HU0003638A2 - Eljárás és berendezés flip-chip tokozásra fröccsöntéssel - Google Patents

Eljárás és berendezés flip-chip tokozásra fröccsöntéssel Download PDF

Info

Publication number
HU0003638A2
HU0003638A2 HU0003638A HU0003638A HU0003638A2 HU 0003638 A2 HU0003638 A2 HU 0003638A2 HU 0003638 A HU0003638 A HU 0003638A HU 0003638 A HU0003638 A HU 0003638A HU 0003638 A2 HU0003638 A2 HU 0003638A2
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
integrated circuit
base
circuit chip
surface
chip
Prior art date
Application number
HU0003638A
Other languages
English (en)
Other versions
HU0003638A3 (en
Inventor
Donald Seton Farquhar
Michael Joseph Klodowski
Konstantinos Papathomas
James Robert Wilcox
Original Assignee
International Business Machines Corp.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US08/884,232 priority Critical patent/US5981312A/en
Application filed by International Business Machines Corp. filed Critical International Business Machines Corp.
Publication of HU0003638A2 publication Critical patent/HU0003638A2/hu
Publication of HU0003638A3 publication Critical patent/HU0003638A3/hu

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05568Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05573Single external layer
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83104Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus by applying pressure, e.g. by injection
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15151Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Abstract

Eljárás és berendezés flip-csip tokozására fröccsöntéssel. Egy alapbólés az arra erősített integrált áramköri lapkából (20) álló integráltáramkör (12) elektromos csatlakozásait nagy viszkozitásútokozóanyaggal (40) erősítik meg úgy, hogy a tokozóanyagot (40) egynyíláson (26) keresztül betöltik az integrált áramköri lapka (20) ésaz alap közötti térközbe (20). ═gy megerősítik az integrált áramkör(12) elektromos csatlakozásait, amelyek ellenállóbbak lesznek azzal ahatással szemben, amely az alap és az integrált áramköri lapka (20)különböző hőtágulási együtthatója miatt keletkezik. Ó

Description

PÉLDÁNY

P0003638 ·· ·· ··

KIVONAT

Eljárás és berendezés flip-chip tokozásra fröccsöntéssel

Eljárás és berendezés flip-chip tokozására fröccsöntéssel.

Egy alapból és az arra erősített integrált áramköri lapkából

M álló integrált áramkör/ elektromos csatlakozásait nagy viszkozitású tokojoanyaggalverősít jük meg, úgy, hogy a tokozóanyagotYegy nyíláson v/t j > -Őol keresztül betöltjük az integrált áramköri lapkaZés az alap közötti térközbe^így megerősítjük az integrált áramkör^elektromos csatlakozásait, amelyek ellenállóbbak lesznek azzal a hatással szemben,

ΧυΛ.

amely az alap és az integrált áramköri lapkaVkülönböző hőtágulási együtthatója miatt keletkezik.

• ·· · ···

69.262/KÖ

S.B.G. & X.

Nemzetközi Szabadalmi Iroda

H-1062 Budapest, Andrássy út 113. Telefon; 34-24-950. Fua; 34-24-323

ΌΟ

KÖZZÉTÉTELI PÉLDÁNY >p 0003638

Eljárás és berendezés flip-chip tokozásra fröccsöntéssel

A találmány tárgya egyrészt eljárás egy áramköri lapka és egy alap közötti elektromos kapcsolat megerősítését szolgáló tokozásra, másrészt az eljárással kialakított integrált áramkör.

Egy integrált áramkör szerkezete általában egy alapból és a ráerősített integrált áramköri lapkából áll, az alap jellemzően egy lapkatartó vagy egy áramköri kártya. Az integrált áramköri lapka kialakításához általában körülbelül 2-4 ppm/°C hőtágulási együtthatóval rendelkező szilíciumot használnak. A lapkatartó vagy áramköri kártya jellemzően körülbelül 6 ppm/’C hőtágulási együtthatóval rendelkező kerámiai anyagból vagy 6-50 ppm/°C hőtágulási együtthatóval rendelkező, szerves vagy szervetlen szemcsékkel vagy rostokkal megerősített szerves anyagból készül.

A lapka és a hordozó összekapcsolására az egyik ismert eljárás a flip-chip ragasztás. A flip-chip ragasztás során az integrált áramköri lapka aktív felületén forrasztó gömbökből álló sablont alakítanak ki, lehetővé téve, hogy az aktív felületet teljesen vagy részben csatlakozási pontokkal lássák el. A forrasztási gömbök átmérője jellemzően 0,002-0,006 hüvelyk. Az alapon az ehhez a sablonhoz illeszkedő forrasztható csatlakozásokat alakítanak ki. Az in♦ ··»· • · tegrált áramköri lapkát és az alapot összeillesztik a sablonnak megfelelően, és a lapkát a forrasztó gömbök megolvasztásával hozzáerősítik az alaphoz. A flip-chip ragasztás alkalmazható az integrált áramköri lapkáknak a lapkatartóra vagy közvetlenül az áramköri kártyára való erősítése esetén is.

Az integrált áramkör működése közben a ciklikus hőmérsékletváltozások miatt a hordozó és az integrált áramköri lapka kitágul és összehúzódik. Mivel a hordozó és az integrált áramköri lapka hőtágulási együtthatója különböző, különböző mértékben tágulnak és húzódnak össze, amely az anyagfáradás miatt a forrasztási pontok gyengüléséhez, sőt, mi több, szétszakadásához vezet. Ennek elkerülésére a gyakorlatban a forrasztási pontokat a tokozás során hőre keményedő polimer anyaggal erősítik meg, ezt a technikában „kitöltő tokozóanyag néven (underfill encapsulant) ismerik. A kitöltő tokozóanyagokba jellemzően kerámiai szemcséket vegyítenek, hogy a hőkezelés előtti állapotban a folyásukat irányítsák, és hogy javítsák a termikus és mechanikus tulajdonságait a hőkezelt állapotban.

