FI122414B - Monikerrospiirilevy ja menetelmä sen valmistamiseksi - Google Patents

Monikerrospiirilevy ja menetelmä sen valmistamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI122414B
FI122414B FI20050767A FI20050767A FI122414B FI 122414 B FI122414 B FI 122414B FI 20050767 A FI20050767 A FI 20050767A FI 20050767 A FI20050767 A FI 20050767A FI 122414 B FI122414 B FI 122414B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
base material
motherboard
circuit board
multilayer
layer
Prior art date
Application number
FI20050767A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20050767A (fi
Inventor
Masahiro Okamoto
Shoji Ito
Ryoichi Kishihara
Osamu Nakao
Hiroki Hashiba
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2003011635A external-priority patent/JP4195619B2/ja
Priority claimed from JP2003294994A external-priority patent/JP2005064357A/ja
Priority claimed from JP2003309254A external-priority patent/JP2005079402A/ja
Priority claimed from JP2003342907A external-priority patent/JP2005109299A/ja
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Publication of FI20050767A publication Critical patent/FI20050767A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI122414B publication Critical patent/FI122414B/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4688—Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
    • H05K3/4691—Rigid-flexible multilayer circuits comprising rigid and flexible layers, e.g. having in the bending regions only flexible layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/1627—Disposition stacked type assemblies, e.g. stacked multi-cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09972—Partitioned, e.g. portions of a PCB dedicated to different functions; Boundary lines therefore; Portions of a PCB being processed separately or differently
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4688—Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
    • H05K3/4694—Partitioned multilayer circuits having adjacent regions with different properties, e.g. by adding or inserting locally circuit layers having a higher circuit density
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49158—Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base
    • Y10T29/4916—Simultaneous circuit manufacturing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

Monikerrospiirilevy ja menetelmä sen valmistamiseksi
Tekniikan ala [001] Esillä oleva keksintö koskee monikerrospiirilevyä ja menetelmää sen valmistamiseksi.
5 Keksinnön tausta [002] Viimeaikaiset elektroniset laitteet on valmistettu pienemmiksi ja kevyemmiksi sen lisäksi, että kehitystä on tapahtunut korkeataajuisten signaalien käyttökelpoisuudessa ja digitaalikojeissa, ja näiden kehityksien myötä on vaadittu elektronisiin laitteisiin asennettavilta piirilevyiltä pienikokoisia kojeita, tiheää 10 pakattavuutta ja vastaavanlaisia seikkoja.
[002/1] On olemassa nämä vaatimukset tyydyttävä osaksi taipuisa piirilevy, joka sisältää jäykän osan ja taipuisan osan (esimerkiksi japanilainen julkistettu patenttihakemus nro 2002 158 445).
[003] Viitaten kuvioihin 1A-2B selitetään alla tavanomaisen osaksi 15 taipuisan piirilevyn valmistusprosessi. Kuviot 1A-1D esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat osaksi taipuisan piirilevyn valmistusprosesseja. Kuvio 2A esittää perspektiivinäkymää, jossa näkyy perusmateriaali ja vastaavanlaiset kuvioissa 1Aja 1B esitetyt seikat, ja kuvio 2B esittää perspektiivinäkymää kuviossa 1D esitetystä osaksi taipuisasta piirilevystä.
20 [004] Kuten kuviossa 1A esitetään, johdotuspiirit 104 muodostetaan poistoprosessimenetelmällä molemmille polyimidikalvosta valmistetun taipuisan perusmateriaalin 101 pinnoille, molemmille esikovetetusta sidos-ja vastaavanlaisesta kerroksesta valmistetun sisäkerroksen jäykän perusmateriaalin 102 pinnoille ja yhdelle ulkokerroksen jäykän perusmateriaalin 103 pinnalle.
^ 25 [005] Kuten kuviossa 1A ja kuviossa 2A esitetään, taipuisan osan reiät
O
^ 109 muodostetaan oleellisesti liitoslamellin 105 sisäkerroksen jäykän perusma- ^ teriaalin 102 ja ulkokerroksen jäykän perusmateriaalin 103 läpi käyttämällä puris- o tuslävistys- ja vastaavanlaisia prosesseja. Seuraavaksi taipuisaan perusmate- g riaaliin käytetty suojakerros 106, sisäkerroksen jäykkä perusmateriaali 102, lii- Q_ 30 toslamelli 105 ja ulkokerroksen jäykkä perusmateriaali 103 asetetaan päällekkäin h'· ^ ja sijoitetaan taipuisan perusmateriaalin 101 pinnalle ja takapinnalle ja alistetaan
O
g laminointiprosessille kuviossa 1B esitetyn laminoidun jäsenen 100 valmistami- ° seksi. Tässä tapauksessa, kuten kuviossa 2A esitetään, osan (esimerkiksi, jota ilmaistaan 103a:lla), joka muodostaa piirilevyn sen jälkeen, kun prosessit on 35 saatu päätökseen, reunaosa lyödään irti niin, että piirilevyn muodostava osa 2 (esimerkiksi 103a) yhdistyy kehysosaan (esimerkiksi 103b) mikroliitekohdan (esimerkiksi 103c) välityksellä.
[006] Seuraavaksi, kuten kuviossa 1C esitetään, laminoitu jäsen 100 alistetaan porausprosessille, pinnoitusprosessille ja syövytykselle niin, että siihen 5 muodostetaan läpivientireikä 107, ulkokerroksen johdotuspiiri 108 ja vastaavanlaiset osat.
[007] Lopuksi mikroliitekohdat (esimerkiksi 103c), jotka ovat liittäneet jäykän osan B ja taipuisan osan A kehysjäseneen (esimerkiksi 103b:hen) lyödään irti samanaikaisesti käyttämällä meistiä niin, että saadaan kuvioissa 1D ja 2B esi- 10 tetty osaksi taipuisa piirilevy 110. Tässä tapauksessa heitetään pois perusmateriaalien 101, 102 ja 103 kehysjäsen (esimerkiksi 103b) ja osat, jotka on lyöty irti perusmateriaalin 101 muodostamiseksi.
[008] Lisäksi on esitetty niitä piirilevyjä, jotka järjestetään siten, että koottu kerros muodostetaan osaksi taipuisan piirilevyn pintakerrokseen ja väli- 15 kerrokset yhdistetään siihen IVHS:ien (IVHS, Interstitial Via Holes) ja SVHS:ien (SVHS, Surface Via Holes) kautta.
Keksinnön kuvaus [009] Tavanomaisen osaksi taipuisan piirilevyn ja sen valmistusprosessin mukaisesti jäykän osan laminoinnin jälkeen jäykän osan ja taipuisan osan 20 ulkomuodot tarvitsee kuitenkin leikata samanaikaisesti (leikkausprosessi). Sen vuoksi on välttämätöntä käyttää perusmateriaaleja, joissa on riittävät marginaa-liosat, joita tarvitaan vastaavissa perusmateriaalien sijoitusprosesseissa. Lisäksi useimmissa tapauksissa leikkausprosessin jälkeen nämä marginaaliosat heitetään pois kehysjäseninä. Toisin sanoen tavanomaisessa osaksi taipuisassa 25 piirilevyssä sisäkerroksen ja ulkokerroksen jäykkien perusmateriaalien kokoon-^ panoprosesseja, jotka suoritetaan niin, että jäykät osat sijoitetaan laminoituja ker- ^ roksia muodostettaessa ennalta määrättyihin sijaintipaikkoihin taipuisalle sub- v straatille, rajoittavat tekijät, kuten taipuisan perusmateriaalin ulkomuoto ja si- o jaintipaikat, koska jäykkä osa täytyy laminoida ennalta määrättyyn taipuisan pe- | 30 rusmateriaalin sijaintikohtaan. Toisin sanoen jopa silloin, kun laminointiprosessi ____ yritetään toteuttaa vain yhdessä taipuisan perusmateriaalin osassa, on välttämä- ^ töntä valmistaa kokoonpanoon käytetty osa, joka on yhtä suuri kuin taipuisa pe- o rusmateriaali.
o ^ [010] Tämän vuoksi jäykässä osassa on turhia monikerrosalueita, 35 mikä aiheuttaa materiaalikustannusten tuhlausta. Edelleen on olemassa rajoi- 3 tuksia sijaintipaikoille, joihin monikerrosalueet sijoitetaan, mistä on seurauksena niukasti vapautta johdotusten suunnitteluun.
[011] Esillä olevan keksinnön tavoitteena on siten kehittää moniker-rospiirilevy ja menetelmä monikerrospiirilevyn valmistamiseksi siten, että yllä 5 mainitut ongelmat saadaan ratkaistua.
[012] Keksinnön tavoite saavutetaan monikerrospiirilevyllä, jolle on tunnusomaista se, mitä sanotaan itsenäisissä patenttivaatimuksissa 1 ja 2, sekä menetelmällä monikerrospiirilevyn valmistamiseksi, jolle on tunnusomaista se, mitä sanotaan itsenäisessä patenttivaatimuksessa 13. Keksinnön edulliset 10 suoritusmuodot ovat epäitsenäisten patenttivaatimusten kohteena.
Piirustusten lyhyt kuvaus [013]
Kuviot 1A-1D esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat tavanomaisen osaksi taipuisan piirilevyn valmistusprosesseja.
15 Kuvio 2A esittää perspektiivikuvaa kuvioista 1A ja 1B.
Kuvio 2B esittää perspektiivinäkymää kuviossa 1D esitetystä osaksi taipuisasta piirilevystä.
Kuvio 3 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa esillä olevan keksinnön mukaisen monikerrospiirilevyn ensimmäistä suoritusmuotoa.
20 Kuvio 4 esittää tasonäkymää, joka kuvaa esillä olevan keksinnön mukaisen monikerrospiirilevyn ensimmäistä suoritusmuotoa.
Kuvio 5 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa muunneltua esimerkkiä esillä olevan keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaisesta monikerrospiirilevystä.
25 Kuvio 6 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa muunneltua xr esimerkkiä esillä olevan keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaisesta ^ monikerrospiirilevystä.
v Kuvio 7 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa muunneltua o esimerkkiä esillä olevan keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaisesta ir 30 monikerrospiirilevystä.
Q_
Kuvio 8 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa muunneltua esimerkkiä esillä olevan keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaisesta o § monikerrospiirilevystä.
o «m Kuvio 9 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa muunneltua 35 esimerkkiä esillä olevan keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaisesta monikerrospiirilevystä.
4
Kuvio 10 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa muunneltua esimerkkiä esillä olevan keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaisesta monikerrospiirilevystä.
5 Kuviot 11A-11F esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat esillä olevan keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaiseen monikerrospiirilevyyn käytettävän hartsipohjamateriaalin, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, valmistusmenetelmää.
Kuviot 12A-12C esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat esillä olevan 10 keksinnön ensimmäisen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyn valmistusmenetelmää.
Kuviot 13A-13B esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat muunneltua esimerkkiä ensimmäisen suoritusmuodon mukaisesta monikerrospiirilevyn valmistusmenetelmästä.
15 Kuviot 14A-14E esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat ensimmäisen suoritusmuodon toisen muunnellun esimerkin mukaista monikerrospiirilevyn valmistusmenetelmää.
Kuvio 15 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa esillä olevan keksinnön toisen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä.
20 Kuvio 16 esittää tasonäkymää, joka kuvaa esillä olevan keksinnön toi sen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä.
Kuvio 17 esittää selittävää piirustusta, joka kuvaa esillä olevan keksinnön toisen suoritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn taivutustilaa.
Kuviot 18A-18F esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat valmistus-25 menetelmää esillä olevan keksinnön mukaiselle hartsipohjamateriaalille, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri ja jota käytetään esillä olevan keksinnön toisen 5 suoritusmuodon mukaisessa monikerrospiirilevyssä.
CV
Kuviot 19A-19C esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat esillä olevan ^ keksinnön toisen suoritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn valmistusmene- ° 30 tel mää.
| Kuvio 20 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa esillä olevan kek- sinnön kolmannen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä.
CO
Kuvio 21 esittää tasonäkymää, joka kuvaa esillä olevan keksinnön o kolmannen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä.
CM
5
Kuviot 22A-22E esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat esillä olevan keksinnön kolmannen suoritusmuodon mukaiseen monikerrospiirilevyyn käytetyn emolevyn valmistusprosesseja.
Kuvio 23 esittää tasonäkymää, joka kuvaa kaaviolla esillä olevan kek-5 sinnön kolmannen suoritusmuodon mukaisessa monikerrospiirilevyssä käytettyä emolevyä.
Kuviot 24A-24F esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat yksipuolisen piirilevyn valmistusprosesseja esillä olevan keksinnön kolmannen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä varten.
10 Kuviot 25A-25C esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat yksipuolisen piirilevyn laminointiprosesseja esillä olevan keksinnön kolmannen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä varten.
Kuvio 26 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa muunneltua esimerkkiä esillä olevan keksinnön kolmannen suoritusmuodon mukaisesta 15 monikerrospiirilevystä.
Kuvio 27 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa esillä olevan keksinnön neljännen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä.
Kuvio 28 esittää tasonäkymää, joka kuvaa kaaviolla esillä olevan keksinnön neljännen suoritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä.
20 Kuviot 29A-29E esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat neljännen suo ritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn kanssa käytettävän relelevyn valmistusprosesseja.
Kuvio 30 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa esillä olevan keksinnön neljännen suoritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn kanssa käytet-25 tävää piirilevyä monikerrososia varten.
Kuviot 31A-31C esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat esillä olevan 5 keksinnön neljännen suoritusmuodon mukaisia monikerrospiirilevyn laminointi-
(M
^ prosesseja.
^ Kuvio 32 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa erästä piirin muo- ° 30 dostavan siirtonauhan suoritusmuotoa käytettäväksi esillä olevan keksinnön nel- | jännen suoritusmuodon mukaisessa monikerrospiirilevyssä.
Kuviot 33A-33C esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat esillä olevan
CD
^ keksinnön neljännen suoritusmuodon mukaisia monikerrospiirilevyn laminointi- o prosesseja, joissa käytetään monikerrospiirilevyihin käytettävää piirin muodos- ^ 35 tavaa siirtonauhaa.
6
Kuvio 34 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa osittaista moni-kerrosperusmateriaalia käytettäväksi ulkokerroksessa, jota käytetään esillä olevan keksinnön neljännessä suoritusmuodossa.
Kuviot 35A-35C esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat esillä olevan 5 keksinnön neljännen suoritusmuodon mukaisesti monikerroksisen piirisubstraatin laminointiprosesseja, joissa käytetään ulkokerroksessa käytettävää moniker-rososia muodostavaa perusmateriaalia.
Kuvio 36 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa muunneltua esimerkkiä esillä olevan keksinnön neljännen suoritusmuodon mukaisesta moni-10 kerrospiirilevystä.
Kuviot 37A-37E esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat neljännen suoritusmuodon muunnellun esimerkin mukaisessa monikerrospiirilevyssä käytettävän relelevyn valmistusprosesseja.
Kuvio 38 esittää poikkileikkausnäkymää, joka kuvaa esillä olevan kek-15 sinnön neljännen suoritusmuodon muunnellun esimerkin mukaisessa monikerrospiirilevyssä käytettävää monikerrososia muodostavaa perusmateriaalia.
Kuviot 39A-39C esittävät vuokaavioita, jotka kuvaavat esillä olevan keksinnön neljännen suoritusmuodon monikerrospiirilevyn muunnellun esimerkin mukaisia laminointiprosesseja.
20 Edullinen suoritusmuoto [014] Viitaten kuvioihin esillä olevan keksinnön suoritusmuodot selitetään alla.
Ensimmäinen suoritusmuoto [015] Kuviot 3 ja 4 esittävät esillä olevan keksinnön ensimmäisen suo- ^ 25 ritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn perustyyppiä. Esillä olevan suori-
O
^ tusmuodon mukaisessa monikerrospiirilevyssä emolevyn (pohjamateriaalin) 10 Y pinnan ja takapinnan useissa osissa piirilevyosat (monikerrososat) 20, joiden ul- o komuodot on alustavasti muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin ja jotka selite- g tään myöhemmin, liitetään niin, että muodostetaan saarimuoto. Tässä saari- 30 muoto määritellään tilaksi, jossa piirilevyosien 20 reunasivut eivät ole yhtäpitäviä emolevyn reunasivujen 10 kanssa niin, että piirilevyosat 20 asetetaan alueen
O
g sisälle, jota rajoittaa emolevyn 10 reunasivut. Lisäksi ennalta määrätyt muodot S määritetään emolevyn suunnittelutarpeiden perusteella.
[016] Piirilevyosat 20 muodostetaan seuraavasti: useita hartsipoh-35 jamateriaaleja 21, joissa on sen mukaisesti yksipuolisia piirilevyjä ja jotka on ui- 7 komuodoltaan muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin, jotka ovat pienempiä kuin emolevyn 10 ulkomuoto, sijoitetaan emolevyn 10 pinnalle ja takapinnalle ja sitten laminoidaan yhdessä. Tässä piirilevyosat 20 saattavat sisältää hartsi-pohjamateriaaleja, joissa on kaksipuolisia johdotuspiirejä.
