FI86226B - Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat. - Google Patents

Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat. Download PDF

Info

Publication number
FI86226B
FI86226B FI903487A FI903487A FI86226B FI 86226 B FI86226 B FI 86226B FI 903487 A FI903487 A FI 903487A FI 903487 A FI903487 A FI 903487A FI 86226 B FI86226 B FI 86226B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
ion exchange
glass substrate
mask
light waveguide
planar light
Prior art date
Application number
FI903487A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI86226C (fi
FI903487A0 (fi
FI903487A (fi
Inventor
Seppo Honkanen
Ari Tervonen
Original Assignee
Nokia Oy Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nokia Oy Ab filed Critical Nokia Oy Ab
Priority to FI903487A priority Critical patent/FI86226C/fi
Publication of FI903487A0 publication Critical patent/FI903487A0/fi
Priority to US07/713,422 priority patent/US5160523A/en
Priority to DE69113346T priority patent/DE69113346T2/de
Priority to EP91306242A priority patent/EP0467579B1/en
Priority to JP3169705A priority patent/JPH04234005A/ja
Publication of FI903487A publication Critical patent/FI903487A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI86226B publication Critical patent/FI86226B/fi
Publication of FI86226C publication Critical patent/FI86226C/fi

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
    • G02B6/1345—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion exchange

