FR2430063A2 - Dispositif acoustique a memoire, pour la correlation notamment, de deux signaux haute frequence, procede de realisation du reseau de diodes utilise dans un tel dispositif et correlateur acoustique a memoire comportant un tel dispositif - Google Patents

Dispositif acoustique a memoire, pour la correlation notamment, de deux signaux haute frequence, procede de realisation du reseau de diodes utilise dans un tel dispositif et correlateur acoustique a memoire comportant un tel dispositif

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Abstract

La présente addition a pour objet des perfectionnements au dispositif acoustique à mémoire, objet du brevet principal, concernant la structure des diodes utilisées et leur procédé de réalisation. La face du substrat, de haute résistivité et non épitaxié, portant la jonction 3 réalisée par la méthode planar, est traitée par une attaque mésa de manière à être plus petite que la face opposée 7. Une couronne isolante 4 recouvre la périphérie de la jonction et déborde sur le substrat. Cette couronne a des dimensions extérieures inférieurs à celles de la face 7 sur laquelle elle déborde. Une couche métallique 6 assurant un contact ohmique recouvre notamment les parois latérales de la diode créées par l'attaque mésa, excepté les zones de ces parois surplombées par la couronne isolante 4. Cette métallisation des parois latérales sert d'électrode et relie entre elles les diodes réalisées sur un seul et même substrat. Application aux corrélateurs acoustiques à mémoire.
FR7819504A 1978-06-29 1978-06-29 Dispositif acoustique a memoire, pour la correlation notamment, de deux signaux haute frequence, procede de realisation du reseau de diodes utilise dans un tel dispositif et correlateur acoustique a memoire comportant un tel dispositif Granted FR2430063A2 (fr)

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US06/051,958 US4315275A (en) 1978-06-29 1979-06-25 Acoustic storage device intended in particular for the correlation of two high-frequency signals
GB7922479A GB2025133B (en) 1978-06-29 1979-06-28 Acousticstorage device intended in particular for the correlation of two high-frequency signals and method for producing the network of diodes used therein
DE19792926372 DE2926372A1 (de) 1978-06-29 1979-06-29 Schalleinrichtung fuer hochfrequenzsignale, insbesondere fuer die korrelation von zwei hochfrequenzsignalen, verfahren zur herstellung des in einer solchen einrichtung verwendeten diodennetzes und schall-korrelationseinrichtung mit einer solchen schalleinrichtung
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4665413A (en) * 1984-12-19 1987-05-12 Eaton Corporation Edge junction schottky diode
US4800420A (en) * 1987-05-14 1989-01-24 Hughes Aircraft Company Two-terminal semiconductor diode arrangement
JPH02170611A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置
DE3922671A1 (de) * 1989-07-10 1991-01-24 Siemens Ag Akustoelektronisches bauelement mit einer oberflaechenwellenanordnung und einer elektronischen halbleiterschaltung
FR2792082B1 (fr) 1999-04-06 2003-05-30 Thomson Csf Dispositif d'holographie numerique

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2254908A1 (fr) * 1973-12-18 1975-07-11 Thomson Csf
US4070652A (en) * 1975-11-14 1978-01-24 Westinghouse Electric Corporation Acousto-electric signal convolver, correlator and memory

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3065391A (en) * 1961-01-23 1962-11-20 Gen Electric Semiconductor devices
GB967002A (en) * 1961-05-05 1964-08-19 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
US3325702A (en) * 1964-04-21 1967-06-13 Texas Instruments Inc High temperature electrical contacts for silicon devices
NL7007171A (fr) * 1970-05-16 1971-11-18
GB1372052A (en) * 1971-01-05 1974-10-30 Mullard Ltd Electromechanical frequency selective devices
US3865646A (en) * 1972-09-25 1975-02-11 Bell Telephone Labor Inc Dielectric optical waveguides and technique for fabricating same
US3823352A (en) * 1972-12-13 1974-07-09 Bell Telephone Labor Inc Field effect transistor structures and methods
US3878553A (en) * 1972-12-26 1975-04-15 Texas Instruments Inc Interdigitated mesa beam lead diode and series array thereof
US3896473A (en) * 1973-12-04 1975-07-22 Bell Telephone Labor Inc Gallium arsenide schottky barrier avalance diode array
FR2274113A1 (fr) * 1974-06-04 1976-01-02 Thomson Csf Dispositif acoustique a memoire pour la correlation notamment de deux signaux haute-frequence
FR2330144A1 (fr) * 1975-10-31 1977-05-27 Thomson Csf Procede de fabrication de diodes mesa a faible inductance et dispositifs obtenus par ledit procede
FR2335953A1 (fr) * 1975-12-19 1977-07-15 Thomson Csf Nouvelles diodes " mesa " et leur procede de fabrication
US4075650A (en) * 1976-04-09 1978-02-21 Cutler-Hammer, Inc. Millimeter wave semiconductor device
US4097890A (en) * 1976-06-23 1978-06-27 Hewlett-Packard Company Low parasitic capacitance and resistance beamlead semiconductor component and method of manufacture

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2254908A1 (fr) * 1973-12-18 1975-07-11 Thomson Csf
US4070652A (en) * 1975-11-14 1978-01-24 Westinghouse Electric Corporation Acousto-electric signal convolver, correlator and memory

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NV320/75 *
NV8030/75 *

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DE2926372A1 (de) 1980-01-17
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US4315275A (en) 1982-02-09
FR2430063B2 (fr) 1982-01-15
JPS558699A (en) 1980-01-22

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