A kitöltő tokozóanyagokat széles körben használják az olyan integrált áramkörök élettartamának növelésére, ahol a különféle flip-chip áramköri lapkák egy körülbelül 6 ppm/°C hőtágulási együtthatóval rendelkező alumínium-oxid hordozóra vannak erősítve. Újabban az integrált áramkörök kialakításában a hordozót egy szerves anyaggal, amelynek a hőtágulási együtthatója körülbelül 20 ppm/°C, erősítik meg.

• ·

A tokozás első lépése a kitöltéses tokozás, amelynek során a folyékony tokozóanyagot az integrált áramköri lapka kerülete mentén egy vagy több pontra felhordják. A tokozóanyagot kapilláris erő alkalmazásával bevezetik az integrált áramköri lapka és a hordozó közötti térközbe, úgy, hogy alapvetően kitöltsék azt, és egy peremet képezzenek az integrált áramköri lapka kerülete mentén. A tokozóanyagban lévő töltőanyag-szemcsék átmérője jellemzően kisebb, mint a térköz magassága, hogy ne akadályozzák a szabad folyást. A tokozóanyag viszkozitása körülbelül 10 Pa a felhordási hőmérsékletkor. A felhordás után a tokozóanyagot magas hőfokon kemencében hőkezelik.

A hőkezelt tokozóanyagok hőtágulási együtthatója 20-40 ppm/’C között van, a Young-féle modulusuk pedig 1-3 Gpa közötti, a töltőanyag és a polimer típusától függően. Némely esetben kívánatos lehet a hőkezelt tokozóanyag tulajdonságainak további megváltoztatása. Azonban az a tény, hogy a tokozóanyag viszkozitásának kicsinek kell lennie, nagymértékben megszabja a keverék összetételét. Például több kerámiai töltőanyag hozzáadása kisebb hőtágulási együtthatót eredményez, de megnöveli a hőkezeletlen tokozóanyag viszkozitását .

Második lépésben a lapkataróra erősített integrált áramköri lapkából álló integrált áramkör és az áramköri kártya közötti elektromos kapcsolat tokozóanyaggal való megerősítését végzik. Ebben az esetben a forrasztó gömbök átmérője 0,020-0,030 hüvelyk. Az első és a második lépésben alkalmazott tokozóanyagnak különbözőnek

kell lennie, mivel a különböző térköz magasságok miatt az anyagnak különböző folyási jellemzőkkel kell rendelkeznie. A 0,002-0,006 hüvelyk magasságú térköz esetében a kitöltő tokozóanyag folyását a viszkozitása és a kapilláris erők befolyásolják; a viszkózus erők csökkentik, a kapilláris erők irányítják a folyást. Az első lépésben alkalmazott kitöltéses tokozás ezért nagy pontosságot igényel. A második lépésben, amikor a kitöltendő térköz magasága 0,020-0,030 hüvelyk, nem alkalmazható az első lépésben használt kitöltő tokozóanyag, mert az megfelelő akadály létesítése nélkül lefolyna a nyomtatott áramköri kártya felületéről.

A technikában ismert tokozási eljárás a flip-chip burkolására, ahol a flip-chip borítását két lépésben valósítják meg. Először az integrált áramköri lapka alátöltését végzik el az előzőekben ismertetett módon, majd sajtolással egy burkot alakítanak ki az integrált áramköri lapka kerülete mentén. Egy másik ismert eljárás szerint a megerősítést szolgáló tok kialakítását egy lépésben valósítják meg. Az ilyen megvalósítás során az integrált áramköri lapka és a hordozó közötti térközt úgy szüntetik meg, hogy a hordozóban egy nagy nyílást alakítanak ki, amelynek mérete a lapka méretének körülbelül 50%-a. Az ilyen megvalósítás alapvetően megszünteti a kis térközt, amely jellemzi az integrált áramköri lapka és a hordozó közötti hagyományos kapcsolatot, de megvan az a hátránya, hogy korlátozza az integrált áramköri lapka aktív felületét, amelyet kapcsolat létesítésére hasznosíthatnánk, mert így az integrált áramkö• ········ · ·

ri lapka aktív felületének csak a kerületét használhatjuk erre a célra.

A kitöltéses tokozás ellenére az integrált áramkör élettartama rövidebb, ha az integrált áramköri lapkát a kerámiai töltőanyaggal ellentétben egy szerves töltőanyagot tartalmazó hordozóra csatlakoztatják, mivel a hőtágulási együtthatók között nagyobb lesz a különbség.

A találmány célja egy célszerűbb eljárás biztosítása flip-chip alátöltésre és tokozásra. A találmány másik célja annak biztosítása, hogy lehetővé tegyük viszkózusabb anyagok alkalmazását az alátöltés során. A találmány további célja, hogy meggyorsítsuk a tokozás folyamatát, úgy, hogy az alátöltést és a burkolást egyetlen lépésben végezzük el.

A találmány tehát az 1. igénypont szerinti eljárás egy integrált áramkör elektromos kapcsolatainak tokozására és megerősítésére, valamint a 7. igénypont szerinti integrált áramkör.

