ES2811623T3 - Fotoelectrodos de doble cara y método para hacer un fotoelectrodo de doble cara - Google Patents

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Abstract

Un fotoelectrodo, que comprende: una primera capa de nanocables de nitruro III; un sustrato transparente, en contacto con la primera capa de nanocables en una primera superficie de sustrato, en donde el sustrato transparente es uno o más de óxido de indio y estaño, óxido de estaño dopado con flúor y óxido de zinc dopado con aluminio; y una segunda capa de nanocables de nitruro III, en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato.

Description

DESCRIPCIÓN
Fotoelectrodos de doble cara y método para hacer un fotoelectrodo de doble cara
Antecedentes
La fabricación de dispositivos semiconductores sobre sustratos de vidrio transparentes y baratos permitiría nuevas aplicaciones de optoelectrónica y recolección de energía. Una de las opciones posibles incluye recubrir un sustrato de vidrio con una capa de óxido transparente conductor (TCO) y material semiconductor en cultivo sobre el TCO. Esto se ha demostrado para diversos materiales semiconductores como ZnO, TiO2 y WO3. Sin embargo, los materiales carecen de sintonización de longitud de onda, lo que limita su potencial para aplicaciones optoelectrónicas y de recolección de energía.
La solicitud de patente de los Estados Unidos número US 2012/0313073 A1 describe un sistema que comprende un fotoánodo y un fotocátodo, unidos por una película de polímero compuesto flexible conductor de iones.
El material de nitruro III proporciona una alternativa viable debido a la capacidad de sintonizar la longitud de onda de emisión ajustando la composición de aleación ternaria. Sin embargo, para acomodar la incompatibilidad de la red entre la película delgada de nitruro III y la capa de TCO, la cristalinidad del material de nitruro III típicamente se reduce. Varios grupos han tratado de mejorar la cristalinidad a través de varios métodos. Samsung, por ejemplo, demostró la capacidad de cultivar GaN casi monocristalino sobre el vidrio utilizando una capa de preorientación de Ti y una máscara de crecimiento de área selectiva. Sin embargo, este método da como resultado un dispositivo no transparente con complejidad de procesamiento adicional. Otro grupo de la Universidad de Tokio demostró que es posible mejorar la cristalinidad del material de InGaN pulverizado sobre el vidrio amorfo usando grafeno como capa intermedia.
Los materiales de nanocables de nitruro III cultivados espontáneamente, como alternativa, pueden cultivarse en varias superficies incompatibles de red manteniendo una excelente calidad de cristal. Estos materiales de nanocables suelen cultivarse sin catalizador utilizando epitaxia de haz molecular asistido por plasma (PA-MBE) sin la necesidad de una relación epitaxial global con el sustrato. Además de la buena calidad de los cristales, los materiales de nitruro III basados en nanocables también pueden cubrir todo el espectro visible debido a la reducción del campo de polarización interna, lo que los hace atractivos para diversas aplicaciones. Al integrar directamente los emisores de luz de color ajustable en sustratos transparentes y aprovechar las tecnologías fotónicas de sílice existentes, es posible desarrollar diversas aplicaciones, como una unidad de retroiluminación, dispositivos optofluídicos integrados, fuente de luz integrada y detector dentro de un solo chip de sílice y fotoelectrodos de doble cara para la generación solar de hidrógeno. Varios grupos han demostrado la viabilidad de cultivar material de nitruro en óxidos utilizando diversos métodos, como el cultivo directo en sílice fundida y cuarzo y la deposición iterativa de SiO2 y el cultivo de nanocables en sustrato de silicio. Sin embargo, un dispositivo basado en nanocables que funciona directamente sobre sustrato de vidrio transparente no se ha reseñado en estudios anteriores.
Compendio
La presente invención se refiere a fotoelectrodos como se definen en las reivindicaciones anejas 1 y 7 y a un método para fabricar un fotoelectrodo como se define en la reivindicación aneja 15. Las realizaciones describen un fotoelectrodo que incluye una primera capa de nanocables de nitruro III, un sustrato transparente en contacto con la primera capa de nanocables en una primera superficie de sustrato y una segunda capa de nanocables de nitruro III en contacto con el sustrato en una segunda superficie de sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie de sustrato.
