ES2898330T3 - Procedimiento de grabado por corrosión de orificios de dos etapas - Google Patents

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Abstract

Procedimiento de grabado por corrosión de orificios de dos etapas que comprende al menos las etapas de: - facilitar una placa semiconductora (10) con un lado superior (10.1) y un lado inferior (10.2) que comprende varias pilas de células solares (12) en cada caso en el orden mencionado que presenta un sustrato de Ge (14) que forma el lado inferior, una célula parcial de Ge (16) y al menos dos células parciales III-V (18, 20), - realizar una primera sección de proceso y una segunda sección de proceso en el orden mencionado, en el que - en la primera sección de proceso se aplica una primera capa de laca (22) sobre el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10), se genera al menos una primera abertura (24) en la primera capa de laca (22) y por medio de un primer proceso de grabado por corrosión en la zona de la primera abertura (24) se genera un orificio (26) que llega desde el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10) a través de las células parciales III-V al menos hasta más allá de una transición pn (16.1) de la célula parcial de Ge hacia el interior de la placa semiconductora, - en la segunda sección de proceso se aplica una segunda capa de laca (28) sobre el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10), se genera una segunda abertura (30) más grande en comparación con la primera abertura (24) y que envuelve el orificio (26) en la segunda capa de laca (28) y por medio de un segundo proceso de grabado por corrosión se expande el orificio (26) en la zona de la segunda abertura (30) en una zona que llega desde el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10) hasta la célula parcial de Ge (16) que sirve como capa de parada del grabado por corrosión.

Description

DESCRIPCIÓN
Procedimiento de grabado por corrosión de orificios de dos etapas
La invención se refiere a un procedimiento de grabado por corrosión de orificios de dos etapas.
Para reducir el sombreado de la parte frontal de una célula solar, es posible disponer tanto la superficie de contacto externa positiva como también la superficie de contacto externa negativa en el lado trasero. En el caso de las denominadas células solares de envoltura de metal pasante (MWT), por ejemplo, el lado frontal de la célula solar se contacta mediante una abertura de contacto de paso del lado trasero.
Se conocen diferentes procedimientos para la producción de un orificio o bien de una abertura de contacto de paso por una célula solar.
Por “Die Metal Wrap Through Solarzelle - Entwicklung und Charakterisierung”, F. Clement, tesis doctoral, febrero de 2009 se conoce un procedimiento de producción de una célula solar sencilla MWT a partir de silicio multicristalino, en el que las aberturas de contacto de paso se generan por medio de un láser UV o un láser IR en una capa de sustrato de Si mc.
Solo a continuación se genera una capa emisora por medio de la difusión de fósforo a lo largo del lado superior, de las superficies laterales de la abertura de contacto de paso y del lado inferior de la célula solar. La abertura de contacto de paso se llena por medio de serigrafía con una pasta vía conductora, por ejemplo, una pasta de plata.
Con el láser puede conseguirse una superficie lateral muy lisa en la zona del orificio de paso, además no se producen muescas durante un proceso de ablación láser. Sin embargo, la generación de un orificio por una transición pn existente por medio de ablación láser conduciría a cortocircuitos.
