DE69700827T2 - Elektrische Komponente und Verfahren zur Herstellung - Google Patents
Elektrische Komponente und Verfahren zur HerstellungInfo
- Publication number
- DE69700827T2 DE69700827T2 DE69700827T DE69700827T DE69700827T2 DE 69700827 T2 DE69700827 T2 DE 69700827T2 DE 69700827 T DE69700827 T DE 69700827T DE 69700827 T DE69700827 T DE 69700827T DE 69700827 T2 DE69700827 T2 DE 69700827T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- component
- primer
- cured
- silicone
- components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 100
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 52
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 52
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- -1 dimethylsiloxane Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 12
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 12
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 8
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 7
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 2
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LTOKKZDSYQQAHL-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(oxiran-2-yl)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCC1CO1 LTOKKZDSYQQAHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UEFJJFILJJDEFC-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[8-(oxiran-2-yl)octyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCCCCC1CO1 UEFJJFILJJDEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 14
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 5
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011067 equilibration Methods 0.000 description 3
- 125000005417 glycidoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbut-3-yn-2-ol Chemical compound C#CC(O)(C)C1=CC=CC=C1 KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000013008 moisture curing Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 2
- SVNWKKJQEFIURY-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropyl)imidazole Chemical compound CC(C)CN1C=CN=C1C SVNWKKJQEFIURY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 239000004845 glycidylamine epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
- C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
- Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Komponenten. Spezieller bezieht sich die Erfindung auf ein sehr produktives Verfahren zur Herstellung der elektrischen Komponenten, in welchen gehärtetes Silicon, das auf einem elektrischen Element beschichtet ist, vollständig monolithisch mit dem gehärteten Harzversiegelungsmittel, das auf dem Silicon beschichtet ist, verbunden wurde.
- Elektrische Elemente, z. B. integrierte Schaltkreise, integrierte Hybridschaltkreise, Halbleiterchips, Transistoren, Dioden, Kondensatoren, Widerstände usw. sind im allgemeinen mit einem gehärteten Harzversiegelungsmittel beschichtet. Das Versiegelungsmittel schützt das Element vor äußerer Beanspruchung (Biegebeanspruchung, Schlag- usw.), verhindert Wassereintritt und verbessert die Feuchtigkeitsbeständigkeit. Darüber hinaus kann das elektrische Element auch mit gehärtetem Silicon beschichtet werden, um es von interner Beanspruchung, die von der Ausdehnung oder dem Schrumpfen des gehärteten Harzversiegelungsmittel stammen, zu schützen. Das gehärtete Silicon jedoch ist nicht mit dem darüber beschichteten gehärteten Harzversiegelungsmittel verbunden oder haftet daran, was in einer unakzeptablen Verläßlichkeit für die harzversiegelte elektrische Komponente resultiert.
- Bis heute wurde nach monolithischer Bindung zwischen der gehärteten Siliconbeschichtung des elektrischen Elements und des gehärteten Versiegelungsharzes, das über dem gehärteten Silicon beschichtet ist, gestrebt, indem die Oberfläche des gehärteten Silicons mit UV-Strahlung behandelt wurde und dieses UV-behandelte gehärtete Silicon mit dem Harzversiegelungsmittel versiegelt wurde (US 4,645,551, JP-A 64-27249, JP-A 1-94679, JP-A 2-27756 und JP-A 3-22553).
- Jedoch sogar elektrische Komponenten dieses Typs leiden an einer inakzeptablen Haftung zwischen dem gehärteten Silicon und dem gehärteten Harzversiegelungsmittel. Als ein Resultat bleibt die Verläßlichkeit dieser harzversiegelten elektrischen Komponenten unzufriedenstellend. Darüber hinaus leiden die Verfahren zur Herstellung dieser elektrischen Komponenten an einer schlechten Produktivität, da sie Bestrahlung mit UU-Licht erfordern.
- Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung von in hohem Maße verläßlichen elektrischen Komponenten zur Verfügung zu stellen, bei dem die gehärtete Siliconbeschichtung, die auf dem elektrischen Element beschichtet ist, vollständig in einer monolithischen Masse mit dem gehärteten Harzversiegelungsmittel, das auf dem gehärteten Silicon beschichtet ist, verbunden ist.
- Verschiedene härtbare Beschichtungszusammensetzungen wurden zuvor beschrieben.
- Zum Beispiel beschreibt EP 0 718 433 A2 eine Zusammensetzung, die mittels einer Hydrosilylierungsreaktion härtbar ist und ein Siliconharz, einen Haftvermittler, der das Reaktionsprodukt eines Epoxyalkoxysilans und eines Alkenylsilanols enthält, und Aluminiumacetylacetonat umfaßt.
- EP 0 596 534 beschreibt eine härtbare Organopolysiloxanzusammensetzung, die ein Polyorganosiloxan mit mindestens zwei Alkenylgruppen, ein Organopolysiloxan mit mindestens zwei siliciumgebundenen Wasserstoffatomen, eine Organosiliciumverbindung mit Organosilsesquioxan-, Diorganosiloxan- und Triorganosiloxyeinheiten, in welcher mindestens eine Epoxygruppe pro Molekül vorliegt, eine Organotitanverbindung und einen Hydrosilylierungsreaktionskatalysator enthält.
- EP 0 510 608 A1 beschreibt eine einteilige lösungsmittelfreie sich anpassende Siliconbeschichtung, die ein Polydiorganosiloxan mit Diorganovinylendgruppen, ein Organosiloxan mit mindestens drei siliciumgebundenen Wasserstoffatomen pro Molekül, einen Platinkatalysator, einen Haftzusatz und einen Härtungsinhibitor enthält. Der Haftzusatz ist eine Mischung aus einem Polysiloxan mit Hydroxyl- und Vinylresten und einem epoxygruppenhaltigen Silan mit siliciumgebundenen Alkoxygruppen.
- GB 208 650 A offenbart auch Haftvermittler in Organopolysiloxanzusammensetzungen, die ein Polyorganosiloxan mit olefinisch ungesättigten organischen Gruppen und eine Organosiliciumverbindung mit siliciumgebundenen Wasserstoffatomen enthalten.
- EP 0 789 057, das Stand der Technik gemäß Artikel 54(3) EPÜ ist, beschreibt härtbare Epoxyharzzusammensetzungen, die ein härtbares Epoxyharz und ein epoxygruppenhaltiges Organopolysiloxan enthalten. Die Zusammensetzung kann verwendet werden, um elektronische Komponenten zu beschichten.