Las realizaciones también incluyen un fotoelectrodo que incluye una primera capa conductora delgada, un sustrato transparente en contacto con la primera capa conductora delgada en una primera superficie del sustrato, una primera capa de nanocables de nitruro III en contacto con la primera capa conductora delgada, una segunda capa conductora delgada en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato, y una segunda capa de nanocables de nitruro III en contacto con la segunda capa conductora delgada.
Las realizaciones incluyen además un método para hacer un fotoelectrodo para la división solar del agua, que incluye nanocables de nitruro III en una primera superficie de un sustrato conductor transparente y nanocables de nitruro III en una segunda superficie del sustrato, la segunda superficie esencialmente opuesta a la primera superficie.
Las realizaciones describen el método para hacer un fotoelectrodo para la división solar del agua. El método incluye depositar una primera capa conductora delgada sobre una primera superficie de un sustrato transparente, cultivar nanocables de nitruro III en la primera superficie, depositar una segunda capa conductora delgada sobre una segunda superficie de un sustrato transparente y cultivar nanocables de nitruro III sobre la segunda superficie, la segunda superficie sustancialmente opuesta a la primera superficie.
Los detalles de uno o más ejemplos se exponen en la descripción a continuación. Otras características, objetos y ventajas serán evidentes a partir de la descripción y de las reivindicaciones.
Breve descripción de los dibujos
Esta descripción escrita describe realizaciones ilustrativas que no son limitantes ni exhaustivas. En los dibujos, que no están necesariamente dibujados a escala, los números similares describen componentes esencialmente similares en todas las vistas. Los números similares que tienen sufijos de letras diferentes representan casos diferentes de componentes esencialmente similares. Los dibujos ilustran generalmente, a modo de ejemplo, pero no a modo de limitación, diversas realizaciones comentadas en el presente documento.
Se hace referencia a realizaciones ilustrativas que se representan en las figuras, en las que:
Las figuras 1A-B ilustran una A) ilustración esquemática de los nanocables basados en InGaN en sustrato conductor transparente o sustrato de plantilla y B) una fotografía de micrografía electrónica de barrido de los nanocables (HV 5,00 kV; curr 13,3 pA; WD 10,2 mm; mag 100010 x; HFW 2,98 pm; inclinación 0°, Quanta 3D FEG), según algunas realizaciones.
Las figuras 2A-C ilustran los espectros de emisión de luz (línea continua) recolectados usando un espectrómetro confocal micro-Raman (Horiba/Jobin Yvon Aramis), con los subcomponentes constitutivos instalados (véase leyenda: curvas P1, P2 y P3), según algunas realizaciones.
La figura 3 es un diagrama de flujo de bloques de un método para hacer un fotoelectrodo para la división solar del agua, según algunas realizaciones.
La figura 4 es un diagrama de flujo de bloques de un método para fabricar un fotoelectrodo para la división solar del agua, según algunas realizaciones.
La figura 5 es un diagrama de flujo de bloques de un método para fabricar un fotoelectrodo para la división solar del agua, según algunas realizaciones.
Descripción detallada
Mediante la integración perfecta de nanocables de nitruro III (como los basados en InGaN) en ambos lados de los sustratos conductores transparentes o sustrato de plantilla, que tienen la misma naturaleza morfológica, pero mejores propiedades conductoras que los sustratos no conductores y/o no transparentes existentes, se puede allanar el camino para la realización de aplicaciones de división del agua en general con doble electrodo (p. ej., división solar del agua). Los sustratos de óxido de indio y estaño (ITO), por ejemplo, tienen las mismas características transparentes que el cuarzo, pero tienen una conductividad muy alta que puede permitir la formación de nanocables de doble cara
Como un ejemplo, las realizaciones en la presente memoria describen la fabricación de fotoelectrodos de doble cara utilizando nanocables n-InGaN como fotoánodo y nanocables p-GaN como fotocátodo que están separados por ITO altamente conductivo. La realización de este dispositivo puede allanar el camino para la producción rentable de combustible de hidrógeno. En la presente memoria se describe un ejemplo de nanocables en cultivo sobre película conductora delgada semitransparente sobre sustrato transparente en un lado de un sustrato transparente.
Las realizaciones de la presente descripción describen un fotoelectrodo (p. ej., para la división solar del agua) que comprende una primera capa de nanocables de nitruro III, un sustrato transparente en contacto con la primera capa de nanocables en una primera superficie de sustrato y una segunda capa de nanocables de nitruro III en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato. La primera y la segunda capa de nanocables de nitruro III pueden basarse en uno o más discos cuánticos o estructura núcleo-carcasa. Por ejemplo, la región activa de la primera y/o segunda capa de nanocables de nitruro III puede basarse en una estructura cuántica o núcleo-carcasa. En muchas realizaciones, la primera capa de nanocables de nitruro III y la segunda capa de nanocables de nitruro III son diferentes.
El sustrato transparente puede ser conductor. El sustrato transparente puede estar hecho de sustrato conductor transparente a granel y/o un sustrato plantilla que consiste en sustrato aislante con metal ultrafino (p. ej., una capa conductora delgada) depositado en ambas superficies con múltiples canales conductores a través del sustrato aislante. El sustrato puede fabricarse de, pero no limitado a, óxido de indio y estaño (ITO), óxido de estaño dopado con flúor (FTO) y óxido de zinc dopado con aluminio (AZO).
Los nanocables de nitruro del grupo III pueden incluir Ga, In o Al, o sus precursores. Las composiciones de nitruro III pueden incluir combinaciones de elementos del grupo III, tales como GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN o AlInGaN. En algunas realizaciones, los nanocables o capas de nanocables pueden incluir un dopante, tal como un tipo p o tipo n. Los ejemplos de dopantes de tipo p pueden incluir un dopante del Grupo II de la tabla periódica, como Mg, Zn, Cd y Hg; o del Grupo IV. Los ejemplos de dopantes de tipo n pueden incluir Si, Ge, Sn, S, Se y Te. Además del nitruro III, se pueden usar semiconductores de otros compuestos, como números binarios, ternarios, cuaternarios o más altos de compuestos de elementos mixtos, siempre que tengan una banda prohibida en el visible o infrarrojo para maximizar la absorción del espectro solar.
La primera capa de nitruro III y/o la segunda capa de nitruro III pueden ser uno o más de nanocables de tipo n y nanocables de tipo p. Además, la primera capa de nitruro III y/o la segunda capa de nitruro III pueden proporcionarse como uno o más de los fotocátodos y el fotoánodo. Por ejemplo, la primera capa de nitruro III puede incluir nanocables n-InGaN como el fotoánodo y la segunda capa de nitruro III incluye nanocables p-GaN como el fotocátodo. Como alternativa, la primera capa de nitruro III incluye nanocables p-GaN como el fotocátodo y la segunda capa de nitruro III incluye nanocables n-InGaN como el fotoánodo. Los nanocables pueden cultivarse espontáneamente y son, por ejemplo, esencialmente verticales. Un nanocable generalmente se refiere a cualquier material conductor o semiconductor alargado que incluye al menos una dimensión menor, por ejemplo, una de las dimensiones de la sección transversal, como el ancho o el diámetro, de menos de o igual a aproximadamente 1000 nm. En diversas realizaciones, la dimensión menor puede ser inferior a aproximadamente 100 nm o inferior a aproximadamente 10 nm. Los nanocables pueden tener una relación de aspecto de aproximadamente 100 o mayor o aproximadamente 200 o mayor. En otras realizaciones, la relación de aspecto puede ser, por ejemplo, 2000 o mayor. Los nanocables también pueden incluir, por ejemplo, nanoejes, nanopilares, nanoagujas, nanobarras y nanotubos. Las formas de sección transversal de los nanocables pueden ser, por ejemplo, rectangulares, poligonales, cuadradas, ovales o circulares.