Az egyik előnyös megvalósításban az integrált áramkör forrasztással kialakított elektromos csatlakozásainak tokozása során nagy viszkozitású tokozóanyagot használunk, és nincs szükség gát alkalmazására a folyás megakadályozásához. A találmány előnyös megvalósítása során egy olyan integrált áramkört biztosítunk, ahol egy integrált áramköri lapka adott távolságban egy hordozóra vagy közvetlenül egy áramköri kártyára van erősítve. A lapkatartó vagy áramköri kártya alsó és felső felületét összekötőén egy nyílást alakítunk • · • · · · · · · • ····· ·· ·· · ··· · »« *· ·· ki, és az integrált áramköri lapkát a nyílás fölött erősítjük föl a lapkatartóra vagy áramköri kártyára.

Külső nyomás alkalmazásával meghatározott mennyiségű tokozóanyagot töltünk be a nyíláson keresztül az integrált áramköri lapka és a lapkatartó vagy áramköri kártya között lévő térközbe. A tokozóanyag előnyösen nagy szilárdságú, hőre keményedő kétkomponensű epoxi, amely 50% súlyarányban kerámiai töltőanyagot tartalmaz, és a viszkozitása 25°C-on Brookfield viszkozitásmérővel, HBT modell CP-52 kúpfejjel mérve 2 rpm-en körülbelül 250 Pascal-szekundum. Az egyik szempont, hogy a tokozóanyag mennyisége az integrált áramköri lapka és a lapkatartó vagy áramköri kártya közötti térköz kitöltéséhez szükséges mértékű. A másik szempont szerint a tokozóanyag mennyisége elegendő ahhoz, hogy (1) kitöltse az integrált áramköri lapka és a hordozó közötti térközt, és alapvetően befedje a hordozó felületének egy részét; vagy (2) kitöltse az integrált áramköri lapka és a hordozó közötti térközt, és alapvetően befedje a hordozó felületének meghatározott részét. A szükséges mennyiségű tokozóanyag betöltése után hőkezelést végzünk, ezáltal az integrált áramköri lapka és a hordozó vagy áramköri kártya között kötés jön létre, amely megerősíti az elektromos csatlakozásokat.

A találmány egy másik megvalósításában az integrált áramköri lapka fölé egy öntőformát helyezünk, úgy, hogy az öntőforma körbeveszi az integrált áramköri lapkát, de a lapka és az öntőforma között térköz marad. A hordozó nyílásán keresztül olyan mennyiségű tokozóanyagot töltünk be, amely az integrált áramköri lapka és az » ···« ♦··· *« • · ♦ · * öntőforma közötti térköz és az integrált áramköri lapka valamint a hordozó közötti térköz teljes kitöltéséhez szükséges. Ezután hőkezelést végzünk, ezáltal az integrált áramköri lapka és a hordozó vagy áramköri kártya között kötés jön létre, amely megerősíti az elektromos csatlakozásokat.

A találmányt részletesen a csatolt ábrák alapján ismertetjük.

Az 1. ábra a tokozóanyag betöltésére alkalmas lapkahordozó és az arra erősített áramköri lapka hosszmetszetét mutatja a találmány egyik megvalósítása szerint.

A 2. ábra a lapkahordozóra erősített integrált áramköri lapka hosszmetszete, ahol az integrált áramköri lapka és a hordozó közötti térköz a találmány egyik megvalósítása szerinti módon tokozóanyaggal van kitöltve.

A 3. ábra a lapkahordozóra erősített integrált áramköri lapka hosszmetszete, ahol az integrált áramköri lapka és a hordozó közötti térköz a találmány másik megvalósítása szerinti módon tokozóanyaggal van kitöltve.

A 4. ábra a tokozóanyag betöltésére alkalmas lapkahordozó és az arra erősített áramköri lapka hosszmetszetét mutatja a találmány egy másik megvalósítása szerint.

Az 5. ábra a találmány egyik megvalósítása szerint kialakított, tokozóanyaggal megerősített integrált áramkör távlati képe.

A 6. ábra a találmány egyik megvalósítása szerint kialakított, tokozóanyaggal megerősített integrált áramkör felülnézete.

»»«· *W»X

A 7. ábra a lapkahordozó, az arra erősített integrált áramköri lapka és az öntőforma hosszmetszete, ahol az integrált áramköri lapka és a hordozó közötti elektromos kapcsolat megerősítését és az integrált áramköri lapka tokozását a találmány egy másik megvalósítása szerint végezzük.

Az l.a ábrán egy 12 integrált áramkör látható, amely tartalmaz egy 14 hordozót, amelynek van egy 16 alsó felülete és egy 18 felső felülete, és egy 20 integrált áramköri lapkát, amelynek van egy 22 felső felülete és egy 24 alsó felülete. A 14 hordozó 16 alsó felülete és 18 felső felülete között egy 26 nyílás van kialakítva. A 20 integrált áramköri lapka távolságtartással a 14 hordozó 26 nyílása fölött van fölerősítve úgy, hogy a 20 integrált áramköri lapka 24 alsó felülete a 14 hordozó 18 felső felülete egymással szemközti, és a 20 integrált áramköri lapka 24 alsó felülete valamint a 14 hordozó 18 felső felülete között egy 28 térköz van meghatározva. Egy jellemző integrált áramkör esetében a 28 térköz magassága 0,002-0,006 hüvelyk. A 20 integrált áramköri lapka 24 felső felületén több 30 elektromos csatlakozás van kialakítva. Minden 30 elektromos csatlakozáshoz egy 32 forrasztó gömb van erősítve. A 14 hordozó 18 felső felületén több 34 elektromos csatlakozás van kialakítva, a 34 elektromos csatlakozások mindegyike a 20 integrált áramköri lapka 24 alsó felületén kialakított 32 forrasztó gömböknek megfelelő.

Az egyik megvalósításban a 14 hordozó 6 ppm/°C hőtágulási együtthatóval rendelkező kerámiai anyag, célszerűen alumínium-oxid.

♦ » « · * ♦

A hordozó kialakítható szerves anyagokból, például poliimidekből, politetrafluoretilénből, epoxikból, triazinekből, bismaleimidekből és ezeknek az anyagoknak a keverékéből. Ezeket az anyagokat megerősíthetjük akár szövött, akár nem szövött szervetlen vagy szerves kiegészítőkkel, például üvegszállal vagy rostokkal. Az ilyen anyagok hőtágulási együtthatója jellemzően 6-50 ppm/°C közötti. A hordozó peremén több 36 elektromos csatlakozás van kialakítva. Mindegyik 36 elektromos csatlakozáshoz egy 38 huzalkivezetés kapcsolódik, hogy biztosítsuk a kapcsolatot a 14 hordozó és az áramköri kártya között, amelyre az integrált áramkört erősítjük. A 14 hordozón kialakítható forrasztó gömb rácsrendszer, ahol a 38 kivezetések helyett 0,020 - 0,030 hüvelyk átmérőjű forrasztó gömbök kapcsolódnak a 14 hordozó 18 felső felületéhez vagy 16 alsó felületéhez. A 20 integrált áramköri lapka anyaga jellemzően 2-4 ppm/°C hőtágulási együtthatóval rendelkező egykristályos szilícium. A 32 forrasztó gömbök anyaga jellemzően elektromosan vezető fémes forrasztó anyag. A 20 integrált áramköri lapkát a forrasztó anyag újra olvasztásával erősítjük a 14 hordozóhoz. Működés közben a 14 hordozó és a 20 integrált áramköri lapka periodikusan ismétlődő melegedésnek és hűlésnek van kitéve. Mivel a 14 hordozó és a 20 integrált áramköri lapka hőtágulási együtthatója különbözik, különböző mértékben tágulnak, illetve húzódnak össze. Emiatt a 32 forrasztó gömbök és a valamint 34 elektromos csatlakozások között hőfeszültség keletkezik, amely a 14 hordozó és a 20 integrált áramköri lapka közötti csatlakozás gyengüléséhez, akár megszakadásához vezethet.

- 10 * 9 ·«»♦ * * • · ν w * · · « « . « « » * f *r», c · · * »*· » » -r* *

A 2. ábra a találmány szerinti megvalósítás egyik módját mutatja, ahol a 26 nyíláson keresztül meghatározott mennyiségű 40 tokozóanyagot töltünk a 28 térközbe, így alapvetően kitöltjük a 28 térközt, anélkül, hogy a tokozóanyag jelentősen túlfolyna a 14 hordozó 18 felső felületén. A 40 tokozóanyag előnyösen Hysol FP-4323, nagy szilárdságú, hőre keményedő egykomponensű epoxi, amely 50-70% súlyarányban kerámiai töltőanyagot tartalmaz, és a viszkozitása 25°C-on Brookfield viszkozitásmérővel, HBT modell CP-52 kúpfejjel mérve 2 rpm-en körülbelül 250 Pascal-szekundum. A 42 adagoló berendezésből a 40 tokozóanyagot a 26 nyíláson keresztül töltjük be. Az előnyös megvalósításban a 25°C-on körülbelül 250 Pascal-szekundum viszkozitású 40 tokozóanyag betöltéséhez a 42 adagoló berendezés egy 0,020 hüvelyk átmérőjű fecskendőtűt tartalmaz. A 40 tokozóanyag 28 térközbe való befecskendezéséhez körülbelül 80 psi nyomóerő szükséges. Az előnyös megvalósításban a 40 tokozóanyag viszkozitása olyan mértékű, hogy külső erőráhatás nélkül nem folyik be a 28 térközbe. Ezért a 40 tokozóanyagot a 42 adagoló berendezés alkalmazásával kényszerítjük a 26 nyíláson keresztül a 28 térközbe. Mivel a nagy viszkozitású 40 tokozóanyagból a 28 térköz kitöltéséhez szükséges meghatározott mennyiséget adagolunk, a 14 hordozó és a 20 integrált áramköri lapka valamint a 40 tokozóanyag közötti felületi feszültség miatt a tokozóanyag öntartó lesz, és nem folyik ki jelentős mértékben a 28 térközből. így a túlfolyás megakadályozására szolgáló gát alkalmazását elkerülhetjük. Ezután a 40 tokozóanyagot 160°C-on két óra hosszan hőkezeljük, és így a 20 integrált áramköri

- 11 lapka és a 14 hordozó között kötés jön létre, amely megerősíti a forrasztási pontokat.

A találmány egy másik megvalósításában, ahogy azt a 3. 5. és

6. ábrán mutatjuk, a 26 nyíláson keresztül betöltött tokozóanyag mennyiségét úgy határozzuk meg, hogy az elegendő legyen a 28 térköz teljes kitöltéséhez, és a 14 hordozó 18 felső felületének egy részének befedéséhez. A 40 tokozóanyagot a 28 térközbe kényszerítjük, úgy, hogy a 14 hordozó 18 felső felületét is beborítsuk. Ahogy azt az előző megvalósítás ismertetése során elmondtuk, a 40 tokozóanyag nagy viszkozitású, így a tokozóanyag és a 18 felső felület közötti felületi feszültség miatt a 40 tokozóanyag csak addig a pontig terjed, ameddig a 42 adagoló berendezés segítségével kényszerítjük. Ezután a 40 tokozóanyagot 160°C-on két óra hosszan hőkezeljük, és így a 20 integrált áramköri lapka és a 14 hordozó között kötés jön létre, amely megerősíti a forrasztási pontokat.

A 4. ábra a találmány megvalósításának egy másik változatát mutatja, ahol a 20 integrált áramköri lapkát az áramköri kártyára erősített hordozó helyett közvetlenül a 44 áramköri kártyára erősítjük.

A 44 áramköri kártyának van egy 46 felső felülete és egy 48 alsó felülete. Az első megvalósításhoz hasonlóan a 44 áramköri kártya 48 alsó felülete és 46 felső felülete között egy 50 nyílás van kialakítva. A 20 integrált áramköri lapka távolságtartással a 44 áramköri kártyán közvetlenül, az 50 nyílás fölött van fölerősítve úgy, hogy a 20 integrált áramköri lapka 24 alsó felülete a 44 áram- 12 köri kártya 46 felső felülete egymással szemközti, és a 20 integrált áramköri lapka 24 alsó felülete valamint a 44 áramköri kártya 46 felső felülete között egy térköz van meghatározva. A 20 integrált áramköri lapka 24 felső felületén több 30 elektromos csatlakozás van kialakítva. Minden 30 elektromos csatlakozáshoz egy 32 forrasztó gömb van erősítve. A 44 áramköri kártya 46 felső felületén több 52 elektromos csatlakozás van kialakítva. Az 52 elektromos csatlakozások mindegyike a 20 integrált áramköri lapka 24 alsó felületén kialakított 32 forrasztó gömböknek megfelelő. Az 50 nyíláson keresztül olyan mennyiségű tokozóanyagot adagolunk, hogy elegendő legyen a 20 integrált áramköri lapka 24 alsó felülete és a 44 áramköri kártya 46 felső felülete közötti térköz teljes kitöltéséhez; vagy a 20 integrált áramköri lapka 24 alsó felülete és a 44 áramköri kártya 46 felső felülete közötti rés teljes kitöltésén túl a 44 áramköri kártya 46 felső felületének meghatározott részének befedéséhez. Ezután a 40 tokozóanyagot hőkezeljük és így a 20 integrált áramköri lapka és a 44 áramköri kártya között kötés jön létre, amely megerősíti a forrasztási pontokat.

A 7. ábrán a találmány egy másik megvalósítását mutatjuk, ahol a 20 integrált áramköri lapka fölé egy 58 öntősablont helyezünk, amelynek a 60 belső felülete és a 62 külső felülete között legalább egy 66 rést alakítunk ki. Az öntősablont úgy helyezzük el, hogy az 58 öntősablon 60 belső felülete és a 20 integrált áramköri lapka 22 felső felülete között 70 térközt, a 20 integrált áramköri lapka körül 64 üreget képezünk. Az 58 öntősablon lehet fém vagy műanyag, és

-13• · lehet újra felhasználható vagy eldobható. Az 58 öntősablon 62 külső felületére külső nyomást gyakorolunk, hogy az 58 öntősablont a 14 hordozó 18 felső felületéhez zárjuk. A 26 nyíláson keresztül annyi 40 encapsulantot töltünk be, amennyi alapvetően a 70 térköz, a 64 üreg és a 28 térköz kitöltéséhez szükséges. A 40 tokozóanyagot 160°C-on két óra hosszan hőkezeljük, és így a 20 integrált áramköri lapka és a 14 hordozó között kötés jön létre, amely megerősíti a forrasztási pontokat. Az 58 öntősablont a hőkezelést megelőzően vagy azt követően távolíthatjuk el. Az eljárás alkalmazható abban az esetben is, amikor az integrált áramköri lapkát közvetlen az áramköri kártyára erősítjük.

Claims (9)