Por LAFONTAINE M et al.: “High Aspect Ratio and Low Damage III-V/Ge Heterostructure Via Etching (Abstract & Presentation)”, PLASMA ETCH AND STRIP IN MICROELECTRONICS (PESM), 11th INTERNATIONAL WORKSHOP; 20 de mayo de 2019, páginas 1 a 18, OLIVIER RICHARD et al.: “Through cell vias contacts for multijunction solar cells”, AIP CONFERENCE PROCEEDINGS, vol. 1679, 2015, página 060003, documento CN 103 441 155 A, documento RU 2 354 009 C1 y por DE LAFONTAINE MATHIe U et al.: “ Influence of plasma process on III-V/ Ge multijunction solar cell via etching”, SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLSS, vol. 195, 4 de marzo de 2019, páginas 49-54 y por MATHIEU DE LAFONTAINE et al.: “ Impact of Via Hole Integration on Multijunction Solar Cells for Through Cell Via Contacts and Associated Passivation Treatment”, IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS; vol. 7, n.° 5, 18 de agosto de 2017, páginas 1456-1461 y por DE LAFONTAINE M et al.: “Anisotropie and Low Damage III-V/Ge Heterostructures via Etching for Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication”, PLASMA ETCH AND STRIP IN MICROELECTRONICS (PESM), 10th INTERNATIONAL WORKSHOP; LEUVEN, BÉLGICA; 19 de octubre de 2017, páginas 1 a 17 y por mAt HIe U DE LAFONTAINE et al.: “Via sidewall insulation for through cell via contacts”, AIP CONFERENCE p Ro CEEDINGS, vol. 1881, 2017, páginas 040002-1 se conocen procedimientos y dispositivos en el campo de la conexión de paso.
Por “III-V multi-junction metal-wrap-through (MWT) concentrator solar cells”, E. Oliva et al., Proceedings, 32nd European PV Solar Energy Conference and Exhibition, Múnich, 2016, págs. 1367-1371, se conoce una estructura de células solares de GaInP/AlGaAs aumentadas de manera invertida con orificios de contacto de paso, en la que la estructura de células solares aumenta de manera epitáctica con las transiciones pn y solo a continuación se generan los orificios de contacto de paso por medio de grabado por corrosión en seco. Una superficie lateral del orificio de paso se recubre a continuación con una capa aislante y el orificio de paso se llena a continuación con cobre galvanizado.
Por el documento US 9.680.035 B1 se conoce una pila de células solares de varias células parciales III-V sobre un sustrato de GaAs con lado frontal en contacto con el lado trasero, en la que se genera un orificio que llega desde el lado superior de la célula solar a través de las células parciales hacia el interior de una capa de sustrato aún no adelgazada por medio de un proceso de grabado por corrosión químico en húmedo.
El proceso de grabado por corrosión se basa en que las velocidades de grabado por corrosión no difieren significativamente al menos para los diferentes materiales III-V usados de la pila de células solares. El orificio solo se abre adelgazando la capa de sustrato hacia abajo. La pasivación y metalización de la parte delantera y del orificio se realiza antes del adelgazamiento de la capa de sustrato.
El grabado por corrosión químico en húmedo tiene la ventaja, en comparación con correspondientes procesos de grabado por corrosión en seco, de que las paredes laterales del orificio presentan una superficie más lisa y la capa de pasivación puede depositarse de manera conforme y sin defectos.
Ante este hecho, el objetivo de la invención consiste en indicar un dispositivo que perfeccione el estado de la técnica.
El objetivo se resuelve mediante un procedimiento con las características de la reivindicación 1. Configuraciones ventajosas de la invención son objeto de las reivindicaciones dependientes.
Según el objeto de la invención se facilita un procedimiento de grabado por corrosión de orificios de dos etapas, que comprende al menos las etapas de:
- facilitar una placa semiconductora con un lado superior y un lado inferior que comprende varias pilas de células solares en cada caso en el orden mencionado que presenta un sustrato de Ge que forma el lado inferior, una célula parcial de Ge y al menos dos células parciales III-V, así como
- realizar una primera sección de proceso y una segunda sección de proceso en el orden mencionado.
En la primera sección de proceso se aplica una primera capa de laca sobre el lado superior de la placa semiconductora, se genera al menos una primera abertura en la primera capa de laca y por medio de un primer proceso de grabado por corrosión se genera en la zona de la primera abertura un orificio que llega desde el lado superior de la placa semiconductora a través de las células parciales III-V al menos hasta más allá de una transición pn de la célula parcial de Ge hacia el interior de la placa semiconductora.