- EP 0 821 038 A2 und EP 0 818 511 A2, die ebenso Stand der Technik gemäß Artikel 54(3) EPÜ darstellen, beschreiben auch härtbare Siliconzusammensetzungen, die in elektrischen oder in elektronischen Teilen angewendet werden können. Die Zusammensetzungen enthalten ein silanolhaltiges Organopolysiloxan und ein epoxygruppenhaltiges Organopolysiloxan, welche als Haftvermittler in einem härtbaren Silicon incorporiert sind.
- Die Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Komponenten mit einer Oberfläche darauf aus gehärtetem Silicon zur Verfügung, das einen Primer verwendet, der ausgewählt ist aus:
- (i) einer Mischung aus Komponenten (A) und (B),
- (ii) einer Reaktionsmischung aus Komponenten (A) und (B),
- (iii) Komponente (C),
- (iv) Komponente (C) und eine Mischung aus Komponenten (A) und (B) und
- (v) Komponente (C) und eine Reaktionsmischung aus Komponenten (A) und (B), wobei Komponente (A) ein silanolfunktionelles Organopolysiloxan ist, Komponente (B) ein epoxyfunktionelles Organoalkoxysilan ist und Komponente (C) ein Organopolysiloxan mit der durchschnittlichen Einheitsformel:
- (R¹SiO3/2)a(R²&sub2;SiO2/2)b(R²&sub3;SiO1/2)c(R³O1/2)d
- ist, worin R¹ eine epoxyfunktionelle monovalente organische Gruppe ist, jedes R² unabhängig voneinander eine einbindige Kohlenwasserstoffgruppe ist, R³ aus Wasserstoff- und Alkylgruppen mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ausgewählt ist, a, b und d jeweils positive Zahlen sind und c gleich 0 oder eine positive Zahl ist.
- (1) Behandeln der Oberfläche aus dem gehärteten Silicon, das auf einem elektrischen Element beschichtet ist, mit dem Primer dieser Erfindung und
- (2) Versiegeln des behandelten gehärteten Silicons mit einem Harzversiegelungsmittel.
- Fig. 1 enthält einen Querschnitt eines Halbleiterbauteils, das als eine elektrische Komponente gemäß der vorliegenden Erfindung gegeben ist.
- Fig. 2 enthält eine Schrägansicht mit Teilausschnitten eines Kondensators, der als eine elektrische Komponente gemäß der vorliegenden Erfindung gegeben ist.
- Bei den elektrischen Komponenten der vorliegenden Erfindung ist das gehärtete Silicon auf einem elektrischen Element beschichtet und vollstän dig in einem Monolith mit dem gehärteten Harzversiegelungsmittel, das über dem gehärteten Silicon beschichtet ist, verbunden. Das entsprechende gehärtete Silicon ist nicht entscheidend und kann zum Beispiel die Form eines Gels, Kautschuks oder harten Harzes annehmen. Die Zusammensetzungen, die dieses gehärtete Silicon ergeben, können z. B. additionsreaktionshärtende Siliconzusammensetzungen oder kondensationsreaktionshärtende Siliconzusammensetzungen sein. Additionsreaktionshärtende Siliconzusammensetzungen sind bevorzugt, während additionsreaktionshärtende Siliconzusammensetzungen, die Siliconkautschuke erzeugen, besonders bevorzugt sind. Additionsreaktionshärtbare Siliconzusammensetzungen dieses Typs sind durch Zusammensetzungen beispielhaft dargestellt, die ein Organopolysiloxan mit mindestens zwei Alkenylgruppen pro Molekül, ein Organopolysiloxan mit mindestens zwei siliciumgebundenen Wasserstoffatomen pro Molekül und einen Platinkatalysator enthalten.
- Gehärtete Harzversiegelungsmittel haften im allgemeinen nur relativ schwach an den gehärteten Produkten. Die Versiegelungsmittel haften besonders schwach an Siliconkautschuken, die durch die Härtung von additionsreaktionshärtbaren Siliconzusammensetzungen, die ein Organopolysiloxan mit mindestens zwei Alkenylgruppen pro Molekül, ein Organopolysiloxan mit mindestens zwei siliciumgebundenen Wasserstoffatomen pro Molekül und einen Platinkatalysator enthalten, erzeugt wurden. Diese additionsreaktionshärtbaren Silicone jedoch werden immer noch bevorzugt als das gehärtete Silicon verwendet, da sie in einer elektrischen Komponente der vorliegenden Erfindung vollständig in einer monolithischen Masse mit dem gehärteten Harzversiegelungsmittel, das über dem gehärteten Silicon beschichtet ist, verbunden werden.
- Haftung zwischen der gehärteten Siliconbeschichtung und dem gehärteten Harzversiegelungsmittel wird durch diese Erfindung verbessert, indem die Oberfläche der Beschichtung mit einem Primer behandelt wird. Der Primer, der in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist ausgewählt aus:
- (i) einer Mischung aus Komponenten (A) und (B),
- (ii) einer Reaktionsmischung aus Komponenten (A) und (B),
- (iii) Komponente (C),
- (iv) Komponente (C) und einer Mischung aus Komponenten (A) und (B) und
- (v) Komponente (D) und einer Reaktionsmischung aus Komponenten (A) und (B), worin Komponente (A) ein silanolfunktionelles Organopolysiloxan, Komponente (B) ein epoxyfunktionelles Organoalkoxysilan und Komponenten (C) ein Organopolysiloxan mit der durchschnittlichen Einheitsformel:
- (R¹SiO3/2)a(R²&sub2;SiO2/2)b(R²&sub3;SiO1/2)c(R³O1/2)d
- ist, worin R¹ eine epoxyfunktionelle monovalente organische Gruppe ist, jedes R² unabhängig voneinander eine einbindige Kohlenwasserstoffgruppe ist, R³ aus Wasserstoff- und Alkylgruppen mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ausgewählt ist, a, b und d jeweils positive Zahlen sind und c gleich 0 oder eine positive Zahl ist.
- Silanolfunktionelles Organopolysiloxan (A) enthält die Silanolgruppe, d. h. die siliciumgebundene Hydroxylgruppe. Besonders bevorzugt ist ein Organopolysiloxan, das mindestens zwei Silanolgruppen pro Molekül enthält. Die Struktur der Molekülkette von Komponente (A) kann z. B. geradkettig, teilweise verzweigt geradkettig, verzweigt, cyclisch oder netzwerkartig sein. Geradkettige Molekülstrukturen sind bevorzugt.
