FR2496362A1 - Isolated input power switching transistor control circuit - has opto-isolator or pulse transformer input pulse to initiate transistor turn on with self sustaining action and blocking - Google Patents

Isolated input power switching transistor control circuit - has opto-isolator or pulse transformer input pulse to initiate transistor turn on with self sustaining action and blocking Download PDF

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FR2496362A1
FR2496362A1 FR8026414A FR8026414A FR2496362A1 FR 2496362 A1 FR2496362 A1 FR 2496362A1 FR 8026414 A FR8026414 A FR 8026414A FR 8026414 A FR8026414 A FR 8026414A FR 2496362 A1 FR2496362 A1 FR 2496362A1
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Jean-Claude Guillon
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Thomson-Brandt SA
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Abstract

Control impulses or variable delays are generated in a part tied to a cold earth. Only the input, driver and switching circuit are powered directly by a rectifier connected to the supply. Four foward biased diodes in series connected to the power transistor emitter provide passive security by blocking the transistor in the absence of a control signal. Control signal input isolation is provided by a pulse transformer or opto-isolator. The phototransistor or pulse transformer output transistor has an anti-saturation diode connected to its collector which is connected to the base of the first of the driver transistor pair. A secondary winding of the power transformer is connected by diodes and a limiting resistor to the power transistor to provide self-drive in the saturated state. Turing the control transistor on blocks the driver transistors switching on the power output transistor. The emitter diodes are bridged by a long time constant capacitor reservoir. The two diodes in series providing regenerative feedback are connected by resistor to the supply to lower the level necessary to start saturation using the feedback winding and by an anti-saturation diode to the collector of the output transistor. This limits the base voltage to within five times the forward biasses diode voltage drop.

Description

CIRCUIT DE COMMANDE D'UN TRANSISTOR DE COMMUTATION
DE PUISSANCE ET DISPOSITIF LE COMPORTANT
L'invention concerne un circuit de commande d'un transistor de puissance comprenant un élément d'isolement galvanique à son entrée, tel qu'un photocoupleur ou un transformateur d'impulsions commandant un transistor de commutation. L'utilisation d'un photocoupleur permet d'atteindre une rigidité diélectrique d'isolement de 4 à 10 kV environ.
CONTROL CIRCUIT OF A SWITCHING TRANSISTOR
POWER AND DEVICE COMPRISING SAME
The invention relates to a control circuit for a power transistor comprising a galvanic isolation element at its input, such as a photocoupler or a pulse transformer controlling a switching transistor. The use of a photocoupler makes it possible to achieve an insulating dielectric strength of 4 to 10 kV approximately.

Dans les circuits de commande généralement utilisés, notamment, dans les dispositifs d'alimentation à découpage ou onduleurs, c'est-à-dire des convertisseurs continu-continu ou continu-alternatif, où le trajet collecteur-émetteur d'un transistor de commutation de puissance est généralement inséré avec une inductance de découpage ou de commutation qui emmagasine une énergie (LI2MAX/2) croissante avec la durée de l'état saturé du transistor et la restitue sous la forme d'une impulsion de tension pendant l'état bloqué de celui-ci, la commande de sa base nécessite généralement une puissance non-négligeable fournie par un circuit d'attaque qui peut comporter un étage d'amplification équipé d'un transistor de commutation et d'un transformateur d'impulsions (voir, par exemple, l'article de PEGLAU paru aux pages 235 à 238 du nO 8, de la revue allemande "FUNKSCHAU" de l'année 1971, ou les articles de HETTERSCHEID et de HETTERSCHEID et VAN SCHAIK parus respectivement aux pages 131 à 140 et 203 à 215 de la revue américaine trimestrielle "IEEE TRANSACTIONS ON BROADCAST
AND TELEVISION RECEIVERS", volume BTR-16, numéros 2 et 3, des mois de mai et d'août 1970 ou encore dans les articles de VAN
SCHAIK respectivement intitulés "AN INTRODUCTION TO SWITCHED MODE POWER SUPPLIES IN TV RECEIVERS" et "CONTROL CIRCUITS FOR SMPS IN TV RECEIVERS", respec
tivement parus dans la revue britannique "MULLARD TECHNICAL
COMMUNICATIONS" numéro 135, de mois de juillet 1977, aux pages 181 à 195, ainsi que dans la revue néerlandaise de langue anglaise "PHILIPS' ELECTRONIC APPLICATION BULLETIN" volume 34, numéro 3, aux pages 93 à 108, de l'année 1976, et aux pages 210 à 226 du numéro 136, du mois d'octobre 1977 de la première de ces revues et aux pages 162 à 180 du volume 34, numéro 4, de l'année 1976 de la seconde de celles-ci). Dans la publication EP-A 0 005 391 antérieure de la demanderesse, on a également proposé d'utiliser comme étage "d'attaque" (appelé "driver" en anglais) la combinaison en cascade d'un étage déphaseur (appelé "phase-splitter" en anglais) et d'un montage amplificateur de puissance du type "push-pull série" composé de transistors bipolaires à jonction et fréquemment utilisé dans les circuits intégrés logiques de type TTL.
In the control circuits generally used, in particular, in switching power supply devices or inverters, that is to say DC-DC or DC-AC converters, where the collector-emitter path of a switching transistor power is generally inserted with a chopping or switching inductor which stores an energy (LI2MAX / 2) increasing with the duration of the saturated state of the transistor and restores it in the form of a voltage pulse during the blocked state of the latter, the control of its base generally requires a non-negligible power supplied by a drive circuit which may include an amplification stage equipped with a switching transistor and a pulse transformer (see, for example, the article by PEGLAU published on pages 235 to 238 of No. 8, of the German review "FUNKSCHAU" of the year 1971, or the articles by HETTERSCHEID and HETTERSCHEID and VAN SCHAIK published respectively on pages 131 to 140 and 203 to 215 from the American quarterly magazine "IEEE TRANSACTIONS ON BROADCAST
AND TELEVISION RECEIVERS ", volume BTR-16, numbers 2 and 3, from the months of May and August 1970 or in the articles of VAN
SCHAIK respectively entitled "AN INTRODUCTION TO SWITCHED MODE POWER SUPPLIES IN TV RECEIVERS" and "CONTROL CIRCUITS FOR SMPS IN TV RECEIVERS", respec
published in the British journal "MULLARD TECHNICAL
COMMUNICATIONS "number 135, from July 1977, on pages 181 to 195, as well as in the Dutch English-language journal" PHILIPS 'ELECTRONIC APPLICATION BULLETIN "volume 34, number 3, on pages 93 to 108, from the year 1976 , and on pages 210 to 226 of number 136, of the month of October 1977 of the first of these journals and on pages 162 to 180 of volume 34, number 4, of the year 1976 of the second of these). In the applicant's previous publication EP-A 0 005 391, it has also been proposed to use as the "attack" stage (called "driver" in English) the cascade combination of a phase-shifting stage (called "phase- splitter "in English) and a power amplifier assembly of the" push-pull series "type composed of bipolar junction transistors and frequently used in logic integrated circuits of TTL type.

Un autre procédé de commande de la base d'un transistor de commutation utilise, dans son circuit de base, un enroulement de réaction magnétiquement couplé soit à l'inductance de commutation, comme c'est, par exemple, le cas dans les publications DE-B -21 60 659, 23 36 11Q et 24 17 628 (ou FR-A- 2 267 654) de SIEMENS
AKTIENGESELSCHAFT, dans les articles de DANGSCHAT respectivement parus aux pages 245 à 255 de la revue américaine "IEEE
TRANSACTIONS ON BROADCAST AND TELEVISION RECEIVERS", volume BTR-17, numéro 4 du mois de novembre 1971, aux pages 782 à 784 de la revue allemande "FUNK-TECHNIK" numéro 20, de l'année 1971 et de DANGSCHAT et al. aux pages 40 à 43 de la revue allemande "FUKSCHAU" numéro 5, de l'année 1975, dans les publications FR-A- 2 345 762, 2 447 639 et 2 448 820, ainsi que dans la demande de brevet français n0 79 16905 du 29 juin 1979 de la présente demanderesse, soit à l'enroulement primaire d'un transformateur de courant, qui est connecté dans le circuit-collecteur du transistor de commutation, en série avec l'inductance de commutation, comme c'est le cas, par exemple, dans la publication FR-A
1 403 260 ou dans la demande de brevet français n" 80 14912 du 4 juillet 1980 de la demanderesse.Dans les circuits auto-oscillants (du type oscillateur bloqué, dit "blocking oscillator" en anglais ou "Sperrschwinger" en allemand) ou auto-excités, la conduction et la saturation du transistor de commutation résulte d'un processus cumulatif dû à la réaction et son blocage résulte de l'amorçage d'un thyristor court-circuitant l'enroulement de réaction et permettant, éventuellement, l'application simultanée d'une tension de polarisation négative entre la base et émetteur de ce transistor afin d'accélérer l'évacuation des porteurs minoritaires stockés dans la base pendant sa saturation, c'est-à-dire de réduire le temps de stockage t5 (dit "storage time" en anglais) qui provoque un retard supplémentaire lors du blocage du transistor. ll est connu de disposer à cette fin une "pile" dont le pale positif est couplé à l'émetteur du transistor de commutation et dont le pôle négatif est couplé, par l'intermédiaire du thyristor amorçé, à la base de ce transistor.Dans la publication DE-A- 21 60 659 et les deux premiers articles de DANGSCHAT précités, cette "pile" se compose d'un condensateur (8, C1) de forte valeur (100 microfarads) chargé positivement à travers une diode (32, D8-B2540) par un enroulement (9-33, 7-8) secondaire du transformateur (4, AZ 3600) dont l'enroulement primaire (3, 1-4) constitue l'inductance de commutation située dans le circuit collecteur du transistor de commutation (1, T2).Dans la demande de brevet français n" 80 14912 cette pile (80) est constituée par plusieurs diodes connectées en série pour conduire dans le même sens que la jonction base-émetteur du transistor de commutation, branchées en parallèle avec un condensateur conservant sa charge pendant le blocage des diodes, l'ensemble étant inséré entre la base de ce transistor et l'une des bornes de l'enroulement de réaction dont l'autre borne est couplée, par l'intermédiaire d'une résistance de mesure de son courant de base, à l'émetteur de celuici, le thyristor étant couplé en parallèle avec cet enroulement.
Another method of controlling the base of a switching transistor uses, in its basic circuit, a reaction winding magnetically coupled either to the switching inductance, as is, for example, the case in the publications DE -B -21 60 659, 23 36 11Q and 24 17 628 (or FR-A- 2 267 654) from SIEMENS
AKTIENGESELSCHAFT, in the articles of DANGSCHAT respectively published on pages 245 to 255 of the American review "IEEE
TRANSACTIONS ON BROADCAST AND TELEVISION RECEIVERS ", volume BTR-17, number 4 of the month of November 1971, on pages 782 to 784 of the German review" FUNK-TECHNIK "number 20, of the year 1971 and of DANGSCHAT et al. pages 40 to 43 of the German review "FUKSCHAU" number 5, of the year 1975, in the publications FR-A- 2 345 762, 2 447 639 and 2 448 820, as well as in the French patent application n ° 79 16905 of June 29, 1979 of the present applicant, either to the primary winding of a current transformer, which is connected in the collector circuit of the switching transistor, in series with the switching inductance, as is the case , for example, in publication FR-A
1,403,260 or in French patent application no. 80 14912 of July 4, 1980 by the applicant. In self-oscillating circuits (of the blocked oscillator type, known as "blocking oscillator" in English or "Sperrschwinger" in German) or auto -excited, the conduction and saturation of the switching transistor results from a cumulative process due to the reaction and its blocking results from the ignition of a thyristor short-circuiting the reaction winding and possibly allowing application simultaneous negative bias voltage between the base and emitter of this transistor in order to accelerate the evacuation of minority carriers stored in the base during its saturation, i.e. to reduce the storage time t5 (called "storage time" in English) which causes an additional delay during the blocking of the transistor. It is known to have for this purpose a "battery" whose positive blade is coupled to the emitter of the switching transistor and whose negative pole is coupled by via the primed thyristor, at the base of this transistor. In publication DE-A- 21 60 659 and the first two articles of DANGSCHAT mentioned above, this "battery" consists of a capacitor (8, C1) of strong value (100 microfarads) positively charged through a diode (32, D8-B2540) by a secondary winding (9-33, 7-8) of the transformer (4, AZ 3600) including the primary winding (3, 1-4 ) constitutes the switching inductor located in the collector circuit of the switching transistor (1, T2). In French patent application No. 80 14912 this battery (80) is constituted by several diodes connected in series to drive in the same sense that the base-emitter junction of the switching transistor, connected in parallel with a capacitor retaining its charge during the blocking of the diodes, the assembly being inserted between the base of this transistor and one of the terminals of the reaction winding the other terminal of which is coupled, via a measuring resistor e of its base current, to the emitter thereof, the thyristor being coupled in parallel with this winding.

Dans la publication DE-A- 23 04 545 (PHILIPS), la "pile" se trouve insérée entre l'émetteur du transistor de commutation de type NPN et le pôle d'alimentation négatif et comporte un condensateur qui est chargé par le courant émetteur de celui-ci. En parallèle avec le condensateur on a prévu une résistance ou une diode Zener aux bornes de laquelle le courant émetteur provoque une chute de tension qui est appliquée, lors du blocage du transistor au moyen d'un interrupteur électronique réunissant la base au pôle négatif précité, qui court- cir cuite également l'enroulement de réaction, à la jonction base-émetteur de celui-ci, de manière à la polariser à l'envers.  In publication DE-A- 23 04 545 (PHILIPS), the "battery" is inserted between the emitter of the NPN switching transistor and the negative power pole and comprises a capacitor which is charged by the emitter current of it. In parallel with the capacitor, a resistance or a Zener diode is provided at the terminals of which the emitting current causes a voltage drop which is applied, when the transistor is blocked by means of an electronic switch uniting the base with the aforementioned negative pole, which also short-circuits the reaction winding, at the base-emitter junction of it, so as to polarize it upside down.

Lorsqu'un dispositif d'alimentation par découpage est du type dit à "accumulation" (appelé "flyback" dans la littérature angloaméricaine), l'énergie emmagasinée dans l'inductance de découpage (L I2MAX/2) est restituée pendant l'intervalle de blocage du transistor, à l'aide d'une diode de redressement dont la cathode est reliée à la jonction de l'inductance de découpage avec le collecteur du transistor (charge non-isolée) ou dont l'une des électrodes est reliée à l'une des bornes d'un enroulement secondaire magnétiquement couplé à l'inductance de découpage et dont l'autre électrode est réunie au moyen d'un autre condensateur de filtrage à l'autre borne -de cet enroulement secondaire.La diode de redressement conduit alors, pendant les intervalles de blocage du transistor, un courant linéairement décroissant qui charge cet autre condensateur de filtrage à une tension de sortie Vs qui est, notamment, fonction de l'énergie emmagasinée, du rapport de transformation entre le primaire et le secondaire et de la composante résistive de l'impédance connectée entre les bornes de cet autre condensateur.La valeur de la tension d'alimentation VA entre les bornes de sortie du montage redresseur étant déterminée par le réseau alternatif pouvant fluctuer, l'inducance de découpage LD ou de commutation et le rapport de transformation étant des constantes données du circuit, le principal élément permettant une régulation de la tension de sortie
VS est constitué par le rapport entre la durée de l'intervalle de saturation du transistor TS et soit la durée de son intervalle de
blocage TB, soit la somme des durées (T5 + TB) respectives des intervalles de saturation TS et de blocage TB, qui est égale à la
période de répétition ou de récurrence T R du dispositif d'alimen
tation. Ce rapport TS/TR = TS/Ts + TB constitue alors le rapport
cyclique (dit "duty cycle" ou "time ratio" dans la littérature anglo
américaine).
When a chopping supply device is of the so-called "accumulation" type (called "flyback" in Anglo-American literature), the energy stored in the chopping inductor (L I2MAX / 2) is restored during the interval for blocking the transistor, using a rectifying diode the cathode of which is connected to the junction of the chopping inductor with the collector of the transistor (non-isolated load) or one of the electrodes of which is connected to one of the terminals of a secondary winding magnetically coupled to the chopping inductor and the other electrode of which is connected by means of another filtering capacitor to the other terminal - of this secondary winding. then leads, during the transistor blocking intervals, a linearly decreasing current which charges this other filtering capacitor to an output voltage Vs which is, in particular, a function of the stored energy, of the transformation ratio between the primary and the and the resistive component of the impedance connected between the terminals of this other capacitor. The value of the supply voltage VA between the output terminals of the rectifier assembly being determined by the alternating network being able to fluctuate, the switching inducance LD or switching and the transformation ratio being given constants of the circuit, the main element allowing a regulation of the output voltage
VS is constituted by the ratio between the duration of the saturation interval of the transistor TS and either the duration of its interval of
TB blocking, i.e. the sum of the respective durations (T5 + TB) of the TS saturation and TB blocking intervals, which is equal to the
feed device repeat or recurrence period TR
tation. This TS / TR = TS / Ts + TB ratio then constitutes the ratio
cyclical (called "duty cycle" or "time ratio" in English literature
American).