En la segunda sección de proceso se aplica una segunda capa de laca sobre el lado superior de la placa semiconductora, se genera una segunda abertura más grande en comparación con la primera abertura y que envuelve el orificio en la segunda capa de laca y por medio de un segundo proceso de grabado por corrosión se expande el orificio en la zona de la segunda abertura en una zona que llega desde el lado superior de la placa semiconductora hasta la célula parcial de Ge que sirve de capa de parada de grabado por corrosión.
Se entiende que entre las etapas de proceso se elimina la primera capa de laca.
Se entiende que las células parciales individuales de las pilas de células solares presentan en cada caso una transición pn y las capas que siguen sobre el sustrato se han generado epitácticamente una sobre otra y/o están unidas entre sí por medio de enlace de oblea.
También se entiende que una célula parcial de Ge presenta germanio o está constituida por germanio, en la que también una capa que está constituida por germanio contiene, dado el caso, adicionalmente al germanio, aún otras sustancias, en particular dopantes, pero también impurezas. Lo mismo se aplica también para las células parciales III-V, que presentan uno o más materiales del III así como del V grupo principal o están constituidas por tales materiales.
La división de la generación del orificio en dos secciones de proceso o bien dos procesos de grabado por corrosión distintos permite adaptar los procesos de grabado por corrosión en cada caso a los distintos materiales.
Así, en el primer proceso de grabado por corrosión se graban por corrosión todas las células parciales, es decir, tanto los materiales III-V de las células parciales III-V y, dado el caso, otras capas III-V, como también la célula parcial de Ge, mientras que en el segundo proceso de grabado por corrosión se graban por corrosión selectivamente solo los materiales III-V de las células parciales III-V y, dado el caso, otras capas III-V y la célula parcial de Ge sirve como capa de parada.
Otras capas III-V son, por ejemplo, capas de amortiguación o una capa de cubierta, también denominada cap-layer.
En particular, el orden impide las socavaciones en el orificio producido, lo que dificulta una adherencia de otras capas, como una capa de pasivación. El primer proceso de grabado por corrosión conduce normalmente a socavaciones en la zona de la célula parcial de Ge, es decir, por debajo de las células parciales III-V.
Las socavaciones desaparecen mediante la expansión del orificio en la zona de las células parciales III-V mediante la segunda sección de proceso. Además, el segundo proceso de grabado por corrosión conduce a superficies relativamente lisas libres de socavaciones en la zona de las células parciales III-V.
El orificio generado presenta un escalón circundante formado por el lado superior de la célula parcial de Ge, en la que se reduce un diámetro de orificio bruscamente hacia abajo.
Por medio del procedimiento se garantiza por tanto que en la zona de la abertura de paso no se formen socavaciones o muescas. Esto es necesario para que una pasivación se adhiera de manera eficaz por toda la longitud de la abertura de paso, en particular en la zona de los bordes o escalones, y no se formen defectos dentro de la capa de pasivación. Los defectos podrían conducir a cortocircuitos de las células parciales.
Una abertura de paso, es decir, una apertura del orificio mediante la célula parcial de Ge residual y el sustrato de Ge, es posible a continuación de manera sencilla y rápida, por ejemplo, por medio de ablación láser sin dañar las transiciones pn o bien sin que se produzcan cortocircuitos.
En un perfeccionamiento, el orificio grabado por corrosión en las dos secciones de proceso presenta, en una primera zona que llega desde el lado superior de la placa semiconductora hasta un lado superior de la célula parcial de Ge, una relación de aspecto de profundidad con respecto a la anchura promedio de como máximo 0,05 o de como máximo 0,01.
Por ejemplo, la profundidad del orificio asciende a entre 5 |im y 15 |im, mientras que la altura asciende a entre 300 |im y 500 |im.
La altura total del orificio se determina esencialmente por los espesores de capa de las células parciales. Mientras que las al menos dos células parciales III-V deben penetrarse completamente por el orificio, la profundidad de penetración en la célula parcial de Ge depende de la posición de la transición pn de la célula parcial de Ge. El orificio se graba por corrosión al menos hacia el interior de la célula parcial de Ge en tanto que se encuentre un fondo del orificio por debajo de la transición pn.