- Die siliciumgebundenen organischen Gruppen in Komponente (A) werden beispielhaft dargestellt durch substituierte und unsubstituierte monovalente Kohlenwasserstoffgruppen, z. B. Alkylgruppen wie Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl und Heptyl; Alkenylgruppen wie Vinyl, Allyl, Butenyl, Pentenyl, Hexenyl und Heptenyl; Arylgruppen wie Phenyl, Tolyl, Xylyl und Naphthyl; Aralkylgruppen wie Benzyl und Phenethyl und haloge nierte Alkylgruppen wie Chlormethyl, 3-Chlorpropyl und 3,3,3- Trifluorpropyl. Methyl, Vinyl und Phenyl sind insbesondere bevorzugt. Komponente (A) wird insbesondere beispielhaft dargestellt durch Dimethylpolysiloxane mit Silanolendgruppen, Dimethylsiloxan-Methylvinylsiloxan-Copolymere mit Silanolendgruppen und Dimethylsiloxan-Methylphenylsiloxan-Copolymere mit Silanolendgruppen. Die Viskosität von Komponente (A) bei 25ºC beträgt vorzugsweise z. B. 1 bis 500 mPa·s, bevorzugter 1 bis 200 mPa·s und besonders bevorzugt 1 bis 100 mPa·s, da solche Werte wesentliche Effekte von der Primerbehandlung gewähren.
- Das epoxyfunktionelle Organoalkoxysilan (B) enthält die Epoxygruppe und wird durch Organoalkoxysilane mit der allgemeinen Formel R¹Si(OR&sup4;)&sub3; beispielhaft dargestellt. R¹ stellt eine epoxyfunktionelle monovalente organische Gruppe dar, z. B. Glycidoxyalkylgruppen wie 3-Glycidoxypropyl und 4-Glycidoxybutyl; Epoxycyclohexylalkylgruppen wie 2-(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyl und 3-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyl und Oxiranylalkylgruppen wie 4-Oxiranylbutyl und 8-Oxiranyloctyl. Glycidoxyalkylgruppen wie 3- Glycidoxypropyl sind hier speziell bevorzugt. R&sup4; stellt Alkylgruppen mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen dar, z. B. Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl, wobei Methyl speziell bevorzugt ist.
- Komponente (B) wird speziell veranschaulicht durch 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
- 2-(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilan,
- 4-Oxiranylbutyltrimethoxysilan und
- 8-Oxiranyloctyltrimethoxysilan,
- wobei 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan besonders bevorzugt ist.
- Komponenten (A) und (B) können einfach gemischt werden oder können Kondensations- und Equilibrierungsreaktionen ausgesetzt werden. Das Mischungs- oder Reaktionsverhältnis von Komponente (A) zu Komponente (B) beträgt vorzugsweise 1 : 99 bis 99 : 1, bezogen auf Gewicht.
- Organopolysiloxan (C) wird durch die folgende durchschnittliche Einheitsformel dargestellt:
- (R¹SiO3/2)a(R²&sub2;SiO2/2)b(R²&sub3;SiO1/2)c(R³O1/2)a
- worin R¹, R², R³ a, b, c und d wie oben definiert sind. Glycidoxyalkylgruppen wie 3-Glycidoxypropyl sind speziell für R¹ bevorzugt.
- R² wird beispielhaft durch substituierte und unsubstituierte monovalente Kohlenwasserstoffgruppen dargestellt, z. B. Alkyl wie Methyl, Ethyl, Propy. und Butyl; Alkenyl wie Vinyl, Allyl, Butenyl, Pentenyl und Hexenyl; Aryl wie Phenyl, Tolyl, Xylyl und so weiter; Aralkyl wie Benzyl und Phenethyl und halogenierte Alkylgruppen wie 3,3,3-Trifluorpropyl. Methyl, Vinyl und Phenyl sind speziell für R² bevorzugt.
- R³ wird beispielhaft durch Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl dargestellt. Die Viskosität von Komponente (C) bei 25ºC ist z. B. vorzugsweise 1 bis 500 mPa·s, bevorzugter 1 bis 200 mPa·s und besonders bevorzugt 1 bis 100 mPas, da solche Werte wesentliche Effekte von der Primerbehandlung gewähren.
- Komponente (C) kann z. B. durch eine Equilibrierungspolymerisation in Gegenwart eines Polymerisationskatalysators, z. B. Kaliumhydroxid, zwischen epoxyfunktionellem Alkoxysilan und geradkettigem bis cyclischem Diorganosiloxan synthetisiert werden.
- Das mit dem Primer behandelte gehärtete Silicon wird mit einem gehärteten Harzversiegelungsmittel versiegelt. Das Harzversiegelungsmittel ist nicht entscheidend und kann z. B. das gehärtete Produkt von härtbaren Epoxy-, Phenol-, Polyphenylensulfid-, Polyetheramid- und Polyimidharzen sein. Härtbare Epoxyharze sind besonders bevorzugt.
- Die härtbaren Epoxyharze werden beispielhaft durch Glycidyletherepoxyharze, z. B. Bisphenol A-Typ, Bisphenyl F-Typ, Biphenyl, Phenolnovolac, ortho-Cresolnovolac, bromiert; alicyclische Epoxyharze; Glycidylesterepoxyharze; Glycidylaminepoxyharze und heterocyclische Epoxyharze dargestellt. Die Härtungsmechanismen in diesen härtbaren Epoxyharzen können z. B. Wärmehärtung, UV-Härtung oder Feuchtigkeitshärtung sein, wobei Wärmehärtungsmechanismen speziell bevorzugt sind. Darüber hinaus sind, während das härtbare Epoxyharz eine Flüssigkeit bei Raumtemperatur oder ein Feststoff, der einen Erweichungspunkt von mindestens Raumtemperatur aufweist, sein kann, härtbare Epoxyharze, die bei Raumtemperatur flüssig sind, wegen ihrer guten Handhabungseigenschaften bevorzugt.
- Die elektrische Komponente der vorliegenden Erfindung kann z. B. ein Transistor, eine Diode, ein Kondensator oder Widerstand oder ein Halbleiterbauteil sein, das ein elektrisches Element wie ein Halbleiterelement (z. B. integrierter Schaltkreis, integrierter Hybridschaltkreis und Computerchip), ein Transistor, eine Diode, ein Kondensator und ein Widerstand sein. Halbleiterteile und Kondensatoren sind speziell als elektrische Komponenten bevorzugt. Ein Beispiel eines Halbleiterbauteils ist in Fig. 1 gegeben, während Fig. 2 ein Beispiel eines Kondensators enthält.
