FR2839559A1 - Integrated optical wavelength multiplexer/demultiplexer has an optical cladding surrounding at least one portion of each core so as to define interaction zones comprising diffraction gratings - Google Patents

Integrated optical wavelength multiplexer/demultiplexer has an optical cladding surrounding at least one portion of each core so as to define interaction zones comprising diffraction gratings Download PDF

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Abstract

Multiplexer/Demultiplexer comprises a substrate (18), at least n (n = a whole number of at least 2) cores (23, 25) of guides, and at least one optical cladding (20) surrounding at least one portion of each of the n cores so as to define interaction zones (I1, I2) comprising diffraction gratings (R1, R2). The multiplexer/demultiplexer has at least n inputs/outputs (P1, P2, P3). Preferred Device: Each core (23, 25) has two ends, and the n inputs/outputs are formed by at least one end of each core (23, 25). The cladding (20) has a refractive index that is greater than that of the substrate (18) at least in the interaction zones (I1, I2). The diffraction grating (R1, R2) of an interaction zone (I1, I2) can be formed in the core corresponding to the zone (I1, I2) and/or in the cladding (20). The diffraction gratings can be periodic or pseudo-periodic and/or comprise a succession of diffraction gratings. The interaction zones (I1, I2) in the same cladding can be in series or in parallel. The multiplexer/demultiplexer can comprise an optical cladding and n cores of an optical guide, where the optical cladding surrounds each core in a distinct interaction zone, so as to form n interaction zones in series. The multiplexer/demultiplexer can comprise m optical claddings, where each optical cladding (i) surrounds ni cores, (i = a whole number 1-m) in distinct interaction zones, so as to form ni interaction zones in series per cladding (i), and each optical cladding has at least one interaction zone whose core is common with the interaction zone of another cladding. The multiplexer/demultiplexer can comprise an optical cladding and n cores, where the optical cladding surrounds each core in a distinct interaction zone, so as to form n interaction zones in parallel. The multiplexer/demultiplexer can comprise an optical cladding and n cores, where the optical cladding surrounds each core so as to form with each core one or more interaction zones in series, and with the different cores of the interaction zones in parallel. An Independent claim is given for a method for production of the invented multiplexer/demultiplexer..

Description

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MULTIPLEXEUR/DEMULTIPLEXEUR EN OPTIQUE INTEGREE MUX / DEMUXER IN OPTICAL INTEGRATED
COMPORTANT UNE GAINE OPTIQUE ET SON PROCEDE DE HAVING SLEEVE OPTICAL AND METHOD OF
REALISATION PRODUCTION
DESCRIPTION Domaine technique TECHNICAL FIELD
La présente invention concerne un multiplexeur/démultiplexeur en optique intégrée comportant une gaine optique ainsi que son procédé de réalisation. The present invention relates to a multiplexer / demultiplexer in integrated optics having an optical cladding as well as its production method.

L'invention trouve des applications dans tous les domaines utilisant des multiplexeurs/démultiplexeurs en longueur d'onde et en particulier dans le domaine des télécommunications optiques. The invention finds applications in all fields using multiplexers / demultiplexers and wavelength in particular in the field of optical telecommunications.

Etat de la technique antérieure State of the art
Actuellement, les multiplexeurs/démultiplexeurs à gaines optiques sont réalisés à partir de fibres optiques. Currently, multiplexers / demultiplexers with optical claddings are made from optical fibers. On peut trouver un exemple de ce type de composant dans le document Wavelength-selective coupler and add-drop multiplexer using long-period fiber gratings de V. Grusby and al., publié lors de la conférence OFC2000 tenue du 5 au 10 mars 2000 à Baltimore aux USA. One can find an example of this type of component in the document Wavelength-selective coupler and add-drop multiplexing using long-period fiber gratings Grusby V. and al., Published OFC2000 held at the conference from 5 to 10 March 2000 Baltimore USA.

La figure 1 illustre schématiquement ce type de composant. 1 schematically illustrates this type of component. Celui-ci comporte deux fibres optiques 1,3 représentées partiellement sur cette figure. This comprises two optical fibers 1,3 partially shown in this figure. La f ibre 1 comporte un c#ur 5 dans lequel est formé un réseau 9 et une gaine optique 7 entourant le F ibre 1 comprises a core C # 5 in which is formed a network 9 and an optical cladding surrounding the 7

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c#ur. c # ur. La f ibre 3 comporte un coeur 15 dans lequel est formé un réseau 19 et une gaine optique 17 entourant le c#ur 15. Les réseaux 9 et 19 induisent respectivement une zone d'interaction entre le c#ur et la gaine au voisinage du réseau correspondant, permettant de coupler une onde lumineuse du c#ur vers la gaine ou inversement. F ibre 3 comprises a core 15 in which is formed a network 19 and a cladding 17 surrounding the core 15. The C # networks 9 and 19 respectively induce a zone of interaction between the c # ur and the vicinity of the sheath matching network for coupling a light wave from C # to the sheath core or vice versa.

Les deux extrémités de ces fibres sont collées l'une sur l'autre dans une région de couplage 21 commune qui est en dehors des zones d'interaction. Both ends of these fibers are bonded to one another in a joint 21 coupling region which is outside the zones of interaction.

Ainsi une onde lumineuse initiale E présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #j, ## introduite dans le coeur 5 de la fibre 1 est véhiculée par le c#ur jusqu'au réseau 9. Celui-ci permet de coupler le mode guidé de l'onde, représenté symboliquement par des flèches, vers un ou plusieurs modes de gaine se propageant dans la gaine optique 7, dans le même sens que le mode guidé. Thus an initial lightwave E having spectral bands of center wavelengths #j, ## inserted into the core 5 of the fiber 1 is conveyed by the c # ur to the network 9. This allows to couple the guided mode of the wave, symbolically shown by arrows, to one or more cladding modes propagating in the cladding 7, in the same direction as the guided mode. Le couplage entre les différents modes a lieu pour des longueurs d'onde déterminées 1, par la relation connue suivante : #j=##(n 0-nj) (1) @ avec : - no l'indice effectif du mode guidé, - nj l'indice effectif du mode de gaine numéro j, #j la longueur d'onde de résonance pour le couplage au mode j, - A la période du réseau. The coupling between modes occurs for wavelengths determined one, by the following known relationship: #j = ## (n-nj 0) (1) @ with: - No is the effective index of the guided mode, - nj is the effective index of the cladding mode number j, #j the resonant wavelength for coupling to mode j - at the grating period.

Ce couplage se traduit par un transfert d'énergie entre le mode guidé et le ou les modes de gaine pour les longueurs d'ondes #j. This coupling results in an energy transfer between the guided mode and the cladding modes or for wavelength #j waves. L'énergie couplée dans les modes de gaine est ensuite transmise par la The energy coupled into the cladding modes is then transmitted by the

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région de couplage 21 à la gaine 17 de la fibre 3, tandis que l'énergie qui n'est pas couplée est transportée par le c#ur 5 pour fournir à la sortie de la fibre 1 une onde lumineuse T de longueurs d'ondes centrales ##, correspondant à l'onde lumineuse E dont on a extrait une partie correspondant aux longueurs d'ondes centrales #j. coupling region 21 to the cladding 17 of the fiber 3, while the energy which is not coupled is transported by the core C # 5 to provide at the output of the fiber 1 a light wave T of wavelengths central ## corresponding to the lightwave of which E was extracted part corresponding to the central wavelengths #j.

Par ailleurs, la partie transmise de l'onde lumineuse à la gaine 17 est ensuite couplée par le réseau 19 dans le c#ur 15 de la fibre 3 de façon à obtenir en sortie du c#ur 15, une onde lumineuse F de longueurs d'ondes centrales #j. Furthermore, the transmitted portion of the light wave to the sheath 17 is then coupled through the network 19 in the C # core 15 of the fiber 3 so as to obtain at the output of C # core 15, a light wave lengths F #j of central waves.

Dans les multiplexeurs/démultiplexeurs réalisés en fibres optiques, chaque c#ur est dépendant de la gaine optique dans laquelle il est formé ; In the multiplexer / demultiplexer made of optical fibers, each core c # is dependent on the optical cladding in which it is formed; la gaine présente un indice de réfraction inférieur à celui du c#ur pour permettre la propagation d'une onde lumineuse dans le c#ur. the cladding has a refractive index lower than that of c # ur to allow propagation of a light wave in the c # ur. Le c#ur ne peut exister sans la gaine optique ; C # ur can not exist without the cladding; aussi pour multiplexer/démultiplexer des longueurs d'onde, il est nécessaire de superposer les fibres optiques et donc de réaliser des régions de couplage entre les fibres. also for multiplexing / demultiplexing wavelengths, it is necessary to superimpose the optical fibers and therefore to achieve coupling regions between the fibers.

Or, les régions de couplage sont des régions délicates à réaliser. However, the coupling regions are delicate regions to achieve. En particulier, il est nécessaire de polir et coller les fibres dans ces régions tout en évitant de créer des pertes optiques pour avoir un bon couplage. In particular, it is necessary to polish the fibers and glue in these areas while avoiding to create optical losses for good coupling.

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Exposé de l'invention Disclosure of the invention
La présente invention a pour but de proposer un multiplexeur/démultiplexeur en optique intégrée comportant au moins une gaine optique, ne présentant pas les problèmes de couplage des multiplexeurs/démultiplexeurs de l'art antérieur. The present invention aims to provide a multiplexer / demultiplexer in integrated optics comprising at least one optical cladding, having no coupling problems multiplexers / demultiplexers of the prior art.

Un autre but est encore de proposer un multiplexeur/démultiplexeur comprenant au moins une gaine optique qui soit indépendante des c#urs de guide auxquels elle est associée. Another object is to propose a multiplexer / demultiplexer comprising at least one optical cladding that is independent of c # guide cores which it is associated. On entend par indépendance du c#ur et de la gaine, le fait qu'ils peuvent exister dans un substrat indépendamment l'un de l'autre. The term independence of the C # core and sheath, the fact that they can exist in a substrate independently of the other.

De façon plus précise, l'invention concerne un multiplexeur/démultiplexeur comprenant dans un substrat au moins nc#urs de guides avec n entier supérieur ou égal à 2 et au moins une gaine optique entourant au moins une portion de chacun des nc#urs de façon à définir au moins n zones d'interaction, chaque zone d'interaction comportant en outre un réseau, ce multiplexeur/démultiplexeur comportant au moins n entrées/sorties. More specifically, the invention relates to a multiplexer / demultiplexer comprising a substrate at least n # urs guides with n integer greater than or equal to 2 and at least one optical cladding surrounding at least a portion of each of the cores # nc so as to define at least n interaction areas, each interaction zone further comprising a network, said multiplexer / demultiplexer comprising at least n inputs / outputs.

Ainsi, lorsque ce composant est utilisé en démultiplexeur une onde lumineuse d'entrée à plusieurs bandes spectrales est introduite dans une des zones d'interaction par une entrée/sortie, les différentes zones d'interaction sont telles que chaque zone d'interaction est apte à fournir sur une entrée/sortie une onde lumineuse présentant au moins une des bandes spectrales de l'onde d'entrée. Thus, when this component is used in a light wave demultiplexer input to several spectral bands is inserted into one of the zones of interaction by an input / output, the various interaction areas are such that each zone of interaction is adapted to be provided on an input / output a light wave having at least one of the spectral bands of the input wave.

