc.), is used a liquid crystal display element, or a micro-device, such as a thin film magnetic head as an original pattern when manufacturing using lithography that relates to a method of manufacturing a mask, especially soft X-rays of the extreme ultraviolet light (EU
V光)を露光ビームとして使用する露光装置用のマスクを製造する際に使用して好適なものである。 And it is suitably used for producing a mask for the exposure apparatus that uses a V light) as the exposure beam.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体集積回路等のデバイスを製造する際に、形成すべき回路パターンを例えば4〜5倍程度に拡大した原版パターンが形成されたフォトマスクを使用して、このフォトマスクのパターンを縮小投影光学系を介してウエハ、又はガラスプレート等の被露光基板上に縮小投影する転写方式が用いられている。 In manufacturing a device such as a semiconductor integrated circuit, using a photomask enlarged master pattern is formed a circuit pattern to be formed, for example, about 4 to 5 times, the pattern of the photomask the through reduction projection optical system wafer, or transfer method for reduction projection on a substrate to be exposed of a glass plate or the like is used. このようなフォトマスクのパターンの転写の際に使用されるのが露光装置であり、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光装置で使用されるフォトマスクは、レチクルとも呼ばれている。 Such an exposure apparatus for use in the transfer of the pattern of the photomask, a photomask used in a reduction projection exposure apparatus by a step-and-repeat method is also called a reticle.

【0003】従来、そのようなレチクルは、所定の基板(ブランクス)上に電子ビーム描画装置、又はレーザビーム描画装置を用いて原版パターンを描画することによって製造されていた。 Conventionally, such a reticle, electron beam drawing apparatus on a predetermined substrate (blank), or a laser beam drawing device was manufactured by drawing the original pattern using. 即ち、その基板上にマスク材料(遮光膜)を形成してレジストを塗布した後、電子ビーム描画装置、又はレーザビーム描画装置を用いてその原版パターンが描画される。 That is, after applying a resist to form a mask material (light shielding film) on the substrate, an electron beam lithography system, or the original pattern is drawn using a laser beam drawing apparatus. その後、そのレジストの現像を行って、エッチング処理等を行うことで、そのマスク材料によってその原版パターンが形成されていた。 Thereafter, development is performed of the resist, by performing an etching process or the like, the original pattern has been formed by the masking material. この場合、そのレチクルを使用する縮小投影型の露光装置の縮小倍率を1/β倍とすると、そのレチクルに描画される原版パターンは、デバイスのパターンをβ倍に拡大したパターンでよいため、描画装置による描画誤差は、デバイス上ではほぼ1/β倍に縮小される。 In this case, when 1 / beta fold the reduction ratio of a reduction projection type exposure apparatus using the reticle, the original pattern drawn on the reticle, since good pattern obtained by enlarging the pattern of the device to beta times, drawing writing error by the device is reduced to approximately 1 / beta fold is on the device. 従って、実質的に描画装置による解像力のほぼ1/β倍の解像力でデバイスのパターンを形成できることになる。 Therefore, it is possible to form a pattern of the device in a substantially approximately 1 / beta fold resolution of the resolution by the drawing device.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】上記の如く従来は、レチクルの原版パターンは電子ビーム描画装置、又はレーザビーム描画装置によって描画されていた。 [SUMMARY OF THE INVENTION Conventionally, as described above, the original pattern of the reticle is electron beam lithography system, or have been drawn by a laser beam drawing apparatus. これに関して、リソグラフィ技術の進歩に応じて、露光装置に求められる投影像の最小線幅(解像度)は徐々に細くなっており、2005年には100nm程度、又はそれ以下の最小線幅のパターンを露光する必要があると予測されている。 In this regard, in accordance with the progress of lithography technology, the minimum line width of the projected image required for the exposure apparatus or resolution is gradually thinner, 100 nm approximately in 2005, or less minimum line width of the pattern it is predicted that it is necessary to expose. このようなパターンを露光するための露光方法として、(イ)光学式の縮小投影型露光方法、(ロ)電子線を用いた縮小転写、(ハ)イオンビームを用いた縮小転写、(ニ)X線を用いたプロキシミティ方式の露光方法、及び(ホ)波長5〜20nm程度の軟X線よりなる極端紫外光(EUV光)を露光ビームとして反射型のレチクルの縮小像を投影するリソグラフィ技術(EUV As an exposure method for exposing such a pattern, (b) reduction projection exposure method of the optical, the reduced transcription with (b) an electron beam, (c) reduced and transferred using an ion beam, (d) the exposure method proximity method using X-ray, and (e) lithography that projects a reduced image of the reflection type reticle wavelengths 5~20nm about the soft X-ray from the extremely ultraviolet (EUV light) as the exposure beam (EUV
L:Extreme Ultraviolet Lithography)等が検討され、 L: Extreme Ultraviolet Lithography) and the like are considered,
一部は実際に開発が行われている。 Some of which are carried out in practice development. これらの中で特に有力な露光方法が、(ホ)のEUVLである。 Particularly powerful exposure method among these is the EUVL of (e).

【0005】また、これらの露光方法は、(ニ)のX線を用いたプロキシミティ方式の露光方法を除く全てが、 Further, these methods of exposure, all except the exposure method of the proximity method using X-rays (d),
縮小倍率を1/4〜1/10程度とした投影露光方法である点が共通である。 Point reduction ratio was about 1 / 4-1 / 10 is a projection exposure method is common. そこで、縮小倍率を1/4倍として、ウエハ上に例えば最小線幅が100nm程度のパターンを露光するためには、対応するレチクル上には最小線幅が400nm程度の原版パターンを形成する必要がある。 Therefore, the 1/4 reduction magnification, for minimum line width, for example, on a wafer is exposed to 100nm degree pattern, the minimum line width on the corresponding reticle is necessary to form a 400nm approximately original pattern is there. この際に、必要な線幅の制御精度を最小線幅の± At this time, ± the minimum line width control accuracy of the required line width
5%程度とすると、±20nm程度以下の線幅制御精度が要求される。 When about 5%, or less in line width control accuracy of about ± 20 nm is required.

【0006】更に、露光装置に求められる重ね合わせ精度(overlay accuracy)は、最小線幅の1/3程度であるため、最小線幅が100nm程度の露光装置で必要となる重ね合わせ精度は30nm程度以下となる。 Furthermore, overlay accuracy required for the exposure apparatus (overlay accuracy) are the about 1/3 of the minimum line width, precision of about 30nm superimposed minimum line width required by 100nm of about exposure apparatus the following become. 重ね合わせ精度を決定する要因には、レチクル上の原版パターンの位置精度の外に露光装置のステージ系の位置合わせ精度、及び縮小投影系のディストーション等もあるため、レチクルの原版パターン自体で許容される位置精度はせいぜい10nm程度である。 The factors that determine the overlay accuracy, the stage system alignment accuracy of the exposure apparatus to the outside of the positional accuracy of the original pattern on the reticle, and because some distortion such as reduction projection systems, is acceptable in the original pattern itself on the reticle positional accuracy that is at most about 10 nm.

【0007】上記のように、ウエハ上での最小線幅が1 [0007] As described above, the minimum line width on the wafer 1
00nm程度、即ち現在の最小線幅の1/2程度になると、対応するレチクル上の原版パターンの集積度は約4 About nm, i.e. becomes about 1/2 of the current minimum line width, the degree of integration of the original pattern on the corresponding reticle about 4
倍になる。 It is doubled. このとき、電子ビーム描画装置(レーザビーム描画装置も同様)は、いわば一筆書き方式であり、原版パターンの集積度にほぼ比例して(最小線幅の二乗に反比例して)描画時間が長くなるため、その最小線幅が100nm程度の原版パターンの描画時間は現在の描画時間のほぼ4倍に増加する。 At this time, the electron beam drawing apparatus (laser beam drawing apparatus as well) is, as it were a one-stroke writing equation (in inverse proportion to the square of the minimum line width) substantially proportional to the degree of integration of the original pattern writing time is long Therefore, the minimum line width drawing time of 100nm approximately original pattern is increased to approximately 4 times the current writing time. しかしながら、このような長い描画時間(例えば半日〜1日)の間に継続して、その描画装置を安定な状態に保つことは困難であり、その描画時間中に原版パターンの許容値を超える位置ずれが生じる恐れがあった。 However, continuously during such a long drawing time (e.g. half a day to one day), it is difficult to keep the drawing device to a stable state, it exceeds the allowable value of the original pattern during the drawing time position there is a possibility that the deviation occurs. 更に、例えば複数の製造ライン用にそのレチクル(ワーキングレチクル)を複数枚製造する場合には、その枚数に比例して製造に要する時間が長くなってしまう。 Further, when prepared, for example, a plurality of the reticles (working reticle) for the plurality of production lines, thus time becomes longer required to manufacture in proportion to the number.

