EP1499926A1 - Method for producing microhole structures - Google Patents

Method for producing microhole structures

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Publication number
EP1499926A1
EP1499926A1 EP03725097A EP03725097A EP1499926A1 EP 1499926 A1 EP1499926 A1 EP 1499926A1 EP 03725097 A EP03725097 A EP 03725097A EP 03725097 A EP03725097 A EP 03725097A EP 1499926 A1 EP1499926 A1 EP 1499926A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
substrate
micro
hole
coating
relief structure
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP03725097A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Andreas Gombert
Volkmar Boerner
Josef Robert
Ilka Gehrke
Benedikt BLÄSI
Michael Niggemann
Christian Schlemme
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Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Publication of EP1499926A1 publication Critical patent/EP1499926A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0015—Production of aperture devices, microporous systems or stamps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0002—Organic membrane manufacture
    • B01D67/0023—Organic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
    • B01D67/003—Organic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by selective elimination of components, e.g. by leaching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D69/10—Supported membranes; Membrane supports
    • B01D69/107—Organic support material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/02—Inorganic material
    • B01D71/022—Metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2323/00—Details relating to membrane preparation
    • B01D2323/24—Use of template or surface directing agents [SDA]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2325/00—Details relating to properties of membranes
    • B01D2325/43—Specific optical properties
    • B01D2325/44—Specific light transmission

Definitions

  • the invention relates to a method for producing microhole structures.
  • Micro-hole structures for fine filtration of liquids for example, and for radiation filtering or shielding have long been known. These are usually regular hole structures with flat webs between the holes.
  • the webs are mostly metallic for radiation filtering or shielding and have a high conductivity.
  • Metallic and non-metallic materials are suitable for fine filtration. Since micro-hole structures with very thin webs have a mechanical stability that is too low for filtration, they are supported by a second grid, which is much larger in terms of the hole and web dimensions.
  • the hole structures can be located on a substrate for radiation filtering. the one that is optically transparent in the wavelength range of interest for filtering.
  • the holes • of these micro-hole structures can be almost round or elongated in one direction.
  • Hole structures with minimum hole dimensions of> approx. 1 ⁇ m can be formed photolithographically in the laboratory by contact exposure.
  • a mask is first produced by electron beam writing. This is used for duplication against a substrate coated with photoresist, e.g. a thin film pressed onto glass or silicon.
  • photoresist e.g. a thin film pressed onto glass or silicon.
  • the substrate including the photoresist structure, is then provided with the thin film by means of a vacuum process such as vapor deposition or sputtering. By loosening the photoresist structure, the film is lifted off at these points.
  • a vacuum process such as vapor deposition or sputtering.
  • Known structuring methods also include photolithography in connection with electroforming, which is used in particular for thick layers to be structured. This process is also known as the low-cost LIGA process.
  • the photoresist can also be exposed in the projection exposure method.
  • the mask is typically projected onto the photoresist layer in a reduced ratio of 5: 1.
  • the entire substrate is exposed by repeatedly exposing the same pattern on the mask in a step-and-repeat process.
  • the projection exposure has the advantage that structures ⁇ 1 ⁇ m in the photoresist layer can also be manufactured industrially using this method. However, a projection exposure machine with exposure wavelengths in the deep UV range is required. Such
  • Projection exposure machines have high investment costs. Furthermore you need for because of the shallow depth of field of the image, projection planes also require extremely flat substrates, which are usually only available through expensive surface processing processes such as lapping and polishing. This means that the costs for the substrates to be used increase.
  • line gratings are produced with "one exposure. It is also known to produce cross gratings and hexagonal gratings by two successive exposures with intermediate rotation of the substrate by 90 ° or 60 °. After development of the photoresist, either free-standing photoresist columns or a continuous surface relief.
  • the shadow cast can be viewed in a first approximation like the shadow cast by a point light source.
  • the distance between the source and the substrate in a vacuum apparatus cannot be chosen to be as large as desired, a local change in the direction of propagation cannot be avoided.
  • only surface reliefs that are tolerant of a change in the direction of propagation of the coating clusters, as in the case of the line grating, are suitable as self-adjusting masks for the oblique coating.
  • the substrate By forming a substrate with a relief structure on a surface and obliquely coating the relief structure with the material of the micro-hole Structure, the substrate itself is used as a mask, so that in this respect no adjustment is necessary (“self-adjustment”) and therefore inaccuracies associated therewith are avoided. It is therefore possible to borrow hole dimensions down to 0.1 ⁇ m industrially.
  • the relief structure To achieve the desired formation as a micro-hole structure, it is necessary for the relief structure to have a coherent network of first surface parts, the local surface normal vectors of which form a small angle with the unit vector of the surface, and second surface parts between the first surface parts , whose local surface normal vectors enclose a small angle with the direction vector of the coating.
  • the method is particularly economical if the relief structure of the substrate is formed by replicating an original structure.
  • the original structure is preferably formed by a photolithographic process, in particular by interference lithography, and an embossing stamp thereof is produced by galvanic molding.
  • the relief structure can be copied onto a large number of substrates using a subsequent process such as embossing or casting.
  • Preferred materials in which the relief can be replicated are plastics, sol-gel layers and glass.
  • Fig. 4 is a metallic micro-hole structure for filtering infrared radiation
  • Fig. 5 shows the process flow in the manufacture of a micro-hole structure for the fine filtration of
  • the oblique coating has a preferred coating direction. This is in the case of the known helical coating of linear structures perpendicular to the direction of Translationsin 'variance selected.
  • the oblique coating for producing hole structures there is a new requirement that the shadow cast of the raised part of the surface structure does not lead to an interruption in the web structure surrounding the hole. This can be guaranteed by various designs of the surface relief:
  • Fig. 1 shows a perspective view of such an arrangement, in which the elevations are frustoconical. 2 schematically shows the oblique coating of this arrangement, from which the coated areas 1 and the non-coated areas 2 lying in the shadow of the elevations can be seen.
  • Relief structure can be obtained by replicating an original structure in the formation of the arrangement A).
  • Fig. 3 shows schematically the oblique coating of the arrangement B).
  • x direction the weakly modulated areas are completely coated.
  • the webs in the y direction create the hole structures by casting shadows during the oblique coating. The more elongated the hole structures are, the less sensitive the structure is to justa errors in the oblique coating.
  • Fig. 4 shows a plan view of a metallic micro-hole structure for filtering infrared radiation, which by an oblique coating such relief structure was obtained.
  • Condition 1 The structure must have a coherent network of surface parts whose local surface normal vectors n form a small angle with the unit vector z perpendicular to the x-y plane: n «z (coated areas).
  • Condition 2 The structure between the network from condition 1 must have the largest possible surface parts, the local surface normal vectors n of which form a small angle with the direction vector of the coating b: n «b (uncoated or shading areas).
  • Elongated structures are particularly cheap because there are particularly large parts of the surface that meet condition 2.
  • blazed structures are particularly favorable, since n and b form a particularly small angle on their steep flank if the steep flank faces away from the coating source.
  • the surface reliefs A) - C) can be produced particularly efficiently by interference lithography.
  • the relief A) can be produced using a positive photoresist.
  • the more favorable structure B) is created by simply copying through galvanic or other replication processes.
  • a structure similar to B), for example in a hexagonal arrangement, can also be obtained by interference lithography with three or more incident waves are produced.
  • Elongated holes according to structure type C) can be produced very well by double exposure with the sample holder rotated in the meantime by 1 ° - 85 °. The elongation is very large at a rotation angle of 1 °, and the elongation is low at a rotation angle of 85 °.
  • micro-hole structures obtained by oblique coating for different applications is described below.
  • a suitable surface relief is replicated in polyethylene (PE) or polytetrafluoroethylene (PTFE) transparent to infrared radiation and with a metal of high conductivity, e.g. Gold, diagonally coated.
  • PE polyethylene
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • the filter is functional.
  • the wavelength of the peak transmission is determined by the hole dimensions and the refractive index of the hole, the polarization dependence on the hole shape.
  • FIG. 4 shows the obliquely coated surface relief is depicted such that only the metal grid can be seen.
  • an IR-transparent protective coating can be applied. This changes the wavelength of the peak transmission.
  • the substrate 3 provided with the surface structure; b) reproduces this after the oblique coating with a metal 4; and c) represents the arrangement after the galvanic reinforcement of the coating material with nickel 5.
  • the arrangement is printed with the negative structure 6 of the support grid consisting of organic material, and e) also shows the arrangement after a further galvanic treatment Nickel, in which the support grid 7 was formed.
  • the finished screen is shown, in which the organic components, namely the substrate 3 and
  • Micro-hole structures for shielding unwanted electromagnetic radiation are often required on glass surfaces, for example cover glasses of plasma displays. Untitled.
  • the essential function of the micro-hole structure is to achieve a very good DC conductivity with good visual transmission.
  • the additional task that is set in this embodiment is the transfer of the micro-hole structure to the glass plate.
  • the glass plate is functionalized on the surface in such a way that the metallic micro-hole structure adheres better to the glass surface than to the obliquely coated substrate serving as a transfer film.
  • This functionalization can also take the form of a vacuum coating, a lacquer or a sol-gel layer. After the microhole structure has been transferred, it can be coated.
  • This variant has the advantage that the micro-hole structure is largely resistant to chemical or physical attacks.
  • the second variant is the lamination of the obliquely coated substrate on the glass pane. Materials with high conductivity (eg metals) are particularly suitable for this application.

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Abstract

The invention relates to a novel method for producing microhole structures. According to said method, the material used to produce said microhole structures is applied to a substrate surface provided with a relief structure, by means of an angular coating process. In order to achieve the desired pattern of holes, the relief structure has a continuous network of first surface elements and second surface elements located thereinbetween, the local surface normal vectors of the first surface elements forming a small angle with the unit vector, and the local surface normal vectors of the second surface elements forming a small angle with the direction vector of the coating.

Description

Verfahren zum Herstellen von MikrolochstrukturenProcess for the production of micro-hole structures
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Mikrolochstrukturen.The invention relates to a method for producing microhole structures.
Mikrolochstrukturen zur Feinfiltration beispielsweise von Flüssigkeiten und zur Strahlungsfilterung oder - abschirmung sind seit langem bekannt. Es handelt sich hierbei üblicherweise um regelmäßige Lochstrukturen mit flächig verbundenen Stegen zwischen den Löchern. Für die Strahlungsfilterung oder -abschirmung sind die Stege meist metallisch und weisen eine hohe Leitfähigkeit auf. Zur Feinfiltration sind metallische und nichtmetallische Werkstoffe geeignet. Da Mikro- lochstrukturen mit sehr dünnen Stegen freitragend eine für die Filtration zu geringe mechanische Stabilität aufweisen, werden diese von einem zweiten- bezüglich der Loch- und Stegabmessungen wesentlich größeren Gitter gestützt. Für die Strahlungsfilterung kön- nen sich die Lochstrukturen auf einem Substrat befin- den, das in dem für die Filterung interessanten Wellenlängenbereich optisch transparent ist. Die Löcher • dieser Mikrolochstrukturen können nahezu rund oder auch in einer Richtung elongiert sein. Typische Ab- messungen der Löcher liegen im Bereich von 0,1 μm bis 100 μm. Insbesondere die Herstellung von Mikrolochstrukturen mit typischen Lochabmessungen in zumindest einer Richtung von 0,1 - 5 μm ist bisher sehr aufwendig, da hierfür teure Strukturierungsverfahren wie das LIGA-Verfahren oder die Photolithographie und Interferenzlithographie in Verbindung mit Ätz- oder Lift-Off-Techniken eingesetzt werden müssen.Micro-hole structures for fine filtration of liquids, for example, and for radiation filtering or shielding have long been known. These are usually regular hole structures with flat webs between the holes. The webs are mostly metallic for radiation filtering or shielding and have a high conductivity. Metallic and non-metallic materials are suitable for fine filtration. Since micro-hole structures with very thin webs have a mechanical stability that is too low for filtration, they are supported by a second grid, which is much larger in terms of the hole and web dimensions. The hole structures can be located on a substrate for radiation filtering. the one that is optically transparent in the wavelength range of interest for filtering. The holes • of these micro-hole structures can be almost round or elongated in one direction. Typical dimensions of the holes are in the range from 0.1 μm to 100 μm. In particular, the production of micro-hole structures with typical hole dimensions in at least one direction of 0.1-5 μm has so far been very complex, since expensive structuring processes such as the LIGA process or photolithography and interference lithography in connection with etching or lift-off techniques have been used for this Need to become.
Lochstrukturen mit minimalen Lochabmessungen von > ca. 1 μm können im Labor photolithographisch durch Kontaktbelichtung gebildet werden. Hierbei wird zuerst eine Maske durch Elektronenstrahlschreiben hergestellt. Diese wird zur Vervielfältigung gegen ein mit Photoresist beschichtetes Substrat, z.B. einen dünnen Film auf Glas oder Silizium, gepresst. BeimHole structures with minimum hole dimensions of> approx. 1 μm can be formed photolithographically in the laboratory by contact exposure. Here, a mask is first produced by electron beam writing. This is used for duplication against a substrate coated with photoresist, e.g. a thin film pressed onto glass or silicon. At the
Belichtungsvorgang werden nur die von der Maske nicht abgedeckten Bereiche des Photoresists mit UV- Strahlung bestrahlt. In den belichteten Bereichen hat der Photoresist eine im Vergleich zu den unbelichte- ten Bereichen deutlich unterschiedliche Löslichkeits- rate im anschließenden Entwicklungsprozess . Bei Posi- tivresists lösen sich die belichteten Bereiche schneller, bei Negativresists die unbelichteten. Dadurch entsteht nach der Entwicklung ein Oberflächen- relief, das bei geeigneter Wahl der Belichtungs- und Entwicklungsparameter den dünnen Film an der Stelle der Stege maskiert und an der Stelle der Löcher frei- lässt. Anschließend kann der Film nasschemisch oder mittels Ionenätzen geätzt und der Photoresist ent- fernt werden. Eine andere Technik ist das Lift-Off-Verfahren. Bei diesem wird zuerst das Substrat mit Photoresist beschichtet und dieser strukturiert. Anschließend wird das Substrat einschließlich der Photoresiststruktur mittels eines Vakuumverfahrens wie Aufdampfen oder Sputtern mit dem dünnen Film versehen. Durch Lösen der Photoresiststruktur wird an diesen Stellen der Film abgehoben. Die Maske für geätzte Strukturen und für Strukturen nach dem Lift-Off-Verfahren rαuss bei ansonsten gleicher Prozessführung komplementär sein.Only the areas of the photoresist not covered by the mask are irradiated with UV radiation. In the exposed areas, the photoresist has a significantly different solubility rate in the subsequent development process compared to the unexposed areas. With positive resists, the exposed areas dissolve faster, with negative resists the unexposed areas. This results in a surface relief after development, which, with a suitable choice of exposure and development parameters, masks the thin film at the location of the webs and leaves it open at the location of the holes. The film can then be etched using wet chemistry or ion etching and the photoresist removed. Another technique is the lift-off procedure. In this case, the substrate is first coated with photoresist and this is structured. The substrate, including the photoresist structure, is then provided with the thin film by means of a vacuum process such as vapor deposition or sputtering. By loosening the photoresist structure, the film is lifted off at these points. The mask for etched structures and for structures according to the lift-off method must be complementary with otherwise the same process management.
Zu den bekannten Strukturierungsverfahren zählt auch die Photolithographie in Verbindung mit Elektrofor- mung, die insbesondere bei dicken zu strukturierenden Schichten Anwendung findet. Dieses Verfahren wird auch als Low-Cost-LIGA-Verfahren bezeichnet.Known structuring methods also include photolithography in connection with electroforming, which is used in particular for thick layers to be structured. This process is also known as the low-cost LIGA process.
Das Kontaktbelichtungsverfahren hat den Nachteil, dass es industriell nicht für Lochmaße < 1 μm einge- setzt werden kann, da der Ausschuss wegen unvermeidbarer Variationen des Abstands zwischen Maske und Substrat zu hoch wäre.The disadvantage of the contact exposure process is that it cannot be used industrially for hole sizes <1 μm, since the rejects would be too high due to unavoidable variations in the distance between the mask and the substrate.
Die Belichtung des Photoresists kann auch im Projek- tionsbelichtungsverfahren erfolgen. Dabei wird die Maske typischerweise im Verhältnis 5:1 verkleinert auf die Photoresistschicht projiziert. Das gesamte Substrat wird durch mehrmaliges Belichten desselben Musters auf der Maske in einem Step-and-Repeat- Prozess belichtet. Die Projektionsbelichtung hat den Vorteil, dass mit diesem Verfahren auch Strukturen < 1 μm in der Photoresistschicht industriell gefertigt werden können. Allerdings ist eine Projektionsbelich- tungsmaschine mit Belichtungswellenlängen im tiefen UV-Bereich erforderlich. SolcheThe photoresist can also be exposed in the projection exposure method. The mask is typically projected onto the photoresist layer in a reduced ratio of 5: 1. The entire substrate is exposed by repeatedly exposing the same pattern on the mask in a step-and-repeat process. The projection exposure has the advantage that structures <1 μm in the photoresist layer can also be manufactured industrially using this method. However, a projection exposure machine with exposure wavelengths in the deep UV range is required. Such
Projektionsbelichtungsmaschinen haben hohe Investitionskosten. Des weiteren benötigt man für weiteren benötigt man für Projektionsbelichtung wegen der geringen Schärfentiefe der Abbildung extrem plane Substrate, die in der Regel nur durch teure Oberflächenbearbeitungsprozesse wie Läppen und Polieren er- hältlich sind. Das bedeutet, dass die Kosten für die einzusetzenden Substrate steigen.Projection exposure machines have high investment costs. Furthermore you need for because of the shallow depth of field of the image, projection planes also require extremely flat substrates, which are usually only available through expensive surface processing processes such as lapping and polishing. This means that the costs for the substrates to be used increase.
Besonders zur Bildung von periodischen Strukturen (Gitterstrukturen) eignet sich die Interferenzlitho- graphie, die auch bereits zur Herstellung von Mikrolochstrukturen vorgeschlagen wurde. Bei dieser Technik wird Photoresist mit dem Interferenzmuster mindestens zweier oder mehr sich überlagernder kohärenter Wellenfelder belichtet. Die Periode Λ des Git- ters ergibt sich bei symmetrischem Einfall der zwei Wellen durch folgende Beziehung:Interference lithography, which has already been proposed for the production of micro-hole structures, is particularly suitable for the formation of periodic structures (lattice structures). In this technique, photoresist is exposed to the interference pattern of at least two or more overlapping coherent wave fields. The period Λ of the grating results from the following relationship when the two waves are symmetrical:
Λ=——— mit λ0 gleich der Wellenlänge der kohären- 2sinΛ = ——— with λ 0 equal to the wavelength of the coherent-2sin
ten Wellenfelder und θi gleich dem Winkel, den die Ausbreitungsrichtungen der einfallenden Wellen mit der normalen zur belichteten Fläche einschließen.th wave fields and θi equal to the angle that the directions of propagation of the incident waves make with the normal to the exposed area.
Hierbei werden mit" einer Belichtung Liniengitter er- zeugt. Bekannt ist auch die Herstellung von Kreuzgittern und hexagonalen Gittern durch zwei aufeinanderfolgende Belichtungen mit zwischenzeitlichem Drehen des Substrats um 90° bzw. 60°. Nach Entwicklung des Photoresists entstehen entweder freistehende Photore- sistsäulen oder ein kontinuierliches Oberflächenrelief.Here, line gratings are produced with "one exposure. It is also known to produce cross gratings and hexagonal gratings by two successive exposures with intermediate rotation of the substrate by 90 ° or 60 °. After development of the photoresist, either free-standing photoresist columns or a continuous surface relief.
Die Beschichtung von linearen Oberflächenreliefgit- tern unter schrägem Einfall ist für Herstellung von Polarisatoren für das nahe Infrarot bekannt. Durch den Schattenwurf wird nur eine Flanke des Liniengitters beschichtet. Meist wird hierfür die Bedampfungs- technik gewählt; es ist aber auch möglich, speziell optimierte Sputtertechniken einzusetzen. Im Falle des Polarisators entstehen bei Schrägbeschichten mit einem Metall sozusagen selbstjustiert metallische Leiterbahnen. Eine Übertragung dieser Technik zu Herstellung von Mikrolochstrukturen ist jedoch nicht naheliegend, da die Schrägbeschichtung von Kreuzgittern oder hexagonalen Gittern zu hohe Justageanforderungen hätte. Die Ausbreitungsrichtung der Beschichtungsc- luster variiert über die Substratfläche. Der Schattenwurf kann in erster Näherung wie der Schattenwurf einer Punktlichtquelle betrachtet werden. Da jedoch der Abstand zwischen Quelle und Substrat in einer Vakuumapparatur nicht beliebig groß gewählt werden kann, ist eine lokale Änderung der Ausbreitungsrichtung nicht zu vermeiden. Daher eignen sich als selbstjustierende Masken für die Schrägbeschichtung nur Oberflächenreliefs, die wie im Falle des Liniengitters tolerant gegenüber einer Änderung der Ausbreitungsrichtung der Beschichtungscluster sind.The coating of linear surface relief gratings under oblique incidence is known for the production of polarizers for the near infrared. By only one flank of the line grid is coated over the shadow. The vaporization technique is usually chosen for this; however, it is also possible to use specially optimized sputtering techniques. In the case of the polarizer, self-aligned metallic conductor tracks are created, so to speak, in the case of oblique coating with a metal. However, a transfer of this technique to the production of micro-hole structures is not obvious, since the oblique coating of cross gratings or hexagonal gratings would have too high adjustment requirements. The direction of propagation of the coating clusters varies across the substrate area. The shadow cast can be viewed in a first approximation like the shadow cast by a point light source. However, since the distance between the source and the substrate in a vacuum apparatus cannot be chosen to be as large as desired, a local change in the direction of propagation cannot be avoided. For this reason, only surface reliefs that are tolerant of a change in the direction of propagation of the coating clusters, as in the case of the line grating, are suitable as self-adjusting masks for the oblique coating.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen von Mikrolochstrukturen anzugeben, das kostengünstig ist und minimale Lochabmessungen bis zu 0,1 μm ermöglicht.It is the object of the present invention to specify a method for producing micro-hole structures which is inexpensive and enables minimal hole dimensions of up to 0.1 μm.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.This object is achieved according to the invention by a method having the features of claim 1. Advantageous further developments of the method according to the invention result from the subclaims.
Durch die Bildung eines Substrats mit einer Relief- Struktur auf einer Oberfläche und Schrägbeschichtung der Reliefstruktur mit dem Material der Mikroloch- Struktur wird das Substrat selbst als Maske verwendet, so dass insoweit keine Justierung erforderlich ist ("SelbstJustierung") und daher hiermit verbundene Ungenauigkeiten vermieden werden. Es ist dadurch mög- lieh, auf industriellem Wege Lochabmessungen bis herunter auf 0,1 um zu erhalten.By forming a substrate with a relief structure on a surface and obliquely coating the relief structure with the material of the micro-hole Structure, the substrate itself is used as a mask, so that in this respect no adjustment is necessary ("self-adjustment") and therefore inaccuracies associated therewith are avoided. It is therefore possible to borrow hole dimensions down to 0.1 µm industrially.
Für die Erzielung der gewünschten Ausbildung als Mik- rolochstruktur ist es erforderlich, dass die Relief- Struktur ein zusammenhängendes Netz aus ersten Oberflächenteilen, deren lokale Flächen-normalen-Vektoren mit dem Einheitsvektor der Oberfläche einen kleinen Winkel einschließen, und zwischen den ersten Oberflächenteilen zweite Oberflachenteile, deren lokale Flä- chennormalenvektoren mit dem Richtungsvektor der Beschichtung einen kleinen Winkel einschließen, aufweist .To achieve the desired formation as a micro-hole structure, it is necessary for the relief structure to have a coherent network of first surface parts, the local surface normal vectors of which form a small angle with the unit vector of the surface, and second surface parts between the first surface parts , whose local surface normal vectors enclose a small angle with the direction vector of the coating.
Eine besondere Wirtschaftlichkeit, des Verfahrens er- gibt sich dann, wenn die Reliefstruktur des Substrats durch Replikation einer Originalstruktur gebildet wird. Dabei wird die Originalstruktur vorzugsweise durch ein photolithografisches Verfahren, insbesondere durch Interferenzlithografie gebildet und durch galvanische Abformung ein Prägestempel hiervon hergestellt. Durch einen anschließenden Prozess wie Prägen oder Gießen kann die ReliefStruktur auf eine Vielzahl von Substraten kopiert werden. Bevorzugte Materialien, in die das Relief repliziert werden kann, sind Kunststoffe, Sol-Gel-Schichten und Glas.The method is particularly economical if the relief structure of the substrate is formed by replicating an original structure. The original structure is preferably formed by a photolithographic process, in particular by interference lithography, and an embossing stamp thereof is produced by galvanic molding. The relief structure can be copied onto a large number of substrates using a subsequent process such as embossing or casting. Preferred materials in which the relief can be replicated are plastics, sol-gel layers and glass.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:The invention is explained in more detail below on the basis of exemplary embodiments illustrated in the figures. Show it:
Fig. 1 die Ausbildung einer ReliefStruktur mit ke- gelstumpfförmigen Erhebungen auf einer Substratoberfläche,1 shows the formation of a relief structure with gel frustum-like elevations on a substrate surface,
Fig. 2 die Wirkungsweise der Schrägbeschichtung bei der ReliefStruktur nach Fig. 1,2 the mode of operation of the oblique coating in the relief structure according to FIG. 1,
Fig. 3 die Wirkungsweise der Schrägbeschichtung bei einer ReliefStruktur mit kegelstumpfförmigen Vertiefungen,3 shows the operation of the oblique coating in a relief structure with truncated cone-shaped depressions,
Fig. 4 eine metallische Mikrolochstruktur zur Filterung von Infrarotstrahlung, undFig. 4 is a metallic micro-hole structure for filtering infrared radiation, and
Fig. 5 den Prozessablauf bei der Herstellung einer Mikrolochstruktur für die Feinfiltration vonFig. 5 shows the process flow in the manufacture of a micro-hole structure for the fine filtration of
Flüssigkeiten.Liquids.
Die Schrägbeschichtung weist eine Vorzugsbeschich- tungsrichtung auf. Diese wird im Fall der bekannten Schrägbeschichtung von linearen Strukturen senkrecht zur Richtung der Translationsin'varianz gewählt. Für die Schrägbeschichtung zur Erzeugung von Lochstrukturen gibt es die neue Anforderung, dass der Schattenwurf des erhabenen Teils der Oberflächenstruktur nicht zu einer Unterbrechung der das Loch umgebenden Stegstruktur führt. Dies kann durch verschiedene Ausführungen des Oberflächenreliefs gewährleistet sein:The oblique coating has a preferred coating direction. This is in the case of the known helical coating of linear structures perpendicular to the direction of Translationsin 'variance selected. For the oblique coating for producing hole structures, there is a new requirement that the shadow cast of the raised part of the surface structure does not lead to an interruption in the web structure surrounding the hole. This can be guaranteed by various designs of the surface relief:
A) Eine Anordnung von quader-, zylinder- und kegel- stumpfförmigen sowie ähnlichen Erhebungen auf einer ebenen oder annähernd ebenen Fläche. Bei dieser Anordnung müssen die Strukturhöhen und die Einfallsrichtung des Beschichtungsmaterials sehr genau aufeinander abgestimmt sein, d.h., diese Anordnung ist justageempfindlich. Änderungen in der Beschichtungsrichtung führen schnell zu einer Änderung der Lochform.A) An arrangement of cuboid, cylinder and truncated cone-shaped as well as similar elevations on a flat or approximately flat surface. With this arrangement, the structure heights and the direction of incidence of the coating material must be matched very precisely to one another, ie this arrangement is sensitive to adjustment. Changes in the coating direction lead quickly to change the hole shape.
Fig. 1 zeigt eine perspektivische Darstellung einer derartigen Anordnung, bei der die Erhebungen kegelstumpfförmig sind. Fig. 2 gibt schematisch die Schrägbeschichtung dieser Anordnung wieder, aus der die beschichteten Bereiche 1 und die im Schatten der Erhebungen liegenden, nicht beschichteten Bereiche 2 ersichtlich sind.Fig. 1 shows a perspective view of such an arrangement, in which the elevations are frustoconical. 2 schematically shows the oblique coating of this arrangement, from which the coated areas 1 and the non-coated areas 2 lying in the shadow of the elevations can be seen.
B) Das Negativ des Oberflächenreliefs aus A) : Vertiefungen in einer ebenen oder annähernd ebenen Fläche. Diese Anordnung ist wesentlich vorteilhafter als Anordnung A) . Allerdings werden Teile der Wand der Vertiefung mitbeschichtet. DieseB) The negative of the surface relief from A): depressions in a flat or approximately flat surface. This arrangement is much more advantageous than arrangement A). However, parts of the wall of the recess are also coated. This
ReliefStruktur kann durch Replikation einer Originalstruktur in der Ausbildung der Anordnung A) erhalten werden. Fig. 3 zeigt schematisch die Schrägbeschichtung der Anordnung B) .Relief structure can be obtained by replicating an original structure in the formation of the arrangement A). Fig. 3 shows schematically the oblique coating of the arrangement B).
C) Ein kontinuierliches Oberflächenrelief, das in einer Richtung (x-Richtung) betrachtet abwechselnd stark und schwach moduliert ist und in der dazu senkrechten Richtung (y-Richtung) Stege in kürzeren Abständen aufweist. Bei Schrägbeschichtung in x-Richtung werden die schwach modulierten Bereiche vollständig beschichtet. Die Stege in y-Richtung erzeugen durch Schattenwurf bei der Schrägbeschichtung die Lochstrukturen. Je elongierter die Lochstrukturen sind, desto unempfindlicher ist die Struktur gegenüber Justa- gefehlern bei der Schrägbeschichtung.C) A continuous surface relief which, viewed in one direction (x direction), is alternately strongly and weakly modulated and in the perpendicular direction (y direction) has bridges at shorter intervals. With oblique coating in the x direction, the weakly modulated areas are completely coated. The webs in the y direction create the hole structures by casting shadows during the oblique coating. The more elongated the hole structures are, the less sensitive the structure is to justa errors in the oblique coating.
Fig. 4 zeigt in der Draufsicht eine metallische Mikrolochstruktur zur Filterung von Infrarotstrahlung, die durch Schrägbeschichtung einer derartigen ReliefStruktur erhalten wurde.Fig. 4 shows a plan view of a metallic micro-hole structure for filtering infrared radiation, which by an oblique coating such relief structure was obtained.
Für die drei genannten Ausbildungen A) , B) und C) des Oberflächenreliefs gelten die beiden folgenden Bedin- gungen unter der Annahme, dass sich diese in einer x- y-Ebene erstrecken.The following two conditions apply to the three mentioned configurations A), B) and C) of the surface relief on the assumption that they extend in an xy plane.
Bedingung 1: Die Struktur muss ein zusammenhängendes Netz an Flächenteilen aufweisen, deren lokale Flä- chennormalenvektoren n mit dem Einheitsvektor z senkrecht zur x-y-Ebene einen kleinen Winkel einschließen: n « z (Beschichtete Bereiche) .Condition 1: The structure must have a coherent network of surface parts whose local surface normal vectors n form a small angle with the unit vector z perpendicular to the x-y plane: n «z (coated areas).
Bedingung 2: Die Struktur muss zwischen dem Netz aus Bedingung 1 möglichst große Flächenteile aufweisen, deren lokale Flachennormalenvektoren n mit dem Richtungsvektor der Beschichtung b einen kleinen Winkel einschließen: n « b (Nicht beschichtete bzw. verschattende Bereiche) .Condition 2: The structure between the network from condition 1 must have the largest possible surface parts, the local surface normal vectors n of which form a small angle with the direction vector of the coating b: n «b (uncoated or shading areas).
Elongierte Strukturen sind besonders günstig, da es dabei besonders große Flächenteile gibt, die Bedingung 2 erfüllen. Außerdem sind geblazte Strukturen besonders günstig, da bei deren steiler Flanke n und b einen besonders kleinen Winkel einschließen, wenn die steile Flanke von der Beschichtungsquelle abgewandt ist.Elongated structures are particularly cheap because there are particularly large parts of the surface that meet condition 2. In addition, blazed structures are particularly favorable, since n and b form a particularly small angle on their steep flank if the steep flank faces away from the coating source.
Die Oberflächenreliefs A) - C) können durch Interfe- renzlithographie besonders effizient hergestellt werden. Das Relief A) kann unter Benutzung eines Posi- tiv-Photoresists hergestellt werden. Durch einfaches Umkopieren durch galvanische oder andere Replikati- onsprozesse entsteht die günstigere Struktur B) . Eine ähnliche Struktur wie B) z.B in hexagonaler Anordnung kann auch durch Interferenzlithographie mit drei oder mehr einfallenden Wellen hergestellt werden. Elon- gierte Löcher gemäß Strukturtyp C) können sehr gut durch Doppelbelichtungen mit zwischenzeitlicher Drehung des Probenhalters um 1° - 85° hergestellt wer- den. Bei einem Drehwinkel von 1° ist die Elongation sehr groß, bei einem Drehwinkel von 85° ist die Elongation gering.The surface reliefs A) - C) can be produced particularly efficiently by interference lithography. The relief A) can be produced using a positive photoresist. The more favorable structure B) is created by simply copying through galvanic or other replication processes. A structure similar to B), for example in a hexagonal arrangement, can also be obtained by interference lithography with three or more incident waves are produced. Elongated holes according to structure type C) can be produced very well by double exposure with the sample holder rotated in the meantime by 1 ° - 85 °. The elongation is very large at a rotation angle of 1 °, and the elongation is low at a rotation angle of 85 °.
Im Folgenden wird die Herstellung von durch Schrägbe- Schichtung erhaltenen Mikrolochstrukturen für unterschiedliche Anwendungszwecke beschrieben.The production of micro-hole structures obtained by oblique coating for different applications is described below.
1. Herstellung von Filtern für Infrarotstrahlung1. Manufacture of filters for infrared radiation
Ein geeignetes Oberflächenrelief wird in für Infrarotstrahlung transparentes Polyethylen (PE) oder Po- lytetrafluorethylen (PTFE) repliziert und mit einem Metall hoher Leitfähigkeit, z.B. Gold, schrägbeschichtet. Nach der Schrägbeschichtung ist der Filter funktionsfähig. Die Wellenlänge der Peaktransmission wird durch die Lochdimensionen und die Brechzahl des Loches bestimmt, die Polarisationsabhängigkeit von der Lochform. Ein auf diese Weise erhaltener Filter ist in Fig. 4 gezeigt, in der das schrägbeschichtete Oberflächenrelief so abgebildet ist, dass nur das Metallgitter zu sehen ist. Nach der Schrägbeschichtung kann eine IR-transparente Schutzbeschichtung appli- ziert werden. Dadurch ändert sich die Wellenlänge der Peaktransmission.A suitable surface relief is replicated in polyethylene (PE) or polytetrafluoroethylene (PTFE) transparent to infrared radiation and with a metal of high conductivity, e.g. Gold, diagonally coated. After the oblique coating, the filter is functional. The wavelength of the peak transmission is determined by the hole dimensions and the refractive index of the hole, the polarization dependence on the hole shape. A filter obtained in this way is shown in FIG. 4, in which the obliquely coated surface relief is depicted such that only the metal grid can be seen. After the oblique coating, an IR-transparent protective coating can be applied. This changes the wavelength of the peak transmission.
2. Mikrolochstrukturen zur Feinfiltration von Flüssigkeiten2. Micro-hole structures for fine filtration of liquids
Bei der Herstellung von Mikrolochstrukturen zur Fein- filtration von Flüssigkeiten müssen Vorkehrungen zur mechanischen Verstärkung der schrägbeschichteten Siebstruktur getroffen werden. Dies erfolgt durch galvanische Verstärkung des Mikrosiebs und durch Aufbringen eines Stützgitters. Das Stützgitter kann entweder direkt auf dem Mikrosieb generiert werden oder separat davon und dann auf das Mikrosieb aufgebracht werden. Im ersten Fall ist die Strukturierung des Stützgitters besonders wirtschaftlich durch Druckprozesse realisierbar. Es kann erforderlich sein, das Stützgitter auch galvanisch zu fertigen. In diesem Fall wird die Negativstruktur des Stützgitters gedruckt. In Fig. 5 ist ein beispielhafter Prozessablauf mit zwei Galvanikschritten dargestellt.When manufacturing micro-hole structures for fine filtration of liquids, precautions must be taken to mechanically reinforce the obliquely coated Sieve structure to be taken. This is done by galvanically reinforcing the microsieve and by applying a support grid. The support grid can either be generated directly on the microsieve or separately and then applied to the microsieve. In the first case, the structuring of the support grid can be realized particularly economically by printing processes. It may be necessary to manufacture the support grid galvanically. In this case, the negative structure of the support grid is printed. 5 shows an exemplary process flow with two electroplating steps.
Hierin zeigt a) das mit der Oberflächenstruktur ver- sehene Substrat 3; b) gibt dieses nach der Schrägbeschichtung mit einem Metall 4 wieder; und c) stellt die Anordnung nach der galvanischen Verstärkung des Beschichtungs aterials mit Nickel 5 dar. In d) ist die Anordnung mit der aus organischem Material beste- henden Negativstruktur 6 des Stützgitters bedruckt, und e) zeigt die Anordnung nach einer weiteren galvanischen Behandlung mit Nickel, bei der das Stützgitter 7 gebildet wurde. In f) ist das fertige Sieb dargestellt, bei dem die organischen Bestandteile, nämlich das Substrat 3 und dieHerein shows a) the substrate 3 provided with the surface structure; b) reproduces this after the oblique coating with a metal 4; and c) represents the arrangement after the galvanic reinforcement of the coating material with nickel 5. In d) the arrangement is printed with the negative structure 6 of the support grid consisting of organic material, and e) also shows the arrangement after a further galvanic treatment Nickel, in which the support grid 7 was formed. In f) the finished screen is shown, in which the organic components, namely the substrate 3 and
Negativstruktur 6 des Stützgitters 7, entfernt wurden.Negative structure 6 of the support grid 7 have been removed.
Alternativ ist es auch möglich, das Stützgitter selbst aufzudrucken.Alternatively, it is also possible to print the support grid yourself.
3. Herstellung von Mikrolochstrukturen zur Abschirmung elektromagnetischer Strahlung3. Production of micro-hole structures for shielding electromagnetic radiation
Mikrolochstrukturen zur Abschirmung unerwünschter e- lektromagnetischer Strahlung werden oft auf Glasoberflächen, z.B. Abdeckgläsern von Plasmadisplays, benö- tigt. Die wesentliche Funktion der Mikrolochstruktur ist, eine sehr gute DC-Leitfähigkeit bei guter visueller Transmission zu erreichen. Die zusätzliche Aufgabe, die bei diesem Ausführungsbeispiel gestellt ist, ist die Übertragung der Mikrolochstruktur auf die Glasplatte. Dies wird durch zwei Varianten gelöst. In der ersten Variante wird die Glasplatte an der Oberfläche so funktionalisiert, dass die metallische Mikrolochstruktur an der Glasoberfläche besser haftet als an dem als Transferfolie dienenden, schrägbeschichteten Substrat. Diese Funktionalisie- rung kann auch in Form einer Vakuumbeschichtung, eines Lackes oder einer Sol-Gel-Schicht ausgebildet sein. Nach der Übertragung der Mikrolochstruktur kann diese beschichtet werden. Diese Variante hat den Vorteil, dass die Mikrolochstruktur weitgehend resistent gegenüber chemischen oder physikalischen Angriffen ist. Die zweite Variante ist die Lamination des schrägbeschichteten Substrats auf der Glasscheibe. Für diese Anwendung sind Materialien mit großer Leitfähigkeit (z.B. Metalle) besonders geeignet. Micro-hole structures for shielding unwanted electromagnetic radiation are often required on glass surfaces, for example cover glasses of plasma displays. Untitled. The essential function of the micro-hole structure is to achieve a very good DC conductivity with good visual transmission. The additional task that is set in this embodiment is the transfer of the micro-hole structure to the glass plate. This is solved by two variants. In the first variant, the glass plate is functionalized on the surface in such a way that the metallic micro-hole structure adheres better to the glass surface than to the obliquely coated substrate serving as a transfer film. This functionalization can also take the form of a vacuum coating, a lacquer or a sol-gel layer. After the microhole structure has been transferred, it can be coated. This variant has the advantage that the micro-hole structure is largely resistant to chemical or physical attacks. The second variant is the lamination of the obliquely coated substrate on the glass pane. Materials with high conductivity (eg metals) are particularly suitable for this application.

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zum Herstellen von Mikrolochstrukturen, bei dem eine Reliefstruktur auf einer Oberfläche eines Substrats mit dem Material der Mik- rolochstruktur schräg beschichtet wird, wobei eine ReliefStruktur aus einem zusammenhängenden Netz aus ersten Oberflächenteilen, deren lokale Flachennormalenvektoren mit dem Einheitsvektor der Oberfläche einen kleinen Winkel einschlie- ßen, und aus von den ersten Oberflächenteilen umgebenen zweiten Oberflächenteilen, deren lokale Flachennormalenvektoren mit dem Richtungsvektor der Beschichtung einen kleinen Winkel einschließen, verwendet wird.1. Method for producing micro-hole structures, in which a relief structure on a surface of a substrate is obliquely coated with the material of the micro-hole structure, a relief structure consisting of a coherent network of first surface parts, the local surface normal vectors of which are at a small angle with the unit vector of the surface and from second surface parts surrounded by the first surface parts, the local surface normal vectors of which form a small angle with the direction vector of the coating.
2. Verfahren nach Anspruch .1, dadurch gekennzeichnet, dass die ReliefStruktur des Substrats Zylinder-, kegelstumpf- oder quaderförmige Erhebungen auf einer zumindest angenähert ebenen Fläche aufweist.2. The method according to claim. 1, characterized in that the relief structure of the substrate has cylindrical, truncated cone or cuboid elevations on an at least approximately flat surface.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die ReliefStruktur des Substrats Zylinder-, kegelstumpf- oder quaderförmige Vertiefungen in einer zumindest angenähert ebenen Fläche aufweist.3. The method according to claim 1, characterized in that the relief structure of the substrate has cylindrical, truncated cone or cuboid depressions in an at least approximately flat surface.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die ReliefStruktur des Substrats durch Replikation einer Originalstruktur gebildet wird. 4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the relief structure of the substrate is formed by replication of an original structure.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die ReliefStruktur des Substrats oder die Originalstruktur durch ein fotolithografisches Verfahren gebildet wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the relief structure of the substrate or the original structure is formed by a photolithographic process.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die ReliefStruktur des Substrats oder die Originalstruktur durch Interferenzlithografie gebildet wird.6. The method according to claim 5, characterized in that the relief structure of the substrate or the original structure is formed by interference lithography.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich- net, dass die ReliefStruktur des Substrats oder die Originalstruktur durch ein interferenzlitho- grafisches Verfahren mit Mehrfachbelichtung unter verschiedenen Winkeln gebildet wird.7. The method according to claim 6, characterized in that the relief structure of the substrate or the original structure is formed by an interference lithographic method with multiple exposure at different angles.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da- durch gekennzeichnet, dass zur Herstellung einer8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that for producing a
Mikrolochstruktur für die Strahlenfilterung ein Substrat verwendet wird, das für elektromagnetische Strahlung eines bestimmten Frequenzbereichs transparent ist.Microhole structure for radiation filtering a substrate is used which is transparent to electromagnetic radiation of a certain frequency range.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung eines Mikrosiebes für die Feinfiltration das schrägbeschichtete Substrat auf der Beschichtungsseite mit einem grobmaschigen Stützgitter versehen und anschließend das Substratmaterial entfernt wird.9. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that to produce a microsieve for fine filtration, the obliquely coated substrate on the coating side with a coarse mesh support grid and then the substrate material is removed.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das grobmaschige Stützgitter durch selektive galvanische Verstärkung hergestellt wird.10. The method according to claim 9, characterized in that the coarse-mesh support grid is produced by selective galvanic amplification.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung einer Mikrolochstruktur für die Abschirmung elektro- magnetischer Strahlung das durch Schrägbeschichtung aufgebrachte Material der Mikrolochstruktur von dem Substrat auf eine Glasoberfläche übertragen wird.11. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that for the production of a micro-hole structure for shielding electro- magnetic radiation, the material of the micro-hole structure applied by oblique coating is transferred from the substrate to a glass surface.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung einer Mikrolochstruktur für die Abschirmes elektromagnetischer Strahlung das mit dem Material der Mikrolochstruktur schräg beschichtete Substrat auf eine Glasoberfläche laminiert wird.12. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that in order to produce a micro-hole structure for shielding electromagnetic radiation, the substrate coated obliquely with the material of the micro-hole structure is laminated onto a glass surface.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Mikrolochstruktur ein Metall ist.13. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the material of the micro-hole structure is a metal.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich- "net, dass das durch Schrägbeschichtung aufgebrachte Material der Mikrolochstruktur galvanisch verstärkt wird. 14. The method according to claim 13, characterized "net, that the applied coating material by tilting the micro-hole structure is galvanically reinforced gekennzeich-.
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