5 [017] Emolevy 10 varustetaan eristepohjamateriaalilla 11 ja johdeker- roksilla (johdotuspiireillä) 12, jotka muodostetaan eristepohjamateriaalin 11 pinnalle ja takapinnalle. Emolevyn 10 eristepohjamateriaali 11 valmistetaan taipuisasta hartsista, kuten polyimidista. Lisäksi mitä tulee taipuisaan hartsiin, voidaan käyttää muita materiaaleja, kuten nestekidepolymeeria (LCP, liquid crystal 10 polymer), polyeetteri-imidia (PEI, polyether imide), polyeetterieetteriketonia (PEEK, polyether ether ketone), polyeteeninaftalaattia (PEN, polyethylene naph-thalate), polyeteenitereftalaattia (PET, polyethylene terephthalate) ja polyeette-risulfonia (PES, polyether sulfone). Hartsipohjamateriaali 21, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, varustetaan eristepohjamateriaalilla 22 ja eristepohjamateri-15 aalin 22 yhdelle pinnalle muodostetulla johdekerroksella (piirilevyllä) 23. Jäykän esikovetetun sidoskerroksen lisäksi hartsipohjamateriaalin 21, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, eristepohjamateriaali 22 voidaan valmistaa taipuisasta hartsista, kuten polyimidista.
[018] Monikerrosrakenteeseen muodostetut hartsipohjamateriaalien 20 21, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, johdekerrokset 23 samoin kuin hart sipohjamateriaalien 21, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, johdekerrokset 23 ja emolevyn 10 johdekerros 12 yhdistetään toisiinsa sähköisesti johtimella 25, joka täytetään johtavalla tahnalla ja vastaavanlaisella pinnoitteella, ja sisä-läpivientirei’ät (läpivientireiät) 24, muodostetaan vastaavasti hartsipohjamateri- 25 aaleihin 21, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä.
[019] Monikerrospiirilevy valmistetaan kerrostamalla emolevyn 10 5 yhdelle pinnan osalle ja/tai takapinnalle hartsipohjamateriaalit 21, joissa on yksi en ^ puolisia johdotuspiirejä ja jotka on ulkomuodoltaan muotoiltu ennalta määrät- ^ tyihin muotoihin. Erityisemmin voidaan käyttää kokoamismenetelmää, jossa ° 30 hartsipohjamateriaalit 21, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, liitetään toinen £ toisensa jälkeen lamelli lamellilta, kuitenkin edullisemmin käytetty on yhteisla- i— minointimenetelmä, jossa useita hartsipohjamateriaaleja 21, joissa on yksipuo- co lisiä johdotuspiirejä ja joihin kuhunkin on muodostettu johdotuspiiri ja läpivientiin reikä ja joiden ulkomuoto on muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, asetetaan ™ 35 päällekkäin emolevyn 10 pinnalle tai takapinnan yhdelle osalle ja liitetään yksi 8 toisensa jälkeen lämmittämällä ja puristamalla näitä eräprosessin avulla, koska se on yksinkertaisempi menetelmä ja voidaan suorittaa alhaisin kustannuksin.
[020] Hartsipohjamateriaalien 21, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, välinen molemminpuolinen kerrostusprosessi, hartsipohjamateriaalien 21, joissa 5 on yksipuolisia johdotuspiirejä, ja emolevyn 10 välinen kerrostusprosessi voidaan suorittaa kerrostuskerroksen avulla (ei esitetty), joka muodostetaan kääntöpuolelle vastapäätä kunkin hartsipohjamateriaalin 21, jossa on yksipuolinen johdotus-piiri, pohjaeristemateriaalin 22 johdekerrosta 23. Yllä mainittu kerrostuskerros voidaan jättää pois tapauksessa, jossa yksipuolisten piirilevyjen kunkin hartsipoh-10 jamateriaalin 21 pohjaeristemateriaali 22 valmistetaan materiaalista, joka on ominaisuudeltaan tarttuva, kuten termoplastisesta polyimidista, termoplastisesta polyimidista, johon on lisätty kuumassa kovettuvuus -ominaisuus, tai nestekide-polymeeristä.
[021] Näiden järjestelyjen avulla elektroniikkakomponenttien pakkauk-15 seen käytetyt monikerroksia muodostavat osat (piirilevyosat 20) voidaan sijoittaa haluttuihin paikkoihin emolevyn pinnalle 10 ja tulee mahdolliseksi vähentää turhia monikerrososia ja niin muodoin suuresti leikata materiaalikustannuksia.
[022] Erityisesti tapauksessa, jossa elektroniikkaosien pakkausosat valmistetaan kalliista materiaalista, kuten polyimidista, yllä mainitut järjestelyt 20 saavat aikaan suuria vaikutuksia vasteeksi sellaisille vaatimuksille, kuten paremmat dielektriset ominaisuudet, keveys ja ohuus.
[023] Lisäksi yllä mainituissa perusmateriaalirakenteissa piirilevyosan 20, joka toimii elektroniikkaosan pakkausosana, eristekerros (eristepohjamate-riaali 22) ja taipuisan osa (emolevyn 10) eristekerros (eristepohjamateriaali 11) 25 valmistetaan edullisesti samasta materiaalista niin, että näiden kahden kerroksen lämpö- ja mekaaniset ominaisuudet tehdään toistensa kanssa yhtäpitäviksi, ja o sen vuoksi tulee mahdolliseksi saada aikaan suuri lämpö- ja mekaanisten omi-
C\J
^ naisuuksien parannus.
^ [024] Yleensä emolevy 10 päällystetään johdekerroksen suojaamisek- ° 30 si suojakerroksella tai juotteenestopinnoitteella. Mitä tulee emolevyn 10 suojain kerrokseen, ennalta on muodostettu aukko-osa, johon monikerrokset muodosta tetaan hartsipohjamateriaalien 21, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, avulla
CD
ja hartsipohjamateriaalit 21, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, voidaan liittää g tähän aukko-osaan. Tässä tapauksessa aukko-osassa 13A muodostetaan rei- ^ 35 kä g monikerrososan (piirilevyosan 20 asennetun osan) ja suojakerroksen 13 9 väliin, kuten kuviossa 5 esitetään. Ja tässä g-reikäosassa johdinkerros 12 paljastetaan (ulkoisesti paljastettu tila).
[025] Sen vuoksi tässä tapauksessa paljastettu osa päällystetään hapettumisen ehkäisemiseksi jalolla metallilla 15, kuten kullalla, kuten kuviossa 5 6 esitetään, tai kuten kuviossa 7 esitetään, tämä osa päällystetään edullisesti juotteenesto- tai vastaavanlaisesta pinnoitteesta valmistetulla suojakerroksella 16.
[026] Lisäksi monikerrososien kerrostamisprosessien jälkeen muodostetaan suojakerros 16, kuten kuviossa 8 esitetään, suojakerros 16 peittää emo- 10 levyn yhden osan ja monikerrososat, niinpä esimerkiksi tapauksessa, jossa emo-piirilevy on taipuisa, jopa taivutettaessa on mahdollista estää erottuminen monikerrososien ja taipuvan osan välissä olevassa rajapinnassa.
[027] Sen lisäksi yritettäessä yksinkertaistaa prosesseja, kuten kuviossa 9 esitetään, tämä saavutetaan valamalla kokonaan emolevyn 10 suojakerros 15 ja jokaisen hartsipohjamateriaalin 21, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, eriste-kerros, joka saatetaan kontaktiin emolevyn 10 kanssa, ja liitetään siihen yläpuolelta. Tarkemmin sanottuna hartsipohjamateriaalin 21, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, eristekerros ja emolevyn 20 suojakerros valmistetaan samasta eristävästä kerroksesta 17 ja nämä liitetään emolevyyn 10.
20 [028] Lisäksi sisäläpivientireikää 24, jolla on kuviossa 10 esitetty ra kenne, käytetään johtavan tahnan sisäreikänä ja ilmaa vapauttava huokonen 27, jonka halkaisija on pienempi kuin hartsiperusmateriaaliosan, muodostetaan hartsipohjamateriaalin 21, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, johdin kerroksen 23 läpi niin, että on mahdollista estää jäännöstyhjiö silloin, kun johtavaa tahnaa suih- 25 kutetaan sisään. Johtavaa tahnaa suihkutetaan myös huokoseen 27 estämään huokosta 27 muodostamasta tyhjiötä. Lisäksi kuvion 10 viitenumerolla 26 ilmais-o taan tartunta kerros.
CM
^ [029] Seuraavaksi viitaten kuvioihin 11A-11F selitetään alla yksi- ^ tyiskohtaisesti valmistusmenetelmä hartsipohjamateriaaleille, joissa on yksipuo- ° 30 lisiä johdotuspiirejä, jotka muodostavat monikerrospiirilevyn. Toisin kuin tavan- £ omaista perusmateriaalia esillä olevan suoritusmuodon mukaista hartsipohjama- teriaalia, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, ei rajoita emolevyn ulkomuoto ^ (monikerrosperusmateriaaliosien muodostuspaikka), ja sen vuoksi hartsipohjale-
LO
§ vyt, joissa on samanmuotoisia tai erimuotoisia yksipuolisia johdotuspiirejä voi- ^ 35 daan muodostaa mahdollisimman suurelle alueelle alkuperäistä pohjalevyä.
10 [030] Käyttämällä aloitusmateriaalina polyimidipohjamateriaalia 50, jossa polyimidipohjamateriaalin 51 yhdelle pinnalle on sijoitettu yksipuolinen kuparikaivo 52, kuten kuviossa 11A esitetään, kuparikaivo 52 syövytetään pois-toprosessimenetelmällä niin, että valmistetaan pohjamateriaali 53, johon piiri 5 on muodostunut. Tämä pohjamateriaali voidaan tietenkin hankkia kasvatusmenetelmän tai puolikasvatusmenetelmän avulla käyttämällä aloitusmateriaalina polyimidipohjamateriaalia ilman kuparikaivoa.
[031] Seuraavaksi tartuntakerros 54 muodostetaan pohjamateriaalin 53, jonka päälle on muodostunut piiri, pinnalle kuparikaivon 52 vastaiselle puo- 10 lelle, kuten kuviossa 11C esitetään. Vaikka tartuntakerrokseen 54 käytetään kerrosta, joka valmistetaan termoplastisesta polyimidista, johon on lisätty lämmössä kovettuvuus -ominaisuuus, voidaan tartuntakerros 54 valmistaa tietenkin lämpökovettuvasta hartsista, jota tyypillisesti edustaa epoksi, tai kestohartsista, kuten termoplastisesta polyimidista.
15 [032] Tässä kuparikaivon 52, polyimidipohjamateriaalin 51 ja tartun- takerroksen 54 kolmikerrosrakenteella on asymmetrinen rakenne, mitä tulee sen pintaan ja takapintaan niin, että on edullista estää ei-toivottu vääntyminen kerrostuskerroksen muodostumista seuraavissa prosesseissa. Lisäksi tartun-takerrokselle 54 asetetaan edullisesti lasittumislämpötila, joka ei ole suu-20 rempi kuin 1100 °C ja normaalilämpötilan kimmomoduuli, joka ei ole suurempi kuin 1300 MPa.
[033] Seuraavaksi, kuten kuviossa 11D esitetään, sen jälkeen, kun reiänmuodostusprosessi (läpivientireiän muodostusprosessi) on saatu loppuun UV-YAG-lasersäteellä, niin, että se porautuu tartuntakerrokseen 54 ja polyimidi-25 pohjamateriaaliin 51, suoritetaan IVH:n muodostamiseksi hartsijäämän poisto-prosessi syövyttämällä pehmeästi plasmasäteilytyksellä niin, että reikä 55 täyt-5 tyy reiän täyttämiseen käytetystä hopeatahnasta 56.
(M
^ [034] Tässä prosessien nopeampi toteuttaminen tulee mahdolliseksi, t kun käytetään hiilidioksidi- viritys- tai vastaavanlaista laseria. Lisäksi mitä tulee ° 30 hartsijäämän poistomenetelmään, yleisesti käytetään myös märkää hartsijäämän | poistoprosessia, jossa käytetään permanganaattia.
i— [035] Mitä tulee IVH-täytteen johdetahnaan, hopeatahnan lisäksi voi ce daan käyttää erilaisia metallitahnoja, kuten kuparitahnaa, hiilitahnaa ja nikkeli- o tahnaa, o ™ 35 [036] Seuraavaksi, kuten kuviossa 11E esitetään, käytetään puristus- työstöä pitkin L-pisteviivaa käyttämällä meistiä niin, että ulkomuodon työstö- 11 prosessi suoritetaan ennalta määrätyn muodon muodostamiseksi. Siten ulkomuodon työstöprosessin avulla muodostetaan hartsipohjamateriaali 57, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, kuten kuviossa 11F esitetään. Tässä tapauksessa, jotta estetään johtavan tahnan 56 vaurioittamasta IVH:ta, on välttämätöntä vä-5 liaikaisesti jossain määrin kovettaa johtavaa tahnaa 56, jotta se ei aiheuttaisi mitään vauriota kontaktin jälkeen. Tarkemmin sanottuna johtava tahna 56 kovetetaan edullisesti kynäkovuuden perusteella vähintään kovuuteen 2B. Koska tämän tyyppistä hartsipohjamateriaalia 57, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, voidaan muovata ilman, että sitä rajoittaa emolevyn 20 ulkomuoto, tulee eli-10 minoitavien jäsenten vähentäminen mahdolliseksi.
[037] Viitaten kuvioihin 12A-12C alla selitetään erilaisten monikerros-levyjen valmistusmenetelmät käyttämällä yllämainittujen valmistusprosessien avulla valmistettua hartsipohjamateriaalia 57, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, ja emolevyä.
15 [038] Kuten kuviossa 12A esitetään, emolevyssä FPC 60 on siihen muodostettuna piirilevy 61, ja se on varustettu suojakerroksella 62, jossa on muodostettuna aukko (aukko-osa 62A) siihen osaan, joka vastaanottaa la-minoidut kerrokset, jotka muodostetaan sen pintaan. Kaksi hartsipohjamateriaalia 57, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä ja joissa on johtavaa tahnaa 56 ja jot-20 ka muotoillaan ennalta määrättyyn muotoon, sijoitetaan johtamaan sähköisesti emolevyn johdekerros tai hartsipohjamateriaalin 57, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, piiri toinen toisiinsa, ja sitten ne asetetaan toistensa päälle.
[039] Sen jälkeen nämä jäsenet alistetaan lämmitys- ja puristuspro-sesseille tyhjiölämpöpuristimessa tyhjiöasteessa, joka ei ole suurempi kuin 1 kPa 25 niin, että muodostetaan perusmateriaali 63, joka sisältää monikerrososan 64, kuten kuviossa 12B esitetään.
o [040] Erälaminointiprosessien suorituksen jälkeen hartsipohjamateri-
CSJ
^ aalit 57, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, joiden ulkomuoto on muotoiltu ^ ennalta määrättyyn muotoon, voidaan tässä laminoida emolevylle lamelli lamellilta h'· ° 30 tai laminoidut perusmateriaalit voidaan sijoittaa emolevylle eräprosessin avulla | sen jälkeen, kun useita hartsipohjamateriaaleja 57, joissa on yksipuolisia johdoin tuspiirejä, on alustavasti laminoitu.
cd ^ [041] Sijoitusprosessi voidaan suorittaa neulatasausmenetelmän tai o kuvantunnistusmenetelmän avulla. Koska neulatasausmenetelmässä kuitenkin o ^ 35 tarvitaan tilaa neulareiän muodostamiseen, on edullisesti otettu käyttöön kuvan- tunnistusta käyttävä sijoitusprosessi.
12 [042] Seuraavaksi, kuten kuviossa 12C esitetään, juotteenestopinnoi-tetta 65 levitetään perusmateriaalille 63, jotta peitettäisiin suojakerroksen 62 ja emolevyn FPC 60 monikerrososan 64 välinen reikä samoin kuin monikerrososan 64 pinnan yksi osa ja suojakerroksen 62 pinnan yksi osa käyttämällä paino- 5 menetelmää, ja sitten kovetetaan ensimmäisen suoritusmuodon ensimmäisen muunnellun suoritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn 66 muodostamiseksi.
[043] Viitaten kuvioihin 13A-13B selitetään alla ensimmäisen suoritusmuodon ensimmäisen muunnellun suoritusmuodon mukaisen monikerrospii- 10 rilevyn valmistusmenetelmä. Kuviossa 13 ne osat, jotka vastaavat kuviossa 12 esitettyjä, ilmaistaan tässä samoilla viitenumeroilla kuin kuviossa 12 esitetyt, ja niiden selitys jätetään siksi väliin.
[044] Kuten kuviossa 13A esitetään, emolevy 60, jossa on siihen muotoiltuna johdotuspiiri 61, kaksi hartsipohjamateriaalia 57 ja 70, joissa on yksipuoli- 15 siä johdotuspiirejä ja johtavaa tahnaa 56 ja jotka on valmistettu samalla menetelmällä kuin kuviossa 11 esitetään, sijoitetaan johtamaan sähköisesti toinen toisiinsa emolevyn johdekerros tai hartsipohjamateriaalin 57, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, johdekerros, ja sitten ne asetetaan toistensa päälle. Hartsipohjama-teriaalilla 70, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri ja joka saatetaan kontaktiin emo-20 levyn FPC 60 piiripinnan kanssa, on sellainen ulkomuoto, että sen eristävän kerroksen (polyimidipohjamateriaalin 51) sallitaan peittää suojakerroksella suojattava osa, kuten emolevyn FPC 60 kuparikalvo-osa. Sen vuoksi hartsipohjamateriaalin 70 eristekerros toimii myös suojakerroksena.