Se entiende que la profundidad del orificio se consigue esencialmente ya con la primera sección de proceso, es decir, el primer proceso de grabado por corrosión, mientras que la anchura más grande, es decir, la anchura en la zona superior del orificio solo se consigue con la segunda sección de proceso, es decir, el segundo proceso de grabado por corrosión.
En otra forma de realización, las células parciales III-V de la placa semiconductora facilitada presentan un espesor de capa común de 5 -15 |im o de 6 - 8 |im.
Según otra forma de realización, el orificio generado con la primera y segunda sección de proceso presenta en el lado superior de la placa semiconductora un diámetro de al menos 300 |im o al menos 400 |im o al menos 450 |im, en el que el diámetro no es superior a 1 mm. Se entiende que la anchura en el lado superior de la placa semiconductora se determina esencialmente por la segunda sección de proceso, es decir, la segunda abertura en la segunda capa de laca y el segundo proceso de grabado por corrosión.
En otro perfeccionamiento, el orificio generado en la primera y segunda sección de proceso en una primera zona que llega desde el lado superior de la placa semiconductora hasta un lado superior de la célula parcial de Ge presenta un diámetro que permanece igual o decreciente con profundidad creciente, en el que un ángulo de las superficies laterales de la primera zona con respecto a una línea recta vertical de una superficie de fondo del orificio asciende a como máximo 10° o a como máximo 2° o a como máximo 1° o a como máximo 0,1°.
Según otro perfeccionamiento, el orificio generado en la primera y segunda sección de proceso presenta, en una zona que llega desde un lado superior de la célula parcial de Ge hacia el interior de la célula parcial de Ge, un diámetro de al menos 150 |im o al menos 200 |im. Se entiende que la anchura en el lado superior de la célula parcial de Ge se determina esencialmente por la primera sección de proceso, es decir, la primera abertura en la primera capa de laca y el primer proceso de grabado por corrosión.
En otra forma de realización, la célula parcial de Ge junto con la capa de sustrato de Ge de la placa semiconductora facilitada presenta un espesor de capa de 80 - 300 |im o de 140 - 160 |im o de 80 - 120 |im.
En un perfeccionamiento se genera la placa semiconductora facilitada mediante crecimiento y/o enlaces de oblea de las células parciales sobre un sustrato de Ge con un espesor de capa de al menos 400 |im y a continuación adelgazamiento del sustrato de Ge hasta un espesor de como máximo 300 |im o como máximo 200 |im o como máximo 100 |im.
Según otra forma de realización, el orificio generado en la primera y segunda sección de proceso presenta una profundidad de 1 - 4 |im o de 1 - 3 |im o de 2 |im, desde un lado superior de la célula parcial de Ge hasta una superficie de fondo del orificio. En la primera sección de proceso, el orificio se graba por corrosión al menos hacia el interior de la célula parcial de Ge en tanto que más allá de esta discurra la posición de la transición pn de la célula parcial de Ge.
En otro perfeccionamiento, el primer proceso de grabado por corrosión y/o el segundo proceso de grabado por corrosión es un proceso de grabado por corrosión químico en húmedo. Alternativamente, el primer proceso de grabado por corrosión y/o el segundo proceso de grabado por corrosión son un proceso de grabado por corrosión en seco.
Según otra forma de realización, después de la segunda etapa de proceso se aplica una laca protectora sobre el lado superior de la placa semiconductora y sobre todas las superficies del orificio y por medio de ablación láser se genera una abertura de paso que llega desde una superficie de fondo del orificio hasta el lado inferior de la placa semiconductora.
Una abertura de paso permite conducir contactos del lado frontal en el lado trasero y reducir con ello el sombreado del lado frontal de las células solares. En particular, la laca protectora protege todas las transiciones pn de la pila de células solares frente a que se fundan mediante la acción del láser. Además, la laca protectora protege todas las superficies frente a la deposición de humo que se produce durante el proceso de ablación.
