DEI0009062MA - - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

Tag der Anmeldung: 24. August 1954 Bekanntgemacht am 5. Juli 1956

DEUTSCHES PATENTAMT

Es ist bekannt, aus Werkstoffen mit rechteckiger oder annähernd rechteckiger Hysteresisschleif e toroidförmige Kerne herzustellen und die beiden stabilen Magnetisierungszustände solcher Kerne zur Speicherung dualer Werte zu verwenden. Zur Verwirklichung einer beispielsweise bei Rechenanlagen erwünschten großen Speicherkapazität werden viele solcher Kerne in einer Ebene nach einer Matrix angeordnet und mehrere derartige Ebenen übereinander vorgesehen. Auf den Kernen sind Wicklungen, gewöhnlich bestehend aus einer Windung, aufgebracht, die von Auswahleinrichtungen mit Magnetisierungsstrom versorgt werden. Im allgemeinen wird nur beim gleichzeitigen Auftreten von Strömen in zwei oder drei Wicklungen die zum Ummagnetisieren nötige Feldstärke erreicht. Die Schaltung der Kernwicklungen und die Auswahleinrichtungen sind so beschaffen, daß jeweils nur ein Kern oder einige aus einer Reihe von Kernen bei einem Aufzeichnungs- oder Entnahmevorgang ummagnetisiert werden.

Ein wichtiger Gesichtspunkt für den Entwurf eines Speichers ist die Verkürzung der Zeit, die für einen Aufzeichnungs- oder Entnahmevorgang

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verbraucht wird. Da ein beträchtlicher Teil dieser Zeit von der Ummagnetisierung des Kerns beansprucht wird, ist es nützlich, diese zu beschleunigen. Ein Weg dazu ist die Vergrößerung der Ummagnetisierungsfeldstärke. Bekannte Anordnungen

^: machen diese Feldstärke so groß, daß sie unter Berücksichtigung der Streuung der Werkstoffeigenschaften mit Sicherheit die Koerzitivkraft überschreitet und die Sättigungsinduktion herstellt.

ίο Durch die Auswahleinrichtungen und die Schaltung der Wicklungen wird erreicht, daß diese Feldstärke nur in einem Kern (oder in einigen) auftritt, während die anderen nur vom Strom der einen oder anderen Magnetisierungswicklung beeinflußten Kerne den halben Wert dieser Feldstärke erreichen, welche auch mit Sicherheit kleiner ist als die Koerzitivkraft. Die letztgenannten Kerne erleiden zwar keine Ummagnetisierung, liefern aber bei einem Entnahmevorgang unerwünschte Beiträge zum Nutzsignal.

In dem Bestreben, den Störbeitrag · der nicht ausgewählten Kerne klein zu halten, wurden Schaltungen entworfen, in denen die Feldstärke dieser Kerne ein Drittel und weniger des Wertes erreicht, der den ausgewählten Kernen aufgeprägt wird. Der Feldstärkewert der ausgewählten Kerne hat dabei die oben beschriebene Größe, d. h. er bewirkt Sättigung, und sein halber Wert liegt unterhalb der Koerzitivkraft.

Mit.der Vergrößerung der ummagnetisierenden , Feldstärke steigt die Geschwindigkeit der Ummagnetisierung, aber auch der dazu nötige Strom. Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung für einen dreidimensionalen Magnet kernspeicher zur gleichzeitigen Auswahl einiger aus einer Reihe von Kernen, bei der an beiden Enden der in Reihe geschalteten Magnetisierungswicklungen Auswahleinrichtungen vorgesehen sind. Nur die Wicklungen dieser Reihe von Kernen sind stromdurchflossen. Die Feldstärke der nicht ausgewählten Kerne der Reihe liegt unterhalb der Koerzitivkraft und entspricht der halben Sättigungsfeldstärke, die der ausgewählten Kerne hat den dreifachen Wert. Zur Erhöhung der Anstiegssteilheit des Magnetisierungsstromes ist eine mit einem Transistor bestückte Verstärkerstufe mit Rückkopplung vorgesehen.

Die Erfindung wird nunmehr an Hand: der Figuren im einzelnen näher erläutert.