[045] Mitä tulee myös muunnellun esimerkin sijoitusprosessiin, kuvan-25 tunnistusta käyttävä sijoitusprosessi on edullisesti otettu käyttöön.
[046] Sijoitteluprosessin jälkeen nämä jäsenet alistetaan lämmitys- ja o puristusprosesseille tyhjiölämpöpuristimessa tyhjiöasteessa, joka ei ole suurempi
CM
^ kuin 1kPa niin, että muodostetaan perusmateriaali 71, kuten kuviossa 13B esi- ^ tetään. Tämän menetelmän mukaisesti lämpöpuristuksen jälkeen muodostuu as- ° 30 kelero hartsipohjamateriaalien 57 ja 70, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, vä- g Nile niin, että on edullista valmistaa puskuroiva rakenne kompensoimaan askein leroa.
CD
lq Ensimmäisen suoritusmuodon toinen muunneltu suoritusmuoto o o ^ [047] Viitaten kuvioihin 14A-14E selitetään alla ensimmäisen suori- 35 tusmuodon toisen muunnellun suoritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn valmistusmenetelmä. Kuviossa 14 ne osat, jotka vastaavat kuviossa 12 esitet 13 tyjä, ilmaistaan myös tässä samoilla viitenumeroilla kuin kuviossa 12 esitetyt, ja niiden selitys jätetään siksi väliin.
[048] Kuten kuviossa 14A esitetään, emolevyssä FPC 60 on siihen muodostettuna johdotuspiiri 61, ja se varustetaan suojakerroksella 62, jossa on 5 aukkoja (aukko-osat 62A ja 62B), jotka muodostetaan osiin, jotka vastaanottavat laminoidut kerrokset, jotka muodostetaan sen pintaan. Kaksi hartsipohjamateriaa-likerrosta 57, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä ja joiden ulkomuoto on muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, kuten kuviossa 9 esitetään, sijoitellaan ja sitten ne asetetaan siihen päällekkäin. Sen jälkeen nämä jäsenet alistetaan lämmi- 10 tys- ja puristusprosesseille tyhjiölämpöpuristimessa tyhjiöasteessa, joka ei ole suurempi kuin 1kPa niin, että muodostetaan monikerrososa 64, kuten kuviossa 14B esitetään.
[049] Kuten kuviossa 14C esitetään, emolevyn FPC 60 toiseen aukko-osaan 62B sijoitetaan sen mukaisesti kolme kerrosta hartsipohjamateriaaleja 15 57, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä ja joiden ulkomuoto on muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, kuten kuviossa 9 esitetään, ja sitten ne asetetaan siihen päällekkäin. Sen jälkeen nämä jäsenet alistetaan lämmitys- ja puristusprosesseille tyhjiölämpöpuristimessa tyhjiöasteessa, joka ei ole suurempi kuin 1kPa niin, että muodostetaan toinen monikerrososa 67, kuten kuviossa 14D esitetään.
20 [050] Seuraavaksi, kuten kuviossa 14E esitetään, juotteenestopinnoi- tetta 65 levitetään siihen niin, että peitetään suojakerroksen 62 ja emolevyn FPC 60 monikerrososien 64, 67 väliset reiät samoin kuin kummankin moniker-rososan 64, 67 pinnan yksi osa ja suojakerroksen 62 pinnan yksi osa käyttämällä painomenetelmää, ja sitten ne kovetetaan monikerrospiirilevyn 68 muodosta- 25 miseksi.
[051] Tähän tapaan ensimmäisen suoritusmuodon monikerrospe-5 rusmateriaalin valmistusmenetelmän mukaisesti on mahdollista muodostaa piiri,
(M
^ jossa on monikerrososa, jolla on haluttu paksuus halutussa kohdassa. Mitä tu- τ lee hartsipohjamateriaaliin, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, tässä käytetään
Is" ° 30 yleensä niitä, joiden johdekerroksen paksuus on suunnilleen 8-18 pm ja eriste- | pohjamateriaalin paksuus 25-100 pm.
I'--
Toinen suoritusmuoto o o [052] Viitaten liitteenä oleviin kuvioihin selitetään alla esillä olevan kek- o sinnon toinen suoritusmuoto.
35 [053] Kuviot 15 ja 16 esittävät esillä olevan keksinnön mukaisen moni kerrospiirilevyn toista suoritusmuotoa.
14 [054] Esillä olevan suoritusmuodon mukaisessa monikerrospiirilevys-sä emolevyn (pohjamateriaalin) 210 pinnan ja takapinnan useisiin osiin liitetään piirilevyosat (monikerrososat) 220, joiden ulkomuodot on alustavasti muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin, niin että muodostetaan saarimuoto. Tässä saa- 5 rimuoto määritellään tilaksi, jossa piirilevyosan 220 reunasivut eivät ole yhteneviä emolevyn reunasivujen 210 kanssa niin, että piirilevyosat 220 asetetaan alueen sisälle, jota rajoittaa emolevyn 210 reunasivut. Ennalta määritetyt muodot määritetään tässä emolevyn suunnittelutarpeiden avulla.
[055] Piirilevyosat 220 muodostetaan seuraavasti: useita hartsipoh-10 ja materiaaleja 221 A, 221B ja 221C, joissa on sen mukaisesti yksipuolisia johdo- tuspiirejä ja jotka on ulkomuodoltaan muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin, jotka ovat pienempiä kuin emolevyn 210 ulkomuoto, laminoidaan emolevyn 10 pinnalle ja takapinnalle peräkkäin eräprosessilla.
[056] Kuten kuviossa 15 esitetään, hartsipohjamateriaalit 221 A, 221B 15 ja 221C on muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin niin, että sen alueet pienenevät peräkkäin ja sen vuoksi, kun ne asetetaan toinen toisensa jälkeen päällekkäin, laminoitujen hartsiperusmateriaalien 221 A, 221B ja 221C poikkileikkaukset ovat itse asiassa pyramidin muotoisia.
[057] Toisin sanoen seuraavat suhde täyttyy: (hartsipohjamateriaalin
20 221A ala) > (hartsipohjamateriaalin 221B ala) > (hartsipohjamateriaalin 221C
ala). Tarkemmin sanottuna, kuten kuviossa 16 esitetään, tarkasteltaessa emolevyn painetun perusmateriaalin 220 tason normaalin suunnasta hartsipohjamateriaalin 221B ulkomuoto tai sen ulkokuoren ääriviiva sijaitsee hartsipohjamateriaalin 221A ulkomuodon tai sen ulkokuoren ääriviivan sisäpuolella ja hartsipohjama-25 teriaalin 221C ulkomuodon tai sen ulkokuoren ääriviiva sijaitsee hartsipohjamateriaalin 221B ulkomuodon tai sen ulkokuoren ääriviivan sisäpuolella. Toisin sa-o noen nuo muodot muodostetaan sellaisella tavalla, että kun vastaavien hartsi-
C\J
^ pohjamateriaalien 221 A, 221B ja 221C painopisteet asetetaan toistensa kanssa ^ yhteen sattuviksi, hartsipohjamateriaalin 221A ulkosivut 229 eivät ole yhteen sat- ° 30 tuvia toistensa kanssa. Samalla tavalla, kuten kuviossa 16 esitetään, kun vas- £ taavien hartsipohjamateriaalien 221A, 221B ja 221C painopisteet asetetaan toisia tensa kanssa yhteen sattuviksi, hartsipohjamateriaalin 221A ulkosivut 229 eivät ^ ole emolevyn 10 ulkosivujen kanssa yhteen sattuvia.
§ [058] Emolevy 210 varustetaan johtavilla kerroksilla (johdotuspiireillä) ^ 35 212, jotka muodostetaan eristepohjamateriaalin 211 pinnalle ja takapinnalle.
Emolevyn 210 eristepohjamateriaali 211 valmistetaan taipuisasta hartsista, kuten 15 polyimidista. Mitä tulee taipuisaan hartsiin, voidaan lisäksi käyttää muita materiaaleja, kuten nestekidepolymeeria (LCP, liquid crystal polymer), polyeetteri-imidia (PEI, polyether imide), polyeetterieetteriketonia (PEEK, polyether ether ketone), polyeteeninaftaleenia (PEN, polyethylene naphthalate), polyeteenite-5 reftalaattia (PET, polyethylene terephthalate) ja polyeetterisulfonia (PES, polyether sulfone). Jokainen hartsipohjamateriaali 221 A, 221B ja 221C, joissa on vastaavia yksipuolisia johdotuspiirejä, varustetaan johdekerroksella (johdotuspiiril-lä) 223, joka muodostetaan eristepohjamateriaalin 222 yhdelle pinnalle. Jokaisen hartsipohjamateriaalin 221, joissa on yksipuolinen johdotuspiiri, eristepoh-10 jamateriaali 222 voidaan myös valmistaa taipuisasta hartsista, kuten polyimidista. Emolevyn 210 eristepohjamateriaali 211 ja jokaisen hartsipohjamateriaalin 221 A, 221B ja 221C, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, eristepohjamateriaali valmistetaan lämpö-ja mekaanisten vaikutusten näkökulmasta edullisesti samasta materiaalista, kuten polyimidista.
15 [059] Hartsipohjamateriaalien 221 A, 221B ja 221C, joissa on yksipuo lisia johdotuspiirejä, johdekerrokset 223 samoin kuin hartsipohjamateriaalien 221, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, johdekerrokset 223 ja emolevyn 210 joh-dekerros 212 yhdistetään sähköisesti toisiinsa johtavalla tahnalla 225, jolla täytetään sisäläpivientireiät (läpivientireiät) 224, jotka muodostetaan vastaavasti 20 hartsipohjamateriaaleihin 221, joissa on vastaavia yksipuolisia johdotuspiirejä.
[060] Tämä toisen suoritusmuodon mukainen monikerrospiirilevy valmistetaan kerrostamalla hartsipohjamateriaalit 221 A, 221B ja 221C, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä ja joiden ulkomuodot on muotoiltu ennalta määriteltyihin muotoihin emolevyn 210 pinnan yhteen osaan ja/tai takapintaan. Tar-25 kemmin sanottuna voidaan käyttää kokoamismenetelmää, jossa hartsipohjamateriaalit 221, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, liitetään toinen toisensa jälkeen o lamelli lamellilta, tai voidaan käyttää yhteislaminointimenetelmää. Yhteisla-
CM
^ minointimenetelmää, jossa on järjestely, jossa hartsipohjamateriaalit 221 A, 221B
^ ja 221C, joissa on vastaavia yksipuolisia johdotuspiirejä ja joissa jokaisessa on ° 30 niihin muodostettuina johdotuspiiri ja läpivientireikä ja joiden ulkomuodot on £ muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, asetetaan emolevyn 210 pinnan yhdelle osalle ja/tai takapinnalle päällekkäin, ja liitetään toinen toisensa jälkeen lämmit-co tämällä ja puristamalla ne eräprosessin avulla, käytetään edullisemmin, koska se
LO
§ on yksinkertaisempi menetelmä ja se voidaan suorittaa alhaisin kustannuksin.
^ 35 Lisäksi erälaminointiprosessi voidaan suorittaa sen jälkeen, kun hartsipohja materiaalit 57, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä ja joiden ulkomuoto on 16 muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, on laminoitu emolevylle lamelli lamellil-ta, tai se voidaan suorittaa sen jälkeen, kun useita hartsipohjamateriaaleja, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, on laminoitu alustavasti ja sijoitettu emolevylle.
5 [061] Hartsipohjamateriaalien 221 A, 221B ja 221C, joissa on yksipuo lisia johdotuspiirejä, välinen keskinäinen kerrostusprosessi, ja hartsipohjamateriaalien 221 A, 221B ja 221C, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, ja emolevyn 210 välinen kerrostusprosessi voidaan suorittaa muodostamalla kerrostuskerros (ei esitetty) pinnalle, joka on vastapäätä kunkin hartsipohjamateriaalin 221A, 10 221B ja 221C, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, eristepohjamateriaalin 222 johdekerrosta 223.
[062] Tapauksessa, jossa kunkin hartsipohjamateriaalin 221 A, 221B ja 221C, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, eristepohjamateriaali 222 valmistetaan materiaalista, joka on ominaisuudeltaan tarttuvaa, kuten termoplastises- 15 ta polyimidista, termoplastisesta polyimidista, johon kuumassa kovettuvuus -ominaisuus on lisätty, tai nestekidepolymeerista, voidaan yllä mainittu kerrostuskerros jättää pois.
[063] Näiden järjestelyjen avulla elektroniikkakomponenttien pakkaamiseen käytetyt monia kerroksia muodostavat osat (piirilevyosat 220) voi- 20 daan sijoittaa vapaasti haluttuihin paikkoihin emolevyn pinnalle 210 ja tulee mahdolliseksi vähentää turhia monikerrososia ja niin muodoin suuresti leikata materiaalikustannuksia.
[064] Erityisesti tapauksessa, jossa elektroniikkaosien pakkausosat valmistetaan kalliista materiaalista, kuten polyimidista, yllä mainitut järjestelyt 25 saavat aikaan suuria vaikutuksia vasteeksi sellaisille vaatimuksille, kuten paremmat dielektriset ominaisuudet, keveys ja ohuus, o [065] Lisäksi yllä mainituissa perusmateriaalirakenteissa piirilevyosan
CM
± 220, joka toimii elektroniikkaosan pakkausosana, eristekerros (eristepohjamate- ^ riaali 222) ja taipuisan osa (emolevyn 210) eristekerros (eristepohjamateriaali ° 30 211) valmistetaan edullisesti samasta materiaalista niin, että näiden kahden ker- | roksen lämpö- ja mekaaniset ominaisuudet tehdään toistensa kanssa yhtäpitä- iv. viksi, ja sen vuoksi tulee mahdolliseksi saada aikaan suuri parannus lämpö- ja ^ mekaanisiin ominaisuuksiin.
g [066] Tässä järjestelyssä hartsipohjamateriaalit 221 A, 221B ja 221C, ^ 35 joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä ja jotka on laminoitu emolevylle 10, ovat py- ramidinmuotoisia ja sen vuoksi, kun emolevyä 210 taivutetaan, kuten kuvion 17 17 kaavamaisesti esitetään, leviävät osat S, jotka altistuvat kuormitukselle ja jotka sijaitsevat emolevyn 210 ja hartsipohjamateriaalin 221A, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, samoin kuin laminoitujen hartsipohjamateriaalien 221 A, 221B ja 221C, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä, välissä.
5 [067] Tässä järjestelyssä kuormituksen keskittyminen lievittyy niin, että erottumista vastustava lujuus (nylkylujuus) paranee, ja siten tekee mahdolliseksi piirilevyn, jolla on suuri taivutuskestävyys. Ylivoimaista taivutusominaisuutta, joka on taipuisan monikerrospiirilevyn (FPC, flexible printed wiring board) ominaisuus, käytetään erityisesti sopivasti niin, että taipuisan monikerrospiirilevyn ominaisuuk-10 siä käytetään maksimaalisesti.
[068] Seuraavaksi viitaten kuvioihin 18A-18F selitetään alla valmistusmenetelmä hartsipohjamateriaalille, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri ja joka muodostaa yllä mainitun toisen suoritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn. Toisin kuin tavanomaista perusmateriaalia esillä olevan suoritusmuodon 15 mukaista hartsipohjamateriaalia, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, ei rajoita emolevyn ulkomuoto (monikerrosperusmateriaaliosien muodostussijainti) ja sen vuoksi tulee mahdolliseksi koota alkuperäiselle pohjatasolle mahdollisimman suurelle alueelle samanmuotoisia tai erimuotoisia hartsipohjalevyjä, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä.
20 [069] Käyttämällä polyimidipohjamateriaalia 250, jossa on yksipuolinen kuparikaivo 252 sijoitettuna polyimidipohjamateriaalin 251 yhdelle pinnalle aloi-tusmateriaaliksi, kuten kuvassa 18A esitetään, kuparikaivo 252 syövytetään poistomenetelmällä niin, että siihen valmistetaan pohjamateriaali 260, jossa on siihen muodostunut piiriosa 253, kuten kuviossa 18B esitetään. Tämä pohjamate-25 riaali voidaan myös hankkia kasvatusmenetelmällä tai puolikasvatusmenetelmällä ___ käyttämällä aloitusmateriaalina polyimidipohjamateriaalia ilman kuparikaivoa, δ [070] Kuten kuviossa 18C esitetään, seuraavaksi muodostetaan tar-
CM
^ tuntakerros 254 pohjamateriaalin 260, jonka päälle on muodostettu piiri, pinnalle ^ piiriosan 253 kääntöpuolelle. Mitä tulee tartuntakerrokseen 254, voidaan käyttää ° 30 materiaalia, joka valmistetaan lisäämällä lämmössä kovettuvuus -ominaisuuus £ termoplastiseen polyimidiin, lämpökovettuvaa hartsia, jota tyypillisesti edustaa in. epoksi, tai termoplastista hartsia, kuten termoplastista polyimidia.
^ [071] Piiriosan (kuparikaivon) 253, polyimidipohjamateriaalin 251 ja m § tartuntakerroksen 254 kolmikerrosrakenteella on tässä asymmetrinen rakenne, ^ 35 mitä tulee niiden pintaan ja takapintaan niin, että on edullista estää ei-toivottu vääntyminen kerrostuskerroksen muodostumista seuraavissa prosesseissa.
18
Lisäksi tartuntakerrokselle 254 asetetaan edullisesti lasittumislämpötila, joka ei ole suurempi kuin 1 100 °C ja normaalilämpötilan kimmomoduuli, joka ei ole suurempi kuin 1 300 MPa.