En otra forma de realización, un diámetro del orificio de paso generado por medio de ablación láser asciende a como máximo el 60% o a como máximo el 20% o a como máximo el 10% de un diámetro del orificio en el lado superior de la placa semiconductora.
En otra forma de realización, la primera abertura y/o la segunda abertura presentan un perímetro ovalado. Las aberturas de las capas de laca están realizadas, por ejemplo, circulares o también de forma elíptica.
Según otro perfeccionamiento se genera en la primera etapa de proceso por encima de cada pila de células solares de la placa semiconductora al menos una primera abertura en la primera capa de laca. En un perfeccionamiento se generan en cada pila de células solares exactamente dos aberturas.
La invención se explica en más detalle a continuación con referencia a los dibujos. En este sentido se etiquetan las partes similares con denominaciones idénticas. Las formas de realización representadas están muy esquematizadas, es decir, las distancias y la extensión lateral y la extensión vertical no están a escala y, a menos que se indique lo contrario, no presentan tampoco relaciones geométricas deducibles entre sí. En estos muestran:
la figura 1, un desarrollo según una primera forma de realización según la invención de un procedimiento de grabado por corrosión de orificios de dos etapas,
la figura 2, una vista superior sobre una placa semiconductora con un orificio generado por medio del procedimiento según la invención,
la figura 3, una vista superior sobre una placa semiconductora con múltiples pilas de células solares,
la figura 4, un desarrollo esquemático de otras etapas de procedimiento.
La ilustración de la figura 1 muestra un desarrollo esquemático de un procedimiento de grabado por corrosión de orificios de dos etapas según una primera forma de realización según la invención.
Habrá una placa semiconductora 10 con un lado superior 10.1, un lado inferior 10.2 y varias pilas de células solares que están constituidas en cada caso por una secuencia de capas de un sustrato de Ge 14 que forma el lado inferior 10.1, una célula parcial de Ge 16, una primera célula parcial III-V 18 y una segunda célula parcial III-V 20 que forma el lado superior 10.1. Está representada únicamente una vista en corte de una sección de una placa semiconductora 10, en la que debe generarse un orificio.
La célula parcial de Ge 16 junto con el sustrato de Ge 14 presenta un primer espesor de capa común D1 y las dos células parciales III-V 18, 20 presentan un segundo espesor de capa común D2.
En una primera sección de proceso se aplica una primera capa de laca 22 sobre el lado superior 10.1 de la placa semiconductora 10 y en la capa de laca 22 se genera una primera abertura 24 con un diámetro O1. A continuación, por medio de un primer proceso de grabado por corrosión se separa el material de la placa semiconductora 10 no selectivamente en la zona de la abertura 24.
El primer proceso de grabado por corrosión se detiene cuando el orificio 26 producido llega a través de una transición pn 16.1 de la célula parcial de Ge 16 hacia el interior de la placa semiconductora 10, de modo que una superficie de fondo 26.1 del orificio 26 se encuentra por debajo de la transición pn 16.1.
A continuación, se separa la primera capa de laca 22 y se aplica una segunda capa de laca 28 en una segunda sección de proceso sobre el lado superior 10.1 de la placa semiconductora 10. En la segunda capa de laca 28 se genera una segunda abertura 30, en la que la segunda abertura 30 presenta un segundo diámetro O2 mayor que el primer diámetro y envuelve el orificio 26.
Por medio de un segundo proceso de grabado por corrosión se elimina entonces el material de las dos células parciales III-V en la zona de la segunda abertura 30 hasta la célula parcial de Ge 16 que sirve como capa de parada de grabado por corrosión, de manera que el orificio 26 se vuelve más ancho en una zona por encima de la célula parcial de Ge 16.
A continuación, la segunda capa de laca 28 también se elimina de nuevo.
El orificio 26 generado presenta un diámetro B2 en el lado superior 10.1 de la placa semiconductora 10. Un diámetro B1 del orificio 26 en la zona de las dos células parciales III-V 16 y 18 es o bien constante o disminuye hacia la célula parcial de Ge, de modo que una superficie lateral del orificio 26 en la zona de las células parciales III-V 16 y 18 discurren en un ángulo a con respecto a una línea recta vertical L.
Un lado superior 16.2 de la célula parcial de Ge 16 forma un escalón que sobresale hacia el interior del orificio 26, de manera que se reduce el diámetro del orificio en el lado superior de la célula parcial de Ge 16.2 hasta un diámetro D3. En la zona de la célula parcial de Ge, el diámetro disminuye de modo que una superficie lateral del orificio en la zona de la célula parcial de Ge incluye un ángulo p con una línea recta vertical L.
En la ilustración de la figura 2 está representada una vista superior sobre una primera sección de una placa semiconductora 10 con un orificio generado según el procedimiento de grabado por corrosión de dos etapas. En el ejemplo de realización representado está formado el orificio de manera circular, en el que tanto el fondo del orificio 26.1 como también el borde del orificio 26 que limita con el lado superior 10.1 de la placa semiconductora 10 presentan un perímetro o bien desarrollo circular.
El fondo del orificio 26.1 está envuelto en la vista superior por el escalón S1 formado por el lado superior 16.2 de la célula parcial de Ge 16.
En la ilustración de la figura 3 está representada una vista superior sobre una placa semiconductora 10 con varias pilas de células solares. Según una forma de realización según la invención se genera en la zona de cada pila de células solares al menos un orificio por medio del procedimiento de grabado por corrosión de dos etapas, para lo cual en la primera sección de proceso antes del primer proceso de grabado por corrosión se genera por encima de cada pila de células solares al menos una abertura y en la segunda sección de proceso se generan correspondientes segundas aberturas.
En la ilustración de la figura 4 están representadas otras etapas de procedimiento esquemáticamente. Tras la generación del al menos un orificio 26 en la placa semiconductora 10, es decir, tras la segunda sección de proceso, se reviste el lado superior 10.1 de la placa semiconductora 10 con una laca protectora 34.
A este respecto se rellena el orificio 26 al menos parcialmente con la laca protectora 34 o bien la laca protectora 34 cubre al menos también las superficies del orificio 26. A continuación, se genera en la zona del fondo 26.1 del orificio 26 por medio de ablación láser una abertura de paso 32 con un diámetro B4 mediante la laca protectora 34 y una parte restante de la célula parcial de Ge 16 y el sustrato de Ge 14.
Lista de números de referencia
10 Placa semiconductora
10.1 Lado superior
10.2 Lado inferior
12 Pila de células solares
14 Sustrato de Ge
16 Célula parcial de Ge
16.1 Transición pn
16.2 Lado superior
18 Célula parcial III-V
20 Célula parcial III-V
22 Primera capa de laca
24 Primera abertura
26 Orificio
26.1 Superficie de fondo
28 Segunda capa de laca
30 Segunda abertura
32 Abertura de paso
34 Laca protectora

Claims (14)

  1. REIVINDICACIONES
    i. Procedimiento de grabado por corrosión de orificios de dos etapas que comprende al menos las etapas de:
    - facilitar una placa semiconductora (10) con un lado superior (10.1) y un lado inferior (10.2) que comprende varias pilas de células solares (12) en cada caso en el orden mencionado que presenta un sustrato de Ge (14) que forma el lado inferior, una célula parcial de Ge (16) y al menos dos células parciales III-V (18, 20),
    - realizar una primera sección de proceso y una segunda sección de proceso en el orden mencionado, en el que
    - en la primera sección de proceso se aplica una primera capa de laca (22) sobre el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10), se genera al menos una primera abertura (24) en la primera capa de laca (22) y por medio de un primer proceso de grabado por corrosión en la zona de la primera abertura (24) se genera un orificio (26) que llega desde el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10) a través de las células parciales III-V al menos hasta más allá de una transición pn (16.1) de la célula parcial de Ge hacia el interior de la placa semiconductora,
    - en la segunda sección de proceso se aplica una segunda capa de laca (28) sobre el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10), se genera una segunda abertura (30) más grande en comparación con la primera abertura (24) y que envuelve el orificio (26) en la segunda capa de laca (28) y por medio de un segundo proceso de grabado por corrosión se expande el orificio (26) en la zona de la segunda abertura (30) en una zona que llega desde el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10) hasta la célula parcial de Ge (16) que sirve como capa de parada del grabado por corrosión.
  2. 2. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado por que el orificio (26) generado en la primera y segunda sección del proceso presenta, en una primera zona que llega desde el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10) hasta un lado superior (16.2) de la celda parcial de Ge (16), una relación de aspecto de profundidad (T1) con respecto a la anchura promedio (B1) de como máximo 0,05 o de como máximo 0,01.
  3. 3. Procedimiento según la reivindicación 1 o 2, caracterizado por que las células parciales III-V (18, 20) de la placa semiconductora facilitada presentan un espesor de capa común (D1) de 5 -15 |im o de 6 - 8 |im.
  4. 4. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el orificio (26) generado en la primera y segunda sección de proceso presenta en el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10) un diámetro (B2) de al menos 300 |im o al menos 400 |im o al menos 450 |im, en el que el diámetro (B2) no es superior a 1 mm.
  5. 5. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el orificio (26) generado en la primera y segunda sección de proceso presenta, en una primera zona que llega desde el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10) hasta un lado superior (16.2) de la célula parcial de Ge (16), un diámetro (B3) que permanece igual o decreciente con profundidad creciente, en el que un ángulo (a) de las superficies laterales de la primera zona con respecto a una línea recta vertical (L) de una superficie de fondo (26.1) del orificio (26) asciende a como máximo 10° o a como máximo 2° o a como máximo 1° o a como máximo 0,1°.
  6. 6. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el orificio (26) generado en la primera y segunda sección de proceso presenta, en una zona que llega desde el lado superior (16.2) de la célula parcial de Ge (16) hacia el interior de la célula parcial de Ge (16), un diámetro (B3) de al menos 150 |im o al menos 200 |im.
  7. 7. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que la célula parcial de Ge (16) junto con la capa de sustrato de Ge (14) de la placa semiconductora (10) facilitada presenta un espesor de capa (D2) de 80 - 300 |im o de 140 - 160 |im o de 80 - 120 |im.
  8. 8. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, que el orificio (26) generado en la primera y segunda sección de proceso presenta desde un lado superior (16.2) de la célula parcial de Ge (16) hasta una superficie de fondo (26) del orificio (26) una profundidad de 1 - 4 |im o de 1 - 3 |im o de 2 |im.
  9. 9. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el primer proceso de grabado por corrosión y/o el segundo proceso de grabado por corrosión es un proceso de grabado por corrosión químico en húmedo.
  10. 10. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el primer proceso de grabado por corrosión y/o el segundo proceso de grabado por corrosión es un proceso de grabado por corrosión en seco.
  11. 11. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que tras la segunda etapa de proceso se aplica una laca protectora sobre el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10) y sobre todas las superficies del orificio (26) y por medio de ablación láser se genera una abertura de paso (32) que llega desde una superficie de fondo (16.2) del orificio (26) hasta el lado inferior (10.2) de la placa semiconductora (10).
  12. 12. Procedimiento según la reivindicación 11, caracterizado porque un diámetro (B4) de la abertura de paso (32) generada por medio de ablación láser asciende a como máximo el 60% o a como máximo el 20% o a como máximo el 10% de un diámetro (B2) del orificio (26) en el lado superior (10.1) de la placa semiconductora (10).
  13. 13. Procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que la primera abertura (24) y/o la segunda abertura (30) presentan un perímetro ovalado.
  14. 14. Procedimiento según una de las reivindicaciones, caracterizado por que en la primera etapa de proceso se genera por encima de cada pila de células solares (12) de la placa semiconductora (10) al menos una primera abertura (24) en la primera capa de laca (22).
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