IT8224761A1 - Metodo ed apparecchiatura per produrre in continuo filamenti di carburo di silicio - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 85
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 36
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 35
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 title claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 88
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 241000209094 Oryza Species 0.000 claims description 21
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 21
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 21
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 14
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003209 petroleum derivative Substances 0.000 claims 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 9
- 239000010903 husk Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000000956 solid--liquid extraction Methods 0.000 description 1
- 239000006188 syrup Substances 0.000 description 1
- 235000020357 syrup Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/97—Preparation from SiO or SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
DESCRIZIONE dell'invenzione industriale dal titolo: "METODO ED APPARECCHIATURA.PER PRODURRE IN CONTINUO FILAMENTI DI CARBURO DI SILICIO"
RIASSUNTO
L'invenzione caratterizza metodi ed apparecchiature per ottenere filamenti di carburo di silicio in modo continuo. Involucri di riso cokizzati o altre materie prime contenenti carbonio e silicio vengono alimentati in continuo in una zona di riscaldamento sotto condizioni di non agitazione allo scopo di f.avorire la crescita de.i filamenti. La zona d i riscaldamento viene continuamente purificata con un gas inerte come azoto. Il gas inerte porta via le impurit? gassose ed evita l'ossidazione dei filamepti. Le materie prime vengono alimentate allo stato secco nella zona di riscaldamento in modo da evitare la corrosione delle pareti del forno.
La presente invenzione riguarda la produzione di filamenti di carburo di silicio e pi? in particolare un procedimento continuo per ottenere filamenti di carburo di silicio da materie prime contenenti silicio e carbonio.
Finora si ? sempre ottenuta la produzione di filamenti di carburo di silicio mediante metodi di lavorazione a caric??h?e?-succ-?-essive.-Gli involucri del riso,un sottoprodotto di scarto della raffinazione del riso,? sono noti contenere sia biossido di silici? sia carbonio in quantit? sufficiente a produrre filamenti di carbonio di silicio, secondo l'insegnaimento del brevetto U.S.A. No. 3?75>4?076 concesso il21 agosto 1973 . Gli involucri di riso cokiz-? zati vengono generalmente riscaldati a cariche suecessive in un forno ad induzione per diverse ore a temperature comprese nel campo generico di valori da 1600?C a 2000?C. Durante questo periodo, il silicio ed il carbonio si combinano tra loro formando un agglomerato costituito da particelle di carbonio di isilicio e da filamenti di carburo di silicio. I filamenti vengono tolti e separati dall'agglomerato mediante metodi ben noti per esempio la flottazione a bollicine, come descritto nel brevetto USA a nome ?. K. Parekh ed altri No. 4.293-099 concesso il 6 ottobre 1981?
Questi filamenti trovano importanti utilizzazioni nel rinforzo di metalli, plastica e ceramica.
Si sono fatti tentativi per aumentare la produzfone del summenzionato procedimento senza molto successo. Tale procedimento non si presta facilmente a metodi di produzione in continuo poich? un'alimentazione continua degli involucri di riso cokizzati provoca normalmente l'agitazione delle materie prime impedendo cos? la crescita dei filamenti.
L'inventore della presente domanda di brevetto ha fatto tentativi di alimentare questi materiali a cariche successive ma in modo continuo. Contenitori cilindrici di grafite pieni di pula di riso carbonizzata venivano spinti uno dietro l ' altro lungo uria zona di riscaldamento. Questi contenitori di grafite venivano impiegati per mantenere le materie prime sotto condizioni di non agitazione pur muovendosi in modo continuo attraverso un forno di conversione .
Questo procedimento iniziale veniva meno dopo alcuni giorni di funzionamento continuo. Analizzando il problema si era trovato che le impurit? gassose emesse durante il processo di conversione venivano a formare depositi simili a vetro sulle pareti del forno e di uscita in zone dove le temperature erano generalmente inferiori a 15>00?C. Questi depositi simili a vetro impedivano il movimento dei contenitori di grafite, cio? tali depositi formavano una superficie di attrito contro la quale i contenitori non poteva!-no esser fatti avanzare.
Oltre al suddetto problema, si notavano altre difficolt? dovute ad umidit? nelle materie prime, L'umidit?, alle temperature necessarie per la formazione dei filamenti,ba la capacit? di corrodere le pareti del forno.
Questi due problemi sono stati risolti utilizzando una nuova tecnica di depurazione sdoppiata.
Del gas inerte viene spinto in modo continuo nella zona di riscaldamento tra forni contigui di deidratazione e di conversione, in modo che: (1) il gas inerte fluisca a monte lungo il forno di deidratazione per evitare che l'umidit? si sposti attraverso l'attiguo forno di conversione; e (2) il gas inerte fluisca a valle lungo il forno di conversione per eliminare le impurit? gassose dal forno prima che queste possano depositarsi su zone superficiali pi? fredde.
La tecnica di purificazione richiede che il gas inerte venga pompato attraverso l'impianto sotto un carico costante di pressione. Inoltre i tubi di scarico del mezzo gassoso dovrebbero essere costruiti in modo da sboccare direttamente dalla zona idi riscaldamento per la conversione, per cui i gas caldi emessi non raggiungono mai superfici di attestamento pi? fredde ovvero non depositano mai pellicole su di esse.
I tubi di scarico possono essere costruiti in modo da staccarsi rapidamente dalla parete del forno di conversione in modo che il funzionamento continuo non debba essere interrotto durante le operazioni di pulizia e manutenzione.
Oltre al procedimento a cariche successive in continuo brevemente descritto in precedenza, ? anche previsto mediante la presente invenzione adottare sistemi in continuo progettati per: (1) un letto di fusione continuo; e (2) un forno a tunnel in continuo. Il sistema a letto di fusione in continuo dovrebbe utilizzare un nastro orizzontale ad anello in un unico pezzo ed in movimento continuo per trasportare pula di riso carbonizzata attraverso varie zone di riscaldamento e di raffreddamento. Il nastro ad anello sarebbe costituito di un materiale che abbia la capacit? di resistere alla temperatura di conversione compresa approssimativamente tra 1000 e 2000?C .
Un tale materiale per il nastro pu? comprendere una lastra anulare in un unico pezzo di grafite.
Il sistema con il forno a tunnel pu? comprendere piccoli carrelli di grafite che rotolano su una serie di ruote attraverso dette zone di riscaldamento, oppure contenitori trasportati su una superficie di scorrimento, su rulli, su una trave oscillante o altri mezzi di convogliamento.
Anche se attualmente si preferisce adottare il procedimento che impiega contenitori cilindrici di grafite, cio? la tecnica a cariche successive in continuo, non si deve intendere che il metodo continuo dell'invenzione sia limitato a qualsiasi particolare apparecchiatura o tipo di impianto, gli insegnamenti preferiti e suggeriti essendo di per s? esemplificativi ed intesi soltanto come un insegnamento di co4 me il metodo secondo l'invenzione pu? venire realizzato.
Per quanto si crede ed ? a nostra conoscenza qu?sta e la prima volta che qualcuno ha suggerito o descritto un processo o processi per produrre filamenti di carburo di silicio su una base di continuit? o sostanzialmente continua. Si ritiene quindi che questa invenzione porti un contributo significativo alla tecnica di produzione dei filamenti di carburo di silicio.
Per gli scopi di questa invenzione, i termini: "filamenti" o "filamenti di carburo di silicio" , verranno definiti come fibre, filamenti o particelle di carburo di silicio o loro miscele che siano pr?-[dotti con un metodo o i metodi qui descritti o suggeriti.
Per gli scopi di questa invenzione i termini:
"continuo" o "sostanzialmente continuo" sono sinonimi e comprendono un processo che pu? essere interr?tto o che consente il movimento in sequenza o numerato di materiali.
L'invenzione riguarda metodi ed apparecchiature per produrre filamenti di carburo di silicio in continuo o sostanzialmente in continuo. Materie primei contenenti silicio e carbonio vengono alimentate in uno stato di non agitazione ed in modo sostanzialm?nte continuo attraverso una zona di riscaldamento per una temperatura ed un tempo sufficienti a favorire; la crescita dei filamenti. E' importante alimentare i materiali in uno stato di non agitazione allo scppo di favorire la crescita dei filamenti di carburo di silicio. Quando sono agitate le materie prime i generalmente non possono formare una lunga fibra.
I materiali contenenti silicio e carbonio possono essere involucri di riso cokizzati o un miscuglio di petrolio distillato e sabbia ecc. Il processo non ? generalmente dipendente dalle materie prime per quanto riguarda la sua novit?, bench? si preferisca generalmente pula di riso cokizzata.
Le materie prime vengono inizialmente disidrata te in una zona di deidratazione in cui viene aspor tato almeno il 99% (in peso) dell'acqua. La maggior parte dell'umidit?, se non tutta viene di preferenza allontanata per evitare la corrosione delle pareti del forno nella zona contigua di riscaldamento.
I materiali essiccati entrano in questa zona di riscaldamento e vi vengono fatti passare attraverso per un tempo superiore ad ? ora ad una temperatura superiore/ 1000?C. La zona di riscaldamento presenta generalmente un campo di valori di temperature compresi da circa 1000? a 1850?C. La zona di riscaldaimento viene purificata sostanzialmente in modo continuo con un gas per trascinare via le impurit? gassose generate durante la formazione dei filamenti/ Le impurit? vengono scaricate direttamente dalla zona di riscaldamento per evitare che si formino, depositi simili al vetro sulle superfici fredde, cio? le superfici approssimativamente al di sotto di 1900?C.
Il gas di purificazione comprende preferibilmente un gas inerte come azoto o argon. Possono venire usati altri gas depuranti o miscele di gas depuranti? Il gas di purificazione viene di solito introdotto nella giunzione tra la zona di deidratazione e la zona adiacente di riscaldamento. Il gas di purificazione viene ripartito in due correnti di flusso cos? che parte del gas fluisce a monte attraverso la zona di disidratazione. Ci? impedisce che l'umidit? estratta entri nella zona di riscaldamento. L'altra parte del gas di purificazione viene spinta a valle nella zona di riscaldamento cos? da allontanare le summenzionate impurit? gassoso.
Le aperture o le tubazioni di sfogo per scaricare le impurit? gassose possono essere previste in modo da venire facilmente scollegate dalla parete del forno della zona di riscaldamento per scopi di manutenzione e pulizia di queste tubazioni.
In prossimit? della zona di riscaldamento, sul suo lato a valle, vi ? una zona di raffreddamento per raffreddare i filamenti alla temperatura ambiente senza ossidazione.
L'apparecchiatura per realizzare il procedimento secondo l'invenzione pu? essere prevista come un impianto ad alimentazione volumetrica in continuo o un forno a tunnel avente numerosi contenitori o recipienti che si muovono accoppiati attraverso le varie zone. I contenitori o recipienti possono essere trasportati lungo le varie zone, spingendoli su una superficie di scorrimento, mediante rulli, carrelli su rotaia, bilanciere o altri mezzi convoglia tori .
L'apparecchiatura pu? anche essere prevista come un impianto a letto di fusione rotante in continuo avente un nastro ad anello in un unico pezzo che porta le materie prime attraverso gli stadi di riscaldamento.
E' uno scopo dell'invenzione fornire metodi ed apparecchiature per produrre in modo continuo filamenti di carburo di silicio.
E' un altro scopo della presente invenzione forni re metodi ed apparecchiature perfezionate per aumentare il rendimento della produzione di filamenti di carburo di silicio.
Questi ed altri scopi della presente invenzione verranno meglio compresi e risulteranno pi? evident?i con riferimento alla seguente dettagliata descrizione dell'invenzione, considerata in combinazione con i disegni annessi sotto descritti.
La FIGURA 1 ? una vista schematica prospettica di un impianto ad alimentazione volumetrica in continuo per la produzione di filamenti di carburo di silicio secondo il o i metodi qui descritti;
la FIGURA 2 ? una vista prospettica schematica ?i una apparecchiatura alternativa alla figura 1 impiegando un sistema a letto di fusione rotante; e la FIGURA 3 ? una vista schematica sezionata di un'altra apparecchiatura alternativa alla figura 1 che utilizza un sistema a forno a tunnel.
Parlando in generale l'invenzione riguarda metodi e apparecchiature per ottenere in modo continuo filamenti di carburo di silicio.
Materie prime contenenti silicio e carbonio vengono continuamente alimentate attraverso una serie di zone: (1) di deidratazione; (2) di riscaldamento e di raffreddamento. Le materie prime vengono fatte passare attraverso lo stadio di riscaldamento in una condizione sostanzialmente di non agitazione allo scopo di favorire la crescita dei filamenti.
Facendo ora riferimento alla figura 1, viene rappresentato un impianto ad alimentazione volumetrica in continuo. Pula di riso cokizzata o altri materiali adatti contenenti silicio e carbonio viene caricata in numerosi contenitori cilindrici 9 che sono impilati su un piano inclinato 10. Ciascun cilindro ? costituito da materiale di grafite per resistere alle alte temperature richieste per la crescita dei filamenti di carburo di silicio. Il contenitore inferiore 9 sulla zona curva di fondo 11 del piano : inclinato 10 viene spinto (freccia 12) nell'imbocco tura 13 di un forno 14 di disidratazione mediante uno spintore 15- Dopo cbe il cilindro inferiore 9 ? stato spinto nel forno 14, lo spintore 15 viene fatto arretrare e ciascuno degli altri cilindri 9 sul piano inclinato 10 viene abbassato (con una in d?cazione) di un tratto pari alla larghezza di un cilindro cos? che un nuovo cilindro 9 ? pronto allora ad essere spinto nel forno di essiccazione 14.
I cilindri sono caricati ciascuno con circa 5 libbre di materiale (pari a circa 2268 g).
Lo spintore 15 spinge i cilindri 9 lungo l'impiinto ad una velocit? di circa 5 piedi/ora (pari a circa 1524 mm/h).
Ciascun cilindro 9 spinge davanti a se stesso il cilindro successivo cos? che vi ? una successione continua di cilindri 9 che viaggiano lungo l'impianto, come rappresentato dalla freccia 16 nel tratto sezionato dell'impianto.
Il forno di essiccazione 14 ha un campo di variazione delle temperatureda circa 600?C al suo ingresso fino a circa 800?C alla sua uscita, come illustrato.
Il forno di disidratazione 14 porta via la maggior parte dell'umidit?, se non tutta, contenuta nei ma t errali di pula di riso cokizzati in modo che l'umi dit? non corroda le pareti 17 del successivo forno di conversione 18.
Dopo che gli involucri di riso cokizzati sono stati essiccati nel forno 14 di disidratazione, entralo rei forno di conversione 18 dove avviene la crescita dei filamenti. Il forno di conversione 18 ? una zona di riscaldamento a temperatura elevata in cui il silicio ed il carbonio reagiscono per formare carburi di silicio. I materiali che attraversano la zona di riscaldamento devono muoversi lungo di essa in uno stato non agitato allo scopo di favorire la crescita dei filamenti.
Il forno di conversione 18 sottopone gli involucri di riso cokizzati ed essiccati a temperature comprese nel campo di valori da circa 1000?C al suo ingres so fino a circa 1850?C alla sua uscita, come rappresentato. Queste temperature sono sufficienti a favorire la crescita dei filamenti. Il forno 18 viene riscaldato mediante un elettrodo che riceve all'incirca 15 volt e 5000 amp?re.
Ciascun contenitore 9 richiede all'incirca 1 o 2 ore per passare attraverso ciascuna zona dell'impianto cio? ciascuno stadio o zona (essiccazione, riscaldamento, ecc.. ) ha una lunghezza di circa 10 piedi (pari a circa 3 metri) e quindi richiede circa 2 ore per un passaggio completo di un contenitore ad una velocit? di 3 piedi/ora. Queste lunghezze delle zone e queste velocit? sono variabili essendo dipendenti dalla quantit? di materiale che passa attraverso l' impianto e dalle dimensioni dell'impianto stesso.
Dopo che i filamenti-sono stati formati nel forn lo di conversione 18, i contenitori entrano in una zona di raffreddamento 19? Questa zona di raffreddamento 19 riduce la temperatura dei filamenti e dei contea nitori riportandola a quella ambiente. Questo raffreddemento ha luogo in una atmosfera che impedir? l'ossidazione dei filamenti e dei contenitori durante il loro raffreddamento.
In corrispondenza della giunzione (freccia 20) tra il forno di essiccazione 14-ed il forno di compressione 18, ? posizionato un ingresso di gas 21. Il gas viene pompato costantemente attraverso l'ingresso 21, (freccia 22) nella camera interna 23 di ciascun forino, cio? il flusso gassoso viene ripartito in due correnti, rispettivamente 22a e 22b. La corrente 22a fluisce verso valle nel forno di conversione 18 e purifica questo forno dalle impurit? gassose emesse dalla reazione degli involucri di riso cokizzati.
Queste impurit? gassose vengono fatte fluire (frecce 24) verso le aperture di sfogo 25 che sono sitiate direttamente nella zona di ris caldamento. Il posizionamento delle aperture di sfogo 25 ? critico. Se le impurit? gassose si raffreddano sotto i 1500?C si solidificheranno in una sostanza simile a vetro che pu? danneggiare il funzionamento del forno dando luogo ad una resistenza d'attrito sui contenitori. Il movimento dei contenitori verr? cos? impedito. Inoltre questa sostanza vetrosa pu? ostruire le aperture di sfogo ed altre parti di forno.
Le aperture di sfogo 25 sono situate direttamente nella zona di riscaldamento per garantire che le impurit? gassose vengano espulse dall'impianto prima che possa verificarsi una loro solidificazione.;
Le aperture 25 possono essere previste in modo da staccarsi facilmente dal forno 18 allo scopo di; pulire o riparare le aperture 25 stesse senza la necessit? di interrompere il funzionamento dell'impianto.
Il gas di purificazione viene alimentato nell' impianto ad una portata continua da 50 a 100 piedi cubi/ora (pari a circa 1,416-2,832 m /h). Il gas depurante pu? essere un gas inerte come azoto o argon oppure un altro gas che favorisca la crescita dei filamenti. Pu? essere usata anche una miscela di gas uno dei quali pu? anche essere inerte.
La corrente 22b del gas di purificazione fluisce verso monte nel forno di essiccazione 14 ed allontana dal forno di conversione 18 l'umidit? estratta. ci? impedisce che l'umidit? entri e corroda le pareti del forno nel forno di conversione.
I contenitori 9 escono dalla camera di raffreddamento 19 come rappresentato dalla freccia 26.
I filamenti finiti presenti nei contenitori 9 possono ora essere tolti dai contenitori e separati dall'agglomerato di carburo di silicio mediante estrazione solido-liquido.
Con riferimento alla figura 2, viene rappresentata schematicamente una apparecchiatura continua per produrre filamenti di carburo di silicio. L'apparecchiatura di figura 2 rappresenta un impianto a letto di fusione rotante. L'impianto a letto di fusione rotante presenta la stessa zona di essiccazione 14, la zona di riscaldamento 18 e la zona di raffreddamento 19 come l'apparecchiatura di figura 1. Queste zone vengono purificate con gas inerte 22 in modo simile al summenzionato sistema a volumi in continuo.
La differenza del letto di fusione rotante rispetto al summenzionato impianto di alimentazione a volumi ? l'alimentazione continua attraverso l'impianto di materiali sciolti alla rinfusa. Ci? ? realizzato mediante un nastro o lastra 27 di grafite anulare : in unico pezzo e continuamente rotante (freccia 29) che porta il materiale 28,pula di riso carbonizzata rispettivamente attraverso le zone di lavorazione l4, 18 e 19? lastra 27 viene fatta ruotare mediante una molteplicit? di rulli di trascinamento (non rappresentati.
Il materiale a fi..l.amenti 90 fuoriuscente dalla zona di raffreddamento 19 viene distaccato dalla lastra 27 mediante un coltello o lama 31?
La materia prima (involucri di riso cokizzati) viene erogata per gravit? (frecce 32) sulla lastra? rotante 27 mediante una tramoggia 33 a forma di imbuto, come illustrato.
Con riferimento alla figura 3 viene illustrato schematicamente un impianto di forno a tunnel. In questo impianto una serie di carrelli ferroviari 33 vengono fatti rotolare rispettivamente attraverso zone 14, 18,19 - Ciascun carrello ferroviario ? riempito di pula di riso cokizzata o materiali simili prima di entrare nelle zone di lavorazione. Ciascun carrello ferroviario 33 viene scaricato per ribaltamento all'uscita della zona 19? Tutte le altre condizioni di funzionamento sono simili a quelle descritte per le figure 1 e 2. I carrelli ferroviari 35 possono essere caricati mediante una tramoggia a forma di imbuto (non rappresentata), simile a quella illustrata in figura 2.
L'esempio seguente ? un effettivo resoconto su maferiale che viene lavorato mediante l'apparecchiatura e l'impianto illustrati in figura 1:
ESEMPIO
Pula di riso cokizzata venne posta in contenitori di grafite ed alimentata in modo continuo in un impianto di conversione del carburo di silicio. La pula di riso cokizzata veniva introdotta ad una poptata di 6 libbre all'ora (pari a circa 2,7 Kg/h).
L' impianto di conversione comprendeva una stazione ; di preriscaldamento-essiccamento , una stazione di conversione ad alta temperatura ed una stazione di ; raf freddamento. La stazione di preriscaldamento-essiccamento riscaldava la pula di riso cokizzata fino ad una temperatura di 800?C con un tempo di permanenza di 1,5 ore per asportare l'umidit?. Questa stazione veniva purificata con azoto e collegata separatamente con l'esterno per impedire all'umidit? di entrare nella zona di conversione ad alta temperatura. L'involucro del preriscaldatore era una muffola di lnconel risca?lda?-t?a?-esternamente mediante fornelli a: Resistenza elettrica. La stazione di conversione riscaldava la pula carbonizzata sotto una atmosfera purificatrice di azoto mediante riscaldamento diretto di una muffola di grafite con resistenze a bassa tensione ad una temperatura compresa fra 1500?C all'ingresso e 1800?C all'uscita e con un tempo di permanenza di 1,5 ore nell'intervallo di temperature 1500-1800?C . Questa stazione presentava sfoghi laterali per scaricare il gas di purificazione ed i gas prodotti dalla reazione , compreso l ' ossido di carbonio ed altri prodotti volatili. La stazione di raffreddemento era un guscio raffreddato ad acqua e purificato con argon e raffreddava fino alla temperatura ambiente i contenitori ed il materiale trasformato per un tempo di permamenza di 1,5 ore. Il materiale trasformato finale veniva prodotto ad una velocit? di 2,5 libbre /ora(pari a circa 115^?g/b) e comprendeva approssimativamente il 15% di filamenti di carburo di silicio, il 60% di particelle di carburo di silicio ed il 25% di carbonio residuo.
Avendo cos? descritto l'invenzione, ci? che si vuole proteggere con il brevetto ? enunciato nelle seguenti rivendicazioni.
Claims (1)
- RIVENDICAZIONI1. Metodo per ottenere filamenti di carburo di silicio su una base di sostanziale continuit? da mat?rie prime contenenti carbonio e silicio, comprendente le fasi di:(a) alimentare in modo sostanzialmente continuo in una zona di riscaldamento materiali comprendenti carbonio e silicio che abbiano un contenuto di acqu,a inferiore a circa l'1% in peso della composizione complessiva di detti materiali;(b) far passare in modo sostanzialmente continuo detti materiali in condizioni di non agitazione attraverso detta zona di riscaldamento per un tempo sufficiente a favorire la crescita dei filamenti di carburo di silicio; e(c) riscaldare detti materiali in detta zona di riscaldamento fino a temperature superiori approssimativamente a 1000?C.2. Metodo secondo la rivendicazione 1, comprendente inoltre la fase di:(d) disidratare dette materie prime prima di introdurle in detta zona di riscaldamento.3 Metodo secondo la rivendicazione 1, comprendente inoltre la fase di:(d) raffreddare dette materie prime riportandole alla temperatura ambiente dopo detta fase di riscal?-damento (c).4. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui detta fase di riscaldamento (c) viene realizzata in una atmosfera sostanzialmente inerte.5 Metodo secondo la rivendicazione 4, in cui detta atmosfera inerte comprende azoto.6. Metodo secondo la rivendicazione 4, in cui detta atmosfera inerte comprende argon.7* Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui detta fase di riscaldamento (c) comprende l'ulteriore fase di:(d) purificare in modo sostanzialmente continuo da sostanze gassose detta zona di riscaldamento.8. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui detta fase di riscaldamento (c) comprende l'ulteriore fase di:(d) introdurre in modo sostanzialmente continuo un gas sostanzialmente inerte in detta zona di riscaldamento mentre detti materiali vi passano attraverso.9. Metodo secondo la rivendicazione 8 in cui detto gas inerte comprende azoto.10. Metodo secondo la rivendicazione 8, in cui detto gas inerte comprende argon.11. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui dette materie prime comprendono involucri di riso cokizzati.12- Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui dette materie prime comprendono almeno un distillato di petrolio.13 Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui dette materie prime comprendono sabbia.14. Metodo secondo la rivendicazione 1, in cui detti materiali vengono fatti passare attraverso detta zona di riscaldamento per un tempo superiore ad 1 ora.15* Metodo secondo la rivendicazione 14, in cui detti materiali vengono riscaldati tra circa 1000? e 1850?C in detta zona di riscaldamento.16. Metodo secondo la rivendicazione 1 in cui detti materiali vengono riscaldati in detta zona di riscaldamento entro un campo di temperature compreso tra circa 1000? e 1850?C?17- Metodo per ottenere filamenti di carburo di? silicio su una base di sostanziale continuit? da materie prime contenenti carbonio e silicio, comprendente le fasi di:(a) alimentare in modo sostanzialmente continuo in una zona di preriscaldamonto materiali comprendenti carbonio e silicio allo scopo di disidratare dette materie prime;(b) alimentare in modo sostanzialmente continuo detti materiali disidratati in una zona di riscaldamento e(c) far passare in modo sostanzialmente continuo detti materiali disidratati in condizione di non agitazione attraverso detta zona di riscaldamento ad una temperatura ed un tempo sufficienti a favorire la crescita di filamenti di carburo di silicio.18. Metodo secondo la rivendicazione 17, comprendente la fase di:(d) raffreddare detti materiali riscaldati facendoli tornare alla temperatura ambiente dopo detta fase di riscaldamento (c).19* Metodo secondo la rivendicazione 17, in cui detta fase di riscaldamento (c) viene effettuata in una atmosfera sostanzialmente inerte.20. Metodo secondo la rivendicazione 17, in cui detta atmosfera inerte comprende azoto.21. Metodo secondo la rivendicazione 17, in cui detta atmosfera inerte comprende argon.22. Metodo secondo la rivendicazione 17, in cui detta fase di riscaldamento (c) comprende l'ulteriore fase di:(d) purificare in modo sostanzialmente continuo detta zona di riscaldamento dalle sostanze gassose? 23. .Metodo secondo la rivendicazione 17, in cui detta fase di riscaldamento (c) comprende l'ulteri?re fase di:(d) introdurre in modo sostanzialmente continuo un gas sostanzialmente inerte in detta zona di ri ~ scaldamento mentre detti materiali vi passano attraverso.24. Metodo secondo la rivendicazione 23, in cui detto gas inerte comprende azoto.23- Metodo secondo la rivendicazione 23, in cui detto gas inerte comprende argon.26. Metodo secondo la rivendicazione 17 in cui dette materie prime comprendono involucri di riso cokizzati.27- Metodo secondo la rivendicazione 17, in cui dette materie prime comprendono almeno un distillato di petrolio-28. Metodo secondo la rivendicazione 17 in cui dette materie prime comprendono sabbia.29. Metodo secondo le rivendicazioni 17 in cui detti materiali vengono fatti passare attraverso detta zona di riscaldamento per un tempo superiore: ad 1 ora.30. Metodo secondo la rivendicazione 17 in cui detti mat..eri.a.li vengono riscaldati tra 1000?C e 1850?C in detta zona di riscaldamento.31 . Metodo secondo la rivendicazione 23 in cui ; i materiali vengono riscaldati in detta zona di riscaldamento entro un campo di temperature compreso tra circa 1000?C e 1830?C.32. Processo sostanzialmente continuo per formare filamenti di carburo di silicio da materie prime contenenti carbonio e silicio, comprendente le fasi di;(a) far passare in modo sostanzialmente continuo dette materie prime per un tempo superiore a circa 1 ora ed in condizioni di non agitazione attraverso una zona di riscaldamento avente un campo approssimato di temperature da 1000?C a 1850?C allo scopo di far reagire detto carbonio e silicio per formare filamenti di carburo di silicio.33 Metodo secondo la rivendicazione 32, comprendente inoltre la fase di:(b) disidratare dette materie prime prima di alimentarle a detta zona di riscaldamento.34-? Metodo secondo la rivendicazione 32, comprendente inoltre la fase di:(b) raffreddare detti materiali riscaldati facendoli tornare alla temperatura ambiente dopo detta fase di riscaldamento (a).35 Metodo secondo la rivendicazione 32, in cui detta fase di riscaldamento (a) viene eseguita in una atmosfera sostanzialmente inerte.36. Metodo secondo la rivendicazione 32, in cui detta atmosfera inerte comprende azoto.37 Metodo secondo la rivendicazione 32, in cui detta atmosfera inerte comprende argon.38 Metodo secondo la rivendicazione 32, in cui: detta fase di riscaldamento (a) comprende l'ulteriore fase di:(b) purificare in modo sostanzialmente continuo detta zona di riscaldamento dalle sostanze gassose.39 Metodo secondo la rivendicazione 32, in cui; detta fase di riscaldamento (a) comprende l'ulteriore fase di :(b) introdurre in modo sostanzialmente continuo! un gas sostanzialmente inerte in detta zona di riscaldamento mentre detti materiali vi passano attraverso.40. Metodo secondo la rivendicazione 32, in cui detto gas inerte comprende azoto.41. Metodo secondo la rivendicazione 32, in cui detto gas inerte comprende argon.42. Metodo secondo la rivendicazione 32 in cui dette materie prime comprendono involucri di riso cokizzati.43- Metodo secondo la rivendicazione 32 in cui dette materie prime comprendono almeno un distillato di petrolio.44. Metodo secondo la rivendicazione 32, in cui dette materie prime comprendono sabbia.45. Processo sostanzialmente continuo per formare filamenti di carburo di silicio da matede prime contenenti carbonio e silicio, comprendente la fase di :(a) far passare in modo sostanzialmente continuo dette materie prime in condizioni di non agitazione attraverso una zona di riscaldamento ad una temperatura e ad una velocit? sufficiente a favorire la formazione di filamenti di carburo di silicio.46. Metodo secondo la rivendicazione 45, comprendente inoltre la fase di:(b) disidratare dette materie prime prima di alimentarle a detta zona di riscaldamento.47 Metodo secondo la rivendicazione 45, comprendente inoltre la fase di:(b) raffreddare detti materiali riscaldati facendoli tornare alla temperatura ambiente dopo detta fase di riscaldamento (a).48. Metodo secondo la rivendicazione 45 , in cui detta fase di riscaldamento (a) viene eseguita in una atmosfera sostanzialmente inerte.49. Metodo secondo la rivendicazione 45, in cui detta atmosfera inerte comprende azoto.50. Metodo secondo la rivendicazione 45, in cui detta atmosfera inerte comprende argon.51. Metodo secondo la rivendicazione 45, in cui detta fase di riscaldamento (a) comprende l'ulteriore fase di:("b) purificare in modo sostanzialmente continuo; detta zona di riscaldamento dalle sostanze gassose;52. Metodo secondo la rivendicazione 45, in cuij detta fase di riscaldamento (a) comprende l'ulteriore fase di:(d) introdurre in modo sostanzialmente continuo un gas sostanzialmente inerte in detta zona di ri scaldamento, mentre detti materiali vi passano attraverso.55 Metodo secondo la rivendicazione 52, in cui detto gas inerte comprende azoto.54. Metodo secondo la rivendicazione 52, in cui detto gas inerte comprende argon.55 Metodo secondo la rivendicazione 45, in cui dette materie prime comprendono involucri di riso cokizzati.56. Metodo secondo la rivendicazione 4-5, in cui dette materie prime comprendono almeno un distillato di petrolio.57- Metodo secondo la rivendicazione 4-5, in cui dette materie prime comprendono sabbia,58* Metodo secondo la rivendicazione 4-5 in cui detti materiali vengono Tatti. passare attraverso detta zona di riscaldmento per un tempo superiore a circa 1 ora.59- Metodo secondo la rivendicazione 58, in cui; detti materiali vengono riscaldati tra circa 1000?; e 1850?C in detta zona di riscaldamento.60. Metodo secondo la rivendicazione 4-5, in cui detti materiali vengono riscaldati in detta zona di riscaldamento ad una temperatura variante tra circa 1000?C e 1850?C.61. Apparecchiatura per produrre in modo sostanzialmente continuo filamenti di carburo di silicio comprendente: mezzi atti a definire un percorso di alimentazione in cui materie prime contenenti carbonio e silicio sono fatte avanzare in modo sostanzialmente continuo in condizioni di non agitazione attraverso una zona di riscaldamento allo scopo di produrre filamenti di carburo di silicio; emezzi atti a definire una zona di riscaldamento disposti lungo detto percorso di alimentazione per fornire una temperatura sufficiente a produrre detti filamenti di carburo di silicio.62. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, in cui detto percorso di alimentazione comprende una serie di recipienti per contenere dette materie prime, detti recipienti essendo fatti avanzare attraverso detta zona di riscaldamento.63. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, in cui detto percorso di alimentazione comprende un convogliatore per trasportare dette materie prime attraverso detta zona di riscaldamento.64. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, Comprendente inoltre mezzi atti a definire una zona di raffreddamento situata a valle di detta zona di riscaldamento per raffreddare i filamenti di carburo di silicio alla temperatura ambiente.65- Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, comprendente inoltre mezzi atti a definire una zona di deidratazione situata a monte di detta zona di riscaldamento per essiccare dette materie prime prima della loro introduzione in detta zona di riscaldamento.66. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 65, comprendente inoltre mezzi situati tra dette zone di deidrataz ione e di riscaldamento per purificare con gas inerte entrambe dette zone, detti mezzi di purificazione spingendo detto gas inerte a fluire rispettivamente a valle attraverso detta zona di riscaldamento ed a monte attraverso detta zona di deidratazione67- Apparecchiatura secondo la rivendicazione 65 in cui detta zona di deidratazione riscalda dette materie prime fino a temperature comprese in un campo di valori da circa 700?C a 800?C.68. Apparecchiatura secondo la rivendicazione61 in cui detta zona di riscaldamento riscalda dette materie prime fino a temperature comprese in un campo di valori da circa 1000?C a 1850?C.69- Apparecchiatura secondo la rivendicazione 66 in cui detti mezzi di purificazione introducono in modo sostanzialmente costante detto gas inerte in dette rispettive zone di riscaldamento e deidratazione.70. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 69, in cui detto gas viene fatto fluire ad una portata approssimata compresa tra 50 e 100 piedi cubi per ora (pari a circa 1,416-2,852 m /h).71 . Apparecchiatura secondo la rivendicazione 66 in cui detto gas inerte comprende azoto.72. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 66, in cui detto gas inerte comprende argon.73- Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, in cui detta zona di riscaldamento comprende mezzi' per scaricare direttamente gas da detta zona di riscaldamento prima che la loro temperatura cada al di sotto di circa 1500?C.74-? Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, in cui dette materie prime vengono alimentato ad una portata sostanzialmente costante attraverso detta zona di riscaldamento per un tempo all'incirca superiore ad 1 ora.75- Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, in cui detta zona di riscaldamento viene riscaldata da un elettrodo a bassa tensione portante approssimativamente 15 volt.76. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, in cui detta apparecchiatura ? definita come un impianto a letto di fusione rotante.77- Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, in cui detta apparecchiatura ? definita c?me un impianto di alimentazione sostanzialmente in continuo su base volumetrica.78. Apparecchiatura secondo la rivendicazione 61, in cui detta apparecchiatura ? definita come un im -pianto di forno a tunnel .
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US33133181A | 1981-12-16 | 1981-12-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
IT8224761A0 IT8224761A0 (it) | 1982-12-15 |
IT8224761A1 true IT8224761A1 (it) | 1984-06-15 |
IT1155382B IT1155382B (it) | 1987-01-28 |
Family
ID=23293509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
IT24761/82A IT1155382B (it) | 1981-12-16 | 1982-12-15 | Metodo ed apparecchiatura per produrre in continuo filamenti di carburo di silicio |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4637924A (it) |
EP (1) | EP0096070A4 (it) |
JP (1) | JPS58502096A (it) |
AU (2) | AU563308B2 (it) |
BE (1) | BE895360A (it) |
CA (1) | CA1202168A (it) |
DE (1) | DE3249270T1 (it) |
GB (3) | GB2122982B (it) |
IT (1) | IT1155382B (it) |
NL (1) | NL8220497A (it) |
NO (1) | NO832914L (it) |
WO (1) | WO1983002108A1 (it) |
Families Citing this family (15)
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---|---|---|---|---|
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-
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- 1982-12-14 AU AU11531/83A patent/AU563308B2/en not_active Expired
- 1982-12-14 NL NL8220497A patent/NL8220497A/nl unknown
- 1982-12-14 GB GB08321576A patent/GB2122982B/en not_active Expired
- 1982-12-14 EP EP19830900374 patent/EP0096070A4/en not_active Withdrawn
- 1982-12-14 DE DE823249270T patent/DE3249270T1/de not_active Withdrawn
- 1982-12-14 WO PCT/US1982/001738 patent/WO1983002108A1/en not_active Application Discontinuation
- 1982-12-14 JP JP83500448A patent/JPS58502096A/ja active Pending
- 1982-12-15 BE BE0/209738A patent/BE895360A/fr not_active IP Right Cessation
- 1982-12-15 CA CA000417834A patent/CA1202168A/en not_active Expired
- 1982-12-15 IT IT24761/82A patent/IT1155382B/it active
-
1983
- 1983-08-12 NO NO832914A patent/NO832914L/no unknown
-
1984
- 1984-12-27 US US06/686,780 patent/US4637924A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-02-21 GB GB858504447A patent/GB8504447D0/en active Pending
- 1985-03-06 GB GB08505713A patent/GB2154999B/en not_active Expired
-
1986
- 1986-11-06 AU AU64890/86A patent/AU586047B2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4637924A (en) | 1987-01-20 |
IT1155382B (it) | 1987-01-28 |
GB8504447D0 (en) | 1985-03-27 |
IT8224761A0 (it) | 1982-12-15 |
GB8505713D0 (en) | 1985-04-11 |
AU586047B2 (en) | 1989-06-29 |
GB8321576D0 (en) | 1983-09-14 |
NL8220497A (nl) | 1983-11-01 |
AU1153183A (en) | 1983-06-30 |
GB2122982A (en) | 1984-01-25 |
AU6489086A (en) | 1987-02-05 |
BE895360A (fr) | 1983-03-31 |
GB2154999A (en) | 1985-09-18 |
WO1983002108A1 (en) | 1983-06-23 |
DE3249270T1 (de) | 1984-01-12 |
GB2122982B (en) | 1986-04-30 |
CA1202168A (en) | 1986-03-25 |
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EP0096070A4 (en) | 1987-10-12 |
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