DE69716906T2

DE69716906T2 - Organische elektrolumineszente vorrichtung

Info

Publication number: DE69716906T2
Application number: DE69716906T
Authority: DE
Inventors: Chishio Hosokawa; Masahide Matsuura; Hiroshi Tokailin
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1996-05-29
Filing date: 1997-05-29
Publication date: 2003-03-20
Anticipated expiration: 2017-05-30
Also published as: JP3224396B2; EP0907304A1; US6280861B1; EP0907304B1; DE69716906D1; WO1997046054A1; EP0907304A4

Description

TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung betrifft organische Elektrolumineszenz- Vorrichtungen (Elektrolumineszenz wird im folgenden als "EL abgekürzt) und organische EL-Anzeigefelder unter Verwendung der organischen EL- Vorrichtung(en) als Pixel.

TECHNISCHER HINTERGRUND

Eine EL-Vorrichtung ist eine selbstemittierende Vorrichtung, so dass sie eine hohe Sichtbarkeit aufweist. Weiterhin ist sie eine vollständig feste Vorrichtung und besitzt daher eine ausgezeichnete Schockbeständigkeit, Da die EL-Vorrichtung diese Merkmale aufweist, wurden eine Anzahl von anorganischen EL-Vorrichtungen unter Verwendung einer anorganischen Verbindung als lichtemittierendes Material und eine Anzahl von organischen EL-Vorrichtungen unter Verwendung einer organischen Verbindung als lichtemittierendes Material (diese Verbindung wird im folgenden als "organisches lichtemittierendes Material" bezeichnet) vorgeschlagen, und Versuche wurden unternommen, diese praktisch zu nutzen.
Unter den obigen Vorrichtungen ermöglicht es die organische EL- Vorrichtung die angelegte Spannung in hohem Ausmaß zu verringern, verglichen mit einer anorganischen EL-Vorrichtung, und Untersuchungen wurden und werden daher aktiv hinsichtlich der Entwicklung und der Verbesserung der Materialien unternommen, um organische EL- Vorrichtungen mit höherer Leistungsfähigkeit zu erhalten. Die organische EL-Vorrichtung wird als Oberflächen-Lichtquelle verwendet, und da Vorrichtungen, die verschiedene Farben des Lichtes emittieren, entwickelt wurden, wird sie auch in Anzeigeeinheiten als Pixel verwendet, In einer Anzeigeeinheit unter Verwendung einer EL-Vorrichtung als Pixel sind die Pixel, die durch die organische EL-Vorrichtungen gebildet werden, zweidimensional auf einer Ebene angeordnet, um eine Tafel bzw. ein Feld zu bilden (organisches EL-Anzeigefeld), und die organischen EL-Vorrichtungen (Pixel), die das organische EL-Anzeigefeld bilden, werden unabhängig betrieben, um der Einheit die gewünschte Anzeige zu erlauben.
Eine organische EL-Vorrichtung ist im allgemeinen auf einem Substrat gebildet, und bei dem Basisaufbau einer organischen EL- Vorrichtung des Typs, der die Substratseite als Oberfläche verwendet, durch die das Licht austritt, ist eine Anode (transparente Elektrode) auf dem Substrat gebildet und eine lichtemittierende Schicht und eine Kathode werden nachfolgend gebildet. Zur Verbesserung der Leistung der Vorrichtung wird eine Defektelektronen-Injektionsschicht zwischen der Anode und der lichtemittierenden Schicht bereitgestellt und eine Elektronen-Injektionsschicht in einigen Fällen wird zwischen der Kathode und der lichtemittierenden Schicht bereitgestellt, Das Material für die obige transparente Elektrode (Anode) wird ausgewählt aus transparenten Elektrodenmaterialien mit einem Oberflächenwiderstand von ungefähr 15 Ω/ oder mehr wie kristallinem ITO, ZnO : Al und ähnlichen. Wenn die aus die obigem Material gebildete transparente Elektrode verwendet wird, um z. B. eine organische EL- Anzeigetafel vom X-Y-Matrixtyp zu bilden, muss die transparente Elektrode eine relativ hohe Dicke aufweisen, so hoch wie ungefähr 200 nm oder mehr, und der elektrische Widerstand der transparenten Elektroden-Verbindung erfordert ungefähr 10 KΩ oder weniger, um eine Abnahme der Anzeigeleistung, die durch einen Spannungsabfall verursacht wird, einen Anstieg des Stromverbrauchs und einen Anstieg der RC-Zeitkonstante zu verhindern.
Die Verwendung der obigen dicken transparenten Elektrode (transparenten Elektroden-Leitung) verursacht jedoch Probleme, indem (a) die Vorrichtung einen Kurzschluss verursacht, infolge der Höhenniveaudifferenz der Kante der transparenten Elektrode (Höhenniveaudifferenz zwischen der oberen Oberfläche der transparenten Elektrode und der Oberfläche des Substrates), und dadurch, dass (b) ein organischer Einzelschichtanteil oder ein organischer Mehrschichtanteil oder eine Gegenelektrode, die auf dem organischen Einzelschichtanteil oder dem organischen Mehrschichtanteil laminiert ist, unter dem Bruch einer Leitung (der Bruch einer Leitung wird im folgenden als "Höhenniveaudifferenz-induzierter Bruch" bezeichnet) leidet, um einen Punktdefekt oder einen Leitungsdetekt auf dem Bild zu verursachen.
Wenn die Dicke der transparenten Elektrode auf ungefähr 200 nm oder mehr in der transparenten Elektrode, die aus dem obigen transparenten Elektrodenmaterial gebildet ist, erhöht wird, wird die Ebenheit der transparenten Elektrodenoberfläche beeinträchtigt. Wenn ein organischer Einzelschicht-Anteil oder ein organischer Mehrschicht- Anteil und eine Gegenelektrode auf die obige transparente Elektrode laminiert werden, um eine organische EL-Vorrichtung zu erhalten, werden Probleme verursacht, indem (c) die lokale Konkav-Konvex-Form ansteigt, so dass eine hohe Spannung lokal während des Betriebes verursacht wird, was zu einer Ungleichförmigkeit in der Helligkeit führt und folglich zu einer beschleunigten Verschlechterung der Vorrichtung, so dass die Stabilität der Lichtemission abnimmt und (d) indem die Kristallisation der organischen Verbindung, die den organischen Einzelschicht-Anteil oder den organischen Mehrschicht-Anteil bildet, beschleunigt wird, was zu einer Ungleichförmigkeit der Helligkeit und einer Abnahme der Lichtemissionsfähigkeit führt.
Als Verfahren zur Verhinderung des Höhenniveaudifferenzinduzierten Bruchs, der auf einer anderen Schicht verursacht wird, wenn die andere Schicht auf der transparenten Elektrode gebildet wird, ist ein Verfahren bekannt, das ein Verfahren in einer anorganischen EL- Vorrichtung ist, worin eine Mehrzahl von streifenförmigen Isolierfilmen oder Glasvorsprüngen auf einem Glassubstrat gebildet ist, und eine transparente Elektrode, die nahezu die gleiche Höhe wie die Isolationsfilme aufweist oder die Glasvorsprünge aufweist, zwischen diesen Isolationsfilmen oder Glasvorsprüngen gebildet ist (JP-A-61- 176011).
Auf der anderen Seite ist als Verfahren zur Verhinderung der Kristallisation der organischen Verbindung, die den organischen Einzelschicht-Anteil oder den organischen Mehrschicht-Anteil in der organischen EL-Vorrichtung bildet, ein Verfahren bekannt, bei dem die Oberfläche des transparenten elektrisch leitfähigen Films, die zunächst gebildet wird, poliert wird, bis ihre Ebenheit (10-Punkt Durchschnittsrauheit) 1/10 bis 1/100 der Dicke der lichtemittierenden Schicht (organischer Einzelschicht-Anteil oder organischer Mehrschicht- Anteil) wird, und dann zu einer transparenten Elektrode mit einer vorgegebenen Form gemustert wird (JP-A-4-87187), Bei diesem Verfahren ist Jedoch die Herstellung der transparenten Elektrode und folglich die Herstellung der organischen EL-Vorrichtung kompliziert.
Das Auftreten der oben beschriebenen Probleme (a) bis (d) kann in einem gewissen Ausmaß verhindert werden durch Anwendung einer dünnen transparenten Elektrode mit Dreischichtstruktur wie sie in der JP-A- 2-253593 offenbart ist, d. h. eine dünne transparente Elektrode, worin die Reihenfolge der laminierten Schichten, betrachtet von der Substratseite, eine transparente elektrisch leitende Schicht (Metalloxid), eine dünne Metallschicht und eine transparente elektrisch leitende Schicht (Metalloxidschicht) ist. Eine transparente Elektrode mit einem ähnlichen Schichtaufbau ist auch in der europäischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr. 736913, Spalte 10, Seilen 25 bis 44 beschrieben.
Weiter kann das Auftreten der obigen Probleme (a) bis (d) auch in gewissem Ausmaß verhindert werden durch eine transparente Elektrode (Anode), die in der JP-A-6-5369 beschrieben ist, d. h., eine Elektrode mit Zweischichtstruktur, worin ein erster Anodenanteil, gebildet aus einer transparenten elektrisch leitfähigen Schicht und ein zweiter Anodenanteil, gebildet durch eine dünne Metallschicht mit einer höheren Austrittsarbeit als der des ersten Anodenanteils aufeinanderfolgend laminiert sind von der Substratseite betrachtet, und der erste Anodenanteil eine geringe Dicke aufweist.
Selbst wenn jedoch die obige transparente Elektrode, mit geringer Dicke mit der obigen Struktur einer Mehrzahl von Schichten verwendet wird, ist es wahrscheinlich, dass die obigen Probleme (a) bis (d), insbesondere (a) und (b) auftreten, wenn es erforderlich ist, eine Anzahl von organischen EL-Vorrichtungen wie bei einer organischen EL- Anzeigetafel zu bilden.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNG

Es ist die erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine organische EL-Vorrichtung bereitzustellen, die eine leichte Herstellung einer organischen EL-Anzeigetafel mit hoher Anzeigequalität erlaubt, während eine Verringerung der Anzeigeeigehschaften, verursacht durch Spannungsabfall, einen Anstieg des Stromverbrauchs und ein Anstieg der RC-Zeit-Konstante verhindert wird.
Weiterhin besteht die zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung organischer EL-Anzeigetafeln, die hohe Anzeigequalität erzielen, während eine Abnahme der Anzeigeeigenschaften, verursacht durch Spannungsabfall, einen Anstieg des Stromverbrauchs und ein Anstieg der RC-Zeit-Konstante verhindert wird, und die leicht hergestellt werden können.
Die organische EL-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung für die Lösung der obigen ersten Aufgabenstellung ist eine organische EL- Vorrichtung, worin eine transparente Elektrode auf einem Substrat gebildet wird, ein organischer Einzelschicht-Anteil oder organischer Mehrschicht-Anteil, die mindestens ein organisches lichtemittierendes Material enthalten, auf der transparenten Elektrode gebildet wird, und eine Gegenelektrode auf dem organischen Einzelschicht-Anteil oder dem organischen Mehrschicht-Anteil gebildet wird, wobei die genannte transparente Elektrode eine amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aufweist, einen Oberflächenwiderstand von 12 Ω/ oder weniger, eine Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger und eine Seitenoberfläche mit einer spitz zulaufenden Form aufweist, wobei der genannte organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil auf der genannten amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet sind (die obige EL-Vorrichtung wird im folgenden als organische EL-Vorrichtung I bezeichnet).
Eine weitere organische EL-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung zur Lösung der obigen ersten Aufgabenstellung ist eine organische EL- Vorrichtung, worin eine transparente Elektrode auf einem Substrat gebildet wird, ein organischer Einzelschicht-Anteil oder ein organischer Mehrschicht-Anteil, die mindestens ein organisches lichtemittierendes Material enthalten, auf der transparenten Elektrode gebildet sind, und eine Gegenelektrode auf dem organischen Einzelschicht-Anteil oder dem organischen Mehrschicht-Anteil gebildet ist, wobei die genannte transparente Elektrode eine amorphe elektrisch leitende Oxidschicht, einen Oberflächenwiderstand von 12 Ω/ oder weniger und eine Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger aufweist, und der genannte organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil auf der genannten amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet sind, eine Abflachungsschicht so angeordnet ist, dass sie an die Seitenoberfläche der transparenten Elektrode grenzt, um einen Höhenniveauunterschied zwischen der transparenten Elektrode und der Oberfläche des Substrats zu mildern (die obige organische EL- Vorrichtung wird im folgenden als "organische EL-Vorrichtung II" bezeichnet).
Die organischen EL-Anzeigetafeln der vorliegenden Erfindung zur Lösung der obigen zweiten Aufgabe umfassen eine Mehrzahl von Pixels, die jeweils aus den obigen EL-Vorrichtungen I oder organischen EL- Vorrichtungen II der vorliegenden Erfindung gebildet sind, wobei die Pixels zweidimensional in einer Ebene angeordnet sind.

KURZE BESCHREIBUNG DER ABBILDUNGEN

Abb. 1 ist eine Querschnittsansicht zur Erläuterung des "Winkels, gebildet durch eine Seitenoberfläche der transparenten Elektrode und der Substratoberfläche", wie er in der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
Abb. 2 ist eine Querschnittsansicht zur Erläuterung der "Abflachungsschicht", wie sie in der vorliegenden Erfindung erwähnt wird.

BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSFORMEN DER ERFINDUNG

Arbeitsverkörperungen der vorliegenden Erfindung werden im folgenden detailliert erläutert.
Zunächst wird die organische EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung erläutert. Wie oben beschrieben, ist die organische EL- Vorrichtung I eine organische EL-Vorrichtung, worin eine transparente Elektrode auf einem Substrat gebildet ist, ein organischer Einzelschicht- Anteil oder organischer Mehrschicht-Anteil, die mindestens ein organisches lichtemittierendes Material enthalten, auf der transparenten Elektrode gebildet ist, und eine Gegenelektrode auf dem organischen Einzelschicht-Anteil oder organischen Mehrschicht-Anteil gebildet, ist. Der Aufbau der obigen Vorrichtung per se ist der gleiche wie der Aufbau einer konventionellen organischen EL-Vorrichtung des Typs, der eine Substratseite als Oberfläche verwendet, durch die das Licht austritt.
In der organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung ist die obige transparente Elektrode eine Elektrode mit einer amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht und mit einem Oberflächenwiderstand von 12 Ω/ oder weniger, einer Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger und einer Seitenoberfläche mit einer zugespitzten Form. Der obige organische Einzelschicht-Anteil oder organische Mehrschicht-Anteil ist auf der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet.
Die obige amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht ist bevorzugt eine Schicht, die aus einem amorphen Oxid gebildet ist, das Indium (In), Zink (Zn) und Sauerstoff (O) als Aufbauelemente enthält, und ein Indium- Atomverhältnis, In/(In + Zn) von 0,5 bis 0,9 aufweist (diese amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht wird im folgenden als "In-Zn-O- enthaltende amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht" bezeichnet), eine Schicht, gebildet aus einem amorphen ITO oder eine Schicht, gebildet aus einem amorphen Oxid, das weiterhin ein drittes Metall wie Ga, Al, Sn oder ähnliches zusätzlich zu dem obigen In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxid enthält (siehe JP-A-7-235219).
Die obige In-Zn-O-enthaltende amorphe Oxidschicht kann leicht gebildet werden durch ein Spulten/erfahren unter Verwendung eines vorgegebenen Sputtertargets oder ähnlichem. Weiterhin kann die amorphe ITO-Schicht gebildet werden durch irgend eines der verschiedenen Sputter-Verfahren (DC-Sputtern, RF-Sputtern, DC- Magnetron-Sputtern, RF-Magnetron-Sputtern, ECR-Plasma-Sputtern, Ionenstrahl-Sputtern, etc.) oder ein Ionenplattierverfahren in der gleichen Weise wie bei der Bildung des kristallinen ITO-Films, ausgenommen, dass die Substrat-Temperatur auf 200ºC oder weniger eingestellt wird.
Die transparente Elektrode, die am Aufbau der organischen EL- Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung beteiligt ist, kann eine Elektrode mit einer Einschichtstruktur, gebildet aus der amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht allein sein, oder es kann sich um eine Elektrode mit einer. Zwei- oder Dreischichtstruktur, einschließlich einer dünnen Metallschicht zusätzlich zu der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht handeln. In jedem Fall wird jedoch der Oberflächenwiderstand davon auf 12 Ω/ oder weniger eingestellt. Wenn eine organische EL-Vorrichtung mit einer transparenten Elektrode mit einem Oberflächenwiderstand von mehr als 12 Ω/ verwendet wird, um eine organische EL-Anzeigetafel herzustellen, tritt eine Verringerung der Anzeigeleistung, verursacht durch einen Spannungsabfall, ein Anstieg des Stromverbrauchs und ein Anstieg der RC-Zeit-Konstante ein.
Wenn eine Einschichtstruktur, gebildet aus der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht allein als Schichtstruktur der transparenten Elektrode verwendet wird, kann der Oberflächenwiderstand der transparenten Einschichtstruktur-Elektrode (amorphe elektrische leitfähige Oxidschicht) leicht auf 12 Ω/ oder weniger eingestellt werden durch geeignetes Einstellen der Schichtdicke, abhängig von ihrem spezifischen Widerstand.
Selbst wenn der Oberflächenwiderstand 12 Ω/ oder weniger ist, kann es jedoch sein, dass die Schicht keine Kontinuität erzeugt und manchmal ergibt sie die Form von Inseln, wenn die Schichtdicke zu gering ist. Es ist daher erforderlich, diesem Umstand Beachtung zu schenken. Weiterhin nimmt, wenn die Schichtdicke zu groß ist, die Lichttransmissionsfähigkeit ab. Aus diesem Grund liegt die Dicke der transparenten Elektrode, gebildet durch eine Einzelschicht aus dem amorphen elektrisch leitfähigen Oxid im allgemeinen bei 100 bis 500 nm, noch bevorzugter bei 200 bis 500 nm.
Wenn die transparente Elektrode eine Schichtstruktur aufweist, wie eine Zweischichtstruktur aus der amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht und der dünnen Metallschicht, wird die Dicke der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht auf 50 bis 3000 Å, bevorzugt 500 bis 1000 Å eingestellt, und es ist bevorzugt ein Metall zu verwenden mit einem elektrischen spezifischen Widerstand von 1 · 10&supmin;&sup5; Ω cm oder weniger, wie Ag, Au, Al, Cu, Ni oder Pt, um eine dünne Metallschicht mit einer Lichtdurchlässigkeit von ungefähr 60 bis 90% im sichtbaren Lichtbereich zu bilden, um eine transparente Elektrode mit einem Oberflächenwiderstand von 12 Ω/ oder weniger zu erhalten. Wenn die dünne Metallschicht eine Dicke von ungefähr 10 bis 100 Å aufweist, kann eine dünne Metallschicht erhalten werden mit einer Lichtdurchlässigkeit von ungefähr 70% oder mehr im sichtbaren Lichtbereich. Um jedoch eine dünne Metallschicht mit einem niedrigen elektrischen Widerstand und einer hohen Lichtdurchlässigkeit zu erhalten, ist es jedoch bevorzugt, dass die Dicke davon ungefähr 50 bis 100 Å beträgt. Die dünne Metallschicht kann eine Einzelschichtstruktur oder eine Mehrschichtstruktur aufweisen.
Wenn die transparente Elektrode eine Schichtstruktur wie eine Dreischichtstruktur mit mindestens einer dünnen Metallschicht zusätzlich zur amorphen elektrisch leitenden Oxidschicht aufweist, wird die transparente Elektrode bevorzugt aus zwei transparenten elektrisch leitfähigen Schichten und einer dünnen Metallschicht gebildet, die in Form eines Sandwiches zwischen den obigen beiden transparenten elektrisch leitfähigen Schichten angeordnet ist, und die obige amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht wird als mindestens eine der obigen beiden transparenten elektrisch leitfähigen Schichten verwendet. Die Dicke der amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht und das Material und die Dicke der dünnen Metallschicht sind in diesem Fall die gleichen wie diejenigen, die sie für die obige transparente Elektrode mit der Zweischichtstruktur erläutert wurden. Weiterhin, wenn eine der beiden transparenten elektrisch leitfähigen Schichten eine transparente elektrisch leitfähige Schicht ist, die von der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht verschieden ist, wird die obige transparente elektrisch leitfähige Schicht aus kristallinem ITO, ZnO : Al, SnO&sub2; : Sb oder ähnlichem gebildet, und ihre Dicke wird auf ungefähr 50 bis 2000 Å eingestellt. Die Dicke davon liegt bevorzugter bei 500 bis 1000 Å.
In jedem Fall, wird wenn die transparente Elektrode eine Zweischichtstruktur aufweist und wenn sie die obige Dreischichtstruktur aufweist, die Schichtstruktur der transparenten Elektrode so ausgewählt, dass die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht die oberste Schicht der transparenten Elektrode ist, um den organischen Einzelschicht-Anteil oder den organischen Mehrschicht-Anteil, der die, organische EL- Vorrichtung bildet, auf der amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht zu bilden (wobei die transparente Elektrode gebildet wird).
Die Oberfläche der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht besitzt eine bemerkenswerte Ebenheit und ist annährend frei von Defekten, und wenn die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht auf dem Substrat gebildet wird, erfüllt sie leicht die Bedingung einer "Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger". Wenn die transparente Elektrode eine Schichtstruktur aufweist, wie die obige Zweischicht- oder Dreischichtstruktur, wird die obige amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht auf der dünnen Metallschicht gebildet, und selbst in diesem Fall erfüllt die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht leicht die Bedingung einer "Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger". Daher ist die transparente Elektrode in der organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung eine transparente Elektrode, die leicht mit einer Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger erhalten werden kann, Der Begriff "Oberflächen-Ebenheit", wie er in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, meint den quadratischen Mittelwert bzw. Effektivwert der Oberflächenrauheit, und die "Oberflächen-Ebenheit" kann bestimmt werden mittels Rastertunnel-Mikroskopie (STM), Rasterkraft- Mikroskop (AFM) oder einem Taststift-Dickenmeßgerät (Stylus thickness meter).
Wenn eine transparente Elektrode mit einer Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder mehr verwendet wird, steigt die Größe einer lokalen Konkav-Konvex-Form an, und als Ergebnis ist es schwierig, eine organische EL-Vorrichtung zu erhalten, die eine defektfreie lichtemittierende Oberfläche und eine ausgezeichnete Fähigkeit der gleichförmigen Lichtemission aufweist. Weiterhin ist die Verwendung einer transparenten Elektrode mit einer Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger auch wichtig, um Kurzschlüsse der Vorrichtung zu verhindern.
In der organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung besitzt die Seitenoberfläche der obigen transparenten Elektrode eine spitz zulaufende bzw. zugespitzte Form, In der vorliegenden Erfindung bedeutet "eine transparente Elektrode mit einer Seitenoberfläche mit einer spitz zulaufenden Form" im Hinblick auf die transparente Elektrode der obigen Einschichtstruktur, dass die Breite der oberen Oberfläche davon kleiner ist als die Breite der unteren Oberfläche davon, und dass die Seitenoberfläche eine ebenenartig geneigte Oberfläche oder eine nach innen oder nach außen gerichtete Kurvenoberfläche bildet. Im Hinblick auf, die transparente Elektrode der obigen Zwei- oder Dreischichtstruktur bedeutet es, dass die Breite der oberen Oberfläche davon kleiner ist als die Breite der unteren Oberfläche davon ist, und dass die Seitenoberfläche mindestens der amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht, die die transparente Elektrode bildet, eine ebenenartig geneigte Oberfläche oder eine nach innen oder nach außen gerichtete Kurvenoberfläche besitzt. Die Verwendung der transparenten Elektrode mit einer spitzzulaufenden Seitenoberfläche kann das Auftreten von Höhenniveaudifferenz-induzierten Brüchen in dem organischen Einzelschicht-Anteil oder dem organischen Mehrschicht- Anteil verhindern, die auf der transparenten Elektrode oder der Gegenelektrode laminiert sind, die auf dem organischen Einzelschicht- Anteil oder dem organischen Mehrschichtanteil gebildet sind.
Wenn die transparente Elektrode, deren Seitenoberfläche eine spitzzulaufende Form aufweist und auch in der Form einer Ebene geneigt ist, verwendet wird, ist ein Winkel 6, gebildet durch die Seitenoberfläche 2 der transparenten Elektrode 1 und der Substratoberfläche 3 bevorzugt 60º oder weniger, besonders bevorzugt 40º oder weniger, wie in Fig. 1(a) gezeigt, um den oben erwähnten Höhenniveaudifferenz-induzierten Bruch zu verhindern.
Weiterhin ist, wenn eine transparente Elektrode, deren Seitenoberfläche eine spitzzulaufende Form aufweist und auch eine noch innen gerichtete Kurve bildet, verwendet wird, der Winkel 62 der durch die Tangente (die durch eine alternierend lang und kurz gestrichelte Linie in der Figur gezeigt ist) die in den Tangentenlinien auf der Seitenoberfläche 2 der transparenten Elektrode 1 enthalten ist, und die einen Punkt durchläuft, der in der Hälfte der Höhe der Dicke der transparenten Elektrode 1 angeordnet ist, und der oberen Oberfläche der transparenten Elektrode 1 gebildet wird, bevorzugt 60º oder weniger, insbesondere 40º oder weniger wie in Fig. 1 (b) gezeigt, um den obigen Höhenniveaudifferenz-induzierten Bruch zu verhindern.
Weiter beträgt, wenn eine transparente Elektrode deren Seitenoberfläche eine spitzzulaufende Form und eine nach außen gerichtete Kurvenform aufweist, verwendet wird, der Winkel θ&sub3;, der durch die Tangente (die durch die alternierend lang und kurz gestrichelte Linie in der Figur gezeigt wird) die in den Tangentenlinien auf der Seitenoberfläche 2 der transparenten Elektrode 1 enthalten ist und einen Punkt durchläuft, der in der Hälfte der Höhe der Dicke der transparenten Elektrode 1 angeordnet ist, und der äußeren Oberfläche der transparenten Elektrode 1 gebildet wird, bevorzugt 60º oder weniger, besonders bevorzugt 40º oder weniger wie in Fig. 1(c) gezeigt, zur Verhinderung des oben erwähnten Höhenniveaudifferenz-induzierten Bruches.
In der vorliegenden Erfindung ist darauf hinzuweisen, dass die obigen θ&sub2; und θ&sub3; auch in dem "Winkel, der durch die Seitenoberfläche der transparenten Elektrode und der Oberfläche des Substrates gebildet wird" enthalten sind.
Die transparente Elektrode mit einer Seitenoberfläche mit einer sich zuspitzenden Form kann erhalten werden durch: zunächst Bilden einer transparenten elektrisch leitfähigen Schicht eines Materials für die transparente Elektrode auf einem Substrat und Nassätzen oder Trockenätzen der transparenten elektrisch leitfähigen Schicht durch ein vorgegebenes Verfahren.
Wenn die transparente elektrisch leitfähige Schicht nassgeätzt wird, um eine transparente Elektrode mit einer Seitenoberfläche in spitzzulaufender Form zu bilden, wird das Ätzen z. B. durchgeführt durch eine der folgenden Verfahren (A) bis (D), abhängig von den nass zu ätzenden Schichten.
(A) Der Fall des Nassätzens einer transparenten elektrisch leitfähigen Einzelschichtstruktur-Schicht, gebildet aus einem In-Zn-O- enthaltenden amorphen Oxid (einschließlich eines Oxids, das ein drittes Metall wie Ga, Al oder Sn enthält. Im folgenden das gleiche).
Ein Photoresistfilm wird auf einer transparenten elektrisch leitfähigen Schicht gebildet und eine Belichtung unter Verwendung einer vorgegebenen Belichtungsmaster-Maske und die Entwicklung unter Verwendung einer vorgegebenen Entwicklerlösung werden durchgeführt, um ein Resistmuster auf einer transparenten elektrisch leitfähigen Schicht zu bilden, auf der die transparente Elektrode zu bilden ist. Anschließend wird das Nassätzen durchgeführt mit einer 10 bis 15%igen wässrigen HBr- Lösung, einer wässrigen HCl : HNO&sub3; : HaO = 2 : 1 : 1 (Gewichtsverhältnis) Lösung von Salzsäure, Salpetersäure und Wasser, oder ähnlichem als Ätzmittel, Anschließend wird das obige Resistmuster mit einer vorgegebenen Trennlösung entfernt, um eine transparente Elektrode mit einer Seitenoberfläche in spitzzulaufender Form zu ergeben.
Wenn eine wässrige 10 bis 15%ige HBr-Lösung als Ätzmittel verwendet wird, kann eine transparente Elektrode erhalten werden, mit einer Seitenoberfläche, die einen Winkel von ungefähr 30º mit der Oberfläche des Substrates bildet. Wenn eine HCl : HNO&sub3; : H&sub2;O = 2 : 1 : 1 (Gewichtsverhältnis) wässrige Lösung von Salzsäure, Salpetersäure und Wasser verwendet wird, kann eine transparente Elektrode mit einer Seitenoberfläche, die einen Winkel von ungefähr 40º mit der Oberfläche des Substrates einnimmt, erhalten werden.
Bei dem obigen Nassätzen verbleiben keine Rückstände, und ein bemerkenswertes ausgezeichnetes Ätzen kann durchgeführt werden, Wenn ein Rest durch das Nassätzen verursacht sein sollte, ist es erforderlich, den Rückstand zu entfernen, da er Vorsprünge bildet.
(B) Der Fall des Nassätzens einer transparenten elektrisch leitfähigen Zwei- oder Dreischichtstruktur-Schicht mit mindestens einer dünnen Metallschicht zusätzlich zu der In-Zn-O-enthaltenden amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gemäß (A) oben.
Das Nassätzen kann in gleicher Weise wie unter (A) oben durchgeführt werden. Wenn eine dünne Metallschicht schwer zu ätzen ist, z. B. wenn sie aus Pt, Au oder ähnlichem gebildet ist, kann das gewünschte Nassätzen durch Einführen einer Komponente durchgeführt werden, die fähig ist, die schwer zu ätzende dünne Metallschicht in dem obigen Ätzmittel zu lösen.
(C) Der Fall des Nassätzens einer transparenten elektrisch leitfähigen Einzelschichtstruktur-Schicht, gebildet aus der amorphen ITO- Schicht.
Das Nassätzen kann in gleicher Weise wie unter (A) oben durchgeführt werden, ausgenommen, dass das Ätzmittel ersetzt wird durch eine wäßrige 15 bis 30%ige HBr Lösung oder eine HCl : HNO&sub3; : H&sub2;O = 2 : 1 : 1 bis 3 : 2 : 1 (Gewichtsverhältnis) wässrige Lösung von Salzsäure, Salpetersäure und Wasser.
Wenn eine 15 bis 30%ige wässrige HBr-Lösung als Ätzmittel verwendet wird, kann eine transparente Elektrode erhalten werden mit einer Seitenoberfläche, die einen Winkel von 30 bis 50º mit der Oberfläche des Substrates bildet. Wenn eine HCl : HNO&sub3; : H&sub2;O = 2 : 1 : 1 zu 3 : 2 : 1 (Gewichtsverhältnis) wässrige Lösung von Salzsäure, Salpetersäure und Wasser verwendet wird, kann eine transparente Elektrode mit einer Seitenoberfläche, die einen Winkel von 20 bis 60º mit der Oberfläche des Substrates bildet, erhalten werden.
(D) Der Fall des Nassätzens einer transparenten elektrisch leitfähigen Zwei- oder Dreischichtstruktur-Schicht mit einer dünnen Metallschicht zusätzlich zu der amorphen ITO-Schicht, Das Nassätzen kann in der gleichen Weise wie unter (C) oben durchgeführt werden. Wenn die dünne Metallschicht schwierig zu ätzen ist, z. B. wenn sie aus Pt, Au oder ähnlichem gebildet ist, kann das gewünschte Nassätzen durchgeführt werden durch Einfügen einer Komponente, die fähig ist, die schwierig zu ätzende dünne Metallschicht in dem obigen Ätzmittel zu lösen.
Auf der anderen Seite, wenn die transparente elektrisch leitfähige Schicht trocken geätzt wird, um eine transparente Elektrode mit einer spitzzulaufenden Seitenoberfläche zu bilden, bildet sich ein Resistmuster auf einer transparenten elektrisch leitfähigen Schicht in der gleichen Weise wie im Falle des Nassätzens, und anschließend wird das Resistmuster thermisch gehärtet, etc., um einen Höhendifferenzanteil (Seitenoberfläche) zu verjüngen. Anschließend, wenn die obige transparente elektrisch leitfähige Schicht eine Einzelschichtstruktur aufweist, gebildet aus einer amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht, werden CH&sub4;/HCl-Mischgase oder HI/Ar-Mischgase als Ätzgase verwendet, und das Ätzen wird mit Plasma oder Ionen im obigen Ätzgas durchgeführt. Wenn die transparente elektrisch leitfähige Schicht eine Zwei- oder Dreischichtstruktur mit einer dünnen Metallschicht zusätzlich zu der amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht aufweist, wird ein fluoriertes Kohlenwasserstoffgas wie CF&sub4;-Gas oder ähnliches im obigen Ätzgas (gemischte Gase) hinzugegeben, wie es abhängig von der Schichtdicke erforderlich ist, und die resultierende Mischung wird als Ätzgas verwendet, um das Ätzen durchzuführen.
Anschließend wird das obige Resistmuster mit einer vorgegebenen Abtrennlösung entfernt, wobei eine transparente Elektrode mit einer spitzzulaufenden Seitenoberfläche erhalten werden kann.
Wenn ein CH&sub4;/HCl-Mischgas als Ätzgas verwendet wird, kann eine transparente Elektrode mit einer Seitenoberfläche, die einen Winkel von ungefähr 30 bis 60º mit der Oberfläche des Substrates bildet, erhalten werden. Wenn ein HI/Ar-Mischgas verwendet wird, kann eine transparente Elektrode mit einer Seitenoberfläche, die einen Winkel von ungefähr 50º mit der Oberfläche des Substrates einnimmt, erhalten werden, In der organischen EL-Vorrichtung I mit der oben erläuterten transparenten Elektrode ist der Oberflächenwiderstand der transparenten Elektrode so gering wie 12 Ω/ oder weniger. Wenn die obige organische EL-Vorrichtung I verwendet wird, kann eine organische EL-Anzeigetafel erhalten werden, worin die Abnahme der Anzeigeeigenschaften, verursacht durch Spannungsabfall, der Anstieg des Energieverbrauchs und der Anstieg der RC-Zeitkonstante verhindert wird.
Weiterhin ist es, wenn die Oberflächen-Ebenheit der obigen transparenten Elektrode bereits 20 nm oder weniger ist in dem Zeitpunkt, in dem die transparente elektrisch leitfähige Schicht als Material für die transparente Elektrode gebildet wird, nicht nötig, Behandlungen wie eine Polierbehandlung, um eine transparente Elektrode mit der gewünschten Oberflächen-Ebenheit zu erhalten, durchzuführen, und die Herstellung davon ist daher leicht. Weiter besitzt die organische EL-Vorrichtung I mit der oben beschriebenen transparenten Elektrode, die durch die vorliegende Erfindung bereitgestellt wird, praktisch keine lokalen Konkav- Konvex-Formen Und ist auch nahezu frei von einer Beschleunigung der Kristallisation der organischen Verbindung, die den organischen Einzelschicht-Anteil oder den organischen Mehrschicht-Anteil bildet. Daher werden kaum Ungleichförmigkeiten in der Helligkeit, und keine Abnahme der Lichtemissionsstabilität und der Lichtemissionsfähigkeit verursacht.
Weiterhin, nimmt in der organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung, worin die Seitenoberfläche der obigen transparenten Elektrode spitz zuläuft, wie oben beschrieben, ein Höhenniveauunterschied zwischen der Seitenoberfläche der transparenten Elektrode und der Substratoberfläche allmählich von der oberen Oberfläche der transparenten Elektrode zu ihrer unteren Oberfläche ab, und der organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil gebildet auf der transparenten Elektrode davon verursachen kaum Höhenniveauunterschied-induzierte Brüche.
Als Ergebnis kann, wenn die organische EL-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung verwendet wird, um eine organische EL- Anzeigetafel zu erzeugen, eine organische EL-Anzeigetafel mit hoher Anzeigequalität leicht hergestellt werden.
Die organische EL-Vorrichtung I mit den obigen Eigenschaften, die durch die vorliegende Erfindung bereitgestellt wird, ist nicht nur als Pixel für eine organische EL-Anzeigetafel geeignet, sondern auch als Oberflächenlichtquelle geeignet.
Das Substrat, der organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil und die Gegenelektrode zur Bildung der organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung wird später erläutert.
Die organische EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung wird im folgenden erläutert.
Die organische EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung ist eine organische EL-Vorrichtung, worin eine transparente Elektrode auf einem Substrat gebildet wird, ein organischer Einzelschicht-Anteil oder organischer Mehrschicht-Anteil, der mindestens ein organisches lichtemittierendes Material enthält, auf der transparenten Elektrode gebildet wird, und eine Gegenelektrode auf dem organischen Einzelschicht-Anteil oder dem organischen Mehrschicht-Anteil gebildet wird. Wie bei der oben erläuterten organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung ist der oben beschriebene Aufbau der Vorrichtung per se der gleiche wie der Aufbau einer konventionellen organischen EL-Vorrichtung des Typs, der eine Substratseite als Oberfläche verwendet, durch die das Licht austritt.
Die bedeutendsten Merkmale der organischen EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung bestehen darin, dass die obige transparente Elektrode eine Elektrode mit einer amorphen elektrisch, leitfähigen Oxidschicht ist, die einen Oberflächenwiderstand von 12 Ω/ oder weniger und eine Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger aufweist, dass der obige organische Einzelschicht-Anteil oder organische Mehrschicht-Anteil auf der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet ist, und dass eine Abflachungsschicht zum Ausgleich von Höhenniveauunterschieden zwischen der transparenten Elektrode und der Oberfläche des Substrates bereitgestellt wird.
Die obige transparente Elektrode hat bevorzugt den Schichtaufbau, der in den Erläuterungen der organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung gezeigt und erläutert wurde. Weiterhin kann die Seitenoberfläche der transparenten Elektrode eine Seitenoberfläche sein, die nicht spitz zuläuft wie eine rechtwinklige Oberfläche, eine nach innen gebogene Oberfläche etc., oder es kann eine Seitenoberfläche sein, die zugespitzt ist, wie das Gegenstück der organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung.
Die Gründe, warum die obige transparente Elektrode einen Oberflächenwiderstand von 12 Ω/ und eine Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger erfordert, sind die gleichen wie sie im Hinblick auf die obige organische EL-Vorrichtung I der vorliegenden. Erfindung erläutert wurden. Weiterhin sind der bevorzugte Bereich des Oberflächenwiderstandes und der bevorzugte Bereich der Oberflächen- Ebenheit auch die gleichen wie diejenigen, die im Hinblick auf die obige organische EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung erläutert wurde. In der organischen EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung wird wie bei der obigen organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung der organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil, die die organische EL-Vorrichtung II aufbauen, auf der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet. Weiterhin wird eine Abflachungsschicht zum Ausgleich von Höhenniveauunterschieden zwischen der transparenten Elektrode und der Oberfläche des Substrates so bereitgestellt, dass sie an die Seitenoberfläche der transparenten Elektrode mit der obigen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht stößt.
Wie in Fig. 2(a) gezeigt, bildet die obige Abflachungsschicht 10 bevorzugt eine flache Oberfläche 12 gegenüber der transparenten Elektrode 11, Die Abflachungsschicht und die transparente Elektrode brauchen jedoch nicht notwendigerweise eine flache Oberfläche zu bilden, und die Abflachungsschicht kann eine flache Schicht mit einer Dicke sein, die ausreichend ist, um einen Höhenniveauunterschied zwischen der oberen Oberfläche der transparenten Elektrode und der Substratoberfläche auf ungefähr 150 nm oder weniger einzustellen. Weiterhin, wie in Fig. 2(b) gezeigt, kann die Abflachungsschicht 20 an die Seitenoberfläche der transparenten Elektrode 21 anstoßen und eine spitz zulaufende. Fläche 22 bilden. Und wie in Fig. 2(c) gezeigt, erfordert die spitz zulaufende Fläche 30, die durch die Abflachungsschicht 30 gebildet wird, nicht notwendigerweise, dass sie die Substratoberfläche erreicht.
In allen Fig. 2(a), 2(b) und 2(c) bezeichnet die Nummer 15 das Substrat. Weiterhin kann die obige "spitz zulaufende Fläche 22" gebildet durch die Abflachungsschicht irgend eine ebenenartige geneigte, nach innen gebogene oder nach außen gebogene Oberfläche aufweisen.
Wenn die spitz zulaufende Fläche 22 die Substratoberfläche erreicht, muss sie die gleiche Form aufweisen, wie die Form der Seitenoberfläche der transparenten Elektrode, die die obige organische EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung aufbaut.
Die obige Abflachungsschicht wird gebildet aus einer elektrisch isolierenden Substanz, einschließlich Oxiden wie Siliziumdioxid, mit Fluor versetztem Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Tantaloxid, Chromoxid, Titanoxid und Ytterbiumoxid, Nitriden wie Siliziumnitrid und Polymere wie Polyimid, Polyolefin, Polyacrylat, Polychinolin, Fluor-enthaltenden Polymeren und Polycarbonat, Das Material für die Abflachungsschicht wird besonders bevorzugt aus elektrisch isolierenden Oxiden ausgewählt. Die Abflachungsschicht kann z. B. durch irgend eine der folgenden Verfahren (i) bis (iii) gebildet werden.
(i) Eine transparente elektrisch leitfähige Schicht als Material für die transparente Elektrode wird auf einem Substrat gebildet, ein Photoresistfilm wird auf der transparenten elektrisch leitfähigen Schicht gebildet, und die Belichtung unter Verwendung einer vorgegebenen Belichtungsmastermaske und die Entwicklung unter Verwendung einer vorgegebenen Entwicklerlösung werden durchgeführt, um ein Resistmuster auf der transparenten elektrisch leitfähigen Schicht zu bilden, wo die transparente Elektrode zu bilden ist. Anschließend werden diejenigen Anteile der transparenten elektrisch leitfähigen Schicht, die kein gebildetes Resistmuster aufweisen, mit einem vorgegebenen Ätzmittel oder einem Ätzgas geätzt, um eine transparente Elektrode zu bilden (in einem Zustand, bei dem das Resistmuster darauf gebildet ist).
Anschließend wird, bevor das Resistmuster entfernt wird, eine Schicht mit einer vorgegebenen Dicke aus einem vorgegebenen Abflachungsschicht-Material auf der Substratoberfläche auf der Seite gebildet, auf der das obige Resistmuster gebildet ist (auf der Seite, wo die transparente elektrisch leitfähige Schicht geätzt wurde). Die obige Schicht wird durch ein Vakuum-Auftragsverfahren, ein Sputter-Verfahren, ein CVD-Verfahren, ein Spinnbeschichtungs-Verfahren, ein Stabbeschichtungs-Verfahren oder ein Auftrags-Verfahren, etc., abhängig von dem Abflachungsschichtmaterial, gebildet. Die obige Schicht wird auf der Substratoberfläche (dort, wo keine transparente Elektrode gebildet ist) und auf dem Resistmuster gebildet, und die obige Schicht, die auf der Substratoberfläche gebildet ist, dient dazu die Abflachungsschicht zu bilden.
Anschließend wird das obige Resistmuster mit einer vorgegebenen Freisetzungslösung entfernt, um die gewünschte Abflachungsschicht zu ergeben.
Wenn die Abflachungsschicht mit einer spitz zulaufenden Fläche gebildet wird, wird eine transparente Elektrode mit einer vorgegebenen Form gebildet, anschließend die isolierende Polymerschicht mit einer vorgegebenen Breite nur auf einer Seitenoberfläche der transparenten Elektrode gebildet, und die elektrisch isolierende Polymerschicht wird thermisch gehärtet, wodurch die gewünschte Abflachungsschicht gebildet werden kann. Da die elektrisch isolierende Polymerschicht thermisch gehärtet ist, schrumpft die elektrisch isolierende Polymerschicht und als Ergebnis wird eine Abflachungsschicht erhalten, die eine spitz zulaufende Form aufweist.
(ii) Eine Schicht mit einer vorgegebenen Dicke wird auf einer Substratoberfläche aus einem vorgegebenen Abflachungsschicht- Material gebildet, ein Photoresistfilm wird auf der obigen Schicht gebildet und anschließend wird die Belichtung unter Verwendung einer vorgegebenen Belichtungsmastermaske und die Entwicklung unter Verwendung einer vorgegebenen Entwicklerlösung durchgeführt, um ein Resistmuster auf der Schicht zu bilden, worauf die Abflachungsschicht zu bilden ist. Anschließend werden diejenigen Teile der Schicht, die kein gebildetes Resistmuster aufweisen, mit einem vorgegebenen Ätzmittel oder einem Ätzgas geätzt, um, eine Abflachungsschicht herzustellen (in einem Zustand, bei dem ein Resistmuster darauf gebildet ist).
Dann wird, bevor das Resistmuster entfernt wird, eine transparente elektrisch leitfähige Schicht mit einer vorgegebenen Dicke aus einem gewünschten elektrisch leitfähigen Material auf der Substratoberfläche auf der Seite gebildet, auf der das obige Resistmuster gebildet ist (auf der Seite, auf der die obige Schicht geätzt wurde). In diesem Fall wird die transparente elektrisch leitfähige Schicht auf der Substratoberfläche (Stellen, bei denen keine Abflachungsschicht gebildet wird) und auf dem Resistmuster gebildet, und die obige transparente elektrisch leitfähige Schicht, die auf der Substratoberfläche gebildet ist, dient dazu eine transparente Elektrode zu bilden.
Anschließend wird das obige Resistmuster mit einer vorgegebenen Freisetzungslösung entfernt, um die gewünschte Abflachungsschicht zu bilden.
(iii) Eine transparente Elektrode (in dem Stadium, bei der ein Resistmuster darauf gebildet ist) wird in der gleichen Weise wie in (i) oben erhalten, und bevor das Resistmuster auf der transparenten Elektrode entfernt wird, wird eine elektrisch leitfähige Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke aus einem gewünschten elektrisch leitfähigen Material wie Al, Ta, Cr, Ti oder ähnlichem auf der Substratoberfläche auf der Seite gebildet, auf der das obige Resistmuster gebildet ist (auf der Seite, auf der die transparente elektrisch leitfähige Schicht geätzt wurde), Das obige elektrisch leitfähige Material wird auf der Substratoberfläche (Stellen, an denen die transparente Elektrode nicht gebildet ist) und auf dem Resistmuster durch ein Verfahren wie ein Vakuumauftragsverfahren, ein Sputterverfahren oder ähnliches gebildet.
Anschließend wird die obige elektrisch leitende Metallschicht in einer neutralen Elektrolytlösung, hergestellt unter Verwendung von Ammoniumtartarat, Zitronensäure, Zitronensäuresalz, Phosphorsäure oder Phosphorsäuresalz etc. anodisiert. In der Anodisierung wird bevorzugt die obige elektrisch leitfähige Metallschicht als Anode verwendet und eine Platinelektrode als Kathode verwendet. Die an die Anode anzulegende Spannung wird bevorzugt auf 30 bis 700 V, abhängig von der Dicke der elektrisch leitfähigen Metallschicht, eingestellt, und in diesem Fall wird die obige elektrisch leitfähige Metallschicht 5 bis 30 Å dick pro V anodisiert. Wenn die obige elektrisch leitfähige Metallschicht in einer neutralem Elektrolytlösung anodisiert wird, kann eine Oxidschicht/die nicht porös, sondern dicht ist, gebildet werden.
Anschließend wird das obige Resistmuster mit einer vorgegebenen Freisetzungslösung entfernt, um die gewünschte Abflachungsschicht zu erhalten.
In der organischen EL-Vorrichtung II mit der obigen transparenten Elektrode und der obigen Abflachungsschicht, die durch die vorliegende Erfindung bereitgestellt wird, ist der Oberflächenwiderstand der transparenten Elektrode so gering wie 12 Ω/ oder weniger. Wenn die obige organische EL-Vorrichtung II verwendet wird, kann, wie bei der obigen organischen EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung eine organische EL-Anzeigetafel erhalten werden, bei der die Abnahme der Anzeigeleistung, verursacht durch Spannungsabfall, ein Anstieg des Energieverbrauchs und ein Anstieg der RC-Zeitkonstante verhindert wird.
Weiterhin ist es, da die Oberflächen-Ebenheit der obigen transparenten Elektrode bereits 20 nm oder weniger in dem Zeitpunkt beträgt, in dem die transparente elektrisch leitfähige Schicht als Material für die transparente Elektrode gebildet wird, nicht nötig, Behandlungen durchzuführen, wie eine Polierbehandlung, um eine transparente Elektrode mit einer gewünschten Oberflächen-Ebenheit zu erhalten und dadurch wird die Produktion davon erleichtert. Weiterhin besitzt ebenso wie die obige organische EL-Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung die organische EL-Vorrichtung II mit der obigen transparenten Elektrode, die durch die vorliegende Erfindung bereitgestellt wird, praktisch keine lokalen Konkav-Konvex-Formen und ist außerdem praktisch frei von einer Beschleunigung der Kristallisation der organischen Verbindung, die den organischen Einzelschicht-Anteil oder den organischen Mehrschicht- Anteil bildet. Es werden daher kaum Ungleichförmigkeiten in der Helligkeit, keine Abnahme der Lichtemissionsstabilität und keine Abnahme der Lichtemissionsfähigkeit verursacht.
In der organischen EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung, bei der ein Höhenniveauunterschied zwischen der oberen Oberfläche der transparenten Elektrode und der Substratoberfläche durch eine Abflachungsschicht ausgeglichen wird, verursacht weiterhin der organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil, der auf der transparenten Elektrode gebildet ist, daher kaum einen Höhenniveauunterschied-induzierten Bruch, wie die obige organische EL- Vorrichtung I der vorliegenden Erfindung, und ähnlich verursacht die Gegenelektrode, die auf dem obigen organischen Einzelschicht-Anteil oder Mehrschicht-Anteil gebildet ist, kaum Höhenniveauunterschiedinduzierte Brüche.
Als Ergebnis kann, wenn die organische EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung verwendet wird, um eine organische EL- Anzeigetafel herzustellen, die organische EL-Anzeigetafel, mit hoher Anzeigequalität leicht hergestellt werden.
Die organische EL-Vorrichtung II mit den obigen Eigenschaften, die durch die vorliegende Erfindung bereitgestellt wird, ist nicht nur als Pixel für eine organische EL-Anzeigetafel geeignet, sondern auch als Oberflächenlichtquelle geeignet.
Die organische EL-Vorrichtung I und die organische EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung können solche sein, die eine transparente Elektrode aufweisen, die wie oben beschrieben gebildet werden kann, und der Aufbau der anderen Schicht unterliegt keiner besonderen Einschränkung, solange sie als organische EL-Vorrichtung funktionieren. Der Schichtaufbau einer organischen EL-Vorrichtung schließt verschiedene Aufbauten ein, und spezifische Beispiele des Schichtaufbaus der organischen EL-Vorrichtung des Typs, bei dem die organische EL-Vorrichtung auf einem transparenten Substrat gebildet wird und das transparente Substrat als Oberfläche verwendet wird, durch die das Licht austritt, schließen diejenigen ein deren Schichtlaminierungs-Reihenfolge die folgenden (1) bis (4) ist.
(1) Anode (transparente Elektrode)/lichtemittierende Schicht/Kathode (Gegenelektrode)
(2) Anode (transparente Elektrode)/Defektelektronen- Injektionsschicht/lichtemittierende Schicht/Kathode (Gegenelektrode)
(3) Anode (transparente Elektrode)/lichtemittierende Schicht/Elektronen-Injektionsschicht/Kathode (Gegenelektrode)
(4) Anode (transparente Elektrode)/Defektelektronen- Injektionsschicht/lichtemittierende Schicht/Elektronen-Injektionsschicht /Kathode (Gegenelektrode)
In der organischen EL-Vorrichtung des obigen Typs (1) entspricht die lichtemittierende Schicht dem organischen Einzelschicht-Anteil, der in der vorliegenden Erfindung erwähnt ist. In der organischen EL- Vorrichtung des obigen Typs (2) entsprechen die Defektelektronen- Injektionsschicht und die lichtemittierende Schicht dem, organischen Mehrschicht-Anteil, wie er in der vorliegenden Erfindung erwähnt ist. In der organischen EL-Vorrichtung des obigen Typs (3) entsprechen die lichtemittierende Schicht und die Elektronen-Injektionsschicht dem organischen Mehrschicht-Anteil, wie er in der vorliegenden Erfindung erwähnt ist. In der organischen EL-Vorrichtung des Typs (4) entsprechen die Defektelektronen-Injektionsschicht, die lichtemittierende Schicht und die Elektronen-Injektionsschicht dem organischen Mehrschichtanteil, wie er in der vorliegenden Erfindung erwähnt ist.
Die lichtemittierende Schicht wird im allgemeinen aus einer oder einer Mehrzahl von Typen organischen lichtemittierender Materialien gebildet, während sie manchmal aus einer Mischung von lichtemittierendem Material mit einem Elektronen-Injektionsmaterial oder einem Defektelektronen-Injektionsmaterial oder einem Polymermaterial, worin die obige Mischung oder ein organisches lichtemittierendes Material dispergiert ist, gebildet wird. Weiterhin wird manchmal auf der äußeren Oberfläche der obigen Schichtstruktur-organischen EL- Vorrichtung, eine Versiegelungsschicht, die die organische EL-Vorrichtung bedeckt, gebildet, um das Eintreten von Wasser oder Sauerstoff in die organische EL-Vorrichtung zu verhindern.
In der organischen EL-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung bestehen keine Einschränkungen hinsichtlich der Materialien, die von den Materialien für die transparente Elektrode (Anode) verschieden sind, und verschiedene Materialien können verwendet werden. Jede der Schichten, die von der transparenten Elektrode verschieden ist, wird unten einschließlich des Substrates selbst erläutert.

(A) Substrat

Wenn das Substrat verwendet wird, als Oberfläche durch die Licht austritt, wird ein transparentes Substrat verwendet, wie es bereits beschrieben wurde, Das transparente Substrat ist ausreichend für die Verwendung, wenn es aus einer Substanz gebildet ist, die eine hohe Durchlässigkeit (im allgemeinen mindestens 80%) für Licht (EL-Licht), das aus der lichtemittierenden Schicht emittiert wird, aufweist. Spezifische Beispiele davon schließen tafelartige Materialien, schichtartige Materialien oder folienartige Materialien aus transparentem Glas wie Alkaliglas und alkalifreiem Glas, transparenten Harzen (thermoplastischen Harzen oder wärmehärtenden Harzen) wie Polyethylenterephthalat, Polycarbonat, Polyethersulfon, Polyetheretherketon, Polyvinylfluorid, Polyacrylat, Polypropylen, Polyethylen, amorphes Polyolefin und Fluorenthaltende Harze oder Quarz ein.
Wenn das Substrat aus einem transparenten Harz verwendet wird, kann eine Dampfbarrierenschicht aus anorganischen Oxiden (z. B. eine 5 bis 200 nm dicke Schicht, gebildet aus Siliziumoxid, Aluminiumoxid, Titanoxid, Zirkoniumoxid, Yttriumoxid, Ytterbiumoxid, Magnesiumoxid, Tantaloxid, Ceroxid oder Hafniumoxid) auf der Oberfläche davon nach Bedarf gebildet werden, um das Eintreten von Sauerstoff oder Wasser in die organische EL-Vorrichtung zu verhindern.
Die obige Dampfbarrierenschicht aus anorganischem Oxid wird auf dem Substrat, das aus transparentem Harz gebildet ist, gebildet, und daneben kann sie auf einem Substrat, gebildet aus einer Substanz, die von einem transparenten Harz verschieden ist, gebildet werden. Wenn die obige Dampfbarrierenschicht aus anorganischem Oxid auf einem Substrat gebildet wird, das aus einer Substanz gebildet ist, die von einem transparenten Harz verschieden ist, kann die Dampfbarrierenschicht aus anorganischem Oxid verwendet werden als Unterlegschicht für die transparente Elektrode.
Es kann abhängig von der Verwendung der gewünschten organischen EL-Vorrichtung geeignet bestimmt werden, welches transparente Substrat zu verwenden ist.
Wenn das Substrat nicht als Oberfläche verwendet wird, durch das Licht austritt, (z. B. wenn eine organische EL-Vorrichtung, die Licht durch ihre Seitenfläche emittiert, hergestellt wird), können ein Substrate, die von dem obigen transparenten Substrat verschieden sind, als Substrat verwendet werden.

(B) Lichtemittierende Schicht

Das organische lichtemittierende Material zur Verwendung als Material für die lichtemittierende Schicht ist ausreichend für die Abwendung, wenn es alle drei Funktionen in Kombination erfüllt: (a) die Funktion der Injektion von Ladungen, d. h., die Funktion, bei der Defektelektronen von der Anode oder der Defektelektronen- Injektionsschicht injiziert werden können, und Elektronen von der Kathode oder der Elektronen-Injektionsschicht injiziert werden können, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird, (b) die Funktion des Transportes, d. h. die Funktion, bei der die injizierten Defektelektronen und Elektronen unter der Kraft des elektrischen Feldes bewegt werden und (c) die Funktion der Emission von Licht, d. h. die Funktion der Bereitstellung eines Feldes, worin Elektronen und Defektelektronen rekombinieren, um Licht zu emittieren, Das obige Material braucht jedoch nicht ausreichende Eigenschaften von allen obigen Funktionen (a) bis (c) in Kombination aufzuweisen. Z. B. sind einige Materialien, deren Defektelektronen-Injektions- und Transport- Eigenschaften gegenüber den Elektronen-Injektions- und Transport- Eigenschaften ausgezeichnet sind, geeignet als organisches lichtemittierendes Material.
Beispiele organischer lichtemittierender Materialien schließen ein: fluoreszente Aufhellungsmittel wie Benzothiazol-enthaltende, Benzoimidazol-enthaltende und Benzooxazol-enthaltende fluoreszente Aufhellungsmittel, eine Styryl-Benzol-enthaltende Verbindung, 12- Phthaloperinon, 1,4-Diphenyl-1,3-butadien, 1,1,4,4-Tetraphenyl-1,3- butadien, ein Naphthalimid-Derivat, ein Perylen-Derivat, ein Oxadiazol- Derivat, ein Aldazin-Derivat, ein Pyrazilin-Derivat, ein Cyclopentadien- Derivat, ein Pyrrolopyrrol-Derivat, eine Coumann-enthaltende Verbindung, Polymer-Verbindungen, die in den veröffentlichten internationalen Patentanmeldungen Nr. WO 90/13148 und Appl. Phys, Lett., Band 58, 18, S. 1982 (1991) beschrieben sind, eine aromatische Dimethyliden enthaltende Verbindung und eine Verbindung mit der folgenden allgemeinen Formel (I)
(R-Q)&sub2;-Al-O-L (I)
(worin L ein Kohlenwasserstoffrest ist, der einen Phenylanteil enthält und 6 bis 24 Kohlenstoffatome enthält, O-L ein Phenolato-Ligand, Q ein substituierter 8-Chinolinolato-Ligand und R ein 8-Chinolinolato-Ring- Substituentist, der so ausgewählt wird, dass die Bindung von mehr als 2 substituierten 8-Chinolinolato-Liganden an das Aluminiumatom sterisch gehindert IST).
Zusätzlich ist auch eine Verbindung, erhalten durch Dotieren der obigen organischen lichtemittierenden Materialen als Wirt mit einem fluoreszenten Farbstoff mit einer Intensität in Blau bis Grün, z. B. ein Coumarin-enthaltender fluoreszenter Farbstoff oder ein Fluoreszenz- Farbstoff, ähnlich dem obigen Wirt, geeignet als organisches lichtemittierendes Material. Spezifische Beispiele des Wirts als Material für die obige Verbindung schließen, organische lichtemittierende Materialien mit einem Distyrylarylen-Skelett (insbesondere bevorzugt z. B. 4,4'-Bis(2,2- diphenylvinyl)biphenyl) ein. Spezifische Beispiele des Dotierungsmittel als Material für die obige Verbindung schließen ein: Diphenylaminovinylarylen (insbesondere bevorzugt z. B. N,N- Diphenylaminobiphenylbenzol) und 4,4'-Bis[2-[4-(N,N-di-p- tolyl)phenyl]vinyl]biphenyl) ein.
Die lichtemittierende Schicht kann aus den obigen organischen lichtemittierenden Materialien durch ein bekanntes Verfahren gebildet werden, wie Vakuumauftrags-Verfahren. Spin-Beschichtungsverfahren, Gießverfahren oder ein LB-Verfahren, wobei es bevorzugt ist, ein Verfahren zu verwenden, das von einem Sputterverfahren verschieden ist. Weiterhin kann die lichtemittierende Schicht auch durch Lösen eines Bindemittels wie eines Harzes und eines lichtemittierenden Materials in einem Lösungsmittel, um eine Lösung zu bilden und Spin-Beschichten der Lösung, um eine dünne Schicht zu bilden, hergestellt werden.
Die Dicke der lichtemittierenden Schicht, die wie oben beschrieben gebildet wird, unterliegt keiner besonderen Einschränkung und kann geeignet abhängig von der. Situation ausgewählt werden, wobei sie bevorzugt im Bereich von 5 nm bis 5 um liegt.

(C) Defektelektronen-Injektionsschicht

Das Material (im folgenden Defektelektronen-Injektionsmaterial bezeichnet) für die wahlweise Bildung von Defektelektronen- Injektionsschichten ist ausreichend zur Verwendung, solange es die Fähigkeit besitzt, Defektelektronen zu injizieren oder Absperreigenschaften gegenüber Elektroden besitzt. Z. B. kann es zweckmäßig ausgewählt werden aus Defektelektronen-Injektionsmaterialien, die konventionell für elektrophotographische Photorezeptoren verwendet werden, und es ist bevorzugt, dass sie eine Defektelektronen-Mobilität von mindestens 10&supmin;&sup5; cm²/V·s (elektrische Feldintensität 10&sup4; bis 10&sup5; V/cm) besitzen. Das Defektelektroneninjektionsmaterial kann irgend ein organisches oder anorganisches Material sein.
Spezifische Beispiele davon sind ein Triazol-Derivat, ein Oxadiazol- Derivat, ein Imidazol-Derivat, ein Polyarylalkan-Derivat, ein Pyrazolin- Derivat, ein Pyrazolon-Derivat, ein Phenylendiamin-Derivat, ein Arylamin- Derivat, ein Amino-substituiertes Chalcon-Derivat, ein Oxazol-Derivat, ein Styrylanthracen-Derivat, ein Fluorenon-Derivat, ein Hydrazon-Derivat, ein Stilben-Derivat, ein Silazan-Derivat, ein Polysilan, ein Anilin-basierendes Copolymer, ein elektrisch leitfähiges hochmolekulares Oligomer (Thiophenoligomer insbesondere), eine Porphyrin-Verbindung, eine aromatische tertiäre Amin-Verbindung, eine Styrylamin-Verbindung, die obige aromatische Dimethyliden-enthaltende Verbindung, die als organisches lichtemittierendes Material beschrieben ist, anorganische Halbleiter wie ein p-Typ Si und p-Typ SiC.
Als Defektelektronen-Injektionsmaterial ist es bevorzugt eine Porphyrin-Verbindung, eine aromatische tertiäre Amin-Verbindung oder eine Styrylamin-Verbindung zu verwenden, und es ist besonders bevorzugt, eine aromatische tertiäre Amin-Verbindung zu verwenden.
Die Defektelektronen-Injektionsschicht kann eine Einzelschichtstruktur aufweisen, die aus einer oder mehreren der obigen Materialien gebildet ist, oder sie kann eine Struktur einer Mehrzahl von Schichten einnehmen, die aus einer Zusammensetzung oder verschiedenen Zusammensetzungen gebildet sind. Wenn eine Defektelektronen-Injektionsschicht mit einer Struktur mit einer Mehrzahl von Schichten gebildet wird, ist die Schicht, die in Kontakt mit der lichtemittierenden Schicht zu stehen hat, bevorzugt eine Schicht, die aus einer Verbindung gebildet wird, die die Fähigkeit des Transports von Defektelektroden besitzt, und die keine Licht-Nichtemissions-Defekte verursacht, selbst wenn sie mit einer lichtemittierenden Schicht in Kontakt gebracht wird (die obige Schicht wird im folgenden als "Defektelektronen-Transportschicht" bezeichnet). Der Ausdruck "Licht- Nichtemissions-Defekt" bezeichnet einen Defekt, bei dem ein angeregter Zustand ausgelöscht wird durch die Interaktion einer lichtemittierenden Schicht und einer Defektelektronen-Transportschicht und schließt z. B. ein Exciplex und CT (Charge-Transfer-Komplex) ein, Als Material für die Defektelektronen-Transportschicht wird eine Verbindung, die keinerlei Licht-Nichtemissions-Defekte erzeugt, wenn sie in Kontakt mit der organischen lichtemittierenden Schicht gebracht wird, unter den obigen Defektelektronen-Injektionsmaterialien ausgewählt.
Die Defektelektronen-Injektionsschicht (einschließlich der Defektelektronen-Transportschicht) kann gebildet werden durch Bilden einer dünnen Schicht des obigen Defektelektronen-Injektionsmaterials (einschließlich eines Materials für die Defektelektronen-Transportschicht) gemäß einem bekannten Verfahren wie ein Vakuum-Auftragsverfahren, ein Spin-Auftragsverfahren, ein Gießverfahren oder ein LB-Verfahren. Obwohl nicht besonders eingeschränkt, beträgt die Dicke der Defektelektronen-Injektionsschicht insgesamt im allgemeinen 5 nm bis 5 um.

(D) Elektronen-Injektionsschicht

Das Material (im folgenden als "Elektronen-Injektionsmaterial" bezeichnet) für die wahlweise vorhandene Elektronen-Injektionsschichten ist ausreichend für die Anwendung, solange es die Funktion der Transmission von Elektronen, die aus der Kathode in die lichtemittierende Schicht injiziert werden, erfüllt. Im allgemeinen ist ein Material bevorzugt, dessen Affinität für Elektronen größer ist als die Affinität des organischen lichtemittierenden Materials für Elektronen und kleiner ist als die Austrittsarbeit der Kathode (minimale Austrittsarbeit, wenn die Kathode aus einem Mehrkomponenten-Material gebildet ist). Wenn jedoch ein Energieniveauunterschied extrem groß ist, sind unerwünscht Barrieren gegenüber Elektronen-Injektionen darin vorhanden. Die Affinität des Elektronen-Injektionsmaterials für Elektronen ist bevorzugt in der Größe äquivalent der Austrittsarbeit der Kathode oder der Affinität der organischen lichtemittierenden Materialien für die Elektronen. Das Elektronen-Injektionsmaterial kann irgend ein organisches Material oder anorganisches Material sein.
Spezifische Beispiele des Elektronen-Injektionsmaterials schließen ein: "Nitro-substituierte Fluorenon-Derivate, ein Anthrachinondimethan- Derivat, ein Diphenylchinon-Derivat, ein Thiopyran-Dioxid-Derivat, ein heterocyclisches Tetracarbonsäureanhydrid wie Naphthalinperylen, Carbodiimid ein Fluorenylidenmethan-Derivat, ein Anthron-Derivat, ein Oxadiazol-Derivat, eine Serie von Elektronen-transmittierenden Verbindungen, die als Material für lichtemittierende Schichten offenbart sind in JP-A-59-194393, ein Thiazol-Derivat, gebildet durch die Substitution eines Schwefelatoms gegen ein Sauerstoffatom eines Oxadiazolrings, ein Chinoxalin-Derivat mit einem Chinoxalinring bekannt als Elektronen-anziehende Gruppe, ein Metallkomplex ein 8-Chinolinol- Derivates, metallfrei oder Metall-Phthalocyanin, metallfrei oder Metallphthalocyanin, dessen Enden durch eine Alkylgruppe, eine Sulfongruppe etc. ersetzt sind, das obige Distyrylpyrazin-Derivat, das als organisches lichtemittierendes Material beschrieben ist und anorganische Halbleiter wie n-Typ Si und n-Typ SiC.
Die Elektronen-Injektionsschicht kann eine Einzelschichtstruktur aufweisen, gebildet aus einem oder mehreren der obigen Materialien oder sie kann eine Struktur einer Mehrzahl von Schichten, gebildet durch eine Zusammensetzung oder verschiedene Zusammensetzungen aufweisen. Die Elektronen-Injektionsschicht kann gebildet werden durch Bilden einer dünnen Schicht des obigen Elektronen-injizierenden Materials durch bekannte Verfahren wie Vakuum-Auftragsverfahren, Spin- Beschichtungsverfahren, Gießverfahren oder ein LB-Verfahren. Obwohl nicht besonders eingeschränkt, beträgt die Dicke der Elektronen- Injekttonsschicht im allgemeinen 5 nm bis 5 um.

(E) Kathode (Gegenelektrode)

Das Material für die Kathode (Gegenelektrode) wird bevorzugt ausgewählt aus Materialien mit einer kleinen Austrittsarbeit (z. B. 4 eV oder weniger), einer Legierung, einer elektrisch leitenden Verbindung oder Mischungen davon. Spezifische Beispiele davon schließen ein Natrium, Natrium-Kalium-Legierung, Magnesium, Lithium, eine Legierung oder gemischte Metall von Magnesium und Silber, Magnesium-Kupfer- Mischungen, Aluminium, Al/Al&sub2;O&sub3;, eine Al-Li-Legierung, Indium und seltene Erdmetalie wie Ytterbium.
Die Dicke der Kathode (Gegenelektrode) kann im allgemeinen in einem Bereich von 10 nm bis 1 um abhängig von dem Kathodenmaterial ausgewählt werden, und der Oberflächenwiderstand davon beträgt bevorzugt mehrere Hundert Ω/ oder weniger. Die Größe der Austrittsarbeit, die als Basis für die Auswahl eines Kathode- (Gegenelektrode)-Materials verwendet wird, ist nicht auf 4 eV eingeschränkt.
In der organischen EL-Vorrichtung I und der organischen EL- Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung können verschiedene Substanzen verwendet werden als Schichten, einschließlich eines Substrates, das von einer transparenten Elektrode verschieden ist, und verschiedene Schichtstrukturen können auch für die Schichtstruktur wie oben beschrieben verwendet werden. Weiterhin kann die transparente Elektrode der organischen Einzelschicht oder organischen Mehrschicht- Anteil und die Gegenelektrode durch verschiedene Methoden, wie oben beschrieben, gebildet werden. Wenn ein Vakuum-Auftragsverfahren verwendet wird für die Bildung jeder Schicht, kann die organische EL- Vorrichtung durch ein Vakuum-Auftragsverfahren allein geformt werden, was vorteilhaft für die Vereinfachung der Maschine oder der Ausrüstung ist und zur Abnahme der Dauer der Produktionszeit führt.
Die organische EL-Vorrichtung I und die organische EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung können eine Versiegelungsschicht aufweisen, die das Eintreten von Wasser oder von Sauerstoff in die Vorrichtungen verhindern, wie bei konventionellen organischen EL-Vorrichtungen.
Spezifische Beispiele von Materialien für die Versiegelungsschicht schließen ein: ein Copolymer, erhalten durch Copolymerisation einer Monomermischung, die Tetrafluorethylen enthält, und mindestens ein Comonomer, ein Fluor enthaltendes Copolymer mit einer Copolymer- Hauptkette, die eine cyclisierte Struktur aufweist, Polyethylen, Polypropylen, Polymethylmethacrylat, Polyimid, Polyhornstoff, Polytetrafluorethylen, Polychlortrifluorethylen, Polydichlordifluorethylen, ein Copolymer von Chlortrifluorethylen und Dichlordifluorethylen, eine Wasser-absorbierende Substanz mit einem Wasserabsorptionsvermögen von mindestens 1%, eine Dampfbarrieren-Substanz mit einem Wasserabsorptionsvermögen von 0,1% oder weniger. Metalle wie In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti und Ni, Metalloxide wie MgO, SiO, SiO&sub2;, Al&sub2;O&sub3;, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe&sub2;O&sub3;, Y&sub2;O&sub3;, und TiO&sub2;, Metallfluoride wie MgF&sub2;, LiF, AlF&sub3; und CaF&sub2;, flüssige fluorierte Kohlenstoffe wie Perfluoralkane, Perfluoramine und Perfluorpolyether, eine Dispersion eines Absorptionsmittels, um Wasser und Sauerstoff in dem obigen flüssigen fluorierten Kohlenstoff zu absorbieren.
Die Bildung der Versiegelungsschicht kann ein Vakuum- Auftragsverfahren, ein Spin-Beschichtungsverfahren, ein Sputterverfahren, ein Gießverfahren, ein MBE (Molekularstrahl-Epitaxie)-Verfahren, ein Cluster-Ionen-Strahl-Auftragsverfahren, ein Ionenplattierungs-Verfahren, ein Plasma-Polymerisations-Verfähren (Radiofrequenz angeregtes Ionen- Plattierungsverfahren), ein Reaktionssputter-Verfahren, ein Plasma-CVD- Verfahren, ein Laser-CVD-Verfahren, ein thermisches CVD-Verfahren und ein Gasquellen-CVD-Verfahren nach Bedarf einschließen. Wenn ein flüssiger Fluorkohlenstoff oder eine Dispersion eines Absorptionsmittels, um Wasser und Sauerstoff in dem flüssigen Fluorkohlenstoff zu absorbieren, als Material für die Versiegelungsschicht verwendet wird. wird die Versiegelungsschicht bevorzugt durch Bereitstellung eines Gehäusematerials außerhalb der organischen EL-Vorrichtung (die bereits eine weitere Versiegelungsschicht aufweisen kann) auf einem Substrat gebildet, so dass das Gehäusematerial die organische EL-Vorrichtung zusammen mit dem obigen Substrat bedeckt, während ein Raum zwischen der organischen EL-Vorrichtung und dem Gehäusemateriai gebildet wird, und der Raum, der durch das obige Substrat und das Gehäusematerial gebildet wird, mit dem obigen flüssigen Fluorkohlenstoff oder obigen Dispersion eines Adsorptionsmittels, um Wasser und Sauerstoff in dem obigen flüssigen Fluorkohlenstoff zu adsorbieren, gefüllt wird. Das obige Gehäusematerial wird bevorzugt ausgewählt aus. Glas oder einem Polymer (z. B. Polychlortrifluorethylen) mit einem geringen Wasserabsorptionsvermögen. Wenn das Gehäusematerial verwendet wird, kann das Gehäusematerial allein ohne Bereitstellung der obigen Versiegelungsschicht verwendet werden. Andererseits kann, nachdem das Gehäusematerial bereitgestellt ist, eine Schicht, die aus einem Adsorptionsmittel besteht, um Wasser und Sauerstoff zu adsorbieren, bereitgestellt werden, oder Partikel des obigen Adsorptionsmittels können dispergiert werden in dem Raum, der durch das Gehäusematerial und das obige Substrat gebildet wird.
Die organische EL-Anzeigetafel der vorliegenden Erfindung wird im folgenden detailliert erläutert.
Die organische EL-Anzeigetafel der vorliegenden Erfindung umfasst eine Mehrzahl von Pixel, die jeweils aus der obigen organischen EL- Vorrichtung I oder der organischen EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung gebildet sind, wobei die Pixel zweidimensional auf einer Ebene angeordnet sind. Die Spezifikation der obigen zweidimensionalen Anordnung unterliegt keiner besonderen Einschränkung und sie kann geeignet nach Bedarf abhängig von der Spezifikation der gewünschten organischen. EL-Anzeigetafel (X-Y-Matrix-Typ oder Aktiv-Matrix-Typ, etc.) ausgewählt werden.
In der organischen EL-Anzeigetafel des X-Y-Matrix-Typs z. B. wird eine gewünschte Anzahl von transparenten Elektroden (Anoden)- Leitungen auf einem Substrat parallel zueinander in der Form von Streifen gebildet, der organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil werden so gebildet, dass sie die transparenten Elektrodenlinien bedecken und eine gewünschte Anzahl von Kathoden (Gegenelektroden)-Linien wird auf den obigen organischen Einzelschicht- oder Mehrschicht-Anteilen in Richtung eines rechten Winkels mit den transparenten Elektrodenlinien in der Form von Streifen gebildet. Als Ergebnis werden Pixel, d. h. organische EL-Vorrichtungen in den Schnittpunktanteilen der transparenten Elektrodenleitungen und der Kathoden (Gegenelektroden)-Leitungen betrachtet als Ebenenansicht, gebildet. In diesem Fall besitzen die Seiten der obigen transparenten Elektrodenleitungen, die zumindest die Pixel bilden, spitz zulaufende Oberflächen oder Abflachungsschichten, die so angeordnet sind, dass sie gegen die Seitenoberflächen stoßen.
Weiterhin sind in der organischen EL-Vorrichtung des aktiven Matrix- Typs z. B. transparente Elektroden mit einer rechtwinkligen oder quadratischen Form als Form, in der Draufsicht gesehen, in vorgegebenen Intervallen angeordnet, der organische Einzelschicht- Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil ist jeweils auf den obigen transparenten Elektroden gebildet, und eine Kathode (Gegenelektrode) ist auf den organischen Einzelschicht- oder Mehrschicht-Anteilen gebildet, um einen ebenen Film als Elektrode zu bilden, die allen organischen EL-Vorrichtungen gemeinsam ist. Als Ergebnis werden Pixel, d. h. organische EL-Vorrichtungen, in den Schnittpunktanteilen der transparenten Elektrode und der Kathode (Gegenelektrode), betrachtet in der Draufsicht, gebildet. In diesem Fall besitzen die Seiten der obigen transparenten Elektroden spitzzulaufende Oberflächen oder weisen Abflachungsschichten auf, die so angeordnet sind, dass sie gegen die Seitenoberflächen stoßen.
Jede der organischen EL-Vorrichtungen, die die organischen EL- Anzeigetafeln bilden, können organische EL-Vorrichtungen I der vorliegenden Erfindung sein, und es können die organischen EL- Vorrichtungen II der vorliegenden Erfindung sein, Eine organische EL- Anzeigetafel kann organische EL-Vorrichtungen I und organische EL- Vorrichtungen II der vorliegenden Erfindung gemeinsam aufweisen, wobei es bevorzugt ist, die organischen EL-Vorrichtungen I der vorliegenden Erfindung allein oder die organischen EL-Vorrichtungen II der vorliegenden Erfindung allein zu verwenden.
Die Farben eines emittierten Lichtes können unter den organischen EL-Vorrichtungen sein gleich oder verschieden. Die Farben des emittierten Lichtes der organischen EL-Vorrichtung unterscheiden sich abhängig von den organischen lichtemittierenden Materialien, und die organischen lichtemittierenden Materialien für die organischen EL- Vorrichtungen werden daher abhängig von der Verwendung der organischen EL-Anzeigetafel als Endprodukt ausgewählt. Weiterhin kann die Farbe des emittierten Lichtes und die Anordnung der organischen EL- Vorrichtung auch zweckmäßig abhängig von der Verwendung der organischen EL-Anzeigetafel als Endprodukt ausgewählt werden, Die organische EL-Anzeigetafel der vorliegenden Erfindung besitzt eine Mehrzahl von Pixel der obigen organischen EL-Vorrichtung I oder der organischen EL-Vorrichtung II der vorliegenden Erfindung zweidimensional angeordnet auf einer Ebene, so dass sie leicht als EL-Anzeigetafel, die eine hohe Anzeigequalität besitzt, erhalten werden kann, während eine Verschlechterung der Anzeigeeigenschaften, die durch Spannungsabfall verursacht wird, ein Anstieg des Energieverbrauchs und ein Anstieg der RC-Zeitkonstante verhindert wird.
Die Beispiele der vorliegenden Erfindung werden hier im folgenden erläutert, wobei die vorliegende Erfindung nicht auf die folgenden Beispiele beschränkt ist.

Beispiel 1

(1) Herstellung einer transparenten Elektrode

Eine amorphe In-Zn-O-enthaltende Oxidschicht (Indium-Atomverhältnis, In/(In + Zn), = 0,8) mit einer Dicke von 300 nm wurden auf einer Oberfläche eines Glassubstrates mit einer Größe von 75 · 75 · 1,1 mm durch ein DC-Magnetron-Sputter-Verfahren unter Verwendung eines In-Zn-O-enthaltenden Oxid-Sinterkörpers mit einem Indium (In)-Atom- Verhältnis, In/(In + Zn) von 0,83 als Sputtertarget gebildet. Das obige Sputtern wurde in einer Sputter-Atmosphäre durchgeführt, die ein Mischgas von Argongas und Sauerstoffgas (Ar : O&sub2; , = 1000 : 2,8 (Volumenverhältnis)) enthielt, bei einem Vakuumgrad von 0,2 Pa und einer DC-Sputter-Leistungsabgabe von 2 W/cm². Die obige amorphe Oxidschicht wurde hinsichtlich ihres Oberflächenwiderstandes vermessen und ergab 10 Ω/ .
Anschließend wurde die obige amorphe Oxidschicht in zwei geteilte Reihen in der Form von Streifen mit einer Breite von 110 um, einer Länge von 37,5 mm und einem Abstand von 120 um durch Nassätzen unter Verwendung einer wässrigen 12%igen HBr-Lösung als Ätzmittel verarbeitet, um eine vorgegebene Anzahl von transparenten Elektrodenleitungen (einschließlich der transparenten Elektrode I) zu bilden. Die Anzahl der transparenten Elektrodenleitungen in einer Reihe betrug 360 und zwischen den Reihen wurden die transparenten Elektrodenleitungen in Serien angeordnet, in dem man ihre Längsrichtungen in Übereinstimmung brachte.
Die Seitenoberflächen (Seitenoberflächen, die sich in longitudinaler Richtung ausdehnten) jeder der obigen transparenten Elektrodenleitungen waren spitzzulaufend, und der Winkel, gebildet mit den obigen Seitenoberflächen und der Glassubstratoberfläche wurde durch einen Elektronenmikroskop beobachtet und betrug 30º.
Weiterhin wurden die transparenten Elektrodenleitungen hinsichtlich ihrer Oberflächen-Ebenheit mit einem Rasteratomkraft-Mikrpskop (APM) vermessen, um 10 nm zu ergeben, und sie besaßen daher eine sehr flache und glatte Oberfläche. Weiterhin besaß jede der transparenten Elektrodenleitungen einen elektrischen Widerstand von ungefähr 3,6 KΩ.

(2) Herstellung der organischen EL-Anzeigetafel I

Das Glassubstrat, auf der die transparenten Elektrodenleitungen in (1) oben gebildet wurden (im folgenden als "transparente Elektrodenleitungen aufweisendes Glassubstrat" bezeichnet) wurde mit Ultraschall in Isopropylalkohol für 5 Minuten gereinigt und anschließend einer UV-Ozon-Reinigung für 30 Minuten unterworfen.
Die gereinigten, die transparenten Elektrodenleitungen aufweisenden Glassubstrate wurden in einen Substrathalter einer Vakuumauftragsapparatur eingesetzt. Anschließend wurde eine Schicht aus 4,4'-Bis[N,N-di(3-methylphenyl)amino]-4"-phenyl-triphenylamin (im folgenden als "TPD74-Schicht" abgekürzt) mit einer Dicke von 80 nm auf der Substratoberfläche auf der Seite mit den gebildeten transparenten Elektrodenleitungen so gebildet, dass die TPD74-Schicht die transparenten Elektrodenleitungen bedeckte. Die TPD74-Schicht diente als erste Defektelektronen-Injektionsschicht. Anschließend wurde nach der Bildung der TPD74-Schicht, eine 4,4'-Bis[N-(1-naphthyl)-N- phenylamino]biphenyl-Schicht (im folgenden als "NPD-Schicht" bezeichnet) mit einer Dicke von 20 nm auf der obigen TPD74-Schicht gebildet. Die NPD-Schicht diente als zweite Defektelektronen- Injektionsschicht (Defektelektronen-Transportschicht). Weiterhin wurde nach der Bildung der NPD-Schicht eine 4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl- Schicht (im folgenden als "DPVBi-Schicht" abgekürzt) mit einer Dicke von 40 nm auf der NPD-Schicht gebildet.
Die DPVBi-Schicht diente als Blaulicht-emittierende Schicht, Anschließend wurde nach der Bildung der DPVBi-Schicht, eine Tris(8- chinolinol)aluminium-Schicht (im folgenden als "Alq-Schicht" abgekürzt) mit einer Dicke von 20 nm auf der DPVBi-Schicht gebildet. Die Alq- Schicht diente als Elektronen-Injektionsschicht.
Anschließend wurde eine Maske mit einer vorgegebenen Anzahl von Öffnungslinien mit einer Öffnungsbreite von 200 m und einem Abstand von 300 um unterhalb (Auftragsquellenseite) des transparenten Elektroden-aufweisenden Substrates, das bis zur obigen Alq-Schicht gebildet war, angeordnet, und Magnesium (Mg) und Silber (Ag) wurden Doppelelement-aufgetragen, um eine vorgegebene Anzahl von Mg : Ag- Legierungsschichten in der Form von Streifen und mit einer Dicke von 200 nm auf der obigen Alq-Schicht zu bilden, so dass die Mg : Ag- Legierungsschichten sich mit den obigen transparenten Elektrodenlinien schnitten, wenn sie in der Draufsicht betrachtet wurden. In diesem Fall wurde die Auftragsgeschwindigkeit des Mg auf 2 nm/Sekunde eingestellt, und die Auftragsgeschwindigkeit von Ag wurde auf 0.1 nm/Sekunde eingestellt. Die Mg : Ag-Legierungsschichten dienten als Kathode (Gegenelektrode)-Leitungen.
Die Bildung bis zu den obigen Kathoden (Gegenelektroden)- Leitungen ergab eine organische EL-Anzeigetafel. Diese organische EL- Anzeigetafel ist in der organischen EL-Anzeigetafel I der vorliegenden Erfindung enthalten, worin Pixel, gebildet aus organischen EL- Vorrichtungen I zweidimensional in einer X-Y-Matrix-Form angeordnet sind. Die obigen organischen EL-Vorrichtungen I werden in den Schnittpunkt-Anteilen der transparenten Elektrodenleitungen und der Kathoden (Gegenelektroden)-Leitungen, betrachtet in der Draufsicht, gebildet, und der Schichtaufbau davon in der Reihenfolge von der Glassubstratseite ist in der Reihenfolge: transparente Elektrode (Anode: In-Zn-O-enthaltende amorphe Oxidschicht), erste Defektelektroneninjektionsschicht (TPD74-Schicht), zweite Defektelektroneninjektionsschicht (Defektelektronen-Transportschicht; NPD-Schicht), lichtemittierende Schicht (DPVBi-Schicht), Elektronen-Injektionsschicht (Alq-Schicht) und Kathode (Gegenelektrode: Mg : Ag-Legierungsschicht). In der obigen EL-Vorrichtung entsprechen die erste Defektelektronen- Injektionsschicht (TPD74-Schicht), die zweite Defektelektroneninjektionsschicht (Defektelektronen-Transportschicht; NPD-Schicht), die lichtemittierende Schicht (DPVBi-Schicht) und die Elektroneninjektionsschicht (Alq-Schicht) dem organischen Mehrschicht-Anteil.

(3) Betriebstest der organischen EL-Anzeigetafel

Eine Betriebseinheit wurde mit der organischen EL-Anzeigetafel, die unter (2) oben hergestellt wurde, verbunden, die Kathodenleitungen wurden als Scanning-Elektroden verwendet, die transparenten Elektrodenleitungen wurden als Signal-Elektroden verwendet und die organische EL-Anzeigetafel wurde oben und unten geteilt betrieben bei einer relativen Einschaltdauer von 1/120, um eine Anzeige mit hoher Qualität zu ergeben.
D. h., dass kein Kurzschluß unter den Pixeln (organischen EL- Vorrichtungen) auftrat, und es wurde kein Übersprechen, verursacht durch den Kurzschluß, beobachtet. Weiterhin war, da jede der transparenten Elektrodenleitungen einen geringen elektrischen Widerstand von ungefähr 3,6 KΩ (einen Oberflächenwiderstand von so gering wie 10 Ω/ aufwies), der Spannungsabfall ebenfalls gering, und jeder Pixel emittierte gleichförmig Licht. Weiterhin wurde weder ein Spotdefekt, noch ein Leitungsdefekt, induziert durch Höhenniveauunterschied-induzierten Bruch des organischen Mehrschicht-Anteils oder der Kathodenleitungen gefunden. Wenn die Pixel während des Betriebs der Tafel durch ein Stereoskopie-Mikroskop beobachtet wurden, waren dunkle Spots äußerst selten. Das liegt vermutlich daran, dass die transparenten Elektrodenleitungen eine Oberflächen-Ebenheit aufwiesen, die so gering wie 10 nm war und eine bemerkenswerte flache und glatte Oberfläche aufwiesen, so dass die dunklen Spots sehr selten waren.

Beispiel 2

Eine In-Zn-O-enthaltende amorphe Oxidschicht (Atomverhältnis In, In/(In + Zn) = 0,8) mit einer Dicke von 300 nm wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(1) gebildet.
Anschließend wurde ein Photoresistfilm auf der obigen In-Zn-O- enthaltenden amorphen Oxidschicht gebildet, und die Belichtung unter Verwendung einer vorgegebenen Belichtungsmastermaske und die Entwicklung unter Verwendung einer vorgegebenen Entwicklerlösung wurden durchgeführt, um ein Resistmuster mit einer gewünschten Form zu bilden. Anschließend wurde das Nassätzen mit einer wässrigen 12%igen HBr-Lösung als Ätzmittel durchgeführt. Dann wurde, während das obige Resistmuster wie es war erhalten blieb, eine Aluminium (Al)-Schicht mit einer Dicke von 270 nm auf dem Resistmuster und der Glasoberfläche auf der Seite, wo das Resistmuster war, gebildet, durch ein Elektronenstrahl-Auftragsverfahren.
Dann wurde das obige Resistmuster mit einer vorgegebenen Freisetzungslösung entfernt, um ein Glassubstrat zu ergeben, auf dem zwei geteilte Reihen einer vorgegebenen Anzahl von transparenten In-Zn- O-enthaltenden amorphen Oxidschicht Elektrodenleitung mit einer Breite von 110 um, einer Länge von 37,5 mm und einem Abstand von 120 m gebildet waren, und die obige Al-Schicht so gebildet war, dass sie gegen die Seitenoberfläche der transparenten Elektrodenleitungen (das obige Substrat wird im folgenden als "Glassubstrat A" bezeichnet) stießen. Die Anzahl der transparenten Elektrodenleitungen jeder der gebildeten Reihe auf dem Glassubstrat A betrug 360 und zwischen den Reihen waren transparente Elektrodenleitungen in Serie angeordnet, indem ihre Längsrichtungen in Übereinstimmung gebracht waren.
Anschließend wurde eine wässrige Lösung mit einer Ammoniumtartrat-Konzentration von 0,1 Mol-% und Ethylenglykol in einem Volumenverhältnis von 1 : 9 vermischt, und der pH der Mischung wurde auf 7,0 eingestellt durch Zugeben einer wässrigen Ammoniumlösung, zu einer neutralen Elektrolytlösung für die Anodisierung, Dann wurden das obige Substrat A in die neutrale Elektrolytlösung eingetaucht und unter den Bedingungen einer angelegten Spannung von 240 V, einer Stromdichte von 1 mA/cm² und einer Lösungs-Temperatur von 40ºC unter Verwendung der obigen Al-Schicht gebildet aus dem Glassubstrat A als Anode und einer Platinelektrode als Kathode anodisiert, um die obige Al- Schicht vollständig zu oxidieren. Bei der obigen Anodisierung wurde eine Alummiumoxidschicht mit einer Dicke von 300 nm, die sich aus der obigen Al-Schicht ableitete, so gebildet, dass sie an die Seitenoberfläche jeweils der obigen transparenten Elektrodenlinien stieß. Die Aluminiumoxidschicht diente als Abflachungsschicht, Jede der transparenten Elektrodenleitungen, die auf dem Glassubstrat gebildet war, auf der bis zur obigen Abflachungsschicht (Aluminiumoxidschicht) die Bildung durchgeführt war (das Glassubstrat wird im folgenden als "Glassubstrat B" bezeichnet) besaß einen elektrischen Widerstand von 3,8 K Ω.

(2) Herstellung der organischen EL-Anzeigetafel II

Eine organische EL-Anzeigetafel wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(2) erhalten, ausgenommen, dass das Glassubstrat B, erhalten in dem obigen Punkt (1) verwendet wurde. Die organisch EL-Anzeigetafel ist in der organischen EL-Anzeigetafel II der vorliegenden Erfindung enthalten, worin, Pixel gebildet aus dem organischen EL-Vorrichtungen 11 zweidimensional in einer X-Y-Matrix-Form angeordnet sind.

(3) Betriebstest der organischen EL-Anzeigetafel

Eine Betriebseinheit wurde mit der organischen EL-Anzeigefafel, hergestellt unter (2) oben verbunden, und die organische EL-Anzeigetafel wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(3) betrieben, um eine Anzeige mit hoher Qualität zu ergeben.
D. h., dass unter den Pixeln (organischen EL-Vorrichtungen) kein Kurzschluß auftrat, und kein Übersprechen durch den Kurzschluß beobachtet wurde. Da weiterhin jede transparente Elektrodenleitung einen geringen elektrischen Widerstand von so gering wie ungefähr 3,8 KΩ aufwies (einen Oberflächenwiderstand von so gering wie 10 Ω/ aufwies), war auch der Spannungsabfall gering und jeder Pixel emittierte gleichförmig Licht. Weiterhin wurde weder ein Spotdefekt, noch ein Leitungsdefekt, induziert durch einen Höhenniveauunterschiedsinduzierten Bruch des organischen Mehrschicht-Anteils oder der Kathodenleitung gefunden. Wenn die Pixel während des Betriebs der Tafel durch ein Stereoskopie-Mikroskop beobachtet wurden, waren die dunklen Spots sehr selten. Dies liegt vermutlich daran, dass die transparenten Elektrodenleitungen eine Oberflächen-Ebenheit von so gering wie 17 nm aufwiesen und eine bemerkenswerte flache und glatte Oberfläche, so dass die dunklen Spots sehr selten waren.

Beispiel 3

(1) Herstellung einer transparenten Elektrode

Zunächst wurde eine TiO&sub2;-Schicht mit einer Dicke von 100 nm auf einer Oberfläche einer Glasplatte mit einer Größe von 75 · 75 · 1,1 mm durch ein RF-Magnetron-Sputter-Verfahren gebildet, um ein transparentes Substrat mit einer Unterlegschicht, gebildet aus der obigen TiO&sub2;-Schicht herzustellen. Die Bildung der TiO&sub2;-Schicht wurde in einer Sputter- Atmosphäre von Argongas bei einem Sputter-Vakuumgrad von 0,2 Pa mit einer RF-Sputter-Leistungsabgabe von 2 W/cm² durchgeführt.
Anschließend wurde eine Ag-Schicht mit einer Dicke von 5 nm auf der obigen TiO&sub2;-Schicht durch ein DC-Magnetron-Sputter-Verfahren durchgeführt. In diesem Fall waren die Sputter-Atmosphäre und der Vakuumgrad die gleichen wie bei der Bildung der obigen TiO&sub2;-Schicht, und die DC-Sputter-Leistungsabgabe wurde auf 1 W/cm² eingestellt.
Anschließend wurde eine In-Zn-O-enthaltende amorphe Oxidschicht (Atomverhältnis von In, In/(In + Zn) = 0,8) mit einer Dicke von 100 nm auf der obigen Ag-Schicht durch ein DC-Magnetron-Sputter- Verfahren gebildet. In diesem Fall wurde das Sputtern in einer Sputteratmosphäre eines Mischgases von Argongas und Sauerstoffgas (Ar : O&sub2; = 1000 : 2,8 (Volumenverhältnis)) bei einem Sputter-Vakuumgrad von 0,2 Pa und einer DC-Sputter-Leistungsabgabe von 2 W/cm² durchgeführt.
Die transparente elektrisch leitende Schicht mit einer Zweischichtstruktur, gebildet aus der obigen Ag-Schicht und der obigen In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht wurde hinsichtlich ihres Oberflächenwiderstands und ihrer Lichtdurchlässigkeit gemessen, und ergab einen Oberflächenwiderstand von 5 Ω/ und eine Lichtdurchlässigkeit im sichtbaren Bereich der Wellenlängen von 420 bis 650 nm von 70% oder mehr.
Anschließend wurde die obige transparente elektrisch leitende Schicht mit einer Zweischichtstruktur in das gleiche Muster wie in Beispiel 1(1) durch Nassätzen unter Verwendung einer wässrigen 15%igen HBr- Lösung als Ätzmittel gemustert, um, die gewünschten transparenten Elektrodenleitungen (enthalten in der transparenten Elektrode I) zu ergeben (das Glassubstrat bis zur Bildung der obigen transparenten Elektrodenleitung wird als "transparente Elektrodenleitungenaufweisendes Glassubstrat" bezeichnet).
In jeder der obigen transparenten Elektrodenleitungen besaßen die Seitenoberflächen (Seitenoberflächen, die sich in Längsrichtung ausdehnten) der Ag-Schicht und der In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht eine spitz zulaufende Form, und der Winkel, gebildet durch die Seitenoberfläche und die Glassubstratoberfläche, wurde durch ein Elektrodenmikroskop beobachtet und betrug 30º. Weiterhin wurden die transparenten. Elektrodenleitungen hinsichtlich ihrer Oberflächen-Ebenheit mit einem Rasteratomkraft-Mikroskop (AFM) untersucht, um 10 nm zu ergeben, und besaßen somit eine sehr, flache und glatte Oberfläche. Weiterhin besaß jede der transparenten Elektrodenleitungen einen elektrischen Widerstand von ungefähr 2,0 K Ω.

(2) Herstellung der organischen EL-Anzeigetafel I

Eine organische EL-Anzeigetafel wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(2) hergestellt, ausgenommen, dass das transparente Elektrodenleitungen aufweisende Glassubstrat, erhalten in (1) oben verwendet wurde.
Die obige organische EL-Anzeigetafel ist in den organischen EL- Anzeigetafeln I der vorliegenden Erfindung enthalten.

(3) Betriebstest der organischen EL-Anzeigetafel

Eine Betriebseinheit wurde mit der organischen EL-Anzeigetafel hergestellt unter (2) oben verbunden und die organische EL-Anzeigetafel wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(3) oben betrieben, um eine Anzeige mit hoher Qualität zu ergeben.
D. h., dass unter den Pixeln (organischen EL-Vorrichtungen) kein Kurzschluß auftrat, und kein Übersprechen durch den Kurzschluß beobachtet wurde, Da weiterhin jede transparente Elektrodenleitung einen geringen elektrischen Widerstand von so gering wie ungefähr 2,0 KΩ aufwies (einen Oberflächenwiderstand von so gering wie 5 Ω/ aufwies), war auch der Spannungsabfall gering und jeder Pixel emittierte gleichförmig Licht. Weiterhin wurde weder ein Spotdefekt, noch ein Leitungsdefekt, induziert durch einen Höhenniveauunterschiedsinduzierten Bruch des organischen Mehrschicht-Anteils oder der Kathodenleitung gefunden. Wenn die Pixel während des Betriebs der Tafel durch ein Stereoskopie-Mikroskop beobachtet wurden, waren die dunklen Spots sehr selten. Dies liegt vermutlich daran, dass die transparenten Elektrodenleitungen eine Oberflächen-Ebenheit von so gering wie 10 nm aufwiesen und eine bemerkenswerte flache und glatte Oberfläche, so dass die dunklen Spots sehr selten waren.

Beispiel 4

(1) Herstellung einer transparenten Elektrode

Zunächst Wurde eine ITO-Schicht mit einer Dicke von 100 nm auf einer Oberfläche eines Glassubstrates mit einer Größe von 75 · 75 · 1,1 mm durch ein DC-Magnetron-Sputter-Verfahren gebildet. Das obige Sputtern würde in einer Sputter-Atmosphäre eines gemischten Gases von Argongas und Sauerstoffgas (Ar : O&sub2; = 1000 : 2,8 (Volumenverhältnis) mit einem Sputter-Vakuumgrad von 0,2 Pa bei einer RF-Sputter- Leistungsabgabe von 2 W/cm² durchgeführt.
Anschließend wurde eine Ag-Schicht mit einer Dicke von 10 nm auf der obigen ITO-Schicht durch ein DC-Magnetron-Sputter-Verfahren gebildet. In diesem Fall war die Sputter-Atmosphäre und der Vakuumgrad wie bei der Bildung der obigen ITO-Schicht, und die DC-Sputter- Leistungsabgabe wurde ein 1 W/cm² eingestellt.
Anschließend wurde eine In-Zn-O-enthaltende amorphe Oxidschicht (Atomverhältnis von In, In/(In + Zn) = 0,8) mit einer Dicke von 100 nm auf der obigen Ag-Schicht mit einem DC-Magnetron-Sputter- Verfahren gebildet. In diesem Fall waren die Sputter-Atmosphäre, der Vakuumgrad und die DC-Sputter-Leistungsabgabe die gleiche wie bei der Bildung der obigen ITO-Schicht.
Die transparente elektrisch leitende Schicht mit einer Dreischichtstruktur, gebildet aus der obigen ITO-Schicht, der obigen Ag- Schicht und der obigen In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht wurde hinsichtlich ihres Oberflächenwiderstandes und ihrer Lichtdurchlässigkeit gemessen, um zu ergeben, dass der Oberflächenwiderstand 3 Ω/ war und die Lichtdurchlässigkeit im sichtbaren Bereich der Wellenlänge von 420 bis 650 nm 70% oder mehr betrug.
Anschließend wurde die obige transparente elektrisch leitende Schicht mit einer Dreischichtstruktur in das gleiche Muster wie in Beispiel 1(1) durch Nassätzen unter Verwendung einer 15%igen HBr-wäßrigen Lösung als Ätzmittel gemustert, um die gewünschten transparenten Elektrodenleitungen (enthalten in der transparenten Elektrode I) zu ergeben. (Das Glassubstrat bis zur Bildung der obigen transparenten Elektrodenleitungen wird im folgenden als "transparente Elektrodenleitungen aufweisendes Glassubstrat" bezeichnet).
In jeder der obigen transparenten Elektrodenleitungen besaßen die Seitenoberflächen (Seitenoberflächen, die sich in Längsrichtung ausdehnten) der Ag-Schicht und der In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht eine deutlich spitz zulaufende Form, und der Winkel, der durch die Seitenoberflächen und das Glassubstrat gebildet war, beobachtet durch ein Elektronen-Mikroskop betrug 30º. Weiter besaßen auch die Seitenoberflächen (Seitenoberflächen, die sich in longitudinaler Richtung ausdehnten) der ITO-Schicht ebenfalls eine spitz zulaufende Form.
Die obigen transparenten Elektrodenleitungen wurden hinsichtlich ihrer Oberflächen-Ebenheit mit einem Raster-Atomkraft-Mikroskop (AFM) gemessen, um 10 nm zu zeigen, und sie besaßen daher eine sehr flache und glatte Oberfläche. Weiterhin besaßen die transparenten Elektrodenleitungen jeweils einen elektrischen Widerstand von ungefähr 1,2 K Ω.

(2) Herstellung einer organischen EL-Anzeigetafel I

Eine organische EL-Anzeigetafel wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(2) hergestellt, ausgenommen, dass das transparente Elektrodenleitungen aufweisende Glassubstrat, erhalten in (1) oben, verwendet wurde.
Die obige organische EL-Anzeigetafel ist in den organischen EL- Anzeigetafeln I der vorliegenden Erfindung enthalten.

(3) Betriebstest der organischen EL-Anzeigetafel

Eine Betriebseinheit wurde mit der organischen EL-Anzeigetafel hergestellt unter (2) oben verbunden und die organische EL-Anzeigetafel wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(3) oben betrieben, um eine Anzeige mit hoher Qualität zu ergeben.
D. h., dass unter den Pixeln (organischen EL-Vorrichtungen) kein Kurzschluß auftrat, und kein Übersprechen durch den Kurzschluß beobachtet wurde. Da weiterhin jede transparente Elektrodenleitung einen geringen elektrischen Widerstand von so gering wie ungefähr 1, 2 KΩ aufwies (einen Oberflächenwiderstand von so gering wie 3 Ω/ aufwies), war auch der Spannungsabfall gering und jeder Pixel emittierte gleichförmig Licht. Weiterhin wurde weder ein Spotdefekt, noch ein Leitungsdefekt, induziert durch einen Höhenniveauunterschiedsinduzierten Bruch des organischen Mehrschicht-Anteils oder der Kathodenleitung gefunden. Wenn die Pixel während des Betriebs der Tafel durch ein Stereoskopie-Mikroskop beobachtet wurden, waren die dunklen Spots sehr selten. Dies liegt vermutlich daran, dass die transparenten Elektrodenleitungen eine Oberflächen-Ebenheit von so gering wie 10 nm aufwiesen und eine bemerkenswerte flache und glatte Oberfläche, so dass die dunklen Spots sehr selten waren.

Beispiel 5

(1) Herstellung einer transparenten Elektrode

Eine transparente elektrisch leitfähige Schicht mit einer Dreischichtstruktur wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 4(1) gebildet, ausgenommen, dass eine In-Zn-O-enthaltende amorphe Oxidschicht (Atomverhältnis von In, In/(In + Zn) = 0,8) mit einer Dicke von 100 nm anstelle der ITO-Schicht gebildet wurde, und die Dicke der Ag- Schicht auf 10 nm geändert wurde, Bei der Bildung der In-Zn-O- enthaltenden amorphen Oxidschicht anstelle der ITO-Schicht wurden die Sputter-Atmosphäre, der Vakuumgrad und die DC-Sputter- Leistungsabgabe auf die gleichen Bedingungen wie bei der Bildung der ITO-Schicht in Beispiel 4(1) eingestellt.
Die obige transparente elektrisch leitfähige Schicht (Schicht mit einer Dreischichtstruktur, gebildet aus einer In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht, einer Ag-Schicht und einer In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht) wurde hinsichtlich ihres Oberflächenwiderstands und ihrer Lichtdurchlässigkeit vermessen, was zeigte, dass der Oberflächenwiderstand. 5 Ω/ betrug und die Lichtdurchlässigkeit im sichtbaren Bereich der Wellenlänge von 420 bis 650 nm 65% oder mehr betrug.
Anschließend wurde die obige transparente elektrisch leitende Schicht mit der Dreischichtstruktur in das gleiche Muster wie in Beispiel 1(1) durch Nassätzen unter Verwendung einer 15%igen HBr-wäßrigen Lösung als Ätzmittel gemustert, um die gewünschten transparenten Elektrodenleitungen (enthalten in der transparenten Elektrode I) zu ergeben. (Das Glassubstrat bis zur Bildung der obigen transparenten Elektrodenleitungen wird im folgenden als "transparente Elektrodenleitungen aufweisendes Glassubstrat" bezeichnet).
In jeder der obigen transparenten Elektrodenleitungen besaßen, die Seitenoberflächen (Seitenoberflächen, die sich in Längsrichtung ausdehnten) der Ag-Schicht und der In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht eine deutlich spitz zulaufende Form, und der Winkel, der durch die Seitenoberflächen und das Glassubstrat gebildet war, beobachtet durch ein Elektronen-Mikroskop betrug 30º.
Die obigen transparenten Elektrodenleitungen wurden hinsichtlich ihrer Oberflächen-Ebenheit mit einem Raster-Atomkraft-Mikroskop (AFM) gemessen, um 10 nm zu zeigen, und sie besaßen daher eine sehr flache und glatte Oberfläche. Weiterhin besaßen die transparenten Elektrodenleitungen jeweils einen elektrischen Widerstand von ungefähr 2 KΩ.

(2) Herstellung einer organischen EL-Anzeigetafel I

Eine organische EL-Anzeigetafel wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(2) hergestellt, ausgenommen, dass das transparente Elektrodenleitungen aufweisende Glassubstrat, erhalten in (1) oben, verwendet wurde.
Die obige organische EL-Anzeigetafel ist in den organischen EL- Anzeigetafeln I der vorliegenden Erfindung enthalten, (3) Betriebstest der organischen EL-Anzeigetafel Eine Betriebseinheit wurde mit der organischen EL-Anzeigetafel hergestellt unter (2) oben verbunden und die organische EL-Anzeigetafel wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 (3) oben betrieben, um eine Anzeige mit hoher Qualität zu ergeben.
D. h., dass unter den Pixeln (organischen EL-Vorrichtungen) kein Kurzschluß auftrat, und kein Übersprechen durch den Kurzschluß beobachtet wurde. Da weiterhin jede transparente Elektrodenleitung einen geringen elektrischen Widerstand von so gering wie ungefähr 2,0 KΩ aufwies (einen Oberflächenwiderstand von so gering wie 5 Ω/ aufwies), war auch der Spannungsabfall gering, und jeder Pixel, emittierte gleichförmig Licht. Weiterhin wurde weder ein Spotdefekt, noch ein Leitungsdefekt, induziert durch einen Höhenniveauunterschiedsinduzierten Bruch: des organischen Mehrschicht-Anteils oder der Kathodenleitung gefunden. Wenn die Pixel während des Betriebs der Tafel durch ein Stereoskopie-Mikroskop beobachtet wurden, waren die dunklen Spots sehr selten. Dies liegt vermutlich daran, dass die transparenten Elektrodenleitungen eine Oberflächen-Ebenheit von so gering wie 10 nm aufwiesen und eine bemerkenswerte flache und glatte Oberfläche, so dass die dunklen Spots sehr selten waren.

Vergleichsbeispiel 1

Anstelle der In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht in Beispiel 1(1) wurde eine kristalline ITO-Schicht mit einer Dicke von 200 nm durch ein Elektronen-Strahl-Auftragsverfahren gebildet, wobei die Substrat- Temperatur auf 200ºC eingestellt wurde, Die obige kristalline ITO-Schicht besaß eine geringe Oberflächen-Ebenheit, so gering wie 60 nm und war nicht nur kristallin, sondern auch ihre Oberflächen-Ebenheit war außerhalb des Bereichs, den die vorliegende Erfindung erfordert. Die obige kristalline ITO-Schicht besaß einen. Oberflächenwiderstand der so hoch war wie 15 Ω/ , was ebenfalls außerhalb des Bereiches der vorliegenden Erfindung lag. Die obige kristalline ITO-Schicht besaß eine Korngröße von 100 bis 200 nm.
Anschließend wurde die obige kristalline ITO-Schicht nassgeätzt in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(1), um transparente Elektrodenleitungen zu bilden. Der Winkel, gebildet mit der Seitenoberfläche der transparenten Elektrodenleitung und der Glassubstratoberfläche betrug 80%.
Anschließend wurde eine organische EL-Anzeigetafel in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(2) hergestellt, und wenn der Betriebstest wie in Beispiel 1 (3) durchgeführt wurde, konnten keine ausgezeichneten Anzeigequalitäten erhalten werden.
D. h., ein Kurzschluß Trat unter den organischen EL-Vorrichtungen auf und Übersprechungen traten daher ebenfalls auf. Jeder der Pixel (organische EL-Vorrichtung) emittierte relativ gleichförmig Licht, wobei eine Anzahl von Spot-Defekten und Leitungsdefekten, verursacht durch Höhenniveaudifferenz-induzierten Brüche der organischen Mehrschicht- Anteile oder der Kathodenleitungen gefunden wurden. Wurden die Pixel während des Betriebs der Tafel durch ein Stereoskopie-Mikroskop beobachtet, wurde eine Anzahl von dunklen Spots gefunden.

Vergleichsbeispiel 2

Zunächst wurde anstelle der In-Zn-O-enthaltenden amorphen Oxidschicht in Beispiel 1(1) eine kristalline ITO-Schicht mit einer Dicke von 100 nm durch ein DC-Magnetron-Sputter-Verfahren gebildet. In diesem Fall wurde ein gesinterter Körper einer Mischung von Indiumoxid mit Zinnoxid (Atomverhältnis von In zu Sn 9 : 1) als Sputtertarget verwendet, die Sputter-Atmosphäre war die gleiche wie in Beispiel 1(1), und die Substrat-Temperatur wurde auf 200ºC eingestellt.
Die obige kristalline ITO-Schicht besaß eine Oberflächen-Ebenheit von 20 nm, was im Bereich der vorliegenden Erfindung liegt. Sie besaß jedoch einen Oberflächenwiderstand der so hoch war wie 30 Ω/ und es war nicht nur eine kristalline Schicht, sondern auch ihr Oberflächenwiderstand war außerhalb des in der vorliegenden Erfindung spezifizierten Bereiches.
Anschließend wurde die obige kristalline ITO-Schicht in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(1) nassgeätzt, um transparente Elektrodenleitungen zu bilden. Der Winkel, gebildet mit der Seifenoberfläche der transparenten Elektrodenleitung und der Glassubstratoberfläche betrug 80º. Weiter besaß jede transparente Elektrodenleitung einen elektrischen Widerstand von 10 KΩ oder höher.
Anschließend wurde eine organische EL-Anzeigetafel in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(2) hergestellt, und wenn der Betriebstest davon in der gleichen Weise wie in Beispiel 1(3) durchgeführt wurde, konnten keine ausgezeichneten Anzeigequalitäten erhalten werden.
D. h., da die transparenten. Elektrodenleitungen einen elektrischen Widerstand von so hoch wie 10 KΩ oder mehr besaßen, traten große Spannungsabfälle auf und jeder Pixel (organische EL-Vorrichtung) emittierte nicht gleichförmig Licht.
Wie oben im Hinblick auf die Beispiele gemäß der organischen EL- Vorrichtung I, der organischen EL-Vorrichtung II, der organischen EL- Anzeigetafel I oder der organischen EL-Anzeigetafel II der vorliegenden Erfindung erläutert, kann leicht eine organische EL-Anzeigetafel bereitgestellt werden, worin die Abnahme der Anzeigequalität, verursacht durch Spannungsabfall, eine Erhöhung des Energieverbrauchs und eine Erhöhung der RC-Zeitkonstante verhindert wird.

Claims

1. Organische EL-Vorrichtung, worin eine transparente Elektrode auf einem Substrat gebildet ist, ein organischer Einzelschicht-Anteil oder ein organischer Mehrschicht-Anteil, die mindestens ein organisches lichtemittierendes Material enthalten, auf der transparenten Elektrode gebildet ist, und eine Gegenelektrode auf dem organischen Einzelschicht-Anteil oder dem organischen Mehrschicht-Anteil gebildet ist;

dadurch gekennzeichnet, dass die genannte transparente Elektrode eine amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aufweist, einen Oberflächenwiderstand von 12 Ω/ oder weniger und eine Oberflächen- Ebenheit von 20 nm oder weniger aufweist und eine Seitenoberfläche mit einer zugespitzten Form aufweist,

wobei der genannte organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil auf der genannten amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet ist.

2. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 1, worin die transparente Elektrode aus einer einzelnen amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet ist.

3. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 2, worin die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aus einem amorphen Oxid gebildet ist, das Indium (In), Zink (Zn) und Sauerstoff (O) als Aufbauelemente enthält, und das amorphe Oxid ein Indium-Atomverhältnis In/(In + Zn) von 0,5 bis 0,9 aufweist.

4. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 1, worin die transparente Elektrode eine Zweischichtstruktur besitzt, gebildet aus einer amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht und einer dünnen Metallschicht, wobei der organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht- Anteil auf der genannten amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet ist.

5. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 4, worin die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aus einem amorphen Oxid gebildet ist, das Indium (In), Zink (Zn) und Sauerstoff (O) als Aufbauelemente enthält, und das amorphe Oxid einen Indium-Atomverhältnis In/(In + Zn) von 0,5 bis 0,9 aufweist.

6. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 1, worin die transparente Elektrode eine Dreischicht-Struktur aufweist, gebildet aus zwei transparenten elektrisch leitfähigen Schichten und einer dünnen Metallschicht, die in Form eines Sandwichs zwischen den beiden transparenten elektrischen leitfähigen Schichten angeordnet ist, wobei mindestens eine der genannten beiden transparenten elektrisch leitfähigen Schichten eine amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht ist, und der organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht- Anteil auf der genannten amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet ist.

7. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 6, worin die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aus einem amorphen Oxid gebildet ist, das Indium (In), Zink (Zn) und Sauerstoff (O) als Aufbauelemente enthält, und das amorphe Oxid einen Indium-Atomverhältnis In/(In + Zn) von 0,5 bis 0,9 aufweist.

8. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 1, worin die Seitenoberfläche der transparenten Elektrode und die Substratoberfläche einen Winkel von 60º oder weniger bilden.

9. Organische EL-Vorrichtung, worin eine transparente Elektrode auf einem Substrat gebildet ist, ein organischer Einzelschicht-Anteil oder ein organischer Mehrschicht-Anteil, die mindestens ein organisches lichtemittierendes Material enthalten, auf der transparenten Elektrode gebildet ist, und eine Gegenelektrode auf dem organischen Einzelschicht-Anteil oder dem organischen Mehrschicht-Anteil gebildet ist;

dadurch gekennzeichnet, dass

die genannte transparente Elektrode eine amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aufweist und einen Oberflächenwiderstand von 12 Ω/ oder weniger aufweist und eine Oberflächen-Ebenheit von 20 nm oder weniger aufweist, wobei der genannte organische Einzelschicht- Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil auf der genannten amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet ist, eine Abflachungsschicht derart bereitgestellt ist, dass sie an die Seitenoberfläche der transparenten Elektrode grenzt, um eine Höhenniveau-Differenz zwischen der transparenten Elektrode und der Oberfläche des Substrates zu mildern.

10. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 9, worin die transparente Elektrode aus einer amorphen elektrisch leitfähigen Oxid-Einzelschicht gebildet ist.

11. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 10, worin die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aus einem amorphen Oxid gebildet ist, das Indium (In), Zink (Zn) und Sauerstoff (O) als Aufbauelemente enthält, und das amorphe Oxid ein Indium-Atomverhältnis In/(In + Zn) von 0,5 bis 0,9 aufweist.

12. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 9, worin die transparente Elektrode eine Zweischichtstruktur aufweist, gebildet aus einer amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht und einer dünnen Metallschicht, und eine Seitenoberfläche mit einer zugespitzten Form gebildet aus der genannten Abflachungsschicht aufweist, wobei der organische Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil auf der genannten elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet ist.

13. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 12, worin die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aus einem amorphen Oxid gebildet ist, das Indium (In), Zink (Zn) und Sauerstoff (O) als Aufbauelemente enthält, und das amorphe Oxid einen Indium-Atomverhältnis In/(In + Zn) von 0,5 bis 0,9 aufweist.

14. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 9, worin die transparente Elektrode eine Dreischichtstruktur aufweist, gebildet aus zwei transparenten elektrisch leitfähigen Schichten und einer dünnen Metallschicht, die in Form eines Sandwichs zwischen den zwei transparenten elektrisch leitfähigen Schichten angeordnet ist, mindestens eine der beiden erwähnten transparenten elektrisch leitfähigen Schichten eine amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht ist, die transparente Elektrode eine Seitenoberfläche mit einer zugespitzten Form aufweist, die durch die genannte Abflachungsschicht gebildet wird, wobei der Einzelschicht-Anteil oder der organische Mehrschicht-Anteil auf der genannten amorphen elektrisch leitfähigen Oxidschicht gebildet wird.

15. Organische EL-Vorrichtung nach Anspruch 14, worin die amorphe elektrisch leitfähige Oxidschicht aus einem amorphen Oxid gebildet ist, das Indium (In), Zink (Zn) und Sauerstoff (O) als Aufbauelemente enthält, und das amorphe Oxid ein Indium-Atomverhältnis In/(In + Zn) von 0,5 bis 0,9 aufweist.

16. Organisches EL-Anzeigefeld, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Pixel, gebildet aus den organischen EL-Vorrichtungen nach Anspruch 1, zweidimensional auf einer Oberfläche angeordnet ist.

17. Organisches EL-Anzeigefeld, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Pixel, gebildet aus den organischen EL-Vorrichtungen nach Anspruch 2, zweidimensional auf einer Oberfläche angeordnet ist.

18. Organisches EL-Anzeigefeld, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Pixel, gebildet aus den organischen EL-Vorrichtungen nach Anspruch 4, zweidimensional auf einer Oberfläche angeordnet ist.

19. Organisches EL-Anzeigefeld, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Pixel, gebildet aus den organischen EL-Vorrichtungen nach Anspruch 6, zweidimensional auf einer Oberfläche angeordnet ist.

20. Organisches EL-Anzeigefeld, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrzahl von Pixel, gebildet aus den organischen EL-Vorrichtungen nach Anspruch 9 zweidimensional auf einer Oberfläche angeordnet ist.