FR2979637A1 - Deposition system for semiconductor material on substrate in semiconductor device manufacture, has precursor gas flow path with section having serpentine configuration that provides laminar flow of precursor gases - Google Patents

Deposition system for semiconductor material on substrate in semiconductor device manufacture, has precursor gas flow path with section having serpentine configuration that provides laminar flow of precursor gases Download PDF

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Abstract

The deposition system (100) has a susceptor (114) that is disposed partially within a reaction chamber (102), and supports a substrate (116) within the reaction chamber. A gas input system injects one or more precursor gases into the reaction chamber, and having at least one precursor gas furnace (130) disposed within the reaction chamber. A precursor gas flow path extends through the precursor gas furnace, and having at least one section with serpentine configuration that provides laminar flow of one or more precursor gases caused to flow through the flow path. An independent claim is included for a method of depositing semiconductor material.

Description

t 1 SYSTEMES DE DEPOT COMPRENANT UN FOUR DE GAZ PRECURSEUR A L'INTERIEUR D'UNE CHAMBRE DE REACTION ET PROCEDES RELATIFS Domaine de l'invention [0001] Les modes de réalisation de l'invention concernent les systèmes pour déposer des matériaux sur des substrats et des procédés pour fabriquer et utiliser de tels systèmes. t 1 DEPOT SYSTEMS INCLUDING FOUR GAS Precursor WITHIN REACTION CHAMBER AND METHODS RELATING Field of the Invention [0001] The invention of the embodiments relate to systems for depositing materials on substrates and methods of making and using such systems. Plus particulièrement, les modes de réalisation de l'invention concernent les procédés d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE) pour déposer des semi-conducteurs III-V sur des substrats et des procédés pour fabriquer et utiliser de tels systèmes. More particularly, the embodiments of the invention relate to processes for vapor phase epitaxy-based hydrides (HVPE) for depositing III-V semiconductors on substrates and methods for making and using such systems .

Contexte de l'invention [0002] Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé chimique qui est utilisé pour déposer des matériaux sur des substrats, et est communément utilisé 20 pour la fabrication des dispositifs à semi-conducteur. Background of the Invention [0002] The chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process that is used to deposit materials on substrates, and is commonly used 20 for the manufacture of semiconductor devices. Dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur, un substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs, qui réagissent, se décomposent ou réagissent et se décomposent de sorte que ceci se traduit par le dépôt 25 d'un matériau solide sur la surface du substrat. In chemical vapor deposition processes, a substrate is exposed to one or more reactive gases, which react, decompose or react and decompose so that this results in the deposit 25 of a solid material on the surface of substrate. [0003] Un type particulier de procédé CVD est désigné dans l'art, sous le terme d'épitaxie en phase vapeur (VPE). [0003] A particular type of CVD process is referred to in the art under the term vapor phase epitaxy (VPE). Dans les procédés VPE, un substrat est exposé à une ou plusieurs vapeurs réactives dans une 5 chambre de réaction, qui réagissent, se décomposent ou réagissent et se décomposent de sorte que ceci se traduit par le dépôt épitaxial d'un matériau solide sur la surface du substrat. In the methods VPE, a substrate is exposed to one or more reactive vapor in a reaction chamber 5, which react, decompose or react and decompose so that this results in the epitaxial deposition of a solid material on the surface of the substrate. Les procédés VPE sont souvent utilisés pour déposer les semi-conducteurs III-V. The VPE processes are often used to deposit III-V semiconductors.

10 Lorsque l'une des vapeurs réactives dans un procédé VPE comprend une vapeur d'hydrure (ou halogénure), le procédé peut être désigné sous le terme de procédé d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE). 10 When one of the reactive vapors in a VPE process comprises a hydride vapor (or halide), the method may be referred to as the method of vapor phase epitaxy-based hydrides (HVPE). [0004] Les procédés HVPE sont utilisés pour former 15 des semi-conducteurs III-V tels que par exemple le nitrure de gallium (GaN). [0004] HVPE processes are used to form 15 of III-V semiconductors such as for example gallium nitride (GaN). Dans de tels procédés, la croissance épitaxiale du GaN sur un substrat provient de la réaction en phase vapeur entre le chlorure de gallium (GaC1) et l'ammoniac (NH3) qui est réalisée 20 dans une chambre de réaction à hautes températures comprises entre environ 500 °C et environ 1 100 °C. In such processes, the epitaxial growth of GaN on a substrate from the vapor phase reaction between gallium chloride (GAC1) and ammonia (NH3) 20 which is formed in a reaction chamber at elevated temperatures ranging from about 500 ° C and about 1100 ° C. Le NH3 peut être fourni à partir d'une source standard de gaz NH3. NH3 can be supplied from a standard source of NH3 gas. [0005] Dans certains procédés, la vapeur de GaC1 25 est fournie en faisant passer du gaz de chlorure d'hydrogène (HC1) (qui peut provenir d'une source standard de gaz HC1) sur du gallium liquide chauffé (Ga) afin de former GaC1 in situ à l'intérieur de la chambre de réaction. [0005] In some methods, the vapor GAC1 25 is provided by passing hydrogen chloride gas (HC1) (which may originate from a standard source of HC1 gas) over heated liquid gallium (Ga) to GAC1 form in situ within the reaction chamber. Le gallium liquide peut être 30 chauffé à une température comprise entre environ 750 °C et environ 850 °C. The liquid gallium 30 can be heated to a temperature between about 750 ° C and about 850 ° C. Le GaC1 et le NH3 peuvent être dirigés vers (par exemple sur) une surface d'un substrat chauffé, telle qu'une plaquette de semiconducteur. The GAC1 and NH3 may be directed to (e.g., on) a surface of a heated substrate, such as a semiconductor wafer. Le brevet US-6 179 913 qui a été délivré 35 le 30 janvier 2001 à Solomon et associés, décrit un I 3 système d'injection de gaz destiné à être utilisé dans de tels systèmes et procédés. US Patent No. 6,179,913, which issued 35 January 30, 2001 to Solomon and associates described a I 3 gas injection system for use in such systems and processes. [0006] Dans de tels systèmes, il est nécessaire d'ouvrir la chambre de réaction à l'atmosphère afin de 5 réapprovisionner la source de gallium liquide. [0006] In such systems, it is necessary to open the reaction chamber to the atmosphere to 5 replenish the source of liquid gallium. En outre, il peut arriver qu'il soit impossible de nettoyer la chambre de systèmes. Furthermore, it may happen that it is impossible to clean the chamber systems. [0007] Afin réaction in situ dans de tels de traiter de tels problèmes, on a 10 développé des procédés et des systèmes qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaC13 qui est directement injecté dans la chambre de réaction. [0007] For in situ reaction in such deal with such problems, it has 10 developed methods and systems that use an external source of a precursor GaC13 which is directly injected into the reaction chamber. Les exemples de tels procédés et systèmes sont décrits par exemple dans la publication de la demande de 15 brevet US 2009/0223442 Al, qui a été publiée le 10 septembre 2009 au nom de Arena et associés. Examples of such methods and systems are described for example in the publication of the application 15 US patent 2009/0223442 Al, which was published September 10, 2009 in the name of Arena and associates. Résumé [0008] Dans certains modes de réalisation, la 20 présente invention comprend des systèmes de dépôt qui comprennent au moins une chambre de réaction sensiblement close, un suscepteur disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et configuré pour supporter un substrat à l'intérieur 25 de la chambre de réaction, et un système d'entrée de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs dans la chambre de réaction. Summary [0008] In some embodiments, the 20 present invention includes coating systems which comprise at least a substantially closed reaction chamber, a susceptor disposed at least partially within the reaction chamber and configured to support a 25 substrate within the reaction chamber, and a gas inlet system for injecting one or more precursor gases into the reaction chamber. La chambre de réaction peut être définie par une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale. The reaction chamber may be defined by an upper wall, a bottom and at least one sidewall wall. Le système 30 d'entrée de gaz comprend au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction. The system 30 gas inlet comprises at least one precursor gas furnace disposed within the reaction chamber. Au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étend à travers le au moins un four de gaz précurseur. At least one precursor gas flow path extends through the at least one precursor gas furnace. 4 [0009] Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente invention comprend des procédés pour déposer un semi-conducteur. 4 [0009] In additional embodiments, the present invention includes methods for depositing a semiconductor. Les procédés peuvent être réalisés en utilisant les modes de réalisation des systèmes de dépôt, tels que décrits ici. The processes can be carried out using the embodiments of deposition systems, as described herein. Par exemple, certains procédés des modes de réalisation de la description peuvent comprendre les étapes consistant à laisser s'écouler séparément un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V dans une chambre de réaction, laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction afin de chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III et après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction, mélanger le gaz précurseur d'un élément du groupe V et le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur de la chambre de réaction sur un substrat. For example, some processes of the description embodiments may comprise the steps of allowing flow separately a precursor gas of a Group III element precursor gas and a group V element in a reaction chamber, drain the precursor gas of a group III element through at least one precursor gas flow path extending through at least one precursor gas furnace disposed within the reaction chamber to heating the precursor gas of a group III element and after heating the precursor gas of a group III element within the at least one precursor gas furnace inside the reaction chamber, mixing the gas precursor of a group V element precursor gas and a group III element within the reaction chamber onto a substrate. Une surface du substrat peut être exposée au mélange du gaz précurseur d'un élément du groupe V et du gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat. A surface of the substrate may be exposed to the mixture of the precursor gas of a group V element precursor gas and a group III element for forming a semiconductor III-V on the surface of the substrate. Brève description des dessins [0010] La présente description ressortira plus 30 clairement en référence à la description détaillée suivante des modes de réalisation exemplaires, qui sont illustrés sur les figures jointes, dans lesquelles : [0011] la figure 1 est une vue en perspective détachée illustrant schématiquement un mode de 35 réalisation exemplaire d'un système de dépôt de l'invention qui comprend un four de gaz précurseur positionné à l'intérieur d'une région intérieure d'une chambre de réaction ; Brief description of drawings [0010] The present disclosure will be more 30 clear reference to the following detailed description of exemplary embodiments, which are illustrated in the accompanying drawings, wherein: [0011] Figure 1 is a detached perspective view schematically illustrating a method of exemplary embodiment 35 of the invention deposition system which includes a precursor gas furnace positioned within an inner region of a reaction chamber; [0012] la figure 2 est une vue latérale en coupe 5 illustrant le four de gaz précurseur de la figure 1, qui comprend une pluralité de structures généralement en forme de plaque reliées entre elles ; [0012] FIG 2 is a side sectional view illustrating the 5 precursor gas furnace of Figure 1 which comprises a plurality of structures generally plate-shaped interconnected; [0013] la figure 3 est une vue en plan de dessus de l'une des surfaces généralement en forme de plaque 10 du four de gaz précurseur des figures 1 et 2 ; [0013] Figure 3 is a top plan view of one surface generally shaped plate 10 of the gas oven precursor of Figures 1 and 2; [0014] la figure 4 est une vue en perspective du four de gaz précurseur des figures 1 et 2 ; [0014] Figure 4 is a perspective view of the gas furnace precursor of Figures 1 and 2; et [0015] la figure 5 est un schéma illustrant une vue en plan d'un autre mode de réalisation d'un système 15 de dépôt similaire à celui de la revendication 1, mais comprenant trois fours de gaz précurseur positionnés à l'intérieur d'une région intérieure d'une chambre de réaction. and [0015] Figure 5 is a diagram illustrating a plan view of another embodiment of a system 15 similar deposit to that of claim 1 but comprising three furnaces precursor gas positioned inside an inner region of a reaction chamber.

20 Description détaillée des modes de réalisation de l'invention [0016] Les illustrations présentées ici ne sont pas censées être les vues réelles de l'un quelconque parmi un système particulier, un composant ou un 25 dispositif, mais sont simplement des représentations idéalisées qui sont utilisées afin de décrire les modes de réalisation de la présente invention. 20 Detailed description of embodiments of the invention [0016] The illustrations presented herein are not meant to be actual views of any one particular system, component or device 25, but are merely idealized representations are used to describe the embodiments of the present invention. [0017] Tel qu'utilisé ici, le terme « semi- conducteur III-V » signifie et comprend tout semi- 30 conducteur qui est composé de manière prédominante d'un ou de plusieurs éléments du groupe IIIA du tableau périodique (B, Al, Ga, In et Ti) et d'un ou de plusieurs éléments du groupe VA du tableau périodique (N, P, As, Sb et Bi). [0017] As used herein, the term "III-V semiconductor" means and includes any semi-conductor 30 which is composed predominantly of one or more elements of group IIIA of the periodic table (B, Al , Ga, in and Ti) and one or more elements of group VA of the periodic table (N, P, As, Sb and Bi). Par exemple, les semi- 35 conducteurs III-V comprennent, sans y être limités, 6 GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, InGaN, InGaP, InGaNP, etc. For example, III-V semi- conductor 35 include, but are not limited to, 6 GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, InGaN, InGaP, InGaNP, etc. [0018] On a récemment développé des injecteurs de gaz améliorés destinés à être utilisés dans les procédés et les systèmes qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaCl3 qui est injecté dans la chambre de réaction, tels que ceux décrits dans la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al. Des exemples de ces injecteurs de gaz sont décrits par exemple dans la demande de brevet US 61/157 112 qui a été déposée le 3 mars 2009 au nom de Arena et associés. [0018] It has recently developed improved gas injector for use in the methods and systems using an external source of a precursor of GaCl 3 that is injected into the reaction chamber, such as those described in the publication of US patent application 2009/0223442 Al. examples of the gas injectors are described for example in the patent application US 61/157 112 filed March 3, 2009 in the name of Arena and associates. Tel qu'utilisé ici, le terme « gaz » comprend les gaz (les fluides qui ont ni une forme ni un volume indépendant) et les vapeurs (les gaz qui comprennent du liquide diffusé ou une matière solide en suspension), et les termes « gaz » et « vapeur » sont utilisés ici comme des synonymes. As used herein, the term "gas" includes gases (fluids that have neither shape nor an independent volume) and vapors (gases that include broadcast liquid or a solid material in suspension), and the terms " gas "and" vapor "are used synonymously. [0019] Les modes de réalisation de la présente invention comprennent et utilisent des systèmes de dépôt qui utilisent un ou plusieurs fours de gaz précurseur positionnés à l'intérieur d'une chambre de réaction. [0019] Embodiments of the present invention include and use filing systems that use one or more ovens precursor gas positioned within a reaction chamber. La figure 1 illustre un système de dépôt 100, qui comprend au moins une chambre de réaction sensiblement close 102. Dans certains modes de réalisation, le système de dépôt 100 peut comprendre un système CVD et peut comprendre un système de dépôt VPE (par exemple un système de dépôt HVPE). 1 illustrates a deposition system 100, which comprises at least a substantially closed reaction chamber 102. In some embodiments, the deposition system 100 may include a CVD system and may include a VPE deposition system (e.g. HVPE deposition system). [0020] La chambre de réaction 102 peut être définie par une paroi supérieure 104, une paroi inférieure 106 et une ou plusieurs parois latérales. [0020] The reaction chamber 102 may be defined by an upper wall 104, a bottom wall 106 and one or more side walls. Les parois latérales peuvent être définies par un ou plusieurs composants de sous-ensembles du système de dépôt. The sidewalls may be defined by one or more components of subsets of the disposal system. Par exemple, une première paroi latérale 108A peut comprendre un composant d'un sous-ensemble d'injection 110 utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre de réaction 102, et une deuxième paroi latérale 108B peut comprendre un composant d'un sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 utilisé pour évacuer les gaz de la chambre de réaction 102 et pour charger les substrats dans la chambre de réaction 102 et décharger les substrats de la chambre de réaction 102. [0021] Le système de dépôt 100 comprend une structure de support de substrat 114 (par exemple un suscepteur) configurée pour supporter un ou plusieurs substrats de pièce 116 sur laquelle on souhaite déposer ou bien fournir un matériau à l'intérieur du système de dépôt 100. Par exemple, les substrats de pièce 116 peuvent comprendre des matrices ou des plaquettes. For example, a first side wall 108A may comprise a component of an injection subassembly 110 used to inject one or more gases into the reaction chamber 102 and a second sidewall 108B may comprise a component of a sub subassembly discharge and loading 112 used for exhausting gas from the reaction chamber 102 and for loading the substrates in the reaction chamber 102 and unload substrates from the reaction chamber 102. [0021] the deposition system 100 comprises a substrate support structure 114 (e.g., a susceptor) configured to support one or more piece of substrates 116 on which is desired to deposit or provide material within the deposition system 100. for example, substrates piece 116 may include arrays or platelets. Le système de dépôt 100 comprend en outre des éléments chauffants 118 (figure 1) qui peuvent être utilisés pour chauffer sélectivement le système de dépôt 100 de sorte qu'une température moyenne à l'intérieur de la chambre de réaction 102 peut être contrôlée dans des limites de températures élevées souhaitables pendant les procédés de dépôt. The deposition system 100 further comprises heating elements 118 (Figure 1) that can be used to selectively heat the deposition system 100 so that an average temperature within the reaction chamber 102 may be controlled in elevated temperatures limits desirable for deposition processes. Les éléments chauffants 118 peuvent comprendre par exemple des éléments chauffants résistifs ou des éléments chauffants rayonnants (par exemple des lampes chauffantes). The heating elements 118 may comprise, for example resistive heating elements or radiant heater elements (e.g., heat lamps). [0022] Comme représenté sur la figure 1, la structure de support de substrat 114 peut être montée sur une tige 119 qui peut être couplée (par exemple couplée de manière directement structurelle, couplée de manière magnétique, etc.) à un dispositif d'entraînement (non représenté), tel qu'un moteur électrique qui est configuré pour entraîner la rotation de la tige 119 et par conséquent de la structure de support de substrat 114 à l'intérieur de la chambre de réaction 102. à - 8 [0023] Dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs parmi la paroi supérieure 104, la paroi inférieure 106, la structure de support de substrat 114, la tige 119 ou n'importe quel autre composant à l'intérieur de la chambre de réaction 102 peut être au moins sensiblement composé d'un matériau en céramique réfractaire tel que l'oxyde de céramique (par exemple la silice (quartz), l'alumine, la zircone, etc.), un carbure (par exemple le carbure de silicium, le carbure de bore, [0022] As shown in Figure 1, the substrate support structure 114 may be mounted on a rod 119 which can be coupled (e.g., coupled directly structurally coupled magnetically, etc) to a device drive (not shown) such as an electric motor which is configured to drive the rotation of the rod 119 and hence of the substrate support structure 114 within the reaction chamber 102 to - 8 [0023 ] in some embodiments, one or more of the top wall 104, the bottom wall 106, the substrate support structure 114, the rod 119 or any other component within the reaction chamber 102 may be at least substantially composed of a refractory ceramic material such as ceramic oxide (e.g., silica (quartz), alumina, zirconia, etc.), carbide (e.g., silicon carbide, boron carbide, etc.) ou un nitrure (par exemple le nitrure de silicium, le nitrure de bore, etc.). etc.) or a nitride (e.g., silicon nitride, boron nitride, etc.). A titre d'exemple non limitatif, la paroi supérieure 104, la paroi inférieure 106, la structure de support de substrat 114 et la tige 119 peuvent comprendre du quartz transparent afin de permettre à l'énergie thermique rayonnée par les éléments chauffants 118 de passer à travers et de chauffer les gaz à l'intérieur de la chambre de réaction 102. [0024] Le système de dépôt 100 comprend en outre un système d'écoulement de gaz utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre de réaction 102 et pour évacuer les gaz de la chambre de réaction 102. A nouveau en référence à la figure 1, le système de dépôt 100 peut comprendre cinq conduits d'entrée de gaz 120A-120E qui transportent les gaz à partir des sources de gaz 122A-122E respectives et dans le sous- ensemble d'injection 110. Facultativement, les dispositifs de contrôle d'écoulement de gaz tels que 30 des soupapes et/ou des contrôleurs de débit massique (non représentés) peuvent être utilisés p By way of nonlimiting example, the upper wall 104, the bottom wall 106, the substrate support structure 114 and the rod 119 may include transparent quartz to allow the thermal energy radiated by the heating elements 118 to pass through and heat the gas within the reaction chamber 102. [0024] the deposition system 100 further comprises a gas flow system used to inject one or more gases into the reaction chamber 102 and for discharging gases from the reaction chamber 102. referring again to Figure 1, the deposition system 100 may include five gas inlet conduits 120A-120E that carry the gas from the sources 122A-122E gas and the respective sub-injection assembly 110. Optionally, the gas flow control devices such as valves 30 and / or mass flow controllers (not shown) can be used p our contrôler sélectivement l'écoulement du gaz à travers les conduits d'entrée de gaz 120A-120E respectivement. our selectively controlling the flow of gas through the gas inlet conduits 120A-120E respectively. [0025] Dans certains modes de réalisation, au 35 moins l'une des sources de gaz 122A-122F peut comprendre une source externe d'au moins l'un parmi GaC13, InC13 ou AlC13, comme décrit dans la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al. GaC13, InC13 et AlC13 peuvent exister sous la forme d'un dimère tel 5 que par exemple, respectivement Ga2C16, In2C16 et Al2C16. [0025] In some embodiments, at least 35 one of the sources 122A-122F gas may comprise an external source of at least one GaC13, InC13 or AlC13, as described in Patent Application Publication US 2009/0223442 Al. GaC13, InC13 AlC13 and may exist as a dimer such as 5 for example, Ga2C16 respectively In2C16 and Al2C16. Ainsi, au moins l'une des sources de gaz 122A-122F peut comprendre un dimère tel que Ga2C16, In2Cl6 ou Al2C16. Thus, at least one of the sources 122A-122F may comprise a gas such as dimer Ga2C16, In2Cl6 or Al2C16. [0026] Dans les modes de réalisation dans lesquels une ou plusieurs des sources de gaz 122A-122E est ou 10 comprend une source de GaC13, la source de GaC13 comprend un réservoir de GaC13 liquide maintenu à une température d'au moins 78 °C (par exemple approximativement 130 °C) et peut comprendre des moyens physiques pour améliorer le taux d'évaporation du GaC13 15 liquide. [0026] In embodiments in which one or more sources 122A-122E is gas or 10 comprises a source of GaC13, the source of liquid comprises a GaC13 GaC13 tank maintained at a temperature of at least 78 ° C (e.g. approximately 130 ° C) and may include physical means to improve the evaporation rate of the liquid 15 GaC13. De tels moyens physiques peuvent comprendre par exemple, un dispositif configuré pour agiter le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour pulvériser le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour transporter le gaz porteur rapidement sur le GaC13 20 liquide, un dispositif configuré pour barboter le gaz porteur à travers le GaC13 liquide, un dispositif tel qu'un dispositif piézoélectrique, configuré pour disperser par ultrasons le GaC13 liquide, et similaire. Such physical means may include, for example, a device configured to agitate the liquid GaC13, a device configured to spray the liquid GaC13, a device configured to transport the carrier gas rapidly on GaC13 20 liquid, a device configured to bubble the carrier gas through the liquid GaC13, a device such as a piezoelectric device configured to disperse ultrasonic liquid GaC13, and the like. A titre d'exemple non limitatif, un gaz porteur tel que 25 He, N2, H2 ou Ar, peut être barboté par le biais du GaC13 liquide, alors que le GaC13 liquide est maintenu à une température d'au moins 78 °C, de sorte que le gaz source peut comprendre un ou plusieurs gaz porteurs. By way of nonlimiting example, a carrier gas such as 25 He, N2, H2 or Ar, may be bubbled through the liquid GaC13, while the liquid GaC13 is maintained at a temperature of at least 78 ° C, so that the source gas can comprise one or more carrier gases. [0027] Le flux de la vapeur de GaC13 à travers un 30 ou plusieurs conduits d'entrée de gaz 120A-120E peut être contrôlé dans certains modes de réalisation de l'invention. [0027] The flow of steam GaC13 through a 30 or more gas inlet conduits 120A-120E can be controlled in some embodiments of the invention. Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels un gaz porteur est barboté par le biais du GaC13 liquide, le flux de GaC13 provenant de la 35 source de gaz 122A-122E dépend d'un ou de plusieurs facteurs, comprenant par exemple la température du GaC13, la température sur le GaC13, et le débit du gaz porteur qui est barboté par le biais du GaC13. For example, in embodiments in which a carrier gas is bubbled through the liquid GaC13, GaC13 flow from the source 35 122A-122E gas depends on one or more factors, including for example the temperature GaC13 of the temperature on the GaC13, and the flow rate of carrier gas that is bubbled through the GaC13. Alors que le flux massique du GaC13 peut en principe être contrôlé par l'un quelconque de ces paramètres, dans certains modes de réalisation, le flux massique du GaC13 peut être contrôlé en modifiant le débit du gaz porteur en utilisant un contrôleur de débit massique. While the mass flow of GaC13 can in principle be controlled by any of these parameters, in some embodiments, the mass flow of GaC13 can be controlled by changing the carrier gas flow rate using a mass flow controller. [0028] Dans certains modes de réalisation, les une 10 ou plusieurs sources de gaz 122A-122E peuvent être capables de contenir environ 25 kg ou plus de GaC13, environ 35 kg ou plus de GaC13, ou même environ 50 kg ou plus de GaC13. [0028] In some embodiments, them one 10 or more sources 122A-122E gas may be able to contain about 25 kg or more of GaC13, about 35 kg or more of GaC13, or even about 50 kg or more of GaC13 . Par exemple, la source de GaC13 peut être capable de contenir entre environ 50 et 100 kg de 15 GaC13 (par exemple entre environ 60 et 70 kg). For example, the source of GaC13 may be able to contain between about 50 and 100 kg of 15 GaC13 (e.g. between about 60 and 70 kg). En outre, plusieurs sources de GaC13 peuvent être raccordées ensemble afin de former une seule source de gaz des sources de gaz 122A-122E en utilisant un collecteur pour permettre la commutation d'une source 20 de gaz à l'autre sans interrompre le fonctionnement et/ni l'utilisation du système de dépôt 100. La source de gaz vide peut être retirée et remplacée par une nouvelle source pleine alors que le système de dépôt 100 reste opérationnel. Furthermore, several sources GaC13 can be connected together to form a single source of gas sources 122A-122E using a gas collector to allow switching from a source 20 of gas to another without interrupting the operation and / or use of the deposition system 100. the vacuum source gas can be removed and replaced by a new full source while the deposition system 100 remains operational. 25 [0029] Dans certains modes de réalisation, les températures des conduits d'entrée de gaz 120A-120E peuvent être contrôlées entre les sources de gaz 122A-122E et la chambre de réaction 102. Les températures des conduits d'entrée de gaz 120A-120E et des capteurs 30 de débit massique associés, des contrôleurs et similaires peuvent être augmentées progressivement à partir d'une première température (par exemple environ 78 °C ou plus) à la sortie des sources de gaz 122A-122E respectives jusqu'à une deuxième température (par 35 exemple environ 150 °C ou moins) au point d'entrée dans la chambre de réaction 102 afin d'empêcher la condensation des gaz (par exemple la vapeur de GaCl3) dans les conduits d'entrée de gaz 120A-120E. 25 [0029] In some embodiments, the temperatures of 120A-120E gas inlet conduits may be controlled between the sources 122A-122E and the gas reaction chamber 102. The temperature of gas inlet conduits 120A -120E and sensors 30 associated mass flow, controllers and the like may be gradually increased from a first temperature (e.g., about 78 ° C or more) at the output 122A-122E of the respective gas sources to a second temperature (for example 35 to about 150 ° C or less) at the entry point into the reaction chamber 102 to prevent condensation of the gas (e.g. steam GaCl 3) in the gas inlet conduits 120A -120E. Facultativement, la longueur des conduits d'entrée de gaz 120A-120E entre les sources de gaz 122A-122E respectives et la chambre de réaction 102 peut être d'environ dix-huit pieds (5,49 m) ou moins, environ douze pieds (3,66 m) ou moins, ou même environ six pieds (1,83 m) ou moins. Optionally, the gas inlet ducts of length 120A-120E between the respective sources 122A-122E and the gas reaction chamber 102 may be about eighteen feet (5.49 m) or less, about twelve feet (3.66 m) or less, or even about six feet (1.83 m) or less. La pression des gaz sources peut être contrôlée en utilisant un ou plusieurs systèmes de contrôle de pression. The pressure of source gases may be controlled using one or more pressure control systems. [0030] Dans des modes de réalisation supplémentaires, le système de dépôt 100 peut comprendre moins de cinq (par exemple de un à quatre) conduits d'entrée de gaz et sources de gaz respectives, ou le système de dépôt 100 peut comprendre plus de cinq (par exemple six, sept, etc.) conduits d'entrée de gaz et sources de gaz respectives. [0030] In additional embodiments, the deposition system 100 may include fewer than five (e.g. one to four) gas inlet pipes and respective sources of gas, or the deposition system 100 may include more than five (e.g., six, seven, etc.) gas inlet pipes and respective sources of gas. [0031] Les un ou plusieurs conduits d'entrée de gaz 120A-120E s'étendent dans la chambre de réaction 102 par le sous-ensemble d'injection 110. Le sous-ensemble d'injection 110 peut comprendre un ou plusieurs blocs de matériau à travers lesquels les conduits d'entrée de gaz 120A-120E s'étendent. [0031] The one or more conduits 120A-120E gas inlet extending into the reaction chamber 102 through the injection subassembly 110. The injection subassembly 110 may include one or more blocks material through which the conduits 120A-120E gas inlet extend. Un ou plusieurs conduits de fluide 111 peuvent s'étendre à travers les blocs de matériau. One or more fluid conduits 111 can extend through the blocks of material. Un fluide d'échange de chaleur peut être amené à s'écouler à travers les un ou plusieurs conduits de fluide 111 afin de maintenir le gaz ou les gaz qui s'écoulent dans le sous-ensemble d'injection 110 au moyen des conduits d'entrée de gaz 120A-120E dans une plage de températures souhaitable pendant le fonctionnement du système de dépôt 100. Par exemple, il peut être souhaitable de maintenir le gaz ou les gaz qui s'écoulent à travers le sous-ensemble d'injection 110 au moyen des conduits d'entrée de gaz 120A-120E à une température inférieure à environ 200 °C (150 °C) pendant le fonctionnement du système de dépôt. A heat exchange fluid may be caused to flow through the one or more fluid conduits 111 to keep the gas or gases flowing into the injection subassembly 110 by means of ducts entry 120A-120E gas in a desirable temperature range during operation of the deposition system 100. for example, it may be desirable to keep the gas or gases flowing through the injection subassembly 110 through conduits 120A-120E input gas at a temperature below about 200 ° C (150 ° C) during operation of the deposition system. [0032] Un ou plusieurs des conduits d'entrée de 5 gaz 120A-120E s'étendent jusqu'à un four de gaz précurseur 130 disposé à l'intérieur de la chambre de réaction 102. Dans certains modes de réalisation, le four de gaz précurseur 130 peut être disposé au moins sensiblement complètement à l'intérieur de la chambre 10 de réaction 102. [0033] La figure 2 est une vue latérale en coupe du four de gaz précurseur 130 de la figure 1. Le four 130 du mode de réalisation des figures 1 et 2 comprend cinq (5) structures généralement en forme de 15 plaque 132A-132E qui sont fixées ensemble et sont dimensionnées et configurées pour définir une ou plusieurs trajectoires d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le four 130 dans des chambres définies entre les structures généralement en forme de 20 plaque 132A-132E. [0032] One or more inlet conduits 5 120A-120E gas extend to a precursor gas furnace 130 disposed inside the reaction chamber 102. In some embodiments, the furnace gas precursor 130 can be disposed at least substantially completely inside the reaction chamber 10 to 102. [0033] Figure 2 is a side view gas furnace cutting precursor 130 of Figure 1. the furnace 130 of mode embodiment of figures 1 and 2 comprises five (5) generally in the form structures 15 132A-132E plate which are secured together and are dimensioned and configured to define one or more flow paths precursor gas extending through the furnace 130 in chambers defined between structures generally form 20 132A-132E plate. Les structures généralement en forme de plaque 132A-132E peuvent comprendre, par exemple, du quartz transparent pour permettre à l'énergie thermique rayonnée par les éléments chauffants 118 de passer à travers les structures 132A-132E et chauffer le gaz ou 25 les gaz précurseurs dans le four 130. [0034] Comme représenté sur la figure 2, la première structure en forme de plaque 132A et la deuxième structure en forme de plaque 132B peuvent être couplées ensemble afin de définir une chambre 134 entre 30 elles. Structures generally L-shaped plate 132A-132E may include, e.g., transparent quartz to allow the thermal energy radiated by the heating elements 118 to pass through the structures 132A-132E and heating the gas or gas precursor 25 in the furnace 130. [0034] as shown in FIG 2, the first shaped structure 132A plate 132B and second plate-shaped structure may be coupled together to define a chamber 134 between them 30. Une pluralité de saillies solidaires en forme de crête 136 sur la première structure en forme de plaque 132A peuvent diviser la chambre 134 en une ou plusieurs trajectoires d'écoulement s'étendant à partir d'une entrée 138 dans la chambre 134 jusqu'à une 35 sortie 140 de la chambre 134. [0035] La figure 3 est une vue en plan de dessus de la première structure en forme de plaque 132 et illustre les saillies en forme de crête 136 sur cette dernière et les trajectoires d'écoulement qui sont ainsi définies dans la chambre 134. Comme représenté sur la figure 3, les saillies 136 définissent des sections de la trajectoire d'écoulement s'étendant à travers le four 130 (figure 2) qui ont une configuration en serpentin. A plurality of integral ridge-shaped protrusions 136 of the first plate 132A-shaped structure may divide the chamber 134 into one or more flow paths extending from an inlet 138 into the chamber 134 to a 35 output 140 of the chamber 134. [0035] Figure 3 is a top plan view of the first plate-like structure 132 and illustrates the ridge-shaped protrusions 136 of the latter and the flow paths which are thus defined in the chamber 134. as shown in Figure 3, the projections 136 define the flow path sections extending through the furnace 130 (Figure 2) which have a serpentine configuration. Les saillies 136 peuvent comprendre des parois alternées ayant des ouvertures 138 à travers ces dernières au niveau des extrémités latérales des saillies 136 et au centre des saillies 136, comme représenté sur la figure 3. Ainsi, dans cette configuration, les gaz peuvent entrer dans la chambre 134 à proximité d'une région centrale de la chambre 134, comme représenté sur la figure 3, s'écouler latéralement vers l'extérieur, vers les côtés latéraux du four 130, en passant par les ouvertures 138 au niveau des extrémités latérales de l'une des saillies 136, revenir vers la région centrale de la chambre 134 et par une autre ouverture 138 au niveau du centre d'une autre saillie 136. Ce modèle d'écoulement est répété jusqu'à ce que les gaz atteignent un côté opposé de la plaque 132A par rapport à l'entrée 138 après s'être écoulés à travers la chambre 134 en faisant un mouvement de va-et-vient à la manière d'un serpentin. The projections 136 may include alternating walls 138 having openings therethrough at the lateral ends of the projections 136 and the center of the projections 136, as shown in Figure 3. Thus, in this configuration, the gas may enter the chamber 134 near a central region of the chamber 134, as shown in Figure 3, to flow laterally outwardly to the lateral sides of the furnace 130, through the openings 138 at the lateral ends of one of the projections 136, back to the central region of the chamber 134 and another opening 138 at the center of another projection 136. this flow pattern is repeated until the gas reaches one side away from the plate 132A with respect to the input 138 after passed through the chamber 134 by a movement back and forth in the manner of a coil. [0036] En amenant un ou plusieurs gaz précurseurs à s'écouler à travers cette section de la trajectoire d'écoulement s'étendant à travers le four 130, le temps de séjour des un ou plusieurs gaz précurseurs à l'intérieur du four 130 peut être sélectivement augmenté. [0036] By bringing one or more precursor gas to flow through this section of the flow path extending through the oven 130, the residence time of the one or more precursor gas within the furnace 130 can be increased selectively. [0037] A nouveau en référence à la figure 2, 35 l'entrée 138 conduisant dans la chambre 134 peut être 14 définie, par exemple, par un élément tubulaire 142. L'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E, tel que le conduit d'entrée de gaz 120B, peut s'étendre vers et se coupler avec l'élément tubulaire 142, comme représenté 5 sur la figure 1. Un élément de joint d'étanchéité 144, tel qu'un joint torique polymère, peut être utilisé afin de former un joint d'étanchéité étanche au gaz entre le conduit d'entrée de gaz 120B et l'élément tubulaire 142. L'élément tubulaire 142 peut comprendre, 10 par exemple, du quartz opaque, afin d'empêcher l'énergie thermique émise par les éléments chauffants 118 de chauffer l'élément de joint d'étanchéité 144 à des températures élevées qui peuvent provoquer la dégradation de l'élément de joint 15 d'étanchéité 144. De plus, le refroidissement du sous-ensemble d'injection 110 utilisant l'écoulement du fluid [0037] Referring again to Figure 2, 35 the entrance 138 leading into the chamber 134 can be 14 defined, for example, by a tubular member 142. One of the gas inlet conduits 120A-120E, such as duct 120B of inlet gas, may extend to and mate with the tubular member 142, as shown 5 in Figure 1. A seal member 144, such as a polymer O-ring may be used to form a tight seal between the gas 120B gas inlet conduit and the tubular member 142. the tubular member 142 may comprise, for example 10, of opaque quartz, in order to prevent thermal energy emitted by the heating elements 118 to heat the seal member 144 at elevated temperatures which may cause degradation of the seal member 15 seal 144. in addition, the cooling under injection subassembly 110 using the flow of fluid e de refroidissement à travers les conduits de fluide 111 peut empêcher le chauffage excessif et se traduire par la dégradation de l'élément de joint 20 d'étanchéité 144. En maintenant la température de l'élément de joint d'étanchéité 144 au-dessous d'environ 200 °C, on peut maintenir un joint d'étanchéité adéquat entre l'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E et l'élément tubulaire 142, en 25 utilisant l'élément de joint d'étanchéité 144 lorsque les conduits d'entrée de gaz comprennent un métal ou un alliage de métal (par exemple de l'acier) et l'élément tubulaire 142 comprend un matériau réfractaire tel que le quartz. e of cooling fluid through the conduits 111 can prevent excessive heating and result in degradation of the 20 seal member 144. By maintaining the temperature of the seal member 144 below about 200 ° C, it can maintain an adequate seal between a gas inlet conduits 120A-120E and the tubular member 142, in 25 using the seal member 144 when the gas inlet ducts comprise a metal or a metal alloy (e.g. steel) and the tubular member 142 comprises a refractory material such as quartz. L'élément tubulaire 142 et la première 30 structure en forme de plaque 132A peuvent être reliés ensemble afin de former un corps unitaire en quartz. The tubular member 142 and the first plate 30 132A-shaped structure may be joined together to form a unitary body made of quartz. [0038] Comme représenté sur les figures 2 et 3, les structures en forme de plaque 132A, 132B peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité 35 complémentaires 147A, 147B (par exemple une crête et un évidement correspondant), qui s'étendent autour de la périphérie des structures en forme de plaque 132A, 132B et fermer au moins sensiblement hermétiquement la chambre 134 entre les structures en forme de plaque 132A, 132B. [0038] As shown in Figures 2 and 3, the shaped structures 132A plate 132B may include sealing features 35 complementary 147A, 147B (e.g., a ridge and a corresponding recess), which extend around the periphery of the shaped structures 132A plate 132B and closing at least substantially hermetically the chamber 134 between the shaped structures 132A plate 132B. Ainsi, on empêche les gaz à l'intérieur de la chambre 134 de sortir latéralement en s'écoulant de la chambre 134, et ils sont obligés de s'écouler à partir de la chambre 134 par la sortie 140 (figure 2). This prevents the gas within the chamber 134 out laterally flowing from the chamber 134, and they are forced to flow from the chamber 134 through the outlet 140 (Figure 2). [0039] Facultativement, les saillies 136 peuvent être configurées pour avoir une hauteur qui est légèrement inférieure à une distance séparant la surface 152 de la première structure en forme de plaque 132A à partir de laquelle les saillies 136 s'étendent et la surface opposée 154 de la deuxième structure en forme de plaque 132B. [0039] Optionally, the protrusions 136 may be configured to have a height which is slightly less than a distance separating the surface 152 of the first structure in the form of plate 132A from which the projections 136 extend and the opposite surface 154 of the second structure in the form of plate 132B. Ainsi, un petit espace peut être prévu entre les saillies 136 et la surface 154 de la deuxième structure en forme de plaque 132B. Thus, a small gap may be provided between the projections 136 and the surface 154 of the second structure in the form of plate 132B. Bien qu'une quantité mineure de gaz peut fuir par ces espaces, cette petite quantité de fuite n'affecte pas de manière indésirable le temps de séjour moyen pour les molécules de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre 134. En configurant les saillies 136 de cette manière, les variations de hauteur des saillies 136 qui peuvent se produire en raison des tolérances dans les procédés de fabrication utilisés pour former les structures en forme de plaque 132A, 132B peuvent être prises en compte, de sorte que les saillies 136 qui sont fabriquées par inadvertance à une hauteur excessive, n'empêchent pas la formation d'un joint d'étanchéité adéquat entre les structures en forme de plaque 132A, 132B grâce aux caractéristiques d'étanchéité complémentaires 147A, 147B. Although a minor amount of gas can escape through these spaces, this small amount of leakage does not affect undesirably the average residence time for the precursor gas molecules inside the room 134. By setting the projections 136 in this manner, variations in height of the protrusions 136 that may occur due to tolerances in the manufacturing processes used to form the shaped structures 132A plate 132B can be taken into account, so that the projections 136 which are made inadvertently to excessive height do not prevent the formation of a proper seal between the shaped structures 132A plate 132B through complementary sealing features 147A, 147B. [0040] Comme représenté sur la figure 2, la sortie 140 de la chambre 134 entre les structures en forme de plaque 132A, 132B conduit à une entrée 148 jusqu'à une chambre 150 entre la troisième structure en forme de plaque 132C et la quatrième structure en forme de plaque 132D. [0040] As shown in Figure 2, the output 140 of the chamber 134 between the shaped structures 132A plate 132B leads to an inlet 148 to a chamber 150 between the third structure in form of 132C and the fourth plate shaped structure 132D plate. La chambre 150 peut être configurée de sorte que le gaz ou les gaz s'écoulent à l'intérieur à partir de l'entrée 148 vers une sortie 156 à partir de la chambre 150 d'une manière généralement linéaire. The chamber 150 may be configured so that the gas or gases flow inwardly from the inlet 148 to an outlet 156 from the chamber 150 in a generally linear manner. Par exemple, la chambre 150 peut avoir une forme transversale qui est généralement rectangulaire et uniforme du point de vue de la taille entre l'entrée 148 et la sortie 156. Ainsi, la chambre 150 peut être configurée pour rendre l'écoulement de gaz ou des gaz plus laminaire, en contraste par rapport à l'écoulement turbulent. For example, the chamber 150 may have a cross shape which is generally rectangular and uniform from the standpoint of the size between the inlet 148 and the outlet 156. Thus, the chamber 150 may be configured to make the flow of gas or more laminar gas, in contrast to the turbulent flow. [0041] Les structures en forme de plaque 132C, 132D peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires 158A, 158B (par exemple une crête et un évidement correspondant) qui s'étendent autour de la périphérie des structures en forme de plaque 132C, 132D et enferment au moins sensiblement hermétiquement la chambre 150 entre les structures en forme de plaque 132C, 132D. [0041] The shaped structures 132C plate 132D may include complementary sealing features 158A, 158B (e.g., a ridge and a corresponding recess) extending around the periphery of the shaped structures 132C plate 132D and at least substantially enclose hermetically the chamber 150 between the shaped structures 132C plate 132D. Ainsi, on empêche les gaz à l'intérieur de la chambre 150 de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 150, et ils sont obligés de s'écouler à partir de la chambre 150 par la sortie 156. [0042] La sortie 156 peut comprendre par exemple, une ouverture allongée (par exemple une fente) s'étendant à travers la structure en forme de plaque 132D à proximité de son extrémité opposée à partir de l'extrémité qui est à proximité de l'entrée 148. [0043] A nouveau en référence à la figure 2, la 35 sortie 156 de la chambre 150 entre les structures en forme de plaque 132C, 132D conduit à une entrée 160 jusqu'à une chambre 162 entre la quatrième structure en forme de plaque 132D et la cinquième structure en forme de plaque 132E. This prevents the gases within the chamber 150 to flow out laterally from the chamber 150, and they are forced to flow from the chamber 150 through the outlet 156. [0042] The output 156 may comprise, for example, an elongated opening (e.g. a slit) extending through the plate 132D-like structure close to its end opposite from the end which is close to the inlet 148. [ 0043] referring again to Figure 2, the 35 output 156 of the chamber 150 between the shaped structures 132C plate 132D leads to an inlet 160 to a chamber 162 between the fourth structure shaped plate 132D and the fifth structure shaped plate 132E. La chambre 162 peut être configurée de sorte que le gaz ou les gaz à l'intérieur de cette dernière s'écoulent par l'entrée 160 vers une sortie 164 à partir de la chambre 162 d'une manière généralement linéaire. The chamber 162 may be configured so that the gas or gases inside the latter flows through the inlet 160 to an outlet 164 from the chamber 162 in a generally linear manner. Par exemple, la chambre 162 peut avoir une forme transversale qui est généralement rectangulaire et uniforme du point de vue de la taille entre l'entrée 160 et la sortie 164. Ainsi, la chambre 162 peut être configurée pour rendre l'écoulement du gaz ou des gaz plus laminaire, en contraste par rapport à l'écoulement turbulent, d'une manière similaire à celle précédemment décrite en référence à la chambre 150. [0044] Les structures en forme de plaque 132D, 132E peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires (par exemple une crête et 20 un évidement correspondant) qui s'étendent autour d'une partie de la périphérie des structures en forme de plaque 132D, 132E et rendent la chambre 162 étanche entre les structures en forme de plaque 132D, 132E de tous les côtés, sauf le côté des structures en forme de 25 plaque 132D, 132E. For example, the chamber 162 may have a cross shape which is generally rectangular and uniform from the standpoint of the size between the inlet 160 and the outlet 164. Thus, the chamber 162 may be configured to make the flow of the gas or more laminar gas, in contrast to the turbulent flow, in a manner similar to that previously described with reference to the chamber 150. [0044] the shaped structures 132D plate 132E may include sealing characteristics complementary (e.g., a ridge and a corresponding recess 20) extending around part of the periphery of the shaped structures 132D plate 132E and make tight chamber 162 between the shaped structures 132D plate 132E of all sides except the side of the shaped structures 25 plate 132D, 132E. Un espace est prévu entre les structures en forme de plaque 132D, 132E sur leur côté opposé à l'entrée 160, lequel espace définit la sortie 164 de la chambre 162. Ainsi, les gaz pénètrent dans la chambre 162 par l'entrée 160, s'écoulent par la 30 chambre 162 vers la sortie 164 (en étant empêchés de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 162 grâce aux caractéristiques d'étanchéité complémentaires 166A, 166B), et sortent en s'écoulant de la chambre 162 par la sortie 164. Les sections de la 35 trajectoire ou des trajectoires d'écoulement de gaz à l'intérieur du four 130 qui sont définies par la chambre 150 et la chambre 162 sont configurées pour communiquer un écoulement laminaire à un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler par la trajectoire ou les trajectoires d'écoulement à l'intérieur du four 130, et en réduire toute turbulence. A space is provided between the shaped structures 132D plate 132E on their side opposite to the entrance 160, which space defines the outlet 164 of the chamber 162. Thus, the gases enter the chamber 162 through the inlet 160, 30 flow through the chamber 162 to the outlet 164 (by being prevented from coming off by flowing laterally from the chamber 162 through the complementary sealing features 166A, 166B) and out flowing from the chamber 162 by the output 164. the sections of the path 35 or gas flow paths inside the furnace 130 that are defined by the chamber 150 and the chamber 162 are configured to impart a laminar flow to one or more precursor gases fed to flow through the path or flow paths within the oven 130, and reduce any turbulence. [0045] La sortie 164 est configurée pour émettre un ou plusieurs gaz précurseurs du four 130 dans la région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102. La figure 4 est une vue en perspective du four 130, et illustre la sortie 164. Comme représenté sur la figure 4, la sortie 164 peut avoir une forme transversale rectangulaire, qui peut aider à préserver l'écoulement laminaire du gaz ou des gaz précurseurs qui sont injectés depuis le four 130 et dans la région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102. La sortie 164 peut être dimensionnée et configurée pour faire sortir un volume de gaz précurseur en écoulement dans une direction transversale sur une surface supérieure 168 de la structure de support de substrat 114. Comme représenté sur la figure 4, la surface d'extrémité 180 de la quatrième structure généralement en forme de plaque 132D et la surface d'extrémité 182 de la cinquième structure généralement en forme de plaque 1 [0045] The output 164 is configured to emit one or more precursor gases of the furnace 130 in the inner region inside the reaction chamber 102. Figure 4 is a perspective view of the furnace 130, and shows the output 164 . As shown in Figure 4, the output 164 may have a rectangular cross-sectional shape, which can help maintain the laminar flow of gases or precursor gases which are injected from the furnace 130 and in the inner region inside the reaction chamber 102. the outlet 164 may be sized and configured to release a volume of precursor gas flowing in a transverse direction on an upper surface 168 of the substrate support structure 114. as shown in Figure 4, the end surface 180 of the fourth structure generally shaped plate 132D and the end surface 182 of the fifth structure generally plate-like 1 32E, un espace qui définit la sortie 164 de la chambre 162, comme précédemment discuté, peut avoir une forme qui correspond généralement à une forme d'un substrat de pièce 116 supporté sur la structure de support de substrat 114 et sur lequel un matériau doit être déposé en utilisant le gaz ou les gaz précurseurs s'écoulant hors du four 130. Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels le substrat de pièce 116 comprend une matrice ou plaquette ayant une périphérie qui a une forme généralement circulaire, les surfaces 180, 182 peuvent avoir une forme arquée qui correspond généralement au profil de la périphérie externe du substrat de pièce 116 à traiter. 32E, an area which defines the outlet 164 of the chamber 162, as previously discussed, can have a shape that generally corresponds to a shape of a piece of substrate 116 supported on the substrate support structure 114 and on which a material must be deposited using gas or precursor gas flowing out of the furnace 130. for example, in embodiments in which the workpiece substrate 116 includes a die or wafer having a periphery which is generally circular in shape, the surfaces 180, 182 may have an arcuate shape that generally corresponds to the profile of the outer periphery of part of substrate 116 to be treated. Dans une telle configuration, la distance entre la sortie 164 et le bord externe du substrat de pièce 116 peut être généralement constante sur la sortie 164. Dans cette configuration, on empêche le gaz ou les gaz précurseurs sortant en s'écoulant par la sortie 164 de se mélanger avec les autres gaz précurseurs à l'intérieur de la chambre de réaction 102 jusqu'à ce qu'ils soient positionnés à proximité de la surface du substrat de pièce 116 sur lequel le matériau doit être déposé par les gaz précurseurs, et éviter un dépôt involontaire de matériau sur les composants du système de dépôt 100. [0046] A nouveau en référence à la figure 1, la trajectoire d'écoulement de gaz précurseur à travers le four 130, comme défini à travers la chambre 134, la chambre 150 et la chambre 162, peut avoir une distance de trajectoire d'écoulement minimum d'au moins douze (12) pouces. In such a configuration, the distance between the outlet 164 and the outer edge of part 116 of substrate may be generally constant over the output 164. In this configuration, the gas or the outgoing precursor gases is prevented by flowing through the exit 164 to mix with the other precursor gases within the reaction chamber 102 until they are positioned near the surface of the substrate part 116 on which the material is to be deposited by the precursor gas, and prevent inadvertent deposition of material on components of the deposition system 100. [0046] referring again to Figure 1, the precursor gas flow path through the oven 130, as defined through the chamber 134, the chamber 150 and the chamber 162 may have a distance of minimum flow path of at least twelve (12) inches. Dans le mode de réalisation exemplaire des figures 1 à 3, la distance de trajectoire d'écoulement est d'environ douze (12) pouces (30,48 cm) pour chacune des huit (8) sections de patte de serpentin. In the exemplary embodiment of Figures 1 to 3, the flow path distance is approximately twelve (12) inches (30.48 cm) for each of the eight (8) coil leg sections. [0047] Egalement, le système de dépôt 100 peut être configuré de sorte que les un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers les une ou plusieurs trajectoires d'écoulement à travers le four 130 ont un temps de séjour à l'intérieur du four d'au moins environ 0,2 secondes (par exemple environ 0,48 secondes) ou même plusieurs secondes ou plus. [0047] Also, the deposition system 100 may be configured such that the one or more precursor gases caused to flow through the one or more flow paths through the furnace 130 have a residence time in the inside the furnace of at least about 0.2 seconds (e.g., about 0.48 seconds) or even several seconds or more. [0048] En référence à nouveau à la figure 1, les éléments chauffants 118 peuvent comprendre un premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et un deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné et configuré pour communiquer l'énergie thermique au four 130 et chauffer le gaz précurseur à l'intérieur de ce dernier. [0048] Referring again to Figure 1, the heating elements 118 may include a first group 170 of heating elements 118 and a second group 172 of heating elements 118. The first group 170 of heating elements 118 may be positioned and configured to transmit thermal energy to the furnace 130 and heating the precursor gas inside of the latter. Par exemple, le premier groupe 170 des éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessous de la chambre de réaction 102 sous le four 130, comme représenté sur la figure 1. Dans les modes de réalisation supplémentaires, le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessus de la chambre de réaction 102 sur le four 130, ou peut comprendre à la fois des éléments chauffants 118 positionnés au-dessous de la chambre de réaction 102 sous le four 130 et des éléments chauffants positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sur le four 130. Le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné et configuré pour communiquer l'énergie thermique à la structure de support de substrat 114 et tout substrat de pièce supporté sur cette dernière. For example, the first group 170 of heating elements 118 may be positioned below the reaction chamber 102 in the oven 130, as shown in Figure 1. In further embodiments, the first group 170 of heating elements 118 may be positioned above the reaction chamber 102 of the furnace 130, or can include both heating elements 118 positioned below the reaction chamber 102 in the furnace 130 and heating elements positioned above of the reaction chamber 102 of the furnace 130. the second group 172 of heating elements 118 may be positioned and configured for communicating thermal energy to the substrate support structure 114 and any substrate supported on part of the latter. Par exemple, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessous de la chambre de réaction 102 sous la structure de support de substrat 114, comme représenté sur la figure 1. Dans les modes de réalisation supplémentaires, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessus de la chambre de réaction 102 sur la structure de support de substrat 114, ou peut comprendre à la fois des éléments chauffants 118 positionnés au-dessous de la chambre de réaction 102 sous la structure de support de substrat 114 et des éléments chauffants positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sur la structure de support de substrat 114. [0049] Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être séparé du deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 par une barrière thermiquement réfléchissante ou thermiquement isolante 174. A titre d'exemple non limitatif, une telle barrière 174 peut comprendre une plaq For example, the second group 172 of heating elements 118 may be positioned below the reaction chamber 102 under the substrate support structure 114, as shown in Figure 1. In further embodiments, the second group 172 of heating elements 118 may be positioned above the reaction chamber 102 of the substrate support structure 114, or may include both heating elements 118 positioned below the reaction chamber 102 below the structure substrate support 114 and the heating elements positioned above the reaction chamber 102 of the substrate support structure 114. [0049] the first group 170 of heating elements 118 may be separated from the second group 172 of elements Heated 118 by a thermally reflective or thermally insulating barrier 174. by way of nonlimiting example, such a barrier 174 may comprise one plat ue métallique plaquée or positionnée entre le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. La plaque métallique peut être orientée pour permettre le chauffage indépendamment contrôlé du four 130 (par le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118) et la structure de support de substrat 114 (par le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118). gold plated metal ue positioned between the first group 170 of heating elements 118 and the second group 172 of heating elements 118. The metal plate can be oriented to permit heating independently-controlled oven 130 (for the first group 170 of elements Heated 118) and the substrate support structure 114 (for the second group 172 of heating elements 118). En d'autres termes, la barrière 174 peut être positionnée et orientée pour réduire ou empêcher le chauffage de la structure de support de substrat 114 par le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118, et pour réduire ou empêcher le chauffage du four 130 par le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. [0050] Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut comprendre une pluralité de rangées d'éléments chauffants 118, qui peuvent être contrôlées indépendamment les unes des autres. In other words, the barrier 174 may be positioned and oriented to reduce or prevent the heating of the substrate support structure 114 by the first group 170 of heating elements 118, and to reduce or prevent the heating of the furnace 130 by the second group 172 of heating elements 118. [0050] the first group 170 of heating elements 118 may comprise a plurality of rows of heating elements 118, which can be controlled independently of each other. En d'autres termes, l'énergie thermique émise par chaque rangée d'éléments chauffants 118 peut être contrôlée indépendamment. In other words, the thermal energy emitted by each row of heating elements 118 can be controlled independently. Les rangées peuvent être orientées de manière transversale par rapport à la direction de l'écoulement net de gaz à travers la chambre de réaction 102, qui est la direction s'étendant de gauche à droite d'après la vue en perspective de la figure 1. Ainsi, les rangées indépendamment contrôlées d'éléments chauffants 118 peuvent être utilisées pour fournir un gradient thermique sélectionné sur le four 130, si nécessaire. The rows may be transversely oriented with respect to the direction of the net flow of gas through the reaction chamber 102, which is the direction extending from left to right from the perspective view of Figure 1 . Thus, the rows of independently controlled heating elements 118 may be used to provide a thermal gradient selected in the oven 130, if necessary. De manière similaire, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut également comprendre une pluralité de rangées d'éléments chauffants 118, qui peuvent être contrôlées indépendamment les unes des autres. Similarly, the second group 172 of heating elements 118 may also comprise a plurality of rows of heating elements 118, which can be controlled independently of each other. Ainsi, un gradient thermique sélectionné peut également être fourni sur la structure de support de substrat 114, si nécessaire. Thus, a selected temperature gradient can also be provided on the substrate support structure 114, if necessary. [0051] Facultativement, les structures de transfert de chaleur passives (par exemple des structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être positionnées de manière adjacente ou à proximité d'au moins une partie du four de gaz précurseur 130 à 10 l'intérieur de la chambre de réaction 102 afin d'améliorer le transfert de chaleur aux gaz précurseurs à l'intérieur du four 130. [0052] Les structures de transfert de chaleur passives (par exemple des structures comprenant des 15 matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être prévues à l'intérieur de la chambre de réaction 102 comme décrit, par exemple dans la publication de demande de brevet US 2009/0214785 Al, qui a été publiée le 27 août 2009 au nom de Arena et 20 associés. [0051] Optionally, the passive heat transfer structures (e.g., structures comprising materials that behave similarly to a black body) can be positioned adjacent or proximate at least a portion of the gas oven précurseur 130 à 10 l'intérieur de la chambre de réaction 102 afin d'améliorer le transfert de chaleur aux gaz précurseurs à l'intérieur du four 130. [0052] Les structures de transfert de chaleur passives (par exemple des structures comprenant des 15 matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être prévues à l'intérieur de la chambre de réaction 102 comme décrit, par exemple dans la publication de demande de brevet US 2009/0214785 Al, qui a été publiée le 27 août 2009 au nom de Arena et 20 associés. A titre d'exemple non limitatif, le four de gaz précurseur 130 peut comprendre une plaque de transfert de chaleur passive 178, qui peut être positionnée entre la deuxième structure en forme de plaque 132B et la troisième structure en forme de 25 plaque 132C, comme représenté sur la figure 2. Une telle plaque de transfert de chaleur passive 178 peut améliorer le transfert de chaleur fournie par les éléments chauffants 118 au gaz précurseur à l'intérieur du four 130, et peut améliorer l'homogénéité et la 30 consistance de la température à l'intérieur du four 130. La plaque de transfert de chaleur passive 178 peut comprendre un matériau avec des valeurs d'émissivité élevées (proche de l'unité) (matériaux de corps noir) qui est également capable de résister à 35 l'environnement corrosif à haute température qui l'on peut rencontrer à l'intérieur de la chambre de réaction 102. De tels matériaux peuvent comprendre, par exemple le nitrure d'aluminium (A1N), le carbure de silicium (SiC) et le carbure de bore (B4C) qui ont respectivement des valeurs d'émissivité de 0,98, 0,92 et 0,92. Ainsi, la plaque de transfert de chaleur passive 178 peut absorber l'énergie thermique émise par les éléments chauffants 118 et émettre à nouveau l'énergie thermique dans le four 130 et le ou les gaz précurseurs à l'intérieur de ce dernier. [0053] A nouveau en référence à la figure 1, le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut comprendre une chambre de vide 184 dans laquelle les gaz s'écoulant à travers la chambre de réaction 102 sont aspirés par le vide et évacués de la chambre de réaction 102. Comme représenté sur la figure 1, la chambre de vide 184 peut être positionnée au-dessous de la chambre de réaction 102. [0054] Le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut en outre comprendre un dispositif de rideau de gaz de purge 186 qui est configuré et orienté pour fournir un rideau généralement plan de gaz de purge en écoulement qui sort en s'écoulant du dispositif de rideau de gaz de purge 186 et dans la chambre de vide 184. Le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut également comprendre une porte 188 qui peut être sélectivement ouverte pour le chargement et/ou le déchargement des substrats de pièce 116 de la structure de support de substrat 114, et sélectiv ement fermée pour traiter les substrats de pièce 116 en utilisant le système de dépôt 100. Le rideau de gaz de purge émis par le dispositif de rideau de gaz de purge 186 peut réduire ou empêcher le dépôt parasite de matériaux sur la porte 188 pendant les procédés de dépôt. [0055] Les sous-produits gazeux, les gaz porteurs et tous les gaz précurseurs en excès peuvent être évacués de la chambre de réaction 102 par le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112. [0056] La figure 5 est un schéma illustrant une vue d'un autre mode de réalisation d'un système de dépôt 200 qui est similaire au système de dépôt 100 de la figure 1, mais qui comprend trois fours de gaz précurseur 130A, 130B, 130C positionnés à l'intérieur d'une chambre intérieure de la chambre de réaction 102. Ainsi, chacun des fours de gaz précurseur 130A, 130B, 130C peut être utilisé pour injecter le même gaz précurseur ou des gaz précurseurs différents dans la chambre de réaction 102. A titre d'exemple non limitatif, le four de gaz précurseur 130B peut être utilisé pour injecter du GaC13 dans la chambre de réaction 102, le four de gaz précurseur 130A peut également être utilisé pour injecter du GaC13 dans la chambre de réaction 102 et le four de gaz pr curseur 130C peut également être utilisé pour injecter du GaC13 dans la chambre de réaction 102. A titre d'autre exemple, le four de gaz précurseur 130B peut être utilisé pour injecter du GaC13 dans la chambre de réaction 102, le four de gaz précurseur 130A peut être utilisé pour injecter du InC13 dans la chambre de réaction 102 et le four de gaz précurseur 130C peut être utilisé pour injecter du A1C13 dans la chambre de réaction 102. Facultativement, un gaz précurseur d'un élément du groupe III peut être injecté dans la chambre de réaction 102 en utilisant le four de gaz précurseur 130B pour le dépôt d'un semiconducteur III-V et les fours de gaz précurseur 130A, 130C peuvent être utilisés pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs utilisés pour déposer un ou plusieurs éléments dopants dans le semi-conducteur III-V. [0057] Les modes de réalisation des systèmes de dépôt, tels que décrits ici, tels que le système de dépôt 100 de la figure 1 et le système de dépôt 200 de la figure 5, peuvent permettre l'introduction de quantité relativement importante de gaz précurseur à haute température dans la chambre de réaction 102 tout en maintenant les gaz précurseurs spatialement espacés les uns des autres jusqu'à ce que les gaz soient positionnés à proximité immédiate du substrat de pièce 116 sur lequel le matériau doit être déposé, ce qui peut améliorer l'efficacité de l'utilisation des gaz précurseurs. [0058] Les modes de réalisation des systèmes de dépôt tels que décrits ici, tels que le système de dépôt 100 de la figure 1 et le système de dépôt 200 de la figure 5, peuvent être utilisés pour déposer un semi-conducteur sur un substrat de pièce 116 selon d'autres modes de réalisation de la description. [0059] En référence à la figure 1, un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V peuvent être amenés à s'écouler séparément dans la chambre de réaction 102 par des conduits différents des conduits d'entrée de gaz 120A-120E. Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut être amené à s'écouler par au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le four de gaz précurseur 130 disposé à l'intérieur de la chambre de réaction 102 pour chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III. [0060] Après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur du four 130, le gaz précurseur d'un élément du groupe V et le gaz 35 précurseur d'un élément du groupe III peuvent être mélangés à l'intérieur de la chambre de réaction 102 sur le substrat de pièce 116. La surface du substrat de pièce 116 peut être exposée au mélange du gaz précurseur d'un élément du groupe V et du gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat de pièce 116. [0061] Comme précédemment mentionné, la trajectoire d'écoulement à travers laquelle le gaz précurseur d'un élément du groupe III est amené à s'écouler, peut comprendre au moins une configuration de serpentin (par exemple la configuration des trajectoires d'écoulement à l'intérieur de la chambre 134) et au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III (par ex emple les configurations des trajectoires d'écoulement à l'intérieur de la chambre 150 et de la chambre 162). Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut être amené à s'écouler par la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire et dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102 à l'extérieur du four 130. Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut s'écouler du four 130 sous la forme d'un volume de gaz précurseur d'un élément du groupe III dans une direction transversale sur la surface supérieure du substrat de pièce 116, comme précédemment décrit ici. [0062] Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut comprendre un ou plusieurs parmi GaC13, InCl3 et A1C13. Dans de tels modes de réalisation, le chauffage du gaz précurseur d'un élément du groupe III peut se traduire par la décomposition d'au moins l'un parmi GaC13, InC13 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaCl, InCl, AlC1 et une espèce chlorée (par exemple HC1). [0063] On décrit ci-dessous des modes de réalisation exemplaires non limitatifs supplémentaires 5 de l'invention. [0064] Mode de réalisation 1 : un système de dépôt comprenant : une chambre de réaction au moins sensiblement close définie par une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale ; 10 un suscepteur disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et configuré pour supporter un substrat à l'intérieur de la chambre de réaction ; et un système d'entrée de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs dans la chambre de 15 réaction, le système d'entrée de gaz comprenant au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction, au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur. 20 [0065] Mode de réalisation 2 : le système de dépôt du mode de réalisation 1, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur comprend au moins une section ayant une configuration de 25 serpentin. [0066] Mode de réalisation 3 : le système de dépôt du mode de réalisation 1 ou du mode de réalisation 2, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a au moins une section configurée pour 30 fournir un écoulement laminaire des un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la au moins une trajectoire d'écoulement. [0067] Mode de réalisation 4 : le système de dépôt du mode de réalisation 3, dans lequel la au moins une 35 section configurée pour fournir l'écoulement laminaire comprend une sortie configurée pour produire un ou plusieurs gaz précurseurs dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction. [0068] Mode de réalisation 5 : le système de dépôt 5 du mode de réalisation 4, dans lequel la sortie a une forme transversale rectangulaire. [0069] Mode de réalisation 6 : le système de dépôt du mode de réalisation 4, dans lequel la sortie est dimensionnée et configurée pour faire sortir un volume 10 de gaz précurseur en écoulement dans une direction transversale sur une surface supérieure du suscepteur. [0070] Mode de réalisation 7 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 6, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de 15 gaz précurseur a une distance de trajectoire d'écoulement minimum d'au moins environ douze pouces (30,48 cm). [0071] Mode de réalisation 8 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 7, 20 dans lequel le système de dépôt est configuré de sorte qu'un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur ont un temps de séjour à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur d'au moins 25 environ 0,2 secondes. [0072] Mode de réalisation 9 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 8, comprenant en outre au moins un élément chauffant configuré pour communiquer l'énergie thermique au au 30 moins un four de gaz précurseur. [0073] Mode de réalisation 10 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 9, dans lequel le au moins un four de gaz précurseur comprend au moins deux plaques généralement planes 35 fixées ensemble et configurées pour définir au moins une partie de la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur entre ces dernières. [0074] Mode de réalisation 11 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 5 à 10, dans lequel le au moins un four de gaz précurseur comprend deux fours de gaz précurseur ou plus. [0075] Mode de réalisation 12 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, comprenant en outre : au moins une source de gaz 10 précurseur ; et au moins un conduit configuré pour transporter un gaz précurseur de la source de gaz précurseur jusqu'au au moins un four de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction. [0076] Mode de réalisation 13 : le système de 15 dépôt du mode de réalisation 12, dans lequel la au moins une source de gaz précurseur comprend une source d'au moins l'un parmi GaC13, InC13 et A1C13. [0077] Mode de réalisation 14 : un procédé pour déposer un semi-conducteur comprenant les étapes 20 consistant à : laisser s'écouler séparément un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V dans une chambre de réaction ; laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une 25 trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction afin de chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III ; après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe 30 III à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction, mélanger le gaz précurseur d'un élément du groupe V et le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur de la chambre de réaction sur un substrat ; et exposer une 35 surface du substrat au mélange du gaz précurseur d'un élément du groupe V et du gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat. [0078] Mode de réalisation 15 : le procédé du mode de réalisation 14, dans lequel l'étape consistant à chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III comprend l'étape consistant à décomposer au moins l'un parmi GaC13, InC13 et AlCl3 afin de former au moins l'un parmi GaC1, InCl et AlC1 et une espèce chlorée. [0079] Mode de réalisation 16 : le procédé du mode de réalisation 15, dans lequel l'étape consistant à décomposer au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaCl, InCl et A1C1 et une espèce chlorée comprend l'étape consistant à décomposer GaC13 afin de former GaCl et une espèce chlorée. [0080] Mode de réalisation 17 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 16, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend au moins une section ayant une configuration de serpentin, et l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une section de la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur ayant la configuration de serpentin. [0081] Mode de réalisation 18 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 17, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III et dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III. [0082] Mode de réalisation 19 : le procédé du mode de réalisation 18, comprenant en outre l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un 10 élément du groupe III par la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III et dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction. 15 [0083] Mode de réalisation 20 : le procédé du mode de réalisation 19, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III par la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un 20 élément du groupe III comprend en outre l'étape consistant à former un volume de gaz précurseur d'un élément du groupe III s'écoulant généralement dans une direction transversale sur la surface supérieure du substrat. 25 [0084] Mode de réalisation 21 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 20, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur 30 s'étendant à travers au moins un four de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III sur une distance minimum d'au moins environ douze pouces (30,48 cm) à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur. [0085] Mode de réalisation 22 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 21, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au 5 moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers au moins un four de gaz précurseur comprend l'étape consistant à amener le gaz précurseur d'un élément du groupe III à séjourner à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur pendant au moins 10 environ 0,2 secondes. [0086] Mode de réalisation 23 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 22, comprenant en outre l'étape consistant à communiquer l'énergie thermique au au moins un four de gaz 15 précurseur en utilisant au moins un élément chauffant.

Claims (23)

  1. REVENDICATIONS1. REVENDICATIONS1. Système de dépôt comprenant : au moins une chambre de réaction close définie par 5 une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale ; disposal system comprising: at least one closed reaction chamber defined on 5 a top wall, a bottom and at least one sidewall wall; un suscepteur disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et configuré pour supporter un substrat à l'intérieur de la chambre de 10 réaction ; a susceptor disposed at least partially within the reaction chamber and configured to support a substrate within the reaction chamber 10; et un système d'entrée de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs dans la chambre de réaction, le système d'entrée de gaz comprenant au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre 15 de réaction, au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur. and a gas inlet system for injecting one or more precursor gases into the reaction chamber, the gas inlet system comprising at least one precursor gas furnace disposed within the chamber 15 of reaction, at least a precursor gas flow path extending through the at least one precursor gas furnace.
  2. 2. Système de dépôt selon la revendication 1, 20 dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur comprend au moins une section ayant une configuration de serpentin. 2. Deposit system according to claim 1, 20 wherein the at least one precursor gas flow path extending through the at least one precursor gas furnace comprises at least one section having a serpentine configuration. 25 25
  3. 3. Système de dépôt selon la revendication 2, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire d'un ou de plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la au moins 30 une trajectoire d'écoulement. 3. Deposit system according to claim 2, wherein the at least one precursor gas flow path has at least one section configured to provide laminar flow of one or more precursor gas caused to flow through the at least one flow path 30.
  4. 4. Système de dépôt selon la revendication 3, dans lequel la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire comprend une sortie 35 configurée pour faire sortir un ou plusieurs gazprécurseurs dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction. 4. Deposit system according to claim 3, wherein the at least one section configured to provide laminar flow comprises a 35 output configured to output one or more gazprécurseurs in an interior region within the reaction chamber.
  5. 5. Système de dépôt selon la revendication 4, dans lequel la sortie a une forme transversale rectangulaire. 5. Deposit system according to claim 4, wherein the outlet has a rectangular cross-sectional shape.
  6. 6. Système de dépôt selon la revendication 4, dans lequel la sortie est dimensionnée et configurée pour faire sortir un volume de gaz précurseur en écoulement dans une direction transversale sur une surface supérieure du suscepteur. 6. Deposit system according to claim 4, wherein the outlet is sized and configured to release a volume of precursor gas flowing in a transverse direction on an upper surface of the susceptor.
  7. 7. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a une distance de trajectoire d'écoulement minimum d'au moins environ douze pouces, c'est-à-dire 30,48 cm. 7. Deposit system according to claim 1, wherein the at least one precursor gas flow path has a minimum flow path distance of at least about twelve inches, that is to say 30.48 cm.
  8. 8. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le système de dépôt est configuré de sorte qu'un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur ont un temps de séjour à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur d'au moins environ 0,2 secondes. 8. Deposit system according to claim 1, wherein the deposition system is configured so that one or more precursor gas caused to flow through the at least one precursor gas flow path have a residence time within the at least one precursor gas furnace of at least about 0.2 seconds.
  9. 9. Système de dépôt selon la revendication 1, comprenant en outre au moins un élément chauffant 30 configuré pour communiquer l'énergie thermique au au moins un four de gaz précurseur. 9. filing system according to claim 1, further comprising at least one heating element 30 configured to communicate thermal energy to at least one precursor gas furnace.
  10. 10. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un four de gaz précurseur 35 comprend au moins deux plaques généralement planesfixées ensemble et configurées pour définir au moins une partie de la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur entre elles. 10. Deposit system according to claim 1, wherein the at least one gas furnace precursor 35 comprises at least two plates generally planesfixées together and configured to define at least a portion of the at least one precursor gas flow path between they.
  11. 11. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un four de gaz précurseur comprend deux fours de gaz précurseur ou plus. 11. Deposit system according to claim 1, wherein the at least one precursor gas furnace comprises two furnaces precursor gas or more.
  12. 12. Système de dépôt selon la revendication 1, 10 comprenant en outre : au moins une source de gaz précurseur ; 12. Deposit system according to claim 1, 10 further comprising: at least one source of precursor gas; et au moins un conduit configuré pour transporter un gaz précurseur d'une source de gaz précurseur au au moins un four de gaz précurseur à l'intérieur de la 15 chambre de réaction. and at least one conduit configured to transport a precursor gas from a source of precursor gas to the at least one precursor gas furnace inside the reaction chamber 15.
  13. 13. Système de dépôt selon la revendication 12, dans lequel la au moins une source de gaz précurseur comprend une source d'au moins l'un parmi GaC13, InC13 20 et A1C13. 13. Deposit system according to claim 12, wherein the at least one source of precursor gas comprises a source of at least one GaC13, InC13 20 and A1C13.
  14. 14. Procédé pour déposer un semi-conducteur comprenant les étapes consistant à : laisser s'écouler séparément un gaz précurseur 25 d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V dans une chambre de réaction ; 14. A method for depositing a semiconductor device comprising the steps of: allowing flow separately a precursor gas 25 of a Group III element precursor gas and a group V element in a reaction chamber; laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le 30 au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction afin de chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III ; drain the precursor gas of a group III element through at least one flow path extending precursor gas 30 through the at least one precursor gas furnace disposed within the reaction chamber to heat the precursor gas of a group III element; après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur du au moins un four de gaz 35 précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction,mélanger le gaz précurseur d'un élément du groupe V et le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur de la chambre de réaction sur un substrat ; after heating the precursor gas of a Group III element within the at least one furnace gas 35 precursor within the reaction chamber, mixing the precursor gas of a group V element and the gas precursor of a group III element within the reaction chamber on a substrate; et exposer une surface du substrat au mélange de gaz précurseur d'un élément du groupe V et au gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat. and exposing a surface of the substrate to the precursor gas mixture of a Group V element precursor gas and a group III element for forming a III-V semiconductor on the substrate surface.
  15. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'étape consistant à chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III comprend l'étape consistant à décomposer au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaC1, InCl et A1C1 et une espèce chlorée. 15. The method of claim 14, wherein the step of heating the precursor gas of a group III element comprises the step of decomposing at least one of GaC13, InCl 3 and A1C13 to form at least one among GAC1, inCl and A1C1 and a chlorinated species.
  16. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel l'étape consistant à décomposer au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaC1, InCl et A1C1 et une espèce chlorée comprend l'étape consistant à décomposer GaC13 afin de former GaC1 et une espèce chlorée. 16. The method of claim 15, wherein the step of decomposing at least one of GaC13, InCl 3 and A1C13 to form at least one GAC1, InCl and A1C1 and chlorine species comprises decomposing GaC13 to form GAC1 and a chlorinated species.
  17. 17. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend au moins une section ayant une configuration de serpentin, et dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une section de la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur ayant la configuration de serpentin. 17. The method of claim 14, wherein the at least one precursor gas flow path comprises at least one section having a serpentine configuration, and wherein the step of allowing the flow of a precursor gas group III element through at least one precursor gas flow path includes the step of allowing flowing the precursor gas of a group III element through the at least one section of the at least one trajectory flow of precursor gas having the serpentine configuration.
  18. 18. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a au moins une section configurée pour 5 fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III et dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend l'étape 10 consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III. 18. The method of claim 14, wherein the at least one precursor gas flow path has at least one shaped section 5 to provide laminar flow of the precursor gas of a group III element and wherein step comprising allowing flowing the precursor gas of a group III element through at least one precursor gas flow path includes the step 10 comprising allowing flowing the precursor gas of a group III element to through the at least one section configured to provide laminar flow of the precursor gas of a group III element. 15 15
  19. 19. Procédé selon la revendication 18, comprenant en outre l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III hors de la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III 20 et dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction. 19. The method of claim 18, further comprising the step of allowing flowing the precursor gas of a group III element out of the at least one section configured to provide laminar flow of the precursor gas from a group III element 20 and in an inner region inside the reaction chamber.
  20. 20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz 25 précurseur d'un élément du groupe III hors de la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III comprend en outre l'étape consistant à former un volume de gaz précurseur d'un élément du groupe III s'écoulant 30 généralement dans une direction transversale sur la surface supérieure du substrat. 20. The method of claim 19, wherein the step of allowing the gas flow 25 precursor of a group III element out of the at least one section configured to provide laminar flow of the precursor gas from a group III element further comprises the step of forming a precursor gas volume of a III-group element 30 flowing generally in a transverse direction on the upper surface of the substrate.
  21. 21. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz 35 précurseur d'un élément du groupe III à travers la aumoins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III sur une distance minimum d'au moins environ douze pouces, c'est-à-dire 30,48 cm à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur. 21. The method of claim 14, wherein the step of allowing the gas flow 35 precursor of a group III element through the atleast one precursor gas flow path extending through the at least a precursor gas furnace includes the step of allowing flowing the precursor gas of a group III element on a minimum distance of at least about twelve inches, that is to say 30.48 cm to within the at least one precursor gas furnace.
  22. 22. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers au moins un four de gaz précurseur comprend l'étape consistant à amener le gaz précurseur d'un élément du groupe III à séjourner à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur pendant au moins environ 0,2 secondes. 22. The method of claim 14, wherein the step of allowing flowing the precursor gas of a group III element through the at least one precursor gas flow path extending through at least one precursor gas furnace includes the step of bringing the precursor gas of a group III element to stay within the at least one precursor gas furnace for at least about 0.2 seconds.
  23. 23. Procédé selon la revendication 14, comprenant 20 en outre l'étape consistant à communiquer l'énergie thermique au au moins un four de gaz précurseur en utilisant au moins un élément chauffant. 23. The method of claim 14 comprising 20 further step of imparting thermal energy to the at least one precursor gas furnace using at least one heating element.
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