[072] Seuraavaksi, kuten kuviossa 18D esitetään, sen jälkeen, kun 5 reiänmuodostusprosessi (läpivientireiän muodostusprosessi) on saatu suoritettua UV-YAG-lasersäteellä niin, että poraudutaan tartuntakerrokseen 254 ja poly-imidipohjamateriaaliin 251, suoritetaan IVH:n muodostamiseksi hartsijäämän poistoprosessi syövyttämällä pehmeästi plasmasäteilytyksellä niin, että reikä (läpivientireikä) 55 täyttyy reiän täyttämiseen käytetystä hopeatahnasta 56.
10 [073] Prosessien nopeampi toteuttaminen tulee mahdolliseksi, kun tässä käytetään hiilidioksidi-, viritys- tai vastaavanlaista laseria. Lisäksi mitä tulee hartsijäämän poistomenetelmään, yleensä käytetään myös märkää hartsijäämän poistoprosessia permanganaattia käyttämällä. Mitä tulee IVH-täytön johdetah-naan, hopeatahnan lisäksi saatetaan käyttää erilaisia metallitahnoja, kuten ku- 15 paritahnaa, hiilitahnaa ja nikkelitahnaa.
[074] Johtavan tahnan täytön jälkeen johtavaa tahnaa 256 kovetetaan väliaikaisesti 0,5-2 tuntia 60°C-140°C. Niinpä johtavaa tahnaa 256 kovetetaan kovuuteen, joka ei ole vähemmän 2B kynäkovuuden perusteella, mikä sen vuoksi tekee mahdolliseksi tahnan irtoamisen tai muodonmuutoksen estämisen meistin 20 irrotusprosessin tai pakkausprosessin aikana, jotka selitetään myöhemmin.
[075] Seuraavaksi, kuten kuviossa 18E esitetään, meistin puristuspro-sessia käytetään pitkin pilkkuviivaa L niin, että ulkomuodon koneistusprosessi suoritetaan ennalta määrätyn muodon muodostamiseksi, sen vuoksi muodostetaan kolme hartsipohjamateriaalia 261 A, 261B ja 261C, joissa on yksipuolisia 25 johdotuspiirejä, jotka ovat vastaavasti erikokoisia kooltaan (alaltaan), jotka muuttuvat askel askeleelta, kuten kuviossa 18F esitetään. Tarkemmin sanottuna vas-5 taavat hartsipohjamateriaalit 261 A, 261B ja 261C suunnitellaan niin, että toisen
CM
^ pohjamateriaalin 261B (tai 261C) ulkomuoto, joka liitetään ensimmäiseen poh-
v jamateriaaliin, sijaitsee emolevyn puolen ensimmäisen pohjamateriaalin 261A
i ° 30 (tai 261B) ulkomuodon sisäpuolella.
| [076] Viitaten kuvioihin 19A-19C selitetään alla toisen suoritusmuodon i^. mukaisten monikerrospiirilevyjen valmistusmenetelmät (laminointimenetelmät) <o ^ käyttämällä pohjamateriaalia, joka tuotetaan, kuten yllä selitettiin, o [077] Kuten kuviossa 19A esitetään, emolevyyn FPC 270 on muodos- ^ 35 tettu johdotuspiirit 272 taipuisan eristepohjamateriaalin 271 molemmille pinnoil le ja se varustetaan suojakerroksella 273, jossa on aukko (aukko-osa 273A) 19 muodostettuna osaan, joka vastaanottaa laminoidut kerrokset, jotka muodostetaan sen pintaan, ja hartsipohjamateriaalit 261 A, 261B ja 261C, joissa on yksipuolisia johdotuspiirejä ja jotka on ulkomuodoltaan muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin, sijoitetaan peräkkäin ja asetetaan päällekkäin pyramidimuo-5 toon.
[078] Seuraavaksi eräpuristusprosessi suoritetaan emolevylle FPC 270 ja hartsipohjamateriaaleille 261 A, 261B ja 261C tyhjiölämpöpuristimella tyh-jiöasteessa, joka ei ole suurempi kuin 1 kPa niin, että muodostetaan moniker-rososa 280, kuten kuviossa 19B esitetään. Lisäksi samanaikaisesti eräpuristus-10 prosessin kanssa emolevyä FPC 270 ja hartsipohjamateriaaleja 261 A, 261B ja 261C lämmitetään noin yhden tunnin ajan lämpötila-alueella 1 500°C-1 900°C johtavan pastan pääkovetusprosessin suorittamiseksi. Sen vuoksi tulee mahdolliseksi saada aikaan tehokkaita operaatioita ja myös estää muovin huonontuminen alakerrososassa toistettujen lämmitysprosessien johdosta.
15 [079] Vastaavien hartsipohjamateriaalien 261 A, 261B ja 261C sijoit tamisen jälkeen pikemmin kuin, että otettaisiin käyttöön neulareikien muodostamista varten tilaa tarvitseva neulatasausmenetelmä, otetaan edullisemmin käyttöön kuvantunnistusta käyttävä sijoitusprosessi.
[080] Seuraavaksi, kuten kuviossa 19C esitetään, juotteenestopinnoi-20 tetta 274 levitetään käyttämällä painomenetelmää sellaisella tavalla, että peitetään emolevyn FPC 270 suojakerroksen 273 ja monikerrososan 280 välinen reikä samoin kuin monikerrososan 280 pinnan yksi osa ja suojakerroksen 273 pinnan yksi osa, ja kovetetaan siihen monikerrospiirilevyn 290 muodostamiseksi.
[081] Toistamalla kuvioissa 19A-19C esitetyt prosessit muodostetaan 25 kuviossa 15 esitetty ennen mainittu monikerrospiirilevy.
[082] Toisen suoritusmuodon mukaisella monikerrospiirilevyllä on vä- o hintään alla selitetyt piirteet:
(M
^ [083] (1) Monikerrospiirilevy varustetaan emolevyllä 210, jossa on ^ ensimmäinen pinta, ensimmäisellä pohjamateriaalilla 221 A, jossa on yksipuoli in ° 30 nen johdotuspiiri ja joka liitetään ensimmäiseen pintaan ja joka on ulkomuodol- | taan muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, ja toisella perusmateriaalilla 221B, i— jossa on yksipuolinen johdotuspiiri ja joka liitetään ensimmäisen perusmateriaa- co
Iin pintaan ja joka on ulkomuodoltaan muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, ja o tässä järjestelyssä ensimmäinen perusmateriaali varustetaan ensimmäisellä ^ 35 sisäläpivientireiällä 225, joka yhdistää sähköisesti emolevyn johdotukset en simmäisen pohjamateriaalin johdotuksiin, ja toinen pohjamateriaali varustetaan 20 toisella sisäläpivientireiällä 225, joka yhdistää sähköisesti ensimmäisen pohjamateriaalin johdotukset toisen pohjamateriaalin johdotuksiin, ja kun tarkastellaan emolevyn normaalin suunnasta, ensimmäisen pohjamateriaalin pintaan liitetyn toisen pohjamateriaalin 221B ulkomuoto 229 sijaitsee piirilevyn ensimmäiseen 5 pintaan liitetyn ensimmäisen pohjamateriaalin 221A ulkomuodon 229 sisäpuolella.
(2) Tarkasteltaessa emolevyn normaalin suunnasta toisen pohjamateriaalin pintaan liitetyn kolmannen pohjamateriaalin 221C, ulkomuoto 229 sijaitsee toisen pohjamateriaalin 221B ulkomuodon 229 sisäpuolella.
10 (3) Ensimmäisen pohjamateriaalin reunalinja 229, joka määrittää emo levyn ensimmäiseen pintaan liitetyn ensimmäisen pohjamateriaalin takapinnan reunasivun, sijaitsee emolevyn painetun reunalinjan 229 sisäpuolella, joka määrittää emolevyn reunasivun olematta kontaktissa vastaavaan linjaan.
Kolmas suoritusmuoto 15 [084] Kuviot 20 ja 21 esittävät esillä olevan keksinnön kolmannen suo ritusmuodon mukaista monikerrospiirilevyä. Tälle monikerrospiirilevylle on tunnusomaista, että siinä on emolevy 310 ja monikerrospiirilevyosia (moniker-rososia) 320A, 320B, 320C ja 320D, jotka ovat saaren muotoisia ja vastaavasti laminoituja emolevyn painetun perusmateriaalin 310 useisiin pinnan ja takapin- 20 nan osiin. Saarimuoto määritellään tässä tilaksi, jossa piirilevyosien 320A-320D reunasivut eivät ole yhtäpitäviä emolevyn 310 reunasivujen kanssa niin, että pii-rilevyosat 320A-320B sijoitetaan emolevyn 310 reunasivujen rajoittaman alueen sisäpuolelle. Ennalta määritetyt muodot määritetään tässä emolevyn suunnittelutarpeiden avulla.
25 [085] Monikerrospiirilevyosat 320A, 320B, 320C ja 320D muodoste- ^ taan seuraavasti: useita yksipuolisia piirilevyjä monikerrospiirilevyjä 330 varten, ^ jotka on ulkomuodoltaan muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin, jotka ovat pie- V nempiä kuin emolevyn 310 ulkomuoto, laminoidaan eräprosessilla emolevyn 310 o pinnalle ja takapinnalle. Esillä olevassa suoritusmuodossa jokaisella monikerros- | 30 piirilevyosalla 320A, 320B, 320C ja 320D on kaksikerrosrakenne: [086] Monikerrospiirilevyjen 330 jokaisella yksipuolisella piirilevyllä on ^ eristepohjamateriaali 331, johtava kuvio 332 muotoiltuna eristepohjamateriaalin o 331 yhdelle pinnalle, kerrostuskerros 333 liitettynä eristepohjamateriaalin 331 o ^ toiseen pintaan ja kerrosten välinen johdeosa 334 valmistettuna sisäläpivienti- 35 reiäksi sellaisella tavalla, että se porautuu eristepohjamateriaaliin 331 ja kerros-tuskerrokseen 333.
21 [087] Monikerrospiirilevyn 330 yksipuolinen piirilevy voidaan valmistaa joko jäykästä piirilevystä, joka valmistetaan sellaisesta materiaalista, kuten feno-lipohjaisesta hartsista ja epoksipohjaisesta hartsista, tai taipuisasta piirilevystä, joka valmistetaan sellaisesta materiaalista, kuten polyesteripohjainen hartsi, ja 5 polyimidipohjaisesta hartsista. Tapauksessa, jossa monikerrospiirilevyn 330 yksipuolisen piirilevyn eristeperusmateriaalilla 331 on kerrostenvälinen kerros-tusominaisuus, kerrostuskerros 333 voidaan tässä jättää pois.
[088] Monikerrospiirilevyosien 320A, 320B, 320C ja 320D monikerros-piirilevyjen 330 yksipuolisten piirilevyjen keskuudessa monikerrospiirilevyn 330 10 yksipuolisen piirilevyn pinta, joka on uloin kerros, päällystetään juotteen estopin-noitteella 335.
[089] Monikerrospiirilevyn 330 yksipuolinen piirilevy, joka on kunkin monikerrospiirilevyosan 320A, 320B, 320C ja 320D uloin kerros, varustetaan elektroniikkaosalla 350, joka pakataan siihen kuhmun 351 avulla. Sen vuoksi on 15 mahdollista saada aikaan kaksipuolinen monikerroksinen/kaksipuolinen pakkaus-piirisubstraatti.
[090] Emolevy 310 valmistetaan yksipuoliseksi pääpiirisubstraatiksi, jossa on johtava kuvio 312 muotoiltuna eristepohjamateriaalin 311 yhdelle pinnalle. Emolevyssä 310 eristepohjamateriaalin 311 vähintään yksi osa (kaksi osaa 20 tässä suoritusmuodossa) on osittain poistettu, ja eristepohjamateriaalin 311 poistetussa osassa 319 johtavan kuvion 312 takapinta on paljastettu. Edelleen eristepohjamateriaalin 311 toisella pintapuolella (takapintapuolella) monikerrospiirilevyosien 320C ja 320D monikerrospiirilevyjen 330 yksipuoliset piirilevyt lami-noidaan sellaisella tavalla, että ne tulevat olemaan johtavasti liitettyinä johtavan 25 kuvion 312 takapinnan paljastettuun osaan 312B monikerrospiirilevyosien 320C ja 320D muodostamiseksi.
5 [091] Tässä monikerrospiirilevyosien 320Aja 320B monikerrospiirile-
(M
^ vyjen 330 yksipuoliset piirilevyt laminoidaan eristepohjamateriaalin 311 yhdeltä T pinnalta (pinnalta) sellaisella tavalla, että ne tulevat olemaan sähköisesti yhdis- ° 30 tettyinä johtavan kuvion 312 paljastettuun pinnan osaan 312A monikerrospiirile- | vyosien 320Aja 320B muodostamiseksi.
i^. [092] Emolevy 310 voidaan valmistaa joko jäykästä piirilevystä, joka
CD
^ valmistetaan sellaisesta materiaalista, kuten fenolipohjaisesta hartsista ja epoksi- o pohjaisesta hartsista, tai taipuisasta piirilevystä, joka valmistetaan sellaisesta ^ 35 materiaalista, kuten polyesteripohjainen hartsi ja polyimidipohjainen hartsi.
22 [093] Emolevyn 310 pinta päällystetään suojakerroksella 318. Lisäksi suojakerroksen 318 ja monikerrospiirilevyosien 320A ja 320B välinen reikäosa täytetään siihen levitetyllä juotteenestopinnoitteella 317.
[094] Viitaten kuvioihin 22-25 alla selitetään yllä selitetyn esillä olevan 5 suoritusmuodon mukainen piirisubstraattien, jotka muodostavat monikerrospii- rilevyn, valmistusmenetelmä.
[095] Kuviot 22A-22E esittävät emolevyn 310 valmistusprosesseja. Kuten kuviossa 22A esitetään, yleiskäyttöistä yksipuolista kuparipinnoitepolyimi-dipohjamateriaalia (yksipuolista johtavalla pinnoitteella laminoitua levyä) 360 käy- 10 tetään aloitusmateriaalina. Yksipuolinen kuparipinnoitepolyimidipohjamateriaali 360 on yksipuolista kuparipinnoitelamellilevyä (CCL, copper coat lamination plate), jossa on kuparikaivo 316 sijoitettuna johdekerrokseksi ainoastaan yhdelle polyimidikalvosta valmistetun eristepohjamateriaalin 311 pinnalle.
[096] Tässä polyimidi valitaan eristepohjamateriaaliksi perusmateriaa-15 Iin lämmönkestävyys- ja dielektrisyysominaisuuksien näkökulmista, ja voidaan käyttää muita perusmateriaaleja, kuten teräspinnoitteista fenoliperusmateriaalia, kuparipinnoitteista paperiepoksiperusmateriaalia, teräspinnoitteista paperipolyes-teriperusmateriaalia, kuparipinnoitteista lasiepoksiperusmateriaalia ja kuparipinnoitteista lasipolyimidiperusmateriaalia, joka koostuu pohjamateriaalista, joka 20 valmistetaan sellaisesta pohjamateriaalista, kuten lasikuitukankaasta, lasikui-tumatosta ja synteettisistä kuiduista, ja lämpökovettuvasta hartsista. Lisäksi, mitä tulee rakenteeseen, jossa mitään pohjamateriaalia ei yhdistetä, voidaan käyttää kuparipinnoitteista polyesteriperusmateriaalia, kuparipinnoitteista poly-eetteri-imidiperusmateriaalia ja kuparipinnoitteista nestekidepolymeeriperus-25 materiaalia.
[097] Ensiksi johtavan kuvion muodostusprosessissa syövytyksen βες topinnoite laminoidaan yksipuolisen kuparipinnoitepolyimidipohjamateriaalin 360
(M
^ kuparikaivoon 316, ja tämä alistetaan altistukselle johdotuskuvion muodostami- v seksi siihen, ja sitten se kehitetään. Sen jälkeen paljastettu kupari syövytetään ° 30 kuparikloridikylvyn avulla johtavan kuvion 312 muodostamiseksi. Jälkeenpäin | syövytyksenestopinnoite poistetaan niin, että muodostetaan yksipuolinen pii- i^. risubstraatti 361, kuten kuviossa 22B esitetään.
CD
^ [098] Kuten kuviossa 22C esitetään, yksipuolisen piirisubstraatin 361 o pinnalle (yläpinnalle) sijoitetaan johtavan kuvion 312 suojaamiseksi suojakerros ^ 35 318, jossa on siihen alustavasti aukoksi muodostettu osa (pintapuolen moniker- rososa) 314 monikerrospiirilevyjen 330 laminoitujen yksipuolisten piirilevyjen vas- 23 taanottamista varten. Mitä tulee suojakerroksen 318 materiaaliin, voidaan käyttää juotteenesto- ja vastaavanlaisia pinnoitteita.
[099] Seuraavaksi eristepohjamateriaalin poistoprosessissa, kuten kuviossa 22D esitetään, syövytyksenestopinnoite 362 laminoidaan yksipuolisen pii- 5 risubstraatin 361 molemmille pinnoille ja kuparikalvopuoli (pintapuoli) alistetaan kokonaan altistukselle ja polyimidipuoli (takapinnan puoli) alistetaan altistukselle aukkokuvion muodostamiseksi, ja sitten se kehitetään.