Le rapport cyclique peut alors être varié par la variation de la durée, soit de l'intervalle de saturation T5 en maintenant la période de récurrence TR constante, soit de cette dernière TR (ou de son inverse qui est la fréquence de répétition FR) ave( !In intervalle de saturation TS constant, en vue de maintenir une tension de sortie Vs constante quelle que soit la tension d'alimentation VA ou la valeur moyenne du courant redressé ïRM consommé par la charge (à l'intérieur d'une plage de régulation prédéterminée).Dans les dispositifs des publications DE-B- 21 60 659, 23 36 111 et 24 17 628 -(= FR-A- 2 267 654) précitées, c'est notamment la fréquence de répétition FR qui varie avec la charge et la durée de l'intervalle de saturation TS qui varie avec la tension d'alimentation VA dérivée du réseau.Dans le dispositif decrit dans la publication FR-A- 2 345 762 précitée de la demanderesse, la fréquence de répétition FR déterminée par un générateur d'impulsions est sensiblement constante et les durées respectives des états saturé TS et bloqué TB du transistor de commutation, dont la somme (TS 4 TB = TR) est donc constante, varient conjointement dans des sens inverses, simultanément selon des fonctions respectives de la puissance consommée par la charge, de la tension d'alimentation A continue et de la tension de sortie Vs, en vue de maintenir cette dernière constante. The duty cycle can then be varied by varying the duration, either of the saturation interval T5 while keeping the recurrence period TR constant, or of this latter TR (or its inverse which is the repetition frequency FR) with (! In constant saturation interval TS, in order to maintain an output voltage Vs constant regardless of the supply voltage VA or the average value of the rectified current ïRM consumed by the load (within a range of In the arrangements of publications DE-B- 21 60 659, 23 36 111 and 24 17 628 - (= FR-A- 2 267 654) mentioned above, it is in particular the frequency of repetition FR which varies with the load and the duration of the saturation interval TS which varies with the supply voltage VA derived from the network. In the device described in the aforementioned publication FR-A- 2 345 762 of the applicant, the repetition frequency FR determined by a pulse generator is substantially constant and l he respective durations of the saturated TS and blocked TB states of the switching transistor, the sum of which (TS 4 TB = TR) is therefore constant, vary jointly in opposite directions, simultaneously according to respective functions of the power consumed by the load, of the supply voltage A continues and the output voltage Vs, in order to maintain the latter constant.

Dans un autre type de dispositif décrit dans la publication DE
B- 1 234 836, où l'interrupteur électronique de découpage est rendu bidirectionnel en connectant une diode en anti-parallèle avec le trajet collecteur-émetteur du transistor de commutation qui est commandé sur sa base par des signaux rectangulaires à fréquence et à rapport cyclique constants et ou l'inductance de découpage constituée par l'enroulement primaire d'un transformateur (T.H.T.) forme un circuit résonnant parallèle avec un condensateur d'accord, pendant l'ouverture de l'interrupteur et qui est connecté en parallèle avec ce dernier, c'est cette période de résonance qui détermine la durée de l'ouverture de l'interrupteur.En effet, lorsque le transistor préalablement saturé et conduisarlt un courant collecteur linéairement croissant qui parcourt l'inductance de découpage, est com mandé sur sa base pour être bloqué, I'interrupteur bidirectionnel qu'il forme avec la diode en anti-parallèle s'ouvre après l'évacuation des porteurs minoritaires stockés dans sa base (c'est-à-dire après un temps de stockage dont la durée est fonction des courants collecteur et base du transistor à l'instant de l'application d'une polarisation inverse ou nulle à sa jonction base-émetteur, augmenté du temps de retard à la décroissance propre à chaque type de transistor même sans saturation), et l'inductance de découpage entre en résonance avec le condensateur d'accord pour un peu plus d'une demi-période d'oscillation sinusoîdale de la tension à ses bornes et cosinusoîdale du courant, de la manière classique des étages de sortie de balayage-ligne à transistor. Dans ce circuit, la régulation de la tension de sortie Vs redressée et filtrée après prélèvement aux bornes d'un enroulement secondaire du transformateur, est effectuée par la variation en foncfion de celle-ci, du retard de phase entre l'instant d'ouverture de cet interrupteur et l'instant de connection, à l'aide d'un autre interrupteur électronique bidirectionnel, d'un autre condensateur d'accord en parallèle avec le premier afin de modifier la durée de la demi-période de résonance.
In another type of device described in the publication DE
B- 1 234 836, where the electronic switching switch is made bidirectional by connecting a diode in anti-parallel with the collector-emitter path of the switching transistor which is controlled on its basis by rectangular signals with frequency and duty cycle constant and or the chopping inductance constituted by the primary winding of a transformer (THT) forms a parallel resonant circuit with a tuning capacitor, during the opening of the switch and which is connected in parallel with the latter , it is this period of resonance which determines the duration of the opening of the switch. Indeed, when the transistor saturated beforehand and conducts a collector current linearly increasing which crosses the chopping inductance, is controlled on its base to be blocked, the bidirectional switch it forms with the anti-parallel diode opens after the evacuation of the minority carriers stored in its base (i.e. after a n storage time, the duration of which is a function of the collector and base currents of the transistor at the time of application of a reverse or zero polarization at its base-emitter junction, increased by the delay time for decay specific to each type of transistor even without saturation), and the chopping inductor resonates with the tuning capacitor for a little more than half a period of sinusoidal oscillation of the voltage across its terminals and cosine of the current, in the way classic of the scanning-line transistor output stages. In this circuit, the regulation of the output voltage Vs rectified and filtered after sampling at the terminals of a secondary winding of the transformer, is carried out by the variation in function thereof, of the phase delay between the opening time of this switch and the instant of connection, using another bidirectional electronic switch, of another tuning capacitor in parallel with the first in order to modify the duration of the half-resonance period.

Lorsque le retard est supérieur à la demi-période du circuit résonnant primitif i il nty a pas de régulation, mais lorsqu'il est inférieur à celle-ci, il a pour effet de la prolonger de façon à faire décroître la durée de l'intervalle de fermeture de l'interrupteur et, par conséquent, l'énergie emmagasinée dans l'inductance de découpage. Lorsque la tension d'oscillation, modifiée ou non, après son premier passage par zéro, dépasse le seuil de conduction de la diode anti-parallèle, celle-ci devient polarisée en direct de façon à refermer l'interrupteur et à conduire un courant négatif linéairement croissant vers une valeur nulle, à travers l'inductance de découpage, dans la source d'alimentation continue, d'où l'appellation de la diode dite de récupération parallèle ou shunt dans les étages de sortie de balayage-ligne.Il est. à remarquer que le signal rectangulaire commandant la base du transistor de commutation devra maintenir celui-ci bloqué au-delà de la fin de la demi-période de résonance de durée maximale qui correspond à un retard minimal ou nul, où les deux condensateurs d'accord sont connectées en parallèle dès l'instant du blocage du transistor de commutation, le dispositif fournissant alors sur sa sortie une tension Vs minimale. La limite supérieure de la durée des signaux de blocage du transistor n'est pas critique, grâce à la présence de la diode anti-parallèle, car la jonction base-émetteur du transistor de commutation ne devra être polarisée en direct que peu avant l'annulation du courant à travers cette diode anti-parallèle. En résumé, ce dispositif comporte un générateur de retard variable en fonction d'une tension. When the delay is greater than the half-period of the primitive resonant circuit i there is no regulation, but when it is less than this, it has the effect of prolonging it so as to decrease the duration of the switch closing interval and, therefore, the energy stored in the chopping inductor. When the oscillation voltage, modified or not, after its first zero crossing, exceeds the conduction threshold of the anti-parallel diode, it becomes forward biased so as to close the switch and conduct a negative current linearly increasing to a zero value, through the chopping inductor, in the DC power source, hence the name of the diode called parallel or shunt recovery in the scan- line output stages. . note that the rectangular signal controlling the base of the switching transistor must keep it blocked beyond the end of the resonance half-period of maximum duration which corresponds to a minimum or zero delay, where the two capacitors tuning are connected in parallel from the moment of blocking of the switching transistor, the device then supplying a minimum voltage Vs at its output. The upper limit of the duration of the transistor blocking signals is not critical, thanks to the presence of the anti-parallel diode, since the base-emitter junction of the switching transistor should only be biased live shortly before the cancellation of the current through this anti-parallel diode. In summary, this device comprises a variable delay generator as a function of a voltage.

Dans un dispositif d'alimentation à découpage combiné à un étage de sortie de balayage-ligne, décrit par exemple, dans les publications FR-A- 2 275 092 et US-A- 3 999 102 (modes de réalisation des figures 6 et 14) ou FR-A- 2 425 186 et EP-A- O 005 391, les circuits de découpage ainsi que les étages sortie de balayage-ligne comportent respectivement des interrupteurs bidirectionnels du type décrit et des condensateurs d'accord de leurs inductances de commutation (qui dans le cas des étages de sortie s'appellent respectivement condensateur de retour et bobines de déviation-ligne en parallèle avec un premier enroulement du transformateur-ligne). In a switching power supply device combined with a scan-line output stage, described for example, in the publications FR-A- 2 275 092 and US-A- 3 999 102 (embodiments of FIGS. 6 and 14 ) or FR-A- 2 425 186 and EP-A- O 005 391, the cutting circuits as well as the scanning-line output stages respectively comprise bidirectional switches of the type described and capacitors tuning their switching inductances (which in the case of the output stages are called respectively return capacitor and deflection-line coils in parallel with a first winding of the transformer-line).

L'étage de sortie n'est plus relié ici à une source de tension continue, mais les bobines de déviation sont montées en série avec un condensateur dit "d'effet S" ou "d'aller" (car c'est lui qui les alimente en tension pendant les intervalles d'aller du balayage-ligne) et le premier enroulement est montée en série avec un autre condensateur dit d'alimentation (car c'est lui qui alimente cet étage et qui est chargé à l'aide du circuit de découpage).The output stage is no longer connected here to a DC voltage source, but the deflection coils are connected in series with a capacitor called "S effect" or "go" (because it is he who supplies them with voltage during the sweep-line intervals) and the first winding is connected in series with another so-called supply capacitor (because it is this which supplies this stage and which is charged using the cutting circuit).

Le circuit de découpage est, par contre, alimenté à l'aide d'un montage redresseur fournissant une haute tension continue, entre les bornes duquel sont connectés en série l'inductance de découpage et l'interrupteur bidirectionnel, avec le condensateur d'accord en parallèle soit avec l'un, soit avec l'autre. Un second enroulement du transformateur-ligne, bien isolé du premier, constitue ou fait partie de l'inductance de découpage, de sorte que le transfert d'énergie entre les deux circuits s'effectue par l'intermédiaire de ce transformateur.La demi-période de résonance du circuit résonnant parallèle formé par les bobines de déviation, le premier enroulement et le condensateur de retour détermine la durée de l'intervalle de retourligne qui est normalisée pour chaque standard (12 microsecondes pour les standards européens de 625 lignes par image et 25 images par seconde comportant chacune deux trames entrelacées). The cutting circuit is, on the other hand, supplied with the aid of a rectifier assembly providing a high direct voltage, between the terminals of which the cutting inductance and the bidirectional switch are connected in series, with the tuning capacitor in parallel either with one or with the other. A second winding of the line transformer, well isolated from the first, constitutes or forms part of the chopping inductor, so that the transfer of energy between the two circuits takes place via this transformer. resonance period of the parallel resonant circuit formed by the deflection coils, the first winding and the return capacitor determines the duration of the line return interval which is normalized for each standard (12 microseconds for European standards of 625 lines per image and 25 frames per second each with two interlaced frames).

Lorsque celle du circuit résonnant formé par l'inductance de découpage et le condensateur d'accord lui est notablement supérieure, telle que, par exemple, aux environs d'une demi-période de ligne (32 microsecondes), la régulation de l'amplitude de la dent de scie de courant parcourant les bobines de déviation-ligne pendant les périodes d'aller par celle de la tension aux bornes du condensateur d'alimentation de l'étage de sortie, est effectuée en faisant varier le retard de phase entre les instants de coupure respectifs des interrupteurs de balayage et de découpage, obtenu à l'aide d'un générateur dit de retard variable en fonction de cette tension ou de l'une des amplitudes crête des impulsions de retour-ligne prélevées sur un autre enroulement secondaire, dit auxiliaire, du transformateurligne. When that of the resonant circuit formed by the chopping inductor and the tuning capacitor is appreciably higher, such as, for example, around half a line period (32 microseconds), the regulation of the amplitude of the current sawtooth traversing the line-deflection coils during the forward periods by that of the voltage across the terminals of the supply capacitor of the output stage, is carried out by varying the phase delay between the respective cut-off times of the sweep and cut-off switches, obtained using a so-called variable delay generator as a function of this voltage or one of the peak amplitudes of the line-return pulses taken from another secondary winding , called auxiliary, of the line transformer.

De toute manière, il est nécessaire d'isoler la masse du récepteur de télévision dont fait partie l'étage de - sortie de balayage-ligne, dite froide, de celle reliée au réseau du dispositif d'alimentation par découpage, dite chaude, afin de protéger l'utilisateur. Cet isolement peut être obtenu, par exemple, en insérant entre la sortie du générateur de retard variable constitué par un modulateur de largeur d'impulsions (dit "pulse-width modulator" ou "PWM" en anglais) fournissant des impulsions dont le front de montée coïncide avec ceux de signaux de synchronisation-ligne ou des impulsions de retour-ligne, dont la durée est fonction de la tension aux bornes du condensateur d'alimentation et dont le front arrière différentié sert à commander le blocage du transistor de commutation du circuit de découpage, un transforrnateur d'impulsions et d'isolement (voir US-A- 3 999 102 précitée). Le générateur de retard variable est alors relié à la masse froide.  In any case, it is necessary to isolate the ground of the television receiver of which the stage of - sweep-line output, called cold, forms a part, from that connected to the network of the cut-out power supply device, called hot. protect the user. This isolation can be obtained, for example, by inserting between the output of the variable delay generator constituted by a pulse width modulator (called "pulse-width modulator" or "PWM" in English) providing pulses whose front rise coincides with those of synchronization-line signals or return-line pulses, the duration of which depends on the voltage across the supply capacitor and the differentiated rear edge of which serves to control the blocking of the circuit switching transistor cutting, a pulse and isolation transformer (see US-A-3,999,102 cited above). The variable delay generator is then connected to the cold ground.

Un autre moyen d'isolement est d'utiliser l'enroulement auxiliaire du transformateur-ligne, d'une part, pour le déclenchement d'un générateur de formes d'onde en dents de scie à la fréquence de ligne et, d'autre part, pour obtenir une tension continue proportionnelle à la tension aux bornes du condensateur d'alimentation en redressant celle des alternances du signal aux bornes de cet enroulement qui se produisent pendant les intervalles d'aller du balayage, soit pour modifier la pente des dents de scie en fonction d'un courant dérivé de cette tension redressée, soit pour appliquer celleci comme tension de référence à l'une des entrées d'un comparateur de tensions analogiques, dont l'autre entrée reçoit les dents de scie à pente constante.Le générateur de retard variable est relié alors à la masse chaude et nécessite une alimentation autonome en basses tensions continues dérivées, par redressement et filtrage, du réseau alternatif. Another means of isolation is to use the auxiliary winding of the line transformer, on the one hand, for the triggering of a sawtooth waveform generator at the line frequency and, on the other hand part, to obtain a DC voltage proportional to the voltage across the supply capacitor by correcting that of the signal alternations across this winding which occur during the sweep intervals, either to change the slope of the teeth of saw as a function of a current derived from this rectified voltage, or to apply this as a reference voltage to one of the inputs of an analog voltage comparator, the other input of which receives the saw teeth with constant slope. variable delay generator is then connected to the hot ground and requires an autonomous supply of low DC voltages derived, by rectification and filtering, from the AC network.