- Das Halbleiterbauteil in Fig. 1 wird hierin detailliert beschrieben. Ein Halbleiterelement 3 ist auf diesem Halbleiterbauteil auf dem Substrat 1 der Leiterplatte durch einen dazwischen gelagerten Klebstoff 2 angebracht. Die oberen Kanten dieses Halbleiterelements 3 sind mit Kontaktierungsflecken 4 ausgestattet, während äußere Leitungen 5 an den Kanten des Substrats 1 des Schaltkreises gegeben sind. Die Kontaktie rungsflecken 4 sind elektrisch mit dem Substrat 1 des Schaltkreises durch Verbindungsdrähte 6 verbunden. Das Halbleiterelement 3 wird mit dem gehärteten Silicon 7 beschichtet, und eine primerbehandelte Schicht 8 der oben beschriebenen Zusammensetzung wurde auf der Oberfläche dieses gehärteten Silicons 7 gebildet. Gehärtetes Harzversiegelungsmittel 9 wird über das gehärtete Silicon beschichtet. Um den Ausfluß des Versiegelungsharzes zu verhindern, ist ein Rahmen oder eine Absperrung 10 um die Peripherie des Halbleiterelements 3 herum vorhanden. Das gehärtete Silicon 7 ist vollständig in einem Monolith mit dem darüber beschichteten gehärteten Harzversiegelungsmittel 9 durch die dazwischen angeordnete primerbehandelte Schicht 8 verbunden, die auf der Oberfläche des gehärteten Silicons 7 gebildet wurde.
- Der Kondensator, Fig. 2, enthält Al-dampfabgeschiedenen (metallisierten) Polyesterfilm 11 in entweder einer gerollten oder geschichteten Anordnung, und Elektroden 12 werden durch Beschichtung beider Enden mit flammenbeschichtetem Metall zur Verfügung gestellt. Diese Elektroden 12 sind elektrisch mit den äußeren Leitungen 13 verbunden. Der Kondensator wird mit gehärtetem Silicon 14 beschichtet, während eine primerbehandelte Schicht 15 aus der oben beschriebenen Zusammensetzung auf der Oberfläche dieses gehärteten Silicons 14 gebildet wurde. Gehärtetes Harzversiegelungsmittel 16 wird über das gehärtete Silicon beschichtet. Das gehärtete Silicon 14 ist vollständig in einen Monolith mit dem darüber beschichteten Harzversiegelungsmittel 16 durch die dazwischen liegende primerbehandelte Schicht 15 verbunden, die auf der Oberfläche des gehärteten Silicons 14 gebildet wurde.
- Das Verfahren zur Herstellung der elektrischen Komponenten der vorliegenden Erfindung wird im Detail wie folgt beschrieben. Bevor das Halbleiterbauteil aus Fig. 1 hergestellt wird, muß zuerst das Halbleiterbauteil 3 auf dem Substrat 1 des Schaltkreises unter Verwendung eines dazwischen angeordneten Klebstoffs 2 montiert werden, und die Verbin dungsflecken 4 an den oberen Kanten dieses Halbleiterbauteils 3 müssen elektrisch mit dem Substrat 1 des Schaltkreises durch Verbindungsdrähte 6 verbunden werden. Darüber hinaus ist, wenn das Harzversiegelungsmittel eine Flüssigkeit ist, vorzugsweise eine Abgrenzung oder ein Rahmen 10 um die Peripherie des Halbleiterelements 3 vorhanden, um den Ausfluß des Harzversiegelungsmittels zu verhindern.
- Bevor der Kondensator aus Fig. 2 als die elektrische Komponente hergestellt wird, muß zuerst der Al-dampfabgeschiedene (metallisierte) Polyesterfilm 11 aufgerollt oder laminiert werden, die Elektroden 12 müssen durch Beschichtung beider Enden mit flammenbeschichteten Metall gebildet werden, und die äußeren Leitungen 13 müssen elektrisch mit den Elektroden 12 verbunden werden.
- Das Verfahren zur Beschichtung des gehärteten Silicons auf elektrische Elemente wie einen Transistor, eine Diode, einen Kondensator, einen Widerstand, ein Halbleiterelement (z. B. integrierte Schaltkreise, integrierte Hybridschaltkreise und Computerchips) ist nicht entscheidend. Die Beschichtung kann mit den zuvor beschriebenen Siliconzusammensetzungen bewirkt werden.
- Die Herstellungsmethode der vorliegenden Erfindung beginnt mit der Primerbehandlung der Oberfläche des gehärteten Silicons, das auf einem elektrischen Element wie den oben beschriebenen beschichtet ist. Primerbehandlung kann die Auftragung des oben beschriebenen Primers durch Sprühen, Bürstenauftragung oder Tauchen sein. Der Primer wird bei diesem Vorgang vorzugsweise verdünnt mit organischem Lösungsmittel oder mit Organopolysiloxan oder Alkoxysilan mit einer Viskosität bei 25ºC von nicht größer als 50 mPa·s verwendet. Das organische Lösungsmittel wird beispielhaft dargestellt durch Kohlenwasserstofflösungsmittel wie Toluol, Xylol, Hexan und Heptan; Ketonlösungsmittel wie Aceton und Methylethylketon; Alkohollösungsmittel wie Methylalkohol, Ethylalkohol und Isopro pylalkohol und auch chlorierte Kohlenwasserstofflösungsmittel und fluorierte Kohlenwasserstofflösungsmittel.
- Verdünnung mit Alkoxysilan oder Organopolysiloxan ist besonders bevorzugt. Das Alkoxysilan wird beispielhaft dargestellt durch Methyltrimethoxysilan und Vinyltrimethoxysilan, während das Organopolysiloxan beispielhaft durch geradkettige Siloxane wie Hexamethyldisiloxan und Dimethylpolysiloxane mit Trimethylsilylendgruppen und durch cyclische Siloxane wie Octamethylcyclotetrasiloxan und Tetramethyltetravinylcyclotetrasiloxan dargestellt wird.
- Der Primer kann dann z. B. durch Lufttrocknung bei Umgebungstemperatur oder durch Erwärmen auf nicht mehr als 200ºC als eine Funktion der speziellen Erfordernisse getrocknet werden.