【0008】また、EUVL用の反射型のレチクルの基板として、シリコンウエハ自体を使用することが検討されている。 Further, as the substrate of the reflection type reticle for EUVL, it is considered to use a silicon wafer itself. しかしながら、従来一般に使用されていた石英は線膨張率が小さいのに対して、シリコンウエハの線膨張率はその約5倍程度と大きいため、電子ビーム描画装置による描画時間が長くなると、その描画時間中のシリコンウエハの熱膨張による原版パターンの位置ずれも無視できなくなって来る。 However, whereas quartz has been used conventionally has a small linear expansion coefficient, linear expansion of the silicon wafer is as large as its about 5 times, the drawing time by the electron beam drawing apparatus becomes longer, the writing time positional deviation of the original pattern due to thermal expansion of the silicon wafer during even can not be ignored.

【0009】更に、電子ビーム描画装置によって上記のように原版パターンの位置精度を10nm程度に抑えることも、現状では必ずしも容易ではない。 Furthermore, also possible to suppress the positional accuracy of the original pattern as described above in the order of 10nm by an electron beam drawing apparatus, it is not always easy at present. 本発明は斯かる点に鑑み、転写用のパターンを高精度に、かつ短時間に形成できるマスクの製造方法を提供することを第1の目的とする。 The present invention has been made in view of the points mow 斯, to the pattern to be transferred precision, and a first object thereof is to provide a method for manufacturing a mask that can be formed in a short time. また、本発明は、例えば極端紫外光(EU Further, the present invention is, for example extreme ultraviolet (EU
V光)を露光ビームとして使用する露光装置において、 In an exposure apparatus using the V light) as the exposure beam,
反射型のマスクとして使用できるマスクを、高精度に、 The mask can be used as a reflective mask, with high accuracy,
かつ短時間に形成できるマスクの製造方法を提供することを第2の目的とする。 And to provide a method for manufacturing a mask that can be formed in a short time and the second object.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】本発明によるマスクの製造方法は、波長が1〜50nmの範囲の極端紫外光(E Method of manufacturing a mask according to the present invention SUMMARY OF THE INVENTION may, extreme ultraviolet light of the wavelength range of 1 to 50 nm (E
UV光)を露光ビームとして用いる露光装置用の反射型のマスク(34)の製造方法であって、そのマスクに形成されるパターンを拡大した第1の原版パターン(3 A method of manufacturing a reflection type mask for an exposure apparatus that uses UV light) as the exposure beam (34), the first mold pattern (3 an enlarged pattern formed on the mask
6)を作成し、この第1の原版パターンを波長が100 Create a 6), the wavelength of the first mold pattern 100
〜400nmの紫外光を透過させる第1の基板上に描画して親マスク(P1,P2,…,PN)を製造する第1 The first master mask by drawing on a substrate (P1, P2, ..., PN) which transmits ultraviolet light of ~400nm first to produce a
工程と、所定の第2の基板(4)上にその極端紫外光を反射する反射層(31)とその極端紫外光を吸収する吸収層(32)とを積層して形成する第2工程と、波長が100〜400nmの紫外光を露光ビームとして縮小投影を行う投影露光装置を用いて、その第1工程で製造されたその親マスク(P1,P2,…,PN)のパターンの縮小像をその第2工程で製造された第2の基板(4) A step, a second step of forming by stacking the extreme ultraviolet reflective layer for reflecting light (31) absorbing layer and (32) to absorb the extreme ultraviolet light onto a predetermined second substrate (4) , using the projection exposure apparatus having a wavelength performs reduction projection of the ultraviolet light of 100~400nm as an exposure beam, its the master mask that is produced in the first step (P1, P2, ..., PN) a reduced image of the pattern of a second substrate prepared in the second step (4)
上に投影露光して、その吸収層(32)の一部を除去する第3工程と、を有し、その吸収層の一部が除去されたその第2の基板(4)をその反射型のマスクとして使用するものである。 And projection exposure above includes a third step of removing a portion of the absorbent layer (32), and the reflective substrate (4) partially its second has been removed for the absorption layer it is to use as a mask.

【0011】斯かる本発明によれば、その第1の原版パターンをその第1の基板上に描画する際には、例えば電子ビーム描画装置を使用し、その第1の原版パターンの縮小像をその第2の基板上に投影する際には、KrF [0011] According to such present invention, when drawing the first mold pattern on the first substrate, for example using an electron beam drawing apparatus, a reduced image of the first mold pattern when projected on the second substrate is, KrF
(波長248nm)、又はArF(波長193nm)等のエキシマレーザ光やその外の紫外光を露光光とする投影露光装置、即ち光学式の投影露光装置を使用する。 (Wavelength 248 nm), or ArF (wavelength 193 nm) projection exposure apparatus that the exposure light excimer laser light or ultraviolet light of the outside or the like, that is, using an optical projection exposure apparatus. その第1の原版パターンは、最終的に製造されるマスクのパターンをα倍に拡大したパターンであり、電子ビーム描画装置の描画誤差の影響は1/αに低減されるため、 Since its first original pattern is finally pattern of the mask to be manufactured is a pattern obtained by enlarging the alpha times, the influence of the writing error of the electron beam drawing apparatus is reduced to 1 / alpha,
そのマスクのパターン(転写用のパターン)が高精度に形成される。 Pattern of the mask (pattern to be transferred) is formed with high accuracy. しかも、そのマスクを複数枚製造する場合には、その光学式の投影露光装置でその第1の原版パターンの転写を行えばよいため、そのマスクの製造に要する時間は大幅に短縮される。 Moreover, in the case of manufacturing a plurality of the mask, therefore the in optical projection exposure apparatus may be performed transcription of the first mold pattern, the time required for preparation of the mask is greatly reduced.

【0012】また、その反射型のマスクの反射層(3 [0012] In addition, the reflection layer of the reflection type mask (3
1)は、例えば2種類の物質の薄膜を交互に所定組数以上積層させることによって形成され、その吸収層(3 1) is formed, for example, by laminating more than a predetermined number of sets two kinds of thin film materials alternately, the absorption layer (3
2)は、例えば1種類の物質の薄膜より形成される。 2) is formed, for example, from a thin film of one material. そこで、反射層(31)上の吸収層(32)の一部を除去することによって、反射型のマスクのパターンが高精度に形成される。 Therefore, by removing a portion of the absorbing layer on the reflective layer (31) (32), the pattern of the reflective mask is formed with high accuracy. また、その反射型のマスクの基板を例えば半導体ウエハ等の基板とすることによって、その光学式の投影露光装置は、通常の半導体露光装置をほぼそのまま使用できるため、製造コストを低減することができる。 Further, by making the substrate such that a reflective substrate such as a semiconductor wafer of the mask, the optical projection exposure apparatus, since almost as it can use the conventional semiconductor exposure apparatus, it is possible to reduce the manufacturing cost .

【0013】 [0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例につき図面を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained with reference to the drawings an embodiment of the present invention. 図1は、本例のマスクとしてのレチクルの製造工程を示し、この図1において、本例で製造対象とするレチクルは、半導体デバイスを製造する際に使用される反射型のワーキングレチクル34である。 Figure 1 shows a reticle manufacturing process as a mask of the present embodiment. In FIG. 1, a reticle to be manufactured object in this example is a reflection-type working reticle 34 used in the manufacture of semiconductor devices . このワーキングレチクル34は、シリコンウエハ等のウエハ(wafer)よりなる実質的に円形の薄い基板の一面に、反射膜と吸収層とを用いて原版パターン27を形成したものである。 The working reticle 34 is substantially a surface of thin circular substrate made of a wafer such as a silicon wafer (Wafer), it is obtained by forming an original pattern 27 by using the reflective film and the absorbing layer. また、その原版パターン27を挟むように2つのアライメントマーク24A,2 Further, the two so as to sandwich the original pattern 27 alignment marks 24A, 2
4Bが形成されている。 4B is formed. なお、その基板の材料としては、低膨張ガラス、石英、金属等も使用することができる。 As the material of the substrate, it can be low-expansion glass, quartz, and metals used.

【0014】更に、ワーキングレチクル34は、1〜5 [0014] In addition, working reticle 34, 1 to 5
0nm程度の軟X線域の極端紫外光(EUV光)を露光光とした投影露光装置の投影光学系を介して、1/β倍(βは1より大きい整数、又は半整数等であり、一例として4,5,又は6等)の縮小投影で使用される。 0nm about the soft X-ray region of the extreme ultraviolet light via the projection optical system of a projection exposure apparatus of (EUV light) as the exposure light is 1 / beta fold (beta is an integer greater than 1, or half-integer, etc., used by the projection of an example 4, 5, or 6, etc.). 即ち、図1において、ワーキングレチクル34の原版パターン27の1/β倍の縮小像27Wを、レジストが塗布されたウエハW上の各ショット領域48に露光した後、 That is, in FIG. 1, a 1 / beta fold reduced image 27W of original pattern 27 of the working reticle 34, after the resist is exposed on each shot area 48 on the wafer W coated with,
現像やエッチング等を行うことによって、その各ショット領域48に所定の回路パターン35が形成される。 By performing development and etching, a predetermined circuit pattern 35 is formed on the respective shot regions 48. 以下、本例のワーキングレチクル34の製造工程の一例につき説明する。 Hereinafter, it will be explained an example of a manufacturing process of the working reticle 34 of the present embodiment.