Le circuit de commande d'un transistor de commutation suivant l'invention, est applicable notamment, à la plupart des circuits de balayage-ligne et des dispositifs d'alimentation par découpage connus, mentionns précédemment, et il permet notamment un bon isolement entre le circuit de puissance (découpage) relié au réseau et les circuits d'utilisation, sans nécessiter d'alimentation auxiliaire séparée pour le circuit d'attaque du transistor de découpage et en permettant de placer le générateur d'impulsions de commande ou de retard variable dans la partie relié à la masse froide, qui toutefois, doit être alimenté de manière isolée du réseau. Le montage redresseur relié au réseau n'alimente donc directement que des étages d'entrée et d'attaque et le circuit de découpage. The control circuit of a switching transistor according to the invention is applicable in particular to most of the line-scanning circuits and known chopper power supply devices mentioned above, and in particular it allows good insulation between the power circuit (chopping) connected to the network and the circuits of use, without requiring a separate auxiliary power supply for the driving circuit of the chopping transistor and allowing to place the generator of command pulses or variable delay in the part connected to the cold ground, which however must be supplied in isolation from the network. The rectifier assembly connected to the network therefore directly supplies only the input and drive stages and the chopping circuit.

Le circuit de commande, objet de la présente invention, permet notamment une nouvelle utilisation de la "pile" insérée ici entre l'émetteur et le pôle d'alimentation négatif ainsi qu'un élément d'isolement galvanique situé à un niveau de puissance relativement faible, permettant d'améliorer les performances des circuits précités faisant partie de l'état de la technique tout en assurant une sécurité passive (blocage du transistor de puissance en l'absence de commande).  The control circuit, object of the present invention, allows in particular a new use of the "battery" inserted here between the transmitter and the negative power pole as well as a galvanic isolation element located at a relatively power level. low, making it possible to improve the performance of the aforementioned circuits forming part of the state of the art while ensuring passive safety (blocking of the power transistor in the absence of control).

Suivant l'invention, un circuit de commande d'un transistor de commutation de puissance- dont le trajet collecteur-émetteur est connecté en série avec sa charge inductive entre les pôles d'une première source de haute-tension continue et dont la base est alimentée au moyen d'un enroulement de réaction magnétiquement couplé à cette charge ou à l'enroulement primaire d'un transformateur de courant, parcouru par le courant collecteur de ce transistor, est principalement caractérisé en ce qu'il comporte en cascade: un étage d'isolement galvanique dont l'élément de sortie est constitué par un autre transistor et un étage d'attaque à transistors, constitué par un inverseur logique dont le transistor de sortie, commandé de façon à être dans un état complémentaire relativement à cet autre transistor, galvaniquement réuni par son collecteur à la base du transistor de commutation afin de commander le blocage de ce dernier, en l'absence d'un signal de commande de polarité et d'amplitude prédéterminée à l'entrée de l'étage d'isolement provoquant la saturation de cet autre transistor qui, ainsi que l'étage d'attaque, est alimenté par la première source au moyen d'un réseau de résistances. According to the invention, a control circuit of a power switching transistor whose collector-emitter path is connected in series with its inductive load between the poles of a first high-voltage direct source and whose base is supplied by means of a reaction winding magnetically coupled to this load or to the primary winding of a current transformer, traversed by the collector current of this transistor, is mainly characterized in that it comprises in cascade: a stage galvanically isolated, the output element of which consists of another transistor and a transistor drive stage, consisting of a logic inverter, the output transistor of which is controlled so as to be in a complementary state relative to this other transistor , galvanically joined by its collector at the base of the switching transistor in order to control the blocking of the latter, in the absence of a command signal of predetermined polarity and amplitude inée at the input of the isolation stage causing the saturation of this other transistor which, as well as the drive stage, is supplied by the first source by means of a network of resistors.

L'invention sera mieux comprise et d'autres de ses caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description qui suit et du dessin annexé, données à titre d'exemple, sur lequel:
- la figure 1 est le schéma de principe d'un mode de réalisation du circuit de commande suivant l'invention appliqué à un premier type de dispositif d'alimentation à découpage connu; et
- la figure 2 est le schéma de principe de l'application de ce circuit de commande à un autre type d'alimentation à découpage connu.
The invention will be better understood and other of its characteristics and advantages will appear on reading the following description and the attached drawing, given by way of example, in which:
- Figure 1 is the block diagram of an embodiment of the control circuit according to the invention applied to a first type of known switching power supply device; and
- Figure 2 is the block diagram of the application of this control circuit to another type of known switching power supply.

Sur ces deux figures, les mêmes éléments sont désignés par les mêmes repères. In these two figures, the same elements are designated by the same references.

Comme le dispositif d'alimentation à découpage de la figure 1 présente un fonctionnement analogue à l'étage de sortie classique d'un circuit de balayage-ligne de récepteur de télévision, il est évident que le circuit de commande suivant l'invention peut égale ment être utilisé dans un tel étage de sortie équipé, notamment, d'un transistor de commutation auto-alimenté par réaction. On notera également que le circuit de commande est également utilisable dans les dispositifs d'alimentation à découpage du type décrit, notamment, dans les publications DE-B- 2 160 659, DE-A- 2 304 545 ou US-A- 3 925 717, si l'on y substitue à la "pile" existante entre l'émetteur du transistor de commutation de puissance et le pâle de l'alimentation haute-tension qui est réuni à lui, ou si l'on y insère, une pile du type décrit dans ce qui suit, connue en soi. As the switching power supply device of FIG. 1 has an operation analogous to the conventional output stage of a line-scanning circuit of a television receiver, it is obvious that the control circuit according to the invention can equal ment be used in such an output stage equipped, in particular, with a switching transistor self-powered by reaction. It will also be noted that the control circuit can also be used in switching power supply devices of the type described, in particular, in the publications DE-B- 2 160 659, DE-A- 2 304 545 or US-A- 3 925 717, if one substitutes there for the "battery" existing between the emitter of the power switching transistor and the blade of the high-voltage power supply which is joined to it, or if one inserts therein, a battery of the type described in the following, known per se.

Sur la figure 1, on a représenté un mode de réalisation avantageux du circuit de commande de ]'invention, utilisé dans un dispositif d'alimentation à découpage du type décrit dans la demande de brevet d'invention français nO EN 80 14 912 déposée le 4 juillet 1980 par la société demanderesse.Ce dispositif comporte une source de haute-tension d'alimentation continue 1 qui comprend un pont redresseur à deux alternances 2 dont les bornes d'entrée diagonalement opposées 3 et 4 sont destinées à être respectivement reliées aux pâlies 5 et 6 du réseau alternatif d'alimentation (220 \'effy 50 Hz), et dont les bornes de sortie 7 et 8, également diagonalement opposées, sont respectivement reliées aux armatures positive et négative d'un condensateur électrochimique de filtrage 9 de capacité élevée et constituant les pâlies positif 7 et négatif 8 de la source
I dont le dernier est relié à une masse 10, dite chaude ou primaire, car elle n'est pas galvaniquement isolée du réseau alternatif.Lorsque l'on désire, comme c'est généralement exigé par la plupart des nouvelles normes de sécurité, isoler la partie accessible à l'utilisé teur pour des réglages ou des commandes courants (volume ou gain du canal son, contraste ou gain du canal de luminance, brillance ou luminosité, saturation ou gain du canal de chrominance, changement de programme ou de bande de fréquences, etc.) du réseau alternatif, la partie alimentée par le dispositif d'alimentation par découpage en est généralement isolée à l'aide d'un transformateur dont l'enroulement primaire constitue l'inductance de découpage ou fait partie de celle-ci.Cette inductance ou cet enroulement primaire sont connectés dans le circuit collecteur du transistor de commutation de puissance pour emmagasiner l'énergie pendant les intervalles de conduction (saturation) de celui-ci, sous la forme d'un courantcollecteur croissant sensiblement ~ linéairement avec le temps.
In Figure 1, there is shown an advantageous embodiment of the control circuit of the invention, used in a switching power supply device of the type described in the French patent application No. EN 80 14 912 filed on July 4, 1980 by the applicant company. This device comprises a high-voltage source of continuous supply 1 which includes a two-wave rectifier bridge 2 whose diagonally opposite input terminals 3 and 4 are intended to be respectively connected to the blades 5 and 6 of the AC supply network (220 \ 'effy 50 Hz), and whose output terminals 7 and 8, also diagonally opposite, are respectively connected to the positive and negative armatures of an electrochemical filtering capacitor 9 of capacity high and constituting pale 7 positive and negative 8 from the source
I, the latter of which is connected to an earth 10, called hot or primary, because it is not galvanically isolated from the AC network. When it is desired, as is generally required by most new safety standards, isolate the part accessible to the user for current adjustments or controls (volume or gain of the sound channel, contrast or gain of the luminance channel, brightness or brightness, saturation or gain of the chrominance channel, change of program or band frequencies, etc.) of the AC network, the part supplied by the chopping supply device is generally isolated by means of a transformer whose primary winding constitutes or forms part of the chopping inductance This inductor or this primary winding are connected in the collector circuit of the power switching transistor to store energy during the conduction (saturation) intervals thereof, in the form of a current. collector increasing substantially ~ linearly over time.

L'énergie stockée dans l'inductance de découpage LD est sensi i2 'L égale à LD I L MAX12, où 1L MAX est la valeur crête du courant parcourant l'inductance, égale à VA.TS/LD, où VA est la tension d'alimentation aux bornes de l'inductance LD avec le transistor saturé et T5 est la durée de l'intervalle de temps pendant lequel celui-ci est saturé.The energy stored in the chopping inductance LD is sensi i2 'L equal to LD IL MAX12, where 1L MAX is the peak value of the current flowing through the inductor, equal to VA.TS / LD, where VA is the voltage d power supply across the inductance LD with the transistor saturated and T5 is the duration of the time interval during which the latter is saturated.

Le pôle positif 7 de la source 1 est réuni, par l'intermédiaire d'un fusible 1 1 de protection, à une borne 12 qui constitue la borne d'alimentation positive commune du circuit de découpage 20, du circuit de commande 30 et d'une partie du circuit d'isolement 50 ou d'entrée. The positive pole 7 of the source 1 is joined, by means of a protective fuse 1 1, to a terminal 12 which constitutes the common positive supply terminal of the cutting circuit 20, of the control circuit 30 and d part of the isolation circuit 50 or input.

En ce qui concerne le circuit de découpage 20 qui, agencé de manière analogue à celle décrite dans la demande de brevet français n" 80 14 912 précitée de la demanderesse reprenant en partie les enseignements de la publication FR-A- 1 403 260 (ou US-A3 317 816) précitée, comporte une inductance de découpage 21 pouvant être constituée par ou comprendre un enroulement primaire d'un transformateur d'alimentation ou de ligne, reliée par l'une de ses bornes à la borne d'alimentation positive commune 12.L'autre borne de l'inductance 21 est reliée en parallèle à l'une des bornes d'un enroulement primaire 31 d'un transformateur de courant 32, dont l'autre borne est reliée au collecteur d'un transistor bipolaire de commutation de puissance 22, de type NPN, à la cathode d'une première diode 23 connecté en anti-parallèle avec le trajet collecteur-émetteur du transistor 22 et formant avec ce dernier un interrupteur bidirectionnel à commande unidirectionnelle 24 et à Pune des bornes d'un premier condensateur d'accord 25. L'anode de la première diode 23 anti-paralièle est reliée à la masse primaire ou chaude 10 constituant la borne commune d'alimentation négative reliée au pâle négatif 8 de la source.L'autre borne du premier condensateur d'accord 25 peut être reliée soit, comme représenté ici, à la masse primaire 10 soit à la borne positive 12 (voir FR-A
2 382 812) de façon à être connecté en parallèle avec l'inductance 21 pour former avec elle un circuit résonnant parallèle pendant l'ouverture de l'interrupteur 24.
With regard to the cutting circuit 20 which, arranged in a similar manner to that described in the aforementioned French patent application no. 80 14 912 of the plaintiff taking up in part the teachings of the publication FR-A- 1 403 260 (or US-A3 317 816) mentioned above, includes a chopping inductor 21 which can be constituted by or include a primary winding of a supply or line transformer, connected by one of its terminals to the common positive supply terminal 12.The other terminal of the inductor 21 is connected in parallel to one of the terminals of a primary winding 31 of a current transformer 32, the other terminal of which is connected to the collector of a bipolar transistor power switching 22, of NPN type, at the cathode of a first diode 23 connected in anti-parallel with the collector-emitter path of transistor 22 and forming with the latter a bidirectional switch with unidirectional control 24 and at one of the terminals d 'a first con tuner densifier 25. The anode of the first anti-parallel diode 23 is connected to the primary or hot ground 10 constituting the common negative supply terminal connected to the negative pale 8 of the source. The other terminal of the first capacitor 25 can be connected either to, as shown here, the primary ground 10 or to the positive terminal 12 (see FR-A
2 382 812) so as to be connected in parallel with the inductor 21 to form with it a parallel resonant circuit during the opening of the switch 24.

L'émetteur du transistor de commutation de puissance 22 est réuni ici à la borne de masse primaire 10 à travers une pile 26 constituée par le montage parallèle d'un second condensateur d'emmagasinage ou stockage 27, d'une première résitance 28 et d'un montage générateur de tension 29 comprenant quatre diodes 290, 291, 292 et 293 en série conduisant dans le même sens que le transitor 22 et dont les tensions de seuil de conduction dans le sens direct (dite diode forward voltage threshold" ou VFD en anglais) additionnées, fournissent la tension de la pile 26 (égale à 4 VFD ou 2,8 V environ pour des diodes au silicium) à laquelle se charge le second condensateur 27 pour polariser l'émetteur du transistor 22 positivement par rapport à la masse primaire ou chaude 10.On notera ici qu'une pile analogue à diodes en série et à condensateur en parallèle, à déjà été décrit notamment dans la demande de brevet français n" 80 14 912 précitée, où elle a été placé dans le circuit de base du transistor de commutation, en série avec l'enroulement secondaire "de réaction" du transformateur de courant. The emitter of the power switching transistor 22 is joined here to the primary ground terminal 10 through a battery 26 constituted by the parallel mounting of a second storage or storage capacitor 27, of a first resistor 28 and d 'a voltage generator assembly 29 comprising four diodes 290, 291, 292 and 293 in series leading in the same direction as the transitor 22 and whose conduction threshold voltages in the direct direction (called diode forward voltage threshold "or VFD in added together, provide the voltage of the battery 26 (equal to 4 VFD or approximately 2.8 V for silicon diodes) at which the second capacitor 27 charges to polarize the emitter of transistor 22 positively with respect to ground primary or hot 10.Note here that a similar battery with diodes in series and with capacitor in parallel, has already been described in particular in the aforementioned French patent application No. 80 14 912, where it was placed in the circuit of transistor base switching, in series with the secondary "reaction" winding of the current transformer.

