DE829194C

DE829194C - Mit Stromzufuehrungen versehener Halbleiterfotowiderstand

Info

Publication number: DE829194C
Application number: DES342A
Authority: DE
Inventors: Dr Rer Nat Helmut Helbig
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1949-10-29
Filing date: 1949-10-29
Publication date: 1952-01-24

Description

Eingehende Untersuchungen an Halbleiterfotowiderständen ergaben, daß die häufig beobachtete Inkonstanz nicht auf Eigenschaften des Halbleiters, sondern auf unkontrollierbare Schwankungen des lrüergangswiderstandes an den Kontakten der Stromzuführungen zurückzuführen ist.
Dieser Nachteil wird bei dem mit Stromzuführungen versehenen Halbleiterfotowiderstand gemäß der Erfindung in einfacher und auch während langer Betriebsdauer in zuverlässiger Weise dadurch vermieden, daß der Halbleiterfotowiderstand einschließlich seiner Kontakte, erforderlichenfalls mit .Ausnahme einer den Zutritt der Strahlung ermöglichenden Öffnung, in einem hochisolierenden, in organischen Flüssigkeiten lösbaren Kunststoff eingebettet ist. Besonders zweckmäßig ist es, den Halbleiterfotowiderstand zunächst auf einem Träger aus lsolierniaterial einseitig zu befestigen und anschließend mit einem beispielsweise durch Zugabe eines Lösungsmittels plastisch gemachten Isolierring dicht zu umgeben und nachdem Erhärten dieses Einbettungsringes den Halbleiterfotowiderstand mit Kontakten zu versehen und diese mit an dem Träger zuverlässig befestigten Stromzuführungen zu verbinden.
An Hand der Figur, -die, sehr stark vergrößert, ein Ausführungsbeispiel für den Halbleiterfotowiderstand gemäß der Erfindung in schematischer Darstellung wiedergibt, sei zugleich ein bewährtes Herstellungsverfahren erläutert.
Der Halbleiterfotowiderstand, beispielsweise ein Kadmiumsulfideinkristall i, wird zunächst auf eine isolierende Unterlage 2, beispielsweise aus Trolitul, mit Hilfe von in Butylacetat gelöstem Trolitul aufgekittet. Da der Isolationswiderstand eines solchen Troli'tulkörpers größer als 1012 Ohm ist, werden durch die geringfügige Leitfähigkeit des Trolituls die Widerstandsmessungen am Halbleiterfotowiderstand nicht verfälscht, da diese bei den freigekominenen Größen höchstens 1/10o des genannten Wertes aufweisen.

Nach etwa dreitägiger Trocknung bei Zimmertemperatur wird um den Halbleiterfotowiderstand i ein Ring 3 aus gelöstem Trolitul gelegt, go claß der Kadmiumsulfidkristall nunmehr überall mit Ausnahme der Vorderfläche in Isoliermasse so eingebettet ist, daß an den Übergangsstellen keine scharfen Kanten entstehen. Nach abermaliger Trocknung werden Stromanschlüsse 4 auf den

Kristall durch Aufdampfen von Kadmium auf-

gebracht. Durch Verwendung des gleichen Materials

wie im Kristall selbst vermeidet man evtl. auf-

tretende chemische Veränderungen der Berührungs-

fläche. An den Gewindelöcher» des Kristallträgers 2

werden zweckmäßig Kontaktstreifen oder Anschluß-

falirien 5, beispielsweise aus @lessirig, angeschraubt.

Danach überzieht man beispielsweise finit einem

Stäbchen die gesamte Vorderfläche mit einem Häut-

chen 6 aus gelöstem Trolittil. Diese Sclititzliaut ver-

bindet sich auch an den Seiten sehr innig mit der

I?nterlage aus gleichem \Verkstoff, so daß der I-lall>-

leiterfotowiderstand nach Trocknung des Häutchens

allseitig eingebettet ist. Das I läutchen paßt sich der

Oberflächenform genau an und Bildet daher einen

beachtlichen Schutz der empfindlichen Teile. Sollte

das zum Einbetten benutzte Isoliermaterial die

Strahlung, die auf den Halbleiterfotowiderstand

zur Einwirkung gebracht werden :oll, so stark ab-

sorbieren, daß es nicht möglich ist, aus ihr eine

Schutzschicht so diiiin herzustellen, daß der Ab-

sorptionsverlust in Kauf genommen werden kann,

wird man in der Einbettung eine Öttnung zum

Durchtritt der Strahlung vorsehen, die erforder-

lichenfalls mit einer Schutzhaut verschlossen wer-

den kann, die die Strahlung des Spektralbereiches,

der zur Einwirkung gelangen soll, weniger absor-

biert als das Material des Trägers. Man erreicht auf

diese Weise ohne merkliche 1@inliuße an Empfind-

lichkeit einen beachtlichen Schutz gegen die Ein-

wirkung von Wasserdampf sowie gegen Säuren und

Dämpfe, die zwar mit <lern Halbleiterfotowider-

stand, aber nicht mit dein organischen Einbettungs-

mittel reagieren.

Claims

PATEN TANSPPLCfi E: i. Mit Stromzuführungen versehener Halbleiterfotowiderstand, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakte und der Halbleiter, erforderlichenfalls mit Ausnahme einer Öffnung für den Zutritt der wirksamen Strahlung, in einen hochisolierenden organischen Kunststoff eingebettet sind.
2. Halbleiterfotowiderstand mit einem aus Kadmiumsulfid bestehenden Halbleiter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakte aus vorzugsweise aufgedämpftem Kadmium bestehen.