  1. Szabadalmi igénypontok
    1. Eljárás integrált áramkör tokozására és elektromos kapcsolatainak megerősítésére, azzal jellemezve, hogy az eljárás során biztosítunk egy alapot, amelynek az alsó felülete és a felső felülete között egy nyílást alakítunk ki, valamint egy alsó felülettel és egy felső felülettel rendelkező integrált áramköri lapkát; az integrált áramköri lapka alsó felületét az alap felső felületére erősítjük a nyílás fölött, úgy, hogy az áramköri lapka és az alap között 0,002-0,006 hüvelyknyi térköz keletkezzen;
    legalább a térköz kitöltéséhez szükséges mennyiségű, hőre keményedé, betöltési hőmérsékleten 250-1000 Pascal-szekundum viszkozitással rendelkező polimer tokozóanyagot biztosítunk;
    a szükséges mennyiségű tokozóanyagot a nyíláson keresztül a térközbe töltjük; és a tokozóanyagot hőkezeljük, így biztosítjuk az alap és az integrált áramköri lapka közötti kötést.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri lapka fölé öntősablont helyezünk, az öntősablon belső felülete és külső felülete között legalább egy rést alakítunk ki, az öntősablon belső felülete az integrált áramköri lapka felső felületével szemben adott távolságra van, úgy, hogy köztük egy üreget képezünk, és olyan mennyiségű tokozóanyagot töltünk be a nyíláson, hogy alapvetően kitöltsük a térközt és az üreget.
  3. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy az integrált áramköri lapka alsó felületét több forrasztó gömb alkalmazásával erősítjük az alap felső felületére.
  4. 4. Az 1-3. igénypontok szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy az alap egy lapkahordozó.
  5. 5. Az 1-3. igénypontok szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy az alap egy áramköri kártya.
  6. 6. Az 1-5. igénypontok szerinti eljárással kialakított integrált áramkör.
  7. 7. Integrált áramkör, azzal jellemezve, hogy tartalmaz egy integrált áramköri lapkát, amelynek van egy pereme, egy alsó felülete és egy felső felülete;
    az integrált áramköri lapka alsó felületén több elektromos csatlakozás van kialakítva, amelyek mindegyikéhez egy távolságtartó csatlakozás kapcsolódik;
    tartalmaz egy alapot, amelynek van egy alsó felülete és egy felső felülete, és az alsó felület valamint a felső felület között egy nyílás van kialakítva;
    az alap felső felületén több elektromos csatlakozás van kialakítva, amelyek mindegyikéhez egy távolságtartó csatlakozás kapcsolódik;
    az integrált áramköri lapka alsó felülete és az alap felső felülete közötti térköz nagy szilárdságú, hőre keményedő polimer tokozóanyaggal van kitöltve, amelynek viszkozitása betöltési hőmérsékletkor 250-1000 Pascal-szekundum közötti.
    - 16 • · ·»· ·
  8. 8. A 7. igénypont szerinti integrált áramkör azzal jellemezve, hogy a több elektromos csatlakozás egy térközt határoz meg az integrált áramköri lapka alsó felülete és az alap felső felülete között, és a tokozóanyag alapvetően kitölti ezt a térközt.
  9. 9. A 7. igénypont szerinti integrált áramkör azzal jellemezve, hogy a tokozóanyag befedi az integrált áramköri lapkát, és az alap felső felületének egy részét.
    A meghatalmazott
    Dr. Kötetes Zoltán szabadalmi ügyvivő az S.B.G. & K. Nemzetközi Szabadalmi Iroda tagja H-1062 Budapest, Andrássy út 113. Telefen: 34-24-950, Fax: 34-24-323 « « * * · · ·
    KÖZZÉTÉTELI
    PÉLDÁNY p 0003638
    1/4 í
    jr
    KÖZZET
    2/4 t
    ·· · · ··* · /QQ
    3/4
    P0003638
    KÖZZÉTÉTELI
    PÉLDÁNY
    Fig. 6 ·«« « ··* • *
HU0003638A 1997-06-27 1998-06-12 Method and apparatus for injection molded flip chip encapsulation HU0003638A3 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/884,232 US5981312A (en) 1997-06-27 1997-06-27 Method for injection molded flip chip encapsulation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HU0003638A2 true HU0003638A2 (hu) 2001-02-28
HU0003638A3 HU0003638A3 (en) 2001-03-28

Family

ID=25384227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU0003638A HU0003638A3 (en) 1997-06-27 1998-06-12 Method and apparatus for injection molded flip chip encapsulation

Country Status (6)

Country Link
US (3) US5981312A (hu)
JP (1) JP3313067B2 (hu)
HU (1) HU0003638A3 (hu)
ID (1) ID20506A (hu)
PL (1) PL337808A1 (hu)
WO (1) WO1999000834A2 (hu)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6228688B1 (en) * 1997-02-03 2001-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Flip-chip resin-encapsulated semiconductor device
US6001672A (en) 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
US5981312A (en) * 1997-06-27 1999-11-09 International Business Machines Corporation Method for injection molded flip chip encapsulation
US6495083B2 (en) 1997-10-29 2002-12-17 Hestia Technologies, Inc. Method of underfilling an integrated circuit chip
EP1190448A4 (en) * 1999-05-14 2004-11-24 Hestia Technologies Inc Chip package with molded underfill
US6324069B1 (en) * 1997-10-29 2001-11-27 Hestia Technologies, Inc. Chip package with molded underfill
US6395584B2 (en) 1998-12-22 2002-05-28 Ficta Technology Inc. Method for improving the liquid dispensing of IC packages
JP2000294692A (ja) * 1999-04-06 2000-10-20 Hitachi Car Eng Co Ltd 樹脂封止型電子装置及びその製造方法並びにそれを使用した内燃機関用点火コイル装置
US6490166B1 (en) * 1999-06-11 2002-12-03 Intel Corporation Integrated circuit package having a substrate vent hole
US6232667B1 (en) * 1999-06-29 2001-05-15 International Business Machines Corporation Technique for underfilling stacked chips on a cavity MLC module
KR100298829B1 (ko) 1999-07-21 2001-11-01 윤종용 칩 사이즈 패키지의 솔더 접합 구조 및 방법
KR20010011322A (ko) * 1999-07-27 2001-02-15 김영환 콘택 형성 방법
JP2001044137A (ja) * 1999-08-04 2001-02-16 Hitachi Car Eng Co Ltd 電子装置及びその製造方法
US6338981B1 (en) * 1999-08-16 2002-01-15 Nordson Corporation Centrifugally assisted underfill method
JP3485507B2 (ja) * 1999-10-25 2004-01-13 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6309908B1 (en) * 1999-12-21 2001-10-30 Motorola, Inc. Package for an electronic component and a method of making it
US6982192B1 (en) * 1999-12-30 2006-01-03 Intel Corporation High performance thermal interface curing process for organic flip chip packages
US20020014702A1 (en) * 2000-03-10 2002-02-07 Nazir Ahmad Packaging structure and method
US7547579B1 (en) * 2000-04-06 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Underfill process
JP4120133B2 (ja) * 2000-04-28 2008-07-16 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6391682B1 (en) * 2000-06-21 2002-05-21 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Method of performing flip-chip underfill in a wire-bonded chip-on-chip ball-grid array integrated circuit package module
US6838319B1 (en) * 2000-08-31 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Transfer molding and underfilling method and apparatus including orienting the active surface of a semiconductor substrate substantially vertically
US6632704B2 (en) * 2000-12-19 2003-10-14 Intel Corporation Molded flip chip package
US6518096B2 (en) * 2001-01-08 2003-02-11 Fujitsu Limited Interconnect assembly and Z-connection method for fine pitch substrates
US20020093109A1 (en) * 2001-01-12 2002-07-18 Kline Eric Vance Composition and method for containing metal ions in electronic devices
US6772512B2 (en) * 2001-01-13 2004-08-10 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Method of fabricating a flip-chip ball-grid-array package without causing mold flash
US6545869B2 (en) * 2001-01-17 2003-04-08 International Business Machines Corporation Adjusting fillet geometry to couple a heat spreader to a chip carrier
JP2002270638A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Nec Corp 半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装置
US7220615B2 (en) 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
CA2350747C (en) * 2001-06-15 2005-08-16 Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee Improved transfer molding of integrated circuit packages
JP3711333B2 (ja) * 2001-07-27 2005-11-02 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法および樹脂封止装置
US6519844B1 (en) * 2001-08-27 2003-02-18 Lsi Logic Corporation Overmold integrated circuit package
US6963142B2 (en) * 2001-10-26 2005-11-08 Micron Technology, Inc. Flip chip integrated package mount support
DE10250541B9 (de) * 2002-10-29 2004-09-16 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Unterfüllstoffen aus Thermoplasten und Verfahren zu dessen Herstellung
US6833628B2 (en) * 2002-12-17 2004-12-21 Delphi Technologies, Inc. Mutli-chip module
US20040214370A1 (en) * 2003-01-28 2004-10-28 Nordson Corporation Method for efficient capillary underfill
US20050074923A1 (en) * 2003-10-03 2005-04-07 Vahid Goudarzi Metallic dam and method of forming therefor
US7087465B2 (en) * 2003-12-15 2006-08-08 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of packaging a semiconductor light emitting device
US7075016B2 (en) * 2004-02-18 2006-07-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Underfilling efficiency by modifying the substrate design of flip chips
WO2005093816A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor device for radio frequency applications and method for making the same
US20060046321A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Underfill injection mold
US20060099736A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-11 Nagar Mohan R Flip chip underfilling
DE102005023949B4 (de) * 2005-05-20 2019-07-18 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Nutzens aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und einer Kunststoffgehäusemasse und ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen mittels eines Nutzens
US20060270106A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Tz-Cheng Chiu System and method for polymer encapsulated solder lid attach
US7485502B2 (en) * 2006-01-31 2009-02-03 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit underfill package system
JP4320330B2 (ja) * 2006-03-03 2009-08-26 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 機能素子実装モジュール及びその製造方法と樹脂封止用基板構造体
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
US20070284139A1 (en) * 2006-06-10 2007-12-13 Chee Keong Chin Sawn integrated circuit package system
US7700414B1 (en) 2007-02-22 2010-04-20 Unisem (Mauritius) Holdings Limited Method of making flip-chip package with underfill
US8852986B2 (en) * 2007-05-16 2014-10-07 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system employing resilient member mold system technology
KR101349605B1 (ko) * 2007-09-27 2014-01-09 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조방법
KR100876899B1 (ko) * 2007-10-10 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지
US7906860B2 (en) * 2007-10-26 2011-03-15 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US7791209B2 (en) * 2008-03-12 2010-09-07 International Business Machines Corporation Method of underfill air vent for flipchip BGA
US7633015B2 (en) * 2008-03-31 2009-12-15 Apple Inc. Conforming, electro-magnetic interference reducing cover for circuit components
US8273603B2 (en) * 2008-04-04 2012-09-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Interposers, electronic modules, and methods for forming the same
US8017451B2 (en) 2008-04-04 2011-09-13 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electronic modules and methods for forming the same
JP5172590B2 (ja) * 2008-10-14 2013-03-27 新光電気工業株式会社 積層配線基板の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US8716862B2 (en) 2009-05-06 2014-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit including a gate and a metallic connecting line
US8436473B2 (en) * 2009-05-06 2013-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuits including air gaps around interconnect structures, and fabrication methods thereof
US8273607B2 (en) 2010-06-18 2012-09-25 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with encapsulation and underfill and method of manufacture thereof
JP2013069942A (ja) * 2011-09-24 2013-04-18 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
KR101934917B1 (ko) * 2012-08-06 2019-01-04 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US9917068B2 (en) * 2014-03-14 2018-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Package substrates, packaged semiconductor devices, and methods of packaging semiconductor devices
KR20170057920A (ko) * 2015-11-17 2017-05-26 삼성전자주식회사 인쇄 회로 기판
TWI626722B (zh) * 2017-05-05 2018-06-11 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4143456A (en) * 1976-06-28 1979-03-13 Citizen Watch Commpany Ltd. Semiconductor device insulation method
US4915607A (en) * 1987-09-30 1990-04-10 Texas Instruments Incorporated Lead frame assembly for an integrated circuit molding system
JPH01191457A (en) * 1988-01-27 1989-08-01 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
US5200362A (en) * 1989-09-06 1993-04-06 Motorola, Inc. Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film
JP2748592B2 (ja) * 1989-09-18 1998-05-06 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型
US5121190A (en) * 1990-03-14 1992-06-09 International Business Machines Corp. Solder interconnection structure on organic substrates
US5019673A (en) * 1990-08-22 1991-05-28 Motorola, Inc. Flip-chip package for integrated circuits
US5120678A (en) * 1990-11-05 1992-06-09 Motorola Inc. Electrical component package comprising polymer-reinforced solder bump interconnection
JP2570002B2 (ja) * 1991-05-29 1997-01-08 信越化学工業株式会社 フリップチップ用封止材及び半導体装置
US5203076A (en) * 1991-12-23 1993-04-20 Motorola, Inc. Vacuum infiltration of underfill material for flip-chip devices
US5218234A (en) * 1991-12-23 1993-06-08 Motorola, Inc. Semiconductor device with controlled spread polymeric underfill
US5311059A (en) * 1992-01-24 1994-05-10 Motorola, Inc. Backplane grounding for flip-chip integrated circuit
US5169056A (en) * 1992-02-21 1992-12-08 Eastman Kodak Company Connecting of semiconductor chips to circuit substrates
JP3332516B2 (ja) * 1992-11-03 2002-10-07 モトローラ・インコーポレイテッド 露出裏面を有する熱強化型半導体デバイスと、その製造方法
US5859470A (en) * 1992-11-12 1999-01-12 International Business Machines Corporation Interconnection of a carrier substrate and a semiconductor device
JPH06228308A (ja) * 1992-12-29 1994-08-16 Internatl Business Mach Corp <Ibm> トリアジン重合体およびその使用
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JP2518508B2 (ja) * 1993-04-14 1996-07-24 日本電気株式会社 半導体装置
US5385869A (en) * 1993-07-22 1995-01-31 Motorola, Inc. Semiconductor chip bonded to a substrate and method of making
US5420752A (en) * 1993-08-18 1995-05-30 Lsi Logic Corporation GPT system for encapsulating an integrated circuit package
JPH07169872A (ja) * 1993-12-13 1995-07-04 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH07307416A (ja) * 1994-05-12 1995-11-21 Toshiba Corp 半導体チップの実装方法及び半導体デバイス
US5663106A (en) * 1994-05-19 1997-09-02 Tessera, Inc. Method of encapsulating die and chip carrier
EP0690499A3 (en) * 1994-06-30 1997-05-28 Digital Equipment Corp Paddleless molded plastic semiconductor chip package
JPH08153820A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3292798B2 (ja) * 1995-10-04 2002-06-17 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH09120976A (ja) * 1995-10-24 1997-05-06 Seiko Epson Corp 半導体チップの実装方法
JP3345541B2 (ja) * 1996-01-16 2002-11-18 日立電線株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6018188A (en) * 1997-03-28 2000-01-25 Nec Corporation Semiconductor device
US5981312A (en) * 1997-06-27 1999-11-09 International Business Machines Corporation Method for injection molded flip chip encapsulation
JPH1154884A (ja) * 1997-08-06 1999-02-26 Nec Corp 半導体装置の実装構造
US6038136A (en) * 1997-10-29 2000-03-14 Hestia Technologies, Inc. Chip package with molded underfill

Also Published As

Publication number Publication date
US6369449B2 (en) 2002-04-09
PL337808A1 (en) 2000-09-11
WO1999000834A3 (en) 1999-06-10
US20010045637A1 (en) 2001-11-29
WO1999000834A2 (en) 1999-01-07
ID20506A (id) 1998-12-31
JP3313067B2 (ja) 2002-08-12
US20020111016A1 (en) 2002-08-15
JPH1126484A (ja) 1999-01-29
US6570261B2 (en) 2003-05-27
US5981312A (en) 1999-11-09
HU0003638A3 (en) 2001-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6169328B1 (en) Semiconductor chip assembly
US6313521B1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6794223B2 (en) Structure and process for reducing die corner and edge stresses in microelectronic packages
US5883430A (en) Thermally enhanced flip chip package
US5455456A (en) Integrated circuit package lid
US6329220B1 (en) Packages for semiconductor die
KR0156065B1 (ko) 플립 칩 캐리어 모듈의 표면 실장 공정
US5942798A (en) Apparatus and method for automating the underfill of flip-chip devices
US6610559B2 (en) Integrated void-free process for assembling a solder bumped chip
US6288451B1 (en) Flip-chip package utilizing a printed circuit board having a roughened surface for increasing bond strength
US5893724A (en) Method for forming a highly reliable and planar ball grid array package
US6737755B1 (en) Ball grid array package with improved thermal characteristics
US7927927B2 (en) Semiconductor package and method therefor
US5468995A (en) Semiconductor device having compliant columnar electrical connections
EP1320881B1 (en) Method of securing solder balls and any components fixed to one and the same side of a substrate
JP3118187B2 (ja) 再加工可能な電子デバイス及び形成方法
US7282806B2 (en) Semiconductor devices at least partially covered by a composite coating including particles dispersed through photopolymer material
US20020109241A1 (en) Molded flip chip package
US5218234A (en) Semiconductor device with controlled spread polymeric underfill
US20070141751A1 (en) Stackable molded packages and methods of making the same
US5550408A (en) Semiconductor device
US5461197A (en) Electronic device having a chip with an external bump terminal equal or smaller than a via hole on a board
EP1432033A1 (en) Multi-chip module and method of forming
US7413927B1 (en) Apparatus for forming a pre-applied underfill adhesive layer for semiconductor wafer level chip-scale packages
EP0896501A2 (en) Mounting structure for one or more semiconductor devices