Fig. ι stellt eine idealisierte Hysteresiskurve eines magnetischen Materials dar, das für die Kerne in der Schaltung gemäß der Erfindung verwendet wird;

Fig. 2 zeigt, wie eines der beiden magnetischen Schaltelemente veranlaßt werden kann, seinen magnetischen Zustand zu verändern, während das andere magnetische Schaltelement unbeeinflußt bleibt;

Fig. 3 ist ein maßstabgerechtes Schaltschema und zeigt, wie acht magnetische Elemente kubisch in je vier Wortzeilen angeordnet werden können, welche jede zwei Stellen enthalten, und wie diese Wortzeilen in zwei - Dimensionen einer solchen kubischen Anordnung ausgewählt und ihre Stellen wahlweise in der dritten Dimension bestimmt werden können;

Fig. 4 stellt in einer Teilschaltung dar, wie eine Zustandsänderung eines magnetischen Elementes durch einen Halbleiterverstärker ■ verstärkt werden kann;

Fig. 5 zeigt eine Schaltung, bei der bestimmte Elemente maßstabgerecht dreidimensional dargestellt sind und in der Transistoren in den Wortstellenstromkreisen eines einzelnen Wortzeilenstromkreises vorgesehen sind.

Fig. ι zeigt eine idealisierte Hysteresisschleife des verwendeten magnetischen Materials, wie sie tatsächlich fast erreicht werden kann. Das Material weist eine hohe Remanenz auf, so daß es bei seiner positiven Sättigung entsprechend dem Punkt e einen KraftLinienfluß entsprechend dem Punkt f besitzt. Wenn nun das Material in dem die binäre O darstellenden Zustand ist, d. h., wenn es negativ bis zum Punkt j gesättigt und dann nach Abschalten der MMK der Kraftfluß dem Punkt a entspricht, wird beim Anlegen einer MMK, die ausreicht, um das Material in der positiven Richtung zu sättigen, z.B. +2Ji, die Kurve abcde durchlaufen, und es stellt sich beim Abschalten dieser MMK der Punkt / ein. In diesem Zustand ist im Kern die binäre 1 gespeichert. Beim Anlegen einer starken oder schwachen positiven MMK tritt dann keine Zustandsänderung ein, und der Kraft- ■ fluß nimmt in jedem Fall den Wert f nach Ab- · schalten dieser positiven MMK wieder ein. Ebenso erfolgt, wenn das Material in negativer Richtung jedoch nicht bis zum Wert g erregt wird, keine Veränderung des Zustandes, und der Kraftfluß kehrt nach Abschalten dieser MMK zum Wert / zurück. Wenn jedoch die MMK über den dem Punkt g entsprechenden Wert erhöht wird, z. B. bis —2 H₁, wird die Kurve fghij durchlaufen; und beim Abschalten dieser MMK stellt sich dann der Kraftfluß auf den durch den Punkt α dargestellten Wert ein.

In der Schaltung nach Fig. 2 können Angaben in binärer Form gespeichert werden. Auf jedem der beiden Kerne 1 und 2, die aus Material mit den in Fig. 1 gezeigten Eigenschaften bestehen, befinden sich zwei Erregerwicklungen. Die Wicklung 3 von Kern 1 und die Wicklung 4 von Kern 2 sind mit den Röhren 5 und 6 in Reihe geschaltet. Wenn diese Röhren leitend werden, fließt genügend Strom durch die Wicklungen 3 und 4, um eine positive MMK in den Kernen 1 bzw. 2 mit einem Wert + 2 H₁ zu erzeugen. Die beiden anderen Wicklungen 7 bzw. 8'dieser Kerne liegen in getrennten Stromkreisen. Wenn in beiden Kernen eine O gespeichert ist, d.h., wenn die Kraftflüsse d'urch beide Kerne dem Punkt α in Fig. 1 entsprechen, wird sich beim Einschalten der Spule 7 in einen Stromkreis,, durch den ein so starker Strom fließt, daß eine MMK von + Ji₁ entsteht, bei gleichzeitiger Erregung der Spule 3 eine resultierende MMK +3JJ₁ ergeben; der Kern wird von einem mindestens dem Wert e entsprechenden Kraftfluß

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durchflossen, so daß beim Abschalten dieser MMK vom Kern ι sich der Wert / einstellt, der eine binäre ι darstellt..Beim Einschalten der Spule 8 in einen Stromkreis, durch den dann ein so starker Strom fließit, daß eine MMK—H₁ entsteht, wird sich bei gleichzeitiger Erregung der Spule 4 eine resultierende MMK+H₁ ergeben; der Zustand von Kern 2 wird somit nicht verändert, so daß beim Zurückgehen der MMK im Kern 2 der Kraftfluß den Wert wieder annehmen wird, der die binäre O darstellt.

