Connect public, paid and private patent data with Google Patents Public Datasets

Reinigungszusammensetzung

Info

Publication number
DE69823283T2
DE69823283T2 DE1998623283 DE69823283T DE69823283T2 DE 69823283 T2 DE69823283 T2 DE 69823283T2 DE 1998623283 DE1998623283 DE 1998623283 DE 69823283 T DE69823283 T DE 69823283T DE 69823283 T2 DE69823283 T2 DE 69823283T2
Authority
DE
Grant status
Grant
Patent type
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE1998623283
Other languages
English (en)
Other versions
DE69823283D1 (de )
Inventor
Hidemitsu Minato-ku Aoki
Norio Soka-shi Ishikawa
Kiyoto Soka-shi Mori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanto Chemical Co Inc
NEC Electronics Corp
Original Assignee
Kanto Chemical Co Inc
NEC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02074Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D11/00Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents ; Methods for using cleaning compositions
    • C11D11/0005Special cleaning and washing methods
    • C11D11/0011Special cleaning and washing methods characterised by the objects to be cleaned
    • C11D11/0023"Hard" surfaces
    • C11D11/0047Electronic devices, e.g. PCBs, semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/26Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265Carboxylic acids; Salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3245Aminoacids
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26Cleaning or polishing of the conductive pattern

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • [0001]
    Die Erfindung betrifft eine Reinigungslösung und insbesondere eine Reinigungslösung zum Entfernen von metallischen Verunreinigungen von Substraten, an die eine metallische Verdrahtung angebracht wurde.
  • [0002]
    Insbesondere betrifft die Erfindung eine Reinigungslösung für Substrate mit einer metallischen Verdrahtung, die nach einem chemischen mechanischen Polier (CMP)-Verfahren bei einer Halbleiterherstellung verwendet wird.
  • [0003]
    Ein Trend für eine höhere Integration von ICs brachte den Bedarf für eine strikte Verunreinigungssteuerung mit sich, da spurenhafte Verunreinigungen eine beträchtliche Wirkung auf die Eigenschaften und Ausbeute von Vorrichtungen aufweisen. Das bedeutet, dass die Konzentration an metallischen Verunreinigungen auf der Substratoberfläche auf oder unter 1010 Atome/cm2 begrenzt werden muss. Für diesen Zweck werden verschiedene Arten an Reinigungslösungen in den verschiedenen Verfahren einer Halbleiterherstellung verwendet.
  • [0004]
    Im Allgemeinen werden gemischte Lösungen aus Schwefelsäure-wässrigem Wasserstoffperoxid, wässrigem Ammoniak-wässrigem Wasserstoffperoxid-Wasser (SC-1), Chlorwasserstoffsäure-wässrigem Wasserstoffperoxid-Wasser (SC-2), verdünnter Fluorwasserstoffsäure, usw. als Reinigungslösungen für Halbleitersubstrate verwendet und abhängig von dem Zweck kann jede Reinigungslösung alleine oder zusammen mit anderen Reinigungslösungen verwendet werden. Auf der anderen Seite beschreibt, da in den letzten Jahren eine CMP-Technologie in Halbleiterherstellungsverfahren für die Planarisierung der Isolationsschicht, der Planarisierung der Kontaktlöcher, für eine Damaszierungsverdrahtung, usw. eingebracht wurde, z.B. die monatliche Veröffentlichung Semiconductor World, Seite 92, 3, 1997, die Verwendung einer wässrigen Lösung von Citronensäure und die WO 96/26538 beschreibt die Verwendung einer wässrigen Lösung von Citronensäure oder von Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA), usw., zusammen mit Fluorwasserstoff für den Zweck eines Entfernens der metallischen Verunreinigungen, die durch die Substratoberfläche nach einem CMP-Verfahren adsorbiert werden. Ferner werden in der JP-A-H10-72594 (EP-A-812011), eingereicht vor und veröffentlicht nach dem Prioritätstag der vorliegenden Anmeldung, eine Reinigungslösung mit einer organischen Säure wie Citronensäure, usw. und eine Komplexierungslösung beschrieben.
  • [0005]
    Da die wässrigen Lösungen, wie vorstehend beschrieben, die im Allgemeinen als eine Reinigungslösung zum Reinigen einer Substratoberfläche, an die eine metallische Verdrahtung angebracht wurde, verwendet werden, oxidierbare und gleichzeitig stark saure oder stark alkalische Flüssigkeiten sind, wird das auf dieser Substratoberfläche exponierte Metall natürlich korrodiert (durch Ätzen) und, sogar wenn das Metall durch eine Isolierungsschicht, usw. bedeckt ist, wird das Metall korrodiert werden, wenn die Reinigungslösung die Schicht durchdringt. Folglich gibt es Fälle, bei denen diese Reinigungslösungen in Halbleiterherstellungsverfahren nicht verwendet werden können. Es ist z.B. unmöglich, solche Reinigungslösungen mit einem angewendeten CMP-Verfahren wie der Schichtverbindungstechnologie, die als W (Wolfram)-Verbindungsverfahren bekannt ist, das kürzlich viel Aufmerksamkeit erhalten hat, usw. zu verwenden.
  • [0006]
    Im Allgemeinen ist Metall-CMP eine Technologie zum Planarisieren einer Schicht durch Polieren der Zwischenisolierungsschicht und des metallischen Materials durch gleichzeitige Verwendung der chemischen und physikalischen Wirkungen, wenn ein Wafer gegen ein Gewebe, das Polierscheibe genannt wird, gepresst und rotiert wird, während eine Aufschlämmung zugeführt wird, die ein Gemisch von groben Partikeln und Chemikalien ist. Jedoch besteht ein Problem darin, dass als ein Ergebnis des Polierverfahrens eine große Anzahl von metallischen Verunreinigungen an die Oberfläche der Siliciumoxidschicht, usw. adsorbiert wird. Folglich wird eine Reinigungslösung für ein wirksames Entfernen solcher metallischer Verunreinigungen benötigt.
  • [0007]
    Insbesondere wird mit W-CMP eine Aufschlämmung von Tonerde-Eisen(III)-nitrat im Allgemeinen verwendet, die ausgezeichnete Eigenschaften hinsichtlich Poliergeschwindigkeit und Bearbeitungspräzision aufweist. Jedoch entsteht das Problem, dass eine große Menge an Fe an die exponierte Oberfläche der Siliciumoxidschicht nach Entfernung der Wolfram-Deckschicht adsorbiert wird, da Eisen(III)-nitrat als Oxidationsmittel verwendet wird. Da eine hohe Konzentration an Eisen(III)-nitrat verwendet wird, ist die Fe-Oberflächenkonzentration, die an die Oberfläche der Siliciumoxidschicht adsorbiert wird, mit 1014 Atomen/cm2 oder mehr extrem hoch. Außerdem stellt eine sekundäre Verunreinigung der Wafer-Herstellungslinie auch ein Problem dar. Folglich ist es bevorzugt, dass das Fe, das an das Substrat während des CMP-Verfahrens adsorbiert wird, auf eine Konzentration von 1010 Atomen/cm2 vor der Übergabe an das nächste Verfahren entfernt werden soll. Obwohl man hoffen kann, die metallischen Verunreinigungen mit Reinigungslösungen mit dem Fluorwasserstoff gemäß dem vorstehend beschriebenen Stand der Technik zu entfernen, ist es unmöglich, das Problem einer Metallkorrosion und des Ätzens der Zwischenisolierungsschicht zu lösen.
  • [0008]
    Auf der anderen Seite, wenn ein Verfahren unter Verwendung einer wässrigen Lösung an Citronensäure gemäß dem vorstehend beschriebenen Stand der Technik als eine Reinigungslösung nach dem W-Verbindungs-CMP-Verfahren, usw. angewendet wird, um das Problem einer Metallkorrosion zu lösen, und obwohl die Korrosion des Metalls nach dem Reinigungsverfahren mit einer wässrigen Lösung an Citronensäure vermieden werden kann, beträgt die Fe-Konzentration der Substratoberfläche etwa 1013 Atome/cm2, was in keiner Weise ausreichend ist.
  • [0009]
    Da eine hohe Konzentration von 20 bis 30% nötig ist, um eine adäquate Reinigungswirkung mit einer Reinigungslösung, die Citronensäure verwendet, zu erhalten, erhöhen sich außerdem die Umweltbelastungen aufgrund von Flüssigkeitsentsorgung, usw., und die Lagerfähigkeit wird auch ein Problem, da sich die Neigung einer Schimmelbildung erhöht.
  • [0010]
    Folglich ist ein Mittel zum Lösen der vorstehend beschriebenen Probleme in einer umfassenden Weise gegenwärtig nicht bekannt.
  • [0011]
    Folglich ist das erfindungsgemäße Ziel, eine Reinigungslösung zum Reinigen eines Substrats nach Bestücken mit einer metallischen Verdrahtung bereitzustellen, die zum leichten und wirksamen Entfernen von metallischen Verunreinigungen auf einer Substratoberfläche fähig ist, ohne eine Korrosion des Metalls zu bewirken und ohne ein Problem für die Umwelt oder die Lagerfähigkeit zu erzeugen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • [0012]
    Als ein Ergebnis einer ausführlichen Untersuchung, um das vorstehend beschriebene Ziel zu erreichen, haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung festgestellt, dass eine Reinigungslösung, die im Wesentlichen aus
    • (a) mindestens einem Mitglied, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Oxalsäure und Ammoniumoxalat,
    • (b) 0,0001-0,1 Gew.-% mindestens eines Mitglieds, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Ethylendiamintetraessigsäure, trans-1,2-Cyclohexandiamintetraessigsäure, Nitrilotriessigsäure, Diethylentriaminpentaessigsäure, N-(2-Hydroxyethyl)ethylendiamin-N,N',N'-triessigsäure und ihren Ammoniumsalzen, und
    • (c) Wasser
    besteht und keinen Fluorwasserstoff enthält, gut zum Reinigen von Halbleitersubstraten und insbesondere gut zum Entfernen von metallischen Verunreinigungen ist, die an den Wafer nach einem CMP-Verfahren adsorbiert sind. Das heißt, die Erfindung betrifft eine Reinigungslösung zum Reinigen eines Substrats nach Bestücken mit einer metallischen Verdrahtung. Die Oxalsäure, das Ammoniumoxalat oder die Polyaminocarbonsäuren können erfindungsgemäß zum Entfernen von Fe verwendet werden, da sie einen Komplex mit Fe bilden und da sie hohe Stabilitätskonstanten aufweisen, jedoch kann unter Verwendung von Oxalsäure und/oder Ammoniamoxalat zusammen mit Polyaminocarbonsäuren eine besonders gute Reinigungswirksamkeit erhalten werden. Es wird angenommen, dass die Reinigungswirksamkeit erhöht wird, da Fe einen dreidimensionalen Komplex, der eine verbesserte Löslichkeit aufweist, mit Oxalsäure und einer Polyaminocarbonsäure bildet.
  • [0013]
    Außerdem ist die erfindungsgemäße Reinigungslösung auch zum Entfernen anderer metallischer Verunreinigungen, z.B. Mn, Al, Ce, usw., die von der Aufschlämmung stammen, wirksam. Die Gründe dafür sind:
    • 1) Komplexe, die zwischen Mn und Oxalsäure ausgebildet werden, weisen eine hohe Stabilitätskonstante auf und deren Salze weisen eine hohe Löslichkeit in wässrigen Lösungen von Oxalsäure auf,
    • 2) Komplexe, die zwischen Al und Oxalsäure ausgebildet werden, weisen im Vergleich zu Komplexen, die mit Citronensäure ausgebildet werden, extrem hohe Stabilitätskonstanten auf, und
    • 3) Ce bildet stabile Komplexe mit Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA) aus und sein Oxalat ist in wässrigen Alkalilösungen vor EDTA leicht löslich.
  • [0014]
    Folglich zeigt die erfindungsgemäße Reinigungslösung eine adäquate Wirkung hinsichtlich nicht nur Eisen, sondern auch hinsichtlich anderer metallischer Verunreinigungen, die aus der Aufschlämmung stammen.
  • [0015]
    Obgleich die erfindungsgemäße Reinigungslösung eine saure Flüssigkeit ist, weist sie außerdem die wünschenswerte Eigenschaft auf, Metalle wie Aluminium, Aluminiumlegierungen, Kupfer, Wolfram, Titan, Titannitrid, usw. nicht zu korrodieren. Folglich ist die Erfindung zum Entfernen von metallischen Verunreinigungen, die an eine Substratoberfläche nach einem CMP-Verfahren adsorbiert werden, und nach Bestücken mit einer metallischen Verdrahtung auf das Substrat wirksam, ungeachtet, ob Metall an der Oberfläche exponiert ist oder nicht, da keine Gefahr besteht, dass das Metall korrodiert wird, und sie ist ferner zum Entfernen von metallischen Verunreinigungen, die auf dem Substrat verbleiben, wirksam, ohne die Metallverdrahtung eines gedruckten Schaltkreises, der elektronische Komponenten umfasst, und die metallische Verdrahtung einer Damaststruktur anzuätzen.
  • [0016]
    Ferner zeigt die erfindungsgemäße Reinigungslösung im Vergleich zu Reinigungslösungen von Citronensäure eine ausreichende Reinigungswirksamkeit bei nur 1/10 der Konzentration. Auch besteht keine Gefahr einer Schimmelbildung und die Umweltbelastung wird auch größtenteils vermindert.
  • [0017]
    Die Konzentration an Oxalsäure oder Ammoniumoxalat in der erfindungsgemäßen Reinigungslösung zum Reinigen eines Substrats nach Bestücken mit einer metallischen Verdrahtung beträgt 0,1 bis 10 Gew.-% und vorzugsweise 1,0 bis 6 Gew.-%.
  • [0018]
    Wenn die Konzentration an Oxalsäure zu niedrig ist, ist die Reinigungswirkung nicht ausreichend, aber mit einer hohen Konzentration kann keine Wirkung entsprechend der Konzentration erhofft werden und es besteht auch die Gefahr einer Kristallisation.
  • [0019]
    Ferner sind die Polyaminocarbonsäureverbindungen, die in der erfindungsgemäßen Reinigungslösung verwendet werden, Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA), trans-1,2-Cyclohexandiamintetraessigsäure (CyDTA), Nitrilotriessigsäure (NTA), Diethylentriaminpentaessigsäure (DTPA), N-(2-Hydroxyethyl)ethylendiamin-N,N',N' triessigsäure (EDTA-OH) und deren Ammoniumsalze. Im Allgemeinen werden diese Verbindungen als freie Säuren oder in der Form von Ammoniumsalzen verwendet. Jedoch sind freie Säuren zum Einstellen von Lösungen mit hohen Konzentrationen nicht geeignet, da sie eine geringe Löslichkeit in Wasser oder in Säure aufweisen. Folglich müssen wasserlösliche Ammoniumsalze zum Einstellen von Lösungen mit hohen Konzentrationen ohne Metalle verwendet werden, die keine nachteilige Wirkung auf die Eigenschaften während des Halbleiterherstellungsverfahrens aufweisen.
  • [0020]
    Die Konzentration an Polyaminocarbonsäure beträgt 0,0001 bis 0,1 Gew.-% und vorzugsweise 0,01 bis 0,1 Gew.-%. Wenn die Konzentration niedrig ist, ist die Reinigungswirkung nicht ausreichend, aber, wenn sie zu hoch ist, kann auf eine Wirkung entsprechend der Konzentration nicht erhofft werden. Außerdem beträgt der pH-Wert der Reinigungslösung 3 bis 5.
  • [0021]
    Im Nachstehenden wird die Erfindung durch Beispiele zusammen mit Vergleichsbeispielen erläutert, aber die Erfindung ist nicht auf solche Beispiele begrenzt.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • [0022]
    Die Fe-Konzentration der Oberfläche eines Silicium-Wafers mit einer Oxidschicht, die zuvor dadurch verunreinigt wurde, dass sie in eine wässrige Lösung an Eisen(III)-nitrat getaucht worden war, wurde mit einem Totalreflexionsröntgen-Fluoreszenz-Instrument (Technos Co., Ltd., TREX 610T) gemessen. Sodann wurden 200 g Citronensäure in 800 g Wasser gelöst und zum Reinigen des Wafers als eine 20 Gew.-%ige wässrige Lösung bei 40°C 3 Minuten verwendet und nach Spülen und Trocknen wurde die Fe-Konzentration an der Wafer-Oberfläche wieder gemessen und die Fe-Entfernungskapazität wurde bewertet (Tabelle 4).
  • Vergleichsbeispiel 2 (Oxalsäurekonzentration und Entfernungskapazität)
  • [0023]
    Reinigungslösungen mit 0,1, 1,0 bzw. 3,4 Gew.-% wurden dadurch hergestellt, dass Oxalsäure in Wasser gelöst wurde. Nach Verwendung jeder Reinigungslösung wie in Vergleichsbeispiel 1 bei 40°C für 3 Minuten wurde die Fe-Entfernungskapazität bewertet (Tabelle 1).
  • Tabelle 1
  • Vergleichsbeispiel 3 (Behandlungstemperatur und Entfernungskapazität)
  • [0024]
    Eine 3,4 Gew.-%ige wässrige Lösung, die durch Lösen von 34 g Oxalsäure in 966 g Wasser hergestellt wurde, wurde als eine Reinigungslösung verwendet, die Behandlungstemperatur wurde auf 23, 30 bzw. 40°C eingestellt und nach Verwenden der Reinigungslösung wie in Vergleichsbeispiel 1 für 3 Minuten wurde die Fe-Entfernungskapazität bewertet (Tabelle 2).
  • [0025]
    Tabelle 2
  • Vergleichsbeispiel 4 (pH-Wert und Entfernungskapazität)
  • [0026]
    Reinigungslösungen mit einem pH-Wert von 3,0, 4,0, 5,0 bzw. 6,5 wurden dadurch hergestellt, dass Ammoniak zu einer wässrigen Lösung an 3,4 Gew.-% Oxalsäure gegeben wurde. Nach Verwenden jeder Reinigungslösung wie in Vergleichsbeispiel 1 bei 40°C für 3 Minuten wurde die Fe-Entfernungskapazität bewertet (Tabelle 3).
  • Tabelle 3
  • Vergleichsbeispiel 5
  • [0027]
    Eine 3,4 Gew.-%ige wässrige Lösung an Ammoniumoxalat wurde als eine Reinigungslösung hergestellt und nach Verwenden dieser Reinigungslösung wie in Vergleichsbeispiel 1 bei 40°C für 3 Minuten wurde die Fe-Entfernungskapazität bewertet (Tabelle 4).
  • Vergleichsbeispiel 6
  • [0028]
    Eine gemischte Lösung an Oxalsäure und Ammoniumoxalat, die durch Lösen von 5,0 g Oxalsäure und 29 g Ammoniumoxalat in 966 g Wasser hergestellt wurde, wurde als eine Reinigungslösung wie in Vergleichsbeispiel bei 40°C für 3 Minuten verwendet, worauf die Fe-Entfernungskapazität bewertet wurde (Tabelle 4).
  • Beispiel 1
  • [0029]
    Eine wässrige Lösung, die durch Lösen von 34 g Oxalsäure und 0,1 g Ethylendiamintetraessigsäure in 965,9 g Wasser hergestellt wurde, wurde als eine Reini gungslösung wie in Vergleichsbeispiel 1 bei 40°C für 3 Minuten verwendet, worauf die Fe-Entfernungskapazität bewertet wurde (Tabelle 4).
  • Beispiel 2
  • [0030]
    Eine wässrige Lösung, die durch Lösen von 34 g Oxalsäure und 0,1 g trans-1,2-Cyclohexandiamintetraessigsäure in 965,9 g Wasser hergestellt wurde, wurde als eine Reinigungslösung wie in Vergleichsbeispiel 1 bei 40°C für 3 Minuten verwendet, worauf die Fe-Entfernungskapazität bewertet wurde (Tabelle 4).
  • Vergleichsbeispiel 7
  • [0031]
    Eine wässrige Lösung, die durch Lösen von 0,1 g Ethylendiamintetraessigsäure in 999,9 g Wasser hergestellt wurde, wurde als eine Reinigungslösung wie in Vergleichsbeispiel 1 bei 40°C für 3 Minuten verwendet, worauf die Fe-Entfernungskapazität bewertet wurde (Tabelle 4).
  • [0032]
    Die Ergebnisse der Vergleichsbeispiele 1 und 5 bis 7 und der Beispiele 1 bis 2 sind in Tabelle 4 gezeigt.
  • Tabelle 4
  • Vergleichsbeispiel 8 (Ätzfähigkeit hinsichtlich verschiedener Metalle)
  • [0033]
    Substrate mit Schichten von verschiedenen Metallen wurden in eine 3,4%ige wässrige Lösung an Oxalsäure und eine 10%ige wässrige Lösung an Citronensäure bei 40°C für 60 Minuten getaucht und nach Spülen und Rotationstrocknen wurde die Dicke der Metallschicht mit einem Fluoreszenz-Röntgenstrah lungsinstrument gemessen, um die Menge zu bestimmen, um die die Schichtdicke vermindert wurde (Tabelle 5).
  • Tabelle 5

Claims (8)

  1. Reinigungslösung zum Reinigen von Halbleitersubstraten, an die eine metallische Verdrahtung angebracht wurde, im Wesentlichen bestehend aus: (a) mindestens einem Mitglied, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Oxalsäure und Ammoniumoxalat, (b) 0,0001-0,1 Gew.-% mindestens eines Mitglieds, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Ethylendiamintetraessigsäure, trans-1,2-Cyclohexandiamintetraessigsäure, Nitrilotriessigsäure, Diethylentriaminpentaessigsäure, N-(2-Hydroxyethyl)ethylendiamin-N,N',N'-triessigsäure und ihren Ammoniumsalzen, und (c) Wasser, jedoch ohne Fluorwasserstoff.
  2. Reinigungslösung nach Anspruch 1, wobei die Lösung 0,1-10 Gew.-% des Bestandteils (a) umfasst.
  3. Reinigungslösung nach Anspruch 2 für eine Verwendung bei Raumtemperatur,
  4. Reinigungslösung nach Anspruch 1, die Polyaminocarbonsäure umfasst und einen pH-Wert von 3 bis 5 aufweist.
  5. Reinigungslösung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 für eine Verwendung nach einem chemisch-mechanischen Polieren der Substrate.
  6. Reinigungslösung nach Anspruch 5 für eine Verwendung für Substrate, an deren Oberfläche das Metall nach dem chemisch-mechanischen Polieren exponiert ist.
  7. Reinigungslösung nach Anspruch 5 für eine Verwendung für Substrate, an deren Oberfläche das Metall nach dem chemisch-mechanischen Polieren nicht exponiert ist.
  8. Reinigungslösung nach Anspruch 5 für eine Verwendung für Metallstecker nach dem chemisch-mechanischen Polieren.
DE1998623283 1997-08-12 1998-08-11 Reinigungszusammensetzung Active DE69823283T2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22894397 1997-08-12
JP22894397 1997-08-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE69823283T2 true DE69823283T2 (de) 2005-04-28

Family

ID=16884291

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1998623283 Active DE69823283T2 (de) 1997-08-12 1998-08-11 Reinigungszusammensetzung
DE1998623283 Active DE69823283D1 (de) 1997-08-12 1998-08-11 Reinigungszusammensetzung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1998623283 Active DE69823283D1 (de) 1997-08-12 1998-08-11 Reinigungszusammensetzung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6080709A (de)
CN (1) CN1203163C (de)
DE (2) DE69823283T2 (de)
EP (1) EP0897975B1 (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6755989B2 (en) * 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6896826B2 (en) 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6231677B1 (en) * 1998-02-27 2001-05-15 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Photoresist stripping liquid composition
US6332988B1 (en) 1999-06-02 2001-12-25 International Business Machines Corporation Rework process
US6419554B2 (en) * 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
US6436302B1 (en) * 1999-08-23 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Post CU CMP polishing for reduced defects
JP3307375B2 (ja) * 1999-10-04 2002-07-24 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6592433B2 (en) * 1999-12-31 2003-07-15 Intel Corporation Method for defect reduction
JP4821082B2 (ja) * 2000-03-21 2011-11-24 和光純薬工業株式会社 半導体基板洗浄剤及び洗浄方法
US6627546B2 (en) 2001-06-29 2003-09-30 Ashland Inc. Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor
JP3787085B2 (ja) 2001-12-04 2006-06-21 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣除去液組成物
EP1336650B1 (de) * 2002-02-19 2007-10-31 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Waschflüssigkeitzusammensetzung für ein Halbleitersubstrat
US20040038840A1 (en) * 2002-04-24 2004-02-26 Shihying Lee Oxalic acid as a semiaqueous cleaning product for copper and dielectrics
JP4221191B2 (ja) * 2002-05-16 2009-02-12 Necエレクトロニクス株式会社 Cmp後洗浄液組成物
JP4752270B2 (ja) * 2002-11-08 2011-08-17 和光純薬工業株式会社 洗浄液及びそれを用いた洗浄方法
JP4375991B2 (ja) * 2003-04-09 2009-12-02 関東化学株式会社 半導体基板洗浄液組成物
WO2004109788A1 (ja) 2003-06-04 2004-12-16 Kao Corporation 剥離剤組成物およびこれを用いた剥離洗浄方法
US8007593B2 (en) * 2005-07-21 2011-08-30 Kao Corporation Remover compositions
KR20090073376A (ko) * 2007-12-31 2009-07-03 삼성전자주식회사 위상 반전 마스크 세정용 조성물, 위상 반전 마스크의 세정방법 및 위상 반전 마스크의 제조 방법
WO2010118206A3 (en) * 2009-04-08 2011-01-13 Sunsonix Process and apparatus for removal of contaminating material from substrates
CN102686786B (zh) * 2009-11-23 2016-01-06 梅特康有限责任公司 电解质溶液和电抛光方法
CN102782113A (zh) * 2010-03-05 2012-11-14 朗姆研究公司 用于镶嵌工艺侧壁聚合物的清洗溶液
WO2011158634A1 (ja) 2010-06-18 2011-12-22 三菱瓦斯化学株式会社 銅層及びモリブデン層を含む多層構造膜用エッチング液
US8580103B2 (en) 2010-11-22 2013-11-12 Metcon, Llc Electrolyte solution and electrochemical surface modification methods
JP6066552B2 (ja) 2011-12-06 2017-01-25 関東化學株式会社 電子デバイス用洗浄液組成物
JP5968438B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-10 三井化学株式会社 半導体装置及びその製造方法並びにリンス液

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209418A (en) * 1978-07-18 1980-06-24 Union Carbide Corporation Gelatin benzimidazole blends as inhibitors for carboxylic acids
US4226640A (en) * 1978-10-26 1980-10-07 Kraftwerk Union Aktiengesellschaft Method for the chemical decontamination of nuclear reactor components
CA1136398A (en) * 1979-12-10 1982-11-30 William A. Seddon Decontaminating reagents for radioactive systems
US4357254A (en) * 1981-01-12 1982-11-02 Chemical Sciences, Inc. Cleaning composition
US4452643A (en) * 1983-01-12 1984-06-05 Halliburton Company Method of removing copper and copper oxide from a ferrous metal surface
US4822854A (en) * 1987-09-23 1989-04-18 The Drackett Company Cleaning compositions containing a colorant stabilized against fading
US5154197A (en) * 1990-05-18 1992-10-13 Westinghouse Electric Corp. Chemical cleaning method for steam generators utilizing pressure pulsing
US5108514A (en) * 1991-02-08 1992-04-28 Kisner Kim T In-situ method for cleaning swimming pools without draining the water
US5489735A (en) * 1994-01-24 1996-02-06 D'muhala; Thomas F. Decontamination composition for removing norms and method utilizing the same
FR2722511B1 (fr) * 1994-07-15 1999-04-02 Ontrak Systems Inc Procede pour enlever les metaux dans un dispositif de recurage
DE69733102T2 (de) * 1996-06-05 2006-03-02 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Reinigungsmittel
US5759437A (en) * 1996-10-31 1998-06-02 International Business Machines Corporation Etching of Ti-W for C4 rework

Also Published As

Publication number Publication date Type
EP0897975A1 (de) 1999-02-24 application
DE69823283D1 (de) 2004-05-27 grant
CN1210886A (zh) 1999-03-17 application
US6080709A (en) 2000-06-27 grant
EP0897975B1 (de) 2004-04-21 grant
CN1203163C (zh) 2005-05-25 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4713144A (en) Composition and method for stripping films from printed circuit boards
US20100276152A1 (en) Acidic aqueous solution containing a chelating agent and the use thereof
US5035749A (en) Process for removing tin and tin-lead alloy from copper substrates
US20070029519A1 (en) Surface treating solution for fine processing of glass base plate having a plurality of components
EP0812011A2 (de) Reinigungsmittel
EP0560324A1 (de) Reinigungsflüssigkeit für Halbleitersubstrate
EP0905796B1 (de) Verfahren zur herstellung von Silicium
US6080709A (en) Cleaning solution for cleaning substrates to which a metallic wiring has been applied
US5472513A (en) Cleaning method for semiconductor substrate
US5064481A (en) Use or organic acids in low residue solder pastes
EP0702399A1 (de) Verfahren zum nasschemischen Entfernen von Kontaminationen auf Halbleiterkristalloberflächen
JPH11116984A (ja) 洗浄剤組成物及び洗浄方法
EP0438727A2 (de) Verfahren zur Nasschemischen Behandlung von Halbleiteroberflächen und Lösung zu seiner Durchführung
US3625908A (en) Composition for cleaning photographic equipment
US5763375A (en) Cleaning agents and cleaning method
DE4100839A1 (de) Waessriges saures bad zur entfernung von zinn- und zinn/blei-schichten von kupferoberflaechen
DE19654791A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
WO1994005766A1 (de) Reinigungsmittel zum reinigen von gedruckten schaltungen und elektronischen bauteilen, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
EP0090960A1 (de) Flussmittel zum maschinellen Weichlöten von Schwermetallen
DE19525521A1 (de) Verfahren zum Reinigen von Substraten
JPH11131093A (ja) 洗浄液
US6592676B1 (en) Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate
KR20060066349A (ko) 알루미늄, 니켈, 첨가금속으로 구성된 단일금속 합금막식각액 조성물
DE102008040231A1 (de) Polykristalliner Siliciumbruch hoher Reinheit und Reinigungsverfahren zu seiner Herstellung
KR20040074611A (ko) 세정액 및 이를 이용한 세정방법