Description

1 86226
Menetelmä valoaaltojohteiden valmistamiseksi ionivaihto-tekniikalla lasisubstraatille
Keksinnön kohteena on menetelmä valoaaltojohteiden 5 valmistamiseksi ionivaihtotekniikalla lasisubstraatille.
Kiinnostus ionivaihtotekniikalla lasiin valmistettujen valoaaltojohteiden käyttöön passiivisessa integroidussa optiikassa on viime aikoina kasvanut huomattavasti. Tyypillisiä esimerkkejä tällaisista komponenteista ja lait-10 teista ovat yksimuotoiset 1/N-tehonjakajat sekä aallonpi-tuusselektiiviset suuntakytkimet. Koska lasista valmistettujen aaltojohteiden toiminta on puhtaasti passiivista eivätkä ne mahdollista valmistuksen jälkeen tapahtuvaa säätöä, tarvitaan valmistusparametrien tarkkaa kontrolloin-15 tia halutun aalto johteiden toistettavuuden saavuttamiseksi.
Tämä on erityisen tärkeää suuntakytkimien tapauksessa, jossa symmetristen ja epäsymmetristen moodien välisen ete-nemiskerroineron tarkka säätö on tarpeen. Optisen kuidun kanssa yhteensopivien aaltojohtojen valmistamiseksi ioni-20 vaihtotekniikalla käytetään yleensä kaksivaiheisia prosesseja. Näissä prosesseissa aaltojohteet muodostetaan vaihtamalla lasissa alunperin olevat ionit (tyypillisesti natrium- eli Nationit) taitekerrointa kasvattaviin ioneihin (kuten K*, Ag*, Cs*, Rb*, Li* tai Tl* ionit) ionivaihtomas-25 kissa olevan kapean aukon kautta ja käyttäen ionilähteinä ·*·/ suolasulatteita tai hopeakalvoa. Toisessa vaiheessa lämpö- käsittely tai ionivaihto NaN03-sulatteessa modifioi aal-tojohteen taitekerroinprofiilin, niin että saadaan parempi kytkentä optiseen kuituun. Koska diffuusio toisen vaiheen : : : 30 aikana kasvattaa aaltojohteiden leveyttä, täytyy ensimmäisessä vaiheessa käyttää kapeita maskin aukkoja (noin 2-4 pm). Vaihdettujen ionien määrä on hyvin herkkä maskissa olevan aukon leveydelle, minkä vuoksi on olemassa suuri • tarve uudelle valmistusmenetelmälle, jossa maskin aukon : ·* 35 leveydelle voidaan antaa väljemmät toleranssit. Ioninvaih- 2 86226 tomenetelmän perusteiden osalta viitataan artikkeliin: "Ion-exchanged Glass Waveguides: A review", R.V. Ramaswamy, Journal Of Lightwave Technology, Vol. 6, No. 6, June 1988.
5 Keksinnön päämääränä on menetelmä, joka pienentää valoaalto johteiden valmistusprosessin herkkyyttä maskivii-vojen tai maskissa olevien aukkojen leveyden vaihteluille.
Tämä saavutetaan keksinnön mukaisella menetelmällä valoaaltojohteiden valmistamiseksi ionivaihtotekniikalla 10 lasisubstraatille, jolle menetelmälle on tunnusomaista, että valoaaltojohteet muodostetaan diffusoimalla taiteker-rointa kasvattavia ioneja pois lasisubstraatin pintaan muodostetusta laajemmasta valoaalto johteesta ionivaihtotek-niikkaa ja positiivityyppistä ionivaihtomaskia käyttäen. 15 Menetelmän ensimmäisessä vaiheessa valmistetaan ionivaihtotekniikalla lasisubstraatin pinnalle tasomainen valoaalto johde, jota ei ole sivusuunnassa rajoitettu. Toisessa vaiheessa lasin pintaan muodostetaan kapea ionivaihtomas-kikalvo, minkä jälkeen suoritetaan ionivaihto dif fusoimalla 20 tasomaisen aaltojohteen taitekerrointa kasvattavia ioneja ulos lasista niiltä alueilta, joilla ei ole ionivaihtomaskia. Haluttu sivusuunnassa rajoitettu valokanava muodostuu lasisubstraatin pintaan niihin kohtiin, joissa ionivaih-tomaski estää ulos diffuusion.
, 25 Keksinnön mukaisen menetelmän erikoispiirre on, • - että valokanava muodostetaan vasta kaksivaiheisen ioni- vaihdon toisessa vaiheessa. Tästä on seurauksena, että valokanavan muodostuksen aikana tapahtuva diffuusio kaven-taa valokanavaa eikä levennä sitä kuten aikaisemmissa Ιοί : - 30 nivaihtomenetelmissä. Tämän seurauksena ohutkalvomaskitek-niikassa maskien aukkojen ja viivojen leveyksien tolerans-sei lie asetettuja vaatimuksia voidaan huomattavasti lieven-tää. Esimerkiksi tavanomaisessa ionivaihdossa käytettyjen yksimuototekniikan diffuusiomaskien aukot ovat n. 2-4 pm 35 leveitä, kun taas keksinnön mukaisella menetelmällä vastaa- li 3 86226 vanlaisiin yksimuotokanaviin päästään n. 8-10 pm:n viivan leveyksillä.
Keksintöä selostetaan nyt yksityiskohtaisemmin suoritusesimerkin avulla viitaten oheiseen piirrokseen, 5 jossa kuviot 1-5 havainnollistavat keksinnön mukaisen menetelmän eri vaiheita.
Keksinnön mukaisessa menetelmässä valoaalto johteiden valmistamiseksi ionivaihtotekniikalla lasisubstraatil-le valoaaltojohteet muodostetaan diffusoimalla taiteker-10 rointa kasvattavia ioneja pois lasisubstraatin pintaan muodostetusta laajemmasta valoaalto johteesta ionivaihtotek-niikkaa ja positiivityyppistä ionivaihtomaskia käyttäen. Tällöin menetelmä tyypillisesti käsittää vaiheina tasomaisen valoaaltojohteen muodostamisen ionivaihtotekniikalla 15 lasisubstraatin pintaan, positiivityyppisen ionivaihtomas-kin muodostamisen mainitun tasomaisen valoaaltojohteen päälle, ja tasoaal to johteen taitekerrointa nostavien ionien poistamisen ionivaihtotekniikalla lasisubstraatin niiltä alueilta, jolla ei ole mainittua ionivaihtomaskia. Tasomai-20 nen valoaaltojohde voi olla laajuudeltaan koko substraatin pinnan laajuinen.
Kuviossa 1 havainnollistetaan keksinnön mukaisen menetelmän ensimmäistä vaihetta, jossa tasomaisen lasisubstraatin 1 pintaan muodostetaan tasomainen valoaaltojohde . 25 tuomalla lasisubstraatin pintaan taitekerrointa kasvattavia ioneja ionivaihtotekniikkaa käyttäen. Keksinnön ensisijaisessa suoritusmuodossa tässä ensimmäisessä vaiheessa käytetään kiinteässä faasissa tapahtuvaa hopeaionivaihtoa. Tätä varten lasisubstraatin 1, joka on esimerkiksi Corning-0211-30 lasia, muodostetaan sputteroimalla ohut hopeakalvo, jonka paksuus on esimerkiksi noin 150 nm. Lasisubstraatin 1 vastakkaiselle puolelle muodostetaan myös metallikalvo, jolloin hopeakalvon 2 ja vastakkaisella puolella olevan metal-likalvon välille kytketään kohotetussa lämpötilassa (esim.
• 35 350 °C) jännite, esim. 50 V. Tällöin alkaa Na4-ioneja siir- 4 86226 tyä lasisubstraatista 1 katodina toimivaan metallikalvoon ja vastaavasti Ag*-ioneja hopeakaivosta 2 lasisubstraat-tiin 1, jolloin lasisubstraatin 1 pintaan muodostuu tasomainen korkeamman taitekertoimen omaava valoaaltojohde 3.
5 Tasomaisen valoaaltojohteen 3 muodostamisen jälkeen hopea-kalvo 2 ja substraatin 1 vastakkaisella puolella oleva metallikalvo poistetaan, jolloin tuloksena on kuvion 2 mukainen tilanne.
Tämän jälkeen lasisubstraatin 1 pinnalle tasomaisen 10 valoaaltojohteen 3 päälle muodostetaan ionivaihtomaskikal-vo 4. Ionivaihtomaski 4 on positiivityyppinen, ts. ioni-vaihtomaskikalvo 4 on substraatin 1 pinnalla niissä kohdissa, joihin valoaaltojohde halutaan muodostaa, ja ionivaih-tomaskikalvo 4 puuttuu niistä kohdista, joihin valoaalto-15 kanavaa ei haluta. Täten positiivityyppinen ionivaihtomas-kikuvio 4 vastaa haluttua valoaaltojohdekuviota. Ionivaih-tomaskikalvo voidaan valmistaa esimerkiksi titaanista (Ti).
Tämän jälkeen suoritetaan ionivaihtomaskilla 4 varustetulle lasisubstraatille 1 ionivaihto NaN03-sulat-20 teessä 5. Tällöin sulatteesta 5 siirtyy Na*-ioneja lasisubstraatin 1 pintakerrokseen ja tasomaiseen valoaaltojoh-teeseen 3 ja vastaavasti lasisubstraatin 1 pinnasta ja valoaaltojohteesta 3 siirtyy taitekerrointa kasvattavia ioneja, esim. Ag*-ioneja, NaN03-sulatteeseen 5. Ionivaihto 25 tapahtuu vain niillä alueilla lasisubstraatin pinnalle, joilla ei ole ionivaihtomaskia 4. Ionivaihtoa ei tapahdu ionivaihtomaskin 4 läpi, jolloin ionivaihtomaskin 4 alle muodostuu valoaaltokanava 6. Kun ionivaihto alueilla, joilla ei ole ionivaihtomaskia 4, on päättynyt lasisubstraatti : 30 1 poistetaan suolasulatteesta 5 ja ionivaihtomaski 4 pois tetaan, jolloin jäljelle jää lasisubstraatti 1, jossa on haluttu valoaaltokanava 6, kuten kuviossa 5 on esitetty.
. : . Oheiset kuviot ja niihin liittyvä selitys on tar- • koitettu vain havainnollistamaan esillä olevaa keksintöä.
- -'35 Yksityiskohdiltaan keksinnön mukainen menetelmä voi vaih- 5 86226 della oheisten patenttivaatimusten puitteissa. Esimerkiksi ionilähteiden, lasisubstraatin ja ionivaihtomaskien koostumus voi vaihdella kulloisenkin sovellutuksen mukaan.

Claims (6)

6 86226
1. Menetelmä valoaalto johteiden (6) valmistamiseksi ionivaihtotekniikalla lasisubstraatille (1), tunnet-5 t u siitä, että valoaaltojohteet (6) muodostetaan diffu-soimalla taitekerrointa kasvattavia ioneja pois lasisubs-traatin (1) pintaan muodostetusta laajemmasta valoaaltojoh-teesta (3) ionivaihtotekniikkaa ja positiivityyppistä ioni-vaihtomaskia (4) käyttäen.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että menetelmä käsittää vaiheet tasomaisen valoaalto johteen (3) muodostamisen ionivaihtotekniikalla lasisubstraatin (1) pintaan, positiivityyppisen ionivaihtomaskin ( 4 ) muodostami- 15 sen mainitun tasomaisen valoaaltojohteen (3) päälle, ja tasomaisen valoaaltojohteen (3) taitekerrointa nostavien ionien poistamisen ionivaihtotekniikalla lasisubstraatin (1) niiltä alueilta, joilla ei ole ionivaihtomas-kia (4).
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että tasomainen valoaaltojohde (3) on oleellisesti koko substraatin (1) pinnan laajuinen.
4. Patenttivaatimuksen 2 tai 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tasomaisen valoaaltojohteen 25 (3) muodostamisessa käytetään ionilähteenä suolasulatetta tai hopeakalvoa (2).
5. Patenttivaatimuksen 1, 2, 3 tai 4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että taitekerrointa nostavia ioneja lasisubstraatista (1) poistettaessa käytetään ioni- 30 lähteenä NaN03-sulatetta (5).
6. Jonkin aikaisemman patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ionivaihtomaski (4) valmistetaan sputteroimalla titaanista. Il ^ 86226
FI903487A 1990-07-10 1990-07-10 Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat. FI86226C (fi)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI903487A FI86226C (fi) 1990-07-10 1990-07-10 Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat.
US07/713,422 US5160523A (en) 1990-07-10 1991-06-10 Method of producing optical waveguides by an ion exchange technique on a glass substrate
DE69113346T DE69113346T2 (de) 1990-07-10 1991-07-10 Herstellungsverfahren für optische Wellenleiter durch eine Ionaustauschtechnik auf einem Glassubstrat.
EP91306242A EP0467579B1 (en) 1990-07-10 1991-07-10 Method of producing optical waveguides by an ion exchange technique on a glass substrate
JP3169705A JPH04234005A (ja) 1990-07-10 1991-07-10 イオン交換法による光導波管の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI903487A FI86226C (fi) 1990-07-10 1990-07-10 Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat.
FI903487 1990-07-10

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI903487A0 FI903487A0 (fi) 1990-07-10
FI903487A FI903487A (fi) 1992-01-11
FI86226B true FI86226B (fi) 1992-04-15
FI86226C FI86226C (fi) 1992-07-27

Family

ID=8530784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI903487A FI86226C (fi) 1990-07-10 1990-07-10 Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5160523A (fi)
EP (1) EP0467579B1 (fi)
JP (1) JPH04234005A (fi)
DE (1) DE69113346T2 (fi)
FI (1) FI86226C (fi)

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2695384B1 (fr) * 1992-09-04 1994-12-09 Corning Inc Procédé pour améliorer la fixation à l'aide d'un adhésif de fibres optiques à un substrat en verre, et composant optique intégré traité par ce procédé.
DE19609289A1 (de) * 1996-03-09 1997-09-11 Iot Integrierte Optik Gmbh Verfahren zur Herstellung integriert optischer Bauteile durch Ionenaustausch mit Gittermaske für Schichtwellenleiter
CA2217806A1 (en) * 1997-10-07 1999-04-07 Mark Farries Grating and method of providing a grating in an ion diffused waveguide
US6947651B2 (en) * 2001-05-10 2005-09-20 Georgia Tech Research Corporation Optical waveguides formed from nano air-gap inter-layer dielectric materials and methods of fabrication thereof
KR100415625B1 (ko) * 2001-08-06 2004-01-24 한국전자통신연구원 이온 교환법을 이용한 평면형 광도파로 제조 방법
US8312743B2 (en) * 2005-05-18 2012-11-20 City University Of Hong Kong Method for fabricating buried ion-exchanged waveguides using field-assisted annealing
GB0718706D0 (en) 2007-09-25 2007-11-07 Creative Physics Ltd Method and apparatus for reducing laser speckle
US8673163B2 (en) 2008-06-27 2014-03-18 Apple Inc. Method for fabricating thin sheets of glass
US7810355B2 (en) 2008-06-30 2010-10-12 Apple Inc. Full perimeter chemical strengthening of substrates
JP5616907B2 (ja) 2009-03-02 2014-10-29 アップル インコーポレイテッド ポータブル電子デバイスのガラスカバーを強化する技術
US9335604B2 (en) 2013-12-11 2016-05-10 Milan Momcilo Popovich Holographic waveguide display
US11726332B2 (en) 2009-04-27 2023-08-15 Digilens Inc. Diffractive projection apparatus
US11320571B2 (en) 2012-11-16 2022-05-03 Rockwell Collins, Inc. Transparent waveguide display providing upper and lower fields of view with uniform light extraction
US11300795B1 (en) 2009-09-30 2022-04-12 Digilens Inc. Systems for and methods of using fold gratings coordinated with output couplers for dual axis expansion
US9341846B2 (en) 2012-04-25 2016-05-17 Rockwell Collins Inc. Holographic wide angle display
US10795160B1 (en) 2014-09-25 2020-10-06 Rockwell Collins, Inc. Systems for and methods of using fold gratings for dual axis expansion
US8233204B1 (en) 2009-09-30 2012-07-31 Rockwell Collins, Inc. Optical displays
US9778685B2 (en) 2011-05-04 2017-10-03 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US8659826B1 (en) 2010-02-04 2014-02-25 Rockwell Collins, Inc. Worn display system and method without requiring real time tracking for boresight precision
US9213451B2 (en) 2010-06-04 2015-12-15 Apple Inc. Thin glass for touch panel sensors and methods therefor
US10189743B2 (en) 2010-08-18 2019-01-29 Apple Inc. Enhanced strengthening of glass
US8873028B2 (en) 2010-08-26 2014-10-28 Apple Inc. Non-destructive stress profile determination in chemically tempered glass
US8824140B2 (en) 2010-09-17 2014-09-02 Apple Inc. Glass enclosure
CN106673458B (zh) * 2011-03-16 2019-07-02 苹果公司 薄玻璃的受控化学强化
US9725359B2 (en) 2011-03-16 2017-08-08 Apple Inc. Electronic device having selectively strengthened glass
US10781135B2 (en) * 2011-03-16 2020-09-22 Apple Inc. Strengthening variable thickness glass
US9274349B2 (en) 2011-04-07 2016-03-01 Digilens Inc. Laser despeckler based on angular diversity
US9128666B2 (en) 2011-05-04 2015-09-08 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
WO2016020630A2 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Milan Momcilo Popovich Waveguide laser illuminator incorporating a despeckler
EP2748670B1 (en) 2011-08-24 2015-11-18 Rockwell Collins, Inc. Wearable data display
US10670876B2 (en) 2011-08-24 2020-06-02 Digilens Inc. Waveguide laser illuminator incorporating a despeckler
US9944554B2 (en) 2011-09-15 2018-04-17 Apple Inc. Perforated mother sheet for partial edge chemical strengthening and method therefor
US9516149B2 (en) 2011-09-29 2016-12-06 Apple Inc. Multi-layer transparent structures for electronic device housings
US9366864B1 (en) 2011-09-30 2016-06-14 Rockwell Collins, Inc. System for and method of displaying information without need for a combiner alignment detector
US9599813B1 (en) 2011-09-30 2017-03-21 Rockwell Collins, Inc. Waveguide combiner system and method with less susceptibility to glare
US8634139B1 (en) 2011-09-30 2014-01-21 Rockwell Collins, Inc. System for and method of catadioptric collimation in a compact head up display (HUD)
US9715067B1 (en) 2011-09-30 2017-07-25 Rockwell Collins, Inc. Ultra-compact HUD utilizing waveguide pupil expander with surface relief gratings in high refractive index materials
US10144669B2 (en) 2011-11-21 2018-12-04 Apple Inc. Self-optimizing chemical strengthening bath for glass
US20150010265A1 (en) 2012-01-06 2015-01-08 Milan, Momcilo POPOVICH Contact image sensor using switchable bragg gratings
US8684613B2 (en) 2012-01-10 2014-04-01 Apple Inc. Integrated camera window
US10133156B2 (en) 2012-01-10 2018-11-20 Apple Inc. Fused opaque and clear glass for camera or display window
US8773848B2 (en) 2012-01-25 2014-07-08 Apple Inc. Fused glass device housings
US9523852B1 (en) 2012-03-28 2016-12-20 Rockwell Collins, Inc. Micro collimator system and method for a head up display (HUD)
US9946302B2 (en) 2012-09-19 2018-04-17 Apple Inc. Exposed glass article with inner recessed area for portable electronic device housing
US9933684B2 (en) 2012-11-16 2018-04-03 Rockwell Collins, Inc. Transparent waveguide display providing upper and lower fields of view having a specific light output aperture configuration
US9674413B1 (en) 2013-04-17 2017-06-06 Rockwell Collins, Inc. Vision system and method having improved performance and solar mitigation
US9459661B2 (en) 2013-06-19 2016-10-04 Apple Inc. Camouflaged openings in electronic device housings
US9727772B2 (en) 2013-07-31 2017-08-08 Digilens, Inc. Method and apparatus for contact image sensing
US9244281B1 (en) 2013-09-26 2016-01-26 Rockwell Collins, Inc. Display system and method using a detached combiner
US10732407B1 (en) 2014-01-10 2020-08-04 Rockwell Collins, Inc. Near eye head up display system and method with fixed combiner
US9519089B1 (en) 2014-01-30 2016-12-13 Rockwell Collins, Inc. High performance volume phase gratings
US9886062B2 (en) 2014-02-28 2018-02-06 Apple Inc. Exposed glass article with enhanced stiffness for portable electronic device housing
US9244280B1 (en) 2014-03-25 2016-01-26 Rockwell Collins, Inc. Near eye display system and method for display enhancement or redundancy
US10359736B2 (en) 2014-08-08 2019-07-23 Digilens Inc. Method for holographic mastering and replication
WO2016042283A1 (en) 2014-09-19 2016-03-24 Milan Momcilo Popovich Method and apparatus for generating input images for holographic waveguide displays
US9715110B1 (en) 2014-09-25 2017-07-25 Rockwell Collins, Inc. Automotive head up display (HUD)
US10088675B1 (en) 2015-05-18 2018-10-02 Rockwell Collins, Inc. Turning light pipe for a pupil expansion system and method
CN107873086B (zh) 2015-01-12 2020-03-20 迪吉伦斯公司 环境隔离的波导显示器
US9632226B2 (en) 2015-02-12 2017-04-25 Digilens Inc. Waveguide grating device
US10126552B2 (en) 2015-05-18 2018-11-13 Rockwell Collins, Inc. Micro collimator system and method for a head up display (HUD)
US11366316B2 (en) 2015-05-18 2022-06-21 Rockwell Collins, Inc. Head up display (HUD) using a light pipe
US10247943B1 (en) 2015-05-18 2019-04-02 Rockwell Collins, Inc. Head up display (HUD) using a light pipe
US10108010B2 (en) 2015-06-29 2018-10-23 Rockwell Collins, Inc. System for and method of integrating head up displays and head down displays
WO2017060665A1 (en) 2015-10-05 2017-04-13 Milan Momcilo Popovich Waveguide display
US10598932B1 (en) 2016-01-06 2020-03-24 Rockwell Collins, Inc. Head up display for integrating views of conformally mapped symbols and a fixed image source
JP6895451B2 (ja) 2016-03-24 2021-06-30 ディジレンズ インコーポレイテッド 偏光選択ホログラフィー導波管デバイスを提供するための方法および装置
JP6734933B2 (ja) 2016-04-11 2020-08-05 ディジレンズ インコーポレイテッド 構造化光投影のためのホログラフィック導波管装置
WO2018013506A1 (en) 2016-07-15 2018-01-18 Corning Incorporated Lighting unit with laminate structure
EP3485305A1 (en) * 2016-07-15 2019-05-22 Corning Incorporated Optical waveguide article with laminate structure and method for forming the same
WO2018102834A2 (en) 2016-12-02 2018-06-07 Digilens, Inc. Waveguide device with uniform output illumination
US10545346B2 (en) 2017-01-05 2020-01-28 Digilens Inc. Wearable heads up displays
US10295824B2 (en) 2017-01-26 2019-05-21 Rockwell Collins, Inc. Head up display with an angled light pipe
EP3698214A4 (en) 2017-10-16 2021-10-27 Digilens Inc. SYSTEMS AND METHODS FOR MULTIPLICATION OF THE IMAGE RESOLUTION OF A PIXELIZED DISPLAY
US10914950B2 (en) 2018-01-08 2021-02-09 Digilens Inc. Waveguide architectures and related methods of manufacturing
KR20200108030A (ko) 2018-01-08 2020-09-16 디지렌즈 인코포레이티드. 도파관 셀 내의 홀로그래픽 격자의 높은 처리능력의 레코딩을 위한 시스템 및 방법
US10690858B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 Corning Incorporated Evanescent optical couplers employing polymer-clad fibers and tapered ion-exchanged optical waveguides
US11402801B2 (en) 2018-07-25 2022-08-02 Digilens Inc. Systems and methods for fabricating a multilayer optical structure
US10585242B1 (en) 2018-09-28 2020-03-10 Corning Research & Development Corporation Channel waveguides with bend compensation for low-loss optical transmission
JP2022520472A (ja) 2019-02-15 2022-03-30 ディジレンズ インコーポレイテッド 統合された格子を使用してホログラフィック導波管ディスプレイを提供するための方法および装置
KR20210134763A (ko) 2019-03-12 2021-11-10 디지렌즈 인코포레이티드. 홀로그래픽 도파관 백라이트 및 관련된 제조 방법
KR20220016990A (ko) 2019-06-07 2022-02-10 디지렌즈 인코포레이티드. 투과 및 반사 격자를 통합하는 도파관 및 관련 제조 방법
JP2022543571A (ja) 2019-07-29 2022-10-13 ディジレンズ インコーポレイテッド 画素化されたディスプレイの画像解像度および視野を乗算するための方法および装置
EP4022370A4 (en) 2019-08-29 2023-08-30 Digilens Inc. VACUUM BRAGG GRATINGS AND METHODS OF MANUFACTURING

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3857689A (en) * 1971-12-28 1974-12-31 Nippon Selfoc Co Ltd Ion exchange process for manufacturing integrated optical circuits
US4110093A (en) * 1974-04-22 1978-08-29 Macedo Pedro B Method for producing an impregnated waveguide
JPS58102203A (ja) * 1981-12-14 1983-06-17 Fujitsu Ltd 導波路形成方法
US4376138A (en) * 1982-01-04 1983-03-08 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical waveguides in InGaAsP and InP
JPS58136007A (ja) * 1982-02-08 1983-08-12 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光回路およびその製造方法
JPS60188906A (ja) * 1984-03-09 1985-09-26 Hitachi Ltd 合成樹脂光伝送体の製造方法
DE3536780A1 (de) * 1985-10-16 1987-04-16 Schott Glaswerke Verfahren zur herstellung eines planaren lichtwellenleiters
GB2181861B (en) * 1985-10-16 1989-09-13 Zeiss Stiftung Method of making a planar lightwave guide
IT1195179B (it) * 1986-09-25 1988-10-12 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento per la fabbricazione di guide ottiche per il medio infrarosso
US4842629A (en) * 1986-12-01 1989-06-27 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing buried regions of raised refractive index in a glass member by ion exchange
US4913717A (en) * 1989-01-23 1990-04-03 Polaroid Corporation Method for fabricating buried waveguides
FI82989C (fi) * 1989-04-13 1991-05-10 Nokia Oy Ab Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare.