- Das primerbehandelte gehärtete Silicon wird nachfolgend mit dem zuvor beschriebenen Harzversiegelungsmittel beschichtet. Das behandelte gehärtete Silicon kann mit dem Harzversiegelungsmittel, z. B. durch Transferpressen, Spritzgießen, Vergießen, Gießen, Auftragen mittels Eintauchen, Auftragen mittels Auftropfen aus einem Dispenser, Spraybeschichten oder Bürstenbeschichten beschichtet werden. Um das Harz zu härten, können die wärmehärtbaren Harze auf 50ºC bis 250ºC erhitzt werden, UV-härtende Harze können UV-Strahlung aus einer Lichtquelle ausgesetzt werden und feuchtigkeitshärtbare Harze können bei Raumtemperatur gehalten werden. Das Harz kann z. B. unter Verwendung eines Ofens, einer Heizplatte, einer Wärmelampe und ähnlichem erhitzt werden.
- Elektrische Komponenten, die durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung zur Verfügung gestellt werden, haben exzellente Zuverlässigkeit, da die gehärtete Siliconbeschichtung des elektrischen Elements gut in eine monolithische Masse mit dem gehärteten Harzversiegelungsmittel, das über dem gehärteten Silicon beschichtet ist, eingebunden ist. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung zur Herstellung dieser elektrischen Komponenten ist sehr produktiv und gut durchführbar.
- So daß der Fachmann die hierin gelehrte Erfindung verstehen und schätzen kann, werden die folgenden Beispiele dargestellt, wobei zu verstehen ist, daß diese Beispiele nicht verwendet werden sollen, um den Umfang der Erfindung, der in den Ansprüchen zu finden ist, zu beschränken. Die Viskositätswerte, die in den Beispielen wiedergegeben sind, wurden bei 25ºC gemessen. Die folgenden Vorgehensweisen wurden verwendet, um die Haftung des gehärteten Harzversiegelungsmittel an dem gehärteten Silicon zu bestimmen und die Verläßlichkeit der elektrischen Komponenten (Halbleiterbauteil, Kondensator) zu untersuchen.
- Die folgenden wurden bis zur Homogenität gemischt, um eine additionsreaktionshärtbare Siliconzusammensetzung zu ergeben: 97,9 Gew.-Teile Dimethylpolysiloxan mit Dimethylvinylsiloxyendgruppen und einer Viskosität von 400 mPa·s, 2,0 Gew.-Teile Dimethylsiloxan-Methylhydrogensiloxan- Copolymer mit Trimethylsiloxyendgruppen und einer Viskosität von 5 mPa·s, 0,1 Gew.-Teile einer 1 Gew.-%igen Isopropylalkohollösung von Chloroplatinsäure und 0,01 Gew.-Teile 3-Phenyl-1-butin-3-ol. Diese härtbare Siliconzusammensetzung wurde in den Untersuchungen verwendet. Diese Zusammensetzung ergab einen Siliconkautschuk mit einem JIS A Durometer von 8, wenn die Zusammensetzung durch 5-minütiges Erwärmen bei 100ºC in einem Umluftofen gehärtet wurde.
- Die folgenden wurden bis zur Homogenität gemischt, um eine härtbare Epoxyharzzusammensetzung zu ergeben: 100 Gew.-Teile Epoxyharz mit einem Epoxyäquivalenzgewicht von 165, dessen Hauptbestandteil ein Epoxyharz des Bisphenyl F-Typs war, 120 Gew.-Teile Tetraalkyltetrahydrophthalsäureanhydrid-Härtungsmittel mit einem Molekulargewicht von 234 und 1 Gew.- Teil 1-Isobutyl-2-methylimidazol-Härtungsbeschleuniger. Dieses Harzversiegelungsmittel wurde bei den Untersuchungen verwendet.
- Die oben beschriebene gehärtete Siliconzusammensetzung wurde auf eine Aluminiumplatte beschichtet und durch 5-minütiges Erhitzen bei 100ºC in einem Umluftofen gehärtet. Die Oberfläche des resultierenden gehärteten Silicons wurde dann mit dem Primer durch Sprühen beschichtet, gefolgt von 3-minütigem Trocknen bei 100ºC in dem Umluftofen. Das oben beschriebene Harzversiegelungsmittel wurde auf das resultierende gehärtete Produkt beschichtet und wurde selbst durch 4-stündiges Erhitzen bei 120ºC in dem Umluftofen gehärtet. Die Haftung des gehärteten Harzversiegelungsmittels an dem gehärteten Silicon wurde untersucht und auf der folgenden Skala eingestuft.
- + = starke Haftung
- Δ = partielle Ablösung
- x = vollständige Ablösung
- Das in Fig. 1 gezeigte Halbleiterbauteil wurde wie folgt hergestellt: Ein Halbleiterelement 3, das ein Aluminiumverdrahtungsmaske auf seiner Oberfläche trug, wurde auf einem keramischen Aluminiumoxidsubstrat 1 für einen Schaltkreis unter Verwendung eines Klebstoffs 2 angebracht. Die Kontaktierungsflecken 4 an den oberen Kanten dieses Halbleiterelements 3 wurden dann elektrisch mit dem Substrat 1 des Schaltkreises unter Verwendung von Goldverbindungsdrähten 6 verbunden. Die oben hergestellte härtbare Siliconzusammensetzung wurde aus einem Dispenser auf die Oberfläche des Halbleiterelements 3 aufgetragen, und das gehärtete Siliconprodukt 7 wurde dann durch 5-minütiges Erwärmen bei 100ºC in einem Umluftofen erzeugt. Die Oberfläche des gehärteten Produkts 7 wurde danach mit dem Primer durch Aufsprühen behandelt, und dann durch 3-minütiges Erhitzen bei 100ºC in einem Umluftofen getrocknet. Das oben spezifizierte Harzversiegelungsmittel wurde dann aus einem Dispenser auf das gehärtete Produkt 7 aufgetragen. Wegen der Fluidität dieses Harzversiegelungsmittels war bereits ein Kautschukrahmen 10 (Höhe = 1 mm) um die Peripherie des Halbleiterelements 3 angeordnet. Auftragung des Harzversiegelungsmittels wurde von 4-stündigem Erwärmen bei 120ºC in einem Umluftofen gefolgt, um ein Halbleiterbauteil herzustellen, in dem gehärtetes Harzversiegelungsmittel 9 auf gehärtetem Silicon 7 gebildet wurde. Zwanzig Halbleiterbauteile wurden unter Verwendung dieser Vorgehensweise hergestellt.