Die genannten Spulen werden durch das Relais 9 eingeschaltet, das in einem Stromkreis mit den Drucktastenkontakten 10 und einer Batterie liegt, so daß beim Niederdrücken der Drucktaste das Relais 9 betätigt wird. Der Kondensator 11, der einen Widerstand 12 und die Batterie 13¹ überbrückt, wird im Ruhezustand aufgeladen. Beim Betätigen des Relais 9 wird der Kondensator 11 ih einen Stromkreis mit dem Widerstand 14 und dem Relais 15 eingeschaltet, so daß sich der Kondensator über das Relais 15 entlädt, das darauf vorübergehend kurzzeitig anspricht. Während dieser sehr kurzen Zeit wird eine positive Spannung an die Gitter der Röhren 5 und 6 angelegt, und ein Stromimpuls fließt durch die Spulen 3 und 4. Gleichzeitig fließt durch die Spule 7 ein Strom, durch den der Kern 1 positiv erregt wird, und durch die Spule 8 ein Strom, durch den der Kern 2 negativ erregt wird.

Die Schaltung nach Fig. 2 soll nur zeigen, wie die Kerne durch gleichzeitiges Anlegen geeigneter positiver oder negativer Impulse an verschiedene Teile der Schaltung in den einen oder den anderen Zustand gebracht werden können. Diese Schaltung dient nur dazu, die folgenden Schaltschemen bei möglichst geringer Anzahl von Schaltelementen leichter verständlich zu machen. Das Relais 9 dient zum Auswählen der betreffenden Röhren,

z. B. der Röhren 5 und 6, und zum Anlegen von Stromimpulsen mit entsprechender Polarität an die Wortstellenspulen, z. B. an die Spulen 7 und 8. Relais 15 stellt das Mittel dar, das zum gleichzeitigen Erzeugen und Übertragen der verschiedenen Impulse verwendet wird. In der Praxis könnte natürlich ein Relais wie das dargestellte Relais 15 nicht für diesen Zweck verwendet werden, weil seine Schaltgeschwindigkeit viel zu langsam gegenüber der ist, die durch die Verwendung der magnetischen Kerne gemäß der Erfindung erreicht werden kann. Fig. 2 zeigt jedoch, wie solche magnetischen Schaltelemente gesteuert werden können.

Bei der erfindungsgemäßen Anordnung sollen nun- viele Spulen mehrere Speicher oder Wortzeilen bilden, von denen jede mehrere Spulen entsprechend den Wortstellen enthalten, welche in einer Schaltung zu verbinden sind, die in den drei Dimensionen einer maßstabgerechten Zeichnung dargestellt werden kann. Eine Zeile, die die" Schnittlinie der Ebene, die senkrecht zum Weiterleiten in der X-Richtung verläuft, mit einer Ebene, die sich senkrecht zum Weiterleiten in der Y-Richtung erstreckt, sein kann, wird durch den Spulenstromkreis nach Fig. 2 dargestellt. Jede, darin enthaltene Spule,stellt einen Schnittpunkt dieser Zeile mit einer Ebene dar, die sich senkrecht zum .Weiterschalten in der Z-Richtung erstreckt. Die verschiedenen Wortzeilen sind zu einer Matrix miteinander verbunden, und daher muß eine Diode in jede Wortzeile geschaltet sein, so daß . das Fließen von Kriechströmen verhindert wird.

Fig. 3 stellt eine sogenannte dreidimensionale Anordnung für vier Wortzeilen mit je einem Speicher für zwei Wortstellen dar. Eine praktische Vorrichtung in einer Großrechenmaschine könnte 4096 Wortzeilen (64 X-Ebenen und 64 F-Ebenen) mit je 40 Stellen (40 Z-Ebenen) aufweisen; diese 2X2X2-Anordnung nach Fig. 3 dient lediglich zur Veranschaulichung des verwendeten Prinzips.

Diese Figur zeigt acht Kerne 20 bis 27. Die Kerne 20, 22, 24 und 26 sind in derselben X-Ebene, die Kerne 20, 21, 24 und 25 in derselben Y-Ebene und die Kerne 20, 21, 22 und 23 in derselben Z-Ebene. Durch die Z-Auswahl der Leitung 28 und die F-Auswahl der Leitung 29 kann also die aus den Kernen 20 und 24 bestehende Wortzeile' gewählt werden. Durch die wahlweisen an die verschiedenen Z-Ebenen angelegten Verbindungen kann der Kern 20 bzw. 24 wahlweise beeinflußt werden.

Jeder Kern weist drei Spulen auf, von denen die eine zum Aufzeichnen, die zweite zum Abfühlen und die dritte zum wahlweisen Speichern einer Wortstelle in dem betreffenden Kern dient. Die Spule 30 des Kerns 20· liegt in dem Aufzeichnungskreis, seine Spule 31 in dem Abfühlkreis und die Spule 32 in der Zi-Ebene der Zi-Stelle. Jede Spule ist mit, einem die Polarität kennzeichnenden Punkt versehen; die Polarität der Abfühlspule 31 ist der der Aufzeichnungsspule 30 entgegengesetzt. Alle Z-Spulen sind in gleicherweise angeschlossen, so daß die Polarität der Spulen in den verschiedenen Z-Ebenen außerhalb der Matrix durch wahlweises Anlegen von Erregungsstrom an die Verbindungen für jede solche Ebene gesteuert wird.

Wenn ein Wort in der durch die Kerne 20 und 24 dargestellten Wortzeile gespeichert werden soll, werden die Verbindungen 28 und 29 ausgewählt und die Röhren 34 und 35 über die Aufzeichnungsleitung 33 gesteuert. Ein Strom fließt von dem Pluspol der Batterie über die Röhre 34, die Spule 30 des Kernes 20, die Spule 36 des Kernes 24, die Diode 37 und über die Röhre 35 zur Erde in einer solchen Stärke, daß jeder der Kerne 20 und 24 durch eine MMK von + 2H₁ erregt wird (vgl. Fig. 1). Wegen der Diode 37 können keine unerwünschten Nebenschluß ströme fließen. Diese Erregung der Kerne ist so stark, daß eine Zustandsänderung auftreten kann, wenn sich die Kerne in dem die binäre O darstellenden Zustand befinden. Diese Zustandsänderung wird jedoch noch durch die Spulen 32 und 38 beeinflußt. Wenn angenommen wird, daß jetzt die Spule 32 erregt ist und eine MMK von + H₁ in dem Kern 20 erzeugt, dann ergibt sich darin eine resultierende MMK

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von + 3 H₁, und es erfolgt eine Zustandsänderung. Außerdem entsteht in den anderen Kernen 21, 22 und 23 der Z i-Ebene eine MMK von + H₁, jedoch genügt diese nicht, uni den Zustand eines dieser Kerne umzuschalten, und sie stört daher die Wortstellen nicht, dfie in einem anderen vorhergehenden Arbeitsgang darin eingeführt worden sind. Wenn außerdem angenommen wird, daß jetzt die Spule 38 so^erregt wird, daß eine MMK von —H₁ in dem Kern zustande kommt, dann entsteht darin insgesamt dlie MMK-I-H₁= (+ 2H₁ — H₁), und es tritt keine Zustandsänderung im Kern 24 auf. Gleichzeitig tritt in den anderen Kernen 25, 26 und 27 in der Z2V-Ebene eine MMK —H₁ auf; diese MMK reicht jedoch nicht aus, um eine Zustandsänderung in diesen Kernen herbeizuführen, unabhängig davon, ob sie vorher eine binäre 0 oder eine binäre 1 gespeichert haben.
Außerdem zeigt Fig. 3, daß bei Beschickung der Abnahmeleitung 39 an Stelle der Aufzeichnungsleitung 33 über die Steuerschaltung 40 die Röhre 41 an Stelle der Röhre 35 leitend gemacht wird. In diesem Falle werden die Abnahmespulen 31 und 42 an Stelle der Aufzeichnungsspulen 30 und 36 erregt. Da die Polarität der Abnahmespulen der der Aufzeichnungsspulen entgegengesetzt ist, kann jeder der Kerne 20 und 24 durch eine MMK mit einem Wert von mindestens —2,H₁ negativ erregt werden. Die Spulen der Z-Ebene sind an der Entnahme nicht beteiligt, und daher werden alle Kerne dieser Wortzeile auf den die binäre 0 ausdrückenden Zustand eingestellt.