Also Published As

Publication number Publication date
FI86226C (fi) 1992-07-27
FI903487A0 (fi) 1990-07-10
EP0467579B1 (en) 1995-09-27
EP0467579A3 (en) 1992-03-04
DE69113346T2 (de) 1996-04-04
US5160523A (en) 1992-11-03
FI903487A (fi) 1992-01-11
EP0467579A2 (en) 1992-01-22
DE69113346D1 (de) 1995-11-02
JPH04234005A (ja) 1992-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI86226B (fi) Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat.
FI86225B (fi) Anpassningselement foer sammankoppling av olika ljusvaogsledare och framstaellningsfoerfarande foer detsamma.
FI82989B (fi) Foerfarande foer framstaellning av en ljusvaogledare.
US4375312A (en) Graded index waveguide structure and process for forming same
KR100450935B1 (ko) 테이퍼형 광도파로 제조방법
US20060042322A1 (en) Integrated optic devices and processes for the fabrication of integrated optic devices
EP1001286A1 (en) Grating and method of providing a grating in an ion diffused waveguide
EP0484878B1 (en) Y-branching optical circuit
US10468849B1 (en) Hybrid optical waveguides of tellurium-oxide-coated silicon nitride and methods of fabrication thereof
US6751391B2 (en) Optical systems incorporating waveguides and methods of manufacture
AU729257B2 (en) Method of fabricating an optical component and optical component made thereby
US6650819B1 (en) Methods for forming separately optimized waveguide structures in optical materials
JPH0651145A (ja) 光回路及びその製造方法
JPS61204604A (ja) 光導波路構造の製造法
Honkanen et al. Fabrication of ion‐exchanged channel waveguides directly into integrated circuit mask plates
JP3803307B2 (ja) 光導波路の製造方法
JPH0462644B2 (fi)
JPH05313032A (ja) 光導波路の作製方法
KR100400756B1 (ko) 가변비율 광 파워 분할기 및 그 제조 방법
JP3794472B2 (ja) 膜厚変化薄膜の製造方法
JPH0197907A (ja) 光導波回路の製造方法
JP4171565B2 (ja) 光集積回路における導波路分岐構造
Honkanen et al. Ion exchange processes for advanced glass waveguides
JPH01261243A (ja) 光導波路製造方法
JPH03276105A (ja) Ｙ分岐導波路の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed

Owner name: OY NOKIA AB