FR2568684A1 - Device for reading the strength of an electric current - Google Patents

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    • H01C7/003Thick film resistors

Abstract

The device reads the value of a high electric current in an electrical or electronic circuit. It comprises a shunt resistor capable of carrying the current. The resultant voltage drop across the terminals of the resistor is transmitted to an operational amplifier, the output signal from which can be used by an instrument for measurement, protection or control or in a current-regulating loop. The device is characterised in that it comprises an electrically insulating support 2 carrying a deposit consisting of a thick layer 1 of a conducting paste having a low resistivity. The deposit of paste is connected to the associated circuit so as to form the shunt resistance R. <IMAGE>

Description

DISPOSITIF DE LECTURE DE L'INTENSITE D'UN COURANT READING DEVICE FOR A CURRENT INTENSITY
ELECTRIQUE. ELECTRIC.

La présente invention concerne un dispositif de lecture d'un courant électrique de forte intensité dans un circuit électrique ou électronique, ce dispositif comprenant une résistance dite shunt susceptible d'être traversée par le courant, la chute de tension correspondant aux bornes de la résistance étant transmise à un amplificateur opérationnel qui délivre à sa sortie un signal exploitable par un appareil de mesure, de commande, de protection ou dans une boucle de régulation de courant. The present invention relates to a device for reading an electric current of high intensity in an electric or electronic circuit, said device comprising a so-called shunt resistor capable of being traversed by the current, the voltage drop corresponding to the resistance terminals being transmitted to an operational amplifier which delivers at its output a signal usable by a measuring apparatus, control, protection or in a current control loop.

Pour mesurer l'intensité d'un courant de forte intensité dans un circuit électrique ou électronique, il est usuel d'insérer dans le circuit un élément de mesure constitué soit par un transformateur d'intensité dans le cas d'un courant alternatif sinusoldal soit par un shunt résistif dans le cas d'un courant continu, cet élément ayant dans les deux cas la particularité de délivrer une tension proportionnelle au courant qui le traverse. To measure the intensity of a high current in an electrical or electronic circuit, it is customary to insert in the circuit a measuring element is constituted by a current transformer in the case of an alternating current is sinusoldal by a resistive shunt in the case of direct current, said element having in both cases the characteristic of outputting a voltage proportional to current flowing therethrough. Les bornes du shunt sont connectées, éventuellement par l'intermédiaire d'un amplificateur, à un appareil de mesure ou de protection ou à une boucle de régulation qui affiche ou exploite la valeur d'intensité résultant de la lecture. The terminals of the shunt are connected, optionally via an amplifier to a measuring apparatus or protection or regulation loop which displays or operates the intensity value resulting from reading.

Selon la technologie actuelle des shunts résistifs, on réalise généralement ceux-ci au moyen de conducteurs sous forme de fils ou de plaques dont la résistivité présente un coefficient de température autant que possible voisin du zéro. According to the current technology of resistive shunts, is generally carried out thereof by means of conductors in the form of or son plates whose resistivity has a temperature coefficient as much as possible adjacent to the scratch.

Lorsqu'on utilise des shunts résistifs pour mesurer des courants importants, par exemple supérieurs à 10 A, les shunts classiques présentent pour inconvénients d'être volumineux, donc difficiles à inclure dans un appareil électrique ou électronique ; When using resistive shunts for measuring high currents, for example greater than 10 A, conventional shunts have the drawbacks of being bulky and difficult to include in an electrical or electronic device; de plus, ces shunts classiques doivent être réalisés en un matériau bien particulier offrant une résistivité à coefficient de température voisin de zéro. moreover, these conventional shunts must be made of a particular material with a resistivity coefficient of close to zero temperature.

L'invention a notamment pour but d'éviter ces inconvénients dans un dispositif de lecture de courants continus ou alternatifs à résistance shunt en adaptant le dispositif à la mesure des fortes intensités, tout en facilitant son inclusion dans un appareil ou module électrique ou électronique. The invention aims in particular to overcome these drawbacks in a direct or alternating currents shunt resistance reading device by adapting the device to the measurement of large currents, while facilitating its inclusion in an appliance or electrical or electronic module.

Elle a pour autre but, lorsque le dispositif de lecture comprend un amplificateur opérationnel, de tirer parti de celui-ci pour corriger les dispersions de fabrication et les dérives de température du shunt. Its another object, when the reading device comprises an operational amplifier, to take advantage of it to correct the dispersions of manufacturing and shunt temperature drifts.