Zur Entnahme von Ausgangsimpulsen während der Abnahme- und Aufzeichnungsvorgänge kann jeder Kern eine vierte Spule aufweisen, z. B. die Spule 43 auf dem Kern 20. Wenn der Kern 20' seinen positiven Zustand (binare 1) in seinen negativen (binäre 0) ändert, wird durch den Zusammenbruch seines positiven Feldes und durch den Aufbau seines negativen Feldes ein Impuls in der Spule 43 induziert, dessen Polarität für den Abnahmevorgang charakteristisch ist. Ein Impuls entgegengesetzter Polarität wird in der Spule 43 induziert, wenn der Zustand des Kerns von der binären 0 in die binäre 1 umgeschaltet wird, d.h. während eines Aufzeichnungsvorganges. Die jeweils erzeugten Ausgangsimpulse können im Bedarfsfall weiteren Stromkreisen zur Auslösung von Arbeitsvorgängen zugeführt werden.

Bei der Schaltung gemäß der Erfindung, in der nur die Spulen der gewählten Wortzeile erregt werden, kann ein größeres Erregungsverhältnis erreicht werden. Bisher mußten bei direkter Erregung der Spulen in der Matrix die resultierenden, Erregungen anderer Spulen notwendigerweise so bemessen werden, daß die algebraische Summe der Erregungen anderer Spulen in der Matrix, aber nicht in der ausgewählten Wortzeile immer kleiner war als die, die zum Herbeiführen einer Zustands-' änderung nötig war; daher war 2 : 1 das beste zu erreichende Verhältnis. Bei der gleichzeitigen Auswahl der beiden Endien eines Wortzeilenstromkreises gemäß der Erfindung kann ein Verhältnis von 3 : ι erreicht werden; ein noch größeres Verhältnis sogar kann bei der Entnahme erzielt werden. Daher kann die Arbeitsgeschwindigkeit stark erhöht werden, z. B. von etwa 700 Mikrosekunden auf etwa 50 Mikrosekunden.

Fig. 4 zeigt eine Teilschaltung, in der ein Transistor verwendet wird. Der Kern 50 weist die vier Wicklungen 51, 52, 53 und 54 auf. Wenn während einer Aufzeichnung eine negative Spannung an die untere Klemme der Spule 53 angelegt wird, ist die Kollektorelektrode 55 negativ vorgespannt. Wenn dann ein negativer Umschaltimpuls an die Grund,-elektrode 56 des Transistors durch Geben eines Aufzeichnungsimpulses auf die Spule 51 gelegt wird, entsteht eine positive Rückkopplung in den Wicklungen des Kernes 50, die als Transformator arbeiten. Der Spannungsabfall über die Kollektorelektrodenwicklung 53 induziert nämlich eine Spannung in der Grundelektrodenwicklung 52, wodurch die Grundelektrode 56 noch negativer vorgespannt wird. Dadurch kann ein größerer Strom in der Kollektorelektrodenwicklung 53 fließen. Diese positive Rückkopplung hält an, bis der Kern 50 gesättigt ist; dann kann jedoch keine Spannung mehr in der Grundelektroden wicklung 52 induziert werden; die Rückkopplung hört auf. Magnetmotorische Kräfte MMK, die viel größer als H₁ sind, können erzielt werden, und es können Aufzeichnungszeiten von etwa S Mikrosekunden - bei ausgewählten Kernmaterialien und Transistoren erreicht werden.

Ein dreidimensionales Speichersystem unter Verwendung von Transistorrückkopplungsschaltungen ist in Fig. 5 dargestellt. Eine einzelne Wortzeile besteht nach Fig. 5 aus dem Kern 60 in der Z i-Ebene für eine Wortstelle, dem Kern 61 in der Z2-Ebene für eine weitere Wortstelle und dem Kern 62 in der ZiY-Ebene für eine dritte Wortstelle. Durch eine X-Auswahl wird die Röhre 63 leitend, und durch eine Y-Auswahl und die Be¹ ■ tätigung der Aufnahmesteuerschaltung 64 wird die Röhre 65 leitend. Hierdurch fließt ein so starker Strom von dem positiven Pol der Stromquelle durch die Röhre 63, über die Spülen 66, 67 und 68, die Diode 69 und die Röhre 65 zur Erde, daß in den Kernen 60, 61 und 62 eine MMK + H₁ auftritt, die jedoch allein nicht genügt, um den Zustand eines der Kerne zu verändern. Wenn nun nur die Röhre 70 bei der Z-Auswahl· leitend wird, so treten eine negative Spannung an der Kollektorelektrode des Transistors 71 und ein negativer Umschaltimpuls an der Grundelektrodenspule 72 infolge des Impulses über die Spule 6j auf. In diesem Falle wird durch die positive Rückkopplung, wie bereits beschrieben worden ist, der Aufzeichnungsimpuls über die Spule.67 stark vergrößert, so daß eine Zustandsänderung im Kern 61 erzeugt wird. Es wird angenommen, daß die Z-Auswahl die Röhren 73 und 74 nicht erregt, so daß keine Zustandsänderung in den Kernen 60 und 62 stattfindet.

Wenn das in der Wortzeile gespeicherte Wort entnommen werden soll, werden die Röhren 63 und 75 leitend gemacht, so daß das Feld jedes Kernes . in dieser Zeile, der eine binäre 1 gespeichert hat,

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umgekehrt wird, und infolgedessen wird über die Entnahmespule ein Impuls ausgesandt. Beim Laufen des Entnahmeimpulses durch die Spule 77 wird ein Entnahmeimpüls von der Spule 78 weitergeleitet, welche mit allen gleichen Entnahmespulen in derselben Za-Ebene in Reihe geschaltet ist.

Diese Reihenschaltung kann nützlich z. B. als Recheneinheit einer Rechenmaschine verwendet

, werden.

Claims (6)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Schaltungsanordnung für dreidimensionalen Magnetkernspeicher mit in vorgegebenen X-, Y-, Z-Ebenen angeordneten bistabilen Kernen, die zur Speicherung von binär verschlüsselten Informationen, insbesondere Wort- oder Zahlenangaben dienen, zur gleichzeitigen Auswahl einer mehrstelligen Wortzeile, dadurch gekennzeichnet, daß je zwei Wicklungen (30, 31 und 36, 42) aller in Z-Richtung himtereinanderliegenden Kerne (20, 24) in Reihe geschaltet und an beiden Enden dieser Reihenschaltung Auswahleinrichtungen (218, 29) zur Wahl der Z- bzw. F-Ebene und des Aufzeichnungs- oder Entnahmevorgangs (33, 39) angeschlossen sind,

2. Anordnung nac'h Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die oberen Enden aller Reihenschaltungen einer Z-Ebene an die Kathode einer Entladungseinrichtung (34) und die unteren Enden der Reihenschaltungen einer F-Ebene getrennt für Aufzeichnungs- und Entnahmevorgang an die Anode je einer Entladungsvorrichtung (35, 41) angeschlossen sind.

3. Anordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Aufzeichnungs- oder Entnahmevorgang nur die Wicklungen einer Wortzeile von einem zur Ummagnetisierung ausreichenden oder diese vorbereitenden Magnetieierungsstrom durchflossen werden.

4. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht umzuschaltenden Kerne der Feldstärke H, die umzuschaltenden Kerne dagegen der Feldstärke 3 H ausgesetzt werden, wo 2 H die Sättigungsfeldstärke und H eine Feldstärke ist, die keine bleibende magnetische Zustandsänderung bewirkt.

5. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erhöhung der Umschaltgeschwindigkeit der Speicherkerne eine Verstärkerschaltung mit positiver Rückkopplung an die Speicherkernwicklungen angekoppelt ist.

6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Verstärker ein Transistor dient, der über eine zusätzliche Wicklung des Speicherkerns angekoppelt ist.

In Betracht gezogene Druckschriften:

Proceedings of the I. R. E., April 1952, S. 475 bis 478;

Journal of Applied Physics, Januar 1951, S. 44 bis 48; RCA Review, Juni 1952, S. 183 bis 201.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen