FR2898906A1 - Mechanochemical polishing composition useful to polish layers applied on semiconductor microcomponent substrates, comprises alkylxanthate, abrasive particles, metal oxidizing agent, chemical agent to attack metals, pH regulator and solvent - Google Patents

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Abstract

Mechanochemical polishing composition comprises alkylxanthate, abrasive particles made up of metallic oxide, metal oxidizing agent, a chemical agent for attacking metals, optionally, a corrosion inhibitor, a pH regulation agent and a solvent. Independent claims are included for: (1) the preparation of the mechanochemical polishing composition solubilization of the metal oxidizing agent, the chemical agent of attacking metals, the alkylxanthate and the corrosion inhibitor, in a solvent, addition of the obtained solution in a suspension of a metallic oxide e.g. concentrated to 20 wt.% in weight, for two hours, under strong agitation and addition of the pH regulation agent with the obtained mixture to adjust the pH of the solution between 2-10, and preferably 3-7; (2) a mechanochemical polishing composition obtained by the process; and (3) the use of the polishing composition for mechanochemical polishing of layers applied on a substrate carrying at least a semiconductor microcomponent.

Description

2898906 COMPOSITION DE POLISSAGE MECANO CHIMIQUE INCLUANT UN2898906 CHEMICAL MECANO POLISHING COMPOSITION INCLUDING ONE

ALKYLXANTHATE, PROCEDE DE PREPARATION ET UTILISATION La présente invention concerne une composition 5 adaptée à permettre un polissage mécano chimique, plus communément connu sous l'acronyme CMP (de l'anglais Chemical Mechanical Polishing ). Elle concerne également un procédé de préparation d'une telle composition, ainsi que son utilisation pour 10 le polissage. Plus précisément, l'invention concerne, selon un premier de ses aspects, une composition de polissage mécano chimique comprenant : - des particules abrasives constituées d'un oxyde 15 métallique, -un agent oxydant les métaux, - un agent d'attaque chimique des métaux, -éventuellement, un inhibiteur de corrosion, - un agent de régulation du pH, et 20 -un solvant. Une telle composition est connue de l'homme du métier, notamment par l'enseignement de la demande de brevet publiée US 2004/0046148. Dans ce document, la stabilité de la composition de 25 polissage est augmentée par la mise en oeuvre d'un revêtement des particules abrasives et/ou par la présence d'additifs classiques connus en tant qu'agent de stabilisation des compositions de polissage. Dans le domaine du polissage mécano chimique, on 30 cherche continuellement à améliorer les compositions de polissage des couches minces afin d'obtenir des microcomposants de plus en plus performants. En particulier, la stabilité de la composition est une des propriétés qu'il est intéressant d'augmenter afin 35 d'en conserver le plus longtemps possible les performances en polissage. 2 2898906 Dans ce contexte, la présente invention a pour but de proposer une composition de polissage dépourvue de l'une au moins des limitations de l'art antérieur, en particulier du document US 2004/0046148.  The present invention relates to a composition suitable for chemical mechanical polishing, more commonly known by the acronym CMP (English Chemical Mechanical Polishing). It also relates to a process for preparing such a composition, as well as its use for polishing. More specifically, the invention relates, according to a first aspect, to a chemical mechanical polishing composition comprising: abrasive particles consisting of a metal oxide, a metal oxidizing agent, a chemical etchant; metals, optionally a corrosion inhibitor, a pH regulating agent, and a solvent. Such a composition is known to those skilled in the art, in particular by the teaching of the published patent application US 2004/0046148. In this document, the stability of the polishing composition is increased by the use of a coating of the abrasive particles and / or the presence of conventional additives known as stabilizing agent for the polishing compositions. In the field of chemical mechanical polishing, it is continuously sought to improve the polishing compositions of the thin layers in order to obtain microcomponents of increasing performance. In particular, the stability of the composition is one of the properties which it is desirable to increase in order to keep polishing performance as long as possible. In this context, the object of the present invention is to propose a polishing composition that does not have at least one of the limitations of the prior art, in particular document US 2004/0046148.

A cette fin, la composition de l'invention, par ailleurs conforme à la définition générique qu'en donne le préambule ci-dessus, est essentiellement caractérisée en ce qu'elle comprend un alkylxanthate. L'invention présente l'avantage de constituer une composition prête à l'emploi. Autrement dit, l'utilisateur en possession de la composition selon l'invention peut directement, sans ajout d'un constituant, utiliser la composition dans une machine de polissage. La manipulation de la composition est ainsi réduite, ce qui représente un gain de temps et un confort voire une sécurité, en particulier quand la composition a un pH non neutre, pour l'utilisateur. L'invention présente surtout l'avantage d'une excellente stabilité dans le temps. Sa stabilité est au 20 moins égale à un mois. La présence d'un alkylxanthate permet d'empêcher, pendant au moins un mois, toute décantation dans la composition selon l'invention. L'alkylxanthate stabilise les particules abrasives dans la suspension que constitue 25 la composition selon l'invention. On entend par stabilité de la composition de polissage la stabilité physique et chimique, et en particulier les stabilité du pH, stabilité de la concentration en réactifs et plus particulièrement en 30 agent oxydant les métaux, stabilité des particules abrasives dans la suspension et stabilité de la taille moyenne des particules mesurée par granulométrie laser. Grâce à cette stabilité, la composition de l'invention peut être préparée industriellement, 35 longtemps à l'avance, pour être prête à l'emploi, ce qui lui confère une grande facilité d'utilisation et permet 3 2898906 un gain de temps considérable pour l'opération de polissage. En outre, de manière surprenante, l'alkylxanthate joue le rôle d'inhibiteur de corrosion du métal et peut 5 ainsi remplacer l'inhibiteur de corrosion de la composition. Celui-ci peut donc être omis. La composition selon l'invention, incluant un alkylxanthate, permet d'obtenir de très bons résultats de polissage. Les surfaces polies présentent très peu ou pas 10 de défauts. Dans un mode de réalisation préféré de l'invention, l'alkylxanthate est l'éthylxanthate. De préférence, l'oxyde métallique est choisi parmi un oxyde d'aluminium tel que l'alumine Al203, un oxyde de 15 cérium tel que la cérine Ce02 ou un oxyde de silicium tel que la silice SiO2, par exemple obtenu par un procédé sol-gel. L'agent oxydant les métaux est par exemple choisi parmi l'eau oxygénée ou le peroxodisulfate d'ammonium.  To this end, the composition of the invention, furthermore in accordance with the generic definition given in the preamble above, is essentially characterized in that it comprises an alkylxanthate. The invention has the advantage of constituting a ready-to-use composition. In other words, the user in possession of the composition according to the invention can directly, without adding a constituent, use the composition in a polishing machine. The manipulation of the composition is thus reduced, which represents a saving of time and a comfort or a security, in particular when the composition has a non-neutral pH, for the user. The invention has especially the advantage of excellent stability over time. Its stability is at least one month. The presence of an alkylxanthate makes it possible to prevent, for at least one month, any decantation in the composition according to the invention. The alkylxanthate stabilizes the abrasive particles in the suspension that constitutes the composition according to the invention. The stability of the polishing composition is understood to mean the physical and chemical stability, and in particular the stability of the pH, the stability of the concentration of reactants and more particularly the oxidizing agent for the metals, the stability of the abrasive particles in the suspension and the stability of the average particle size measured by laser granulometry. Thanks to this stability, the composition of the invention can be prepared industrially, well in advance, to be ready for use, which gives it great ease of use and allows considerable time savings. for the polishing operation. In addition, surprisingly, the alkylxanthate acts as a corrosion inhibitor of the metal and can thus replace the corrosion inhibitor of the composition. This can be omitted. The composition according to the invention, including an alkylxanthate, makes it possible to obtain very good polishing results. The polished surfaces have very few or no defects. In a preferred embodiment of the invention, the alkylxanthate is ethylxanthate. Preferably, the metal oxide is chosen from an aluminum oxide such as alumina Al 2 O 3, a cerium oxide such as ceria CeO 2 or a silicon oxide such as silica SiO 2, for example obtained by a sol method. -gel. The metal oxidizing agent is for example chosen from hydrogen peroxide or ammonium peroxodisulfate.

L'agent d'attaque chimique des métaux est préférentiellement choisi parmi un acide carboxylique alpha hydroxylé tel que l'acide lactique, ou un acide aminé tel que la glycine. L'inhibiteur de corrosion peut être le 25 benzotriazole. L'agent de régulation du pH est choisi en particulier parmi la potasse ou l'ammoniaque, et est par exemple présent en une quantité permettant d'ajuster le pH de la composition entre 2 et 10, et de préférence 30 entre 3 et 7. De manière avantageuse, le solvant est une eau déionisée. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, la composition comprend, en pourcentage de 35 sa masse totale . -de 0,1 à 5% de particules abrasives, 4 2898906 -de 0,01 à 10% d'agent oxydant les métaux, - de 0,5 à 2% d'agent d'attaque chimique des métaux, - moins de 0,1% d'alkylxanthate, - de 0 à 0,15% d'inhibiteur de corrosion, et 5 -de 0,01 à 0,5% d'agent de régulation du pH. Selon une version préférée de l'invention, la composition comprend la cérine Ce02 en tant qu'oxyde métallique, l'eau oxygénée en tant qu'agent oxydant les métaux, et l'acide lactique en tant qu'agent d'attaque 10 chimique des métaux. Selon une autre version préférée de l'invention, la composition comprend l'alumine Al203 en tant qu'oxyde métallique, le peroxodisulfate d'ammonium en tant qu'agent oxydant les métaux, et la glycine en tant 15 qu'agent d'attaque chimique des métaux. Selon encore une autre version préférée de l'invention, la composition comprend la silice SiO2 en tant qu'oxyde métallique, l'eau oxygénée en tant qu'agent oxydant les métaux, et la glycine en tant qu'agent 20 d'attaque chimique des métaux. L'invention concerne également un procédé de préparation d'une composition de polissage mécano chimique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes . -la solubilisation, dans un solvant, d'un agent oxydant les métaux, d'un agent d'attaque chimique des métaux, d'un alkylxanthate, et d'un inhibiteur de corrosion ; -l'ajout de la solution obtenue à l'étape précédente dans une suspension d'un oxyde métallique par exemple concentrée à 20% en poids, pendant une durée de deux heures, sous forte agitation ; et -l'ajout au mélange obtenu à l'étape précédente d'un agent de régulation du pH pour l'ajustement du pH du mélange dans une plage allant de 2 à 10, et de préférence de 3 à 7. 5 2898906 L'invention concerne aussi une composition de polissage mécano chimique susceptible d'être obtenue par ce procédé de préparation. En outre, l'invention concerne une utilisation de la 5 composition de polissage mécano chimique pour le polissage mécano chimique de couches appliquées sur un substrat portant au moins un microcomposant semi-conducteur. De manière avantageuse, une des couches appliquées 10 sur le substrat est une couche métallique comprenant par exemple du cuivre. De préférence, au moins une des couches appliquées sur le substrat est une couche d'adhérence comprenant par exemple du tantale et/ou du nitrure de tantale. 15 Une des couches appliquées sur le substrat est préférentiellement une couche de matériau isolant comprenant par exemple du dioxyde de silicium. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de :La description 20 détaillée qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels : -la figure 1 représente schématiquement une coupe d'un empilement de couches sur un substrat portant 25 au moins un microcomposant semi-conducteur, avant et après polissage mécano chimique par une composition selon l'invention ; - la figure 2 représente un schéma de mise en oeuvre de la composition de l'invention dans un procédé de 30 polissage mécano chimique ; et - la figure 3 présente des photographies de vues au microscope optique d'une surface polie avec une composition sans alkylxanthate (figure 3A) ou avec une composition selon l'invention (figure 3B). 35 La composition selon l'invention est utilisée de manière générale pour le polissage mécano chimique de 6 2898906  The chemical etching agent of the metals is preferably selected from an alpha hydroxy carboxylic acid such as lactic acid, or an amino acid such as glycine. The corrosion inhibitor may be benzotriazole. The pH regulating agent is chosen in particular from potash or ammonia, and is for example present in an amount for adjusting the pH of the composition between 2 and 10, and preferably between 3 and 7. Advantageously, the solvent is a deionized water. According to a particular embodiment of the invention, the composition comprises, as a percentage of its total mass. 0.1 to 5% of abrasive particles, 0.01 to 10% of metal oxidizing agent, 0.5 to 2% of metal chemical etc .; 0.1% alkyl xanthate, 0 to 0.15% corrosion inhibitor, and 0.01 to 0.5% pH regulating agent. According to a preferred version of the invention, the composition comprises cerium CeO 2 as a metal oxide, hydrogen peroxide as a metal oxidizing agent, and lactic acid as a chemical etchant. metals. According to another preferred version of the invention, the composition comprises alumina Al 2 O 3 as the metal oxide, ammonium peroxodisulfate as the metal oxidizing agent, and glycine as an attacking agent. chemical metals. According to yet another preferred version of the invention, the composition comprises SiO 2 silica as metal oxide, hydrogen peroxide as the metal oxidizing agent, and glycine as etching agent. metals. The invention also relates to a method for preparing a chemical mechanical polishing composition, characterized in that it comprises the following steps. solubilizing, in a solvent, a metal oxidizing agent, a metal etching agent, an alkylxanthate, and a corrosion inhibitor; the addition of the solution obtained in the preceding step in a suspension of a metal oxide, for example concentrated to 20% by weight, for a period of two hours, with vigorous stirring; and adding to the mixture obtained in the preceding step a pH-regulating agent for adjusting the pH of the mixture in a range from 2 to 10, and preferably from 3 to 7. 2898906 The invention also relates to a chemical mechanical polishing composition obtainable by this method of preparation. In addition, the invention relates to a use of the chemical mechanical polishing composition for chemical mechanical polishing of layers applied to a substrate carrying at least one semiconductor microcomponent. Advantageously, one of the layers 10 applied to the substrate is a metal layer comprising for example copper. Preferably, at least one of the layers applied to the substrate is an adhesion layer comprising, for example, tantalum and / or tantalum nitride. One of the layers applied to the substrate is preferably a layer of insulating material comprising, for example, silicon dioxide. Other characteristics and advantages of the invention will become clear from: The detailed description which is given hereinafter, by way of indication and in no way limiting, with reference to the appended drawings in which: FIG. 1 schematically represents a cross-section of a stack of layers on a substrate carrying at least one semiconductor microcomponent, before and after mechanical chemical polishing by a composition according to the invention; FIG. 2 represents a diagram of implementation of the composition of the invention in a chemical mechanical polishing process; and FIG. 3 shows photographs of optical microscope views of a surface polished with a composition without alkylxanthate (FIG. 3A) or with a composition according to the invention (FIG. 3B). The composition according to the invention is generally used for chemical mechanical polishing of 2898906

couches appliquées sur un substrat portant au moins un microcomposant semi-conducteur. Dans la figure 1, l'élément A à polir, déposé sur un substrat S, comprend une couche 1 de matériau isolant, 5 deux couches 2, 3 d'adhérence et une couche 4 métallique. Le substrat est préférentiellement constitué de silicium Si. La couche 1 de matériau isolant est de préférence constituée de dioxyde de silicium SiO2. Le matériau 10 isolant a été déposé par exemple selon un procédé thermique ou en dépôt phase vapeur. La couche 1 de matériau isolant inclut un motif m. Bien entendu, une telle couche peut être gravée de plusieurs motifs tels que ceux classiquement gravés dans 15 le domaine de la fabrication des microcircuits, par exemple une via ou une tranchée. Une fine couche, appelée classiquement niveau barrière, a été déposée sur toute la surface de la couche 1. 20 Cette fine couche inclut les couches 2, 3 d'adhérence qui sont de préférence une première couche 2 d'adhérence constituée de tantale Ta recouverte d'une deuxième couche 3 d'adhérence constituée de nitrure de tantale TaN. 25 Le niveau barrière peut inclure de une à plusieurs couches constituées de composés choisis notamment parmi le tantale Ta, le nitrure de tantale TaN, le titane Ti, le nitrure de titane TiN, ou un alliage fer nickel. La surface de l'ensemble constitué du substrat S, de 30 la couche 1 de matériau isolant et des couches 2, 3 d'adhérence a été soumise à une métallisation par voie physique, telle que la pulvérisation au magnétron, ou par voie chimique, telle que le dépôt chimique en phase vapeur ou CVD et l'électrodéposition. Il en résulte la 35 couche 4 métallique. 7 2898906  layers applied to a substrate carrying at least one semiconductor microcomponent. In FIG. 1, the element A to be polished, deposited on a substrate S, comprises a layer 1 of insulating material, two adhesion layers 2, 3 and a metal layer 4. The substrate is preferably made of silicon Si. The layer 1 of insulating material is preferably made of silicon dioxide SiO 2. The insulating material has been deposited for example in a thermal process or in vapor phase deposition. The layer 1 of insulating material includes a pattern m. Of course, such a layer can be etched with several patterns such as those conventionally etched in the field of microcircuit fabrication, for example a via or a trench. A thin layer, conventionally called a barrier layer, has been deposited on the entire surface of the layer 1. This thin layer includes the adhesion layers 2, 3 which are preferably a first adhesion layer 2 consisting of tantalum Ta covered with a second adhesion layer 3 consisting of tantalum nitride TaN. The barrier level may include from one to several layers consisting of compounds chosen in particular from tantalum Ta, tantalum nitride TaN, titanium Ti, titanium nitride TiN, or an iron-nickel alloy. The surface of the assembly consisting of the substrate S, the insulating material layer 1 and the adhesion layers 2, 3 has been subjected to a physical metallization, such as magnetron sputtering, or chemically, such as chemical vapor deposition or CVD and electroplating. This results in the metal layer 4. 7 2898906

De préférence, le métal formant la couche 4 métallique est le cuivre Cu. Toutefois, la couche métallique peut être constituée de tout autre métal utilisé classiquement dans les couches métalliques des 5 microcomposants, tel que le tungstène W et l'aluminium Al. Le tantale et le nitrure de tantale sont avantageusement utilisés quand la couche métallique est constituée de cuivre. Ils peuvent être respectivement 10 remplacés par tout autre composé classiquement utilisé dans les couches d'adhérence des microcircuits, tel que le titane et le nitrure de titane, en particulier dans le cas où la couche métallique est constituée de tungstène. Selon une version particulièrement préférée de 15 l'invention, l'élément A est constitué de l'empilement SiO2/Ta/TaN/Cu. Souvent, le polissage mécano chimique d'éléments tels que l'élément A se déroule en deux étapes. Une première étape consiste à polir la couche métallique 20 jusqu'à atteindre le niveau barrière. Une seconde étape consiste à polir les éventuels résidus de la couche métallique et les couches du niveau barrière, afin d'achever le polissage sur la couche de matériau isolant. La composition de l'invention est surtout adaptée 25 pour effectuer la première étape de polissage. La vitesse d'enlèvement sur couche métallique par une composition selon l'invention est au moins égale à 5000 angstrôms par minute et la vitesse d'enlèvement sur couche d'adhérence est au plus égale à 300 angstrbms par 30 minute. Le polissage par une composition selon l'invention est donc sélectif, la sélectivité étant définie par le rapport des vitesses d'enlèvement. Selon l'invention, la composition de polissage mécano chimique comprend des particules abrasives 35 constituées d'un oxyde métallique, un agent oxydant les métaux, un agent d'attaque chimique des métaux, un agent 8 2898906  Preferably, the metal forming the metal layer 4 is Cu copper. However, the metal layer may consist of any other metal conventionally used in the metal layers of microcomponents, such as tungsten W and aluminum Al. Tantalum and tantalum nitride are advantageously used when the metal layer consists of copper. They can be respectively replaced by any other compound conventionally used in the adhesion layers of microcircuits, such as titanium and titanium nitride, in particular in the case where the metal layer is made of tungsten. According to a particularly preferred version of the invention, the element A consists of the SiO 2 / Ta / TaN / Cu stack. Often, chemical mechanical polishing of elements such as element A takes place in two stages. A first step is to polish the metal layer 20 to reach the barrier level. A second step is to polish the possible residues of the metal layer and the layers of the barrier level, in order to complete the polishing on the layer of insulating material. The composition of the invention is especially suitable for carrying out the first polishing step. The rate of removal on a metal layer by a composition according to the invention is at least 5000 angstroms per minute and the adhesion layer removal rate is at most equal to 300 angstroms per minute. The polishing by a composition according to the invention is therefore selective, the selectivity being defined by the ratio of the removal rates. According to the invention, the chemical mechanical polishing composition comprises abrasive particles consisting of a metal oxide, a metal oxidizing agent, a metal etching agent, a metal oxide agent, and a metal oxide oxidizing agent.

de régulation du pH, un alkylxanthate, éventuellement un inhibiteur de corrosion, et un solvant. Les réactifs chimiques utilisés dans la composition de l'invention sont de préférence d'une pureté chimique 5 élevée, avantageusement supérieure à 99%. En particulier, l'eau déionisée est une eau ultra pure. Un alkylxanthate est un composé chimique soufré de formule R-O-CS-SH dans laquelle R est un alkyle. On entend par alkyle tout groupement constitué d'une chaîne 10 hydrocarbonée linéaire ou ramifiée et/ou cyclique. Les particules abrasives permettent l'élimination des matériaux à polir au cours du procédé de polissage au travers d'une action mécanique d'abrasion. La matière enlevée peut être le matériau lui-même ou un produit de 15 transformation issu d'une réaction entre au moins un matériau à polir et au moins un constituant de la composition. Les particules abrasives peuvent être constituées de tout oxyde métallique. On entend par oxyde métallique 20 tout oxyde d'un métal, un métal étant tout élément chimique de la classification périodique auquel on attribue un comportement de métal, mais aussi l'oxyde de silicium SiO2 et l'oxyde de cérium CeO2. L'oxyde métallique est synthétique, de nature 25 colloïdale, et de taille de particules en suspension inférieure à un micron. De préférence, l'oxyde métallique est choisi parmi un oxyde d'aluminium tel que l'alumine Al203, un oxyde de cérium tel que la cérine Ce02 ou un oxyde de silicium tel 30 que la silice SiO2, par exemple obtenu par un procédé sol-gel. La silice peut être préparée par un procédé sol-gel, i.e. par hydrolyse et condensation en phase organique, par exemple dans un solvant de type alcool, de réactifs 35 du type alcoxyde de silicium, de formule Si(OR)4 dans laquelle R est une chaîne hydrocarbonée. Le réactif le 9 2898906  pH regulator, an alkylxanthate, optionally a corrosion inhibitor, and a solvent. The chemical reagents used in the composition of the invention are preferably of high chemical purity, preferably greater than 99%. In particular, deionized water is ultra pure water. An alkylxanthate is a sulfur chemical compound of the formula R-O-CS-SH wherein R is alkyl. By alkyl is meant any group consisting of a linear or branched and / or cyclic hydrocarbon chain. The abrasive particles allow the removal of polishing materials during the polishing process through a mechanical abrasion action. The removed material may be the material itself or a transformation product resulting from a reaction between at least one polishing material and at least one constituent of the composition. The abrasive particles may be any metal oxide. By metal oxide is meant any oxide of a metal, a metal being any chemical element of the Periodic Table to which a metal behavior is attributed, but also silicon oxide SiO 2 and cerium oxide CeO 2. The metal oxide is synthetic, of a colloidal nature, and of particle size in suspension less than one micron. Preferably, the metal oxide is chosen from an aluminum oxide such as alumina Al 2 O 3, a cerium oxide such as ceria CeO 2 or a silicon oxide such as silica SiO 2, for example obtained by a sol method. -gel. The silica may be prepared by a sol-gel process, ie by hydrolysis and condensation in the organic phase, for example in an alcohol-type solvent, of silicon-alkoxide reagents of the formula Si (OR) 4 in which R is a hydrocarbon chain. The reagent on 9 2898906

plus couramment utilisé est le tétraéthylorthosilicate ou tétraéthoxysilane ou TEOS. L'agent oxydant les métaux, en particulier les métaux de transition tels que le cuivre Cu et le 5 tungstène W, permet une perte d'électrons du métal qui prend alors sa forme oxydée. Il existe deux cas d'oxydation. Dans un premier cas, le métal est oxydé et forme un oxyde ou un hydroxyde métallique, insoluble dans le milieu. On parle de 10 passivation. Dans un deuxième cas, le métal forme un cation métallique, soluble dans le milieu. On parle de corrosion. Deux paramètres influent sur la passivation et la corrosion : le potentiel électrochimique E de la 15 composition, conféré par l'espèce oxydo-réductrice, en l'occurrence l'agent oxydant les métaux, et le pH. L'eau oxygénée H202 ou le peroxodisulfate d'ammonium (NH4) 25208 sont préférentiellement utilisés en tant qu'agent oxydant les métaux. Ils peuvent toutefois être 20 remplacés par tout oxydant ayant un potentiel d'oxydoréduction supérieur à celui des couples M/Mn+ possibles à partir des métaux M à polir, soit par exemple les couples Cu/Cu+ et Cu/Cu2+. On préfère donc choisir, pour la composition de 25 l'invention et pour l'application particulière au polissage d'une couche de cuivre, un oxydant dont le potentiel E est supérieur à 0,159 volts. L'oxydant peut alors être choisi par exemple parmi l'ion permanganate, l'ion ferrique, l'oxygène 02, l'ion nitrate, l'ion 30 iodate, l'ion chlorate, l'ion chromate, l'ion cerrique et l'ion peroxodisulfate. L'agent d'attaque chimique des métaux, par exemple l'acide lactique CH3-CHOH-COOH, est une source d'ion hydrogène H+, responsable de l'attaque chimique, et 35 d'anion complexant du cuivre oxydé sous formes Cu+ et Cu2+. La complexation entre l'anion lactate et les ions 10 2898906 cuivre déplace la réaction chimique vers la dissolution du cuivre métal, d'où une amplification de l'attaque chimique. Tout en restant dans le cadre de l'invention, 5 l'acide lactique peut être remplacé par tout autre acide carboxylique. Par exemple, l'acide carboxylique est choisi parmi les monoacides à chaîne hydrocarbonée tels que l'acide formique HCOOH, l'acide acétique CH3OOOH, l'acide propanoïque C2H5COOH et l'acide butanoïque 10 C3H7COOH, les monoacides alpha ou bêta hydroxylés tels que l'acide lactique et l'acide gluconique, les diacides à chaîne hydrocarbonée tels que l'acide oxalique, l'acide malonique, l'acide succinique et l'acide glutarique, les diacides alpha ou bêta hydroxylés tels que l'acide 15 tartrique et l'acide malique, les triacides alpha hydroxylés tels que l'acide citrique, et les acides aromatiques tels que l'acide benzoïque, l'acide phénylacétique et l'acide hydroxybenzoïque. De manière avantageuse, l'agent d'attaque chimique 20 des métaux est un mono-, di- ou triacide carboxylique incluant une fonction hydroxyle en position alpha et/ou bêta. Tout préférentiellement, l'agent d'attaque chimique est un acide carboxylique alpha hydroxylé, tel que l'acide lactique CH3-CHOH-COOH. 25 L'agent d'attaque chimique peut aussi être un acide aminé. On choisit de préférence un acide alpha aminé de formule R'-CH-NH2-COOH dans laquelle R' est un atome d'hydrogène ou tout groupement organique possible, et de préférence un atome d'hydrogène ou un alkyle. Par 30 exemple, la glycine CH2-NH2-COOH est utilisée. L'agent de régulation du pH a pour fonction d'apporter des ions HO- qui sont destinés à neutraliser au moins partiellement les ions hydrogènes libérés par le constituant acide. De préférence, il est choisi parmi la 35 potasse KOH, l'ammoniaque NH4OH, la soude NaOH et 11 2898906 l'ammoniac NH3, mais peut être toute base minérale forte ou toute base organique. L'agent inhibiteur de corrosion est classiquement le benzotriazole BTA de formule C6H5N3, ou tout dérivé des 5 composés azoles. Le BTA a pour rôle d'empêcher la corrosion du métal à polir. Pour cela, il forme, dans le cas du cuivre, un complexe Cu(+>-BTA(-) insoluble, qui se dépose sur la surface du matériau à polir et qui limite le phénomène d'attaque chimique du métal et donc de 10 corrosion, qui s'explique par le déplacement vers la droite de la réaction de transformation du métal Cu non soluble en ions cuivreux Cu+ et/ou cuivriques Cul+, espèces solubles. Le complexe Cu( -BTA(-) forme une couche adhérente en surface de la couche de cuivre et est 15 éliminée par l'abrasion. Un inconvénient du BTA, découlant de sa grande affinité pour le cuivre, est révélé lors du nettoyage réalisé classiquement après le polissage. Des résidus de BTA se trouvent sur l'élément poli après le polissage et 20 sont difficiles à éliminer pendant le nettoyage. Un autre inconvénient est que le BTA est un produit toxique. Selon une version avantageuse de l'invention, on peut omettre l'inhibiteur de corrosion tel que le BTA. La 25 fonction d'inhibition de la corrosion du métal tel que le cuivre peut être remplie par l'alkylxanthate. Le solvant, qui est de préférence l'eau, joue le rôle de vecteur des réactifs chimiques et des particules abrasives lors du polissage mécano chimique. Il permet le 30 mélange intime des réactifs chimiques au travers de leur solubilisation. Il permet aussi la mise en suspension des particules abrasives. En outre, pendant le polissage, il assure l'évacuation des résidus de polissage, tels que les sous-produits de réaction et les débris solides. 35 Avantageusement, le solvant est une eau déionisée, c'est-à-dire une eau dépourvue d'ions métalliques tels 12 2898906  most commonly used is tetraethylorthosilicate or tetraethoxysilane or TEOS. The metal oxidizing agent, in particular the transition metals such as copper Cu and tungsten W, allows a loss of electrons of the metal which then takes its oxidized form. There are two cases of oxidation. In a first case, the metal is oxidized and forms a metal oxide or hydroxide, insoluble in the medium. We are talking about passivation. In a second case, the metal forms a metal cation, soluble in the medium. We talk about corrosion. Two parameters influence passivation and corrosion: the electrochemical potential E of the composition, conferred by the redox species, in this case the metal oxidizing agent, and the pH. Hydrogen peroxide H202 or ammonium peroxodisulfate (NH4) 25208 are preferably used as the metal oxidizing agent. They can, however, be replaced by any oxidant having a redox potential greater than that of the possible M / Mn + couples from the metals M to be polished, for example the Cu / Cu + and Cu / Cu2 + pairs. It is therefore preferred to choose, for the composition of the invention and for the particular application to the polishing of a copper layer, an oxidant whose potential E is greater than 0.159 volts. The oxidant can then be chosen for example from the permanganate ion, the ferric ion, the O 2 O 2, the nitrate ion, the iodate ion, the chlorate ion, the chromate ion, the ceramic ion and the peroxodisulfate ion. The chemical etching agent for metals, for example lactic acid CH 3 -CHOH-COOH, is a hydrogen ion source H +, responsible for the chemical etching, and a complexing anion of oxidized copper in Cu + forms. and Cu2 +. The complexation between the lactate anion and the copper ions shifts the chemical reaction to the dissolution of the copper metal, hence an amplification of the chemical attack. While remaining within the scope of the invention, lactic acid can be replaced by any other carboxylic acid. For example, the carboxylic acid is chosen from hydrocarbon-based monoacids such as formic acid HCOOH, acetic acid CH3OOOH, propanoic acid C2H5COOH and butanoic acid C3H7COOH, monoacids alpha or beta hydroxylated such as lactic acid and gluconic acid, diacids with a hydrocarbon chain such as oxalic acid, malonic acid, succinic acid and glutaric acid, diacids alpha or beta hydroxylated such as tartaric acid and malic acid, alpha hydroxy triacids such as citric acid, and aromatic acids such as benzoic acid, phenylacetic acid and hydroxybenzoic acid. Advantageously, the metal etching agent is a mono-, di- or tri-carboxylic acid including a hydroxyl function in the alpha and / or beta position. Most preferably, the etchant is an alpha hydroxy carboxylic acid, such as lactic acid CH 3 -CHOH-COOH. The etchant may also be an amino acid. An alpha amino acid of formula R'-CH-NH 2 -COOH is preferably chosen in which R 'is a hydrogen atom or any organic group possible, and preferably a hydrogen atom or an alkyl. For example, glycine CH 2 -NH 2 -COOH is used. The function of the pH control agent is to provide HO- ions which are intended to at least partially neutralize the hydrogen ions released by the acid component. Preferably, it is selected from potassium hydroxide, ammonia NH 4 OH, sodium hydroxide NaOH and NH 3 ammonia, but may be any strong mineral base or any organic base. The corrosion inhibiting agent is conventionally benzotriazole BTA of the formula C6H5N3, or any derivative of the azole compounds. The role of the BTA is to prevent corrosion of the metal to be polished. For this, it forms, in the case of copper, a Cu (+> - BTA (-) insoluble complex, which is deposited on the surface of the material to be polished and which limits the phenomenon of etching of the metal and therefore of corrosion, which is explained by the shift to the right of the reaction of transformation of the non-soluble Cu metal into cu + Cu + and / or copper Cu + Cu ions, soluble species The Cu (-BTA (-) complex forms an adherent layer on the surface of the copper layer and is removed by abrasion A disadvantage of BTA, resulting from its high affinity for copper, is revealed during cleaning conventionally carried out after polishing BTA residues are on the polished element After polishing and are difficult to remove during cleaning, another disadvantage is that BTA is a toxic product.On an advantageous version of the invention, the corrosion inhibitor such as BTA can be omitted. inhibition of corrosio n metal such as copper can be filled with the alkylxanthate. The solvent, which is preferably water, acts as a vector of chemical reagents and abrasive particles during chemical mechanical polishing. It allows the intimate mixing of the chemical reagents through their solubilization. It also allows the suspension of the abrasive particles. In addition, during polishing, it ensures the evacuation of polishing residues, such as reaction by-products and solid debris. Advantageously, the solvent is a deionized water, that is to say a water devoid of metal ions such as water.

que le sodium, le potassium, le magnésium et le calcium. Son utilisation permet que la contamination de la composition de polissage en éléments alcalins et alcalino-terreux soit résiduelle. 5 Selon un mode particulier de réalisation, la composition selon l'invention comprend en pourcentage de sa masse totale : - de 0,1 à 5% de particules abrasives, - de 0,01 à 10% d'agent oxydant les métaux, 10 -de 0,5 à 2% d'agent d'attaque chimique des métaux, -moins de 0,1% d'alkylxanthate, - de 0 à 0,15% d'inhibiteur de corrosion, - de 0,01 à 0,5% d'agent de régulation du pH. Les pourcentages massiques représentent des 15 quantités de réactif pur à 100%. L'agent de régulation du pH est plus particulièrement présent en une quantité permettant d'ajuster le pH de la composition entre 2 et 10, et de préférence entre 3 et 7. 20 La composition selon l'invention est une dispersion aqueuse obtenue par solubilisation, dans le solvant, de l'agent oxydant les métaux, de l'agent d'attaque chimique des métaux, d'un alkylxanthate, et de l'inhibiteur de corrosion, suivie par l'ajout de la solution ainsi 25 obtenue dans une suspension d'oxyde métallique par exemple concentrée à 20% en poids, pendant une durée de deux heures, sous forte agitation, puis par l'ajustement du pH du mélange ainsi obtenu. Le pH est ajusté dans une plage allant de 2 à 10, et de préférence de 3 à 7, par 30 l'ajout de l'agent de régulation du pH, sans conséquence sur la stabilité chimique et physique de la suspension. La composition ainsi obtenue est un liquide opalescent de couleur blanche, qui présente une viscosité dynamique comprise entre 1,2 et 5 centipoises et une 35 densité comprise entre 1,005 et 1,08. 13 2898906  as sodium, potassium, magnesium and calcium. Its use allows the contamination of the polishing composition in alkaline and alkaline earth elements to be residual. According to a particular embodiment, the composition according to the invention comprises, as a percentage of its total mass: from 0.1 to 5% of abrasive particles, from 0.01 to 10% of metal oxidizing agent, from 0.5 to 2% of chemical metal-etching agent, less than 0.1% of alkylxanthate, from 0 to 0.15% of corrosion inhibitor, of from 0.01 to 0, , 5% pH regulating agent. Mass percentages represent amounts of 100% pure reagent. The pH-regulating agent is more particularly present in an amount making it possible to adjust the pH of the composition between 2 and 10, and preferably between 3 and 7. The composition according to the invention is an aqueous dispersion obtained by solubilization in the solvent, the metal oxidizing agent, the metal etching agent, an alkylxanthate, and the corrosion inhibitor, followed by the addition of the solution thus obtained in a suspension of metal oxide for example concentrated to 20% by weight, for a period of two hours, with vigorous stirring, and then by adjusting the pH of the mixture thus obtained. The pH is adjusted in a range from 2 to 10, and preferably from 3 to 7, by the addition of the pH regulating agent, without affecting the chemical and physical stability of the suspension. The composition thus obtained is a white opalescent liquid which has a dynamic viscosity of between 1.2 and 5 centipoise and a density of between 1.005 and 1.08. 13 2898906

La taille élémentaire des particules abrasives est comprise entre 15 et 130 nanomètres. Les particules abrasives forment des agrégats dont la taille moyenne est comprise entre 50 et 150 5 nanomètres. La taille moyenne de ces agrégats, ou diamètre moyen des particules en volume, est mesurée selon la technique de spectroscopie de corrélation de photons. Les caractéristiques sont indiquées sous la forme 10 d'une plage de valeurs du fait des ajustements possibles pour l'obtention d'une performance en application donnée. En outre, les particules élémentaires et les agrégats d'oxyde métallique présentent une stabilité en suspension d'au moins un mois. Pendant au moins le 15 premier mois suivant la fabrication de la composition, aucune sédimentation de ces particules n'a lieu. La composition de l'invention présente une pureté élevée, maîtrisée par le niveau de pureté de chacun des constituants. La contamination en éléments Na, Ca et Mg 20 est inférieure à 1 partie par million. La contamination en éléments Fe, Al, Ni, Ti, V, Cr, Mn, Co, Cu, Zn est inférieure à 0,1 partie par million. La composition de l'invention est homogène et prête à l'emploi ; elle ne nécessite aucune opération d'ajout 25 de réactif chimique, ni aucune opération d'agitation mécanique avant son utilisation. La composition de l'invention est mise en oeuvre dans des procédés classiques de polissage mécano chimique, sur une polisseuse telle que représentée à la figure 2. 30 La polisseuse 7 est choisie classiquement pour ses caractéristiques en fonction de la taille du substrat sur lequel sont déposées la ou les couches à polir. Le diamètre des substrats varie entre 100 millimètre, en général pour les tests de laboratoire, et 300 35 millimètres, en général pour les sites de production les plus avancés. L'ensemble formé par le substrat et les 14 2898906 différentes couches déposées sur ce substrat constitue une tranche. La tranche 8 à traiter, qui peut par exemple inclure un élément A, est plaquée par sa face arrière 8a sur un 5 portoir 9 tandis que sa face avant 8b, qui comprend la ou les couches à polir, est appliquée sur un plateau inférieur 10 revêtu d'un tapis 11 en matière plastique. Par exemple, la face 8b correspond à la surface d'une couche métallique. 10 Des mouvements de rotation sont appliqués au portoir 9 ainsi qu'au plateau inférieur 10 afin d'uniformiser les vitesses linéaires de passage du tapis 11 sur la tranche 8. Une pression variable est exercée par le portoir 9 15 sur le plateau inférieur 10. Le mécanisme d'abrasion de la ou des couches de la face 8b de la tranche 8 est assuré par une composition 12 de polissage selon l'invention, dispensée en continu par un dispositif 13 d'alimentation sur le tapis 11 pendant 20 le fonctionnement de la polisseuse 7 et maintenue au moins en partie par le tapis 11 grâce à un effet éponge. La composition de polissage selon l'invention présente un bon comportement sur le plateau de polissage en ce que ne sont observées ni frictions, ni vibrations. 25 Après la mise en œuvre sur l'élément A d'un procédé de polissage tel que décrit ci-dessus avec une composition selon l'invention, l'élément B tel que représenté à la figure 1 peut être obtenu. La première étape de polissage seulement est 30 réalisée pour obtenir l'élément B. Une partie superficielle 4a de la couche 4 métallique a été polie. L'élément B garde une seconde partie 4b, qui constitue une interconnexion, de la couche 4 initiale. L'interconnexion est dépourvue de marques de 35 corrosion. 15 2898906 Après le polissage, les opérations de dépôt de matériau isolant, de gravure, et de dépôt d'un niveau barrière et d'une couche métallique peuvent être effectuées à nouveau, à partir de l'élément B poli. Les 5 connexions électriques sont par exemple réalisées selon une architecture damascene , simple ou double.  The elemental size of the abrasive particles is between 15 and 130 nanometers. The abrasive particles form aggregates whose average size is between 50 and 150 nanometers. The average size of these aggregates, or mean diameter of the particles in volume, is measured according to the technique of photon correlation spectroscopy. The characteristics are indicated as a range of values due to the possible adjustments for obtaining a given performance in application. In addition, the elementary particles and the metal oxide aggregates exhibit a suspension stability of at least one month. For at least the first month after the manufacture of the composition, no sedimentation of these particles takes place. The composition of the invention has a high purity, controlled by the level of purity of each of the constituents. The Na, Ca and Mg element contamination is less than 1 part per million. Contamination in elements Fe, Al, Ni, Ti, V, Cr, Mn, Co, Cu, Zn is less than 0.1 parts per million. The composition of the invention is homogeneous and ready for use; it does not require any chemical reagent addition operation, nor any mechanical agitation operation prior to its use. The composition of the invention is implemented in conventional chemical mechanical polishing processes, on a polisher as shown in FIG. 2. The polisher 7 is conventionally chosen for its characteristics as a function of the size of the substrate on which deposited the layer or layers to be polished. The diameter of the substrates varies between 100 millimeters, generally for laboratory tests, and 300 millimeters, generally for the most advanced production sites. The assembly formed by the substrate and the various layers deposited on this substrate constitutes a wafer. The wafer 8 to be treated, which may for example include an element A, is plated by its rear face 8a on a rack 9 while its front face 8b, which comprises the layer or polishes to be polished, is applied to a lower plate 10 covered with a carpet 11 made of plastic material. For example, the face 8b corresponds to the surface of a metal layer. Rotational movements are applied to the rack 9 as well as the lower plate 10 in order to standardize the linear velocities of the belt 11 on the wafer 8. Variable pressure is exerted by the rack 9 on the lower plate 10. The mechanism of abrasion of the layer or layers of the face 8b of the wafer 8 is provided by a polishing composition 12 according to the invention, continuously dispensed by a feed device 13 on the belt 11 during the operation of the polisher 7 and maintained at least partly by the carpet 11 with a sponge effect. The polishing composition according to the invention has good behavior on the polishing plate in that no frictions or vibrations are observed. After the implementation on the element A of a polishing process as described above with a composition according to the invention, the element B as represented in FIG. 1 can be obtained. The first polishing step only is performed to obtain the element B. A surface portion 4a of the metal layer 4 has been polished. Element B keeps a second part 4b, which constitutes an interconnection, of the initial layer 4. The interconnection is devoid of corrosion marks. After polishing, the insulating material deposition, etching, and barrier level and metal layer deposition operations can be performed again from the polished B element. The electrical connections are for example made in a damascene architecture, single or double.

Exemples La polisseuse est une polisseuse mécanique à deux 10 plateaux tournants, avec un tapis de polissage en polyuréthane (tapis dur). Les vitesses de plateau et de portoir sont respectivement réglées à 90 tours/minute et 50 tours/minute. La pression exercée par le portoir sur le 15 plateau est de 5 psi soit d'environ 344,74 hectopascal. Les vitesses RR d'enlèvement de matière conférées par la composition de l'invention sont évaluées par mesures d'épaisseur, avant et après polissage, sur tranches moniteurs, sur lesquelles le dépôt occupe 20 uniformément la surface de la tranche. On parle de dépôt pleine plaque. Elles sont exprimées en angstrôm par minute (Â/min) ou en micromètre par minute (pm/min). Dans l'exemple, on part d'un disque de cuivre de 2 millimètres d'épaisseur et d'un disque de tantale de 1,5 25 millimètres d'épaisseur. Les disques ont un diamètre de 100 millimètres. Les mesures d'épaisseur sont réalisées pour le dépôt métallique de cuivre et pour la couche d'adhérence de tantale. 30 Les topologies ou états de surface après polissage sont évalués sur tranches gravées, soit en présence de motifs, par observations au microscope optique, avec un grossissement cent fois. On compare une composition selon l'invention sans 35 inhibiteur de corrosion à une composition de polissage 16 2898906 avec un inhibiteur de corrosion, tel que le benzotriazole, et sans alkylxanthate. On obtient les résultats présentés dans les tableaux I, II et III ci-après pour des compositions selon 5 l'invention à base respectivement d'alumine, de cérine et de silice. La silice est une silice obtenue par un procédé sol-gel. Les topologies de surface observées au microscope optique sont visibles à la figure 3 pour des compositions 10 contenant 0,5% en poids d'alumine. La figure 3A correspond à une surface polie par une composition avec BTA et sans alkylxanthate. La figure 3B correspond à une surface polie par une composition selon l'invention sans BTA. 15 La surface de la figure 3A est rayée. Elle présente beaucoup plus de défauts que celle de la figure 3B. L'attribution de signes négatifs - ou positifs + dans la colonne de droite des tableaux I, II et III est en rapport avec la qualité de la surface obtenue et 20 observée au microscope optique. Plus il y a de signes négatifs, plus la surface présente de défauts. Plus il y a de signes positifs, moins la surface présente de défauts.  Examples The polisher is a mechanical polisher with two turntables, with a polishing mat made of polyurethane (hard carpet). The tray and rack speeds are respectively set at 90 rpm and 50 rpm. The pressure exerted by the rack on the tray is 5 psi, or about 344.74 hectopascals. The material removal rates RR conferred by the composition of the invention are evaluated by thickness measurements, before and after polishing, on monitor slices, on which the deposit uniformly occupies the wafer surface. We are talking about full plate deposit. They are expressed in angstroms per minute (λ / min) or in micrometer per minute (pm / min). In the example, we start from a copper disk 2 millimeters thick and a tantalum disc 1.5 millimeters thick. The discs have a diameter of 100 millimeters. The thickness measurements are performed for the copper metal deposition and the tantalum adhesion layer. Topologies or surface conditions after polishing are evaluated on etched slices, either in the presence of patterns, by optical microscope observations, with magnification a hundred times. A composition according to the invention without a corrosion inhibitor is compared to a polishing composition 2898906 with a corrosion inhibitor, such as benzotriazole, and without alkylxanthate. The results presented in Tables I, II and III below are obtained for compositions according to the invention based respectively on alumina, ceria and silica. Silica is a silica obtained by a sol-gel process. The surface topologies observed under the light microscope are visible in FIG. 3 for compositions containing 0.5% by weight of alumina. Figure 3A is a surface polished by a composition with BTA and without alkylxanthate. FIG. 3B corresponds to a surface polished by a composition according to the invention without BTA. The surface of Figure 3A is scratched. It has many more defects than that of Figure 3B. The assignment of negative - or positive - signs in the right-hand column of Tables I, II and III is related to the quality of the surface obtained and observed under an optical microscope. The more negative signs, the more defective the surface. The more positive signs there are, the less defects there are.

25 Tableau I - Résultats pour une composition à base d'alumine. Composition RR RR Etat de cuivre tantale surface Peroxodisulfate d'ammonium > 1 / - - - - + glycine pm/min Peroxodisulfate d'ammonium 6177 109 - - - + glycine + BTA Â/min Â/min Peroxodisulfate d'ammonium 6000 85 À/min + + + + glycine + éthylxanthate A/min 17 2898906  Table I - Results for a composition based on alumina. Composition RR RR Copper tantalum surface Ammonium peroxodisulfate> 1 / - - - - + glycine pm / min Ammonium peroxodisulfate 6177 109 - - - + glycine + BTA  / min  / min Ammonium peroxodisulfate 6000 85 À / min + + + + glycine + ethylxanthate A / min 17 2898906

Tableau II - Résultats pour une composition à base de cérine. Composition RR RR Etat de cuivre tantale surface Eau oxygénée + acide > 1 / - - -lactique pm/min Eau oxygénée + acide 7000 155 - - - lactique + BTA À/min À/min Eau oxygénée + acide 5438 163 + + + lactique + éthylxanthate 1 À/min À/min 5 Tableau III - Résultats pour une composition à base de silicesol-gel. Composition RR RR Etat de cuivre tantale surface Eau oxygénée + glycine > 1,2 / - - - - pm/min Eau oxygénée + glycine + 6113 264 + + + BTA À/min À/min Eau oxygénée + glycine + 8680 303 + + + éthylxanthate À/min A/min L'absence d'inhibiteur de corrosion tel que le BTA, 10 quand il est remplacé par un alkylxanthate tel que l'éthylxanthate, ne modifie pas significativement les vitesses d'enlèvement du cuivre (comprises entre 6000 et 8700 angstrôms par minute) par rapport à celles obtenues en l'absence de BTA ou d'un alkylxanthate qui sont 15 supérieures au micron par minute. Ces résultats mettent en évidence le rôle d'inhibiteur de corrosion que joue un alkylxanthate dans la composition selon l'invention. Les vitesses d'enlèvement du tantale sont également peu différentes entre la composition avec BTA et la 18 2898906 composition avec éthylxanthate. La sélectivité est donc conservée. En outre, la présence d'éthylxanthate n'altère pas les topologies de surface.  Table II - Results for a ceria-based composition Composition RR RR Copper state tantalum surface Oxygenated water + acid> 1 / - - -lactic pm / min Oxygenated water + acid 7000 155 - - - lactic acid + BTA At / min At / min Hydrogen peroxide + acid 5438 163 + + + lactic acid + Ethylxanthate 1 À / min À / min Table III - Results for a silice-gel composition. Composition RR RR State of copper tantalum surface Oxygenated water + glycine> 1.2 / - - - - pm / min Hydrogen peroxide + glycine + 6113 264 + + + BTA At / min At / min Hydrogen peroxide + glycine + 8680 303 + + + ethylxanthate At / min A / min The absence of a corrosion inhibitor such as BTA, when it is replaced by an alkylxanthate such as ethylxanthate, does not significantly change the copper removal rates (between 6000 and 8700 angstroms per minute) compared to those obtained in the absence of BTA or alkylxanthate which are greater than one micron per minute. These results highlight the role of corrosion inhibitor that plays an alkylxanthate in the composition according to the invention. The rates of removal of tantalum are also little different between the composition with BTA and the composition with ethylxanthate. The selectivity is preserved. In addition, the presence of ethylxanthate does not alter surface topologies.

5 Au contraire, dans le cas d'une composition à base d'alumine ou à base de cérine, les topologies de surface sont nettement meilleures quand la composition de polissage contient un alkylxanthate tel que l'éthylxanthate.On the contrary, in the case of an alumina or ceria-based composition, the surface topologies are much better when the polishing composition contains an alkylxanthate such as ethylxanthate.

10 Dans la composition selon l'invention, un alkylxanthate peut donc avantageusement remplacer l'inhibiteur de corrosion. La composition selon l'invention peut aussi contenir à la fois un alkylxanthate et un inhibiteur de corrosion classique.In the composition according to the invention, an alkylxanthate can therefore advantageously replace the corrosion inhibitor. The composition according to the invention may also contain both an alkylxanthate and a conventional corrosion inhibitor.

15 Afin de déterminer la stabilité d'une composition selon l'invention, on effectue en outre des mesures de la taille des particules sur un échantillon d'une composition selon l'invention à base de silice, dilué avec une solution de chlorure de potassium KC1 à 0,001 20 mole par litre et ayant un pH de l'ordre de 4, ainsi que des dosages de l'agent oxydant par dosage complexométrique en présence d'un indicateur de couleur. Le diamètre initial moyen des particules de silice en volume est de l'ordre de 65 nanomètres +/- 6 25 nanomètres. Sa variation est nulle pendant au moins 10 jours et faible après 22 jours et pendant au moins 35 jours. L'échantillon est donc physiquement stable pendant au moins 35 jours. Le pourcentage en poids de peroxodisulfate 30 d'ammonium dans une composition selon l'invention est sensiblement stable pendant au moins 20 jours. Le pourcentage en poids d'eau oxygénée dans une composition selon l'invention est sensiblement stable pendant au moins 35 jours.In order to determine the stability of a composition according to the invention, particle size measurements are furthermore carried out on a sample of a composition according to the invention based on silica, diluted with a solution of potassium chloride. KC1 at 0.001 mol per liter and having a pH of the order of 4, as well as dosages of the oxidizing agent by complexometric determination in the presence of a color indicator. The average initial diameter of the silica particles in volume is of the order of 65 nanometers +/- 6 nanometers. Its variation is zero for at least 10 days and low after 22 days and for at least 35 days. The sample is therefore physically stable for at least 35 days. The weight percentage of ammonium peroxodisulfate in a composition according to the invention is substantially stable for at least 20 days. The percentage by weight of hydrogen peroxide in a composition according to the invention is substantially stable for at least 35 days.

35 La composition selon l'invention est stable chimiquement pendant au moins 20 jours. 19The composition according to the invention is chemically stable for at least 20 days. 19

Claims (18)

REVENDICATIONS 1. Composition de polissage mécano chimique comprenant : -des particules abrasives constituées d'un oxyde métallique, - un agent oxydant les métaux, -un agent d'attaque chimique des métaux, -éventuellement, un inhibiteur de corrosion, 10 -un agent de régulation du pH, et - un solvant, ladite composition étant caractérisée en ce qu'elle comprend un alkylxanthate.  A chemical mechanical polishing composition comprising: abrasive particles consisting of a metal oxide; a metal oxidizing agent; a metal etching agent; optionally, a corrosion inhibitor; pH regulation, and a solvent, said composition being characterized in that it comprises an alkylxanthate. 2. Composition selon la revendication 1, dans 15 laquelle l'alkylxanthate est l'éthylxanthate.  2. The composition of claim 1, wherein the alkylxanthate is ethylxanthate. 3. Composition selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle l'oxyde métallique est choisi parmi un oxyde d'aluminium tel que l'alumine Al2O3, un oxyde de cérium tel que la cérine CeO2 ou un oxyde de silicium tel que la 20 silice SiO2, par exemple obtenu par un procédé sol-gel.  3. A composition according to claim 1 or 2, wherein the metal oxide is selected from an aluminum oxide such as alumina Al2O3, a cerium oxide such as ceria CeO2 or a silicon oxide such as silica. SiO 2, for example obtained by a sol-gel process. 4. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'agent oxydant les métaux est choisi parmi l'eau oxygénée ou le peroxodisulfate d'ammonium. 25  4. Composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal oxidizing agent is chosen from hydrogen peroxide or ammonium peroxodisulfate. 25 5. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle l'agent d'attaque chimique des métaux est choisi parmi un acide carboxylique alpha hydroxylé tel que l'acide lactique, ou un acide aminé tel que la glycine. 30  The composition of any one of claims 1 to 4, wherein the metal chemical etchant is selected from an alpha hydroxy carboxylic acid such as lactic acid, or an amino acid such as glycine. 30 6. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle l'inhibiteur de corrosion est le benzotriazole.  The composition of any one of claims 1 to 5, wherein the corrosion inhibitor is benzotriazole. 7. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle l'agent de régulation 35 du pH est choisi parmi la potasse ou l'ammoniaque, et est 20 2898906 présent en une quantité permettant d'ajuster le pH de la composition entre 2 et 10, et de préférence entre 3 et 7.  7. The composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the pH regulating agent is selected from potassium hydroxide or ammonia, and is present in an amount to adjust the pH of the composition between 2 and 10, and preferably between 3 and 7. 8. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle le solvant est une 5 eau déionisée.  8. A composition according to any one of claims 1 to 7 wherein the solvent is deionized water. 9. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en pourcentage de la masse totale de ladite composition : -de 0,1 à 5% de particules abrasives, -de 0,01 à 10% d'agent oxydant les métaux, - de 0,5 à 2% d'agent d'attaque chimique des métaux, -moins de 0,1% d'alkylxanthate, - de 0 à 0,15% d'inhibiteur de corrosion, et - de 0,01 à 0,5% d'agent de régulation du pH.  9. Composition according to any one of claims 1 to 7, comprising as a percentage of the total mass of said composition: 0.1 to 5% of abrasive particles, 0.01 to 10% of oxidizing agent, metals, - 0.5 to 2% metal chemical etchant, - less than 0.1% alkylxanthate, - 0 to 0.15% corrosion inhibitor, and - 0, 01 to 0.5% pH regulating agent. 10. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant la cérine CeO2 en tant qu'oxyde métallique, l'eau oxygénée en tant qu'agent oxydant les métaux, et l'acide lactique en tant qu'agent d'attaque chimique des métaux.  10. Composition according to any one of claims 1 to 9, comprising cerine CeO2 as metal oxide, hydrogen peroxide as a metal oxidizing agent, and lactic acid as an active agent. chemical attack of metals. 11. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant l'alumine Al2O3 en tant qu'oxyde métallique, le peroxodisulfate d'ammonium en tant qu'agent oxydant les métaux, et la glycine en tant qu'agent d'attaque chimique des métaux.  A composition according to any one of claims 1 to 9, comprising alumina Al 2 O 3 as the metal oxide, ammonium peroxodisulfate as the metal oxidizing agent, and glycine as the active agent. chemical attack of metals. 12. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant la silice SiO2 en tant qu'oxyde métallique, l'eau oxygénée en tant qu'agent oxydant les métaux, et la glycine en tant qu'agent d'attaque chimique des métaux.  12. Composition according to any one of claims 1 to 9, comprising silica SiO2 as metal oxide, hydrogen peroxide as a metal oxidizing agent, and glycine as etching agent. metals. 13. Procédé de préparation d'une composition de polissage mécano chimique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : -la solubilisation, dans un solvant, d'un agent oxydant les métaux, d'un agent d'attaque chimique des métaux, d'un alkylxanthate, et d'un inhibiteur de corrosion ; 21 2898906 -l'ajout de la solution obtenue à l'étape précédente dans une suspension d'un oxyde métallique par exemple concentrée à 20% en poids, pendant une durée de deux heures, sous forte agitation ; et 5 -l'ajout au mélange obtenu à l'étape précédente d'un agent de régulation du pH pour l'ajustement du pH du mélange dans une plage allant de 2 à 10, et de préférence de 3 à 7.  13. Process for the preparation of a chemical mechanical polishing composition, characterized in that it comprises the following steps: solubilization, in a solvent, of a metal oxidizing agent, of a chemical etchant of metals, an alkylxanthate, and a corrosion inhibitor; The addition of the solution obtained in the preceding step in a suspension of a metal oxide, for example concentrated to 20% by weight, for a period of two hours, with vigorous stirring; and adding to the mixture obtained in the preceding step a pH regulating agent for adjusting the pH of the mixture in a range from 2 to 10, and preferably from 3 to 7. 14. Composition de polissage mécano chimique 10 susceptible d'être obtenue par le procédé selon la revendication 13.  14. A chemical mechanical polishing composition obtainable by the process according to claim 13. 15. Utilisation de la composition selon l'une quelconque des revendications 1 à 12 ou 14, pour le polissage mécano chimique de couches appliquées sur un 15 substrat (S) portant au moins un microcomposant semi-conducteur.  15. Use of the composition according to any one of claims 1 to 12 or 14, for the chemical mechanical polishing of layers applied to a substrate (S) carrying at least one semiconductor microcomponent. 16. Utilisation selon la revendication 15, dans laquelle une des couches appliquées sur le substrat (S) est une couche (4) métallique comprenant par exemple du 20 cuivre.  16. Use according to claim 15, wherein one of the layers applied to the substrate (S) is a metal layer (4) comprising for example copper. 17. Utilisation selon la revendication 15 ou 16, dans laquelle au moins une des couches appliquées sur le substrat (S) est une couche (2, 3) d'adhérence comprenant par exemple du tantale et/ou du nitrure de tantale. 25  17. Use according to claim 15 or 16, wherein at least one of the layers applied on the substrate (S) is a layer (2,3) of adhesion comprising for example tantalum and / or tantalum nitride. 25 18. Utilisation selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, dans laquelle une des couches appliquées sur le substrat (S) est une couche (1) de matériau isolant comprenant par exemple du dioxyde de silicium.  18. Use according to any one of claims 15 to 17, wherein one of the layers applied on the substrate (S) is a layer (1) of insulating material comprising for example silicon dioxide.
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