【0015】図1において、まず最終的に製造される半導体デバイスの或るレイヤの回路パターン35が設計される。 [0015] In FIG 1, the circuit pattern 35 of a certain layer of the semiconductor device is first finally produced is designed. 回路パターン35は直交する辺の幅がdX,dY The circuit pattern 35 has a width side orthogonal is dX, dY
の矩形の領域内に種々のライン・アンド・スペースパターン等を形成したものである。 The rectangular area is obtained by forming various line and space pattern or the like. 本例では、その回路パターン35をβ倍に拡大して、直交する辺の幅がβ・d In this example, to expand the circuit pattern 35 on the beta times the width of the sides orthogonal beta · d
X,β・dYの矩形の領域よりなる原版パターン27をコンピュータの設計データ(画像データを含む)上で作成する。 X, creates an original pattern 27 made of a rectangular area of ​​the beta · dY on computer design data (including image data). β倍は、ワーキングレチクル34が使用される投影露光装置の縮小倍率(1/β)の逆数である。 beta fold is the inverse of the reduction ratio (1 / β) of the projection exposure apparatus working reticle 34 is used.

【0016】次に、その原版パターン27をα倍(αは1より大きい整数、又は半整数等であり、一例として4,5,又は6等)して、直交する辺の幅がα・β・d Next, the original pattern 27 alpha times (alpha is an integer greater than 1, or a semi-integer, etc., 4,5 as an example, or 6, etc.) to the width of the sides orthogonal alpha · beta · d
X,α・β・dYの矩形の領域よりなる親パターン36 X, consisting of a rectangular area of ​​α · β · dY parent pattern 36
を設計データ(画像データを含む)上で作成し、その親パターン36を縦横にそれぞれα個に分割して、α×α Was created on the design data (including image data), by dividing the parent patterns 36 each alpha pieces vertically and horizontally, alpha × alpha
個の親パターンP1,P2,P3,…,PN(N= Number of parent patterns P1, P2, P3, ..., PN (N =
α 2 )を設計データ上で作成する。 α 2) is created on the design data. 図1では、α=4の場合が示されている。 In Figure 1, the case of alpha = 4 is shown. なお、この親パターン36の分割数αは、必ずしも原版パターン27から親パターン36 Incidentally, parent pattern 36 is divided number α of the parent patterns 36, necessarily from original pattern 27
への倍率αに合致させる必要は無い。 Necessary to meet the magnification α to is not. その後、それらの親パターンPi(i=1〜N)よりそれぞれ電子ビーム描画装置(又はレーザビーム描画装置等も使用できる) Thereafter, their parent pattern Pi (i = 1 to N) respectively electron beam lithography system than (or laser beam lithography system or the like may be used)
用の描画データを生成し、その親パターンPiをそれぞれ等倍で、親マスクとしてのマスターレチクルRi上に転写する。 Generates drawing data of use, its parent pattern Pi at times like respectively, transferred on the master reticle Ri as a parent mask.

【0017】例えば1枚目のマスターレチクルR1を製造する際には、石英ガラス、フッ素を混入した石英ガラス、又は蛍石等の光透過性の基板(本発明の第1の基板に対応する)上にクロム(Cr)、又はケイ化モリブデン(MoSi 2等)等のマスク材料の薄膜を形成し、この上に電子線レジストを塗布した後、電子ビーム描画装置を用いてその電子線レジスト上に1番目の親パターンP1の等倍像を描画する。 [0017] For example in preparing the first sheet of the master reticle R1 (corresponding to the first substrate of the present invention) quartz glass, fluorine contamination quartz glass, or light-transmissive substrate such as fluorite chromium (Cr) above, or a thin film is formed of a mask material, such as molybdenum silicide (MoSi 2, etc.), after applying an electron beam resist on this, in the electron beam resist on using an electron beam drawing apparatus to draw the equal-magnification image of the first parent pattern P1. その後、電子線レジストの現像を行ってから、エッチング、及びレジスト剥離等を施すことによって、マスターレチクルR1上のパターン領域20に親パターンP1が形成される。 Then, after performing development for electron beam resist, etching, and by applying a resist peeling, the parent pattern P1 is formed in the pattern region 20 on the master reticle R1. この際に、マスターレチクルR1上には、親パターンP1に対して所定の位置関係で2つの2次元マークよりなるアライメントマーク21A,21Bを形成しておく。 At this time, on the master reticle R1 is an alignment mark 21A made of two two-dimensional mark in a predetermined positional relationship relative to the parent patterns P1, previously formed to 21B. 同様に他のマスターレチクルRiにも、電子ビーム描画装置等を用いてそれぞれ親パターンPi、及びアライメントマーク21 Similarly, the other master reticle Ri, electron beam lithography system each parent pattern Pi with like and alignment marks 21,
A,21Bが形成される。 A, 21B are formed. このアライメントマーク21 This alignment mark 21
A,21Bは、後に画面継ぎを行う際の位置合わせ用に使用される。 A, 21B are later used for positioning when performing screen splicing.

【0018】このように本例では、電子ビーム描画装置(又はレーザビーム描画装置)で描画する各親パターンPiは、原版パターン27をα倍に拡大したパターンであるため、各描画データの量は、原版パターン27を直接描画する場合に比べて1/α 2程度に減少している。 [0018] In this example thus, each parent patterns Pi to be drawn by an electron beam lithography system (or laser beam lithography system) are the patterns obtained by enlarging the original pattern 27 to α times, the amount of each drawing data , it is reduced to about 1 / alpha 2 than in the case of drawing an original pattern 27 directly.
更に、親パターンPiの最小線幅は、原版パターン27 Furthermore, the minimum line width of the parent patterns Pi are original pattern 27
の最小線幅に比べてα倍(例えば5倍、又は4倍等)であるため、各親パターンPiは、それぞれ従来の電子線レジストを用いて電子ビーム描画装置によって短時間に、かつ高精度に描画できる。 α times as compared with the minimum line width (e.g. 5 times, or four times, etc.) because it is, the parent pattern Pi is a short time, respectively, by electron beam lithography system using a conventional electron beam resist, and accurate It can be drawn in. また、各親パターンPi In addition, each parent pattern Pi
は、後に1/αに縮小して投影されるため、電子ビーム描画装置の描画誤差も実質的に1/αに縮小される。 Since projected by reducing the 1 / alpha after drawing error of the electron beam drawing apparatus is also substantially reduced to 1 / alpha. また、一度N枚のマスターレチクルR1〜RNを製造すれば、後述のようにそれらを繰り返し使用することによって、必要な枚数のワーキングレチクル34を製造できるため、マスターレチクルR1〜RNを製造するための時間は、大きな負担ではない。 Also, once when producing the N pieces of master reticles R1 through RN, by repeated use of them as described below, it is possible to produce a working reticle 34 of the required number, for the manufacture of a master reticle R1 through RN time is not a big burden.

【0019】次に、上記のN枚のマスターレチクルRi [0019] Next, the above-mentioned N pieces of the master reticle Ri
の親パターンPiの1/α倍の縮小像PIi(i=1〜 1 / alpha times the reduced image PIi for the parent pattern Pi (i = 1~
N)を、それぞれ画面継ぎを行いながら転写することによってワーキングレチクル34を製造する。 The N), the production of the working reticle 34 by transferring while each screen joint. そのために、まず図2(A)に示すように、ワーキングレチクル34用の基板として、直径が300mm程度で厚さが1 Therefore, first, as shown in FIG. 2 (A), as a substrate for the working reticle 34, the diameter thickness of about 300 mm 1
mm程度のシリコンウエハの基板4(本発明の第2の基板に対応する)を用意し、基板4上に多層の反射膜31 Providing a substrate of mm silicon wafer 4 (corresponding to the second substrate of the present invention), the reflective film 31 of the multilayer on the substrate 4
を積層させる。 A is laminated. 図2(A)のB部を拡大した図2(B) FIG enlarged portion B of FIG. 2 (A) 2 (B)
に示すように、反射膜31は、厚さd1のモリブデン(Mo)の薄膜31aと、厚さd1のシリコン(Si) As shown in, the reflective film 31, a thin film 31a of molybdenum (Mo) of the thickness d1, the thickness d1 silicon (Si)
の薄膜31bとをピッチd2(=2・d1)で、50組積層させたものである。 A pitch and a thin film 31b of d2 (= 2 · d1), it is obtained by laminating 50 pairs. 厚さd1は一例として3.25 The thickness d1 is 3.25 as an example
nmであり、このときピッチd2は6.5nm、反射膜31の全体の厚さは約325nm(0.325μm)となる。 Is nm, the time pitch d2 is 6.5 nm, the total thickness of the reflective film 31 is about 325nm (0.325μm). このようにモリブデンの薄膜31aと、シリコンの薄膜31bとを積層した反射膜31は、波長13nm And thus the thin film 31a of the molybdenum, the reflective film 31 by laminating a silicon thin film 31b, the wavelength 13nm
の極端紫外光(EUV光)を反射するため、本例のワーキングレチクル34用のEUV光の波長は13nmである。 For reflecting extreme ultraviolet light (EUV light), the wavelength of EUV light for working reticle 34 of the present embodiment is 13 nm. なお、波長が11nmのEUV光を使用する場合には、その反射膜31を例えばモリブデンの薄膜とベリリウム(Be)の薄膜とを交互に積層して形成すればよい。 In the case where the wavelength uses EUV light of 11nm can be formed by laminating the reflective film 31 alternating with thin films of, for example, molybdenum thin film and beryllium (Be).