[100] Sen jälkeen polyimidista valmistettu eristepohjamateriaali 311 syövytetään käyttämällä happiplasmaa tai vahvaa alkalivesiliuosta. Kun syövytys 10 on saatu suoritettua, syövytyksenestopinnoite 362 poistetaan. Sen vuoksi, kuten kuviossa 22E esitetään, yksipuolisen piirisubstraatin 361 eristepohjamateriaali 311 poistetaan osittain ennalta määrätyltä alueelta niin, että muodostetaan emolevy 310, jonka johtavan kuvion 312 takapinta 312B paljastetaan eristeperusma-teriaalin 311 poistetusta osasta (monikerrososan takapinnan puolelta) 319.
15 [101] Lisäksi eristepohjamateriaalin poistoprosessi eristepohjamate riaalin 311 poistetun osan 319 muodostamiseksi voidaan toteuttaa laserproses-silla, jossa käytetään lasersädettä eristepohjamateriaalin 311 takapinnan puolelta.
[102] Kuvio 23 esittää kaaviokuvaa, joka kuvaa emolevyä 310, ja kuvio 20 22E esittää poikkileikkausnäkymää pitkin kuvion 23 viivaa XXII-XXII.
[103] Viitaten kuvioihin 24A-24F selitetään alla esillä olevan suoritusmuodon mukaisen monikerrospiirilevyn 330 yksipuolisen piirilevyn valmistusprosesseja. Kuten kuviossa 24A esitetään, yleiskäyttöistä yksipuolista kupari-pinnoitepolyimidipohjamateriaalia (yksipuolista johtavalla pinnoitteella laminoitua 25 levyä) 370 valmistetaan aloitusmateriaaliksi.
[104] Yksipuolinen kuparipinnoitepolyimidipohjamateriaali 370, joka o on samaa kuin emolevyyn 310 käytetty yksipuolinen kuparipinnoitepolyimidipoh-
CSJ
^ jamateriaali 360, on yksipuolista kuparipinnoitelamellilevyä (CCL, copper coat ^ lamination plate), jossa on kuparikaivo 316 sijoitettuna johdekerrokseksi ainoas- ° 30 taan yhdelle polyimidikalvosta valmistetun eristepohjamateriaalin 311 pinnalle.
| [105] Emolevyn 310 eristepohjamateriaali 311 ja monikerrospiirilevyn 330 yksipuolisen piirilevyn eristepohjamateriaali 331 valmistetaan tässä edullisesti
CD
^ lämpö-ja mekaanisten ominaisuuksien näkökulmasta samasta materiaalista, o [106] Ensiksi, kuten kuviossa 24B esitetään, yksipuolisen kuparipin- ^ 35 noitepolyimidipohjamateriaalin 370 kuparikaivo 336 syövytetään johtavan kuvion 332 muodostamiseksi samalla tavalla kuin emolevyn muodostusprosessissa.
24 [107] Jälkeenpäin, kuten kuviossa 24C esitetään, termoplastinen poly-imidi liitetään johtavaa kuviota 332 vastapäätä olevalla puolella olevalle eriste-pohjamateriaalin 331 pinnalle käyttämällä lämpöpuristuskonetta kerrostuskerrok-sen 333 muodostamiseksi. Mitä tulee kerrostuskerrokseen 333, voidaan käyttää 5 muita materiaaleja, kuten fenolihartsia, fenoksihartsia, polyimidihartsia ja ksy-leenihartsia tai kahdesta tai useammasta näistä valmistettua seoshartsia, po-lyeetteri-imidihartsia, nestekidepolymeeria ja polyamidihartsia.
[108] Seuraavaksi, kuten kuviossa 24D esitetään, käytetään kerros-tuskerroksen 333 puolelta lasersädettä haluttuun paikkaan, jota tullaan käyttä- 10 mään kerrostenvälisenä yhteytenä, porautumaan eristepohjamateriaaliin 331 ja kerrostuskerrokseen 333 ja sillä tavalla muodostamaan reiän (läpivientireiän) 337, joka yhdistää kuparikaivon (johtavan kuvion 332).
[109] Jälkeenpäin, kuten kuviossa 24E esitetään, lämpökovettuva ho-peatahna upotetaan ja suihkutetaan reikään 337 paino- tai vastaavanlaisella me- 15 netelmällä johtavan välikerrososan 334 muodostamiseksi. Mitä tulee reikään 337 suihkutettavaan johtavaan tahnaan, voidaan käyttää sellaisia materiaaleja, kuten kultaa, kuparia, nikkeliä tai hiilijauhetta, tai johtavaa yhdistettä, joka valmistetaan sekoittamalla metalliseosjauhetta tai näistä sekoitettua jauhetta ja sidos-komponenttia, kuten fenolihartsia, polyesterihartsia, epoksihartsia ja polyimidi- 20 hartsia.
[110] Mitä tulee johtavan tahnan paino/suihkutusprosessiin, tässä voidaan käyttää painomenetelmää, jossa käytetään metallimaskia, painomenetelmää, jossa käytetään maskikalvoa, ja suihkutusmenetelmää, jossa käytetään annostelijaa.
25 [111] Jälkeenpäin laminointipohjamateriaali 371, johon hopeatahna on painettu, lämmitetään uunissa niin, että hopeatahna kuivuu.
5 [112] Laminointipohjamateriaali 371 puristetaan käyttämällä meistiä
(M
^ ulkomuodon muodostamiseksi, joka on pienempi kuin emolevyn 310 ulkomuoto, v kuten pisteviivalla C osoitetaan. Sen vuoksi, kuten kuvassa 24F esitetään, i^> ° 30 valmistetaan halutun kokoinen monikerrospiirilevyn 330 yksipuolinen johdotus- | piiri. Tässä ulkomuodon muodostusprosessissa, jotta sallittaisiin monikerrospiiri- i^. levyn 30 yksipuolisen piirilevyn asettua suojakerroksen 318 monikerrososan <o ^ (aukko-osan) 314 pintapuolelle ja eristepohjamateriaalin (aukko-osan) 311 o poistettuun osaan 319, se säädetään kooltaan käytännössä näiden aukkojen ^ 35 kanssa samankokoiseksi tai kooltaan aavistuksen pienemmäksi kuin nämä au kot.
25 [113] Seuraavaksi viitaten kuvioihin 25A-25C selitetään alla laminoin-tiprosessit emolevylle 310 ja monikerrospiirilevyn 330 yksipuoliselle piirilevylle, jotka on muodostettu yllä mainittujen valmistusmenetelmien avulla. Valmistetaan useita monikerrospiirilevyn 330 yksipuolisia piirilevyjä, jotka on valmistettu yllä 5 mainittujen prosessien avulla. Kuten kuviossa 25A esitetään, ennalta määrätty määrä monikerrospiirilevyjen 330 yksipuolisia piirilevyjä sijoitetaan vastaavasti emolevyn 310 johtavan kuvion 312 puolen (pintapuolen) johtavan kuvion mo-nikerrososien 314 pintapuolelle ja vastaaville eristepohjamateriaalin 311 takapinnan puolen poistetuille osille 319. Se jälkeen, kun sijoitusprosessit on saatu 10 suoritettua, vastaavat jäsenet asetetaan päällekkäin ja lämmitetään ja puristetaan tyhjiöpuristuskoneella niin, että muodostetaan kaksipuolinen laminoitu pii-risubstraatti 380, kuten kuviossa 25B esitetään.
[114] Mitä tulee sijoitusprosesseihin, pikemmin kuin, että otetaan käyttöön neulatasausmenetelmä, joka tarvitsee tilaa neulareikien muodostamista var- 15 ten, otetaan edullisemmin käyttöön kuvantunnistusta käyttävä sijoitusprosessi.
[115] Seuraavaksi, kuten kuviossa 25C esitetään, juotteenestopinnoit-teita 317 levitetään käyttämällä painomenetelmää sellaisella tavalla, että peitetään emolevyn 310 suojakerroksen 318 ja monikerrososan välinen reikä samoin kuin monikerrososan pinnan yksi osa, ja kovetetaan siihen.
20 [116] Lopuksi johtava kuvio 332, joka on paljastettuna elektroniikka osan pakkausta varten, päällystetään jalolla metallilla 338, kuten kullalla, kaksipuoliset pakkausprosessit sallivan monikerrospiirilevyn muodostamiseksi.
[117] Yllä mainitulla piirisubstraatilla on seuraavat piirteet ja hyödyt.
[118] (1) Ratkaisemalla se ongelma, että kun yksipuolista piirilevyä 25 käytetään emolevynä, kaksipuolisia monikerroksia muodostavat prosessit ja kaksipuoliset pakkausprosessit eivät ole käytettävissä, yksipuolista piirilevyä voidaan 5 käyttää emolevynä 310, toisin sanoen yksipuolisena pääpiiriperusaineena. Sen
(M
^ vuoksi toisin kuin tapauksessa, jossa käytetään kaksipuolista perusmateriaalia, ^ ei ole välttämätöntä poistaa suurinta osaa yhden puolen johdekerroksesta joh- i ° 30 dekuvion muodostamisen jälkeen, ja sillä tavalla tehdään mahdolliseksi vähen- | tää materiaalien ja resurssien tuhlausta. Lisäksi ei ole välttämätöntä järjestää i^. monimutkaisia valmistusprosesseja läpivienti-ja vastaavanlaisten reikien muo to ^ dostamiseksi.
o (2) yksipuolista piirilevyä käytetään emolevynä 310. Sen vuoksi ta- ^ 35 pauksessa, jossa emolevy on taipuisaa perusmateriaalia, osilla, joissa ei ole mo- nikerrosrakennetta, annetaan olla suuri taivutusominaisuus niin, että on mahdol- 26 lista saada aikaan tiheä kaksipuolinen monikerrospiirilevyosa, jolla on ylivoimainen taivutusominaisuus.
(3) Mitä tulee monikerrospiirilevyosaan, toisin sanoen monikerrospiiri-levyn 330 yksipuoliseen piirilevyyn, käytetään niitä perusmateriaaleja, joiden ul-5 komuodot muotoillaan vastaamaan monikerrospiirilevyosien kokoja. Sen vuoksi verrattuna tapaukseen, jossa ne perusmateriaalit, jotka vastaavat monikerrospii-rilevyosia valmistetaan myös olemaan samankokoisia kuin emolevy 310, ja joissa emolevyn 310 ulkomuodon muotoilemisen jälkeen jokainen perusmateriaali lyödään samanmuotoiseksi kuin emolevy 310, on mahdollista vähentää moniker- 10 rospiirilevyihin käytettävää yksipuolisten piirisubstraattien 330 materiaalimäärää ja niin muodoin leikata materiaalien tuhlaavaa käyttöä.
[119] Ei rajoitettuna yllä mainittuun kaksipuoliseen lamelliperusmate-riaaliin, esillä olevan keksinnön mukaisella piirisubstraatilla voi olla järjestely, jossa kuten kuviossa 26 esitetään, pikakiinnitystyyppinen elektroniikkaosa 350 15 voidaan suoraan pakata emolevyn 310 ja eristepohjamateriaalin 311 poistetun osan 319 johtavaan kuvioon 312. Elektroniikkaosan 350 pakkausprosessi eristepohjamateriaalin 311 poistettuun osaan 319 suoritetaan samalla, kun se on johtavasti yhdistettynä johtavan kuvion 312 takapinnan paljastettuun osaan 312B.
20 Neljäs suoritusmuoto [120] Seuraavassa selityksessä käsitellään kuvioihin viitaten esillä olevan keksinnön neljättä suoritusmuotoa. Kuviot 27 ja 28 esittävät esillä olevan keksinnön mukaisen monikerrospiirilevyn neljättä suoritusmuotoa. Tämä moniker-rospiirilevy varustetaan relelevyllä 410, kuten emolevyn piirilevy, ja moniker- 25 rososilla 420A ja 420B, jotka muodostetaan vastaavasti laminoimalla monikerros-^ perusmateriaaliosat 430 relelevyn 410 pinnan ja takapinnan tiettyihin osiin.
^ [121] Relelevy 410 muodostetaan pohjamateriaalista, jossa on yksi- v puolinen johdotuspiiri ja joka varustetaan johdekerroksella (mukaan lukien joh- o demaaosa) 412, joka muodostaa johdotuskuvion, joka muodostetaan eristepoh- | 30 jamateriaalin 411, jota käytetään yhteensopivasti tartuntakerroksena, yhdelle pin- ^ nalle (yläpinnalle 410A). Mitä tulee eristepohjamateriaalin 411 materiaaliin, jota käytetään yhteensopivasti tartuntakerroksena, voidaan käyttää lämpökovettuvaa o polyimidia, termoplastista polyimidia, termoplastista polyimidia, johon on lisätty
O
^ lämmössä kovettuvuus -ominaisuus, nestekidepolymeeriä ja epoksi- ja vastaa- 35 vanlaisia hartseja.
27 [122] Johdekerrospinnalle (yläpinnalla 41OA), joka muodostaa eriste-levyn 411 johdotuskuvion, muodostetaan eristehartsikerros 413, joka toimii myös tartuntakerroksena. Eristehartsikerros 413 ja eristelevy 411 voidaan valmistaa samasta materiaalista.
5 [123] Mitä tulee relelevyyn 410, kerrostenväliset johdeosat 415 ja 417, jotka muodostetaan läpivientireikien 414 ja 416 avulla, muodostetaan vastaavasti eristepohjamateriaaliin 411 ja eristehartsikerrokseen 413. Kerrostenväliset johdeosat 415 ja 417 muodostetaan läpivientireikien 414 ja 416 avulla, joihin johtavaa tahnaa upotetaan ja suihkutetaan.
10 [124] Eristepohjamateriaalin 411 pinnalla johdekerroksen pintaa vas tapäätä olevalla puolella, toisin sanoen takapinnalla 41 OB, ja eristehartsikerroksen 413 pinnalla (yläpinnalla 413A) piirilevy monikerrososia varten 430, joiden ulkomuodot on alustavasti muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, laminoidaan johtavaan yhteyteen johdekerrokseen 412, joka muodostaa relelevyn 410 johdo-15 tuskuvion kerrostenvälisten johdeosien 415 tai 417 avulla.
[125] Samalla tavalla kuin relelevy 410 monikerrososan piirilevy 430 muodostuu myös pohjamateriaalista, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri ja joka varustetaan johdekerroksella (mukaan lukien johdemaaosa) 432, joka muodostaa johdotuskuvion, joka muodostetaan eristepohjamateriaalin 431, jota käytetään 20 yhteensopivasti tartuntakerroksena, yhdelle pinnalle (yläpinnalle 410A). Mitä tulee monikerrososan 430 piirilevyyn, kerrostenvälinen johdeosa 434 muodostetaan eristepohjamateriaaliin 431 läpivientireiän 433 avulla. Kerrostenvälinen johdeosa 434 muodostuu myös läpivientireiän 433 avulla, johon upotetaan ja suihkutetaan johtavaa tahnaa.
25 [126] Mitä tulee monikerrososan 430 piirilevyyn, relelevyn 410 yläpin nan 410A puolelle, toisin sanoen monikerrososaan 420A, laminoidaan useita niitä 5 johdekerroksen 432 kanssa, joka muodostaa pinta alaspäin olevan johdotusku-
C\J
± vion, ja relelevyn 410 takapinnan 410B puolelle, toisin sanoen monikerrososaan ^ 420B, sillä tavalla nämä kerrokset liitetään eristepohjamateriaalin 411, eristehart- ° 30 sikerroksen 413 tai eristepohjamateriaalin 431 avulla, jotka toimivat kerrosten- £ välisinä tartuntakerroksina, Toisin sanoen monikerrososan 430 piirilevyt lami- noidaan relelevyn 410 yläpuolelle ja alapuolelle niin, että niiden johdekerroksen 432 puolet muodostavat siihen johdotuskuviot, jotka ovat kohti relelevyn 410 g puolta.
™ 35 [127] Monikerrososan 430 piirilevyn eristepohjamateriaalin 431 pinnal le 430A, joka muodostaa kummankin monikerrososan 420A ja 420B uloimman 28 kerroksen, muodostetaan johdotuskuvion muodostava johdekerros 435 ja komponenttien pakkaukseen käytettävä johdemaaosa 436.
[128] Yllä mainitulla rakenteella jopa silloin, kun aloitusmateriaalina käytetään laminointimateriaalia, jossa on johdekerros, kuten kuparikaivo muodos- 5 tettuna ainoastaan yhdelle eristepohjamateriaalin 411 pinnalle, monikerrososa-rakenne valmistetaan haluttuihin osiin sekä relelevyn 410 pinnalle että takapinnalle, ja sillä tavalla sallitaan kaksipuoliset pakkausprosessit. Lisäksi käyttämällä monikerrososan 430 piirilevyä, joka on ulkomuodoltaan alustavasti muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, tulee mahdolliseksi eliminoida turhien mo-10 nikerrososien valmistaminen ja niin muodoin leikata prosessien määrää ja materiaalikustannuksia.
[129] Viitaten kuvioihin 29A-31 selitetään alla valmistusmenetelmä esillä olevan suoritusmuodon mukaiselle perusmateriaalille, jossa on piiri ja jota käytetään monikerrospiirilevyyn.