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Inversement, lorsque ce composant est utilisé en multiplexeur p ondes lumineuses d'entrée à bandes spectrales déterminées sont introduites dans p zones d'interaction par une entrée/sortie, une onde lumineuse distincte étant introduite dans chaque zone, les différentes zones d'interaction sont telles que les ondes lumineuses d'entrées sont véhiculées par différentes zones d'interaction de façon à être couplée dans au moins une zone d'interaction qui fournit alors sur une entrée/sortie une onde lumineuse présentant tout ou partie des bandes spectrales des ondes d'entrée. Conversely, when this component is used in lightwave p multiplexer input defined spectral bands are introduced into p zones of interaction by an input / output, a separate light wave is introduced into each zone, the various zones of interaction are such that light waves entries are conveyed by different regions of interaction so as to be coupled in at least a zone of interaction which then provides on an input / output a light wave having all or part of the spectral bands of the waves 'Entrance.

On peut également prévoir un multiplexeur/démultiplexeur dont les zones d'interaction permettent un fonctionnement mixte, c'est-à-dire permettent de démultiplexer des bandes spectrales d'une onde lumineuse et de multiplexer des bandes spectrales de plusieurs ondes lumineuses. One can also provide a multiplexer / demultiplexer whose interaction areas allow a mixed operation, that is to say it possible to demultiplex the spectral bands of a light wave and to multiplex several spectral bands of light waves.

On entend par bande spectrale une bande présentant un ensemble de longueurs d'onde avec une longueur d'onde centrale et une largeur de bande déterminées. by spectral band is meant a band having a plurality of wavelength with a center wavelength and a bandwidth defined.

Chaque onde lumineuse peut comporter une ou plusieurs bandes spectrales, les p ondes lumineuses pouvant présenter des bandes spectrales identiques. Each light wave may comprise one or more spectral bands, light waves p can have identical spectral bands.

Le multiplexeur/démultiplexeur de l'invention permet notamment de réaliser, par exemple, un filtre spectral, mais aussi un module d'insertion/extraction (Add and drop en terminologie anglo-saxonne) ou encore un coupleur spectral. The multiplexer / demultiplexer of the invention notably enables, for example, a spectral filter, but also an inserter / extraction (Add and drop in English terminology) or a spectral coupler.

Selon un mode préféré de réalisation, chaque c#ur comportant deux extrémités, les n According to a preferred embodiment, each C # core having two ends, the n

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entrées/sorties sont formées par au moins une extrémité de chacun des c#urs. inputs / outputs are formed by at least one end of each of the cores # c.

Dans l'invention, la gaine est réalisée artificiellement dans le substrat, ce qui permet aux c#urs et à la gaine d'exister indépendamment l'un de l'autre dans le substrat. In the invention, the sheath is artificially produced in the substrate, which allows C # cores and sheath to exist independently from each other in the substrate.

L'indépendance de la gaine et des c#urs permet de réaliser les n zones d'interaction dans la même gaine ce qui permet de ne plus avoir de région de couplage entre les gaines optiques comme dans le cas des fibres optiques de l'art antérieur. The independence of the sheath and cores c # n allows for the interaction areas in the same sheath thereby to have no coupling region between the optical sheaths as in the case of optical fiber of the art prior.

Par ailleurs, l'indépendance des c#urs et de la gaine permet avantageusement à la gaine d'entourer qu'une portion des c#urs de guides. Furthermore, the independence of c # cores and sheath advantageously allows the sheath to surround a portion of c # cores guides. Ainsi la gaine n'agit sur la propagation d'une onde lumineuse dans chaque c#ur que dans la zone du c#ur qu' elle entoure et la gaine peut guider ou véhiculer des ondes lumineuses indépendamment des c#urs. Thus the sheath acts on the propagation of a lightwave in each c # ur that in the region of c # ur that it surrounds the sheath and can guide or convey light waves independently of c # urs.

De plus, la gaine étant indépendante des c#urs, les paramètres de la gaine et des c#urs sont facilement adaptables aux applications recherchées. In addition, the sheath being independent of C # sisters, the parameters of the sheath and C # sisters are easily adaptable to desired applications.

Ainsi, on peut jouer facilement sur les dimensions, la valeur de l'indice de réfraction et la position de la gaine par rapport aux dimensions et à la valeur de l'indice de réfraction de chaque c#ur de guide. Thus, it can play easily on the dimensions, the value of the refractive index and the position of the sheath relative to the dimensions and the value of the refractive index of each c # guide core. On peut ainsi modifier au moins une caractéristique du ou des modes se propageant dans un c#ur du guide et/ou d'un ou des modes de propagation dans la gaine. the can thus modify least one characteristic of the mode propagating in a C # core of the guide and / or one or more propagation modes in the cladding.

Pour induire des modes de propagation de gaine dans une zone d'interaction, de façon avantageuse, la gaine présente un indice de réfraction To induce sheath propagation modes in an interaction zone, advantageously, the cladding has a refractive index

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supérieur à celui du substrat au moins dans ladite zone. greater than that of the substrate at least in said area.

Le réseau d'une zone d'interaction peut- être formé dans le c#ur correspondant de la zone et/ou dans la gaine. The network of interaction area may be formed in c # ur corresponding to the area and / or in the sheath.

Ainsi, lorsqu'une onde lumineuse est introduite dans la zone d'interaction par le c#ur du guide alors le mode du guide est couplé à un ou plusieurs des modes de gaine dans la zone d'interaction et inversement lorsque l'onde lumineuse est introduite dans la gaine, le ou les modes de gaines sont couplés au mode guidé du c#ur dans la zone d'interaction. Thus, when a light wave is introduced into the zone of interaction with c # ur guide then the guide mode is coupled to one or more cladding modes in the interaction zone and vice versa when the lightwave is introduced into the sheath, the one or more cladding modes are coupled to the guided mode of the core C # in the interaction zone.

Le réseau peut être périodique ou pseudopériodique, il peut être également composé d'une succession de réseaux. The network can be periodic or pseudo, it may also be composed of a series of networks.

Les réseaux de chaque zone d'interaction peuvent être identiques ou différents suivant les applications visées. The networks of each interaction area may be identical or different depending on the intended applications.

La gaine peut entourer plusieurs portions d'un même c#ur de façon à former avec le même c#ur plusieurs zones d'interaction en série. The sheath may surround several portions of a same C # ur so as to form with the same C # ur several serial interaction areas.

Dans une gaine donnée, les zones d'interaction peuvent être en série et/ou en parallèle. In a given sleeve, the areas of interaction can be in series and / or parallel.

Le substrat utilisé peut bien entendu être réalisé par un seul matériau ou par la superposition de plusieurs couches de matériaux. The substrate used can of course be achieved by a single material or by the superimposition of several layers of materials. Dans ce dernier cas, l'indice de réfraction de la gaine est différent de l'indice de réfraction du substrat au moins dans les couches voisines de la gaine. In the latter case, the refractive index of the cladding is different from the refractive index of the substrate at least in the adjacent layers of the sheath.

Selon un mode préféré, la gaine et les c#urs sont réalisés à partir du substrat, par une modification de l'indice de réfraction du substrat. In a preferred embodiment, the sheath and c # cores are made from the substrate, by changing the refractive index of the substrate.

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Selon l'invention, les guides peuvent être des guides planaires, lorsque le confinement de la lumière se fait dans un plan contenant la direction de propagation de la lumière ou des microguides, lorsque le confinement de la lumière est réalisé dans deux directions transverses à la direction de propagation de la lumière. According to the invention, the guides can be planar waveguides, when the confinement of light is in a plane containing the direction of propagation of light microguides or when the light confinement is realized in two directions transverse to the direction of propagation of light.

De nombreuses variantes de multiplexeur/démultiplexeur peuvent être réalisées en combinant des c#urs de guide avec des gaines optiques chaque zone d'interaction créée comportant un réseau. Many multiplexer / demultiplexer of variations can be made by combining c # guide cores with optical claddings each zone of interaction created having an array.

Selon un premier mode de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur comporte une gaine optique et nc#urs de guide, la gaine optique entoure dans une zone d'interaction distincte, chaque c#ur, de façon à former n zones d'interaction en série. According to a first embodiment, the multiplexer / demultiplexer comprises an optical cladding and nc # urs guide, surrounds the optical cladding interaction in a separate zone, each c # ur, thereby forming n series interaction areas .

Selon un deuxième mode de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur comporte m gaines optiques, chaque gaine optique i entourant n1 c#urs de guide (avec i entier allant de 1 à m) dans des zones d'interaction distinctes de façon à former ni zones d'interaction en série par gaine i, chaque gaine comportant au moins une zone d'interaction dont le c#ur est commun avec une zone d'interaction d'une autre gaine. According to a second embodiment, the multiplexer / demultiplexer comprises m optical sheaths, each surrounding optical cladding i c # n1 guide cores (with i being an integer ranging from 1 to m) in separate zones of interaction so as to form areas or serial interaction by i sheath, each sheath having at least one interaction zone whose c # ur is common with an interaction zone of another duct.

Dans ce mode de réalisation les gaines sont réalisées en parallèles dans le substrat. In this embodiment the ducts are formed in parallel in the substrate. Chaque gaine i peut comporter le même nombre ni de zones d'interaction ou un nombre différent en fonction des applications visées. I each sheath may comprise the same number or interaction areas or a different number depending on the intended applications.

Selon un troisième mode de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur comporte une gaine optique According to a third embodiment, the multiplexer / demultiplexer comprises an optical cladding

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et nc#urs de guide, la gaine optique entoure dans une zone d'interaction distincte, chaque c#ur, de façon à former n zones d'interaction en parallèle. and nc # urs guide, surrounds the optical cladding interaction in a separate zone, each c # heart, so as to form n parallel interaction areas.

Selon un quatrième mode de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur comporte une gaine optique et nc#urs de guide, la gaine optique entoure chaque c#ur, de façon à former avec chaque c#ur une ou plusieurs zones d'interaction en série et avec les différents c#urs des zones d'interaction en parallèle. According to a fourth embodiment, the multiplexer / demultiplexer comprises an optical cladding and nc # urs guide, the cladding surrounds each core C #, to form with each c # ur one or more areas of interaction in series and with different c # cores in parallel interaction areas.

Dans ce mode de réalisation, le nombre de zones d'interaction est supérieur au nombre n de c#urs, ces zones d'interaction étant disposées en série et en parallèle. In this embodiment, the number of interaction areas is greater than the number n c # cores, these interaction zones being arranged in series and in parallel.

De nombreuses autres modes de réalisations sont bien entendu réalisables en particulier en combinant les modes précédents. Many other embodiments are of course achievable in particular by combining the previous modes.

De façon avantageuse, le substrat est du verre. Advantageously, the substrate is glass.

Bien entendu, le substrat peut être également en d'autres matériaux tels que par exemple en matériaux cristallins de type KTP ou LiNb03, ou encore du LiTa03. Of course, the substrate can also be made of other materials such as for example in crystalline materials type or KTP LiNb03, or the LiTa03.

Par ailleurs, les gaines optiques et/ou les c#urs de guides et/ou les réseaux peuvent être réalisés par tous types de technique permettant de modifier l'indice de réfraction du substrat. Moreover, the optical claddings and / or C # cores guides and / or networks may be realized by any kind of technique for changing the refractive index of the substrate. On peut citer notamment les techniques d'échanges d'ions, l'implantation ionique et/ou le rayonnement par exemple par l'insolation laser ou la photo inscription laser. There may be mentioned in particular the ion exchange techniques, ion implantation and / or radiation, for example by laser irradiation or laser inscription picture.

De façon plus générale, les réseaux peuvent être réalisés par toutes les techniques permettant de changer l'indice effectif du substrat. More generally, the networks can be achieved by all the techniques for changing the effective index of the substrate. Aux techniques techniques

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précédemment cités, on peut donc rajouter notamment les techniques de réalisation de réseaux par gravure du substrat au voisinage des zones d'interaction. mentioned above, one can add particular network implementation techniques by etching the substrate in the vicinity of zones of interaction. Cette gravure peut-être réalisée au-dessus des zones d'interaction ou dans la portion de gaine de la zone d'interaction et/ou éventuellement dans la portion de c#urs de la zone d'interaction. This etching may be performed above the interaction area or in the shaft portion of the interaction zone and / or optionally in the portion of c # cores the interaction zone.

Les motifs des réseaux peuvent être obtenus soit par balayage laser dans le cas de l'utilisation d'un rayonnement soit par un masque. The network units may be obtained either by laser scanning in the case of the use of radiation or by a mask. Ce dernier peut être le masque qui permet l'obtention des c#urs et/ou des gaines ou un masque spécifique pour la réalisation des réseaux. This can be the mask that allows obtaining cores C # and / or sheaths or a specific mask for the realization of networks.

L'invention concerne également un procédé de réalisation en optique intégrée d'un multiplexeur/démultiplexeur tel que défini précédemment comprenant dans un substrat au moins nc#urs de guides et au moins une gaine optique, les c#urs, la gaine étant réalisée respectivement par une modification de l' indice de réfraction du substrat de façon à ce qu'au moins dans la partie de la gaine voisine des c#urs et au moins dans les zones d'interaction, l'indice de réfraction de la gaine soit différent de l'indice de réfraction du substrat et inférieur à l'indice de réfraction des c#urs. The invention also relates to an optical integrated production method of a multiplexer / demultiplexer as defined above comprising a substrate at least n # cores guides and at least one optical cladding, the cores # c, the sheath being made respectively by changing the refractive index of the substrate so that at least in the part of the adjacent sheath c # cores and at least in the zones of interaction, the sheath of refractive index is different the refractive index of the substrate and lower than the refractive index of the cores C #.

La modification de l'indice de réfraction du substrat est obtenue notamment par rayonnement par exemple par insolation laser ou par photo-inscription laser et/ou par introduction d'espèce ionique. The change in refractive index of the substrate is obtained in particular by radiation for example by laser irradiation or laser photo-inscription and / or by introduction of ionic species.

Selon un mode préféré de réalisation, le procédé de l'invention comporte les étapes suivantes : According to a preferred embodiment, the method of the invention comprises the following steps:

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- a) introduction d'une première espèce ionique dans le substrat de façon à permettre l'obtention après l'étape c) de la gaine optique, - b) introduction d'une deuxième espèce ionique dans le substrat de façon à permettre l'obtention après l'étape c) des c#urs de guides, - c) enterrage des ions introduits aux étapes a) et b) de façon à obtenir la gaine et les c#urs de guides. - a) introducing a first ionic species in the substrate so as to enable obtaining after step c) of the optical cladding, - b) introducing a second ionic species in the substrate to allow the obtaining after step c) c # urs guides, - c) burying ions introduced in steps a) and b) so as to obtain the sheath and c # cores guides.

L'ordre des étapes a) et b) peut bien entendu être inversé. The order of steps a) and b) can of course be reversed.

L'introduction de la première et/ou de la deuxième espèce ionique est réalisée de façon avantageuse par un échange ionique, ou par implantation ionique. The introduction of the first and / or second ionic species is advantageously carried out by ion exchange, or by ion implantation.

La première et la deuxième espèces ioniques peuvent être les mêmes ou elles peuvent être différentes. The first and second ionic species may be the same or they may be different.

L'introduction de la première espèce ionique et/ou l'introduction de la deuxième espèces ioniques peuvent être réalisées avec l'application d'un champ électrique. The introduction of the first ionic species and / or the introduction of the second ionic species can be made with the application of an electric field.

Dans le cas d'un échange ionique le substrat doit contenir des espèces ioniques aptes à être échangés. In the case of ion exchange the substrate must contain ionic species capable of being exchanged.

Selon un mode préféré de réalisation, le substrat est du verre et contient des ions Na+ préalablement introduits, la première et la deuxième espèces ioniques sont des ions Ag+ et/ou K+. According to a preferred embodiment, the substrate is glass and contains Na + ions introduced previously, the first and second ionic species are Ag + ions and / or K +.

Selon un premier mode de réalisation, l'étape a) comprend la réalisation d'un premier masque According to a first embodiment, step a) comprises providing a first mask

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comportant un motif apte à l'obtention de la gaine, l'introduction de la première espèce ionique étant réalisée à travers ce premier masque et l'étape b) comprend l'élimination du premier masque et la réalisation d'un deuxième masque comportant un motif apte à l'obtention des c#urs, l'introduction de la deuxième espèce ionique étant réalisée à travers ce deuxième masque. having a pattern capable of obtaining the sheath, introduction of the first ionic species is carried out through the first mask and step b) comprises removing the first mask and performing a second mask having a motif capable of obtaining the C # cores, the introduction of the second ionic species is carried out through the second mask.

Les masques utilisés dans l'invention sont par exemple en aluminium, en chrome, en alumine ou en matériau diélectrique. The masks used in the invention are for example aluminum, chrome, alumina or dielectric material.

Selon un premier mode de réalisation de l'étape c), l'enterrage de la première espèce ionique est réalisée au moins partiellement avant l'étape b) et l'enterrage de la deuxième espèce ionique est réalisée au moins partiellement après l'étape b). According to a first embodiment of step c), the burial of the first ionic species is at least partially prior to step b) and the burial of the second ionic species is at least partially after step b).

Selon un deuxième mode de réalisation de l'étape c), l'enterrage de la première espèce ionique et l'enterrage de la deuxième espèce ionique sont réalisés simultanément après l'étape b). According to a second embodiment of step c), the burial of the first ionic species and the burial of the second ionic species are carried out simultaneously after step b).

De façon avantageuse, au moins une partie de l'enterrage est réalisée avec l'application d'un champ électrique. Advantageously, at least one part of the burying is performed with the application of an electric field.

Selon un troisième mode de réalisation de l'étape c), l'enterrage comporte un dépôt d'au moins une couche de matériau d'indice de réfraction avantageusement inférieur à celui de la gaine, sur la surface du substrat. According to a third embodiment of step c), the burying comprises depositing at least one layer of material of refractive index preferably less than that of the cladding on the substrate surface.

Ce mode peut être bien entendu combiné avec les deux modes précédents. This mode is of course combined with the previous two modes.

Généralement avant l'enterrage sous champ et/ou le dépôt d'une couche, le procédé de l'invention Generally before burying under field and / or the deposition of a layer, the method of the invention

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peut comporter en outre un enterrage par rediffusion dans un bain ionique. may further include a replay by burying in an ion bath.

Cette étape de rediffusion peut-être réalisée en partie avant l'étape b) pour rediffuser les ions de la première espèce ionique et en partie après l'étape b) pour rediffuser les ions de la première et la deuxième espèce ionique. The replay step may be carried out in part prior to step b) to rebroadcast the ions of the first ionic species and partly after step b) to rebroadcast the ions of the first and second ionic species. Cette étape de rediffusion peut également être réalisée en totalité après l'étape b) pour rediffuser les ions des première et deuxième espèces ioniques. The replay step may also be carried out in full after step b) to rebroadcast the ions of the first and second ionic species.

A titre d'exemple cette rediffusion est obtenue en plongeant le substrat dans un bain contenant la même espèce ionique que celle contenue préalablement dans le substrat. For example the replay is obtained by dipping the substrate in a bath containing the same ion species as that previously contained in the substrate.

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, en référence aux figures des dessins annexés. Other features and advantages of the invention will become apparent from the description which follows, with reference to the accompanying drawings. Cette description est donnée à titre purement illustratif et non limitatif. This description is given for purely illustrative and not restrictive.

Brève description des figures - La figure 1 déjà décrite, représente schématiquement en coupe un filtre réalisé selon l'art antérieur avec des fibres optiques, - la figure 2, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs, BRIEF DESCRIPTION OF FIGURES - Figure 1, already described, schematically shows in section a filter made according to the prior art with optical fibers, - Fig 2 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention a multiplexer / demultiplexer comprising an optical cladding with two serial zones of interaction formed from two C # cores,

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la figure 3, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec trois zones d'interactions en série formées à partir de trois c#urs, - La figure 4, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant deux gaines optiques avec dans chaque gaine deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs, - la figure 5, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant quatre gaines optiques avec dans chaque gaine deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs, - la figure 6, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec deux zones d'interactions en parallèle formées à partir de deux c#urs, - la Figure 3 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer comprising an optical cladding interactions with three serial zones formed from three C # urs, - Figure 4 represents schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer comprising two optical conduits, each with two series sheath interaction zones formed from two C # urs, - Figure 5 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer having four optical sheaths with each sheath two serial zones of interaction formed from two C # urs, - Figure 6 shows schematically in section, an embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer comprising an optical cladding with two zones of interaction formed in parallel from two cores C #, - the figure 7, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec trois zones d'interactions en parallèle formées à partir de trois c#urs, - la figure 8, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant une gaine optique avec quatre zones d'interactions en série/parallèle formées à partir de deux c#urs, FIG 7 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer comprising an optical cladding with three zones of interactions in parallel formed from three C # urs, - Figure 8 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer comprising an optical sheath with four zones of interaction series / parallel formed from two C # cores,

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la figure 9, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant dans chaque zone d'interaction un réseau formé par plusieurs réseaux en série, - les figures 10a à lOd illustrent en coupe un exemple de procédé de réalisation d'un multiplexeur/démultiplexeur selon l'invention, - les figures lia à lld illustrent des variantes de réalisation de motif de masque permettant d'obtenir un réseau dans un c#ur, et - la figure 12 représente en coupe une variante de réalisation de composant selon l'invention présentant un réseau dans une gaine. Figure 9 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer having in each interaction zone a network formed by several networks in series, - Figures 10a to lOd sectional illustrate an example method of making a multiplexer / demultiplexer according to the invention, - figures lia-d illustrate mask pattern of alternative embodiments for obtaining a network in a c # ur, and - Figure 12 shows in section a component embodiment of the invention having a network in a sheath.

Description détaillée de modes de mise en #uvre de l'invention Description of #uvre in embodiments of the invention
On décrit dans un souci de simplification des gaines présentant un indice de réfraction constant, mais bien entendu, on peut tout à fait envisager dans le cadre de cette invention d'utiliser des gaines présentant un indice variable, du moment que leurs indices au voisinage du c#ur soit plus petit que l'indice de réfraction du c#ur. Is described in order to simplify the ducts having a constant refractive index, but of course one can quite consider as part of this invention to use ducts with a variable index, as long as their indices in the vicinity of c # ur is smaller than the refractive index of the core C #.

De même, bien que le substrat puisse comporter une couche ou plusieurs couches, il est représenté dans l'ensemble de ces figures comme un substrat à une seule couche. Likewise, although the substrate may comprise a layer or more layers, there is shown in all these figures as a substrate in a single layer.

Par ailleurs, sur ces figures n'est représenté que le multiplexeur/démultiplexeur, mais Furthermore, in these figures is shown that the multiplexer / demultiplexer, but

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bien entendu d'autres éléments peuvent être intégrés dans le même substrat. of course, other elements can be integrated in the same substrate.

Le multiplexeur/démultiplexeur représenté schématiquement en coupe sur la figure 2, comporte une gaine optique 20 et deux c#urs 23,25 de guides optiques. The multiplexer / demultiplexer shown schematically in section in Figure 2 comprises an optical cladding 20 and two cores C # 23,25 of optical guides. La gaine 20 entoure une portion de chacun des deux c#urs 23,25 de façon à définir deux zones d' interaction Il, 12 en série: la zone d' interaction Il comportant un réseau référencé R1 et la zone d'interaction I2 comportant un réseau référencé R2. The sheath 20 surrounds a portion of each of the two cores C # 23,25 so as to define two zones of interaction II, 12 in series: the zone of interaction There comprising a network referenced R1 and I2 interaction zone comprising a referenced network R2. Ce multiplexeur/démultiplexeur comporte en outre trois entrées/sorties : une première entrée/sortie P1 formée par une des extrémités du c#ur 23, une deuxième entrée/sortie P2 formée par l'autre extrémité du c#ur 23, et une troisième entrée/sortie P3 formée par une des extrémités du c#ur 25. Dans cet exemple de réalisation, l'autre extrémité du c#ur 25 est située dans la gaine en regard de la zone d'interaction Il, on aurait pu également comme dans le cas de la figure 3 disposer cette extrémité à l'extérieur de la gaine pour former une entrée/sortie supplémentaire. This multiplexer / demultiplexer further comprises three inputs / outputs: a first input / output P1 formed by one end of the core C # 23, a second input / output P2 formed by the other end of the core C # 23, and a third input / output P3 formed by one end of the C # core 25. in this embodiment, the other end of the core C # 25 is part of the sheath facing the interaction zone II, one could also as in the case of Figure 3 have the end outside of the sheath to form an additional output / input.

Sur cette figure, la gaine optique 20 entoure uniquement la portion du c#ur 23 qui comporte le réseau R1 et la portion du c#ur 25 qui comporte le réseau R2. In this figure, the optical cladding 20 surrounds only the portion of the C # core 23 which includes the network R1 and the portion of c # core 25 which comprises grating R2. La zone du substrat qui comporte à la fois la gaine, le c#ur 23, et le réseau R1 est la zone d'interaction Il et la zone du substrat qui comporte à la fois la gaine, le c#ur 25 et le réseau R2 est la zone d'interaction 12. The area of ​​the substrate which includes both the sheath, the core C # 23 and the network R1 is the interaction zone II and the zone of the substrate which includes both the sheath, the core C # 25 and the network R2 is the interaction zone 12.

On voit bien sur ces figures, que les c#urs 23 et 25 existent indépendamment de la gaine 20 puisqu'en dehors des zones d' interaction, les c#urs ne although in these figures it is seen that the c # cores 23 and 25 exist independently of the sheath 20 since outside zones of interaction, c # URS

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sont plus situés dans la gaine mais uniquement dans le substrat 18 qui permet l'isolement optique des c#urs. are located in the duct but only in the substrate 18, which allows the isolation of c # optical cores.

La gaine est crée ainsi artificiellement, dans le substrat, au moins autour d'une portion des c#urs comportant les réseau et indépendamment des c#urs et du substrat. The sheath is thus artificially created in the substrate, at least around a portion of c # cores comprising the network and independently of c # urs and substrate.

D'une façon générale, on appellera gaine artificielle ce type de gaine réalisé selon l'invention et réseau à gaine artificielle (ou "artificial cladding grating" (ACG) en terminologie anglo-saxonne), lorsque la zone d'interaction comporte un réseau. In general, artificial cladding we call this type cladding made according to the invention and network artificial cladding (or "artificial cladding grating" (ACG) in English terminology) when the interaction zone includes a network .

Dans cet exemple de réalisation ainsi que dans les suivants, la gaine est réalisée dans le substrat de façon à avoir un indice de réfraction compris entre celui du substrat et celui des c#urs du guide, ce qui permet grâce à la présence des réseaux d'avoir des modes de gaines (représentés par des flèches dans la gaine). In this embodiment as well as in the following, the sheath is formed in the substrate so as to have a refractive index between that of the substrate and that of c # urs of the guide, allowing thanks to the presence of networks having the cladding modes (represented by arrows in the sheath).

Les réseaux réalisés dans les zones d'interaction, sont une succession de motifs périodiques ou pseudo-périodiques représentés dans ces exemples par une segmentation des c#urs. Networks implemented in the zones of interaction, are a succession of periodic patterns or pseudo-periodic represented in these examples by a segmentation of c # urs.

L'indépendance de la gaine vis-à-vis des c#urs de guides permet d'adapter les paramètres de la gaine (tels que les dimensions, le niveau d'indice et la position) par rapport aux paramètres des c#urs (tels que les dimensions, le niveau des indices et les positions), aux applications visées. The independence of the sheath vis-à-vis c # cores guides allows to adapt the parameters of the sheath (such as dimensions, the level index and the position) with respect to parameters of c # cores ( such as dimensions, the index levels and positions), the intended applications.

La force du couplage entre un mode guidé et un mode de gaine j donné sur une bande spectrale de longueur d'onde centrale définie par l'équation (1) est obtenue par le produit de la longueur du réseau avec le The strength of the coupling between a guided mode and a cladding mode j on a given spectral band center wavelength defined by the equation (1) is obtained by the product of the grating length with

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coefficient de couplage K. Ce dernier est proportionnel à l'intégrale de recouvrement des deux modes couplés, pondérés par le profil du réseau. Coupling coefficient K. The latter is proportional to the overlap integral of the two coupled modes, weighted by the network profile.

Si on note #0 et #j les profils transversaux des modes respectivement guidés et de gaine et An le profil du réseau, le coefficient de couplage K est donné par une relation du type : # # ###0##j*##n#ds (2) où ds est un élément d'intégration sur toute la surface transversale du substrat c'est-à-dire dans un plan perpendiculaire à l'axe de propagation de l'onde. If we denote #j # 0 and the transverse profiles respectively guided modes and cladding An and the network profile, the coupling coefficient K is given by a relation of the type: # # ### 0 ## j * ## n # ds (2) where ds is an integration element over the entire transverse surface of the substrate that is to say in a plane perpendicular to the axis of propagation of the wave.

Ainsi, au niveau de la gaine, plus ses dimensions et son niveau d'indice seront importants plus ont aura de modes de gaines admis à se propager et plus on aura donc la possibilité de coupler des bandes spectrales. Thus, at the sheath over its size and index level will be important will have more of cladding modes allowed to spread and there will therefore be the possibility of coupling of the spectral bands. Si on cherche à limiter le nombre de modes de gaine pouvant être couplé, il est intéressant à l'inverse de réduire les dimensions opto-géométriques de la gaine. If we try to limit the number of cladding modes can be coupled, it is interesting to contrast reduce opto-geometrical dimensions of the sheath.

Au niveau des c#urs de guides, leurs dimensions et leur niveau d'indice sont indépendants et conditionnent les caractéristiques des modes qui s'y propage et permettent par exemple de les adapter à des modes de fibre, dans le cas d'un couplage c#ur de guide/c#ur de fibre. At the C # sisters guides, their size and level of index are independent and determine the characteristics of modes such as spreads and allow it to adapt to fiber modes, in the case of a coupling c # ur guide / C # fiber core.

Par ailleurs, plus les écarts d'indice entre les c#urs, la gaine et le substrat seront importants et plus on aura potentiellement de chance d'avoir des couplages pour des périodes de réseaux faibles comme le montre l'équation (1) (à une longueur d'onde de résonance donnée, la période est inversement Furthermore, over the index differences between C # sisters, the sheath and the substrate will be significant and potentially more we will be blessed with couplings for small networks periods as shown in equation (1) ( at a given resonant wavelength, the period is inversely

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liée à la différence d'indice entre les modes guidé et de gaine). linked to the index difference between the guided modes and cladding).

Les dimensions des réseaux peuvent également être adaptées aux applications visées. The dimensions of the network can also be adapted to target applications. Ainsi, ils peuvent être aussi bien des réseaux de type longues périodes (par exemple de quelques dizaines de m à quelques milliers de m) que des réseaux à plus faibles périodes (par exemple inférieur à quelques m) tels que les réseaux blasés ou à traits inclinés. Thus, they can be either long periods type of network (eg a few tens of meters to several thousand meters) as networks to smaller periods (eg less than a few meters), such as jaded or line networks inclined.

Dans le cas de la figure 2, lorsque ce composant est utilisé en démultiplexeur, (comme représenté par le sens des flèches qui symbolisent la propagation des ondes lumineuses sur cette figure), une onde lumineuse E d'entrée à plusieurs bandes spectrales est introduite dans celui-ci par l' entrée P1, elle est véhiculée dans le c#ur 23 jusqu'à la zone d'interaction Il. In the case of Figure 2, when this component is used in the demultiplexer (as shown by the direction arrows symbolizing the propagation of light waves in this figure), a light wave input E on several spectral bands is introduced into thereof by P1 input, it is conveyed in the core c # 23 to the interaction zone II. Dans cette zone les paramètres du réseau à gaine artificielle (c'est-à-dire l'association du réseau, du c#ur et de la gaine) sont tels que l'onde lumineuse est couplée pour une ou plusieurs bandes spectrales au(x) modes de la gaine 20 tandis que la ou les bandes spectrales de la partie Si de l'onde non couplée est transportée via le c#ur 23 vers la sortie P2 du composant. In this zone the parameters of artificial cladding grating (that is to say the combination of the network, the C # core and sheath) are such that the light wave is coupled to one or more spectral bands ( x) modes of the sheath 20 while the one or more spectral bands of part If wave uncoupled is transported via ur c # 23 to the output P2 of the component.

La partie couplée de l'onde lumineuse dans la gaine est ensuite transmise à la zone d'interaction 12, puis couplée pour tout ou partie de ses bandes spectrales par le réseau R2 à gaine artificielle dont les paramètres sont adaptés à ce couplage, dans le c#ur 25. La partie couplée S2 de l'onde dans le c#ur 25 est transmise par ce dernier à la sortie P3 du composant. The coupled portion of the light wave in the duct is then transmitted to the interaction zone 12, and then coupled to all or part of its spectral bands by the artificial cladding R2 network whose parameters are suitable for this coupling, in the c # ur 25. the coupled portion S2 of the wave in the c # heart 25 is transmitted by the latter to the output P3 of the component.

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Par exemple, si l'onde E présente deux bandes spectrales de longueurs d'onde centrales respectivement #1, #2, le réseau R1 à gaine artificielle est paramétré pour que l'onde Si présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale i et le réseau R2 à gaine artificielle est paramétré pour que l'onde S2 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2 For example, if the wave E has two spectral bands of center wavelengths respectively # 1, # 2, the artificial cladding R1 network is set up so that If the wave has a spectral band center wavelength i and artificial cladding R2 network is set for the wave S2 has a spectral band center wavelength # 2
Inversement, lorsque ce composant est utilisé en multiplexeur deux ondes lumineuses d'entrée Si et S2 à bandes spectrales déterminées sont introduites par les entrées P2 et P3 respectivement dans les zones d'interaction Il et I2. Conversely, when this component is used in input multiplexer two light waves Si and S2 defined spectral bands are introduced by the P2 and P3 inputs respectively and I 2 in the interaction zones. L'onde S2 véhiculée par le c#ur 25 est couplée pour tout ou partie de ses bandes spectrales par le réseau R2 à gaine artificielle au(x) mode(s) de gaine, ces modes de gaines sont ensuite couplés pour tout ou partie des bandes spectrales dans le c#ur 23 par le réseau R1 à gaine artificielle. The wave S2 conveyed by the core C # 25 is coupled to all or part of its spectral bands by the artificial sheath network R2 (x) mode (s) of sheath, these cladding modes are then coupled to all or part spectral bands in the C # core 23 by the network R1 to artificial cladding. Par ailleurs, l'onde Si véhiculée par le c#ur 23 traverse la zone d'interaction Il, au moins certaines de ses bandes spectrales ne sont pas couplées au(x) mode(s) de gaine par le réseau R1 de sorte qu'en sortie P1 du composant l'onde E comporte des bandes spectrales de S1 et des bandes spectrales de S2, les réseaux R1 et R2 à gaine artificielle étant paramétrés pour multiplexer ces bandes spectrales. Moreover, If the wave conveyed by the C # core 23 passes through the interaction zone II, at least some of its spectral bands are not coupled to the (x) mode (s) of the sheath by R1 network so that 'at the output P1 of the wave component E comprises spectral bands and spectral bands S1 to S2, R1 and R2 networks artificial sheath being configured to multiplex these spectral bands.

Ainsi par exemple, si l'onde Si présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et l'onde S2 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2, les réseaux R1 et R2 à gaine artificielle sont paramétrés pour que l'onde E présente For example, if the wave If has a spectral band center wavelength # 1 and the waveform S2 has a spectral band center wavelength # 2, R1 and R2 networks artificial cladding are set to that the wave E has

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des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1 et #2. spectral bands of wavelengths stations # 1 and # 2.

La figure 3 représente une variante de la figure 2 dans lequel le multiplexeur/démultiplexeur représenté schématiquement en coupe, comporte dans un substrat 18, une gaine optique 20 et trois c#urs 31, 32,33 de guides optiques. Figure 3 shows a variant of Figure 2 wherein the multiplexer / demultiplexer shown schematically in section, comprises a substrate 18, an optical cladding 20 and # c three cores 31, 32,33 of optical guides. La gaine 20 entoure une portion de chacun des trois c#urs de façon à définir trois zones d'interaction Il, I2, 13 en série : zone d'interaction Il comportant un réseau Ri, la zone d'interaction I2 comportant un réseau R2 et la zone d'interaction 13 comportant un réseau R3. The sheath 20 surrounds a portion of each of the three C # cores so as to define three zones of interaction, I2, 13 in series: area of ​​interaction with an R network, the I2 interaction area having a grating R2 and the interaction zone 13 comprising a network R3. Ce multiplexeur/démultiplexeur comporte en outre six entrées/sorties correspondant aux deux extrémités de chaque c#ur. This multiplexer / demultiplexer further comprises six input / output corresponding to the two ends of each core c #. Des entrée/sortie P1, P2 formées par les extrémités du c#ur 31, des entrée/sortie P5, P3 formées par les extrémités du c#ur 32 et des entrée/sortie P6, P4 formées par les extrémités du c#ur 33. Dans cet exemple de réalisation, le multiplexeur/démultiplexeur peut être utilisé dans les deux sens suivant l'application visée ; Input / output P1, P2 formed by the ends of the C # core 31, input / output P5, P3 formed by the ends of the C # core 32 and the input / output P6, P4 formed by the ends of the c # ur 33 . in this embodiment, the multiplexer / demultiplexer can be used in both directions according to the intended application; autrement dit un fonctionnement en démultiplexeur peut-être réalisé en considérant P1 comme une entrée et P2, P3, P4 comme des sorties (c' est le fonctionnement représenté sur la figure 3, les flèches symbolisant la propagation des ondes lumineuses) ; that is, a demultiplexer operation may be carried out by considering as an input P1 and P2, P3, P4 as outputs (that is the operation shown in Figure 3, the arrows symbolize the propagation of light waves); et un fonctionnement en multiplexeur peut être réalisé en considérant P2, P3, P4 comme des entrées et P1 comme une sortie. and a multiplexer operation can be performed by considering P2, P3, P4 and P1 as inputs as an output.

A titre d'exemple, si l'onde E introduite dans le composant présente trois bandes spectrales de longueurs d'onde centrales respectivement #1, #2, #3, le For example, if the wave E introduced into the present three spectral bands consisting of center wavelengths respectively # 1, # 2, # 3, the

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réseau R1 est paramétré pour que l'onde S1 sur la sortie P2 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1, le réseau R2 à gaine artificielle est paramétré pour que l'onde 82 sur la sortie P3 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2 et le réseau R3 à gaine artificielle est paramétré pour que l' onde S3 sur la sortie P4 présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #3. R1 network is set for the wave S1 on the output P2 has a spectral band center wavelength # 1, the artificial cladding R2 network is configured so that the wave 82 on the output P3 has a spectral band central wavelength # 2 and the artificial cladding R3 network is configured so that the wave S3 on the output P4 has a spectral band center wavelength # 3. Si on introduit trois ondes lumineuses respectivement S1 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1, S2 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2, et S3 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #3, les réseaux R1, R2, R3 à gaine artificielle sont paramétrés pour que l'onde E en sortie P1 présente des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2, #3. If we introduce three respectively S1 light waves having a spectral band of central wavelength # 1, S2 having a spectral band of central wavelength # 2, and S3 having a spectral band of central wavelength # 3 the networks R1, R2, R3 artificial cladding are configured so that the E-wave output P1 has spectral band center wavelengths # 1, # 2, # 3.

La figure 4, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant deux gaines optiques 20,30 disposées en parallèle dans le substrat 18, chaque gaine comportant deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs comme dans la figure 2. Ainsi, les zones d'interaction Il et 12 comportant respectivement les réseaux R1 et R2 sont en série, de même les zones d'interaction 13 et I4 comportant respectivement les réseaux R3 et R4 sont également en série alors que les zones Il et 12 sont disposées en parallèle des zones 13 et I4. Figure 4 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer comprising two optical claddings 20,30 arranged in parallel in the substrate 18, each sleeve comprising two serial zones of interaction formed from two C # cores as in Figure 2. Thus, the areas of interaction and 12 respectively comprising the networks R1 and R2 are in series, so the interaction areas 13 and I4 respectively having R3 and R4 networks are in series while the zones II and 12 are arranged in parallel zones 13 and I4. Ce composant comporte quatre c#urs : un c#ur 23 commun aux zones d' interaction Il et 14, un c#ur 25 permettant de This component has four cores # c: c # a core 23 common to the areas of interaction and He 14, a C # core 25 to

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réaliser la zone d'interaction 12 et un c#ur 27 permettant de réaliser la zone d'interaction 13. realize the interaction zone 12 and a core 27 c # for performing the interaction zone 13.

Ce composant comporte quatre entrées sorties Pl, P2, P3, P4, il est symétrique au niveau de son fonctionnement. This component has four inputs outputs Pl, P2, P3, P4, it is symmetrical in terms of its operation. Avec ce type de composant on peut introduire deux ondes lumineuses par P1, P4 (respectivement P2, P3) et récupérer en sortie deux ondes lumineuses par P2, P3 (respectivement Pl, P4 ) - With this type of component may be introduced two lightwave P1, P4 (respectively P2, P3) and recover two output lightwave P2, P3 (Pl respectively, P4) -
A titre d'exemple, si on introduit par P1, une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2 et par P4, une onde E2 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #3, les différents réseaux R1, R2, R3 et R4 à gaine artificielle sont paramétrés pour qu'en sortie P2 l'onde Si récupérée présente des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #2, #3, et qu'en sortie P3 l'onde S2 récupérée présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1. For example, if introduced by P1, E1 wave having spectral bands of center wavelengths # 1, # 2 and P4, E2 wave having a spectral band of central wavelength # 3 different networks R1, R2, R3 and R4 to artificial cladding are set for that output P2 If the wave has recovered spectral bands of wavelengths stations # 2, # 3, and that output P3 the wave S2 recovered has a spectral band center wavelength # 1.

Dans le cas particulier #1 = #3, le composant de la figure 4 joue le rôle d'un module d'insertion/d'extraction (add and drop). In the particular case # 1 = # 3, the component of figure 4 functions as an inserter / extraction (add and drop).

La figure 5, représente schématiquement en coupe, une variante de réalisation de la figure 4 dans laquelle le multiplexeur/démultiplexeur comporte quatre gaines optiques en parallèle avec dans chaque gaine deux zones d'interactions en série formées à partir de deux c#urs, le c#ur d'une des zones d'interaction de chaque gaine étant le même. Figure 5 shows schematically in section, an alternative embodiment of Figure 4 wherein the multiplexer / demultiplexer comprises four optical claddings in parallel with in each sheath two serial zones of interaction formed from two C # cores, the c # heart of one of the interaction of each cladding regions being the same.

Cet exemple de réalisation est également symétrique, il comporte trois entrées (par exemple P1, P4, P6) et trois sorties (par exemple P2, P3, P5). This embodiment is also symmetrical, it comprises three inputs (e.g., P1, P4, P6) and three outputs (e.g. P2, P3, P5).

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A titre d'exemple, si on introduit par P1, une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2, #3, par P4. For example, if introduced by P1, E1 wave having spectral bands of center wavelengths # 1, # 2, # 3, by P4. une onde E2 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #4, et par P6, une onde E3 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #5 les différents réseaux R1 à Ra à gaine artificielle sont paramétrés pour qu'en sortie P2 l'onde Si récupérée présente des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #4, #2, #5, qu'en sortie P3 l'onde S2 récupérée présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et qu'en sortie Ps l'onde S3 récupérée présente une bande spectrale de longueur d'onde centrale #3. E2 wave having a spectral band of central wavelength # 4, and P6, an E3 wave having a spectral band of central wavelength # 5 different networks R1-Ra artificial cladding are configured so that, If output P2 wave has recovered spectral bands of center wavelengths # 4, # 2, # 5, that output wave P3 S2 recovered has a spectral band center wavelength # 1 and that 'output Ps wave S3 recovered has a spectral band center wavelength # 3.

Cet exemple avec quatre gaines peut tout à fait se faire avec un nombre m de gaines plus important. This example with four ducts may well be done with a number m of larger ducts. Des traits pointillés sur la figure 5 à l'une des extrémités du c#ur 23 extrapolent la possibilité de rajouter d'autres gaines. Dotted lines in Figure 5 to the one end of the core 23 c # extrapolate the possibility of adding other ducts.

La figure 6, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant dans un substrat 18 une même gaine optique 60 avec deux zones d'interactions en parallèle formées à partir de deux c#urs 61,62 et des réseaux R1 et R2 en parallèle . Figure 6 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer comprising a substrate 18 in a same cladding 60 with two zones of interaction formed in parallel from two sisters c # 61 62 and networks R1 and R2 in parallel.

Ce composant tel que représenté est également symétrique. This component as shown is also symmetrical. Il comporte quatre entrées/sorties, dont deux entrées (par exemple P1, P4) et deux sorties (par exemple P2, P3) . It comprises four inputs / outputs, two inputs (e.g. P1, P4) and two outputs (e.g. P2, P3).

Dans un fonctionnement à une seule entrée, par exemple Pl, si on introduit une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales In operation at a single entry, for example Pl, if we introduce a E1 wave having spectral bands of center wavelengths

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#1, #2, on récupère grâce aux réseaux #R1 et R2 à gaines artificielles des ondes Si et S2 respectivement sur les sorties P3, P2, l'onde Si présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et l'onde S2 présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2. # 1, # 2, is recovered through networks # R1 and R2 artificial ducts waves Si and S2 respectively to the outputs P3, P2, If the wave having a spectral band of central wavelength # 1 and S2 wave having a spectral band of central wavelength # 2.

L'utilisation de l'entrée P4 permet d'introduire dans le c#ur 62 une onde E2 dont la ou les bandes spectrales peuvent se rajouter sur la sortie P2 à la bande spectrale de longueur d'onde centrale #2 de l'onde S2. Using the P4 input allows to introduce in the C # core 62 E2 wave whose spectral bands or can be added at the output P2 to the spectral band of central wavelength of the wave # 2 S2. Ce cas particulier permet donc un fonctionnement à la fois en multiplexeur et en démultiplexeur. This special case allows operation in both multiplexer and demultiplexer.

Dans cet exemple, le réseau R1 et le réseau R2 ont au moins une des bandes spectrales commune. In this example, the network R1 and the R2 network have at least one common spectral bands.

La figure 7, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant dans un substrat 18 une même gaine optique 60 avec trois zones d'interactions en parallèle formées à partir de trois c#urs 71,72, 73 et des réseaux R1, R2, R3 en parallèle. Figure 7 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer comprising a substrate 18 in a same cladding 60 with three zones of interactions in parallel formed from three hearts c # 71 , 72, 73 and networks R1, R2, R3 in parallel.

Ce composant comporte trois entrées/sorties. This component comprises three inputs / outputs. Une seule des extrémités de chaque c#ur forme une entrée/sortie, les autres extrémités des c#urs sont en regard à l'intérieur de la gaine 60. One end of each c # ur form an input / output, the other ends of # c hearts are facing inside the sheath 60.

A titre d'exemple, dans un fonctionnement en démultiplexeur une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueur d'onde centrale #1, #2 est introduite par l'entrée P1 et en sortie ce composant permet de récupérer une onde S1 (sur la sortie P3) présentant une bande spectrale de longueur d'onde For example, in an operating demultiplexer E1 wave having spectral bands of center wavelength # 1, # 2 is introduced through the entrance P1 and exit the component retrieves a wave S1 (the output P3) having a spectral band of wavelength

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centrale #1 et une onde S2 (sur la sortie P2) présentant une bande spectrale de longueur d'onde centrale #2. Central # 1 and S2 wave (P2 output) having a spectral band of central wavelength # 2.

Dans le cas particulier où #1 = #2 le composant de la figure 7 joue le rôle d'un diviseur/combineur. In the particular case where # 1 = # 2 the component of figure 7 acts as a splitter / combiner.

La figure 8, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant des zones d'interaction en série et en parallèle. Figure 8 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer having interaction areas in series and in parallel. La différence entre ce multiplexeur/démultiplexeur et celui de la figure 6 est la réalisation de deux zones d'interaction supplémentaires formées pour l'une à partir du c#ur 61 et d'un réseau R3 et pour l' autre à partir du coeur 62 et d'un réseau R4. The difference between this multiplexer / demultiplexer and that of Figure 6 is the realization of two additional interaction zones formed for one from the C # core 61 and a network R3 and the other from the core 62 and a network R4. Ainsi, ce composant comporte deux zones d'interactions en série pour chaque c#ur (associées aux réseaux R1 et R3 pour le c#ur 61 et aux réseaux R2 et R4 pour le c#ur 62), les zones d'interaction en série d'un c#ur étant en parallèle avec les zones d'interaction en série de l'autre c#ur. Thus, this component comprises two interaction zones in series for each c # ur (R1 and R3 associated with networks to c # ur 61 and R2 and R4 networks for ur c # 62), the interaction zones a series of c # ur being in parallel with the series interaction zones of the other C # heart.

Au niveau du fonctionnement par exemple en démultiplexeur, l'utilisation des réseaux R3 et R4 supplémentaires permet de coupler en plus par rapport à la figure 6 dans le c#ur 61 tout ou partie de l'onde lumineuse E2 introduite par l'entrée P4 dans le c#ur 62. Ce composant est symétrique. In the operation example in the demultiplexer, the use of additional networks R3 and R4 allows to couple more with respect to Figure 6 in the c # ur 61 all or part of the light wave introduced by the E2 input P4 in c # core 62. This component is symmetrical.

Enfin, la figure 9, représente schématiquement en coupe, un exemple de réalisation selon l'invention d'un multiplexeur/démultiplexeur comportant dans chaque zone d'interaction un réseau formé par plusieurs réseaux en série. Finally, Figure 9 shows schematically in section, an exemplary embodiment according to the invention of a multiplexer / demultiplexer having in each interaction zone a network formed by several serial networks. Le multiplexeur de la figure 9 est du même type que le multiplexeur de The multiplexer 9 is the same type as the multiplexer

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la figure 6. La seule différence est la réalisation du réseau R1 à partir de deux réseaux distincts A1, A2 et la réalisation du réseau R2 à partir de deux réseaux distincts B1, B2. Figure 6. The only difference is the realization of network R1 from two separate networks A1, A2 and the realization of the network R2 from two separate networks B1, B2.

Ainsi, si les réseaux A1 et B1 permettent de coupler respectivement une bande spectrale déterminée et les réseaux A2 et B2 permettent de coupler respectivement une autre bande spectrale déterminée, on peut si on introduit à l'entrée P1, une onde E1 présentant des bandes spectrales de longueurs d'onde centrales #1, #2, #3, récupérer sur la sortie P3 une onde S1 de bande spectrale de longueur d'onde centrale #1 et récupérer grâce au réseau R1 (composé de A1 et A2) et au réseau R2 (composé de B1 et B2) sur la sortie P2 une onde S2 de bandes spectrales de longueurs d'onde centrale #2, #3. Thus, if A1 and B1 respectively networks allow coupling a determined spectral band and networks A2 and B2 are used to respectively coupling another determined spectral band, it can, if introduced at the inlet P1, E1 having a wavelength of the spectral bands of center wavelengths # 1, # 2, # 3, retrieve the output S1 P3 a wave spectral band center wavelength # 1 and recovering through the network R1 (compound A1 and A2) and the network R2 (compound B1 and B2) at the output P2 S2 a wave spectral bands central wavelengths # 2, # 3.

D'autres exemples de réalisation de multiplexeur/démultiplexeur peuvent bien entendu être réalisés notamment en combinant ces variantes. Other multiplexer / demultiplexer exemplary embodiments can of course be achieved in particular by combining these variants. Par ailleurs, le fonctionnement des exemples de composants ci-dessus a été présenté essentiellement pour démultiplexer les bandes spectrales d'une onde lumineuse mais ces composants peuvent également fonctionner en sens inverse c'est-à-dire pour multiplexer les bandes spectrales de plusieurs ondes lumineuses. Furthermore, operation examples of the above components was presented primarily for demultiplexing the spectral bands of a light wave but these components may also work in reverse that is to say for multiplexing the spectral bands of a plurality of waves bright. Par ailleurs, les réseaux utilisés ont été représentés dans les c#urs étant bien entendu que ces réseaux peuvent être réalisés dans les gaines et/ou dans les c#urs. Moreover, the used networks were represented in C # sisters being understood that these networks can be realized in ducts and / or the C # sisters.

Un exemple de réalisation d'un multiplexeur/démultiplexeur va maintenant être décrit. An embodiment of a multiplexer / demultiplexer will be described.

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Pour simplifier la description, on va décrire la réalisation d'une seule gaine, d'un seul c#ur et d'un seul réseau, pour la réalisation d'une seule zone d'interaction par exemple Il, l'homme du métier pouvant facilement à partir de cette description réaliser tous les types de multiplexeur/démultiplexeur et notamment ceux représentés dans les figures précédentes. To simplify the description, we will describe the embodiment in a single sheath, one ur c # and a single network for the realization of a single zone of interaction eg II, the skilled person can easily from this description realize all types of multiplexer / demultiplexer including those shown in the previous figures.

Ainsi, les figures 10a à 10d illustrent en coupe dans un plan perpendiculaire à la surface du substrat et contenant la zone d'interaction Il, un exemple de procédé de réalisation d'un multiplexeur/démultiplexeur selon l'invention, à partir de la technologie par échange d'ions. Thus, Figures 10a to 10d illustrate in section in a plane perpendicular to the substrate surface and containing the interaction zone II, an exemplary method embodiment of a multiplexer / demultiplexer according to the invention, from the technology by ion exchange.

Sur la figure 10a est représentée le substrat 18 contenant des ions B. In Figure 10a is shown the substrate 18 containing ions B.

Un premier masque 81 est réalisé par exemple par photolithographie sur une des faces du substrat ; A first mask 81 is formed for example by photolithography on one side of the substrate; ce masque comporte une ouverture déterminée en fonction des dimensions (largeur, longueur) de la gaine que l'on souhaite obtenir. this mask has an opening determined by the dimensions (width, length) of the sheath that is desired. Par ailleurs, lorsque le réseau est réalisé dans la gaine, les motifs du masque 85 peuvent être adaptés aux motifs du réseau à former. Furthermore, when the network is formed in the sheath, the patterns of the mask 85 can be adapted to network units to be formed.

Un premier échange ionique est alors réalisé entre des ions A et les ions B contenus dans le substrat, dans une zone du substrat située au voisinage de l'ouverture du masque 81. Cet échange est obtenu par exemple en trempant le substrat muni du masque dans un bain contenant des ions A et en appliquant éventuellement un champ électrique entre la face du substrat sur laquelle est disposée le masque et la face A first ion exchange is then performed between A ions and B ions contained in the substrate in an area of ​​the substrate in the vicinity of the mask opening 81. This exchange is obtained for example by dipping the substrate provided with the mask in a bath containing ions a and optionally applying an electric field between the substrate face on which is arranged the mask and the face

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opposée. opposite. La zone du substrat dans laquelle a été réalisé cet échange ionique forme la gaine 20. The substrate region in which has been realized this ion exchange forms the sheath 20.

Pour enterrer cette gaine, une étape de rediffusion des ions A est réalisée avec l'assistance ou non d'un champ électrique appliqué comme précédemment. To bury this sheath, an ion replay step A is carried out with the assistance or without an applied electric field as above. La figure lOb, représente la gaine après une étape d'enterrage partielle de celle-ci. Figure lOb, represents the sheath after a partial burying step thereof. Le masque 81 est enlevé généralement avant cette étape. The mask 81 is typically removed prior to this step.

La réalisation de la gaine selon l'invention s'apparente donc à la réalisation d'un c#ur de guide mais avec des dimensions différentes. The realization of the sheath according to the invention is therefore akin to making a C # guide ur with different dimensions.

L'étape suivante représentée figure 10c consiste à former un nouveau masque 85 sur le substrat par exemple par photolithographie après éventuellement un nettoyage de la face du substrat sur lequel il est réalisé. The next step shown in FIG 10c includes forming a new mask 85 on the substrate for example by photolithography, possibly after cleaning the surface of the substrate on which it is made. Ce masque comporte des motifs aptes à permettre la réalisation du c#ur 23 de guide et en particulier lorsque le réseau est réalisé dans le c#ur, les motifs du masque 85 peuvent être adaptés aux motifs du réseau à former. This mask comprises patterns capable of allowing the completion of c # ur 23 guide and especially when the network is implemented in c # ur, the patterns of the mask 85 can be adapted to network units to be formed.

Un deuxième échange ionique est alors réalisé entre les ions B du substrat et des ions C qui peuvent être les mêmes ou non que les ions A. Cet échange ionique peut-être réalisé comme précédemment en trempant le substrat dans un bain contenant des ions C et en appliquant éventuellement un champ électrique. A second ion exchange is then performed between the ions of the substrate B and C ions which may be the same or not the ion A. This ion exchange may be carried out as previously by dipping the substrate in a bath containing C ions and optionally applying an electric field.

Enfin, la figure lOd illustre le composant obtenu après enterrage du c#ur 23 obtenu par rediffusion des ions C et enterrage final de la gaine, avec l'assistance ou non d'un champ électrique. Finally, Figure lOd illustrates the component obtained after burying the core C # 23 obtained by replay ions C and final burying of the sheath, with no or assistance of an electric field. Le masque 85 est généralement supprimé avant cette étape d'enterrage. The mask 85 is generally removed before the step of burying.

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Les conditions du premier et du deuxième échange ionique sont définies de façon à obtenir les différences d'indices de réfraction souhaitées entre le substrat, la gaine et le c#ur. The conditions of the first and second ion exchange are defined so as to obtain the desired difference in refractive indices between the substrate, the sheath and the core C #. Les paramètres d'ajustement de ces différences sont notamment le temps d'échange, la température du bain, la concentration en ions du bain et la présence ou non d'un champ électrique. The parameters adjustment of these differences include the exchange time, the bath temperature, the ion concentration of the bath and the presence or absence of an electric field.

A titre d'exemple de réalisation, le substrat 18 est du verre contenant des ions Na+, le masque 81 est en aluminium et présente une ouverture d'environ 30 m de large (la longueur de l'ouverture dépend de la longueur désirée de gaine pour l'application visée). As an exemplary embodiment, the substrate 18 is glass containing Na + ions, the mask 81 is made of aluminum and has an opening of approximately 30 m wide (the length of the opening depends on the desired length of sheath for the intended application).

Le premier échange ionique est réalisé avec un bain comportant des ions Ag+ environ à 20% de concentration, à une température d'environ 330 C et pendant un temps d'échange de 5 mn environ. The first ion exchange is carried out with a bath containing Ag + ions at about 20% concentration at a temperature of about 330 C and for a time of exchange of 5 mins. Une rediffusion des ions a tout d'abord lieu à l'air libre à une température d'environ 330 C et pendant 30 s, puis on effectue un enterrage partiel de la gaine ainsi formée dans le verre. An ion replay was first held in air at a temperature of about 330 C and for 30 sec, followed by a partial burying of the sheath thus formed in the glass. Cet enterrage est réalisé par une rediffusion dans un bain de sodium à une température d'environ 260 C et pendant 3 mn. This burying is performed by a replay in a sodium bath at a temperature of about 260 C and for 3 min.

Le masque 85 est aussi en aluminium et présente un motif d'ouverture environ 3 m de large (la longueur du motif dépend de la longueur désirée de c#ur pour l'application visée). The mask 85 is also of aluminum and has an opening pattern about 3 m wide (the pattern length depends on the desired length of c # ur for the intended application).

Le deuxième échange ionique est réalisé avec un bain comportant des ions également Ag+ environ à 20% de concentration, à une température d'environ 330 C et pendant un temps d'échange de 5 mn environ, The second ion exchange is carried out with a bath containing Ag + ions also approximately 20% concentration at a temperature of about 330 C and for a time of exchange for 5 mins,

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une rediffusion des ions a tout d'abord lieu à l'air libre à une température d'environ 330 C et pendant 30 s. an ion replay was first held in air at a temperature of about 330 C and for 30 sec. Puis on réalise, un enterrage partiel du c#ur ainsi formé dans le verre par une rediffusion dans un bain de sodium à une température d'environ 260 C et pendant 3 mn. Then performs a partial burying of c # ur thus formed in the glass by a replay in a sodium bath at a temperature of about 260 C and for 3 min.

L'enterrage final de la gaine et du c#ur se fait sous champ électrique les deux faces opposées du substrat sont en contact de deux bains (dans cet exemple du sodium) apte à permettre d'appliquer une différence de potentielle entre ces deux bains. The final burying of the cladding and the core C # is in an electric field the two opposite faces of the substrate are in contact two baths (in this example sodium) adapted to allow to apply a potential difference between these two baths .

De nombreuses variantes du procédé décrit précédemment peuvent être réalisées. Many variations of the method described above can be realized. Notamment, les étapes d'enterrage de la gaine et du c#ur peuvent être réalisées comme décrit précédemment au cours de deux étapes successives mais elles peuvent également être réalisées simultanément car le c#ur ayant une concentration ionique supérieure à celle de la gaine, il est enterré plus vite que la gaine, ce qui permet en outre un centrage du c#ur dans la gaine. Including the steps of burying of the cladding and the core C # may be performed as described above in two successive steps but can also be performed simultaneously because the c # ur having an ionic strength greater than that of the sheath, it is buried faster than the sheath, thereby further centering of c # ur in the sheath.

La différence de concentration entre le c#ur et la gaine est généralement obtenue soit par une rediffusion dans un bain des ions formant la gaine soit par une différence de concentration des ions introduits aux étapes a) et b) . The concentration difference between the C # core and the cladding is generally obtained either by a replay in a bath of ions forming the sheath or by an ion concentration difference introduced in steps a) and b).

Comme on l'a vu précédemment, pour réaliser l'enterrage de la gaine et du c#ur, une variante du procédé consiste à déposer sur le substrat 18, une couche de matériau 71, représentée en pointillés sur la figure lOd. As noted above, to achieve the burying of the cladding and the core C #, a variant of the process consists in depositing on the substrate 18, a layer of material 71, shown in dotted lines in Figure lOd. Ce matériau, pour permettre un guidage optique doit présenter avantageusement un indice de réfraction inférieur à celui de la gaine. This material, to enable an optical guide should advantageously have a lower index of refraction than the cladding.

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La réalisation du composant selon l'invention n'est pas limitée à la technique d'échange d'ions. Making the component according to the invention is not limited to the ion exchange technique. Le composant de l'invention peut-être réalisé bien entendu par toutes les techniques qui permettent de modifier l'indice de réfraction du substrat. The component of the invention may be made of course by all the techniques to change the refractive index of the substrate.

Par ailleurs, la période, la taille, la position du réseau par rapport au c#ur et à la gaine sont des paramètres qui peuvent être adaptées en fonction des applications. Moreover, the period, the size of the network position relative to the C # core and the sheath are parameters that can be tailored depending on the application.

Le motif du réseau peut-être défini sur le masque permettant la réalisation de la gaine et/ou sur le masque permettant la réalisation du c#ur ou encore sur un masque spécifique pour la réalisation uniquement du réseau. The grating pattern may be defined on the mask allowing the realization of the sheath and / or the mask allowing the realization of c # heart or on a specific mask for carrying out only the network.

Les figures 11a à lld illustrent à titre d'exemple des variantes de réalisation de masques M1, M2, M3, M4 permettant d'obtenir un réseau par exemple R1. Figs 11a-d illustrate exemplary M1 masks embodiments, M2, M3, M4 for obtaining for example a network R1. Ces figures sont des vues de dessus des masques et ne représentent que la partie des masques permettant d'obtenir le réseau. These figures are plan views of masks and represent only part of the masks for obtaining the network. Les zones blanches du motif des masques correspondent aux ouvertures des masques. The white areas of the mask pattern corresponding to the openings of the masks.

Ces masques permettent d'obtenir un réseau périodique de période A. These masks allow to obtain a periodic grating period A.

Ces masques peuvent être par exemple des masques spécifiques pour la réalisation du réseau dans le c#ur et/ou dans la gaine ou une partie des masques permettant l'obtention du c#ur et/ou de la gaine, le réseau étant réalisé alors en même temps que le c#ur et/ou la gaine. These masks can be for example special masks for carrying out the network in c # ur and / or the sleeve or a part of the masks which can achieve the c # core and / or sheath, the network being performed while together with the C # core and / or sheath.

La figure 12 illustre un exemple de réalisation d'un réseau R réalisé dans une zone 12 illustrates an exemplary embodiment of a grating R formed in an area

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d' interaction à la fois dans un c#ur 91 et dans une gaine 93. interaction in both a C # core 91 and a sheath 93.

Ainsi, sur cette figure, le réseau R est formé dans la gaine par une alternance de période A de zones 95 de largeur variable considérée dans le sens de propagation d'une onde lumineuse. Thus, in this figure, the network R is formed in the sheath by an alternation of areas 95 of period A of variable width considered in the direction of propagation of a light wave. Ces zones ont un indice effectif différent de celui du reste de la gaine grâce à une modification de l'indice de réfraction de ces zones. These areas have a different effective index of the rest of the sheath through a change in the refractive index of those areas. Le c#ur étant par ailleurs inclus dans la gaine au moins dans la zone d'interaction, le réseau est également inscrit dans le c#ur, autrement dit le c#ur comporte également des zones d'indice de réfraction différent de celui du reste du c#ur. C # ur also being included in the duct at least in the interaction area, the network is also registered in the c # ur, ie c # ur also comprises refractive index areas different from the c # rest of the heart.

Les réseaux peuvent être formés par toutes les techniques classiques permettant de modifier localement l'indice effectif du substrat dans le c#ur et/ou dans la gaine. Networks can be formed by any conventional technique for locally modifying the effective index of the substrate in the c # ur and / or the sheath.

Il peut donc être réalisé comme on l'a vu au cours des échanges ioniques permettant de réaliser le c#ur et/ou la gaine ou au cours d'un échange ionique spécifique. It can therefore be carried out as we have seen over the ion exchange to make ur c # and / or the sheath or in a specific ion exchange. Mais, il peut également être obtenu par une gravure du substrat au niveau de la zone d' interaction ou par un rayonnement. But, it can also be achieved by etching the substrate at the area of ​​interaction or radiation. En particulier, le réseau peut être obtenu par insolation du c#ur et/ou de la gaine avec un laser de type CO2. In particular, the network can be obtained by exposure of the C # core and / or sheath with a CO2 type laser. Le laser en produisant des échauffements localisés permet de rediffuser localement des ions et inscrire ainsi le motif du réseau. The laser by producing localized heating enables rebroadcast locally ions and thus enter the grating pattern.

A titre d'exemple on peut balayer le substrat avec un faisceau laser modulé par exemple en amplitude de manière à introduire une modulation du réseau au pas souhaité. For example the substrate can be scanned with a laser beam modulated in amplitude for example so as to introduce a modulation of the network not desired.

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Le motif du réseau dépend des applications visées. The grating pattern depends on the intended applications. En particulier, le réseau peut-être à période variable (réseau chirpé) ou à efficacité variable (réseau apodisé) In particular, the network may be a variable period (chirped network) or variable effectiveness (apodized network)

Claims (26)

  1. 1. Multiplexeur/démultiplexeur caractérisé en ce qu'il comprend dans un substrat (18), au moins nc#urs (23,25, 31,32, 33,61, 62,71, 72,73) de guides avec n entier supérieur ou égal à 2 et au moins une gaine optique (20,30, 40,50, 60) entourant au moins une portion de chacun des nc#urs de façon à définir au moins n zones d' interaction (Il, I2, 13, 14, I5, I6, I7, le), chaque zone d' interaction comportant en outre un réseau (R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7) ce multiplexeur/démultiplexeur comportant au moins n entrées/sorties (P1, P2, P3, P4, Ps, P6) . 1. The multiplexer / demultiplexer characterized by comprising a substrate (18), at least n # cores (23,25, 31,32, 33,61, 62,71, 72,73) of guides with n an integer greater than or equal to 2 and at least one optical cladding (20,30, 40,50, 60) surrounding at least a portion of each of n # of cores so as to define at least n zones of interaction (Il, I2, 13 , 14, I5, I6, I7, the), each interaction zone further comprising a network (R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7) the multiplexer / demultiplexer comprising at least n inputs / outputs (P1 , P2, P3, P4, Ps, P6).
  2. 2. Multiplexeur/démultiplexeur selon la revendication 1 caractérisé en ce que chaque c#ur comportant deux extrémités, les n entrées/sorties sont formées par au moins une extrémité de chacun des c#urs. 2. Multiplexer / demultiplexer according to claim 1 characterized in that each C # core having two ends, the n inputs / outputs are formed by at least one end of each of the cores # c.
  3. 3. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que la gaine présente un indice de réfraction supérieur à celui du substrat au moins dans les zones d'interaction. 3. Multiplexer / demultiplexer according to any one of claims 1 and 2 characterized in that the cladding has a refractive index higher than that of the substrate at least in the zones of interaction.
  4. 4. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que le réseau d'une zone d'interaction peut être formé dans le c#ur correspondant de la zone et/ou dans la gaine. 4. Multiplexer / demultiplexer according to any one of claims 1 to 3 characterized in that the network of an interaction zone can be formed in c # ur corresponding to the area and / or in the sheath.
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  5. 5. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que le réseau est périodique ou pseudo-périodique et/ou composé d'une succession de réseaux. 5. Multiplexer / demultiplexer according to any one of claims 1 to 4 characterized in that the grating is periodic or pseudo-periodic and / or consists of a series of networks.
  6. 6. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que dans une même gaine, les zones d'interaction peuvent être en série et/ou en parallèle. 6. The multiplexer / demultiplexer of any of claims 1 to 5 characterized in that in the same sheath, the interaction zones can be in series and / or parallel.
  7. 7. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 caractérisé en ce qu'il comporte une gaine optique (20) et nc#urs (23, 25,31, 32,33) de guide, la gaine optique entoure dans une zone d'interaction distincte (Il, I2, 13) chaque c#ur, de façon à former n zones d'interaction en série. 7. The multiplexer / demultiplexer of any of claims 1 to 6 characterized in that it comprises an optical cladding (20) and nc # cores (23, 25,31, 32,33) to guide the optical cladding surrounding in a separate interaction zone (II, I2, 13) each C # heart, so as to form n serial interaction areas.
  8. 8. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce qu'il comporte m gaines optiques (20,30, 40,50), chaque gaine optique i entourant nc#urs de guide, avec i entier allant de 1 à m, dans des zones d'interaction distinctes de façon à former ni zones d'interaction en série par gaine i, chaque gaine comportant au moins une zone d'interaction dont le c#ur (23) est commun avec une zone d'interaction d'une autre gaine. 8. The multiplexer / demultiplexer of any of claims 1 to 7 characterized in that it comprises m optical claddings (20,30, 40,50), each optical cladding surrounding i nc # urs guide, integer i from from 1 to m, in separate zones of interaction to form or interaction areas in series i sheath, each sheath having at least one interaction zone whose c # ur (23) is common with an area interaction of another duct.
  9. 9. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 caractérisé en ce qu'il comporte une gaine optique (60) et nc#urs (61, 62,71, 72,73) de guides, la gaine optique entoure 9. The multiplexer / demultiplexer of any of claims 1 to 8 characterized in that it comprises an optical cladding (60) and nc # cores (61, 62,71, 72,73) guides, the cladding surrounds
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    dans une zone d' interaction distincte, chaque c#ur, de façon à former n zones d'interaction en parallèle. in a zone distinct interaction, each c # heart, so as to form n parallel interaction areas.
  10. 10. Multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 caractérisé en ce qu'il comporte une gaine optique (60) et nc#urs (61, 62) de guides, la gaine optique entoure chaque c#ur, de façon à former avec chaque c#ur une ou plusieurs zones d'interaction en série et avec les différents c#urs des zones d'interaction en parallèle. 10. The multiplexer / demultiplexer of any of claims 1 to 9 characterized in that it comprises an optical cladding (60) and nc # cores (61, 62) guides, the cladding surrounds each core c #, of so as to form with each c # ur one or more areas of interaction in series and with different c # urs of interaction areas in parallel.
  11. 11. Procédé de réalisation en optique intégrée d'un multiplexeur/démultiplexeur selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le multiplexeur/démultiplexeur comportant dans un substrat au moins nc#urs de guides, au moins une gaine optique et au moins n zones d'interactions, les c#urs et la gaine sont réalisés respectivement par une modification de l'indice de réfraction du substrat de façon à ce qu'au moins dans la partie de la gaine voisine des c#urs et au moins dans les zones d' interaction, l'indice de réfraction de la gaine soit différent de l'indice de réfraction du substrat et inférieur à l'indice de réfraction des c#urs. 11. Integrated optical making method of a multiplexer / demultiplexer according to any one of the preceding claims characterized in that the multiplexer / demultiplexer comprising a substrate at least n # cores guides at least one optical cladding, and at least No interaction areas, c # cores and cladding are formed respectively by a change in the refractive index of the substrate so that at least in the part of the adjacent sheath c # cores and at least the zones of interaction, the sheath of refractive index is different from the refractive index of the substrate and lower than the refractive index of the cores C #.
  12. 12. Procédé de réalisation selon la revendication 11 caractérisé en ce que la modification de l'indice de réfraction du substrat est obtenue par rayonnement et/ou par introduction d'espèce ionique. 12. A production method according to claim 11 characterized in that the change in the substrate refractive index is obtained by radiation and / or by introduction of ionic species.
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  13. 13. Procédé de réalisation selon la revendication 12 caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : a) introduction d'une première espèce ionique dans le substrat de façon à permettre l'obtention après l'étape c) de la gaine optique, b) introduction d'une deuxième espèce ionique dans le substrat de façon à permettre l'obtention après l'étape c) des c#urs de guides, c) enterrage des ions introduits aux étapes a) et b) de façon à obtenir la gaine et les c#urs de guides. 13. A production method according to claim 12 characterized in that it comprises the following steps: a) introducing a first ionic species in the substrate so as to enable obtaining after step c) of the optical cladding, b) introduction of a second ionic species into the substrate so as to enable obtaining after step c) c # guides cores, c) burying ions introduced in steps a) and b) so as to obtain the sheath and hearts C # books.
  14. 14. Procédé de réalisation selon la revendication 13 caractérisé en ce que l'introduction de la première et/ou de la deuxième espèce ionique est réalisée par un échange ionique ou par implantation ionique. 14. A production method according to claim 13 characterized in that the introduction of the first and / or second ionic species is carried out by an ion exchange or ion implantation.
  15. 15. Procédé de réalisation selon la revendication 14 caractérisé en ce que l'introduction de la première espèce ionique et/ou l'introduction de la deuxième espèce ionique est réalisée avec l'application d'un champ électrique. 15. A production method according to claim 14 characterized in that the introduction of the first ionic species and / or the introduction of the second ionic species is carried out with the application of an electric field.
  16. 16. Procédé de réalisation selon la revendication 14 caractérisé en ce que le substrat est du verre et contient des ions Na+ préalablement introduits, la première et la deuxième espèces ioniques sont des ions Ag+ et/ou K+. 16. A production method according to claim 14 characterized in that the substrate is glass and contains Na + ions introduced previously, the first and second ionic species are Ag + ions and / or K +.
    <Desc/Clms Page number 39> <Desc / CRUD Page number 39>
  17. 17. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 16, caractérisé en ce que l'étape a) comprend la réalisation d'un premier masque comportant un motif apte à l'obtention de la gaine, l'introduction de la première espèce ionique étant réalisée à travers ce premier masque et l'étape b) comprend l'élimination du premier masque et la réalisation d'un deuxième masque comportant un motif apte à l'obtention des c#urs, l'introduction de la deuxième espèce ionique étant réalisée à travers ce deuxième masque. 17. A production method according to any one of claims 13 to 16, characterized in that step a) comprises providing a first mask having a pattern capable of obtaining the sheath, introduction of the first ionic species being formed through said first mask and step b) comprises removing the first mask and performing a second mask having a pattern capable of obtaining the C # cores, the introduction of the second ionic species is carried out through the second mask.
  18. 18. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 17, caractérisé en ce que l'étape c) d'enterrage de la première espèce ionique est réalisée au moins partiellement avant l'étape b) et en ce que l'étape c) d'enterrage de la deuxième espèce ionique est réalisée au moins partiellement après l'étape b). 18. A production method according to any one of claims 13 to 17, characterized in that step c) burying the first ionic species is at least partially prior to step b) and in that the step c) burying the second ionic species is at least partially after step b).
  19. 19. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 18, caractérisé en ce que l'étape c) d'enterrage de la première espèce ionique et d'enterrage de la deuxième espèce ionique sont réalisés simultanément après l'étape b). 19. A production method according to any one of claims 13 to 18, characterized in that step c) burying the first ionic species and burying of the second ionic species are carried out simultaneously after step b ).
  20. 20. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 19 caractérisé en ce qu'au moins une partie de l'enterrage est réalisée avec l'application d'un champ électrique. 20. A production method according to any one of claims 13 to 19 characterized in that at least one part of the burying is performed with the application of an electric field.
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  21. 21. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 20 caractérisé en ce qu'au moins une partie de l'enterrage est réalisée par rediffusion dans un bain ionique. 21. A production method according to any one of claims 13 to 20 characterized in that at least one part of the burying is performed by replay in an ion bath.
  22. 22. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 13 à 21 caractérisé en ce que tout ou partie de l'enterrage est réalisé par un dépôt d'au moins une couche sur la surface du substrat. 22. A production method according to any one of claims 13 to 21 characterized in that all or part of the burying is performed by depositing at least one layer on the substrate surface.
  23. 23. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce chaque zone d'interaction comportant un réseau celui-ci est obtenu par modification de l'indice effectif du substrat dans la gaine et/ou le c#ur correspondants selon un motif approprié. 23. A production method according to any one of the preceding claims characterized in that each zone of interaction with a network it is obtained by modifying the effective index of the substrate in the sheath and / or c # ur corresponding according a suitable pattern.
  24. 24. Procédé de réalisation selon la revendication 23 caractérisé en ce que le motif approprié du réseau est obtenu par introduction d'espèces ioniques à travers un masque permettant l'obtention du c#ur et/ou de la gaine ou par un masque spécifique. 24. A production method according to claim 23 characterized in that the appropriate pattern of the network is obtained by introducing ionic species through a mask for obtaining the c # ur and / or the sheath or by a specific mask.
  25. 25. Procédé de réalisation selon la revendication 23 caractérisé en ce que le motif approprié du réseau est obtenu par des échauffements locaux. 25. A production method according to claim 23 characterized in that the appropriate pattern of the network is obtained by local heating.
  26. 26. Procédé de réalisation selon la revendication 23 caractérisé en ce que le motif approprié du réseau est obtenu par gravure du substrat. 26. A production method according to claim 23 characterized in that the appropriate pattern of the network is obtained by etching the substrate.
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