【0020】次に、図2(C)に示すように、基板4上の反射膜31上にEUV光を吸収するためのニッケル(Ni)よりなる吸収層32を厚さ1μm程度で形成する。 Next, as shown in FIG. 2 (C), to form the absorbing layer 32 made of nickel (Ni) for absorbing EUV light on the reflective film 31 on the substrate 4 with a thickness of 1μm about. この際に必要に応じてアライメントマークを形成してもよい。 It may be formed alignment marks as necessary during this. 更に、その吸収層32上に波長248nmの光に感光するフォトレジスト層33を約1μmの厚さに塗布する。 Further, a photoresist layer 33 sensitive to light of a wavelength 248nm on the absorption layer 32 to a thickness of about 1 [mu] m. なお、吸収層32の材料としては、他の金属等を用いてもよい。 As the material of the absorber layer 32 may be other metals. その後、図2(D)に示すように、 Thereafter, as shown in FIG. 2 (D),
その基板4上のフォトレジスト層33に対して、露光光ILを用いて画面継ぎを行いながらマスターレチクルのパターン像の露光が行われる。 The photoresist layer 33 on the substrate 4, the exposure of the pattern image of the master reticle is performed while the screen joint using the exposure light IL.

【0021】図3は、その基板4に対して露光を行う際に使用される光学式の縮小投影型露光装置を示し、この図3において露光時には、露光光源、照度分布均一化用のフライアイレンズ、照明系開口絞り、レチクルブラインド(可変視野絞り)、及びコンデンサレンズ系等からなる照明光学系1より、露光光ILがレチクルステージ2上のレチクルに照射される。 [0021] Figure 3 shows a reduction projection type exposure apparatus of the optical type is used when performing exposure for the substrate 4, at the time of exposure in this FIG. 3, an exposure light source, a fly's eye for the illuminance distribution uniform lens, iris illumination system aperture, reticle blind (stop variable field), and from the illumination optical system 1 comprising a condenser lens system or the like, the exposure light IL is irradiated on reticle on the reticle stage 2. 本例のレチクルステージ2上には、i番目(i=1〜N)のマスターレチクルR On a reticle stage 2 of this example, i-th (i = 1 to N) of the master reticle R
iが載置されている。 i have been placed. なお、露光光として、本例ではK As the exposure light, in this example K
rFエキシマレーザ光(波長248nm)が使用されるが、それ以外にArFエキシマレーザ光(波長193n Although rF excimer laser beam (wavelength 248 nm) is used, ArF excimer laser beam otherwise (Wavelength 193n
m)、F 2レーザ光(波長157nm)、固体レーザの高調波、又は水銀ランプのi線(波長365nm)等のように波長が100〜400nm程度の紫外光を使用できる。 m), F 2 laser beam (wavelength 157 nm), harmonics of solid-state laser, or a wavelength as a mercury lamp i line (wavelength 365 nm) or the like with ultraviolet light of about 100~400nm be used.

【0022】マスターレチクルRiの照明領域内のパターンの像は、投影光学系3を介して縮小倍率1/α(1 The image of the pattern in the illumination area of ​​the master reticle Ri is the reduction ratio 1 / alpha via the projection optical system 3 (1
/αはこの例では1/4)で基板4の表面のフォトレジスト層に投影される。 / Alpha in this example is projected on a photoresist layer on the surface of the substrate 4 at 1/4). 投影光学系3の開口数は約0.7 Numerical aperture of the projection optical system 3 is about 0.7
で、解像度は約200nmである。 In, the resolution is about 200nm. 本例の投影光学系3 The projection optical system 3 of this embodiment
は、両側テレセントリックの屈折系であるが、それ以外に凹面鏡等を含む反射屈折系等を使用してもよい。 Is a refractive system of the both-side telecentric, it may be used catadioptric system or the like including a concave mirror or the like otherwise. 以下、投影光学系3の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で図3の紙面に平行にX軸を、図3の紙面に垂直にY軸を取って説明する。 Hereinafter, taking the Z-axis parallel to the optical axis AX of the projection optical system 3, the X-axis parallel to the plane of FIG. 3 in a plane perpendicular to the Z-axis, perpendicular to the plane of FIG. 3 and the Y-axis described to.

【0023】まず、レチクルステージ2は、この上のマスターレチクルRiをXY平面内で位置決めする。 [0023] First, the reticle stage 2, to position the master reticle Ri on this in the XY plane. レチクルステージ2の位置は不図示のレーザ干渉計によって計測され、この計測値、及び主制御系9からの制御情報によってレチクルステージ2の動作が制御される。 Position of the reticle stage 2 is measured by a laser interferometer (not shown), the measured value, and the operation of the reticle stage 2 is controlled by control information from the main control system 9. 一方、基板4は、保持部材としての円板状の基板ホルダ2 On the other hand, the substrate 4 is disc-shaped substrate holder 2 as a holding member
2上に静電吸着によって保持され、この基板ホルダ22 It is held by electrostatic attraction on 2, the substrate holder 22
は試料台5上に固定され、試料台5はXYステージ6上に固定されている。 Is fixed on the sample table 5, the sample stage 5 is fixed on the XY stage 6. 試料台5は、オートフォーカス方式で基板4のフォーカス位置(光軸AX方向の位置)、及び傾斜角を制御することによって、基板4の表面を投影光学系3の像面に合わせ込む。 The sample stage 5, the focus position of the substrate 4 in autofocusing (optical axis AX direction position), and by controlling the tilt angle, Komu combined surface of the substrate 4 on the image plane of the projection optical system 3. また、XYステージ6 In addition, XY stage 6
は、ベース7上で例えばリニアモータ方式でX方向、Y Is, X direction linear motor system for example a on a base 7, Y
方向に試料台5(基板4)を位置決めする。 Positioning the sample stage 5 (substrate 4) in the direction.

【0024】本例では、基板4と基板ホルダ22とは、 [0024] In this example, the substrate 4 and the substrate holder 22,
試料台5に対して一体的に例えば電磁吸着方式で着脱される。 It is removably by integrally example electromagnetic adsorption method with respect to the sample stage 5. そして、基板4が後にワーキングレチクル34としてEUV光を用いる露光装置に装着される際にも、基板4と基板ホルダ22とは、その露光装置に対して一体的に着脱される。 Then, when the substrate 4 is mounted on an exposure apparatus that uses EUV light as a working reticle 34 after also, the substrate 4 and the substrate holder 22 is integrally detachable for the exposure apparatus. これによって、基板4の処理工程中で基板4と基板ホルダ22との間に異物が混入して、基板4の平面度が悪化することが防止される。 Thus, the foreign matter between the substrate 4 and the substrate holder 22 in the treatment process of the substrate 4 is mixed, the flatness of the substrate 4 is prevented from deteriorating. 更に、基板ホルダ22の表面は、一例として100mm角で0.1〜 Furthermore, the surface of the substrate holder 22 is 0.1 at 100mm square as an example
0.3μm程度以下の平面度となるように仕上げられている。 It is finished so that 0.3μm about less flatness. これによって、基板4は極めて高い平面度を維持した状態で、基板ホルダ22上に保持される。 Thus, the substrate 4 is in a state of maintaining a very high flatness, is held on the substrate holder 22. なお、基板ホルダ22の代わりに、試料台5に固定されている真空吸着方式の基板ホルダ22Aを使用してもよい。 Instead of the substrate holder 22, it may be used a substrate holder 22A of a vacuum suction method which is fixed to the sample stage 5.

【0025】また、試料台5の上部に固定された移動鏡8m、及び対向して配置されたレーザ干渉計8によって試料台5のX座標、Y座標、及び回転角が計測され、この計測値がステージ制御系10、及び主制御系9に供給されている。 [0025] Further, X-coordinate of the sample stage 5 by the movement mirror 8m laser interferometer 8 and arranged to face, fixed to an upper portion of the sample stage 5, Y-coordinate, and a rotation angle are measured, the measured value There has been supplied to the stage control system 10, and the main control system 9. 移動鏡8mは、図4に示すように、X軸の移動鏡8mX、及びY軸の移動鏡8mYを代表している。 Moving mirror 8m, as shown in FIG. 4, it is representative moving mirror 8mX the X-axis, and the movable mirror 8mY the Y-axis. ステージ制御系10は、その計測値、及び主制御系9からの制御情報に基づいて、XYステージ6のリニアモータ等の動作を制御する。 Stage control system 10, the measured value, and based on the control information from the main control system 9 controls the operation such as a linear motor of the XY stage 6.

【0026】また、本例では、レチクルステージ2の側方に棚状のレチクルライブラリ16が配置され、レチクルライブラリ16内にZ方向に順次配列されたN個の支持板17上にマスターレチクルR1,R2,…,RNが載置されている。 Further, in this embodiment, the reticle library 16 of the shelf to the side of the reticle stage 2 is arranged, a master reticle on to the N of the support plate 17 which are sequentially arranged in the Z direction in the reticle library 16 R1, R2, ..., RN is placed. これらのマスターレチクルR1〜RN These master reticle R1~RN
は、それぞれ図1の親パターン36を分割した親パターンP1〜PNが形成されたレチクル(親マスク)である。 Is a reticle on which parent pattern P1~PN is formed by dividing the parent patterns 36, respectively, of FIG. 1 (master mask). レチクルライブラリ16は、スライド装置18によってZ方向に移動自在に支持されており、レチクルステージ2とレチクルライブラリ16との間に、回転自在でZ方向に所定範囲で移動できるアームを備えたレチクルローダ19が配置されている。 The reticle library 16, by the slide device 18 are movably supported in the Z direction, the reticle loader 19 having an arm movable in a predetermined range, the rotatable Z-direction between the reticle stage 2 and the reticle library 16 There has been placed. 主制御系9がスライド装置18を介してレチクルライブラリ16のZ方向の位置を調整した後、レチクルローダ19の動作を制御して、 After the main control system 9 has to adjust the position in the Z direction of the reticle library 16 via the slide apparatus 18, and controls the operation of the reticle loader 19,
レチクルライブラリ16中の所望の支持板17とレチクルステージ2との間で、所望のマスターレチクルR1〜 Between the desired support plate 17 and the reticle stage 2 in reticle library 16, the desired master reticle R1~
RNを受け渡しできるように構成されている。 It is configured to be passed the RN.

【0027】また、主制御系9には、磁気ディスク装置等の記憶装置11が接続され、記憶装置11に露光データファイルが格納されている。 Further, the main control system 9, a storage device 11 such as a magnetic disk devices are connected, the exposure data file is stored in the storage device 11. 露光データファイルには、マスターレチクルR1〜RNの相互の位置関係やアライメント情報のデータ等が記録されている。 The exposure data file, data of positional relationship or alignment information of mutual master reticle R1~RN is recorded. 本例の基板4に対する露光時には、基板4上の1番目のショット領域への1番目のマスターレチクルR1の縮小像の露光が終了すると、XYステージ6のステップ移動によって基板4上の次のショット領域が投影光学系3の露光領域に移動する。 During exposure of the substrate 4 of this example, the exposure of the reduced image of the first master reticles R1 to the first shot region on the substrate 4 is completed, the next shot area on the substrate 4 by step movement of the XY stage 6 There moves to the exposure area of ​​the projection optical system 3. これと並行して、レチクルステージ2上のマスターレチクルR1がレチクルローダ19を介してレチクルライブラリ16に戻され、次の転写対象のマスターレチクルR2がレチクルライブラリ16からレチクルローダ19を介してレチクルステージ2上に載置される。 In parallel with this, the master reticles R1 on the reticle stage 2 is returned to the reticle library 16 via a reticle loader 19, the reticle stage 2 master reticle R2 for the next transfer target through a reticle loader 19 from the reticle library 16 It is placed on the top. そして、アライメントが行われた後、そのマスターレチクルR2の縮小像が投影光学系3を介して基板4上の当該ショット領域に投影露光され、以下ステップ・アンド・リピート方式で基板4上の残りのショット領域に、順次対応するマスターレチクルR2〜RNの縮小像の露光が行われる。 After the alignment has been performed, the reduced image of the master reticle R2 is a projection exposure on the shot area on the substrate 4 via the projection optical system 3, the remaining on the substrate 4 by the step-and-repeat method below the shot area, the exposure of the reduced image of the master reticle R2~RN is performed sequentially corresponding.

【0028】なお、図2の投影露光装置は一括露光型であるが、その代わりにステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の縮小投影型露光装置(走査型露光装置)を使用してもよい。 [0028] Incidentally, although the projection exposure apparatus of FIG. 2 is a collective exposure type, using the scanning exposure type reduction projection exposure apparatus (scanning exposure apparatus) such as a step-and-scan method instead it may be. 走査露光型では、露光時にマスターレチクルと基板4とが投影光学系3に対して縮小倍率比で同期走査される。 In scanning exposure type, the master reticle and the substrate 4 at the time of exposure it is scanned synchronously with the reduction ratio with respect to the projection optical system 3. 光学式の走査型露光装置を用いることによって、投影光学系のディストーション等の影響が軽減できる。 By using the optical scanning type exposure apparatus, it can be reduced the influence of the distortion or the like of the projection optical system.

【0029】さて、このようにマスターレチクルR1〜 [0029] Now, in this way the master reticle R1~
RNの縮小像を基板4上に露光する際には、隣接する縮小像間の画面継ぎ(つなぎ合わせ)を高精度に行う必要がある。 A reduced image of RN when exposed on the substrate 4, it is necessary to screen splicing between reduced image adjacent the (stitching) with high accuracy. このためには、各マスターレチクルRi(i= To do this, each of the master reticle Ri (i =
1〜N)と、基板4上の対応するショット領域(Siとする)とのアライメントを高精度に行う必要がある。 And 1 to N), and the corresponding shot area (Si substrate 4) aligned with the needs to be done with high accuracy. このアライメントのために、本例の投影露光装置にはレチクル及び基板用のアライメント機構が備えられている。 For this alignment, the reticle and the alignment mechanism of the substrate is provided in the projection exposure apparatus of this embodiment.

【0030】図4は、図3の投影露光装置の要部を示す斜視図であり、この図4において、試料台5上で基板4 FIG. 4 is a perspective view showing a main portion of a projection exposure apparatus of FIG. 3, in FIG. 4, the substrate 4 on the sample stage 5
の近傍に光透過性の基準マーク部材12が固定され、基準マーク部材12上にX方向に所定間隔で例えば十字型の1対の基準マーク13A,13Bが形成されている。 Near the optical transparency of the reference mark member 12 is fixed to the pair of reference marks 13A of a predetermined distance for example cross in X direction on the reference mark member 12, 13B are formed.
また、基準マーク13A,13Bの底部には、露光光I The reference mark 13A, the bottom of 13B, the exposure light I
Lから分岐された照明光で投影光学系3側に基準マーク13A,13Bを照明する照明系が設置されている。 Reference mark 13A on the projection optical system 3 side by the illumination light branched from the L, the illumination system is installed to illuminate the 13B. マスターレチクルRiのアライメント時には、図3のXY At the time of alignment of the master reticle Ri is, XY in FIG. 3
ステージ6を駆動することによって、基準マーク部材1 By driving the stage 6, the reference mark member 1
2上の基準マーク13A,13Bの中心がほぼ投影光学系13の光軸AXに合致するように、基準マーク13 Reference mark 13A on the two, as the center of 13B matches the optical axis AX of approximately projection optical system 13, the reference mark 13
A,13Bが位置決めされる。 A, 13B are positioned.

【0031】また、マスターレチクルRiのパターン面(下面)のパターン領域20をX方向に挟むように、一例として十字型の2つのアライメントマーク21A,2 Further, so as to sandwich the pattern area 20 of the pattern surface of the master reticle Ri (lower surface) in the X direction, the two alignment marks 21A of the cross-shaped as an example, 2
1Bが形成されている。 1B is formed. 基準マーク13A,13Bの間隔は、アライメントマーク21A,21Bの投影光学系3による縮小像の間隔とほぼ等しく設定されており、基準マーク13A,13Bの中心をほぼ光軸AXに合致させた状態で、基準マーク部材12の底面側から露光光I Reference marks 13A, 13B is the spacing, alignment marks 21A, 21B are substantially equal to the spacing of the reduced image by the projection optical system 3, the reference mark 13A, in a state of being matched with the center of 13B substantially the optical axis AX , exposure from the bottom side of the reference mark member 12 light I
Lと同じ波長の照明光で照明することによって、基準マーク13A,13Bの投影光学系3による拡大像がそれぞれアライメントマーク21A,21Bの近傍に形成される。 By illuminating with illumination light having the same wavelength as L, the reference mark 13A, enlarged image by the projection optical system 3 13B alignment marks 21A, respectively, are formed in the vicinity of 21B.

【0032】これらのアライメントマーク21A,21 [0032] These alignment mark 21A, 21
Bの上方に投影光学系3側からの照明光を±X方向に反射するためのミラーが配置され、これらのミラーで反射された照明光を受光するようにTTR(スルー・ザ・レチクル)方式で、撮像方式のアライメントセンサ14 Mirror for reflecting illumination light from the projection optical system 3 side in the ± X direction above the B is arranged, TTR (through-the-reticle) to receive the illumination light reflected by these mirror method in, alignment sensor 14 of the imaging system
A,14Bが備えられている。 A, 14B is provided. アライメントセンサ14 Alignment sensor 14
A,14Bによって、アライメントマーク21A,21 A, by 14B, the alignment mark 21A, 21
B、及び対応する基準マーク13A,13Bの像が撮像され、その撮像信号が図3のアライメント信号処理系1 B, and corresponding reference marks 13A, 13B image of imaged, the imaging signal is an alignment signal processing system of FIG 1
5に供給される。 5 is supplied to.