En una realización, se pueden aplicar capas conductoras delgadas de material para mejorar la conductividad del sustrato y el dispositivo general. Por ejemplo, una primera capa conductora delgada puede estar en contacto con el sustrato transparente en una primera superficie de sustrato. Una primera capa de nanocables de nitruro III puede cultivarse o estar en contacto con la primera capa conductora delgada. Una segunda capa conductora delgada puede estar en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato; y una segunda capa de nanocables de nitruro III puede cultivarse o estar en contacto con la segunda capa conductora delgada. Las capas conductoras delgadas primera y segunda incluyen, por ejemplo, uno o más de titanio ultradelgado, nanocables de plata, grafeno y óxido de indio y estaño, óxido de estaño dopado con flúor u óxido de zinc dopado con aluminio. Las capas conductoras delgadas primera y segunda pueden ser, por ejemplo, transparentes o parcialmente transparentes. Las capas conductoras delgadas se pueden usar donde el sustrato es no conductor, conductor, o parcialmente o totalmente aislante. El sustrato puede incluir uno o más canales conductores que están en comunicación eléctrica con una o más de las capas de nanocables, las capas conductoras delgadas y el sustrato.
Por consiguiente, las realizaciones de la presente descripción describen además un fotoelectrodo (p. ej., para la división solar del agua) que comprende una primera capa conductora delgada; un sustrato transparente, en contacto con la primera capa conductora delgada en una primera superficie del sustrato; una primera capa de nanocables de nitruro III en contacto con la primera capa conductora delgada; una segunda capa conductora delgada, en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato; y una segunda capa de nanocables de nitruro III en contacto con la segunda capa conductora delgada.
Las figuras 1A-B muestran que la matriz de nanocables de alta densidad crece casi perpendicular al sustrato a lo largo de la dirección c de GaN, típica de nanocables de GaN cultivados usando epitaxia de haz molecular asistido por plasma (PA-MBE). La matriz de nanocables tiene un diámetro promedio de ~ 100 nm y una longitud promedio de ~300 nm. La densidad de la matriz de nanocables es de aproximadamente 8,8 x 109 cm-2 con un factor de relleno de aproximadamente el 78%. El nanocable muestra una morfología cónica con una base estrecha y una parte superior ancha, atribuida al gradiente de temperatura a lo largo del nanocable. Por tanto, a medida que avanza el crecimiento, el crecimiento lateral se ve favorecido sobre el crecimiento axial.
Las figuras 2A-C de espectros de emisión de luz (línea continua) se recogieron usando un espectrómetro confocal de micro-Raman (Horiba/Jobin Yvon Aramis), con los subcomponentes constituyentes instalados (véase leyenda: curvas P1, P2 y P3). Se usó un láser de estado sólido de 473 nm de longitud de onda como fuente de excitación. El rayo láser se enfocó utilizando un objetivo de 50x con apertura numérica NA = 0,5, y el tamaño del punto era de aproximadamente 1,5 gm. La muestra se colocó dentro de una celda de criostato (Linkam, THMS 600), y la temperatura se cambió de -195 a 300° C con una estabilidad de ± 0,1° C. Los espectros de PL a temperatura ambiente muestran un pico amplio centrado alrededor de 570 nm. La amplia longitud de onda de emisión es una característica común entre los materiales de nitruro III debido a la falta de homogeneidad estructural y compositiva. El PL dependiente de la temperatura muestra que en la sala los espectros de PL rojos cambiaron y se ampliaron con el aumento de la temperatura debido a la contracción de la banda prohibida relacionado con la temperatura y la redistribución de portadores entre los centros de recombinación. El experimento de fotoluminiscencia dependiente de la potencia muestra que el pico cambió a azul con el aumento de la fluencia de la bomba, principalmente debido al efecto de detección de Coulomb del efecto rígido confinado cuántico y el efecto de relleno de banda.
La figura 3 ilustra un diagrama de flujo de bloques de un método 300 para hacer un fotoelectrodo para la división solar del agua, según una o más realizaciones de la presente descripción. Como se muestra en la figura 3, el método 300 puede incluir cultivar 301 unos primeros nanocables de nitruro III en una primera superficie de un sustrato conductor transparente y cultivar 302 unos segundos nanocables de nitruro III en una segunda superficie del sustrato, la segunda superficie esencialmente opuesta a la primera superficie. Los nanocables de nitruro III en la primera superficie y los nanocables de nitruro III en la segunda superficie pueden ser diferentes.