Selon 11 invention, le dispositif de lecture de l'intensité d'un courant électrique du type cité dans le préambule comprend un support électriquement isolant et sur ce support un dépôt de pâte conductrice de faible résistivité en couche épaisse, le dépôt de pâte étant connecté au circuit associé de manière à former la résistance de shunt. 11 according to the invention, the intensity reading device of an electric current of the type mentioned in the preamble comprises an electrically insulating support and on said support a conductive paste deposit low resistivity thick film paste deposit being connected the circuit associated to form the shunt resistor.

I1 en résulte que l'on obtient un dispositif apte à la mesure de fortes intensités et dont la connexion au circuit associé par brasage est facilitée. I1 results obtained a device capable of measuring intensities and whose connection to the associated solder circuit is facilitated. Du fait que la pâte utilisée présente une très faible résistivité, la dissipation de chaleur reste faible et peut, de toute manière, être évacuée par l'application d'un dissipateur thermique au support thermiquement bon conducteur du côté dudit support opposé au dépôt de la couche épaisse. Because the dough used has a very low resistivity, heat dissipation is low and may, anyway, be removed by applying a heat sink to the thermally good conductive support on the side of said support opposite to the deposit of thick layer.

Dans un mode de réalisation préféré, une résistance de liaison avec une entrée de l'amplificateur, de valeur plus faible que celle du shunt, est connectée à la résistance de shunt, en étant constituée par un dépôt ajustable d'une couche épaisse de pâte résistive sur le même support isolant ; In a preferred embodiment, a bonding strength with an input of the amplifier, of lower value than that of the shunt, is connected to the shunt resistor, being constituted by an adjustable depositing a thick film paste resistive on the same insulating support; ce dépôt est de préférence effectué à proximité immédiate du dépôt de la résistance de shunt avec une pâte dont le coefficient de température est identique à celui de la pâte de shunt. this deposition is preferably performed close to the deposit of the shunt resistor with a paste whose temperature coefficient is identical to that of the dough shunt. La résistance de liaison peut ainsi être ajustée par tout procédé habituel en technologie couche épaisse, par exemple par laser, afin de compenser les dispersions de fabrication affectant le shunt et d'étalonner avec précision l'appareil de mesure ou le circuit d'asservissement. The bond strength can therefore be adjusted by any conventional method in thick film technology, for example by laser, to compensate for manufacturing tolerances affecting the shunt and precisely calibrate the measuring device or the servo circuit.

I1 résulte de cette association du shunt et de la résistance de liaison à proximité l'une de l'autre, sur un même support isolant, un faible encombrement, et la possibilité de maintenir les deux résistances sensiblement à la même température, avec pour résultat une excellente fidélité dans la lecture d'intensité. I1 resulting from the association of the shunt and the bonding strength in proximity to each other, on the same insulating support, a small size, and the possibility of maintaining the two resistors at substantially the same temperature, resulting excellent fidelity in reading intensity.

L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description détaillée ci-après. The invention is best understood from the detailed description below.

Au dessin annexé : In the accompanying drawing:
La figure 1 représente schématiquement en coupe le Figure 1 shows schematically in section the
composant à couche épaisse constituant le shunt du component thick-layer constituting the shunt
dispositif de lecture de courant conforme à l'inven current sense device according to the inven
tion. tion.

La figure 2 est une vue en plan du même composant et Figure 2 is a plan view of the same component and
de ses connexions. its connections.

La figure 3 est le schéma d'un circuit utilisant le Figure 3 is a diagram of a circuit using the
composant associé a' un amplificateur. component associated with an amplifier.

La figure 4 est le schéma d'un circuit utilisant le Figure 4 is a diagram of a circuit using the
shunt dans un montage comparateur. shunt in a comparator circuit.

La figure 5 est le schéma d'un circuit utilisant le Figure 5 is the diagram of a circuit using the
shunt dans un montage comparateur à mémoire. shunt in a comparator circuit memory.

Sur la figure 1, le circuit électrique auquel est associée la résistance de shunt n'a pas été représenté. In Figure 1, the electrical circuit to which is associated the shunt resistor is not shown. La résistance de shunt R (figures 1 et 2) est constituée par un dépôt de pâte en couche épaisse 1 sur un support plan 2, la couche épaisse 1 étant reliée, d'une part, au circuit associé par des barrettes de connexion rapportées 3a' 3b et, d'autre part, aux bornes d'entrée inverseuse E1 et non inverseuse E2 d'un amplificateur opérationnel A par des pistes ou fils de connexion respectifs 4 et 5. The shunt resistor R (Figures 1 and 2) is constituted by a thick film paste deposit in one plane on a support 2, the thick layer 1 being connected on the one hand, the circuit associated with connecting strips 3a reported '3b and, on the other hand, to the inverting input terminals E1 and E2 of a non-inverting operational amplifier a by respective connection tracks or son 4 and 5.

Le dépôt 1 constituant le shunt R est formé selon l'invention par une couche épaisse de pâte conductrice offrant une très faible résistivité et une bonne soudabilité, d'un type utilisé généralement pour réaliser des conducteurs, par exemple une pâte à l'argent. Depositing one constituent R shunt is formed according to the invention by a thick layer conductive paste with a very low resistivity and good weldability, of a type generally used to make the conductors, for example a silver paste.

Le support plan 2 de la couche épaisse est électriquement isolant et il est en un matériau présentant une bonne stabilité dimensionnelle, supportant de fortes températures et bon conducteur de la chaleur. The support plane 2 of the thick layer is electrically insulating and is made of a material having good dimensional stability, supporting high temperatures and a good conductor of heat. Le support 2 est par exemple en alumine. The support 2 is, for example alumina. I1 sert également de support aux composants du circuit électrique ou électronique associé ; I1 also serves to support the components of the electrical circuit or associated electronics; ceci est particulièrement avantageux lorsque le circuit associé est du type hybride couche épaisse. This is particularly advantageous when the circuit is associated hybrid thick film type.

Les barrettes de connexion 3a' 3b de la couche épaisse à la partie puissance du circuit sont en cuivre et ont une section suffisante pour travailler à densité de courant faible même lorsque la résistance de shunt R est parcourue par un courant maximal. connecting the webs 3a '3b of the thick layer to the power portion of the circuit are made of copper and have a section sufficient to work at low current density even when the shunt resistor R is traversed by a maximum current. Les barrettes 3a' 3b sont fixées par des brasures respectives 6aw 6b sur des plages opposées 1a' lb de la couche épaisse et elles sont, d'autre part, maintenues mécaniquement par des brasures 7jazz 7b sur des pistes conductrices 8ax 8b déposées sur le support 2 également en technologie couche épaisse. The webs 3a '3b are fixed by respective solders 6AW 6b on opposite tracks 1a' lb of the thick layer and are, on the other hand, mechanically held by solder 7jazz 7b on conductive tracks 8AX 8b deposited on the support 2 also in thick film technology.

Un liseré de verre 9 est déposé sur la couche épaisse 1 du shunt pour éviter aux brasures 6at 6b de se répandre sur le shunt et de modifier sa section et donc sa résistance ohmique. A glass edging 9 is deposited on the thick layer 1 of the shunt to prevent the solders 6AT 6b to spread over the shunt and to amend its section and thus its ohmic resistance.

Un dissipateur thermique 10 est rapporté au support en alumine 2 du côté opposé au dépôt de la couche épaisse 1 pour évacuer les calories dégagées par le passage du courant. A heat sink 10 is attached to the alumina carrier 2 on the side opposite to the deposit of thick film 1 to remove the heat generated by the passage of current.

Les pistes de connexion 4, 5 sont formées par des dépôts en couche épaisse rattachés au shunt près des plages 1a' lb et dans la zone encadrée par le liseré 9 sur un bord de la couche épaisse 1 du shunt qui n'est pas occupé par les connexions des barrettes 3a' 3b ; The connecting tracks 4, 5 are formed by thick film deposits attached to shunt near beaches 1a 'and lb in the boxed area of ​​the border 9 at an edge of the thick layer 1 of the shunt which is not occupied by webs of connections 3a '3b; elles sont reliées aux bornes d'entrée inverseuse Ei et non inverseuse E2 de l'amplificateur opérationnel A. they are connected to terminals inverting input and non-inverting Ei E2 of the operational amplifier A.

Dans le mode de réalisation de la figure 3, la résistance de shunt R sert à la mesure de l'intensité dans le circuit. In the embodiment of Figure 3, the shunt resistor R is used to measure the intensity in the circuit. La sortie 4 du shunt R est reliée à l'entrée inverseuse E1 de l'amplificateur au moyen d'une résistance R1 de compensation et d'ajustement dont le rôle et l'agencement vont être décrits. The output 4 of the R shunt is connected to the inverting input of the amplifier E1 via a resistor R1 and compensating adjustment whose function and arrangement will be described. Une résistance fixe de contre-réaction R2 est disposée entre la borne de sortie S et la borne inverseuse A fixed resistance against feedback R2 is disposed between the output terminal and the inverting terminal S
E1 de l'amplificateur. E1 of the amplifier.

Si V1 est la tension disponible aux bornes 4, 5 du shunt R, la tension Vs disponible à la sortie de l'amplificateur est If V1 is the voltage available at the terminals 4, 5 of R shunt, the voltage Vs available at the output of the amplifier is
R2 VS R2 V1 ou, en désignant par I le courant R2 VS R2 V1 or, denoting by I the current
R1 1 qui parcourt le circuit, V8 R2 R1 I 1 R1 in the circuit, V8 R2 R1 I
R1 R1
Etant donné que la résistance R du shunt a une valeur approximative due à la dispersion des paramètres de fabrication inhérente à la technologie couche épaisse, cette résistance doit être étalonnée ; Since the resistance R of the shunt has an approximate value due to the dispersion inherent manufacturing parameters to the thick layer technology, this resistance must be calibrated; l'étalonnage du shunt R est facilité par le fait que la résistance de liaison R1 est aisément ajustable puisqu'elle est réalisée également par dépôt d'une couche épaisse sur le support isolant 2 à proximité de la couche épaisse 1 du shunt R.Par ajustage dynamique de R1, par exemple par laser, on fixe donc le rapport R à la R shunt calibration is facilitated by the fact that the bond strength R1 is easily adjustable since it is also produced by depositing a thick layer on the insulating support 2 close to the thick layer 1 of the shunt R.Par dynamic adjustment of R1, for example by laser, so the ratio R is fixed to the
R1 valeur souhaitée qui correspond à l'étalonnage de l'appareil de mesure connecté sous la tension Vs. R1 desired value which corresponds to the calibration of the measuring device connected in the voltage Vs.

Dans la deuxième forme d'exécution illustrée par la figure 4, la résistance de shunt R est associée à un amplificateur opérationnel monté en comparateur de tension de façon que la tension de sortie Vs de l'amplificateur passe de l'état logique O à l'état logique 1 lorsque l'intensité du courant électrique I est supérieure à une valeur de seuil IC et vice-versa. In the second embodiment illustrated by Figure 4, the shunt resistor R is associated with an operational amplifier connected as a comparator voltage so that the output voltage Vs of the amplifier transitions from a logic state O in logic state 1 when the intensity of electric current I exceeds a threshold value IC and vice versa.

Si V2 est la tension aux bornes de R1 et i le courant qui traverse R1, Vs passe de O à 1 lorsque V1 devient supérieur à V2, c'est-à-dire pour un seuil IC défini par : If V2 is the voltage across R1 and i is the current through R1, Vs goes from O to 1 when V1 is greater than V2, that is to say, for an IC-defined threshold:
R R
RIC = R1.i, soit IC = R RIC = R1.i or CI = R
La résistance R du shunt a une valeur approximative pour la raison déjà indiquée. R shunt resistor has an approximate value for the reason already stated. La résistance R1 est ici encore réalisée en technologie couche épaisse sur le même support 2 que The resistor R1 is again made of thick film technology on the same substrate 2 as
R est à proximité immédiate de celle-ci. R is close to it. Par ajustage dyna By adjusting dyna
R1 mique de R1, par exemple au laser, on fixe le rapport R à une valeur désirée qui correspond à la valeur souhaitée du seuil de courant IC produisant le changement d'état de la sortie de l'amplificateur. R1 R1 nomic, for example by laser, is fixed the ratio R at a desired value which corresponds to the desired value of current IC threshold producing the change of state of the output of the amplifier.

Dans les modes de réalisation des figures 3 et 4, l'étalonnage et respectivement le réglage du seuil d'intensité dépendent du rapport des valeurs ohmiques du shunt R et de la résistance d'entrée R1, ce rapport étant ajusté par le réglage de R1 avec une très grande précision. In the embodiments of Figures 3 and 4, calibration and respectively adjusting the intensity threshold depends on the ratio of resistance values ​​of the shunt R and R1 input resistance, this ratio being adjusted by the R1 adjustment with great precision.

Il convient de noter que la pâte résistive constituant la résistance d'entrée R1 a le même coefficient de température que la pâte conductrice constituant la résistance de shunt It should be noted that the resistive paste constituting the R1 input resistor has the same temperature coefficient as the conductive paste constituting the shunt resistor
R ; R; ceci permet, et du fait que la résistance de shunt et la résistance d'entrée sont positionnées sur le même support 2 isolant mais thermiquement conducteur et le plus près possible l'une de l'autre, lors d'un changement de la température R ambiante, de conserver une valeur constante au rapport R ceci compensant la dérive de température du shunt. this enables, and the fact that the shunt resistor and the input resistor are positioned on the same support 2 insulating but thermally conductive and as close as possible to each other, during a change of the temperature R ambient, to maintain a constant value in this ratio R shunt compensating temperature drift. 1 1
Dans une variante du deuxième mode de réalisation (figure 5), la sortie S de l'amplificateur opérationnel comparateur est reliée à l'entrée inverseuse E1 par l'intermédiaire d'une résistance R5 en série avec une diode D1. In a variant of the second embodiment (Figure 5), the S output of the operational amplifier comparator is connected to the inverting input E1 via a resistor R5 in series with a diode D1.

De ce fait, la tension de sortie Vs du comparateur est portée à l'état logique 1 lorsque la tension de mesure V1 devient plus grande que la tension de seuil V2 et reste maintenue à l'état 1 lorsque V1 redevient plus petite que Therefore, the output voltage Vs of the comparator is brought to the logic state 1 when the measuring voltage V1 becomes larger than the threshold voltage V2, is maintained in state 1 when V1 becomes smaller than
V2. V2. On.mémorise que la valeur du courant I du circuit à surveiller dépasse le seuil prédéterminé. On.mémorise that the value of current I of the circuit to be monitored exceeds the predetermined threshold.

I1 va de soi que l'on peut apporter au mode de réalisation décrit des modifications sans sortir du cadre de l'invention. I1 is obvious that we can bring to the embodiment described modifications within the scope of the invention. Le dispositif de lecture décrit est applicable à tous appareils de mesure, de protection, de commande ou de régulation, en particulier dans des redresseurs, onduleurs ou convertisseurs. The reading device described is applicable to all measuring devices, protection, control or regulation, particularly rectifiers, inverters and converters.

Claims (11)

    Revendications de brevet Patent Claims
  1. 1. Dispositif de lecture d'un courant électrique de forte intensité dans un circuit électrique ou électronique, ce dispositif comprenant une résistance dite shunt susceptible d'être traversée par le courant, la chute de tension correspondant aux bornes de la résistance étant tranmise à un amplificateur opérationnel qui délivre à sa sortie un signal exploitable par un appareil de mesure, de protection ou de commande ou dans une boucle de régulation de courant, caractérisé par le fait que le dispositif de lecture d'intensité comprend un support électriquement isolant (2) et sur ce support un dépôt de pâte conductrice de faible résistivité en couche épaisse (1), le dépôt de pâte étant connecté au circuit associé de manière à former la résistance de shunt (R). 1. A device for reading an electric current of high intensity in an electric or electronic circuit, said device comprising a so-called shunt resistor capable of being traversed by the current, the voltage drop corresponding to the resistance terminals being a tranmise operational amplifier which delivers at its output a signal usable by a measuring device, protection or control or a power control loop, characterized in that the intensity reading device comprises an electrically insulating support (2) and on said support a conductive paste deposit low resistivity thick film (1), deposition of paste being connected to the associated circuit to form the shunt resistor (R).
  2. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'une résistance d'ajustement (R1 2. Device according to Claim 1, characterized in that a trimming resistor (R1
    R2) est reliée à une entrée (E1) de l'amplificateur, cette résistance étant ajustable et constituée par un dépôt en couche épaisse de pâte résistive disposée sur un support électriquement isolant. R2) is connected to an input (E1) of the amplifier, this resistance being adjustable and consists of a deposit of thick film resistance paste disposed on an electrically insulating support.
  3. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait que le support électriquement isolant de la couche épaisse formant la résistance d'ajustement (R1, R2) est constitué par le support (2) de la couche épaisse (1) du shunt (R). 3. Device according to claim 2, characterized in that the electrically insulating support of the thick film forming the trimming resistor (R1, R2) consists of the support (2) of the thick layer (1) of the shunt ( R).
  4. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait qu'une résistance de compensation (R1, R2) est reliée à une entrée (E1) de l'amplificateur, cette résistance étant constituée par un dépôt en couche épaisse d'une pâte résistive sur un support électriquement isolant, cette pâte présentant une résistivité à coefficient de température sensiblement identique à celui de la pâte du shunt (R), et par le fait que la résistance de liaison- (R1) est disposée sur le support (2) au voisinage immédiat de la résistance de shunt (R). 4. Device according to one of claims 1 to 3, characterized in that a compensating resistor (R1, R2) is connected to an input (E1) of the amplifier, the resistor being formed by a deposition layer thick of a resistive paste on an electrically insulating support, said dough having a resistivity substantially the same temperature coefficient to that of the dough of the shunt (R), and in that the resistance liaison- (R1) is arranged on the support (2) adjacent to the shunt resistor (R).
  5. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé par le fait que le support électriquement isolant de la couche épaisse formant la résistance de compensation (R1, R2) est constitué par le support (2) de la couche épaisse (1) du shunt (R), et par le fait que la résistance de compensation est disposée sur le support (2) au voisinage immédiat du shunt (R). 5. Device according to claim 4, characterized in that the electrically insulating support of the thick film forming the compensating resistor (R1, R2) consists of the support (2) of the thick layer (1) of the shunt (R ), and in that the compensation resistor is arranged on the support (2) in the immediate vicinity of the shunt (R).
  6. 6. Dispositif selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé par le fait que la résistance d'ajustement et la résistance de compensation sont constituées par une même résistance (R1, R2). 6. Device according to one of Claims 4 and 5, characterized in that the resistance adjusting and compensating resistor are constituted by a single resistor (R1, R2).
  7. 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que le shunt (R) est connecté au circuit par l'intermédiaire de barrettes de connexion (3a 3b) reposant, d'une part, sur des plages marginales (la, lb) de la couche épaisse (1) et, d'autre part, sur des pistes (8a 8b) constituées par une couche épaisse déposée sur le support électriquement isolant (2). 7. Device according to one of claims 1 to 6, characterized in that the shunt (R) is connected to the circuit via connection webs (3a 3b) resting on the one hand, on marginal ranges (la, lb) of the thick layer (1) and, secondly, on tracks (8a 8b) constituted by a thick layer deposited on the electrically insulating support (2).
  8. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé par le fait qu'il est prévu au bord du shunt (R) des pistes (4, 5) de connexion avec les entrées (E1, E2) de l'amplificateur, ces pistes étant déposées en couche épaisse près des plages < 1a' lb) de connexion des barrettes sur un bord du shunt qui n'est pas occupé par lesdites plages. 8. Device according to claim 7, characterized in that there is provided at the edge of the shunt (R) of the tracks (4, 5) for connection with the inputs (E1, E2) of the amplifier, these tracks being deposited thick layer near beaches <1a 'lb) webs connecting an edge of the shunt which is not occupied by said pads.
  9. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait que la résistance de shunt (R) est reliée par l'intermédiaire de la résistance d'ajustement et/ou de compensation (R1) à l'entrée inverseuse (E1) d'un amplificateur à sortie analogique. 9. Device according to one of claims 1 to 8, characterized in that the shunt resistor (R) is connected via the resistance adjustment and / or compensation (R1) to the inverting input (E1) of an analog output amplifier.
  10. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait que la résistance de shunt (R) est reliée par l'intermédiaire de la résistance d'ajustement et/ou de compensation (R1) à l'entrée inverseuse (E1) d'un amplificateur opérationnel comparateur. 10. Device according to one of claims 1 to 9, characterized in that the shunt resistor (R) is connected via the resistance adjustment and / or compensation (R1) to the inverting input (E1) of an operational amplifier comparator.
  11. 11. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que le circuit associé au shunt (R) est du type hybride couche épaisse et comprend des composants disposés sur le support électriquement isolant (2) du shunt. 11. Device according to one of claims 1 to 10, characterized in that the circuit associated with the shunt (R) is of the hybrid type thick layer and comprises components disposed on the electrically insulating carrier (2) of the shunt.
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