- Die Halbleiterbauteile wurden dann zyklischen thermischen Tests (100 Zyklen, 1 Zyklus = 30 min bei -30ºC und 30 min bei +100ºC) unterworfen. Der Prozentsatz von Defekten beim Betrieb wurde an den Halbleiterbauteilen nach zyklischen thermischen Tests bestimmt.
- Der in Fig. 2 gezeigte Kondensator wurde wie folgt hergestellt: Aldampfabgeschiedener (metallisierter) Polyesterfilm 11 wurde aufgerollt, Elektroden 12 wurden zur Verfügung gestellt, indem beide Enden mit flammbeschichtetem Metall beschichtet wurde, und äußere Leitungen 13 wurden elektrisch mit den Elektroden 12 verbunden. Diese Anordnung wurde in die oben spezifizierte härtbare Siliconzusammensetzung getaucht und dann 5 min bei 100ºC in einem Umluftofen erhitzt, um das gehärtete Silicon 14 zu ergeben. Die Oberfläche dieses gehärteten Produkts 14 wurde mit Primer durch Aufsprühen behandelt und dann 3 min bei 100ºC in einem Umluftofen getrocknet. Das gehärtete Produkt 14 wurde dann in das oben spezifizierte Harzversiegelungsmittel getaucht, gefolgt von 4-stündigem Erhitzen bei 120ºC in einem Umluftofen, um einen Kondensator mit gehärteten Harzversiegelungsmittel 16 zu bilden, das auf dem gehärteten Silicon 14 gebildet wurde. Zwanzig Kondensatoren wurden unter Verwendung dieser Vorgehensweise hergestellt.
- Diese Kondensatoren wurden einem Feuchtigkeitsbeständigkeitstest ausgesetzt, der aus Stehenlassen für 1.000 h in einer 40ºC/95%-RH-Umgebung bestand. Der Prozentsatz von Defekten beim Betrieb wurde an den Kondensatoren nach Feuchtigkeitsbeständigkeitstest bestimmt.
- 116 g 1,3,5,7-Tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxan, 100 g 3- Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 0,05 g Kaliumhydroxid wurden in einen 4-Halskolben, der mit einem Rührer, Thermometer und Rückflußkühler ausgestattet war, eingeführt. Eine Equilibrierungspolymerisation wurde dann über 3 h unter Erwärmung und Rühren bei 120ºC durchgeführt. Die Reaktion wurde dann mit Dimethyldichlorsilan gestoppt. Die Substanzen mit niedrigem Siedepunkt wurden aus dem Reaktionsgemisch durch Vakuumdestillation bei 100ºC/667 Pa entfernt, um eine Flüssigkeit mit einer Viskosität von 20 mPa·s zu ergeben. Fourier-Transform-NMR-Analyse dieser Flüssigkeit bestätigte, daß es ein Organopolysiloxan mit der folgenden durchschnittlichen Einheitsformel war:
- Ein Primer wurde hergestellt, indem 5 Gew.-% des in Bezugsbeispiels 1 synthetisierten Organopolysiloxans in 95 Gew.-Teilen Dimethylpolysiloxan mit Trimethylsiloxyendgruppen und einer Viskosität von 0,6 mPa·s verdünnt wurden. Der Primer wurde zur Bestimmung der Haftung des gehärteten Harzversiegelungsmittels an dem gehärteten Silicon und Bewertung der Zuverlässigkeit der elektrischen Komponente (Halbleiterbauteil, Kondensator) benutzt. Die Ergebnisse der Untersuchungen sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
- Ein Primer wurde hergestellt, indem 2,5 Gew.-Teile Dimethylpolysiloxan mit Silanolendgruppen (Viskosität = 25 mPa·s) und 2,5 Gew.-Teile 3- Glycidoxypropyltrimethoxysilan in 95 Gew.-Teilen Dimethylpolysiloxan mit Trimethylsiloxyendgruppen und einer Viskosität von 0,6 mPa·s verdünnt wurden. Dieser Primer wurde zur Bestimmung der Haftung des gehärteten Harzversiegelungsmittels an dem gehärteten Silicon und Bewertung der Verläßlichkeit der elektrischen Komponente (Halbleiterbauteil, Kondensator) benutzt. Die Ergebnisse aus diesen Untersuchungen sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
- Die Haftung des gehärteten Harzversiegelungsmittel an dem gehärteten Silicon und die Zuverlässigkeit der elektrischen Komponente (Halbleiterbauteil, Kondensator) wurde wie in Beispiel 1 bestimmt, aber in diesem Fall wurde die Primerbehandlung, die in Beispiel 1 durchgeführt wurde, weggelassen. Die Ergebnisse aus den Untersuchungen sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
- Eine Verdünnung aus 5 Gew.-Teilen 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan in 95 Gew.-Teilen Dimethylpolysiloxan mit Trimethylsiloxyendgruppen und einer Viskosität von 0,6 mPa·s wurde hergestellt. Diese Verdünnung wurde der Bestimmung der Haftung des gehärteten Harzversiegelungsmittels an dem gehärteten Silicon und der Bewertung der Zuverlässigkeit der elektrischen Komponente (Halbleiterbauteil, Kondensator) unterworfen. Die Ergebnisse aus den Untersuchungen sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
- Eine Verdünnung aus 5 Gew.-Teilen Dimethylpolysiloxan mit Silanolendgruppen (Viskosität = 25 mPa·s) in 95 Gew.-Teilen Dimethylpolysiloxan mit Trimethylsiloxyendgruppen und einer Viskosität von 0,6 mPa·s wurde hergestellt. Diese Verdünnung wurde der Bestimmung der Haftung des gehärteten Harzversiegelungsmittels an dem gehärteten Silicon und der Bewertung der Zuverlässigkeit der elektrischen Komponente (Halbleiterbauteil, Kondensator) unterworfen. Die Ergebnisse aus den Untersuchungen sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