L'enroulement secondaire 33 du transformateur de courant 32 qui fait partie du circuit de commande 30, est relié ici, par l'une de ses bornes, à la masse primaire 10, son autre borne étant réunie, par l'intermédiaire de deux autres diodes 34 et 35 en série, à la base du transistor de commutation 22, afin qu'elle soit alimentée en courant de base, pendant les intervalles de saturation de celui-ci, par le courant induit dans l'enroulement secondaire 33 par le courant collecteur linéairement croissant qui parcourt alors l'enroulement primaire 31. La seconde diode 35 du montage série 34-35, dont la cathode est reliée à la base du transistor 22 et dont l'anode est reliée à la cathode de la première 34, est connectée en parallèle avec une seconde résistance 36.La jonction 37 de deux autres diodes 34, 35 et de la résistance 36 est reliée, d'une part, à l'une des bornes d'une troisième résistance 38 et d'autre part, au collecteur d'un second transistor bipolaire 39, du même type (NPN) que le transistor de commutation 22, dont ltémet-;;eur est relié, d'une part, à la base d'un troisième transistor 40, du même type (NPN) que les deux autres 39, 22, et d'autre part, au moyen d'une quatrième résistance 41 à la masse primaire 10.L'émetteur du troisième transistor 40 est directement relié à la masse primaire 10 et son collecteur est réuni, par l'intermédiaire d'un dipôle inductif q2 composé d'urle bobine de choc 43 servant à la protection contre les taux de montée excessifs du courant et d'une sixième résistance "t4 montées en parallèle à la base du transistor de commutation 22
La base du second transistor 39 est réuni, d'une part, par l'intermédiaire d'un montage d'une septième résistance 45 et d'une huitième résistance 46 en série, à la borne d'alimentation positive commune 12 et, d'autre part, à la jonction de la borne de sortie 51 de l'étage isolement 50 constitué ici par un photocoupleur du type
FCD 810 ou 820 ou MCT-2 respet -iverrient des sociétés américaines "FAIRCHILD" et "MONSANTO CHEMICAL", par exemple, qui est reliée au collecteur du photo-transistor 52 formant l'élément de sortie de ce dernier, avec la cathode d'une huitième diode 47 dite d'anti-saturation, également appelée "attrape-collecteur" (ou "collector-catcher diode" en anglais - voir9 par exemple, aux pages 203204 de l'ouvrage de DELHOM intitulé "DESIGN AND APPLICATION OF TRANSISTOR SWITCHING CIRCUITS", publié par Mc GRAW-
HILL BOOK COMPANY en 1968).Cet étage d'isolement 50 est donc muni d'un transistor à collecteur ouvert 52, comme élément de sortie.
The secondary winding 33 of the current transformer 32 which is part of the control circuit 30, is connected here, by one of its terminals, to the primary ground 10, its other terminal being joined, by means of two others diodes 34 and 35 in series, at the base of the switching transistor 22, so that it is supplied with base current, during the intervals of saturation thereof, by the current induced in the secondary winding 33 by the current linearly increasing collector which then traverses the primary winding 31. The second diode 35 of the series arrangement 34-35, the cathode of which is connected to the base of the transistor 22 and the anode of which is connected to the cathode of the first 34, is connected in parallel with a second resistor 36. The junction 37 of two other diodes 34, 35 and of the resistor 36 is connected, on the one hand, to one of the terminals of a third resistor 38 and, on the other hand, to the collector of a second bipolar transistor 39, of the same type (NPN) as the t switching transistor 22, whose ltem - ;; eur is connected, on the one hand, to the base of a third transistor 40, of the same type (NPN) as the other two 39, 22, and on the other hand, to the by means of a fourth resistor 41 to the primary ground 10. The emitter of the third transistor 40 is directly connected to the primary ground 10 and its collector is assembled, by means of an inductive dipole q2 composed of a coil of shock 43 used to protect against excessive rates of rise of the current and of a sixth resistor "t4 connected in parallel to the base of the switching transistor 22
The base of the second transistor 39 is joined, on the one hand, by means of a mounting of a seventh resistor 45 and an eighth resistor 46 in series, to the common positive supply terminal 12 and, d on the other hand, at the junction of the output terminal 51 of the isolation stage 50 constituted here by a photocoupler of the type
FCD 810 or 820 or MCT-2 respet -iverrient from the American companies "FAIRCHILD" and "MONSANTO CHEMICAL", for example, which is connected to the collector of the photo-transistor 52 forming the output element of the latter, with the cathode of 'an eighth diode 47 called anti-saturation, also called "catch-collector" (or "collector-catcher diode" in English - see 9 for example, on pages 203204 of DELHOM's work entitled "DESIGN AND APPLICATION OF TRANSISTOR SWITCHING CIRCUITS ", published by Mc GRAW-
HILL BOOK COMPANY in 1968) .This isolation stage 50 is therefore provided with an open collector transistor 52, as an output element.

Cette diode 47, en empêchant la saturation complète du transistor de commutation 52 au collecteur duquel elle est reliée, permet l'accélération de la réponse à la coupure ou décroissance en réduisant notablement le temps de stockage (des porteurs minoritaires dans la base- voir, par exemple, aux pages 429 -432 de l'ouvrage édité par WALSTON et MILLER, intitulé "TRANSISTOR
CIRCUIT DESIGN", publié par l'éditeur précité, en 1963), du fait qu'elle ne permet pas au trajet collecteur-émetteur du transistor 52 atteindre sa tension minimale de saturation VCE sat (qui est de quelques dizièmes de volts).
This diode 47, by preventing the complete saturation of the switching transistor 52 to the collector to which it is connected, allows the acceleration of the cut-off or decrease response by significantly reducing the storage time (of minority carriers in the base - see, for example, on pages 429-432 of the book edited by WALSTON and MILLER, entitled "TRANSISTOR
CIRCUIT DESIGN ", published by the above-mentioned publisher, in 1963), because it does not allow the collector-emitter path of transistor 52 to reach its minimum saturation voltage VCE sat (which is a few tenths of volts).

L'utilisation de cette diode d'anti-saturation 47 pour caler la tension collecteur minimale V, MIN à la tension VFD correspondant au seuil de conduction directe d'une diode et d'empêcher la saturation du photo-transistor 52, est rendue possible par l'agencement particulier de l'étage d'attaque 30 dont l'entrée est réunie, par l'intermédiaire des deux jonctions base-émetteur respectives du second 39 et du troisième transistor 40, à la masse primaire 10, de manière à rendre la tension de seuil nécessaire à la mise en saturation des deux transistors 39, 40 égale à 2 tFDX c'est-à-dire supérieure à Vc MIN = VFD. Cette mise en série de deux jonctions base-émetteur permet alors de commander le blocage simultané des deux transistors auxquels elles appartiennent, au moyen d'une tension égale à VFD (0,7 V). The use of this anti-saturation diode 47 to calibrate the minimum collector voltage V, MIN to the voltage VFD corresponding to the direct conduction threshold of a diode and to prevent saturation of the photo-transistor 52, is made possible by the particular arrangement of the drive stage 30, the input of which is brought together, by means of the two respective base-emitter junctions of the second 39 and of the third transistor 40, to the primary ground 10, so as to render the threshold voltage required to saturate the two transistors 39, 40 equal to 2 tFDX, that is to say greater than Vc MIN = VFD. This placing in series of two base-emitter junctions then makes it possible to control the simultaneous blocking of the two transistors to which they belong, by means of a voltage equal to VFD (0.7 V).

I1 est à remarquer ici que, si le gain de l'étage à émetteur commun comprenant le troisième transistor 40 était suffisant, la jonction base-émetteur du second transistor 39 pourrait être remplacée par une diode conduisant dans le même sens que cette jonction pour obtenir le blocage du troisième transistor 40 par la saturation du photo-transistor 52. It should be noted here that, if the gain of the common emitter stage comprising the third transistor 40 was sufficient, the base-emitter junction of the second transistor 39 could be replaced by a diode leading in the same direction as this junction to obtain blocking of the third transistor 40 by the saturation of the photo-transistor 52.

La jonction 48 de ces deux résistances 45 et 46 en série réunissant la borne d'alimentation positive commune 12 à la jonction de la base du second transistor 39 avec le collecteur du phototransistor 52, est reliée à l'autre borne de la troisième résistance 38, de façon à alimenter le collecteur de ce second transistor 39 à travers cette dernière. The junction 48 of these two resistors 45 and 46 in series joining the common positive supply terminal 12 at the junction of the base of the second transistor 39 with the collector of the phototransistor 52, is connected to the other terminal of the third resistance 38 , so as to supply the collector of this second transistor 39 through the latter.

Suivant l'invention, l'anode de la diode d'anti-saturation 47 est reliée à une dérivation 294 de la pile 26, située dans le circuit émetteur du transistor de commutation 22. Cette dérivation 294 est constituée ici par la jonction entre la cathode de la troisième 291 et l'anode de la quatrième diode 292, qui fournit un potentiel continu
de 2 VFD égal à 1,4 V environ, au moins pendant les intervalles de
conduction du transistor de commutation 22 au cours desquels il est
nécessaire de maintenir la tension collecteur-émetteur du photo
transistor 52 au-desssus d'une valeur prédéterminée.Du fait que la
chute de tension directe à travers la diode d'anti-saturation 47 est
de VFD = 0,7 V environ, la tension collecteur-émetteur minimale du
phototransistor 52 sera calée (dit "clamped" en anglais) à + 0,7 V
environ par rapport à la masse primaire 10, à laquelle est reliée, à
travers la seconde sortie 53 du photocoupleur 50, son émetteur.
According to the invention, the anode of the anti-saturation diode 47 is connected to a branch 294 of the battery 26, located in the emitter circuit of the switching transistor 22. This branch 294 is formed here by the junction between the cathode of the third 291 and the anode of the fourth diode 292, which provides continuous potential
of 2 VFD equal to approximately 1.4 V, at least during the intervals of
conduction of the switching transistor 22 during which it is
necessary to maintain the collector-emitter voltage of the photo
transistor 52 above a predetermined value.
direct voltage drop across the anti-saturation diode 47 is
of VFD = 0.7 V approximately, the minimum collector-emitter voltage of the
phototransistor 52 will be calibrated (called "clamped" in English) at + 0.7 V
approximately with respect to the primary mass 10, to which is connected, to
through the second output 53 of the photocoupler 50, its transmitter.

C'est l'absence de saturation du phototransistor 52 qui permet le
fonctionnement du photocoupleur 50 à la fréquence-ligne.
It is the absence of saturation of the phototransistor 52 which allows the
operation of the photocoupler 50 at the line frequency.

La base du phototransistor 52, reliée à la troisième sortie 54
du photocoupleur 50, est réunie, par l'intermédiaire dune neuvième
résistance 55, à la masse primaire 10 afin de réduire le temps de sa
commutation vers la coupure et d'assurer le maintien de son blocage
en l'absence d'illumination (d'kradiati.on) de sa base par une diode
émettrice de lumière (DEL) ou électroluminescente 56 qui consti
tue l'élément d'entrée du photocoupleur 50. L'anode et la cathode de
la diode 56 sont respectivement reliées à la première 57 et à la
seconde borne 58 d'entrée du photocoupleur 50, pour permettre son
alimentation à l'aide d'un courant en forme d'impulsions rectangulaires récurrentes à travers une dixième résistance d'entrée 59.
The base of the phototransistor 52, connected to the third output 54
of the photocoupler 50, is brought together, via a ninth
resistance 55, to primary mass 10 in order to reduce the time of its
switching to the cutoff and ensuring that it remains blocked
in the absence of illumination (of kradiati.on) of its base by a diode
light emitting (LED) or electroluminescent 56 which constitutes
kills the input element of the photocoupler 50. The anode and the cathode of
the diode 56 are respectively connected to the first 57 and to the
second photocoupler 50 input terminal 58, to allow sound
power supply using a current in the form of recurrent rectangular pulses through a tenth input resistor 59.

L'autre borne 60 de la résistance 59 peut être reliée à un générateur
d'impulsions récurrentes (non représenté) qui peut être constituée,
par exemple, par un générateur de retard variable en fonction d'une
tension, tel que ceux du type décrit dans la demande de brevet français nO 79 16 905 précitée de la demanderesse (non encore
publiée) ou dans les - publications EP-A- O 005 391 ou US-A
3 999 102 ou encore DE-B- 1 234 836, ou également, lorsque le
circuit de puissance (de découpage) 20 est constitué par un étage de
sortie d'un circuit balayage-ligne d'un récepteur de télévision, par
une base temps lignes fournissant des impulsions de commande à la
fréquence-ligne, tel que, par exemple, un circuit intégré mono
lithique du type TBA 920 ou TDA 2590 (de la société THOMSON
CSF, division semiconducteurs SESCOSEM, par exemple) ou
TDA 2571 (de la société N.V. PHILIPS' GLOEILAMPEN
FABRIEKEN).
The other terminal 60 of the resistor 59 can be connected to a generator
recurring pulses (not shown) which can be formed,
for example, by a variable delay generator depending on a
tension, such as those of the type described in the aforementioned French patent application no. 79 16 905 (not yet
published) or in - publications EP-A- O 005 391 or US-A
3,999,102 or DE-B- 1,234,836, or also, when the
power circuit (chopping) 20 is constituted by a stage of
output from a scanning-line circuit of a television receiver, by
a time base lines supplying command pulses to the
line frequency, such as, for example, a mono integrated circuit
lithic type TBA 920 or TDA 2590 (from the company THOMSON
CSF, SESCOSEM semiconductor division, for example) or
TDA 2571 (from NV PHILIPS 'GLOEILAMPEN
FABRIEKEN).

I1 est à remarquer ici que lorsque le circuit de puissance 30 du dispositif d'alimentation à découpage ne comporte pas de condensateur d'accord 25 et de diode anti-parallèle 23 et lorsque, éventuellement, l'enroulement de réaction est magné-tiquement couplé à l'inductance de découpage 21 qui est constitué par l'enroulement primaire d'un transformateur d'alimentation (c'est-à-dire en l'absen ce de transformateur de courant), le circuit de commande alimentant la diode émettrice de lumière 56 peut être agencé de la manière décrite dans les articles de VAN SCHAIK susmentionnés (circuits intégrés monolithiques du type TDA 2640 ou TDA 2581 de
N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN), par exemple, permettant un fonctionnement à fréquence fixe et la régulation, par le rapport cyclique, de la tension de sortie.
It should be noted here that when the power circuit 30 of the switching power supply device does not include a tuning capacitor 25 and an anti-parallel diode 23 and when, optionally, the reaction winding is magnetically coupled to the chopping inductor 21 which is constituted by the primary winding of a supply transformer (that is to say in the absence of a current transformer), the control circuit supplying the emitting diode of light 56 can be arranged in the manner described in the above-mentioned VAN SCHAIK articles (monolithic integrated circuits of the TDA 2640 or TDA 2581 type of
NV PHILIPS 'GLOEILAMPENFABRIEKEN), for example, allowing operation at fixed frequency and regulation, by duty cycle, of the output voltage.

Lors de la mise sous tension du circuit de la figure 1, par le branchement de ces bornes 5 et 6 à ceux du réseau alternatif (220 Vefff 50 Hz), le redresseur en pont 2 charge le condensateur de filtrage 9 de sorte qu'après un bref intervalle de temps il fournit une haute tension continue de 300 V environ entre ses bornes de sortie 12 et 10. La base du phototransistor 52 étant réunie à la masse et aucun courant ne passant la diode émettrice de lumière 56, celui-ci reste bloqué et le second transitor NPN 39 monté en un montage hybride proche de celui appelé à collecteur commun, devient conducteur du fait que sa base est alors alimentée par la tension positive de la borne 12, à travers les résistances 46 et 45 en série et que son collecteur est également alimenté à travers les résistances 46 et 38 en série.L'émetteur du second transistor 39 étant réuni à la masse primaire 10 par l'intermédiaire, d'une part, de la quatrième résistance 41 et, d'autre part, de la diode constituée par la jonction base-émetteur du troisième transistor 40, celui-ci devient saturé sensiblement en même temps que le second 39 dont le courant émetteur fournit le courant de base du troisième 40, dès la mise sous tension du circuit.  When energizing the circuit of Figure 1, by connecting these terminals 5 and 6 to those of the AC network (220 Vefff 50 Hz), the bridge rectifier 2 charges the filtering capacitor 9 so that after a short time interval it provides a high continuous voltage of around 300 V between its output terminals 12 and 10. The base of the phototransistor 52 being connected to ground and no current passing through the light-emitting diode 56, the latter remains blocked and the second NPN 39 transitor mounted in a hybrid assembly close to that called a common collector, becomes conductive because its base is then supplied by the positive voltage of terminal 12, through resistors 46 and 45 in series and that its collector is also supplied through resistors 46 and 38 in series. The emitter of the second transistor 39 is connected to the primary ground 10 via, on the one hand, the fourth resistor 41 and, on the other hand , of the diode constituted by the junction ion base-emitter of the third transistor 40, the latter becomes saturated substantially at the same time as the second 39, the emitter current of which supplies the base current of the third 40, as soon as the circuit is energized.

Les courants collecteur des deux transistors 39 et 40 saturés s'additionnent dans la troisième résistance 38 en provoquent entre ses bornes une chute de tension proportionnelle à leur somme qui s'ajoute au courant de base du second transistor 39 dans la huitième résistance 46 en provoquant entre les bornes de celle-ci une autre chute de tension correspondante qui est à retrancher des 300 V sur la borne 12 pour obtenir la tension V48 entre la jonction 48 et la masse primaire 10 qui constitue la tension d'alimentation de l'étage d'attaque 30 du transistor de commutation 22, lorsque les transistors 39 et 40 sont saturés.Les considérations ci-dessus interviennent pour une part dans le calcul des valeurs de ces résistances que l'on peut respectivement choisir, dans certains cas, les suivantes:
R38 = 1,5 kiloohms, R45 = 15 kiloohms et R46 = 75 kiloohms, par exemple.
The collector currents of the two saturated transistors 39 and 40 add up in the third resistor 38 causing between its terminals a voltage drop proportional to their sum which is added to the base current of the second transistor 39 in the eighth resistor 46 by causing between the terminals of the latter another corresponding voltage drop which is to be subtracted from the 300 V on the terminal 12 to obtain the voltage V48 between the junction 48 and the primary ground 10 which constitutes the supply voltage of the stage d attack 30 of the switching transistor 22, when the transistors 39 and 40 are saturated. The above considerations are involved in part in the calculation of the values of these resistors which can be chosen, in certain cases, the following:
R38 = 1.5 kiloohms, R45 = 15 kiloohms and R46 = 75 kiloohms, for example.

Le troisième transistor 40 forme alors un étage à émetteur commun, relié à la masse primaire 10, avec son collecteur réuni, à travers le dipôle inductif 42 qui intervient uniquement lors du blocage du transistor de commutation 22, à la base de celui-ci et également, à travers le montage composé de la septième diode 35 qui est conductrice au moins pendant l'état saturé des deux transistors d'attaque 39 et 40, et de la seconde résistance 36 à la jonction 37 des diodes 34, 35, de la troisième résistance 38 et du collecteur du second transistor 39. The third transistor 40 then forms a common emitter stage, connected to the primary ground 10, with its collector assembled, through the inductive dipole 42 which intervenes only during the blocking of the switching transistor 22, at the base thereof and also, through the assembly composed of the seventh diode 35 which is conductive at least during the saturated state of the two driving transistors 39 and 40, and of the second resistor 36 at the junction 37 of the diodes 34, 35, of the third resistor 38 and the collector of the second transistor 39.

Même lorsque la pile 26 assurant la polarisation positive de l'émetteur du transistor de commutation 22 n'est pas chargée par une première période de conduction de celui-ci, le collecteur du troisième transistor 40 saturé polarise la base du transistor de commutation 22 à VCE sat de quelques centaines de millivolts au plus, par rapport à son émetteur (réuni par la première résistance 28 à la masse primaire 10), de manière à le maintenir à l'état bloqué. Even when the battery 26 ensuring the positive polarization of the emitter of the switching transistor 22 is not charged by a first conduction period thereof, the collector of the third saturated transistor 40 polarizes the base of the switching transistor 22 at VCE sat of a few hundred millivolts at most, relative to its transmitter (joined by the first resistor 28 to the primary ground 10), so as to maintain it in the blocked state.

Lorsque le circuit de commande (non représenté) fournit un courant positif à travers la dixième résistance 59, à la diode émettrice de lumière 56, celle-ci émet un rayonnement électromagnétique (dû au phénomène d'électroluminescence des matériaux constitutifs de sa jonction) qui irradie la base du phototransistor 52 de manière à le rendre saturé. When the control circuit (not shown) supplies a positive current through the tenth resistor 59, to the light-emitting diode 56, the latter emits electromagnetic radiation (due to the phenomenon of electroluminescence of the materials constituting its junction) which irradiates the base of phototransistor 52 so as to make it saturated.

La saturation du phototransistor 52 qui, lorsque la pile 26 n'est pas chargée, ramène la base du second transistor 39 de VB 3g = 1,4 V environ à VB 39 = VCE S2sat de quelques dizaines ou centaines de millivolts, commande le blocage quasisimultané des transistors 39 et 40 de l'étage d'attaque 30, grâce à une évacuation rapide des porteurs stockés dans les bases de ceux-ci respectivement à travers le phototransistor 52 et la quatrième résistance 41 réunissant la base du transistor 40 à son émetteur. The saturation of the phototransistor 52 which, when the battery 26 is not charged, brings the base of the second transistor 39 from VB 3g = 1.4 V approximately to VB 39 = VCE S2sat of a few tens or hundreds of millivolts, controls the blocking almost simultaneous of the transistors 39 and 40 of the driving stage 30, thanks to a rapid evacuation of the carriers stored in the bases of these respectively through the phototransistor 52 and the fourth resistor 41 joining the base of the transistor 40 to its emitter .

La mise à la masse approximative de la sortie 51 du photocoupleur 50 entraîne, outre le blocage des transistprs 39 et 40, la polarisation positive (par rapport à son émetteur) de la base du transistor NPN 22, par l'intermédiaire du diviseur de tension formé par les résistances 45 et 46 en série, alimenté par la haute tension (300 VCC) et du réseau formé par les résistances 38 et 36 en série, dont la dernière 36 est "shuntée" par la diode 35 de façon à limiter la tension V37 à la jonction 37 à 5 VFD + VBE 22max = 6 VFD (4,2 volts environ). La sixième diode 34 réunissant la jonction 37 à la borne dite "chaude", non-reliée à la masse 10, de l'enroulement secondaire 33 (de réaction) du transformateur de courant 32, est alors polarisée à l'envers de façon à assurer l'isolement entre la jonction 37 et la masse primaire 10.Cette polarisation positive de la base entraîne la conduction du transistor de commutation 22 d'abord à travers sa résistance émetteur 28 jusqu'à ce que la chute de tension provoquée à ces bornes dépasse la tension de seuil de conduction des quatre diodes 29 en série (4 VFD = 2,8 V), le courant de base provenant de la jonction 37 doit également parcourir d'abord la résistance 36 avant datteindre le seuil de conduction de la diode 35. On peut alors dire que grâce à la présence des résistances 36 et 28 shuntant respectivement la diode 35 et les quatre diodes 29 de la pile 26, le seuil de conduction du transistor 22 est réduit de 6 VFD à environ VFD + VBE = 2 VFD.  The approximate grounding of the output 51 of the photocoupler 50 causes, in addition to blocking the transistprs 39 and 40, the positive polarization (relative to its emitter) of the base of the NPN transistor 22, via the voltage divider. formed by resistors 45 and 46 in series, supplied by high voltage (300 VDC) and from the network formed by resistors 38 and 36 in series, the last 36 of which is "shunted" by diode 35 so as to limit the voltage V37 at junction 37 to 5 VFD + VBE 22max = 6 VFD (approximately 4.2 volts). The sixth diode 34 joining the junction 37 to the so-called "hot" terminal, not connected to ground 10, of the secondary winding 33 (reaction) of the current transformer 32, is then biased backwards so as to ensure the isolation between junction 37 and primary ground 10. This positive polarization of the base causes the switching transistor 22 to conduct first through its emitting resistor 28 until the voltage drop caused at these terminals exceeds the conduction threshold voltage of the four diodes 29 in series (4 VFD = 2.8 V), the base current from junction 37 must also first pass through resistor 36 before reaching the conduction threshold of the diode 35. We can then say that thanks to the presence of resistors 36 and 28 shunting the diode 35 and the four diodes 29 of the battery 26 respectively, the conduction threshold of the transistor 22 is reduced from 6 VFD to approximately VFD + VBE = 2 VFD.

Cependant, pour que la réaction positive par l'intermédiaire du transformateur de courant 32 puisse s'instaurer, il est nécessaire de dépasser une valeur minimale du courant de base du transistor 22 qui est autour de 1B 22min = 1 milliampère. Ceci permet d'établir une relation entre le courant de base ib, la tension d'alimentation V12, la tension de seuil de conduction des diodes 35, 290 à 293 en série avec la jonction base-émetteur du transistor 22 (6 VFD) et les valeurs des résistances 46, 45 et 38, qui constitue un autre critère pour le calcul de ces dernières. On peut écrire alors (en absence des résistances 28 et 36):

Figure img00200001

qui doit être rendu supérieur à 1B 22min. However, for the positive reaction via the current transformer 32 to be established, it is necessary to exceed a minimum value of the base current of the transistor 22 which is around 1B 22min = 1 milliampere. This makes it possible to establish a relationship between the basic current ib, the supply voltage V12, the conduction threshold voltage of the diodes 35, 290 to 293 in series with the base-emitter junction of the transistor 22 (6 VFD) and the values of resistors 46, 45 and 38, which constitutes another criterion for the calculation of the latter. We can then write (in the absence of resistances 28 and 36):
Figure img00200001

which must be made greater than 1B 22min.

Les valeurs des résistances 46, 45 et 38 peuvent toutefois être augmentées, lorsque les valeurs des résistances 36 et 28 sont choisies relativement faibles (de quelques centaines d'ohms, par exemple). Pour les valeurs de R38, R45 et R46 précédemment mentionnées, il est avantageux de choisir R28 = 220 ohms et
R36 - 75 ohms environ.
The values of resistors 46, 45 and 38 may however be increased, when the values of resistors 36 and 28 are chosen to be relatively low (by a few hundred ohms, for example). For the values of R38, R45 and R46 previously mentioned, it is advantageous to choose R28 = 220 ohms and
R36 - about 75 ohms.

Dès que le courant de base a dépassé sa valeur minimale IBmin susmentionnée, le courant collecteur commence à croître et le courant collecteur - croissant parcourant l'enroulement primaire 31 du transformateur de courant 32, induit dans son enroulement secondaire 33 un courant également linéairement croissant qui engendre une tension à ses bornes supérieure au seuil de conduction de la diode 34 dont la cathode est polarisée à 6 VFD. I1 faut donc une tension de 7 VFD aux bornes de l'enroulement secondaire 33 pour que l'auto-alimentation de la base et, par conséquent, l'effet régénératif amenant le transistor 22 à sa saturation s'établisse. Le courant collecteur croissant parcourt alors les quatre diodes en série 29 de façon à charger le condensateur 27 à 4 VFD et de polariser le collecteur du phototransistor 52 - à + VFD à travers la diode d'antisaturation 47. Pendant tout le temps où la diode émettrice de lumière 56 est alimentée en courant intensité suffisante pour maintenir le phototransistor 52 saturé, le transistor de commutation 22 restera saturé, les deux transistors 39, 40 du circuit d'attaque 30 resteront bloqués, et l'inductance de découpage 21 est parcourue d'un courant croissant linéairement avec le temps. As soon as the basic current has exceeded its minimum value IBmin mentioned above, the collector current begins to increase and the collector - increasing current flowing through the primary winding 31 of the current transformer 32, induces in its secondary winding 33 an equally linearly increasing current which generates a voltage at its terminals greater than the conduction threshold of the diode 34 whose cathode is polarized at 6 VFD. I1 therefore requires a voltage of 7 VFD at the terminals of the secondary winding 33 so that the self-supply of the base and, consequently, the regenerative effect bringing the transistor 22 to its saturation is established. The increasing collector current then travels through the four diodes in series 29 so as to charge the capacitor 27 to 4 VFD and to polarize the collector of the phototransistor 52 - to + VFD through the antisaturation diode 47. During all the time when the diode light-emitting 56 is supplied with current of sufficient intensity to keep the phototransistor 52 saturated, the switching transistor 22 will remain saturated, the two transistors 39, 40 of the driving circuit 30 will remain blocked, and the chopping inductor 21 is traversed d 'a current increasing linearly with time.

Dès que la diode émettrice de lumière 56 du photocoupleur 50 cesse d'être alimentée en courant, elle s'éteint et, par conséquent, le phototransistor 52 cesse de conduire après l'écoulement d'un intervalle de temps appelé temps total à la décroissance du courant collecteur composé successivement du temps de stockage t5 (dit "storage time" en anglais) expliqué précédemment et du temps de retard à la décroissance tf (dit "fall time" en anglais), pour représenter ensuite sensiblement un circuit ouvert entre les bornes de sortie 51 et 53 du coupleur 50.Ce temps de stockage ts est réduit à sa valeur minimale, d'une part, grâce à la résistance 55 réunissant la base du phototransistor 52 à son émetteur et dont la valeur est toutefois choisie suffisamment grande pour qu'il puisse saturer (R55 = 47 kiloohms) et d'autre part, suivant l'invention, du fait du calage de la tension collecsrur-émeteur maximale VCE 52min à + VFD, ce qui réduit la quantité des porteurs stockés dans la base et empêche la saturation totale du transistor 52. As soon as the light-emitting diode 56 of the photocoupler 50 ceases to be supplied with current, it goes out and, consequently, the phototransistor 52 stops driving after the expiration of a time interval called total time at decay of the collector current successively composed of the storage time t5 (known as "storage time" in English) explained previously and of the delay time with decreasing tf (known as "fall time" in English), to then represent substantially an open circuit between the terminals output 51 and 53 of the coupler 50. This storage time ts is reduced to its minimum value, on the one hand, thanks to the resistor 55 joining the base of the phototransistor 52 to its emitter and the value of which is however chosen large enough to that it can saturate (R55 = 47 kiloohms) and on the other hand, according to the invention, due to the setting of the maximum collecsrur-emitter voltage VCE 52min to + VFD, which reduces the amount of carriers stored in the base and prevents the total saturation of transistor 52.

Le phototransistor 52 étant bloqué, le courant provenant de la borne d'alimentation positive commune 12 à travers les résistances 46 et 45 en série provoque la saturation des deux.transistors 39 et 40 du fait que le courant émetteur du second 39 alimente directement la base du troisième 40 qui se stabilise à un potentiel positif de
VBE 40 égal à VFD (0,7 V) par rapport à la masse primaire 10 à laquelle est relié l'émetteur de ce dernier. Par conséquent, le potentiel de la base VB 39 du second transistor 39 par rapport à la masse 10 sera de 2 VFD, la tension appliquée entre les bornes du diviseur de tension 45-46 étant alors égale à V12 - 2 VFD (3001,4 V).
The phototransistor 52 being blocked, the current coming from the common positive supply terminal 12 through the resistors 46 and 45 in series causes the saturation of the two transistors 39 and 40 due to the fact that the emitter current of the second 39 directly feeds the base. of the third 40 which stabilizes at a positive potential of
VBE 40 equal to VFD (0.7 V) relative to the primary ground 10 to which the latter's transmitter is connected. Consequently, the potential of the base VB 39 of the second transistor 39 relative to the ground 10 will be 2 VFD, the voltage applied between the terminals of the voltage divider 45-46 then being equal to V12 - 2 VFD (3001.4 V).

La saturation du troisième transistor 40 réunit la jonction de la base du transistor de commutation 22 et je la cathode de la septième diode 35, à travers le dipôle 42, de façon à dériver vers la masse 10 le courant induit dans le secondaire 33 du transformateur 32 par le courant collecteur qui continue à parcourir son primaire 31 pendant le temps de stockage du transistor de commutation 22 et à permettre d'appliquer à celui-ci une tension base-émetteur négative
VBE 22 = - 2,8 V du fait de la pile 26 chargée à 4 VFD polarisant son émetteur afin d'accélérer l'évacuation des porteurs de la base.Le dipâle inductif 42 déjà décrit dans les publications FR-A-2 345 762, 2 447 639 ou 2 448.820 précitées, est un circuit différentiateur de tension et intégrateur de courant empêchant la montée brusque du courant le traversant, du fait de la réactance initiale élevée présentée par la bobine de choc 43 (de plusieurs microhenry) lors de transitions rapides, par rapport - à la résistance 44 (d'une ou de quelques dizaines d'ohms) qui lui est reliée en parallèle. Le dipôle 42 empêche donc une croissance trop rapide, d'une part, du courant collecteur iC 40 du troisième transistor 40 et, d'autre part, du courant de base inverse - iB 22 du transistor de commutation 22 au début du temps de stockage.De toute façon, la mise en saturation complète du troisième transistor 40 est bien assurée, par la polarisation positive de sa base à travers la jonction base-émetteur du second transistor 39 qui devra lui fournir un courant de base suffisant pour que son collecteur accepte le courant de forte intensité qui est fourni alors par l'enroulement secondaire de réaction 33 et dérivé en partie, à travers le trajet collecteur-émetteur du second transistor 39, à la base du troisième transistor 40 et en partie vers le trajet collecteur-émetteur de ce dernier.La présence de la pile 26 chargée dans le circuit émetteur du transistor 22 et cette saturation complète du troisième transistor 40, résultant en une polarisation négative de la base du transistor 22 par rapport à son émetteur, lui permettent de travailler pendant son blocage avec une tension collecteur-émetteur VCEX plus élevée que si sa tension base-émetteur n'était que nulle (VcE0). Dès l'instant du blocage du transistor de commutation 22, les diodes 29 dont les seuils de conduction VFD déterminent la tension de la pile se bloquent et le second condensateur 27 qui est relié en parallèle avec elles, commence à se décharger exponentiellement à travers la première résistance 28 qui lui est parallèle, avec une constante de temps RC égale au produit de leurs valeurs respectives.La capacité C27 du condensateur 27 doit donc être choisie suffisamment grande pour que la polarisation négative de la base par rapport à l'émetteur du transistor 22 soit maintenue au moins pendant l'intervalle de temps où sa tension collecteur-émetteur directe (VCE 22) est plus élevée que la valeur VCE0 spécifiée pour une polarisation VBE nulle.
The saturation of the third transistor 40 brings together the junction of the base of the switching transistor 22 and I the cathode of the seventh diode 35, through the dipole 42, so as to derive towards ground 10 the current induced in the secondary 33 of the transformer 32 by the collector current which continues to flow through its primary 31 during the storage time of the switching transistor 22 and to allow a negative base-emitter voltage to be applied to the latter
VBE 22 = - 2.8 V due to the battery 26 charged at 4 VFD polarizing its transmitter in order to accelerate the evacuation of the carriers from the base. The inductive dipole 42 already described in the publications FR-A-2 345 762 , 2 447 639 or 2 448.820 above, is a voltage differentiator and current integrator circuit preventing the sudden rise of the current passing through it, due to the high initial reactance presented by the shock coil 43 (of several microhenry) during transitions fast, compared to - the resistor 44 (of one or a few tens of ohms) which is connected to it in parallel. The dipole 42 therefore prevents too rapid growth, on the one hand, of the collector current iC 40 of the third transistor 40 and, on the other hand, of the reverse base current - iB 22 of the switching transistor 22 at the start of the storage time. In any case, the complete saturation of the third transistor 40 is well ensured, by the positive polarization of its base through the base-emitter junction of the second transistor 39 which will have to provide it with a sufficient base current for its collector to accept the high intensity current which is then supplied by the secondary reaction winding 33 and derived in part, through the collector-emitter path of the second transistor 39, at the base of the third transistor 40 and in part towards the collector-emitter path The presence of the charged battery 26 in the emitter circuit of transistor 22 and this complete saturation of the third transistor 40, resulting in a negative bias of the base of transistor 22 compared to rt to its transmitter, allow it to work during its blocking with a higher collector-transmitter voltage VCEX than if its base-transmitter voltage was only zero (VcE0). As soon as the switching transistor 22 is blocked, the diodes 29, the VFD conduction thresholds of which determine the battery voltage, become blocked and the second capacitor 27 which is connected in parallel with them, begins to discharge exponentially through the first resistance 28 which is parallel to it, with a time constant RC equal to the product of their respective values. The capacitance C27 of the capacitor 27 must therefore be chosen sufficiently large so that the negative bias of the base with respect to the emitter of the transistor 22 is maintained at least during the time interval when its direct collector-emitter voltage (VCE 22) is higher than the value VCE0 specified for a zero VBE polarization.

La valeur crête de la tension collecteur-émetteur directe est déterminée, d'une part, par la tension d'alimentation V12 (300 V) et, d'autre part, par la durée de la demi-période de résonance TR/2 du circuit résonnant en parallèle formé par l'inductance de découpage 21 et le condensateur d'accord 25 (voir FR-A-2 272 092 et 2 425 186 précitées), ainsi que de la durée de l'intervalle tON pendant lequel le transistor de commutation 22 a été précédemment maintenu saturé, qui avec l'inductance L21 et la tension d'alimentation V12 déterminent énergie emmagasinée dans l'inductance 21 par le courant collecteur maximal IC 22 MAX = Vl2.tON/L2l, est égale à
C25' C 25
C I C 22 MAX12 ainsi qu'à C25 V2 /2.Pour une demi-période d'oscillation TR/2 sensiblement égale à une demi-période de ligne (TH = 64 microsecondes) et une durée de saturation t ON sensiblement égale à un quart de période de ligne du balayage horizontal d'un téléviseur et pour une résistance R28 de 220 ohms, une capacité
C27 de l'ordre du microfarad paraît suffisante afin de conserver une charge sensiblement constante de la pile 26 (car R28C27 = 220 microsecondes est alors nettement plus grand que tOFF qui est inférieure à 3 TR/4 = 48 microsecondes).
The peak value of the direct collector-emitter voltage is determined, on the one hand, by the supply voltage V12 (300 V) and, on the other hand, by the duration of the half-resonance period TR / 2 of the parallel resonant circuit formed by the chopping inductor 21 and the tuning capacitor 25 (see FR-A-2 272 092 and 2 425 186 above), as well as the duration of the interval TON during which the transistor switching 22 was previously kept saturated, which with the inductance L21 and the supply voltage V12 determine the energy stored in the inductance 21 by the maximum collector current IC 22 MAX = Vl2.tON / L2l, is equal to
C25 'C 25
CIC 22 MAX12 as well as C25 V2 / 2. For a half-period of oscillation TR / 2 substantially equal to a line half-period (TH = 64 microseconds) and a saturation time t ON substantially equal to a quarter of the horizontal scanning line period of a television and for a resistance R28 of 220 ohms, a capacity
C27 of the order of microfarad seems sufficient to maintain a substantially constant charge of the battery 26 (because R28C27 = 220 microseconds is then significantly larger than tOFF which is less than 3 TR / 4 = 48 microseconds).

Comme dans le cas des circuits d'alimentation à découpage des publications DE-B- 1 234 836, FR-A- 2 272 092 et 2 425 186 et des demandes de brevet français n" 79 16 905 et n0. 80 14 912 précitées, le blocage du transistor de commutation 22 entraîne, du fait de la reprise du courant IL 21 MAX dans l'inductance 21 par le condensateur d'accord 25, une montée quasi-linéaire de la tension collec teur-émetteur VCE 22 de celui-ci, d'une valeur de VCE 22 sat proche de zéro jusqu'à VCE 22 égale à V12 - VE 22 ou V12 4 VFD et par la suite une demi-période d'oscillation sinusoîdale de durée égale

Figure img00240001

environ jusqu'au retour à VCE 22 = l2 - 4 VFD, suivi d'une chute quasi4inéaire jusqu'à VCE 22 = - VFD, lorsque la première diode anti-parallèle 23 devient conduc::rice en courtcircuitant le condensateur d'accord 25 ainsi que le transistor 22 en série avec l'enroulement primaire 31 du transformateur 32 et avec la pile 26.Pendant que la tension à na jonction de l'inductance 21 et du condensateur d'accord 25 eL-ectue une excursion demi-sinusoYdale positive, le courant résonnant parcourant ces deux éléments subit une variation demi-cosinusoïdale entre une saleur maximale positive
IL 21 MAX et une valeur maximale négative ou minimale 1L 21 MIN avec un passage par zéro coïncidant dans le temps avec la valeur crête de l'excursion de la tension collecteur
Figure img00240002

(qui doit être inférieure à la valeur VCEX du type du transistor 22 choisi, spécifiée dans les catalogues des fournisseurs).As in the case of the switching power supply circuits of the publications DE-B- 1 234 836, FR-A- 2 272 092 and 2 425 186 and of the above-mentioned French patent applications No. 79 16 905 and No. 80 14 912 , the blocking of the switching transistor 22 causes, due to the recovery of the current IL 21 MAX in the inductor 21 by the tuning capacitor 25, a quasi-linear rise in the collector-emitter voltage VCE 22 thereof. ci, with a value of VCE 22 sat close to zero up to VCE 22 equal to V12 - VE 22 or V12 4 VFD and thereafter half a sinusoidal oscillation period of equal duration
Figure img00240001

approximately until the return to VCE 22 = l2 - 4 VFD, followed by a quasi-linear fall to VCE 22 = - VFD, when the first anti-parallel diode 23 becomes conductive by short-circuiting the tuning capacitor 25 as well as the transistor 22 in series with the primary winding 31 of the transformer 32 and with the battery 26. While the voltage at na junction of the inductor 21 and the tuning capacitor 25 takes a half-sine positive excursion , the resonant current flowing through these two elements undergoes a semi-cosine variation between a positive maximum salt
IL 21 MAX and a maximum negative or minimum value 1L 21 MIN with a zero crossing coinciding in time with the peak value of the excursion of the collector voltage
Figure img00240002

(which must be less than the VCEX value of the type of transistor 22 chosen, specified in the suppliers' catalogs).

La diode anti-parallèle 23 commence à conduit un courant de sens inverse par rapport au courant collecteur du transistor 22, qui est linéairement croissant à partir d'une valeur IL 21 MIN négative (légèrment supérieure à -IL 21 MAX du fait des pertes ohmiques dans le circuit de puissance 20, notamment dans inductance 21) vers une valeur nulle. Pour que le transistor 22 puisse reprendre le courant linéairement croissant à l'instant de son passage par zéro, sa base doit être préalablement polarisée de façon à lui permettre de devenir conducteur.Il faut donc appliquer le front montant de l'impulsion de courant à la diode émettrice de lumière 56 du photocoupleur 50 à un instant précédant l'annulation du courant dans la diodé anti-parallèle 23, d'au moins du temps nécessaire pour bloquer les deux transistors 39, 40 du circuit d'attaque 30, qui comprend successivement les temps de stockage et de retard à la décroissance respectives de ceux-ci. L'instant de saturation du phototransistor 52 n'est pas critique à condition qu'il soit postérieur à la mise en conduction de la diode anti-parallèle 23 et antérieur, au moins du retard cumulé des transistors 39, 40 à la décroissance, à l'annulation du courant dans cette dernière.La base du transistor de commutation 22 sera donc polarisée positivement par rapport à son émetteur dès que les transistors d'attaque 39, 40 dont la saturation quasi-simultanée provoque son blocage, deviennent bloqués à leur tour, pour lui permettre de devenir conducteur dès le passage par zéro du courant dans la diode 23 et de devenir par la suite saturé par l'action régénérative bien connue du transformateur de courant 32. The anti-parallel diode 23 begins to conduct a current of opposite direction with respect to the collector current of the transistor 22, which is linearly increasing from a negative value IL 21 MIN (slightly higher than -IL 21 MAX due to the ohmic losses in the power circuit 20, in particular in inductance 21) towards a zero value. In order for transistor 22 to be able to pick up the linearly increasing current at the time of its zero crossing, its base must be previously polarized so as to allow it to become conductive. It is therefore necessary to apply the rising edge of the current pulse to the light-emitting diode 56 of the photocoupler 50 at an instant preceding the cancellation of the current in the anti-parallel diode 23, by at least the time necessary to block the two transistors 39, 40 of the driving circuit 30, which comprises successively the storage times and the delay in the respective decrease thereof. The instant of saturation of the phototransistor 52 is not critical provided that it is after the conduction of the anti-parallel diode 23 and earlier, at least of the cumulative delay of the transistors 39, 40 at decay, at the cancellation of the current in the latter. The base of the switching transistor 22 will therefore be positively biased with respect to its emitter as soon as the driving transistors 39, 40 whose quasi-simultaneous saturation causes its blocking, become blocked in turn , to enable it to become conductive as soon as the current in the diode 23 passes through zero and to subsequently become saturated by the well-known regenerative action of the current transformer 32.

L'extinction de la diode émettrice de lumière 56 et le blocage consécutif du phototransistor 52 permettent de recommencer le processus du blocage du transistor de commutation 22 de la manière décrite précédemment. The extinction of the light-emitting diode 56 and the subsequent blocking of the phototransistor 52 make it possible to restart the process of blocking the switching transistor 22 as described above.

Lorsque le transistor de commutation 22 se bloque brusquement, c'est-à-dire lorsque son courant collecteur devient rapidement nul après avoir atteint sa valeur maximale IC 22 MAX" le fait d'avoir conecté l'une des armatures du condensateur d'accord 25 (ainsi que la cathode de la diode anti-parallèle 23) à la jonction entre l'inductance de découpage 21 et l'enroulement primaire 31 du transformateur de courant 32, provoque l'annulation du courant qui le parcourt et l'inversion de la chute de tension entre cette jonction et le collecteur du transistor et, par conséquent, une inversion correspondante de la force électromotrice induite dans son enroulement secondaire 33.Comme cette force électromotrice n'est pas négligeable, elle peut aller jusqu'à provoquer une décharge de type "avalanche" dans la sixième diode 34 à travers laquelle une polarisation négative supplémentaire pourrait être appliquée à la jonction 37 respectivement directement reliée au collecteur du second transistor 39 et indirectement réunie au collecteur du troisième 40 et à la base du transistor de commutation 22. Un tel phénomène n'est pas inacceptable si la tension de claquage inverse dite d'avalanche de la sixième diode 34, éventuellement ajoutée à celle de la septième 35, n'est pas notablement inférieure à la tension aux bornes du secondaire de réaction 33 dûe à cette force électromotrice induite, afin de ne pas provoquer la désaturation temporaire des transistors 39 et 40.Un tel claquage de type "avalanche" effectuerait alors une évacuation partielle des porteurs de la base, par l'intermédiaire d la résistance 36, de la diode 34 et du secondaire 33 en série. Si ce phénomène devient génant, il est aisément éliminable par la connection en parallèle avec l'enroulement secondaire de réaction 33 d'un circuit d'amortissement (non représenté) des surtensions inverses comprenant une diode dont l'anode est reliée à la borne froide (reliée à la masse 10) de celui-ci et dont la cathode est réunie à travers une résistance d'amortissement à sa borne chaude (reliée à l'anode de la diode 34). When the switching transistor 22 suddenly turns off, that is to say when its collector current quickly becomes zero after reaching its maximum value IC 22 MAX "the fact of having connected one of the armatures of the tuning capacitor 25 (as well as the cathode of the anti-parallel diode 23) at the junction between the chopping inductor 21 and the primary winding 31 of the current transformer 32, causes the cancellation of the current flowing through it and the inversion of the voltage drop between this junction and the collector of the transistor and, consequently, a corresponding inversion of the electromotive force induced in its secondary winding 33. As this electromotive force is not negligible, it can go as far as to cause a discharge of the "avalanche" type in the sixth diode 34 through which an additional negative bias could be applied to the junction 37 respectively directly connected to the collector of the second transistor 39 and in directly connected to the collector of the third 40 and to the base of the switching transistor 22. Such a phenomenon is not unacceptable if the reverse breakdown voltage known as the avalanche voltage of the sixth diode 34, possibly added to that of the seventh 35, is not notably lower than the voltage at the terminals of the reaction secondary 33 due to this induced electromotive force, so as not to cause temporary desaturation of the transistors 39 and 40. Such an "avalanche" type breakdown would then carry out a partial evacuation carriers of the base, via the resistor 36, the diode 34 and the secondary 33 in series. If this phenomenon becomes annoying, it is easily eliminated by the connection in parallel with the secondary reaction winding 33 of a damping circuit (not shown) of reverse overvoltages comprising a diode whose anode is connected to the cold terminal. (connected to ground 10) thereof and the cathode of which is joined through a damping resistor to its hot terminal (connected to the anode of diode 34).

En résumé, le circuit de commande 30 d'un transistor de commutation 22 dont le circuit de charge 21 est inductif et dont la base est alimentée par un enroulement de réaction 33 couplé à cette charge inductive 21 ou par un transformateur de courant 32 ayant un enroulement en série avec cette dernière est remarquable notamment par le fait qu'il comporte en cascade: un étage d'isolement 50 dont l'élément de sortie est constitué par un transistor 52 éventuellement de commutation, et un étage d'attaque 30 constitué par un inverseur logique à transistors de commutation dont la sortie est galvaniquement réunie à cette base pour commander le blocage du transistor de commutation 22 par la saturation d'un transistor dont le trajet collecteur-émetteur réunit cette base à la masse, lorsque l'étage d'isolement 50 ne reçoit pas de signal de commande sur son entrée. En d'autres termes, le principal - avantage du circuit de commande de la présente invention est qu'en l'absence de signal de commande à l'entrée de l'étage d'isolement 50, le transistor de sortie 52 de celui-ci, ainsi que le transistor de commutation de puissance 22 commandé en phase avec le précédant, restent bloqués, conférant ainsi une auto-protection contre les déclenchements intempestifs par une éventuelle panne, telle qu'un court-circuit d'un transistor ou d'un condensateur, du circuit d'attaque 30, par exemple. In summary, the control circuit 30 of a switching transistor 22 whose load circuit 21 is inductive and whose base is supplied by a reaction winding 33 coupled to this inductive load 21 or by a current transformer 32 having a winding in series with the latter is remarkable in particular by the fact that it comprises in cascade: an isolation stage 50 whose output element is constituted by a transistor 52 optionally switching, and a drive stage 30 constituted by a logic inverter with switching transistors whose output is galvanically connected to this base to control the blocking of the switching transistor 22 by the saturation of a transistor whose collector-emitter path joins this base to ground, when the stage d isolation 50 does not receive a control signal on its input. In other words, the main advantage of the control circuit of the present invention is that in the absence of a control signal at the input of the isolation stage 50, the output transistor 52 of it ci, as well as the power switching transistor 22 controlled in phase with the previous one, remain blocked, thus conferring self-protection against nuisance tripping by a possible failure, such as a short circuit of a transistor or a capacitor, of the driving circuit 30, for example.

La figure 2 représente un schéma de principe d'une autre application possible du circuit de commande suivant l'invention à un dispositif d'alimentation par découpage sensiblement du type décrit dans la publication FR-A- 2 345 762, par exemple. FIG. 2 represents a block diagram of another possible application of the control circuit according to the invention to a supply device by chopping substantially of the type described in the publication FR-A-2 345 762, for example.

Sur la figure 2,1'inductance de découpage (ou de commutation) du circuit de puissance 200 est constituée par l'enroulement primaire 211 d'un transformateur d'alimentation 210 dont un premier enroulement secondaire 212 constituant l'enroulement de réaction, est relié par l'une de ses bornes à la masse primaire 10 et réuni par son autre borne, à travers une résistance de limitation de courant 301 (de quelques ou d'une dizaine d'ohms) en série avec les deux diodes 34 et 35, à la base du transistor de commutation 22 pour assurer l'auto-alimentation de celle-ci pendant l'état saturé de ce dernier. In FIG. 2,1, the chopping (or switching) inductance of the power circuit 200 is constituted by the primary winding 211 of a supply transformer 210 of which a first secondary winding 212 constituting the reaction winding, is connected by one of its terminals to primary ground 10 and joined by its other terminal, through a current limiting resistor 301 (of a few or ten ohms) in series with the two diodes 34 and 35 , at the base of the switching transistor 22 to ensure self-supply thereof during the saturated state of the latter.

La jonction 37 de la cathode de la première 34 avec l'anode de la seconde 35 des deux diodes 34, 35 en série, est reliée, en plus du point commun du collecteur du second transistor 39 et de la résistance 38, à l'anode d'une troisième diode 302 dont la cathode est reliée au collecteur du transistor de commutation 22.Cette troisième diode 302 dont l'anode est reliée à celle de la diode 35 dont la cathode est reliée (sans résistance en parallèle dans ce cas) à la base du transistor de commutation 22, joue le rôle d'une seconde diode d'anti-saturation ou "attrape-collecteur" en fixant le potentiel minimal du collecteur VC 22 MIN > lorsque ce dernier est saturé, à la valeur maximale du potentiel de base VB 22 MAX (égale à 5 VFD par rapport à la masse 10) de façon à empêcher qu'il sature complètement en atteignant VCE 22 sat (lorsque cette valeur est inférieure à VBE 22 sat) Lorsque la base du transistor 22 et son collecteur sont au même potentiel, une partie du courant fourni par l'enroulement de réaction 212 est dérivée vers le collecteur, de façon à réduire encore plus le nombre de porteurs minoritaires stockés dans la base. The junction 37 of the cathode of the first 34 with the anode of the second 35 of the two diodes 34, 35 in series, is connected, in addition to the common point of the collector of the second transistor 39 and of the resistor 38, to the anode of a third diode 302 whose cathode is connected to the collector of switching transistor 22.This third diode 302 whose anode is connected to that of diode 35 whose cathode is connected (without resistance in parallel in this case) at the base of the switching transistor 22, plays the role of a second anti-saturation diode or "catch-collector" by fixing the minimum potential of the collector VC 22 MIN> when the latter is saturated, at the maximum value of base potential VB 22 MAX (equal to 5 VFD with respect to ground 10) so as to prevent it completely saturating when reaching VCE 22 sat (when this value is less than VBE 22 sat) When the base of transistor 22 and its collector are at the same potential, part of the current supplied by the winding ent ent 212 is diverted to the collector, so as to further reduce the number of minority carriers stored in the base.

Le collecteur du transistor de commutation 22 est réuni ici, en outre, d'une part par un circuit d'amortissement 303 constitué par un montage parallèle d'une diode conduisant dans le même sens que le trajet collecteur-émetteur de celui-ci, et d'une résistance de l'ordre du kiloohm ou plus, décrit dans la FR-A- 2 345 762 précitée, à l'une des bornes de l'enroulement primaire 211 du transformateur et, d'autre part, par un circuit de protection classique (voir, par exemple, dans l'article de Mc MURRAY intitulé "OPTIMUM
SNUBBERS FOR POWER SEMICONDUCTORS" paru dans la revue américaine IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS, volume IA - 8, nO 5, des mois de septembreloctobre 1972, aux pages 593 à 600) contre des taux de montée excessives de la tension collecteur-émetteur 304, à la masse primaire 10.
The collector of the switching transistor 22 is joined here, in addition, on the one hand by a damping circuit 303 constituted by a parallel mounting of a diode leading in the same direction as the collector-emitter path thereof, and of a resistance of the order of a kiloohm or more, described in the aforementioned FR-A- 2 345 762, at one of the terminals of the primary winding 211 of the transformer and, on the other hand, by a circuit of classic protection (see, for example, in the article by Mc MURRAY entitled "OPTIMUM
SNUBBERS FOR POWER SEMICONDUCTORS "published in the American journal IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS, volume IA - 8, no 5, from September October 1972, pages 593 to 600) against excessive rates of rise in collector-emitter voltage 304, to primary mass 10.

Le transformateur d'alimentation 2 comporte au moins un autre enroulement secondaire 213 dont l'une de ses bornes. est reliée à la masse secondaire ou froide 100, isolée de la masse primaire ou chaude 10 qui est, en liaison galvanique avec le réseau alternatif. The supply transformer 2 comprises at least one other secondary winding 213, one of its terminals of which. is connected to the secondary or cold ground 100, isolated from the primary or hot ground 10 which is, in galvanic connection with the alternating network.

L'autre borne de cet enroulement secondaire 213 est reliée à l'une des électrodes (anode ou cathode) d'une diode de redressement 71 dont l'autre électrode (cathode ou anode) est reliée à l'une des armatures (positive ou négative) d'un second condensateur de filtrage 72 de type électrochimique. L'autre armature (négative ou positive) de ce condensateur 72 formant avec la diode 71 un montage redresseur 70, est reliée à la jonction de la masse secondaire 100 avec l'autre enroulement secondaire 213. Du fait que l'interrupteur électronique du circuit de puissance 200 est constitué par le seul transistor de commutation 22 (sans diode anti-parallèle), l'énergie accumulée dans l'inductance de l'enroulement primaire 211 ne peut être restituée après son blocage et l'annulation de son courant collecteur, que par l'un des enroulements secondaires 212 ou 213.Cette. brusque annulation du courant collecteur qui parcourt le primaire 211 provoquant une inversion de la tension aux bornes de tous les enroulements 211, 212 et 213 du transformateur 210 et du fait de la présence de la diode d'isolement 34 qui est alors polarisée à l'envers, le secondaire de réaction 212 est un circuit ouvert, l'autre enroulement secondaire 213 d'alimentation doit être connectée de telle façon aux bornes du montage redresseur 70 pour que la diode de redressement 71 soit conducrice, lorsqu'une tension de polarité inverse à celle qui est présente à ses bornes pendant l'intervalle de saturation t ON du transistor 22, lui est appliquée.The other terminal of this secondary winding 213 is connected to one of the electrodes (anode or cathode) of a rectifying diode 71 whose other electrode (cathode or anode) is connected to one of the armatures (positive or negative) of a second filtering capacitor 72 of the electrochemical type. The other armature (negative or positive) of this capacitor 72 forming with the diode 71 a rectifier assembly 70, is connected to the junction of the secondary ground 100 with the other secondary winding 213. Because the electronic circuit switch of power 200 is constituted by the single switching transistor 22 (without anti-parallel diode), the energy accumulated in the inductance of the primary winding 211 cannot be restored after its blocking and the cancellation of its collector current, than by one of the secondary windings 212 or 213. abrupt cancellation of the collector current flowing through the primary 211 causing an inversion of the voltage across all the windings 211, 212 and 213 of the transformer 210 and due to the presence of the isolation diode 34 which is then polarized at the upside down, the reaction secondary 212 is an open circuit, the other secondary supply winding 213 must be connected in such a way to the terminals of the rectifier assembly 70 so that the rectification diode 71 is conductive, when a voltage of reverse polarity to that which is present at its terminals during the saturation interval t ON of transistor 22, is applied to it.

La diode 71 conduit alors, au moins pendant la portion initiale de l'intervalle de blocage tOFF du transistor 22, un courant linéairement décroissant à partir d'une valeur maximale ID 71 MAX =

Figure img00290001

correspondant à l'énergie ac cumulée dans le primaire à la fin de l'intervalle de saturation toN de ce dernier.The diode 71 then conducts, at least during the initial portion of the blocking interval tOFF of the transistor 22, a linearly decreasing current from a maximum value ID 71 MAX =
Figure img00290001

corresponding to the energy ac accumulated in the primary at the end of the latter's saturation interval toN.

Le courant dans la diode 71 peut décroître soit jusqu'à son annuia- tion, le dispositif d'alimentation à découpage du type à accumulation ("fly-back") est alors à décharge complète du transformateur 210, soit jusqu'à une valeur ID0 différente de zéro et du même sens que ID MAX' fonction de la puissance consommée par la composante résistive équivalente de la charge (non représentée) connectée entre les armatures du second condensateur de filtrage 72. Dans ce dernier cas, c'est un dispositif à accumulation et à décharge incomplète du transformateur 210 dans lequel la saturation du transistor 22 doit intervenir antérieurement à l'annulation du courant dans la diode de redressement 71 qui cesse alors de conduire.The current in the diode 71 can decrease either until it is canceled, the switching power supply device of the accumulation type ("fly-back") is then at full discharge from the transformer 210, or up to a value ID0 different from zero and in the same direction as ID MAX 'function of the power consumed by the equivalent resistive component of the load (not shown) connected between the armatures of the second filtering capacitor 72. In the latter case, it is a device with incomplete accumulation and discharge of the transformer 210 in which the saturation of the transistor 22 must take place prior to the cancellation of the current in the rectifying diode 71 which then stops driving.

Le circuit de commande ou d'attaque 300 de la figure 2 est, hormis l'absence de la résistance 36 en parallèle avec la diode 35, (qui peut alors être omise ou remplacée par une autre résistance de valeur notablement supérieure), est analogue à celui 30 de la figure 1, et son fonctionnement en ce qui concerne le blocage et la remise en conduction du transistor de commutation 22, sensiblement en phase avec le transistor de sortie 502 (ou 52) à collecteur ouvert de l'étage d'isolement 500 (ou 50), dont le collecteur est également réuni, d'une part, à la dérivation 294 de la pile 26 au moyen de la diode d'anti-saturation 47 et d'autre part, à l'entrée du circuit de commande 300 (ou 30) qui est réunie, à son tour, d'une part par les jonctions base-émetteur respectives des deux transistors 39, 40 formant l'inverseur, reliées en série, à la masses primaire 10 et, d'autre part par les résistances 45 et 46 en série, au pâle positif d'alimentation 12. The control or driver circuit 300 of FIG. 2 is, apart from the absence of the resistor 36 in parallel with the diode 35, (which can then be omitted or replaced by another resistor of appreciably higher value), is similar to that 30 of FIG. 1, and its functioning with regard to blocking and restoring conduction of the switching transistor 22, substantially in phase with the output transistor 502 (or 52) with open collector of the stage of isolation 500 (or 50), the collector of which is also joined, on the one hand, to the shunt 294 of the battery 26 by means of the anti-saturation diode 47 and on the other hand, to the input of the circuit control 300 (or 30) which is in turn joined on the one hand by the respective base-emitter junctions of the two transistors 39, 40 forming the inverter, connected in series to the primary ground 10 and, on the other hand by resistors 45 and 46 in series, to the pale positive supply 12.

L'étage d'isolement 500 est constitué ici essentiellement par un transformateur d'impulsions et d'isolement 515 (connu des articles des revues néerlandaise et britannique précitées) dont l'enrou- lement secondaire 504 est connecté en série avec une résistance de polarisation de la base et de limitation du courant de base à la saturation 505, entre la base et l'émetteur d'un transistor bipolaire 502 de commutation, qui est du type NPN. The isolation stage 500 here essentially consists of a pulse and isolation transformer 515 (known from articles in the aforementioned Dutch and British magazines) whose secondary winding 504 is connected in series with a bias resistor of the base and limiting the base current to saturation 505, between the base and the emitter of a bipolar switching transistor 502, which is of the NPN type.

Cet émetteur constituant l'une des sorties 503 de l'étage 500 est relié à la masse primaire 10. L'autre sortie 501 de l'étage d'isolement 500 est constituée par le collecteur ouvert de ce transistor 502 formant son élément de sortie. L'enroulement primaire 506 du transformateur 515 peut équiper un étage d'amplification ou de commutation comprenant un transistor bipolaire d'entrée 507 dont il peut constituer la charge placée dans le circuit collecteur (montage à émetteur commun ou à base commune) ou émetteur (montage à collecteur commun).Dans le circuit de la figure 2, on a représenté un étage à émetteur commun qui est relié à une masse secondaire 100 isolée du réseau et dont le collecteur est réuni par l'enroulement primaire 506 et une borne d'alimentation 512 au pâle positif + VCC d'une source de basse tension continue, isolée du réseau, dont le pôle négatif est relié à cette masse secondaire 100 et qui alimente également le générateur d'impulsions de commande du découpage (non représenté) dont les sorties sont respectivement réunies aux entrées 510 et 511 du circuit 500 pour lui fournir des impulsions posait ves récurrentes (lorsque le tr.irisistor d'entrée 507 est du type NPN) avec un rapport cyclique en fonction de la tension de sortie entre les deux armatures du second condensateur de filtrage 72.La base du transistor d'entrée 507 est reliée à son émetteur à travers une résistance 508 qui la polarise de façon à le maintenir bloquée en l'absence d'impulsions positives sur son entrée, ainsi qu'éventuellement, par l'intermédiaire d'une autre résistance 509, à l'entrée 510 de l'étage d'isolement. This emitter constituting one of the outputs 503 of the stage 500 is connected to the primary ground 10. The other output 501 of the isolation stage 500 is constituted by the open collector of this transistor 502 forming its output element . The primary winding 506 of the transformer 515 can equip an amplification or switching stage comprising a bipolar input transistor 507 of which it can constitute the load placed in the collector circuit (assembly with common emitter or common base) or emitter ( In the circuit of Figure 2, there is shown a common emitter stage which is connected to a secondary ground 100 isolated from the network and whose collector is joined by the primary winding 506 and a terminal power supply 512 to pale positive + VCC from a low-voltage DC source, isolated from the network, the negative pole of which is connected to this secondary ground 100 and which also supplies the pulse-cutting control generator (not shown) whose outputs are respectively joined to the inputs 510 and 511 of the circuit 500 to provide it with pulses posed recurrent (when the input trisistor 507 is of the NPN type) with a duty cycle in operation. n of the output voltage between the two armatures of the second filtering capacitor 72. The base of the input transistor 507 is connected to its emitter through a resistor 508 which polarizes it so as to keep it blocked in the absence of positive pulses on its input, as well as possibly, via another resistor 509, at the input 510 of the isolation stage.

Il est à remarquer ici que l'enroulement primaire 506 du transformateur d'impulsions 505 peut être alimenté de tout autre
classique, pourvu que l'on applique entre ses mornes des impulsions de tension constante (rectangulaire) ou légèrement croissante (trapézoldale) différente de zéro et qu'il soit, de ce fait, parcouru d'un- courant linéairement croissant, ayant pour effet d'induire dans l'enroulement secondaire une tension qui appliquée entre la base et l'émetteur du transistor de sortie 502 l'amène à la saturation (VBE supérieure à VFD).
It should be noted here that the primary winding 506 of the pulse transformer 505 can be supplied with any other
classical, provided that one applies between its hills pulses of constant (rectangular) or slightly increasing (trapezoidal) voltage different from zero and that it is, therefore, traversed by a linearly increasing current, having the effect inducing in the secondary winding a voltage which applied between the base and the emitter of the output transistor 502 brings it to saturation (VBE greater than VFD).

Toutefois, le prix de revient supérieur d'un étage d'isolement 500 à transformateur (appelé "transformer-coupled pulse gate" en anglais) est, du fait de la présence supplémentaire d'un transistor d'entrée 507 et d'un composant bobiné (le transformateur 515) nécessitant une main d'oeuvre non-négligeable, ainsi que son pouvoir d'isolement inférieur pour un prix de revient modique, confèrent des avantages notables à l'utilisation du photocoupleur 50 (de la figure 1). However, the higher cost price of a transformer isolation stage 500 (called "transformer-coupled pulse gate" in English) is, due to the additional presence of an input transistor 507 and a component wound (transformer 515) requiring significant labor, as well as its lower insulating power for a low cost price, confer significant advantages to the use of the photocoupler 50 (of FIG. 1).

Du fait que le transistor de sortie 52 ou 502 est commandé en phase avec le transistor de commutation 22, celui-ci est protégé contre des déclenchements intempestifs mais les circuits des figures 1 et 2 ne comportent aucun dispositif de limitation du courant collecteur de ce transistor 22, qui croit linéairement pendant tout son intervalle de saturation tON, contrairement aux dispositifs décrits, notamment, dans les publications DE-B 21 60 659, 23 36 111 et 24 17 628, FR-A- 2 345 762, 2 447 639 et 2 448 820, ainsi que dans les demandes de brevet français nO 79 16 905 et 80 14 912 précités, ni de ce fait, de dispositifs de démarrage automatique qui les rendraient auto-commandés (à une fréquence de répétition inférieure à celle du fonctionnement commandé par des impulsions appliquées aux entrées de l'étage d'isolement 50 ou 500). I1 faut donc prévoir des circuits de sécurité et de mise en route du circuit de découpage 20 ou 200 et de son circuit d'attaque inverseur 30 ou 300, alimentés tous les deux par la tension de réseau redressée et filtrée, qui feraient alors partie d'un circuit de commande (à alimentation indépendante et isolée du montage redresseur 1 de la figure mais à mise sous tension simultanée, par exemple), qui ne font pas partie de l'invention. Because the output transistor 52 or 502 is controlled in phase with the switching transistor 22, the latter is protected against nuisance tripping but the circuits of FIGS. 1 and 2 do not include any device for limiting the collector current of this transistor 22, which increases linearly throughout its saturation interval tON, unlike the devices described, in particular, in the publications DE-B 21 60 659, 23 36 111 and 24 17 628, FR-A- 2 345 762, 2 447 639 and 2,448,820, as well as in the aforementioned French patent applications Nos. 79 16 905 and 80 14 912, or therefore of automatic starting devices which would make them self-controlled (at a repetition frequency lower than that of the controlled operation by pulses applied to the inputs of isolation stage 50 or 500). It is therefore necessary to provide safety and start-up circuits for the chopping circuit 20 or 200 and its inverter driving circuit 30 or 300, both supplied by the rectified and filtered mains voltage, which would then be part of 'A control circuit (with independent power supply and isolated from the rectifier assembly 1 of the figure but with simultaneous energization, for example), which are not part of the invention.

I1 est évident que l'on peut utiliser pour équiper tous les étages du circuit, des transistors bipolaires de type PNP à condition d'inverser, d'une part, les pâles de l'alimentation haute tension et, d'autre part, les diodes, sans sortir du cadre de l'invention.  It is obvious that one can use to equip all the stages of the circuit, bipolar transistors of PNP type on condition of reversing, on the one hand, the blades of the high voltage supply and, on the other hand, the diodes, without departing from the scope of the invention.

Claims (10)

REVENDICATIONS 1. Circuit de commande d'un transistor de commutation de puissance (22) dont le trajet collecteur-émetteur est connecté en série avec sa charge inductive (21, 211) entre les pâles (12, 10) d'une première source de haute-tension continue (1) et dont la base est alimentée au moyen d'un enroulement de réaction (212, 33) magnétiquement couplé à cette charge (211) ou à l'enroulement primaire (31) d'un transformateur de courant (32) parcouru par le courant collecteur de ce transistor (22), caractérisé en ce qu'il comporte en cascade: un étage d'isolement galvanique (50, 500) dont l'élément de sortie est constitué par un autre transistor (52, 502), et un étage d'attaque (30, 300) à transistors, constitué par un inverseur logique dont le transistor de sortie (40), commandé de façon à être dans un état complémentaire relativement à cet autre transistor (52, 502), est galvaniquement réuni par son collecteur à la base du transistor de commutation (22) afin de commander le blocage de ce dernier en l'absence d'un signal de commande de polarité et d'amplitude prédéterminée à l'entrée (58-59, 510-511) de l'étage d'isolement (50, 500) devant provoquer la saturation de cet autre transistor (52, 502) qui, ainsi que l'étage d'attaque (30, 300), est alimenté par la première source (1) au moyen d'un réseau de résis-ances (45, 46, 38). 1. Control circuit of a power switching transistor (22) whose collector-emitter path is connected in series with its inductive load (21, 211) between the blades (12, 10) of a first high source -continuous voltage (1) and the base of which is supplied by means of a reaction winding (212, 33) magnetically coupled to this load (211) or to the primary winding (31) of a current transformer (32 ) traversed by the collector current of this transistor (22), characterized in that it comprises in cascade: a galvanic isolation stage (50, 500) whose output element is constituted by another transistor (52, 502 ), and a transistor driver stage (30, 300), consisting of a logic inverter including the output transistor (40), controlled so as to be in a complementary state relative to this other transistor (52, 502), is galvanically joined by its collector at the base of the switching transistor (22) in order to control the blocking of the latter in the absence of a command signal of polarity and predetermined amplitude at the input (58-59, 510-511) of the isolation stage (50, 500) which should cause the saturation of this other transistor ( 52, 502) which, as well as the drive stage (30, 300), is supplied by the first source (1) by means of a network of resis-ances (45, 46, 38). 2. Circuit de commande suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'étage d'isolement galvanique (50) est constitué par un photocoupleur dont l'élément d'entrée est une diode émettrice de lumière (56) qui, lorsqu'elle est parcourue par un courant direct, éclaire la base d'un phototransistor (52) dont le collecteur et l'émetteur sont respectivement reliés aux deux sorties (51, 53) de cet étage (50). 2. Control circuit according to claim 1, characterized in that the galvanic isolation stage (50) consists of a photocoupler whose input element is a light emitting diode (56) which, when is traversed by a direct current, illuminates the base of a phototransistor (52) whose collector and transmitter are respectively connected to the two outputs (51, 53) of this stage (50). 3. Circuit de commande suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la base du phototransistor (52) est reliée à une troisième sortie (54) de l'étage d'isolement (50), qui est réunie au moyen d'une résistance de polarisation à l'émetteur (53) du phototransistor (52).  3. Control circuit according to claim 2, characterized in that the base of the phototransistor (52) is connected to a third output (54) of the isolation stage (50), which is joined by means of a resistor of polarization at the emitter (53) of the phototransistor (52). 4. Circuit de commande suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'étage d'isolement (500) comporte un transformateur d'impulsions (505) dont l'enroulement secondaire (504) est connecté en série avec une autre résistance (505) entre la base et l'émetteur de l'autre transistor (502). 4. Control circuit according to claim 1, characterized in that the isolation stage (500) comprises a pulse transformer (505) whose secondary winding (504) is connected in series with another resistor (505 ) between the base and the emitter of the other transistor (502). 5. Circuit de commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étage d'attaque (30, 300) comporte un second transistor (39) dont l'émetteur est relié à la base d'un quatrième transistor (40); dont la base est réunie, d'une part, par Mintermédiaire de deux résistances en série (45, 46), au pâle positif (12) de la première source (1) et d'autre part, au collecteur (51, 501) du photo- (52) ou de l'autre transistor (502), l'émetteur (53, 503) de ce dernier étant relié ensemble avec celui du quatrième transistor (40) au pôle négatif (10) de cette première source (1), le collecteur du second transistor (39) étant réuni, d'une part, au moyen d'une autre résistance (38) à la jonction (48) des deux résistances (45, 46) connectées entre le pâle positif (12) et sa base et, d'autre part, au moyen d'une diode (35) conduisant dans le même sens que le trajet collecteur-émetteur du transistor (40) de sortie de l'étage d'attaque (30, 300) au collecteur de celui-ci, qui est galvaniquement réuni à la base du transistor de commutation (22), et en ce que la jonction (37) de l'autre résistance (38) avec la diode (35) est réunie au moyen d'une diode de séparation (34) conduisant dans le même sens que cette dernière (35), à l'une des bornes de l'enrou- lement de réaction (33, 212) dont l'autre borne est reliée au pôle négatif (10) de la première source (1). 5. Control circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the drive stage (30, 300) comprises a second transistor (39) whose emitter is connected to the base of a fourth transistor ( 40); the base of which is joined, on the one hand, by means of two resistances in series (45, 46), to the positive pale (12) of the first source (1) and on the other hand, to the collector (51, 501) of the photo- (52) or of the other transistor (502), the emitter (53, 503) of the latter being connected together with that of the fourth transistor (40) to the negative pole (10) of this first source (1 ), the collector of the second transistor (39) being joined, on the one hand, by means of another resistor (38) at the junction (48) of the two resistors (45, 46) connected between the positive blade (12) and its base and, on the other hand, by means of a diode (35) leading in the same direction as the collector-emitter path of the transistor (40) output from the driver stage (30, 300) to the collector thereof, which is galvanically joined to the base of the switching transistor (22), and in that the junction (37) of the other resistor (38) with the diode (35) is joined by means of a separation diode (34) leading in the same direction that the latter (35), at one of the terminals of the reaction winding (33, 212), the other terminal of which is connected to the negative pole (10) of the first source (1). 6. Circuit de commande suivant la revendication 5, dans un circuit de puissance (20, 200) du type dans lequel l'émetteur du transistor de commutation (22) est réuni au pôle négatif de la première source (1) par l'intermédiaire d'une seconde source de basse tension continue (26) comprenant un montage (29) d'au moins trois diodes (290-293) conduisant dans le même sens que le trajet collecteur-émetteur de ce transistor (22), en série, pour être périodiquement parcouru par le courant émetteur de celuirci, et, respec tivement connectés en parallèle vec t e rnontage (29) un condensa- teur (27) et une résistance (26) dont le produit est choisi de façon à être supérieur à l'intervalle entre deux périodes de conduction successives de ce transistor (22), taractérisé en ce que l'anode de celle (292) des diodes (290-293) dont la cathode est réunie par une seule diode (293) au pôle négatif (10) constitue une dérivation (294) de la seconde source (26) qui est reliée à l'anode d'une diode d'anti saturation (47) dont la cathode est reliée au collecteur du photo-(52) ou de l'autre transistor (502, afin ci'empêcher Sa saturation complète tout en permettant de polariser les jonctions base-émetteur respectives du second (39) et du troisième transistor (40), connectées en série, de manière a les bloquer, lorsqu'il est saturé. 6. Control circuit according to claim 5, in a power circuit (20, 200) of the type in which the emitter of the switching transistor (22) is joined to the negative pole of the first source (1) via a second source of low continuous voltage (26) comprising an assembly (29) of at least three diodes (290-293) leading in the same direction as the collector-emitter path of this transistor (22), in series, to be periodically traversed by the emitting current of this, and, respectively connected in parallel with the assembly (29) a capacitor (27) and a resistor (26) whose product is chosen so as to be greater than the interval between two successive conduction periods of this transistor (22), characterized in that the anode of that (292) of the diodes (290-293) whose cathode is joined by a single diode (293) at the negative pole (10 ) constitutes a derivation (294) of the second source (26) which is connected to the anode of an anti-saturation diode ration (47) whose cathode is connected to the collector of the photo- (52) or of the other transistor (502, in order to prevent its complete saturation while allowing to polarize the respective base-emitter junctions of the second (39) and of the third transistor (40), connected in series, so as to block them, when it is saturated. 7. Circuit de commande suivant l'une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que la jonction (37) entre la cathode de 3a diode de séparation (34), la résistance (38) et l'anode de la diode (3f') doit la cathode est reliée à la base du transistor de commutatlon (22), est également réunie à cette dernière > au moyen d'une résistance (38) permettant de réduire la tension de seuil nécessaire à la mise en conduction du transistor (22) et à sa mise en saturation régénérative au moyen de l'enroulement de réac t ion. 7. Control circuit according to one of claims 4 to 6, characterized in that the junction (37) between the cathode of 3a separation diode (34), the resistor (38) and the anode of the diode (3f ') must the cathode is connected to the base of the switching transistor (22), is also joined to the latter> by means of a resistor (38) making it possible to reduce the threshold voltage necessary for switching on the transistor ( 22) and to its regenerative saturation by means of the reaction winding. 8. Circuit de commande suivant l'une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que la jonction (37) entre la cathode de la diode de séparation (34), la résistance (38) et l'anode de ia diode (35) dont la cathode est reliée à la base du transistor de commutation (22), est reliée à l'anode d'une autre diode d'anti-saturation (302) dont la cathode est reliée au collecteur de celui-ci. 8. Control circuit according to one of claims 4 to 6, characterized in that the junction (37) between the cathode of the separation diode (34), the resistor (38) and the anode of the diode (35 ) whose cathode is connected to the base of the switching transistor (22), is connected to the anode of another anti-saturation diode (302) whose cathode is connected to the collector thereof. 9. Dispositif pour engendrer des courants en forme de dents de scie récurrentes dans une charge inductive (21) etîou des irnpulsions de tension de forme sensiblemen demi-sinusoidale aux bornes de celle-ci, du type dans lequel cette charge (21) est connectée en série avec un interrupteur bidirectionnel en courant et unidirectionnel en tension (24), constitué par un montage anti-parallèle, d'un transistor de commutation (22) et d'une diode (23), entre les deux pôles (12, 10) d'une première source de tension continue (1) et dans lequel la jonction de la charge (21) et de l'interrupteur (24) est reliée à l'une 9. Device for generating recurrent sawtooth-like currents in an inductive load (21) and or voltage pulses of substantially semi-sinusoidal shape across the latter, of the type in which this load (21) is connected in series with a bidirectional current and unidirectional voltage switch (24), constituted by an anti-parallel circuit, a switching transistor (22) and a diode (23), between the two poles (12, 10 ) of a first DC voltage source (1) and in which the junction of the load (21) and the switch (24) is connected to one des bornes d'un condensateur (25) dont vautre borne est reliée à l'un  terminals of a capacitor (25) of which your terminal is connected to one (10) ou l'autre (12) pâle dé la source (1) pour constituer avec l'inductance de la charge (21) un circuit résonnant parallèle, pendant les périodes d'ouverture de l'interrupteur (24), caractérisé en ce que le transistor de commutation (22) est commandé sur sa base à l'aide d'un circuit de commande suivant l'une des- revendications précé (10) or the other (12) pale from the source (1) to constitute with the inductance of the load (21) a parallel resonant circuit, during the periods of opening of the switch (24), characterized in that the switching transistor (22) is controlled on its base using a control circuit according to one of the preceding claims dentes, la charge inductive (21) pouvant comprendre l'enroulement primaire d'un transformateur d'alimentation ou de ligne qui est connecté en parallèle avec ou couplé aux bobines de déviation-ligne. dentes, the inductive load (21) possibly comprising the primary winding of a supply or line transformer which is connected in parallel with or coupled to the line-deflection coils. 10. Dispositif d'alimentation par découpage du type dans lequel llinductance de découpage est constituée par l'enroulement primaire 10. Cutting supply device of the type in which the cutting inductor is constituted by the primary winding (211) d'un transformateur d'alimentation (210) > reliée en série avec un transistor de commutation (22) entre les pôles (12, 10) d'une source de haute-tension- continue (1), dans lequel un premier enroulement secondaire (212) du transformateur (210) qui constitue l'enroulement de réaction est connecté entre le pâle négatif (12, 10) de la source et l'anode d'une diode de séparation (34) dont la cathode est galvaniquement couplée au moins dans le sens de conduction - de cette diode (34) et de la jonction base-émetteur du transistor de commutation (22), à la base de ce dernier et dans lequel au moins un second enroulement secondaire (213) de ce transformateur (210) alimente au moins un montage redresseur (70) dont au moins une diode de redressement (71) conduit pendant les intervalles de blocage du transistor de commutation (22), caractérisé en ce que ce dernier est commandé sur sa base au moyen d'un circuit de commun de suivant l'une des revendications 1 à 8.  (211) of a power supply transformer (210)> connected in series with a switching transistor (22) between the poles (12, 10) of a high-voltage- continuous source (1), in which a first secondary winding (212) of the transformer (210) which constitutes the reaction winding is connected between the negative blade (12, 10) of the source and the anode of a separation diode (34) whose cathode is galvanically coupled at least in the direction of conduction - of this diode (34) and of the base-emitter junction of the switching transistor (22), at the base of the latter and in which at least a second secondary winding (213) of this transformer (210) supplies at least one rectifier assembly (70) of which at least one rectifier diode (71) conducts during the blocking intervals of the switching transistor (22), characterized in that the latter is controlled on its base by means of a common circuit according to one of claims 1 to 8.
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