El cultivo se puede lograr con PAMBE (epitaxia de haz molecular asistida por plasma), MOCVD (deposición química de vapor de metal orgánico), OMVPE (epitaxia de fase de vapor de metal orgánico), GSMBE (epitaxia de haz molecular de fuente de gas), MOMBE (epitaxia de haz molecular de metal orgánico), ALE (epitaxia de capa atómica), HVPE (epitaxia de fase de vapor de hidruro), LPE (epitaxia de fase líquida), etc. Estos ejemplos no serán limitantes ya que otras técnicas conocidas en la técnica pueden usarse para el cultivo.
En algunas realizaciones, el método 300 puede comprender además depositar 303 (no mostrado) una primera capa conductora delgada entre los nanocables de nitruro III en la primera superficie y la primera superficie del sustrato transparente y/o una segunda capa conductora delgada entre los nanocables de nitruro III en la segunda superficie y la segunda superficie del sustrato transparente. En general, si el sustrato es conductor, las capas conductoras delgadas pueden ser opcionales. Las capas conductoras delgadas primera y/o segunda pueden ser una o más de semitransparentes, transparentes o no transparentes. En muchas realizaciones, las capas conductoras delgadas primera y/o segunda son semitransparentes.
Por ejemplo, la figura 4 ilustra un diagrama de flujo de bloques de un método 400 para hacer un fotoelectrodo para la división solar del agua, según una o más realizaciones de la presente descripción. Como se muestra en la figura 4, el método 400 puede incluir cultivar 401 nanocables de nitruro III en una primera superficie de un sustrato, cultivar 402 nanocables de nitruro III en una segunda superficie del sustrato, la segunda superficie esencialmente opuesta a la primera superficie, y depositar 403 una primera capa conductora delgada entre los nanocables de nitruro III en la primera superficie y la primera superficie del sustrato y/o una segunda capa conductora delgada entre los nanocables de nitruro III en la segunda superficie y la segunda superficie del sustrato. Los sustratos pueden ser uno o más de transparentes y/o conductores. En muchas realizaciones, el sustrato es solo transparente. En otras realizaciones, el sustrato es transparente y conductor.
El orden de las etapas no será limitativo, ya que las etapas 401 a 403 pueden realizarse en cualquier orden. Por ejemplo, una o más de la primera capa conductora delgada y la segunda capa conductora delgada pueden depositarse antes (o después) del cultivo de uno o más de los nanocables de nitruro III en la primera superficie y los nanocables de nitruro III en la segunda superficie. En otro ejemplo, el método puede comprender depositar una primera capa conductora delgada sobre una primera superficie de un sustrato transparente, cultivar nanocables de nitruro III en la primera superficie, depositar una segunda capa conductora delgada sobre una segunda superficie de un sustrato transparente y cultivar nanocables de nitruro III en la segunda superficie, la segunda superficie esencialmente opuesta a la primera superficie.
La figura 5 ilustra un diagrama de flujo de bloques de un método 500 para hacer un fotoelectrodo para la división solar del agua, según algunas realizaciones. Un sustrato transparente se limpia 502 opcionalmente. La limpieza puede incluir, por ejemplo, limpieza química con disolventes. Una primera capa conductora delgada se deposita 504 sobre una primera superficie del sustrato transparente. Los nanocables de nitruro III se cultivan 506 en una o más de la primera superficie del sustrato transparente y la primera capa conductora delgada depositada. Una segunda capa conductora delgada se deposita 508 sobre una segunda superficie de un sustrato transparente. Los nanocables de nitruro III se cultivan 510 en una o más de la segunda superficie y la segunda capa conductora delgada depositada, en donde la segunda superficie es esencialmente opuesta a la primera superficie. El fotoelectrodo se ensambla 512 además a la división 514 solar del agua.
En algunas realizaciones, el método para hacer un fotoelectrodo para la división solar del agua comprende depositar una primera capa conductora delgada sobre una primera superficie de un sustrato transparente; cultivar nanocables de nitruro III en la primera superficie; depositar una segunda capa conductora delgada sobre una segunda superficie de un sustrato transparente; y cultivar nanocables de nitruro III en la segunda superficie, la segunda superficie esencialmente opuesta a la primera superficie. En otras realizaciones, el método para fabricar el fotoelectrodo para la división solar del agua comprende el cultivo de nanocables de nitruro III en una primera superficie de un sustrato conductor transparente; y cultivar nanocables de nitruro III en una segunda superficie del sustrato, la segunda superficie esencialmente opuesta a la primera superficie.

Claims (15)

REIVINDICACIONES
1. Un fotoelectrodo, que comprende:
una primera capa de nanocables de nitruro III;
un sustrato transparente, en contacto con la primera capa de nanocables en una primera superficie de sustrato, en donde el sustrato transparente es uno o más de óxido de indio y estaño, óxido de estaño dopado con flúor y óxido de zinc dopado con aluminio; y
una segunda capa de nanocables de nitruro III, en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato.
2. El fotoelectrodo según la reivindicación 1, en donde la primera y la segunda capa de nanocables de nitruro III se basan en uno o más discos cuánticos o estructura núcleo-carcasa.
3. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 1-2, en donde la primera y segunda capa de nanocables de nitruro III incluyen uno o más de GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN y AlInGaN.
4. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 1-3, en donde la primera capa de nanocables de nitruro III y/o la segunda capa de nanocables de nitruro III incluyen además un dopante.
5. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 1-4, en donde la primera capa de nitruro III comprende nanocables n-InGaN como fotoánodo y la segunda capa de nitruro III comprende nanocables p-GaN como fotocátodo.
6. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 1-4, en donde la primera capa de nitruro III comprende nanocables p-GaN como fotocátodo y la segunda capa de nitruro III comprende nanocables n-InGaN como fotoánodo.
7. Un fotoelectrodo, que comprende:
una primera capa conductora delgada;
un sustrato transparente, en contacto con la primera capa conductora delgada en una primera superficie del sustrato; una primera capa de nanocables de nitruro III en contacto con la primera capa conductora delgada;
una segunda capa conductora delgada, en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato; y
una segunda capa de nanocables de nitruro III en contacto con la segunda capa conductora delgada.
8. El fotoelectrodo según la reivindicación 7, en donde el sustrato comprende un material aislante.
9. El fotoelectrodo de la reivindicación 8, que comprende además canales conductores en el sustrato.
10. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 7-9, en donde las capas conductoras delgadas primera y segunda comprenden uno o más de nanocables de plata, grafeno, óxido de indio y estaño, óxido de estaño dopado con flúor, óxido de zinc dopado con aluminio (AZO), o metales ultrafinos o materiales bidimensionales (2D) que permiten que la luz pase a través lo suficiente, proporcionando de este modo la propiedad de transparencia o semitransparencia.
11. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 7-10, en donde la primera y segunda capa de nanocables de nitruro III se basan en uno o más de disco cuántico o estructura núcleo-carcasa.
12. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 7-11, en donde la primera y la segunda capa conductora delgada son transparentes.
13. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 7-12, en donde la primera capa de nitruro III comprende nanocables n-InGaN como fotoánodo y la segunda capa de nitruro III comprende nanocables p-GaN como fotocátodo.
14. El fotoelectrodo según una cualquiera de las reivindicaciones 7-12, en donde la primera capa de nitruro III comprende nanocables p-GaN como fotocátodo y la segunda capa de nitruro III comprende nanocables n-InGaN como fotoánodo.
15. Un método para hacer un fotoelectrodo para la división solar del agua, que comprende:
cultivar nanocables de nitruro III en una primera superficie de un sustrato conductor transparente; y
cultivar nanocables de nitruro III en una segunda superficie del sustrato, la segunda superficie esencialmente opuesta a la primera superficie; y
depositar una primera capa conductora delgada entre los nanocables de nitruro III en la primera superficie y la primera superficie del sustrato transparente y/o una segunda capa conductora delgada entre los nanocables de nitruro III en la segunda superficie y la segunda superficie del sustrato transparente.
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