15 [130] Kuviot 29A-29E esittävät relelevyn 410 valmistusprosesseja. Ku ten kuviossa 29A esitetään, yleiskäyttöistä yksipuolista kuparipinnoitepolyimi-dipohjamateriaalia (yksipuolista johdepinnoitteista lamellilevyä) 450 käytetään aloitusmateriaalina. Yksipuolinen kuparipinnoitepolyimidipohjamateriaali 450 on yksipuolista kuparipinnoitelamellilevyä (CCL, copper coat lamination plate), 20 jossa on kuparikaivo 451 sijoitettuna johdekerrokseksi ainoastaan yhdelle lämmitettäessä kerrostusominaisuuden aikaansaavasta polyimidikalvosta valmistetun eristepohjamateriaalin 411 pinnalle. Tässä voidaan myös käyttää lamellilevyä, jossa aloitusmateriaalina käytetään polyimidipohjamateriaalia ilman kuparikaivoa ja johdekerros muodostetaan kasvatusmenetelmällä tai puolikas-25 vatusmenetelmällä.
[131] Ensiksi syövytyksenestopinnoite laminoidaan yksipuolisen ku-o paripinnoitepolyimidipohjamateriaalin 450 kuparikaivoon 451, ja tämä alistetaan
(M
^ altistukselle johdotuskuvion muodostamiseksi siihen ja sitten se kehitetään. Sen ^ jälkeen paljastettu kupari syövytetään kuparikloridikylvyn avulla johdekerroksen ° 30 412 (johtavan kuvion) muodostamiseksi. Jälkeenpäin syövytyksenestopinnoite | poistetaan niin, että muodostetaan perusmateriaali, jossa on yksipuolinen piiri n. 452, kuten kuviossa 29B esitetään.
to ^ [132] Jälkeenpäin muodostetaan, kuten kuviossa 29C esitetään, eris- o tehartsikerros 413, joka toimii myös tartuntakerroksena, johdekerroksen pintaan ^ 35 (yläpintaan 410A), joka muodostetaan eristepohjamateriaalin 411 johdekuvioksi.
Eristehartsikerros 413 voidaan muodostaa polyimidikalvosta, joka on samaa ma- 29 teriaalia kuin eristepohjamateriaali 411, sen vuoksi kerrostusprosessi voidaan suorittaa käyttämällä kalvonmuotoista materiaalia eristepohjamateriaalin 411 yläpinnalle 41OA käyttämällä kontaktikerrostusprosessia, laminointiprosessia tai tyhjiölaminointiprosessia lämpöpuristuksen tai tyhjiölämpöpuristuksen avul-5 la. Lisäksi eristehartsikerros 413 voidaan myös muodostaa pinnoitusprosessil-la, kuten valelupinnoitusprosessilla ja linkopinnoitusprosessilla, käyttämällä hartsimateriaalin esiastelakkaa.
[133] Jälkeenpäin, kuten kuviossa 29D esitetään, käytetään UV-YAG-, hiilidioksidi- tai vastaavanlaista lasersädettä eristepohjamateriaalin 411 puolelta 10 haluttuun paikkaan, jota tullaan käyttämään kerrostenvälisenä yhteytenä, läpi-vientireiän 414 muodostamiseksi, joka porautuu eristepohjamateriaaliin 411 olemaan yhteydessä kuparikaivon (johdekerroksen 412, joka muodostaa johdo-tuskuvion) takapintaan. Lisäksi UV-YAG-, hiilidioksidi- tai vastaavanlaista lasersädettä käytetään eristehartsimateriaalin 413 puolelta haluttuun paikkaan lä- 15 pivientireiän 416 muodostamiseksi, joka porautuu eristehartsikerrokseen 413 olemaan yhteydessä kuparikaivon (johdekerroksen 412, joka muodostaa johdo-tuskuvion) yläpintaan.
[134] Mitä tulee reiänmuodostusprosesseihin, paitsi laserprosesseilla, voidaan läpivientireiät 414 ja 416 muodostaa muodostamalla syövytyksenes- 20 topinnoite, jossa on kuvio eristepohjamateriaalissa 411 ja eristehartsikerrokses-sa 413, ja syövyttämällä eristepohjamateriaalia 411 ja eristehartsikerrosta 413.
[135] Jälkeenpäin, kuten kuviossa 29E esitetään, lämpökovettuvaa hopeatahnaa 418 ja 419 upotetaan ja suihkutetaan läpivientireikiin 414, 416 johtavaksi tahnaksi paino- tai vastaavanlaisella menetelmällä johdeosien 415, 417 25 muodostamiseksi. Sillä tavalla muodostetaan relelevy 410. Mitä tulee läpivientireikiin 414 ja 416 upotettavaan ja suihkutettavaan johtavaan tahnaan, tässä voi-5 daan käyttää, paitsi hopeatahnaa, johtavaa ja vastaavanlaista tahnaa mukaan
CM
^ lukien kuparitahna ja johtava täyte, jossa on hopealla päällystettyä kuparijauhetta.
^ [136] Mitä tulee relelevyyn 410, koska johdotuskuvion muodostava ° 30 johdekerros 412, paitsi kerrostenväliset johdeosat415ja 417, päällystetään eris- | tehartsikerroksella 413, ja sen vuoksi on mahdollista jättää väliin prosessi, jossa n. sijoitetaan suojakerros suojaamaan johdotuskuvion muodostavaa johdekerros- £ ta 412.
LO
g [137] Kuvio 30 esittää monikerrososan 430 piirilevyä. Monikerrososan ^ 35 430 piirilevy muodostetaan seuraavilla prosesseilla: Yleiskäyttöistä yksipuolista kuparipinnoitteista polyimidipohjamateriaalia, joka on samaa kuin relelevyn 410 30 aloitusmateriaali, käytetään aloitusmateriaalina, johdotuskuvion muodostava joh-dekerros 432 muodostetaan syövyttämällä, läpivientireikä 433 muodostetaan laser- tai vastaavanlaisella prosessilla ja kerrostenvälinen johdeosa 434 muodostetaan upottamalla ja suihkuttamalla hopeatahnaa 437 läpivientireikään 433.
5 [138] Kuten kuviossa 30 esitetään, ennen laminointiprosessia rele- levylle 410 monikerrososan 430 piirilevy alistetaan ulkomuodon muotoiluprosessille (puristuslyöntiprosessille) ja sen ulkomuodon sallitaan olevan ennalta määrätty vastaten monikerrososien 420A ja 420B tasomuotoa.
[139] Kuvio 31 esittää yllä mainittujen prosessien avulla valmistetun 10 monikerrososan 430 piirilevyn laminointiprosesseja. Kuten kuviossa 31A esitetään, ennalta määrätty määrä monikerrososien 430 piirilevyjä, jotka on ulkomuodoltaan muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin, sijoitetaan vastaavasti relelevyn 410 eristehartsikerroksen 413 yläpinnan 413A ja eristepohjamateriaa-lin 411 takapinnan 410B tietyille alueille käyttämällä tasausmerkkejä, referens- 15 sireikiä, piirikuvioita tai vastaavanlaisia keinoja (ei esitetty), ja sitten ne asetetaan päällekkäin, ja uloimpiin kerroksiin käytettyjen kuparikaivojen 437 yläpinta ja takapinta sijoitetaan eristepohjamateriaalien 431 pinnoille 430A vastaavasti yläpuolelle (pintapuolelle) ja alapuolelle (takapintapuolelle). Monikerrososien 430 piirilevyt laminoidaan tässä relelevyn 410 vastaavalle yläpuolelle ja alapuo-20 lelle johdekerroksen 432 puolen muodostaessa johdotuskuvion, joka on relelevyn 410 puoleen päin.
[140] Edelleen, kuten kuviossa 31B esitetään, yllä mainitut jäsenet lämmitetään ja liitetään kontaktiin korkeassa lämpötilassa ja suuressa paineessa käyttämällä tyhjiökovetuspuristuskonetta tai kovetuspuristuskonetta niin, 25 että suoritetaan monikerroksia muodostava eräprosessi.
[141] Lopuksi, kuten kuviossa 31C esitetään, uloimpiin kerroksiin käy- 5 tettyjen kuparikaivojen 437 pinta ja takapinta syövytetään vastaavasti niin, että
(M
muodostetaan johdotuskuvion muodostava johdekerros 435 ja komponenttien v pakkaukseen käytetyt johdemaaosat. Sillä tavalla tehdään valmiiksi monikerros-
Is" ° 30 piirilevy, jossa on monikerrososat 420A ja 420B.
| [142] Uloimmalle kerrokselle johdotuskuvion muodostava johdekerros 435 ja komponenttien pakkaukseen käytetyt johdemaaosat 436 voidaan myös
CO
muodostaa käyttämällä piirin muodostavaa siirtonauhaa 460, kuten kuviossa 32 o esitetään. Piirin muodostava siirtonauha 460 muodostetaan kuljetusnauhan 461 ™ 35 yhdelle pinnalle sellaisella tavalla, että sallitaan johdotuskuvion muodostavan joh- 31 dekerroksen 435 ja komponenttien pakkaukseen käytettyjen johdemaaosien 436 olevan siitä erotettavissa syövytyksen tai vastaavanlaisen prosessin avulla.
[143] Kuten kuviossa 33A esitetään, kuparikaivon 437 sijasta piirin muodostava siirtonauha 460 asetetaan ja sijoitetaan vastaavien eristepohjama-5 teriaalien 431 pinnoille 430A yläpuolelle (pintapuolelle) ja alapuolelle (takapin-tapuolelle) johdotuskuvion muodostavan johdekerroksen 435 ja komponenttien pakkaukseen käytettyjen johdemaaosien 436 sijaitessa eristepohjamateriaalin 431 pintapuolella 430A. Lisäksi kovetusprosessin jälkeen, kuten kuviossa 33B esitetään, kuljetusnauha 461 poistetaan, kuten kuviossa 33C esitetään.
10 [144] Sillä tavalla saadaan aikaan monikerrospiirilevy, jolla on samoja ominaisuuksia kuin ennen mainituilla suoritusmuodoilla. Tässä suoritusmuodossa johdekerros 435, joka muodostaa johdotuskuvion uloimmalle kerrokselle, ja komponenttien pakkaukseen käytetyt johdemaaosat 436 painetaan moniker-rososan 430 piirilevyn eristepohjamateriaaliin 431 kovettamisen avulla, kuten ku-15 viossa 33C esitetään. Sen vuoksi on mahdollista saavuttaa monikerrososien 420A ja 420B tasaiset pintakerrokset.
[145] Kuviot 34 ja 35 esittävät esillä olevan suoritusmuodon mukaiset muut monikerroksia muodostavat prosessit. Tässä suoritusmuodossa, kuten kuviossa 34 esitetään, mitä tulee pinnan ja takapinnan uloimpiin jäseniin, käytetään 20 uloimman kerroksen johdotuskuvion muodostavaa johdekerrosta, joka sijoitetaan eristepohjamateriaalin 471 yhdelle pinnalle, ja monikerrososan 470 uloimpaan kerrokseen käytettävää piirilevyä, joka muodostetaan syövyttämällä komponenttien pakkaukseen käytetyt johdemaaosat 472. Monikerrososan 470 uloimpaan kerrokseen käytetyn piirilevyn ulkomuoto on muotoiltu ennalta määrättyyn muo-25 toon samalla tavalla kuin monikerroksiin käytetyn perusmateriaalin 430, tällä ei kuitenkaan ole kerrostenvälisiä johdeosia.
o [146] Kuten kuviossa 35A esitetään, kuparikaivon 437 sijasta moniker-
(M
^ rososan 470 ulkokerrokseen käytetty piirilevy asetetaan ja sijoitetaan eristepoh- T jamateriaalien 431 vastaaville pinnoille 430A yläpuolelle (pintapuolelle) ja ala- ° 30 puolelle (takapintapuolelle) johdekerroksen muodostavan johdotuskuvion ja kom- | ponenttien pakkaukseen käytettyjen johdemaaosien 472 sijaitessa eristepoh- jamateriaalin 431 pintapuolella 430A, ja ne alistetaan yhteislaminointiprosessil-
CD
£ le, kuten kuviossa 35B esitetään.
§ [147] Sen jälkeen, kuten kuviossa 35C esitetään, komponenttien ^ 35 pakkaukseen käytetyt yhteysreiät 473, jotka porautuvat eristepohjamateriaaliin 471 ollakseen avattavissa olemaan yhteydessä johdemaaosan 472 kanssa, 32 muodostetaan ennalta määrättyihin monikerrososan 470 ulkokerrokseen käytetyn piirilevyn vastaaviin pinnan ja takapinnan paikkoihin. Sillä tavalla tehdään valmiiksi monikerrospiirilevy, jossa on monikerrososat 420A ja 420B.
[148] Yhteysreiän 473 muodostus suoritetaan syövytysprosessilla, jos-5 sa ainoastaan eristepohjamateriaali 471 sulatetaan syövytysnesteellä ennalta määrättyjen muiden osien kuin yhteysreikäaukko-osien ollessa suojattuja kemikaalin kestävällä estopinnoitteella. Lisäksi yhteysreiät 473 voidaan muodostaa laserprosesseilla käyttämällä UV-YAG-, hiilidioksidi- tai vastaavanlaista laseria.
10 [149] Esillä olevassa suoritusmuodossa, koska monikerrososien 420A
ja 420B pinnoille johdotuskuvion muodostava johdekerros päällystetään eriste-pohjamateriaalilla 471 eikä sen vuoksi ole välttämätöntä erikseen valmistaa suojakerrosta suojaamaan monikerrososien 420Aja 420B pinnoille johdotuskuvion muodostavaa johdekerrosta. Lisäksi, kuten kuviossa 33C esitetään, komponent-15 tien pakkaukseen käytetyt johdemaaosat 472, painetaan monikerrososan 430 piirilevyn eristepohjamateriaaliin 430, kuten kuviossa 33C esitetään. Sen vuoksi on mahdollista saavuttaa monikerrososien 420Aja 420B tasaiset pintakerrokset.
Neljännen suoritusmuodon muunneltu suoritusmuoto [150] Kuvio 36 esittää esillä olevan keksinnön mukaisen monikerros-20 piirilevyn toista suoritusmuotoa. Tämä monikerrospiirilevy varustetaan relelevyllä 4110, kuten emolevyn piirilevyllä, ja monikerrososilla 4120A ja 4120B, jotka muodostetaan laminoimalla vastaavasti monikerrosperusmateriaaliosat 4130 sekä relelevyn 4110 pinnan että takapinnan tiettyihin osiin.
[151] Relelevy 4110 muodostetaan pohjamateriaalista, jossa on yksi-25 puolinen johdotuspiiri ja joka varustetaan johdekerroksella (mukaan lukien joh- ^ demaaosa) 4112, joka toimii johdotuskuviona, joka muodostetaan polyimidista ^ tai vastaavanlaisesta materiaalista valmistetun eristepohjamateriaalin 4111 v yhdelle pinnalle (yläpinnalle 4110A). Kerrostenvälinen liitoskerros 4141 muodos- o tetaan eristepohjamateriaalin 4111 toiselle pinnalle niin, että eristekerroksella | 30 sallitaan olevan kaksikerroksinen rakenne, jossa on eristepohjamateriaali 4111 ^ ja kerrostenvälinen liitoskerros 4141. Mitä tulee kerrostenvälisen liitoskerrok- ^ sen 4141 materiaaliin, voidaan käyttää lämpökovettuvaa polyimidia, termoplas- o tista polyimidia, termoplastista polyimidia, johon on lisätty lämmössä kovettuvuus o w -ominaisuus, nestekidepolymeeria, epoksi- ja vastaavanlaista hartsia.
35 [152] Johdotuskuvion eristelevyn 4111 pinnalle muodostavan johde- kerroksen pinnalle (yläpinnalle 4110A) muodostetaan eristehartsikerros 4113, jo- 33 ka toimii myös kerrostenvälisenä liitoskerroksena. Eristehartsikerros 4113 voidaan muodostaa samasta materiaalista kuin kerrostenvälisen liitos kerroksen 4141 materiaali.
[153] Mitä tulee relelevyyn 4110, kerrostenväliset johdeosat 4115 ja 5 4117, jotka muodostetaan läpivientireikien 4114 ja 4116 avulla, muodostetaan vastaavasti eristepohjamateriaaliin 4111, kerrostenväliseen liitoskerrokseen 4141 ja eristehartsikerrokseen 4113. Kerrostenväliset johdeosat 4115 ja 4117 muodostetaan läpivientireikien 4114 ja 4116 avulla, joihin upotetaan ja suihkutetaan johtavaa tahnaa.
10 [154] Kerrostenvälisen liitoskerroksen 4141 pinnalle eristepohjamate- riaalin 4111 vastapäiselle puolelle, toisin sanoen eristehartsikerroksen 4113 takapinnalle 411 OB, ja pinnalle (yläpinnalla 4113A) laminoidaan johtavaan yhteyteen johdekerrokseen 4112, joka muodostaa relelevyn 4110 johdotuskuvion kerrostenvälisten johdeosien 4115 tai 4117 avulla, monikerrososien 4130 piirile-15 vyt, jotka on ulkomuodoltaan alustavasti muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon.
[155] Samalla tavalla kuin relelevy 4110 myös monikerrososan 4130 piirilevy muodostuu pohjamateriaalista, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri ja joka varustetaan johdotuskuvion muodostavalla johdekerroksella (mukaan lukien 20 johdemaaosa) 4132, joka muodostetaan eristepohjamateriaalin 4131 yhdelle pinnalle. Tartuntakerros 4142 muodostetaan eristepohjamateriaalin 4131 toiselle pinnalle. Mitä tulee monikerrososan 4130 piirilevyyn, kerrostenvälinen joh-deosa 4134 muodostetaan eristepohjamateriaaliin 4131 ja tartuntakerrokseen 4142 läpivientireiän 4133 avulla. Kerrostenvälinen johdeosa 4134 muodostuu 25 myös läpivientireiän 4133 avulla, johon upotetaan ja suihkutetaan johtavaa tahnaa.
o [156] Mitä tulee monikerrososan 4130 piirilevyyn, relelevyn 4110 ylä-
C\J
^ pinnan 4113A puolelle, toisin sanoen monikerrososaan 4120A, laminoidaan niitä ^ useita johdekerroksen 4132 muodostaessa alaspäin olevan johdotuskuvion, ja ° 30 relelevyn 4110 takapinnan 4110B puolelle, toisin sanoen monikerrososaan £ 4120B, laminoidaan niitä useita johdekerroksen 4132 muodostaessa ylöspäin olevan johdotuskuvion, sillä tavalla nämä kerrokset liitetään kerrosten välissä to ^ sijaitsevien tartuntakerrosten 4141 ja 4142 tai eristehartsikerroksen 4113 avulla, o Toisin sanoen monikerrososan 4130 piirilevyt laminoidaan relelevyn 4110 ylä- ^ 35 puolelle ja alapuolelle johdekerroksen 4132 puolen muodostaessa siihen rele levyyn 410 päin olevan johdotuskuvion.
34 [157] Monikerrososan 4130 piirilevyn, joka muodostaa kummankin monikerrososan 4120Aja 4120B uloimman kerroksen, tartuntakerroksen 4142 pinnalle 4130A muodostetaan johdotuskuvion muodostava johdekerros 4136 ja komponenttien pakkaukseen käytettävä johdemaaosa 4136.
5 [158] Yllä mainitulla rakenteella jopa silloin, kun aloitusmateriaalina käytetään laminointimateriaalia, jossa on johdekerros, kuten kuparikaivo, muodostettuna ainoastaan yhdelle eristepohjamateriaalin 4111 pinnalle, moniker-rososarakenne valmistetaan haluttuihin osiin sekä relelevyn 4110 pinnalle että takapinnalle, ja sillä tavalla sallitaan kaksipuoliset pakkausprosessit. Lisäksi 10 käyttämällä monikerrososan 4130 piirilevyä, joka on ulkomuodoltaan alustavasti muotoiltu ennalta määrättyyn muotoon, tulee mahdolliseksi eliminoida tarve valmistaa turhia monikerrososia ja niin muodoin leikata prosessien määrää ja materiaalikustannuksia.
[159] Viitaten kuvioihin 37-39 selitetään alla monikerrospiirilevyn 15 valmistusmenetelmä, jota tullaan käyttämään esillä olevan suoritusmuodon mukaisessa yllä mainitussa muunnellussa suoritusmuodossa.
[160] Kuviot 37A-37E esittävät relelevyn 4110 valmistusprosesseja. Kuten kuviossa 37A esitetään, yleiskäyttöistä yksipuolista kuparipinnoitepolyimi-dipohjamateriaalia (yksipuolista johdepinnoitteista lamellilevyä) 4150 käytetään 20 aloitusmateriaalina. Yksipuolinen kuparipinnoitepolyimidipohjamateriaali 4150 on yksipuolista kuparipinnoitelamellilevyä (CCL, copper coat lamination plate), jossa on kuparikaivo 4151 sijoitettuna johdekerrokseksi ainoastaan yhdelle poly-imidikalvosta valmistetun eristepohjamateriaalin 4111 pinnalle.
[161] Ensiksi syövytyksenestopinnoite laminoidaan yksipuolisen kupa-25 ripinnoitepolyimidipohjamateriaalin 4151 kuparikaivoon 4150, ja tämä alistetaan altistukselle johdotuskuvion muodostamiseksi siihen, ja sitten se kehitetään. Sen o jälkeen paljastettu kupari syövytetään kuparikloridikylvyn avulla johdekerroksen cv ^ 4112 (johtavan kuvion) muodostamiseksi. Jälkeenpäin syövytyksenestopinnoite ^ poistetaan niin, että muodostetaan perusmateriaali, jossa on yksipuolinen piiri ° 30 4152, kuten kuviossa 37B esitetään.
| [162] Kuten kuviossa 37C esitetään, eristepohjamateriaalin 4111 pin- nalle vastapäätä johdotuskuvion muodostavan johdekerroksen pintaa (yläpintaa
CD
4110A) muodostetaan kerrostenvälinen liitoskerros 4141, ja eristepohjamateriaa-o Iin 4111 johdotuskuvion muodostavan johdekerroksen pintaan (yläpintaan 4110A) ^ 35 muodostetaan eristehartsikerros 4113, joka toimii myös tartuntakerroksena. Eris- tehartsikerros 4113 voidaan muodostaa termoplastisesta tai vastaavanlaisesta 35 polyimidista, sillä tavalla käyttämällä kalvonmuotoista materiaalia kerrostus-prosessi voidaan suorittaa eristepohjamateriaalin 4111 yläpinnalle 4110A käyttämällä kontaktikerrostusprosessia, laminointiprosessia tai tyhjiölaminointipro-sessia lämpöpuristuksen tai tyhjiölämpöpuristuksen avulla. Lisäksi eristehart-5 sikerros 4113 voidaan myös muodostaa pinnoitusprosessilla, kuten valelupin-noitusprosessilla ja linkopinnoitusprosessilla käyttämällä hartsimateriaalin esi-astelakkaa.
[163] Jälkeenpäin, kuten kuviossa 37D esitetään, käytetään eristepohjamateriaalin 4141 puolelta UV-YAG-, hiilidioksidi- tai vastaavanlaista lasersädet- 10 tä haluttuun paikkaan, jota tullaan käyttämään kerrostenvälisenä yhteytenä, läpivientireiän 4114 muodostamiseksi, joka porautuu kerrostenväliseen liitos-kerrokseen 4141 ja eristepohjamateriaaliin 4111 olemaan yhteydessä kuparikaivon (johdotuskuvion muodostavan johdekerroksen 4112) takapintaan. Lisäksi käytetään UV-YAG-, hiilidioksidi- tai vastaavanlaista lasersädettä eristehartsi- 15 materiaalin 4113 puolelta haluttuun paikkaan läpivientireiän 4116 muodostamiseksi, joka porautuu eristehartsikerrokseen 4113 olemaan yhteydessä kupari-kalvon (johdotuskuvion muodostavan johdekerroksen 4112) yläpintaan.
[164] Jälkeenpäin, kuten kuviossa 37E esitetään, lämpökovettuvaa hopeatahnaa 4118 ja 4119 upotetaan ja suihkutetaan läpivientireikiin 4114 ja 20 4116 paino- tai vastaavanlaisella menetelmällä kerrosten välisten johdeosien 4115 ja 4117 muodostamiseksi. Sillä tavalla muodostetaan relelevy 4110.
[165] Myös tässä muunnellussa suoritusmuodossa mitä tulee relele-vyyn 4110, on mahdollista jättää väliin prosessi, jossa sijoitetaan suojakerros suojaamaan johdotuskuvion muodostavaa johdekerrosta 4112, koska johdotus- 25 kuvion muodostava johdekerros 4112, paitsi kerrostenväliset johdeosat 4115 ja 4117, päällystetään eristehartsikerroksella 4113. o [166] Kuvio 38 esittää monikerrososan 4130 piirilevyä. Moniker-
CSJ
^ rososan 4130 piirilevy muodostetaan seuraavilla prosesseilla: Yleiskäyttöistä ^ yksipuolista kuparipinnoitteista polyimidipohjamateriaalia, joka on samaa kuin ° 30 relelevyn 4110 aloitusmateriaali, käytetään aloitusmateriaalina, johdotuskuvion | muodostava johdekerros 4132 muodostetaan syövyttämällä, läpivientireikä 4133 muodostetaan laser- tai vastaavanlaisella prosessilla ja kerrostenvälinen
CD
£5 johdeosa 4134 muodostetaan upottamalla ja suihkuttamalla hopeatahnaa o 4137 läpivientireikään 4133.
35 [167] Kuten kuviossa 38 esitetään, ennen relelevyn 4110 laminointi prosessia monikerrososan 4130 piirilevy alistetaan ulkomuodon muotoilupro- 36 sessille (puristusiskuprosessille) ja sen ulkomuodon sallitaan olevan ennalta määrätty vastaten monikerrososien 4120A ja 4120B tasomuotoa.
[168] Kuvio 39 esittää laminointiprosesseja monikerrososan 4130 piirilevylle, joka valmistetaan yllä mainittujen prosessien avulla. Kuten kuviossa 39A
5 esitetään, ennalta määrätty määrä monikerrososien 4130 piirilevyjä, jotka on ulkomuodoltaan muotoiltu ennalta määrättyihin muotoihin, sijoitetaan vastaavasti relelevyn 4110 eristehartsikerroksen 4113 yläpinnan 4113A ja eristepohjamate-riaalin 4111 takapinnan 411 OB tietyille alueille käyttämällä tasausmerkkejä, re-ferenssireikiä, piirikuvioita tai vastaavanlaisia keinoja (ei esitetty) ja sitten ne ase-10 tetaan toinen toisensa päälle. Edelleen yläpinta, takapinta ja uloimpiin kerroksiin käytetyt kuparikaivot 4137 sijoitetaan vastaavasti tartuntakerroksen 4142 pinnoille 4130A yläpuolelle (pintapuolelle) ja alapuolelle (takapintapuolelle). Relelevyn 4110 vastaavalle yläpuolelle ja alapuolelle laminoidaan tässä monikerrososien 4130 piirilevyt johdekerroksen 4132 puolen muodostaessa johdotusku-15 vion, joka on kohti relelevyä 4110.
[169] Edelleen, kuten kuviossa 39B esitetään, tätä lämmitetään ja liitetään kontaktiin korkeassa lämpötilassa ja suuressa paineessa käyttämällä tyh-jiökovetuspuristuskonetta tai kovetuspuristuskonetta niin, että suoritetaan moni-kerroksia muodostava eräprosessi.
20 [170] Lopuksi uloimpiin kerroksiin käytettyjen kuparikaivojen 4137 pin ta ja takapinta syövytetään vastaavasti niin, että muodostetaan johdotuskuvion muodostava johdekerros 4135 ja komponenttien pakkaukseen käytetyt johde-maaosat. Sillä tavalla tehdään valmiiksi monikerrospiirilevy, jossa on moniker-rososat 4120A ja 4120B.
25 [171] Myös tässä muunnellussa suoritusmuodossa johdekerros 4135, ^ joka muodostaa johdotuskuvion uloimmalle kerrokselle, ja komponenttien pak- o kaukseen käytetyt johdemaaosat 4136 voidaan muodostaa käyttämällä piirin ± muodostavaa siirtonauhaa, joka on samaa kuin kuvioissa 32 ja 33 esitetty piirin ^ muodostava siirtonauha 460. Lisäksi käyttämällä uloimpaan kerrokseen käytet- ° 30 tävää monikerrososan piirilevyä, joka on sama kuin monikerrososan 470 £ uloimpaan kerrokseen käytetty piirilevy, kuten kuvioissa 34 ja 35 esitetään, ^ voidaan valmistaa rakenne, jossa komponenttien pakkaukseen käytetyt yhteys- ^ reiät muodostetaan monikerrososan uloimpaan kerrokseen käytettyyn piirile-
LO
o vyyn.
CM
37
Teollinen sovellettavuus [172] Esillä olevan keksinnön mukaisesti vähintään yksi pohjamateriaali, jossa on piirilevy, joka on alustavasti muotoiltu ennalta määrättyyn ulkomuotoon, liitetään emolevyyn ja nämä yhdistetään sähköisesti toisiinsa vähin-5 tään jonkin läpivientireiän kautta. Piirilevyllisen pohjamateriaalin ulkomuoto valmistetaan pienemmäksi kuin emolevyn, jonka pohjamateriaalilla on ulkomuoto, jossa emolevyllä on saaren muotoinen piirilevy. Sen vuoksi tulee mahdolliseksi saada aikaan suurempi suunnitteluvapaus johdotuksiin ja näin ollen leikata materiaalikustannuksia ja vähentää perusmateriaalin kapasiteettia.
10 [173] Lisäksi esillä olevan keksinnön mukaisesti vähintään yksi poh jamateriaali, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, joka on alustavasti muotoiltu ennalta määrättyyn ulkomuotoon, liitetään emolevyyn, ja nämä yhdistetään sähköisesti toinen toisiinsa vähintään yhdestä osasta jonkin läpivientireiän kautta. Pohjamateriaalin, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, ulkomuoto valmistetaan 15 pienemmäksi kuin emolevyn, jonka pohjamateriaalilla on ulkomuoto, jossa emolevyllä on saaren muotoinen piirilevy. Sen vuoksi tulee mahdolliseksi saada aikaan suurempi suunnitteluvapaus johdotuksiin ja näin ollen leikata materiaalikustannuksia ja vähentää perusmateriaalin kapasiteettia.
[174] Lisäksi emolevylle laminoitu pohjamateriaali, jossa on yksipuo-20 linen johdotuspiiri, sijoitetaan niin, että ensimmäiseen pohjamateriaaliin liitetyn toisen pohjamateriaalin ulkomuoto sijaitsee emolevyn puoleisen ensimmäisen pohjamateriaalin ulkomuodon sisällä, ja sen sallitaan olla pyramidin muotoinen ja sen vuoksi emolevyä taivutettaessa emolevyn ja perusmateriaalin, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, samoin kuin laminoitujen perusmateriaalien, joissa on 25 yksipuolisia johdotuspiirejä, väliin syntynyttä kuormitusta voidaan levittää ja lie-vittää. Sen vuoksi tulee mahdolliseksi saada aikaan suuri taivutusta vastustava o lujuus (nylkylujuus) ja niin muodoin saavuttaa hyvä taivutusominaisuus, joka on -A taipuisan monikerrospiirilevyn (FPC) piirre.
^ [175] Lisäksi esillä olevan keksinnön mukaisesti yksipuolisen pääpii- ° 30 risubstraatin eristepohjamateriaalin vähintään yksi osa poistetaan osittain, ja joh- £ tavan kuvion takapinta paljastuu poistetusta kohdasta, ja yksipuolisen pääpii- £ risubstraatin eristepohjamateriaalin toiselta puolelta asennetaan elektroniikka- o osa tilaan, jossa se on johtavassa yhteydessä johtavan kuvion paljastetun osan § takapuoleen, ja/tai monikerrospiirilevyn yksipuolinen piirilevy, jossa on kerros-
CM
35 tenvälinen johdeosa ja johtava kuvio muodostettuna eristepohjamateriaalin yhdelle puolelle, laminoidaan tilaan, jossa se on johtavassa yhteydessä johta- 38 van kuvion takapuolen paljastettuun osaan. Lisäksi myös yksipuolisen pääpii-risubstraatin eristepohjamateriaalin toiselle puolelle asennetaan elektroniikkaosa, ja/tai monikerrospiirilevyn yksipuolinen johdotuspiiri laminoidaan niin, että on mahdollista saada aikaan piirisubstraatti, joka sallii kaksipuoliset pakkaus-5 prosessit.
[176] Lisäksi esillä olevan keksinnön mukaisesti eristehartsikerros, joka toimii myös tartuntakerroksena, muodostetaan relelevyn johdekerroksen pintaan, ja valmistetaan kerrostenvälinen johdeosa, joka saadaan, kun suihkutetaan johtavaa ainetta eristepohjamateriaaliin muotoiltuun läpivientireikään, ja 10 kerrostenvälinen johdeosa, joka saadaan, kun johtavaa ainetta suihkutetaan eris-tehartsikerrokseen muotoiltuun läpivientireikään; sen vuoksi jopa silloin, kun aloi-tusmateriaalina käytetään lamellimateriaalia, jossa on johdekerros, kuten kuparikaivo, ainoastaan yhdellä eristepohjamateriaalin pinnalla, on mahdollista valmistaa osittain monikerrosrakenne haluttuun paikkaan sekä relelevyn pinnalle että 15 takapinnalle ja näin ollen sallia kaksipuoliset pakkausprosessit.
δ
(M
h-· o
X
en
CL
h-·
CD
h-·
O
m o o
(M

Claims (15)

1. Monikerrospiirilevy käsittäen: emolevyn (10); ja vähintään yhden johdotuspiirin käsittävän pohjamateriaalin (21), jo-5 ka on muotoiltu ennalta määrättyyn ulkomuotoon ja laminoitu emolevyn kanssa, jossa emolevy ja johdotuspiirin käsittävä pohjamateriaali on yhdistetty sähköisesti toinen toisiinsa sisäläpivientireiän (24) kautta, tunnettu siitä, että 10 emolevylle (10) on muodostettu suojakerros, jossa on aukko, ja joh dotuspiirin käsittävä pohjamateriaali (21) on sijoitettu aukkoon.
2. Monikerrospiirilevy käsittäen: emolevyn (10); ja vähintään yhden johdotuspiirin käsittävän pohjamateriaalin (21), jo-15 ka on muotoiltu ennalta määrättyyn ulkomuotoon ja laminoitu emolevyn kanssa, jossa emolevy ja johdotuspiirin käsittävä pohjamateriaali on yhdistetty sähköisesti toinen toisiinsa sisäläpivientireiän (24) kautta, jossa johdotuspiirin käsittävässä pohjamateriaalissa (21) oleva sisä-20 läpivientireikä (24) on täytetty johtavalla tahnalla yhdistämään eri kerrokset sähköisesti toinen toisiinsa, tunnettu siitä, että johdotuspiirin käsittävän pohjamateriaalin (21) johdekerrokseen on puhkaistu pieni käytävä, joka on yhteydessä sisäläpivientireikään.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen monikerrospiirilevy, jossa 25 johdotuspiirin käsittävän pohjamateriaalin (21) pinta-ala on pienempi kuin emo- 5 levyn (10) pinta-ala, ja jossa johdotuspiirin käsittävä pohjamateriaali on järjes- (M ^ tetty emolevylle muodostamaan saarimuoto, jossa johdotuspiirin käsittävän ^ pohjamateriaalin reunasivut eivät ole yhtäpitäviä emolevyn (10) reunasivujen ° kanssa siten, että johdotuspiirin käsittävä pohjamateriaali (21) on asetettuna £ 30 sen alueen sisälle, jonka emolevyn (10) reunasivut määrittelevät, i^.
4. Jonkin patenttivaatimuksista 1, 2 ja 3 mukainen monikerrospiirile- CD £ vy, jossa emolevylle on laminoitu useita pohjamateriaaleja (21), joissa on joh- § dotuspiiri, joka on muotoiltu ennalta määrättyyn ulkomuotoon.
^ 5. Jonkin edeltävistä patenttivaatimuksista mukainen monikerrospii- 35 rilevy, jossa johdotuspiirin käsittävä pohjamateriaali (21) on pohjamateriaali, jossa on yksipuolinen johdotuspiiri, pohjamateriaalissa on eristekerros ja eris-tekerroksen yhdelle pinnalle muodostettu johdotuspiiri.
6. Jonkin edeltävistä patenttivaatimuksista mukainen monikerrospii-rilevy, jossa emolevyn (10) eristekerros on valmistettu taipuisasta hartsista.
7. Jonkin edeltävistä patenttivaatimuksista mukainen monikerrospii- rilevy, jossa pohjamateriaalin (21), jossa on johdotuspiiri, eristekerros on valmistettu taipuisasta hartsista.
8. Jonkin edeltävistä patenttivaatimuksista mukainen monikerrospii-rilevy, jossa emolevyn eristekerros ja pohjamateriaalin (21), jossa on johdotus- 10 piiri, eristekerros on valmistettu samasta materiaalista.
9. Jonkin edeltävistä patenttivaatimuksista mukainen monikerrospii-rilevy, johon on muodostettu suojakerros peittämään emolevyä (10) ja pohjamateriaalia (21), jossa on johdotuspiiri.
10. Patenttivaatimuksen 1 mukainen monikerrospiirilevy, jossa emo- 15 levyn johdotuspiiri on paljastettu aukossa, jota rajaavat suojakerroksen aukko ja johdotuspiirin käsittävä pohjamateriaali (21), ja jossa emolevyn johdotuspiiri on päällystetty jalometallilla.
11. Patenttivaatimuksen 1 mukainen monikerrospiirilevy, jossa toinen suojakerros on muodostettu niin, että se peittää emolevyn piirilevyn pin- 20 nan, joka on paljastettu reiässä, jota rajaa suojakerroksen aukko ja johdotuspiirin käsittävä pohjamateriaali (21).
12. Jonkin patenttivaatimuksista 1 - 8 mukainen monikerrospiirilevy, jossa johdotuspiirin käsittävien pohjamateriaalien (21) joukosta sen johdotuspiirin käsittävän pohjamateriaalin eristekerros, joka on yhteydessä emolevyyn, 25 toimii myös suojakerroksena, joka peittää emolevyn johdotuspiirin.
13. Menetelmä monikerrospiirilevyn valmistamiseksi käsittäen askeja leet: (M ^ valmistetaan hartsilevy käytettäväksi pohjamateriaalia (21) varten; v muodostetaan piiriosa hartsilevyn yhdelle pinnalle; ° 30 valmistetaan läpivientireikä, joka porautuu hartsilevyyn yhdeltä pin- | naita toiselle pinnalle ulottuakseen vähintään yhteen hartsilevyn yhdelle pinnalla le muodostetun piiriosan osaan; CD ^ suihkutetaan johtavaa tahnaa läpivientireikään; o kovetetaan johtava tahna väliaikaisesti; (M jaetaan edellisten askelien avulla muodostettu yksipuolisen johdo-tuspiirin käsittävä pohjamateriaali (21) useiksi yksipuolisen johdotuspiirin käsittäviksi pohjamateriaaleiksi, joista kukin on erikokoinen; sijoitetaan yksipuolisen johdotuspiirin käsittävät pohjamateriaalit 5 emolevylle (10) siihen asetettaviksi; ja laminoidaan yksipuolisen johdotuspiirin käsittävät pohjamateriaalit ja emolevy yhteislaminointiprosessilla samalla kun lämmitetään pohjamateriaaleja ja emolevyä (10) niin, että pääkovetusprosessi suoritetaan johtavalle tahnalle.
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, jossa laminointi- vaiheessa useat yksipuolisen johdotuspiirin käsittävät pohjamateriaalit laminoidaan emolevylle laskevassa järjestyksessä koon mukaan.
15. Patenttivaatimuksen 13 tai 14 mukainen menetelmä, jossa la-minointivaiheessa mainittuja useita yksipuolisen johdotuspiirin käsittäviä poh-15 jamateriaaleja ei laminoida vastaavasti emolevyn molempien pintojen vastakkaisille alueille. δ (M i o X tr CL I'- co I'- o LO o o (M
FI20050767A 2003-01-20 2005-07-19 Monikerrospiirilevy ja menetelmä sen valmistamiseksi FI122414B (fi)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003011635 2003-01-20
JP2003011635A JP4195619B2 (ja) 2003-01-20 2003-01-20 多層配線板およびその製造方法
JP2003294994 2003-08-19
JP2003294994A JP2005064357A (ja) 2003-08-19 2003-08-19 多層配線板およびその製造方法
JP2003309254A JP2005079402A (ja) 2003-09-01 2003-09-01 回路基板およびその製造方法
JP2003309254 2003-09-01
JP2003342907 2003-10-01
JP2003342907A JP2005109299A (ja) 2003-10-01 2003-10-01 多層配線板およびその製造方法
PCT/JP2003/016377 WO2004066697A1 (ja) 2003-01-20 2003-12-19 多層配線板およびその製造方法
JP0316377 2003-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI20050767A FI20050767A (fi) 2005-09-16
FI122414B true FI122414B (fi) 2012-01-13

Family

ID=32777145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20050767A FI122414B (fi) 2003-01-20 2005-07-19 Monikerrospiirilevy ja menetelmä sen valmistamiseksi

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20060180344A1 (fi)
FI (1) FI122414B (fi)
WO (1) WO2004066697A1 (fi)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4536430B2 (ja) * 2004-06-10 2010-09-01 イビデン株式会社 フレックスリジッド配線板
US7246434B1 (en) * 2004-10-11 2007-07-24 Pericom Semiconductor Corp. Method of making a surface mountable PCB module
TWI277381B (en) * 2005-04-12 2007-03-21 Au Optronics Corp Double-sided flexible printed circuit board
JP2007059184A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Citizen Electronics Co Ltd キーシートモジュール
JP2007067244A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sony Corp 回路基板
CN101973146B (zh) * 2005-09-30 2012-09-26 住友电木株式会社 带有载体的预浸料及其制造工艺、薄双面板及其制造工艺和多层印刷电路板的制造工艺
US20090046441A1 (en) * 2006-01-06 2009-02-19 Nec Corporation Wiring board for mounting semiconductor device, manufacturing method of the same, and wiring board assembly
JP5168838B2 (ja) * 2006-07-28 2013-03-27 大日本印刷株式会社 多層プリント配線板及びその製造方法
TW200906263A (en) * 2007-05-29 2009-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit board and method for manufacturing the same
US8035983B2 (en) * 2007-07-17 2011-10-11 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method of manufacturing wiring board
US8178789B2 (en) 2007-07-17 2012-05-15 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method of manufacturing wiring board
TWI358981B (en) * 2007-08-08 2012-02-21 Unimicron Technology Corp Method for fabricating circuit board
DE102007044602A1 (de) * 2007-09-19 2009-04-23 Continental Automotive Gmbh Multilayer-Leiterplatte und Verwendung einer Multilayer-Leiterplatte
JP5145896B2 (ja) * 2007-11-21 2013-02-20 富士通株式会社 電子装置および電子装置製造方法
JP5306634B2 (ja) * 2007-11-22 2013-10-02 新光電気工業株式会社 配線基板及び半導体装置及び配線基板の製造方法
CN102037797B (zh) * 2008-05-23 2013-11-06 揖斐电株式会社 印刷电路板及其制造方法
CN102090159B (zh) * 2008-07-16 2013-07-31 揖斐电株式会社 刚挠性电路板以及其电子设备
JP4730426B2 (ja) * 2008-11-19 2011-07-20 ソニー株式会社 実装基板及び半導体モジュール
DE102009006757B3 (de) * 2009-01-30 2010-08-19 Continental Automotive Gmbh Lötstopplack-Beschichtung für starrbiegsame Leiterplatten
EP2405727A1 (en) * 2009-04-02 2012-01-11 Panasonic Corporation Manufacturing method for circuit board, and circuit board
KR101051491B1 (ko) 2009-10-28 2011-07-22 삼성전기주식회사 다층 경연성 인쇄회로기판 및 다층 경연성 인쇄회로기판의 제조방법
JP2011119616A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Fujitsu Ltd プリント配線基板の製造方法、プリント配線基板、および電子装置
US8493747B2 (en) * 2010-02-05 2013-07-23 Ibiden Co., Ltd. Flex-rigid wiring board and method for manufacturing the same
US10433414B2 (en) * 2010-12-24 2019-10-01 Rayben Technologies (HK) Limited Manufacturing method of printing circuit board with micro-radiators
JP2012142226A (ja) * 2011-01-05 2012-07-26 Fujitsu Component Ltd 伝送コネクタ用の中継基板
KR101803100B1 (ko) * 2011-01-21 2017-11-30 삼성전자주식회사 전자 기기의 다층 연성회로기판
CN103857209A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 多层电路板及其制作方法
JP5408754B1 (ja) * 2012-12-10 2014-02-05 株式会社フジクラ 多層配線基板及びその製造方法
JP5900664B2 (ja) * 2013-07-30 2016-04-06 株式会社村田製作所 多層基板および多層基板の製造方法
CN205213161U (zh) * 2013-09-06 2016-05-04 株式会社村田制作所 多层基板
KR20150125424A (ko) * 2014-04-30 2015-11-09 삼성전기주식회사 강연성 인쇄회로기판 및 강연성 인쇄회로기판의 제조 방법
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
KR102425753B1 (ko) * 2015-06-01 2022-07-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판, 인쇄회로기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 패키지
EP3437441A1 (en) 2016-03-30 2019-02-06 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Laminated component carrier with a thermoplastic structure
CN209496722U (zh) * 2016-08-18 2019-10-15 株式会社村田制作所 层叠线圈
KR102565119B1 (ko) * 2016-08-25 2023-08-08 삼성전기주식회사 전자 소자 내장 기판과 그 제조 방법 및 전자 소자 모듈
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
JP6637479B2 (ja) * 2017-11-16 2020-01-29 矢崎総業株式会社 電子回路基板
CN110278657B (zh) 2018-03-16 2022-05-27 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 复合电路板及其制造方法
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
JP7066528B2 (ja) * 2018-05-31 2022-05-13 日東電工株式会社 配線回路基板、その製造方法および配線回路シート
KR102173615B1 (ko) * 2018-07-19 2020-11-03 스템코 주식회사 다층 회로 기판 및 그 제조 방법
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CN110337177A (zh) * 2019-06-21 2019-10-15 广州金鹏源康精密电路股份有限公司 一种具有可承受高推力的焊盘的电路板及其制作方法
CN113365412B (zh) * 2020-03-05 2022-06-24 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 复合电路板及其制作方法
CN113692118B (zh) * 2021-08-30 2023-06-06 大连亚太电子有限公司 一种多层印刷电路板

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2034127B (en) * 1978-10-13 1983-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Printed circuits and methods their manufacture
JPS55160452A (en) * 1979-06-01 1980-12-13 Nec Corp Hybrid integrated circuit
US5081563A (en) * 1990-04-27 1992-01-14 International Business Machines Corporation Multi-layer package incorporating a recessed cavity for a semiconductor chip
JPH0435092A (ja) * 1990-05-31 1992-02-05 Toshiba Corp 多層配線基板およびその製造方法
JP2857237B2 (ja) * 1990-08-10 1999-02-17 古河電気工業株式会社 多層回路基板の製造方法
JPH06283836A (ja) 1993-03-29 1994-10-07 Canon Inc プリント基板の接続構造および接続方法
JPH07106728A (ja) * 1993-10-04 1995-04-21 Mitsui Toatsu Chem Inc リジッドフレックスプリント配線板およびその製造方法
JPH07135375A (ja) * 1993-11-10 1995-05-23 Mitsui Toatsu Chem Inc リジッドフレックス配線板およびその製造方法
JP3540396B2 (ja) * 1994-11-11 2004-07-07 株式会社東芝 プリント配線板の製造方法
JP3445678B2 (ja) 1995-02-27 2003-09-08 シャープ株式会社 多層フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
JPH1041635A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板用片面回路基板とその製造方法、および多層プリント配線板
JPH10135595A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Kyocera Corp 回路基板及びその製造方法
US6281446B1 (en) * 1998-02-16 2001-08-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multi-layered circuit board and method of manufacturing the same
US6163957A (en) * 1998-11-13 2000-12-26 Fujitsu Limited Multilayer laminated substrates with high density interconnects and methods of making the same
JP2000156564A (ja) * 1998-11-20 2000-06-06 Nec Corp プリント配線板及びその製造方法
JP2000183526A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層配線基板およびその製造方法
JP2000208667A (ja) 1999-01-14 2000-07-28 Toshiba Corp 積層基板製造方法、積層基板製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2001024292A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Nippon Mektron Ltd 可撓性回路基板の支持構造
US6583364B1 (en) * 1999-08-26 2003-06-24 Sony Chemicals Corp. Ultrasonic manufacturing apparatuses, multilayer flexible wiring boards and processes for manufacturing multilayer flexible wiring boards
JP4486196B2 (ja) 1999-12-08 2010-06-23 イビデン株式会社 多層プリント配線板用片面回路基板およびその製造方法
JP3744383B2 (ja) 2000-06-09 2006-02-08 松下電器産業株式会社 複合配線基板及びその製造方法
JP3653452B2 (ja) 2000-07-31 2005-05-25 株式会社ノース 配線回路基板とその製造方法と半導体集積回路装置とその製造方法
JP3951091B2 (ja) * 2000-08-04 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002158445A (ja) 2000-11-22 2002-05-31 Cmk Corp リジッドフレックスプリント配線板及びその製造方法
JP2002171063A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 Sony Chem Corp 多層フレキシブル配線板
JP2001298274A (ja) 2001-03-13 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子回路構成体
JP2003092473A (ja) 2001-07-10 2003-03-28 Fujikura Ltd 多層配線板、多層配線用基材及びその製造方法
JP2003229665A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層フレキシブル配線板及びその製造方法
JP2003294994A (ja) 2002-04-03 2003-10-15 Hitachi Hybrid Network Co Ltd 双方向通信光モジュール
JP4195619B2 (ja) 2003-01-20 2008-12-10 株式会社フジクラ 多層配線板およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060180344A1 (en) 2006-08-17
FI20050767A (fi) 2005-09-16
US20090217522A1 (en) 2009-09-03
US7886438B2 (en) 2011-02-15
WO2004066697A1 (ja) 2004-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI122414B (fi) Monikerrospiirilevy ja menetelmä sen valmistamiseksi
US8569630B2 (en) Flex-rigid wiring board and method for manufacturing the same
KR100656751B1 (ko) 전자소자 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US8941016B2 (en) Laminated wiring board and manufacturing method for same
US20100224397A1 (en) Wiring board and method for manufacturing the same
JP4935139B2 (ja) 多層プリント配線板
US10745819B2 (en) Printed wiring board, semiconductor package and method for manufacturing printed wiring board
EP1814373A1 (en) Multilayer printed wiring board and its manufacturing method
JP6907442B2 (ja) プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法
JP2007129124A (ja) 多層プリント配線基板及びその製造方法
JP6795137B2 (ja) 電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法
TWI466610B (zh) 封裝結構及其製作方法
KR101332079B1 (ko) 다층 인쇄회로기판 제조 방법 및 이에 따라 제조된 다층 인쇄회로기판
US20040070959A1 (en) Multi-layer board, its production method, and mobile device using multi-layer board
US20110030207A1 (en) Multilayer printed wiring board and manufacturing method thereof
KR102325407B1 (ko) 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
CN107454761B (zh) 高密度增层多层板的制造方法
JP3674662B2 (ja) 配線基板の製造方法
KR20110113980A (ko) 필름을 포함한 다층 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US8004851B2 (en) Multi-layer flexible printed circuit board and manufacturing method thereof
US9204561B2 (en) Method of manufacturing a structure of via hole of electrical circuit board
JPH11289165A (ja) 多層配線基板およびその製造方法
US11910540B2 (en) Circuit board with solder mask on internal copper pad
CN112533368A (zh) 软硬结合电路板及其制作方法
CN112087863A (zh) 软硬复合板及其制法

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 122414

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed