EA200601327A1

EA200601327A1 - METHOD OF APPLYING SILICON NITRIDE FILMS IN VACUUM (OPTIONS)

Info

Publication number: EA200601327A1
Application number: EA200601327A
Authority: EA
Inventors: Владимир Яковлевич ШИРИПОВ; Айрат Хамитович ХИСАМОВ; Сергей Павлович МАРЫШЕВ; Александр Евгеньевич Хохлов; Николай Евгеньевич Левчук
Original assignee: Владимир Яковлевич ШИРИПОВ; Айрат Хамитович ХИСАМОВ; Сергей Павлович МАРЫШЕВ; Александр Евгеньевич Хохлов; Николай Евгеньевич Левчук
Priority date: 2006-05-15
Filing date: 2006-05-15
Publication date: 2007-12-28
Also published as: EA009303B1; CN101074477A; JP5079388B2; CN101074477B; TW200845217A; TWI434350B; JP2007308799A

Abstract

Предлагаемый в качестве изобретения способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме и его варианты относится к области нанесения пленок из нитрида кремния и может быть использован для герметизации пленочных OLED (Organic Light Emitting Diode) - структур в вакууме. Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме на неподвижно установленную подложку по первому варианту, при котором в вакуумную камеру подают смесь рабочих газов: азота и аргона, формируют ионный пучок по крайней мере из одного источника ионов, мишень из кремния распыляют направленным ионным пучком, а распыленный материал осаждают на подложку послойно путем сканирования ее поверхности, источник ионов вместе с мишенью перемещают возвратно-поступательно относительно подложки, при этом толщину по крайней мере одного слоя формируют в пределах 2-10 нм за один цикл возвратно-поступательного перемещения источника ионов с мишенью относительно подложки, а в состав смеси рабочих газов вводят гелий. Во втором варианте упомянутого способа, в отличие от первого, формирование ионного пучка осуществляют по крайней мере из двух источников ионов, при этом источники ионов вместе с мишенью устанавливают неподвижно относительно поверхности подложки, а распыление мишени из кремния осуществляют в импульсном режиме таким образом, чтобы интервал между предыдущим и последующим импульсами составлял не менее 0,1 с. Кроме того, в обоих вариантах концентрацию гелия в смеси рабочих газов поддерживают в пределах 2-20%, а рабочее давление в камере в процессе нанесения пленок не превышает 10Па. При этом в первом варианте осуществления способа потоку распыленного материала придают линейно-протяженную форму, причемThe method of applying silicon nitride films in vacuum and its variants in the field of silicon nitride films deposition and can be used for sealing OLED (Organic Light Emitting Diode) film structures in vacuum. The method of deposition of silicon nitride films in a vacuum on a fixed substrate according to the first embodiment, in which a mixture of working gases: nitrogen and argon is fed into the vacuum chamber, an ion beam is formed from at least one ion source, the silicon target is sprayed with a directional ion beam, and the sprayed the material is deposited onto the substrate layer by layer by scanning its surface, the ion source together with the target is moved reciprocally relative to the substrate, and the thickness of at least one layer is formed in Roedel 2-10 nm in one cycle of reciprocating movement of the ion source to the target relative to the substrate and of the working gas mixture of helium is introduced. In the second variant of the above-mentioned method, unlike the first, the ion beam is formed from at least two ion sources, while the ion sources together with the target are set stationary relative to the substrate surface, and the sputtering of the silicon target is carried out in a pulsed mode so that the interval between the previous and next pulses was at least 0.1 s. In addition, in both cases, the concentration of helium in the mixture of working gases is maintained within 2-20%, and the working pressure in the chamber during the deposition of films does not exceed 10 Pa. In this case, in the first embodiment of the method, the flow of the sprayed material is given a linearly extended form, and