【0033】アライメント信号処理系15は、その撮像信号を画像処理して、基準マーク13A,13Bの像に対するアライメントマーク21A,21BのX方向、Y The alignment signal processing system 15, the imaging signal to the image processing, the reference mark 13A, the alignment mark 21A for 13B image of, 21B X direction, Y
方向への位置ずれ量を求め、これら2組の位置ずれ量を主制御系9に供給する。 Obtain the position displacement amount in the direction, and supplies the positional deviation amount of these two sets to the main control system 9. 主制御系37は、その2組の位置ずれ量が互いに対称に、かつそれぞれ所定範囲内に収まるようにレチクルステージ2の位置決めを行う。 The main control system 37, in symmetrical positional shift amount of the two sets from each other, and positions the reticle stage 2 so that each falls within a predetermined range. これによって、基準マーク13A,13Bに対して、アライメントマーク21A,21B、ひいてはマスターレチクルRiの親パターンPi(図1参照)が位置決めされる。 Thus, the reference mark 13A, relative to 13B, the alignment marks 21A, 21B, the master reticle Ri parent pattern Pi (see FIG. 1) is positioned in turn.

【0034】この状態で図2の主制御系9は、レーザ干渉計8によって計測される試料台5のX方向、Y方向の座標を記憶することで、マスターレチクルRiのアライメントが終了する。 The main control system 9 in FIG. 2 in this state, by storing the X direction of the sample stage 5 is measured by the laser interferometer 8, a Y coordinate direction, the alignment of the master reticle Ri is completed. この後は、親パターンPiの露光中心に、試料台5(基板4)上の任意の点を移動することができる。 After this, it is possible the exposure center of the parent patterns Pi, to move an arbitrary point on the sample stage 5 (substrate 4). また、図4において、投影光学系PLの側面に、基板4上のマークの位置検出を行うために、オフ・ Further, in FIG. 4, the side surface of the projection optical system PL, and in order to detect the position of the mark on the substrate 4, off
アクシス方式で、画像処理方式のアライメントセンサ(不図示)も備えられ、基板4上のX方向の端部に例えば十字型の2つのアライメントマーク24A,24Bが形成されている。 In axis method, an image processing method alignment sensor (not shown) is also provided with the two alignment marks 24A of the end portion in the X direction on the substrate 4, for example cruciform, 24B are formed. そして、例えば1枚目のマスターレチクルR1の露光を行う前に、そのアライメントセンサによってアライメントマーク24A,24Bの位置を検出し、この検出結果に基づいて基準マーク13A,13B Then, for example, before performing the exposure of the first sheet of master reticles R1, detects the position of the alignment marks 24A, 24B by the alignment sensor, the reference mark 13A on the basis of the detection result, 13B
に対する基板4の位置関係を求めることで、マスターレチクルRiの露光中心を基板4上の所望の位置に合わせ込むことができる。 By determining the positional relation between the substrate 4 for the can is intended to adjust the exposure center of the master reticle Ri in the desired position on the substrate 4. なお、基板4に対しては一層の露光が行われるのみであるため、アライメントマーク24 Incidentally, since the the substrate 4 is only further exposure is performed, the alignment marks 24
A,24Bを用いることなく、例えば基板4の外形基準で基板4の初期状態のアライメントを行い、その後はレーザ干渉計8の計測値に基づいて基板4の位置決めを行うのみでもよい。 A, without using 24B, for example, perform an alignment of the initial state of the substrate 4 in the outer shape standards of the substrate 4, then it may be only to position the substrate 4 on the basis of the measurement values ​​of laser interferometer 8.

【0035】このようにアライメントを行うことによって、図4に示すように、i番目のマスターレチクルRi [0035] By performing the alignment in this way, as shown in FIG. 4, i-th master reticle Ri
の親パターンPiの投影光学系3による縮小像PIi Reduced image PIi by the projection optical system 3 of the parent patterns Pi
が、基板4上のX軸及びY軸に平行な辺で囲まれた矩形のパターン領域25内のi番目のショット領域Siに露光される。 But it is exposed to i-th shot area Si in the rectangular pattern area 25 surrounded by sides parallel to the X-axis and Y-axis on the substrate 4. 図4において、基板4のパターン領域25内で既に露光された親パターンの縮小像は実線で示され、 4, a reduced image of the parent patterns already exposed in the pattern area 25 of the substrate 4 is shown in solid lines,
未露光の縮小像は点線で示されている。 Reduced image of an unexposed is indicated by a dotted line. このようにして、図1のN個のマスターレチクルR1〜RNの親パターンP1〜PNの縮小像を、順次基板4上の対応するショット領域S1〜SNに露光することで、各親パターンP1〜PNの縮小像は、それぞれ隣接する親パターンの縮小像と画面継ぎを行いながら露光されたことになる。 In this way, a reduced image of the parent patterns P1~PN the N number of master reticles R1~RN in FIG 1, by exposing the corresponding shot area S1~SN sequential substrate 4, each parent pattern P1~ PN of reduced image would have been exposed while a reduced image and the screen splicing parent pattern adjacent respectively.
これによって、基板4上に図1の親パターン36を1/ Thus, a parent pattern 36 of FIG. 1 on the substrate 4 1 /
α倍で縮小した投影像が露光される。 Projection image obtained by reducing with α multiplied is exposed.

【0036】その後、図2(E)に示すように、基板4 [0036] Thereafter, as shown in FIG. 2 (E), the substrate 4
上のフォトレジスト層33を現像すると、そのフォトレジストがポジ型である場合には、投影像の暗部がレジストパターン33aとして残される。 When developing the photoresist layer 33 above, the photoresist in the case of a positive type, dark portion of the projected image is left as a resist pattern 33a. 次に、図2(F)に示すように、そのレジストパターン33aをマスクとして吸収層32のエッチングを行った後、図2(G)に示すように、残っているレジストパターン33aの剥離を行うことによって、基板4上の反射膜31上で親マスクの縮小像の暗部に対応する領域に吸収層32aが残されて、本例のワーキングレチクル34が完成する。 Next, as shown in FIG. 2 (F), performed after the etching of the absorbing layer 32 using the resist pattern 33a as a mask, as shown in FIG. 2 (G), the release of the remaining resist pattern 33a it allows the absorption layer 32a on a region corresponding to the dark part of the reduced image of the parent mask the reflective film 31 on the substrate 4 is left, working reticle 34 of the present embodiment is completed.

【0037】なお、上記のようにマスターレチクルRi [0037] In addition, the master reticle as described above Ri
の親パターンを基板4上につなぎ合わせて縮小転写する際には、各マスターレチクルRi上の所定のマーク(例えばアライメントマーク21A,21B)も縮小転写し、隣接するマスターレチクルの親パターンの縮小像を転写する際にそのマークの潜像の位置を検出し、この検出結果よりその隣接するマスターレチクルの親パターンの縮小像の転写位置の補正を行うようにしてもよい。 The parent pattern when reduced and transferred by connecting on the substrate 4 of a predetermined mark (for example, the alignment marks 21A, 21B) on each of the master reticle Ri also reduced and transferred, reduced image of the parent patterns of adjacent master reticle the detecting the position of the latent image of the mark at the time of transferring may be performed to correct the transfer position of the reduced image of a parent pattern of the master reticle to its adjacent from this detection result.

【0038】また、図1の原版パターン27に例えば密集パターンと孤立パターンとが形成されている場合、マスターレチクルR1〜RN中の1枚のマスターレチクルRaには密集パターンのみが形成され、別の1枚のマスターレチクルRbには孤立パターンのみが形成されることがある。 Further, if for example dense pattern on the original pattern 27 of FIG. 1 and an isolated pattern is formed, only the dense pattern is formed on one of the master reticle Ra in the master reticle R1 through RN, another the single master reticles Rb may only isolated pattern is formed. このとき、密集パターンと孤立パターンとでは最良の照明条件や結像条件等の露光条件が異なるため、マスターレチクルRiの露光毎に、その親パターンPiに応じて、露光条件、即ち照明光学系1内の開口絞りの形状や大きさ、コヒーレンスファクタ(σ値)、及び投影光学系3の開口数等を最適化するようにしてもよい。 At this time, since the exposure conditions such as the best lighting conditions or imaging condition differs between the dense pattern and the isolated pattern, for each of the exposure of the master reticle Ri, in accordance with the parent pattern Pi, exposure conditions, namely the illumination optical system 1 aperture stop shape and size of the inner, coherence factor (sigma value), and may be optimized numerical aperture or the like of the projection optical system 3. また、その露光条件を最適化するために、投影光学系3の瞳面付近に所定の光学フィルタ(いわゆる瞳フィルタ)を挿脱したり、又は特に孤立パターンの露光を行う際には、投影光学系3の像面と基板4の表面とを所定範囲内でZ方向に相対的に振動させるいわゆる累進焦点法(フレックス法)を併用したりしてもよい。 Further, in order to optimize the exposure conditions, in performing or insertion and removal of the predetermined optical filter (so-called pupil filter) in the vicinity of a pupil plane of the projection optical system 3, or in particular the exposure of the isolated pattern, the projection optical system 3 of the image plane and the surface of the substrate 4 so-called progressive multifocal method for relatively vibrating in the Z direction within a predetermined range (flex method) may be or combination.

【0039】なお、上記の実施の形態において、図1のマスターレチクルP1〜PNの枚数は16枚に固定されたものではなく、製造しようとする反射型のワーキングレチクル34に形成される原版パターンの大きさ等によって増減するものである。 [0039] In the above embodiment, the number of master reticles P1~PN in Figure 1 is not fixed to 16 sheets, the original pattern to be formed on the reflective working reticle 34 to be manufactured it is to increase or decrease the size, and the like. また、その原版パターンがD Also, the original pattern is D
RAMのように規則的なパターンであれば、そのマスターレチクルP1〜PNの内の所定の複数のレチクルを、 If regular pattern such as a RAM, and predetermined plurality of reticles of its master reticle P1 to PN,
1枚のレチクルで兼用することができる。 It can be shared by one of the reticle. この場合には、電子ビーム描画装置で描画するマスターレチクルの枚数が減るため、マスターレチクルの作製に要する時間が短縮できる。 In this case, since the number of the master reticle to be drawn by an electron beam drawing apparatus is reduced, thereby shortening the time required for preparation of the master reticle.

【0040】また、上記の実施の形態では、ワーキングレチクル34の基板4としてシリコンウエハを用いているが、これによって、図3に示す半導体製造用の投影露光装置をほぼそのまま使用して、マスターレチクルのパターン像の露光を行うことができる。 Further, in the above embodiment, is used a silicon wafer as a substrate 4 of the working reticle 34, thereby, almost accept the projection exposure apparatus for semiconductor fabrication shown in FIG. 3, the master reticle it is possible to perform exposure of the pattern image of. 更に、エッチング等のプロセス処理装置としても、従来のシリコンウエハ用の処理装置(薄膜形成装置、レジストコータ、レジスト現像装置、エッチング装置等)がそのまま使用できるため、新たに製造設備を用意する必要がなく、反射型のワーキングレチクル34の製造コストを低くすることができる。 Furthermore, even if the process apparatus such as etching processing apparatus for a conventional silicon wafer (a thin film forming apparatus, a resist coater, the resist developing apparatus, etching apparatus, etc.) for the ready to use, must be prepared freshly prepared equipment no, it is possible to reduce the manufacturing cost of the reflection type working reticle 34. 更に、図1のN枚のマスターレチクルP1〜P Further, N pieces of master reticles P1~P in FIG
Nを一度作製すれば、後は光学式の投影露光装置を用いた露光を繰り返すのみでワーキングレチクル34と同一のレチクルを必要な枚数だけ短時間に、かつ同一の精度で製造できるため、全体として製造に要する時間を短縮できると共に、全体の製造コストを低減することができる。 Once prepared N, after the short time required number of the same reticle and working reticle 34 only repeat the exposure using the projection exposure apparatus of optical type, and because of the ability to fabricate them in the same accuracy as a whole it is possible to shorten the time required for manufacturing can be reduced overall cost of production.

【0041】次に、上記のように製造された図1の反射型のワーキングレチクル34を用いて露光を行う場合の動作の一例につき説明する。 Next, it will be described an example of the operation in the case of performing exposure using a reflection type of working reticle 34 of Fig. 1 produced as described above. 図5は、そのワーキングレチクル34を装着してEUV光を露光ビームとして露光を行う、縮小投影型でステップ・アンド・スキャン方式(走査露光型)の露光装置(以下「EUVL用露光装置」という)を示し、この図5において、水平面内で図5の紙面に垂直にX軸を、図5の紙面に平行にY軸を取り、鉛直方向にZ軸を取って説明する。 Figure 5 performs exposure EUV light as an exposure beam by mounting the working reticle 34, an exposure apparatus of step-and-scan method by the projection type (scanning exposure type) (hereinafter referred to as "exposure tool for EUVL") are shown, in FIG. 5, the X-axis perpendicular to the plane of FIG. 5 in a horizontal plane, taken parallel to the Y axis to the plane of FIG. 5 will be described taking a Z-axis in the vertical direction. このとき、レチクルベース42上にY方向に移動自在にレチクルステージ41が設置され、レチクルステージ41の底面に基板ホルダ22が電磁吸着等によって保持され、基板ホルダ22の上面(鉛直下方)にワーキングレチクル34が静電吸着によって保持されている。 At this time, the reticle stage 41 to be movable in the Y direction on the reticle base 42 is installed, the substrate holder 22 to the bottom surface of the reticle stage 41 is held by electromagnetic adsorption or the like, working reticle on the upper surface of the substrate holder 22 (vertically downward) 34 is held by electrostatic attraction. ワーキングレチクル3 Working reticle 3
4と基板ホルダ22とは、図3の投影露光装置から一体的に搬送されたものである。 4 and the substrate holder 22, in which transported integrally from the projection exposure apparatus of FIG.

【0042】そして、例えばSOR(Synchrotron Orbi [0042] Then, for example SOR (Synchrotron Orbi
tal Radiation)リング、又はレーザ・プラズマ光源等のX線源43から射出された露光ビームとしての波長1 tal Radiation) Ring wavelength as emitted exposure beam from or X-ray source 43 such as a laser plasma light source, 1
3nmの軟X線IL1は、投影光学系46内のミラー5 Soft X-ray IL1 of 3nm, the mirror 5 in the projection optical system 46
1で反射されて、ワーキングレチクル34のパターン領域の円弧状の照明領域を法線方向に対して斜めに照明する。 1 is reflected by, for illuminating obliquely the arcuate illumination region of the pattern area of ​​the working reticle 34 with respect to the normal direction. そして、ワーキングレチクル34で反射された軟X The soft X reflected by the working reticle 34
線IL1は、投影光学系46内で第1の凹面鏡52、凸面鏡53、平面鏡54、及び第2の凹面鏡55を経て、 Line IL1, a first concave mirror 52 in the projection optical system 46, through the convex mirror 53, planar mirror 54, and a second concave mirror 55,
露光対象のウエハ(wafer)W上に、その照明領域のパターンを1/β(この例では1/βは1/4)に縮小した像を形成する。 On exposure target wafer (wafer) W, (in this example, 1 / β 1/4) 1 / β the pattern of the illumination area to form a reduced image into. 凹面鏡52等の中で軟X線IL1が通過する部分には開口が形成されている。 The portions soft X-ray IL1 passes in the concave mirror 52 and the like are openings formed. 軟X線のような波長が例えば1〜50nm程度のEUV光に対しては適当な透過性の硝材が無いため、本例の投影光学系46は反射系より構成されており、レチクルとしても反射型のワーキングレチクル34が使用されている。 Because there is no suitable transparent glass material for a wavelength of, for example 1~50nm about EUV light, such as soft X-rays, the projection optical system 46 of the present embodiment is composed of a reflection system, reflection even reticle type working reticle 34 is used for.

【0043】また、投影光学系46の開口数は0.08 [0043] The numerical aperture of the projection optical system 46 0.08
以上であり、例えば0.1〜0.2程度に設定されている。 Above, and the is set to, for example, about 0.1 to 0.2. 軟X線IL1の波長が13nmであるため、投影光学系46によって100〜50nm程度の解像度を得ることができる。 Since the wavelength of the soft X-ray IL1 is 13 nm, it is possible to obtain a resolution of about 100~50nm by the projection optical system 46. また、例えば100〜50nmの解像度(最小線幅)を得たい場合には、ワーキングレチクル3 Further, for example when it is desired to obtain a 100~50nm resolution (minimum line width), working reticle 3
4のパターンの最小線幅は400〜200nmとなるが、この線幅であれば図3の光学式の投影露光装置で十分に達成できる。 Minimum line width of the fourth pattern becomes 400~200nm, but can be sufficiently achieved by an optical projection exposure apparatus of FIG. 3, if the line width.

【0044】また、ウエハWは不図示のウエハホルダを介してウエハステージ49上に保持され、ウエハステージ49は、定盤50上でY方向にウエハWを連続移動すると共に、X方向及びY方向にウエハWのステップ移動を行う。 [0044] The wafer W is held on a wafer stage 49 via a wafer holder (not shown), the wafer stage 49, while continuously moving the wafer W in the Y direction on the surface plate 50, the X and Y directions performing the step movement of the wafer W. 更に、ウエハステージ49は、オートフォーカス方式でウエハWの表面を投影光学系46の像面に合わせ込むように、ウエハWのフォーカス位置や傾斜角の制御も行う。 Further, the wafer stage 49, as Komu fit the surface of the wafer W with the image plane of the projection optical system 46 in the autofocus mode, also controls the focus position and inclination angle of the wafer W. レチクルステージ41及びウエハステージ4 The reticle stage 41 and the wafer stage 4
9の位置はそれぞれレチクルステージ駆動系44及びウエハステージ駆動系47内のレーザ干渉計によって計測され、これらの計測値に基づいて主制御系45がレチクルステージ駆動系44及びウエハステージ駆動系47を介してレチクルステージ41、及びウエハステージ49 Position 9 are respectively measured by a laser interferometer of the reticle stage drive system 44 and the wafer stage drive system 47, the main control system 45 via a reticle stage drive system 44 and the wafer stage drive system 47 based on these measured values The reticle stage 41 Te, and the wafer stage 49
を同期駆動する。 The driven synchronization.

【0045】即ち、露光時には、ウエハW上の一つのショット領域を助走開始位置にステップ移動した後、レチクルステージ41を介してワーキングレチクル34を軟X線IL1の照明領域に対して+Y方向(又は−Y方向)に速度VRで走査するのと同期して、ウエハステージ49を介してウエハWを−Y方向(又は+Y方向)に速度VR/βで走査することによって、当該ショット領域にワーキングレチクル34の縮小像が露光される。 [0045] That is, during exposure, after moving step one shot area on the wafer W to approach the starting position, the working reticle 34 via a reticle stage 41 with respect to the illumination area of ​​the soft X-ray IL1 + Y direction (or in synchronism with scanning at the -Y direction) in velocity VR, by scanning at a speed VR / beta in the wafer W -Y direction via the wafer stage 49 (or the + Y direction), working reticle to the shot area 34 reduced images are exposed.

【0046】この際に、本例の投影光学系46の光軸A [0046] At this time, the optical axis A of the projection optical system 46 of the present embodiment
X1は鉛直方向(Z方向)に平行であり、かつ投影光学系46はウエハW側にはテレセントリックであるが、レチクル側ではテレセントリック性が崩れている。 X1 is parallel to the vertical direction (Z direction), and although the projection optical system 46 is telecentric on the wafer W side, telecentricity is collapsed in the reticle side. そのため、ワーキングレチクル34の表面に凹凸が生じているか、又はその表面がZ方向に垂れ下がることがあると、 Therefore, if irregularities on the surface of the working reticle 34 has occurred, or the surface thereof when it may hang down in the Z direction,
ウエハW上の縮小像に歪等が生じる恐れがある。 Reduced image on the wafer W is likely to strain or the like occurs in. しかしながら、本例では、ワーキングレチクル34は、基板ホルダ22と一体的に搬送されており、異物等がワーキングレチクル34の裏面に挟まれる恐れが無いと共に、ワーキングレチクル34はほぼ全面で吸着されているため、ワーキングレチクル34のパターン面は極めて高い平面度(100mm角で0.1〜0.3μm程度以下) However, in this embodiment, the working reticle 34 is integrally transported to the substrate holder 22, the possibility is no foreign matter is caught on the back surface of the working reticle 34, working reticle 34 is attracted by substantially the entire Therefore, the pattern surface of the working reticle 34 is extremely high flatness (more than about 0.1~0.3μm at 100mm square)
を維持している。 It has maintained. 従って、ウエハW上に常に高精度にワーキングレチクル34のパターンの縮小像が転写される。 Therefore, reduced image of the pattern of the working reticle 34 is transferred onto the constantly high precision on the wafer W.

【0047】なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。 [0047] The present invention is not limited to the embodiments described above, it is a matter of course can take various configurations without departing from the gist of the present invention.

【0048】 [0048]

【発明の効果】本発明のマスクの製造方法によれば、第1の原版パターンの描画誤差は第2の基板上では縮小されると共に、親マスクのパターンを光学式の投影露光装置で第2の基板上に転写するのみで同一のマスクを何枚でも製造できるため、そのマスクを高精度に、かつ短時間に形成できる利点がある。 According to the mask manufacturing method of the present invention, the drawing error of the first original pattern is reduced in the second substrate, the pattern of the master mask by an optical projection exposure apparatus 2 since the TFT can be formed only by transfer of the substrate any number of images of the same mask, there is an advantage that the mask with high precision, and can be formed in a short time.

【0049】また、そのマスクは、極端紫外光を反射する反射層を有しているため、極端紫外光を露光ビームとして使用する露光装置において、そのマスクを反射型のマスクとして使用することができる。 [0049] Further, the mask, because it has a reflective layer for reflecting extreme ultraviolet light, an exposure apparatus that uses extreme ultraviolet light as an exposure beam, it is possible to use the mask as a reflection mask . また、その基板が半導体ウエハのような円形の基板である場合には、例えば半導体製造用の光学式の投影露光装置をそのまま使用できるため、その反射型のマスクの製造コストを低減できる利点がある。 Further, when the substrate is a circular substrate such as a semiconductor wafer, for example, for an optical projection exposure apparatus for semiconductor manufacturing can be used as it is, there is an advantage of reducing the manufacturing cost of the reflection type mask .

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の実施の形態の一例において、マスターレチクルの縮小像を露光してワーキングレチクルを製造するための全体の製造工程を示す図である。 In one example embodiment of the invention; FIG is a diagram showing an overall manufacturing process for manufacturing a working reticle by exposing a reduced image of the master reticle.

【図2】 そのワーキングレチクル用の基板にフォトレジストを塗布して原版パターンを形成するための各製造工程を示す一部を切り欠いた拡大図である。 2 is an enlarged view, with parts cut away showing the respective manufacturing steps for forming the original pattern by applying a photoresist to the substrate for the working reticle.

【図3】 その実施の形態の一例でマスターレチクルの縮小投影を行う際に使用される光学式の投影露光装置を示す構成図である。 3 is a block diagram showing an optical projection exposure apparatus used when performing reduction projection of a master reticle in one example of embodiment.

【図4】 図3の投影露光装置において、マスターレチクル上の親パターンの縮小像を基板4上に投影する状態を示す要部の斜視図である。 In the projection exposure apparatus of FIG. 3. FIG is a perspective view of a main part showing a state of projecting a reduced image of the parent patterns on the master reticle onto the substrate 4.

【図5】 その実施の形態で製造されたワーキングレチクルを装着して、露光ビームとしてEUV光を用いて露光を行う露光装置の一例を示す一部を断面で表した構成図である。 [5] wearing the working reticle produced in the embodiment is a configuration diagram showing, partly in section showing an example of an exposure apparatus that performs exposure using the EUV light as an exposure beam.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

R1〜RN…マスターレチクル(親マスク)、P1〜P R1~RN ... master reticle (parent mask), P1~P
N…分割された親パターン、3…投影光学系、4…ワーキングレチクル用の基板、5…試料台、6…XYステージ、16…レチクルライブラリ、18…スライド装置、 N ... divided parent pattern, 3 ... projection optical system, 4 ... substrate for working reticle, 5 ... sample stage, 6 ... XY stage 16 ... reticle library, 18 ... slide device,
19…レチクルローダ、22…基板ホルダ、27…原版パターン、31…反射膜、32…吸収層、33…フォトレジスト層、34…ワーキングレチクル、43…X線源、46…投影光学系 19 ... reticle loader, 22 ... substrate holder, 27 ... original pattern, 31 ... reflecting film 32 ... absorbent layer, 33 ... photoresist layer, 34 ... working reticle, 43 ... X-ray source, 46 ... projection optical system

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 波長が1〜50nmの範囲の極端紫外光を露光ビームとして用いる露光装置用の反射型のマスクの製造方法であって、 前記マスクに形成されるパターンを拡大した第1の原版パターンを作成し、該第1の原版パターンを波長が10 1. A wavelength method for manufacturing a reflection type mask for an exposure apparatus that uses extreme ultraviolet light in the range of 1~50nm as the exposure beam, a first original plate obtained by enlarging the pattern formed on the mask create a pattern, wavelength first master pattern 10
    0〜400nmの紫外光を透過させる第1の基板上に描画して親マスクを製造する第1工程と、 所定の第2の基板上に前記極端紫外光を反射する反射層と前記極端紫外光を吸収する吸収層とを積層して形成する第2工程と、 波長が100〜400nmの紫外光を露光ビームとして縮小投影を行う投影露光装置を用いて、前記第1工程で製造された前記親マスクのパターンの縮小像を前記第2 First step and, the extreme ultraviolet light and the reflection layer configured to reflect the extreme ultraviolet radiation to a predetermined second substrate to produce a master mask by drawing on the first substrate for transmitting ultraviolet light 0~400nm using a second step of forming by laminating an absorbent layer for absorbing, a projection exposure apparatus having a wavelength performs reduction projection of the ultraviolet light of 100~400nm as the exposure beam, the parent prepared in the first step wherein a reduced image of the pattern of the mask second
    工程で製造された前記第2の基板上に投影露光して、前記吸収層の一部を除去する第3工程と、を有し、前記吸収層の一部が除去された前記第2の基板を前記反射型のマスクとして使用することを特徴とするマスクの製造方法。 And projection exposure onto the second substrate produced in step, anda third step of removing a portion of said absorbent layer, said second substrate portion of said absorbent layer is removed method for manufacturing a mask, characterized by using as the reflective mask.
  2. 【請求項2】 前記第2の基板は、実質的に円形の基板であることを特徴とする請求項1記載のマスクの製造方法。 Wherein said second substrate, a manufacturing method of a mask according to claim 1, wherein the substantially circular substrate.
  3. 【請求項3】 前記第3工程で使用される投影露光装置において、前記第2の基板が吸着保持される保持部材と、該第2の基板とを一体的に移動することを特徴とする請求項1、又は2記載のマスクの製造方法。 3. A projection exposure apparatus used in the third step, wherein said second substrate is characterized a holding member which is held by suction, to move integrally with the substrate of the second production method of claim 1, or 2 mask according.
  4. 【請求項4】 前記第3工程で使用される投影露光装置において、前記第2の基板の表面が100mm角で実質的に0.1〜0.3μmの平面度を維持するように該基板を保持することを特徴とする請求項1、2、又は3記載のマスクの製造方法。 4. A projection exposure apparatus used in the third step, the substrate so that a surface of said second substrate to maintain a substantially flatness 0.1~0.3μm at 100mm square claim 1, 2 or 3 mask fabrication method, wherein the holding.
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