- Die folgenden wurden bis zur Homogenität gemischt, um eine additionsreaktionshärtende Siliconzusammensetzung herzustellen, um die härtbare Siliconzusammensetzung, die in den Untersuchungen verwendet wurde, zu ersetzen: 97,9 Gew.-Teile Dimethylpolysiloxan mit Dimethylvinylsiloxyendgruppen und einer Viskosität von 400 mPa·s, 3,3 Gew.-Teile Dimethylsiloxan-Methylhydrogensiloxan-Copolymer mit Trimethylsiloxyendgruppen und einer Viskosität von 5 mPa·s, 0,1 Gew.-Teile einer 1%igen Lösung von Chloroplatinsäure in Isopropylalkohol, 2 Gew.-Teile des Organopolysiloxans, welches in Bezugsbeispiel 1 hergestellt wurde, und 0,01 Gew.-Teile 3-Phenyl-1-butin-3-ol. Diese Ersatzzusammensetzung ergab Siliconkautschuk mit einem JIS A Durometer von 10, wenn sie 5 min bei 100ºC in einem Umluftofen erhitzt wurde. Die Haftung des gehärteten Harzversiegelungsmittels an dem gehärteten Silicon und die Zuverlässigkeit der elektrischen Komponente (Halbleiterbauteil, Kondensator) wurden dann wie in Beispiel 1 bestimmt, aber in diesem Fall unter Verwendung der Ersatzzusammensetzung und unter Weglassung der Primerbehandlung, die in Beispiel 1 durchgeführt wurde. Die Ergebnisse aus den Untersuchungen sind in Tabelle 1 wiedergegeben. Tabelle 1
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauteils mit einer
Oberfläche aus gehärtetem Silicon, umfassend:
(1) Behandeln der Oberfläche aus dem gehärteten Silicon mit
einem Primer, ausgewählt aus:
(i) einer Mischung aus Komponenten (A) und (B),
(ii) einer Reaktionsmischung aus Komponenten (A) und (B),
(iii) Komponente (C),
(iv) Komponente (C) und einer Mischung aus Komponenten (A)
und (B),
(v) Komponente (C) und einer Reaktionsmischung aus
Komponenten (A) und (B),
wobei Komponente (A) ein silanolfunktionelles
Organopolysiloxan ist, Komponente (B) ein epoxyfunktionelles
Organopolysiloxan ist und Komponente (C) ein
Organopolysiloxan mit der durchschnittlichen Einheitsformel
(R¹SiO3/2)a(R²&sub2;SiO2/2)b(R²&sub3;SiO1/2)c(R³O1/2)d,
ist, worin R¹ eine epoxyfunktionelle monovalente organische
Gruppe ist, jedes R² unabhängig voneinander eine einbindige
Kohlenwasserstoffgruppe ist, R³ aus Wasserstoff- und
Alkylgruppen mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ausgewählt ist,
a, b und d jeweils positive Zahlen sind und c gleich 0 oder
eine positive Zahl ist, und
(2) Versiegeln des behandelten gehärteten Silicons mit einem
gehärteten Harzversiegelungsmittel.
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Primerkomponente (A) ein
Organopolysiloxan mit endständigen Silanolgruppen, ausgewählt aus
Dimethylpolysiloxanen,
Dimethylsiloxan/Methylvinylsiloxan-Copolymeren und Dimethylsiloxan/Methylphenylsiloxan-Copolymeren, ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die Primerkomponente (B)
die allgemeine Formel
R¹Si(OR&sup4;)&sub3;
hat, worin R¹ eine epoxyfunktionelle einbindige organische Gruppe
darstellt und R&sup4; eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen
darstellt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Reaktionsmischung der
Primerkomponenten (A) und (B) aus der Gruppe, bestehend aus
Kondensations- und Gleichgewichtsreaktionen, ausgewählt ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin das
Gewichtsverhältnis von Primerkomponente (A) zu Primerkomponente (B) von 1 : 99
bis 99 : 1 reicht.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin R² in der
Primerkomponente (C) bei jedem Auftreten unabhängig voneinander
ausgewählt ist aus Methyl, Vinyl und Phenyl.
7. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Primerkomponente (B)
ausgewählt ist aus 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
2-(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilan, 4-Oxiranylbutyltrimethoxysilan
und 8-Oxiranyloctyltrimethoxysilan.
8. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Viskosität der
Primerkomponente (A) bei 25ºC im Bereich von 1 bis 500 mPa·s
liegt.
9. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Viskosität der
Primerkomponente (C) bei 25ºC im Bereich von 1 bis 500 mPa·s
liegt.
10. Elektrisches Bauteil, hergestellt durch das Verfahren nach einem
der Ansprüche 1 bis 9, wobei das elektrische Bauteil ausgewählt
ist aus Transistoren, Dioden, Kondensatoren, Widerständen und
Halbleiterbauteilen, die ein elektrisches Element oder eine
elektrische Schaltung enthalten.
11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das gehärtete Silicon das
gehärtete Produkt einer Siliconzusammensetzung, die mittels
Additionsreaktion gehärtet wurde, ist.
12. Verfahren nach Anspruch 1, worin das gehärtete
Harzversiegelungsmittel das gehärtete Produkt, ausgewählt aus härtbaren
Epoxy-, Phenol-, Polyphenylensulfid-, Polyetheramid- und
Polyimidharzen, ist.
13. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin die Verdünnung des Primers
aus Schritt (A) mit einem Verdünnungsmittel umfassend, das
ausgewählt ist aus organischen Lösungsmitteln, Organopolysiloxanen
und Alkoxysilanen mit einer Viskosität bei 25ºC von nicht größer
als 50 mPa·s.
14. Verfahren nach Anspruch 13, worin das Verdünnungsmittel ein
Alkoxysilan, ausgewählt aus Methyltrimethoxysilan und
Vinyltrimethoxysilan, ist.
15. Verfahren nach Anspruch 13, worin das Verdünnungsmittel
Polydimethylsiloxan mit endständigen Trimethylsiloxygruppen ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25390196A JP3527369B2 (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 電気部品およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69700827D1 DE69700827D1 (de) | 1999-12-30 |
DE69700827T2 true DE69700827T2 (de) | 2000-06-29 |
Family
ID=17257662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69700827T Expired - Fee Related DE69700827T2 (de) | 1996-09-04 | 1997-09-04 | Elektrische Komponente und Verfahren zur Herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5958515A (de) |
EP (1) | EP0827993B1 (de) |
JP (1) | JP3527369B2 (de) |
DE (1) | DE69700827T2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004028350A1 (de) * | 2004-06-11 | 2006-01-12 | Marquardt Gmbh | Härtung von Vergußmassen |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI105406B (fi) * | 1999-07-05 | 2000-08-15 | Nor Maali Oy | Maaleissa käytettävä koostumus |
DE10126607A1 (de) | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Richard Markoll | Portabler Applikator für pulsierende Signal-Therapie |
TWI381003B (zh) * | 2004-03-03 | 2013-01-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Sealing epoxy resin forming materials and electronic parts |
JP5446078B2 (ja) * | 2006-08-22 | 2014-03-19 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用部材、並びに半導体デバイス用部材形成液及び半導体デバイス用部材の製造方法、並びに、それを用いた半導体発光デバイス、半導体デバイス用部材形成液、及び蛍光体組成物 |
WO2014103133A1 (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9470395B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-10-18 | Abl Ip Holding Llc | Optic for a light source |
EP2994290B1 (de) | 2013-05-10 | 2023-10-04 | ABL IP Holding LLC | Silikonoptik |
US10479910B2 (en) | 2015-02-26 | 2019-11-19 | Dow Toray Co., Ltd. | Primer composition, adhering method, and electric/electronic part |
CN107057068A (zh) * | 2017-02-23 | 2017-08-18 | 深圳市新纶科技股份有限公司 | 一种端环氧硅油及其制备方法以及其作为粘接促进剂的用途 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5287454A (en) * | 1976-01-16 | 1977-07-21 | Toray Silicone Co Ltd | Organopolysiloxane resin composition |
JPS5445361A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-10 | Toshiba Silicone | Polyorganosiloxane composition |
US4645551A (en) * | 1984-08-31 | 1987-02-24 | Motorola, Inc. | Method of making an octocoupler |
GB2208650B (en) * | 1987-08-15 | 1991-09-04 | Dow Corning Sa | Curable organopolysiloxane compositions |
JP2604178B2 (ja) * | 1987-10-06 | 1997-04-30 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 樹脂封止型光結合半導体装置およびその製造方法 |
JP2701072B2 (ja) * | 1989-06-20 | 1998-01-21 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 樹脂封止型光結合半導体装置およびその製造方法 |
JP2701045B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1998-01-21 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JPH0768495B2 (ja) * | 1989-08-15 | 1995-07-26 | 信越化学工業株式会社 | シリコーンゴムを接着させた一体成形品の製造方法 |
CA2064989A1 (en) * | 1991-04-23 | 1992-10-24 | Dawn M. Houghtaling | One part solventless conformal coatings |
US5213617A (en) * | 1991-06-13 | 1993-05-25 | Dow Corning Corporation | Primer for silicone substrates |
JPH06145525A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-24 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
EP0620242B1 (de) * | 1993-04-15 | 1998-08-19 | Dow Corning Toray Silicone Company, Limited | Epoxygruppen enthaltendes Siliconharz und Massen auf seiner Basis |
GB9424580D0 (en) * | 1994-12-06 | 1995-01-25 | Dow Corning Sa | Curable coating compositions |
JP3592825B2 (ja) * | 1996-02-07 | 2004-11-24 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 硬化性エポキシ樹脂組成物および電子部品 |
JPH1025417A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-01-27 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 硬化性液状組成物、その硬化物、および電子部品 |
JPH1036510A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-10 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 電気部品およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-04 JP JP25390196A patent/JP3527369B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-03 US US08/923,074 patent/US5958515A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-04 EP EP97306862A patent/EP0827993B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-04 DE DE69700827T patent/DE69700827T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-21 US US09/316,217 patent/US6040395A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004028350A1 (de) * | 2004-06-11 | 2006-01-12 | Marquardt Gmbh | Härtung von Vergußmassen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3527369B2 (ja) | 2004-05-17 |
EP0827993A2 (de) | 1998-03-11 |
US6040395A (en) | 2000-03-21 |
JPH1079454A (ja) | 1998-03-24 |
DE69700827D1 (de) | 1999-12-30 |
US5958515A (en) | 1999-09-28 |
EP0827993B1 (de) | 1999-11-24 |
EP0827993A3 (de) | 1998-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69503155T2 (de) | Mittels Kondensationsreaktion und Additionsreaktion härtbare Organopolysiloxane-Massen | |
EP0757080B1 (de) | Härtbare Organosiloxanzusammensetzungen und Halbleiterbauelemente | |
DE69701583T2 (de) | Härtbare Epoxidharzzusammensetzungen und elektronische Bauteile | |
DE69724049T2 (de) | Härtbare Silikonzusammensetzungen und ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Teilen | |
DE60007925T2 (de) | Siliconklebefilm und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE60223048T2 (de) | Silikonzusammensetzung und gehärtetes produkt daraus | |
DE69007759T2 (de) | Klebstoff für Halbleiterelemente und damit hergestellte Gegenstände. | |
DE69012749T2 (de) | Leitender Klebstoff und damit hergestellter Artikel. | |
DE69824363T2 (de) | Härtbare Siliconzusammensetzung und elektronische Bauteile | |
DE60310222T2 (de) | Halbleiterkapselung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE60223009T2 (de) | Additionsvernetzbare silikonzusammensetzung gelartiger konsistenz | |
DE69516755T2 (de) | Zusammensetzungen zum Schutz von Halbleiterelementen und Halbleitervorrichtungen | |
DE69517773T2 (de) | Organosiliciumverbindungen und diese enthaltende, bei niedriger Temperatur härtende Organosiloxanzusammensetzungen | |
DE69700827T2 (de) | Elektrische Komponente und Verfahren zur Herstellung | |
JP2594142B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
DE60000900T2 (de) | Klebstoff und Halbleiterbauelemente | |
EP3275955B1 (de) | Elektrische/elektronische komponent und verbindungsverfahren | |
DE60001434T2 (de) | Klebstoff und Halbleiterbauelemente | |
JP3207929B2 (ja) | 半導体素子被覆剤および半導体装置 | |
DE69708529T2 (de) | Flüssige härtbare Zusammensetzungen, daraus gehärteter Gegenstand und elektronisches Bauelement | |
DE69715504T2 (de) | Elektrisch leitfähige Silikonkautschukzusammensetzung und ihre Anwendung zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE69419213T2 (de) | Haftvermittler und diese enthaltende bei verminderter Temperatur härtbare Organosiloxanzusammensetzungen | |
DE4443635A1 (de) | Additionshärtbare Silicon-Klebstoffmassen und Bis(trialkoxysilylalkylenoxycarbonylalkylen) amin-Adhäsionsvermittler | |
DE102021120040A1 (de) | Wärmeaushärtende silikonzusammensetzung | |
JP3691587B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |