DE69516741T2 - Verfahren zum Mikroätzen von Kupfer- oder Kupferlegierungsoberflächen - Google Patents

Verfahren zum Mikroätzen von Kupfer- oder Kupferlegierungsoberflächen

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Mikroätzen einer Oberfläche von Kupfer oder Kupferlegierung.
  • Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird eine Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzung für Kupfer oder Kupferlegierung benutzt, die brauchbar ist zum Aufrauhen der Kupfer- oder Kupferlegierungs-Oberflächen.
  • Die EP-A-0 364132 offenbart ein Verfahren zum Bilden eines Umwandlungs-Überzuges auf der Oberfläche von Kupfer oder einer Kupferlegierung durch in Berührung bringen der Metalloberfläche mit einer wässerigen Lösung einer Imidazol-Verbindung mit einer Alkylgruppe mit 5 bis 12 Kohlenstoffatomen in der 2-Position.
  • Die EP-A-0 428 383 offenbart ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kupfer oder einer Kupferlegierung zum Bilden einer 2-Alkylbenzimidazol-Schicht.
  • Die DE-A-25 57 269 offenbart ein Verfahren zum Ätzen von Kupfer oder Kupferlegierungen, bei dem eine Benztriazol umfassende, wässerige Lösung eingesetzt wird.
  • JP-A-0 605 74 53 offenbart ein Verfahren zum Ätzen von Kupfer, bei dem eine Aminobenzthiazol umfassende, wässerige Lösung benutzt wird.
  • Bei der Herstellung von gedruckten Schaltungsplatten werden Kupferoberflächen aufgerauht, um die Haftung von aufzubringenden Ätzresists oder Lötmittelresists auf den Kupferoberflächen zu verbessern. Das mechanische Reinigen unter Benutzung einer Aufrauh- oder Schrubb- Vorrichtung oder das chemische Reinigen, Mikroätzen genannt, werden zum Aufrauhen von Kupferoberflächen benutzt. Das chemische Reinigen ist populärer für die Behandlung von Substraten mit feinlinigen Mustern.
  • Das chemische Reinigen wird auch zum Verbessern der Lötbarkeit, z. B. als eine Vorbehandlung für eine Stufe zum Überziehen mit Lötmittel oder zum Entfernen von Oxiden von Kupferoberflächen vor dem Löten elektronischer Teile benutzt. Eine Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid als Hauptkomponenten umfassende wässerige Lösung oder eine Persulfat als eine Hauptkomponente umfassende wässerige Lösung werden gewöhnlich zum chemischen Reinigen benutzt.
  • Zusammen mit einer hohen Integration der auf gedruckten Schaltungsplatten gebildeten Schaltungsmuster verschieben sich die benutzten Arten von Lötmittelresists von der konventionellen wärmehärtbaren Art zur UV-härtbaren Art, die ausgezeichneter ist bei der Bildung feinliniger Muster. Weil die Lötmittelresists von der UV-härtbaren Art eine schlechtere Adhäsion an Kupferoberflächen aufweisen, verglichen mit konventionellen Lötmittelresists, ist die Haftung der unter Einsatz dieser Lötmittelresists erzeugten Oberflächen ungenügend. Es gibt Gelegenheiten, bei denen Resistüberzüge sich während der nachfolgenden Plattierungsstufe, Lötmittel-Überzugsstufe oder Stufe zum Löten elektronischer Teile ablösen oder quellen.
  • Weiter können konventionelle Mikroätzmittel keine Oberflächen mit genügender Lötbarkeit schaffen, die anwendbar ist auf einen Lötmittelüberzug gedruckter Schaltungsplatten mit einer größeren Anzahl von Anschlüssen zum Löten von Teilen darauf. Es gibt eine Anzahl von Fällen, bei denen die elektronischen Teile durch Löten nicht angemessen befestigt werden.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zum Mikroätzen einer Oberfläche von Kupfer oder Kupferlegierungen zu schaffen, das eine ausgezeichnete Haftung an Lötmittelresists und Ähnlichem aufweist sowie aufgerauhte Oberflächen von Kupfer oder Kupferlegierungen mit angemessenen Unregelmäßigkeiten mit tiefen konvexen und konkaven Formen und hervorragender Lötbarkeit schafft.
  • Die vorliegenden Erfinder haben ausgedehnte Untersuchungen ausgeführt, um diese Aufgabe zu lösen, und sie fanden, dass ein Verfahren gemäß Anspruch 1 diese Aufgabe lösen kann.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren gemäß Anspruch 1 zu schaffen.
  • Andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung deutlicher.
  • Der kombinierte Einsatz einer Azol-Verbindung und einer löslichen Kupfer-Verbindung als wesentliche Komponenten stellt sicher, dass das Verfahren der vorliegenden Erfindung eine geeignete Ätzrate für Oberflächenbehandlungen aufweist. Bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung bildet die lösliche Kupferverbindung einen Kupfer(II)-Komplex mit der Azolverbindung.
  • Die in der vorliegenden Erfindung eingesetzten Azolverbindungen sind ausgewählt aus der Gruppe von Imidazol, Triazol, Tetrazol, 2-Methylimidazol, 4-Methylimidazol, 2-Ethylimidazol, 2-Ethyl-4-methylimidazol und 2(H)-5-Aminotetrazol.
  • Spezifische Beispiele der löslichen Kupferverbindung sind Kupferhydroxid und Kupfersalze einer Säure, die im Folgenden erwähnt wird.
  • Hinsichtlich der Mengen der Azolverbindung und der löslichen Kupferverbindung in der im Verfahren der vorliegenden Erfindung eingesetzten Zusammensetzung ist eine Menge von 1-15 Gew.-% (im Folgenden einfach als % angegeben) eines Kupfer(II)-Komplexes einer Azolverbindung wesentlich im Hinblick auf Löslichkeit und Stabilität. Als eine Azolverbindung ist eine Menge von 1-15% wesentlich und als eine Kupferverbindung sind 0,1-5% (als Metall) wesentlich.
  • Die Azolverbindung und die lösliche Kupferverbindung können separat hinzugegeben werden, oder sie können als ein Kupfer-Komplex, z. B. ein Kupfer(II)-Komplex einer Azolverbindung, hinzugegeben werden. Wird ein Kupfer(II)-Komplex einer Azolverbindung benutzt, dann kann vorzugsweise als die Quelle von Kupfer(n)-Ion zur Herstellung eines solchen Kupfer(II)-Komplexes einer Azolverbindung Kupferhydroxid oder ein Kupfersalz einer Säure benutzt werden.
  • Die organischen Säuren oder anorganischen Säuren werden zu der Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung zum Einstellen des pH und zum Auflösen des Kupfers, erzeugt durch Oxidation, mit dem Kupfer(II)-Komplex der Azolverbindung hinzugegeben. Als spezifische Beispiele der organischen Säuren seien gesättigte aliphatische Säuren, wie Ameisensäure, Essigsäure, Pro pionsäure, n-Buttersäure, n-Valeriansäure und Capronsäure; ungesättigte aliphatische Säuren, wie Acrylsäure, Crotonsäure und Isocrotonsäure; gesättigte aliphatische Dicarbonsäuren, wie Oxalsäure, Malonsäure, Bernsteinsäure, Glutarsäure, Adipinsäure und Pimelinsäure; ungesättigte aliphatische Dicarbonsäuren, wie Maleinsäure; aromatische Carbonsäuren, wie Benzoesäure, Phthalsäure und Zimtsäure; Hydroxycarbonsäuren, wie Glykolsäure, Milchsäure, Äpfelsäure und Zitronensäure; Carbonsäure mit Substituenten, wie Sulfaminsäure, β-Chlorpropionsäure, Nikotinsäure, Ascorbinsäure, Hydroxypivalinsäure und Levulinsäure und deren Derivate angegeben. Spezifische Beispiele der anorganischen Säure schließen chlorwasserstoffsäure, Schwefelsäure, Salpetersäure und Phosphorsäure ein.
  • Diese Säuren können auch als Quelle zum Bilden der Kupfersalze benutzt werden, die als lösliche Kupferverbindung eingesetzt werden.
  • Die Menge der organischen oder anorganischen Säuren in der Zusammensetzung, die bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung benutzt wird, liegt im Bereich von 0,1-30%. Ist diese Menge zu gering, dann kann die Zusammensetzung nicht genügend oxidiertes Kupfer auflösen, und es ist schwierig, aktive Kupferoberflächen zu erhalten, ist sie zu groß, dann wird die Lösungsstabilität von Kupfer verringert.
  • Halogenidion wird in der bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung benutzten Zusammensetzung eingesetzt, um die Löslichkeit von Kupfer und die Oxidationsfähigkeit der Azolverbindungen zu erhöhen, was die Herstellung von Kupferoberflächen mit hervoragender Haftung und Lötbarkeit sicherstellt. Fluoridion, Chloridion, Bromidion und Ähnliche können als das Halogenidion benutzt werden. Diese werden zu der Zusammensetzung als eine Verbindung hinzugegeben, die in einer Lösung dissoziieren kann. Eine solche Verbindung kann eine Säure, wie Chlorwasserstoffsäure oder Bromwasserstoffsäure, ein Salz, wie Natriumchlorid, Calciumchlorid, Kaliumchlorid, Ammoniumchlorid oder Kaliumbromid, oder ein Metallsalz, wie Kupferchlorid, Zinkchlorid, Eisenchlorid oder Zinnbromid, sein.
  • Die Menge des Halogenidions in der Zusammensetzung, die bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung benutzt wird, liegt im Bereich von 0,01-20%. Ist diese Menge zu gering, dann ist es schwierig, Kupferoberflächen mit ausgezeichneter Haftung und Lötbarkeit zu erhalten, ist sie zu groß, dann wird die Lösungsstabilität von Kupfer verringert.
  • Der pH der Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung liegt im Bereich von weniger als 1 bis etwa 8, was von der Art der organischen oder anorganischen Säuren und anderen Zusätzen abhängt. Um die Fluktuation des pH während des Gebrauches zu verringern, kann ein Salz einer organischen Säure, wie ein Natrium-, Kalium- oder Ammoniumsalz einer organischen Säure, hinzugegeben werden.
  • Andere Zusätze, die außer den obigen Komponenten hinzugegeben werden können, schließen ein Komplexbildungsmittel zum Verbessern der Lösungsstabilität von Kupfer, wie Ethylendiamin. Pyridin, Anilin, Ammoniak, Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin und N-Methyldiethanolamin, und verschiedene andere Zusätze zum Erzeugen von Kupferoberflächen mit ausgezeichneter Haftung und Lötbarkeit ein.
  • Die Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzung, die bei dem Verfahren dieser Erfindung benutzt wird, kann hergestellt werden durch Hinzugeben der oben erwähnten Komponenten in den oben erwähnten Anteilen zu Wasser und Vermengen der Mischung. Es gibt keine spezifischen Beschränkungen hinsichtlich des Verfahrens der Zugabe. Die Komponenten können entweder alle gleichzeitig oder separat in einer beliebigen Reihenfolge hinzugegeben werden. Als Wasser wird vorzugsweise ionenausgetauschtes Wasser benutzt.
  • Es gibt keine spezifischen Beschränkungen hinsichtlich des Verfahrens der Benutzung der Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzung. Beispiele eines solchen Verfahrens schließen ein Verfahren zum Sprühen der Zusammensetzung auf die zu behandelnden Oberflächen von Kupfer oder Kupferlegierung, ein Verfahren zum Eintauchen des Kupfers oder der Kupferlegierung in die Zusammensetzung und Ähnliches ein. Falls erforderlich, kann Luft eingeblasen werden, um das in der Zusammensetzung durch Ätzen des Kupfers oder der Kupferlegierung gebildete Kupfer(I)-Ion zum Kupfer(II)-Ion zu oxidieren.
  • Um die Haftung zwischen der Kupfer- oder Kupferlegierungs-Oberfläche und einem Harz weiter zu verbessern, ist es möglich, die mit der Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung behandelten Oberflächen weiter mit einer wässerigen Lösung einer Azolverbindung oder einer alkoholischen Lösung gemäß, z. B., der US-PS 3,645,772 zu behandeln.
  • Das Verfahren der vorliegenden Erfindung kann in weitem Rahmen zum chemischen Reinigen oder Ähnlichem von Kupfer oder Kupferlegierungen benutzt werden. Die resultierenden Oberflächen von Kupfer oder Kupferlegierung haben angemessene Unregelmäßigkeiten mit tiefen konvexen und konkaven Formen, so dass sie nicht nur eine ausgezeichnete Haftung gegenüber Harzen, wie Prepregs, Lötmittelresists, Trockenfilmresists und Elektroabscheidungs-Resists, sondern auch eine hervorragende Lötbarkeit zeigen. Deshalb ist das Verfahren besonders brauchbar für die Herstellung verschiedener gedruckter Schaltungsplatten, einschließlich solcher für die Stiftgitter-Anordnung (PGA) oder die Kugelgitter-Anordnung (BGA) sowie für die Oberflächenbehandlung von Leitungsrahmen, die für integrierte Schaltungsplatten benutzt werden.
  • So kann, z. B., die Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung benutzt werden zum Aufrauhen von Kupferfolien bei der Herstellung von kupferkaschierten Laminaten für gedruckte Schaltungsplatten, Oberflächen mit ausgezeichneter Haftung gegenüber Prepregs und ausgezeichneter Ätzfähigkeit beim Mustern. Weiter erzeugt die Zusammensetzung zum Aufrauhen von Kupferoberflächen innerer Schichten Oberflächen, die nicht nur eine ausgezeichnete Haftung an Prepregs, sondern auch eine hervorragende Wirkung haben, die Bildung von Rauschringen bei der Herstellung vielschichtiger gedruckter Schaltungsplatten zu verhindern. Da die mit der Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung behandelten Oberflächen weniger glänzen als die mit konventionellen Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Ätzmitteln behandelten Oberflächen, hat dies die Wirkung, dass zusätzlich zur verbesserten Haftung an Harzen die Diffusion von Licht während der Bestrahlung gering ist und die Auflösung fotoempfindlicher Harze dadurch verstärkt wird, wenn die fotoempfindlichen Harze aufgebracht oder laminiert werden.
  • Andere Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen deutlich, die zur Veranschaulichung der Erfindung angegeben sind und diese nicht beschränken sollen.
  • BEISPIELE Beispiele 1-4
  • Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzungen wurden hergestellt durch Vermischen der in Tabelle 1 aufgeführten Komponenten und Sprühen auf kupferkaschierte Laminate für gedruckte Schaltungsplatten (FR-4) 60 Sekunden bei 40ºC. Ein Lötmittelresist, PSR-4000 (Handelsname, hergestellt durch Taiyo Ink Co., Ltd.), wurde auf die behandelten Oberflächen aufgebracht, bestrahlt, entwickelt und nachgehärtet, wodurch verschiedene Muster erzeugt wurden. Dann wurde ein reinigungsfreies Lötflussmittel, AP-4626 (Handelsname, hergestellt durch MEC Co., Ltd.), aufgebracht, und das Löten wurde unter Verwendung einer automatischen Wellen-Lötvorrichtung ausgeführt. Dann wurde der Zustand des Lötmittelresists beobachtet. In diesem Experiment wurde, um das leichtere Ablösen des Lötmittelresists zu bewirken, eine kürzere Nachhärtungszeit benutzt als die Standardzeit für Lötmittelresists, wobei man das Lötflussmittel mit einer dreimal so hohen Konzentration einsetzte, wie die Standard-Konzentration. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Weiter wurden kupferkaschierte Laminate für gedruckte Schaltungsplatten (FR-4), die eine Anzahl kreisförmiger Anschlüssse mit einem Durchmesser von 1 mm aufwiesen und mit Ausnahme der kreisförmigen Anschlüsse auf der gesamten Fläche mit Lötmittelresist überzogen waren, mit der Zusammensetzung 60 Sekunden bei 40ºC sprühbehandelt. Nach dem Aufbringen eines Flussmittels für den Lötmittelüberzug, W-2556 (Handelsname, hergestellt durch MEC Co., Ltd.), wurde das Löten unter Benutzung einer horizontalen Heißluft-Löttmittelnivelier-Vorrichtung ausgeführt. Die Rate des erfolgreichen Lötens (der Anteil der Anschlüsse, die mit dem Lötmittel überzogen waren) wurde untersucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiele 1-3
  • Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzungen, wie sie in Tabelle 1 gezeigt sind, wurden hergestellt und in der gleichen Weise wie in den Beispielen 1-4 bewertet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. TABELLE 1 TABELLE 2
  • Beispiele 5-8
  • Die in Tabelle 3 gezeigten Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzungen wurden hergestellt und in der gleichen Weise wie in den Beispielen 1-4 bewertet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 gezeigt. TABELLE 3 TABELLE 4
  • Nach dem Verfahren der vorliegenden Erfindung können Oberflächen von Kupfer und Kupferlegierungen mit ausgezeichneter Haftung an Harzen, wie Prepregs und Resists, und mit einer hervorragenden Lötbarkeit hergestellt werden. Weil die resultierenden Oberflächen weniger glänzen als die Oberflächen, die durch konventionelle chemische Reinigungstechniken erzeugt werden, hat das Verfahren der vorliegenden Erfindung die Wirkung, dass es die Auflösung verbessert, wenn die behandelten Oberflächen als eine Grundlage für fotoempfindliche Harze benutzt werden. Es verringert auch Fehlfunktionen bei Inspektionen gedruckter Schaltungsplatten mittels einer automatischen optischen Inspektionsvorrichtung (AOI). Das Verfahren der vorliegenden Erfindung benutzt ein ideales Oberflächenbehandlungsmittel zur Herstellung gedruckter Schaltungsplatten, die in ihren feinlinigen Mustern immer weiter miniaturisiert und hoch integriert sind.

Claims (3)

1. Verfahren zum Mikroätzen von Oberflächen von Kupfer und Kupferlegierung, umfassend das Behandeln der Oberfläche mit einer wässerigen Lösung, umfassend
(a) 0,1-30 Gew.-% einer organischen oder anorganischen Säure und
(b) 0,01-20 Gew.-% eines Halogenidions und
(c1) 0,1-15 Gew.-% einer Azolverbindung, ausgewählt aus der Gruppe von Imidazol, Triazol, Tetrazol, 2-Methylimidazol, 4-Methylimidazol, 2-Ethylimidazol, 2-Ethyl-4-methylimidazol und 2(H)-5-Aminoietrazol und eine lösliche Kupfer(II)-Verbindung in einer Menge von 0,1-5 Gew.-% als Kupfermetall oder
(c2) 0,1-15 Gew.-% eines Kupfer(II)-azol-Komplexes einer Azolverbindung, wie unter (c1) defineiert,
unter Bedingungen, um durch das Mikroätzen des Kupfers oder der Kupferlegierung gebildete Kupfer(I)ion zum Kupfer(II)ion zu oxidieren.
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Behandeln das Sprühen der Lösung auf die Oberfläche von Kupfer oder Kupferlegierung umfasst.
3. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Behandeln das Eintauchen des Kupfers oder der Kupferlegierung in die Lösung unter Hindurchblasen von Luft umfasst.
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Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9425090D0 (en) * 1994-12-12 1995-02-08 Alpha Metals Ltd Copper coating
JP3458023B2 (ja) * 1995-08-01 2003-10-20 メック株式会社 銅および銅合金のマイクロエッチング剤
JP2923524B2 (ja) * 1995-08-01 1999-07-26 メック株式会社 銅および銅合金のマイクロエッチング剤並びにマイクロエッチング方法
JP3547028B2 (ja) * 1996-02-26 2004-07-28 四国化成工業株式会社 銅及び銅合金の表面処理剤
JP3458036B2 (ja) * 1996-03-05 2003-10-20 メック株式会社 銅および銅合金のマイクロエッチング剤
TW374802B (en) * 1996-07-29 1999-11-21 Ebara Densan Ltd Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board
SG73469A1 (en) * 1996-11-20 2000-06-20 Ibiden Co Ltd Solder resist composition and printed circuit boards
US6020029A (en) * 1997-06-12 2000-02-01 Macdermid, Incorporated Process for treating metal surfaces
US5869130A (en) * 1997-06-12 1999-02-09 Mac Dermid, Incorporated Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US6162503A (en) * 1997-06-12 2000-12-19 Macdermid, Incorporated Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US6146701A (en) * 1997-06-12 2000-11-14 Macdermid, Incorporated Process for improving the adhension of polymeric materials to metal surfaces
DE69842086D1 (de) * 1997-07-08 2011-02-17 Ibiden Co Ltd Gedruckte Leiterplatte umfassend Leiterbahnen für Lot-Anschlußflächen
JP3909920B2 (ja) * 1997-07-24 2007-04-25 メック株式会社 銅および銅合金の表面処理法
US6141870A (en) 1997-08-04 2000-11-07 Peter K. Trzyna Method for making electrical device
JP3371775B2 (ja) * 1997-10-31 2003-01-27 株式会社日立製作所 研磨方法
US6284309B1 (en) 1997-12-19 2001-09-04 Atotech Deutschland Gmbh Method of producing copper surfaces for improved bonding, compositions used therein and articles made therefrom
TW470785B (en) * 1998-02-03 2002-01-01 Atotech Deutschland Gmbh Process for preliminary treatment of copper surfaces
TW460622B (en) * 1998-02-03 2001-10-21 Atotech Deutschland Gmbh Solution and process to pretreat copper surfaces
US6331490B1 (en) * 1998-03-13 2001-12-18 Semitool, Inc. Process for etching thin-film layers of a workpiece used to form microelectric circuits or components
AU756507B2 (en) 1998-03-18 2003-01-16 Ajinomoto Co., Inc. L-glutamic acid-producing bacterium and method for producing L-glutamic acid
JP2000064067A (ja) * 1998-06-09 2000-02-29 Ebara Densan Ltd エッチング液および銅表面の粗化処理方法
CN1849042A (zh) * 1998-07-08 2006-10-18 伊比登株式会社 印刷电路板及其制造方法
CN1316175A (zh) * 1998-07-08 2001-10-03 伊比登株式会社 印刷电路板及其制造方法
KR20070086864A (ko) * 1998-09-03 2007-08-27 이비덴 가부시키가이샤 다층프린트배선판 및 그 제조방법
US6117250A (en) * 1999-02-25 2000-09-12 Morton International Inc. Thiazole and thiocarbamide based chemicals for use with oxidative etchant solutions
US6444140B2 (en) 1999-03-17 2002-09-03 Morton International Inc. Micro-etch solution for producing metal surface topography
US6352595B1 (en) * 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
JP4063475B2 (ja) 1999-11-10 2008-03-19 メック株式会社 銅または銅合金のエッチング剤
US7351353B1 (en) * 2000-01-07 2008-04-01 Electrochemicals, Inc. Method for roughening copper surfaces for bonding to substrates
US6383272B1 (en) 2000-06-08 2002-05-07 Donald Ferrier Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US20030178391A1 (en) * 2000-06-16 2003-09-25 Shipley Company, L.L.C. Composition for producing metal surface topography
US20040099637A1 (en) * 2000-06-16 2004-05-27 Shipley Company, L.L.C. Composition for producing metal surface topography
US6419784B1 (en) 2000-06-21 2002-07-16 Donald Ferrier Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US6554948B1 (en) 2000-08-22 2003-04-29 Donald Ferrier Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US6447616B1 (en) 2000-08-31 2002-09-10 The Ford Meter Box Company Method for treating brass
US6830629B2 (en) * 2000-08-31 2004-12-14 The Ford Meter Box Company, Inc. Method for treating brass
US6432210B1 (en) 2000-08-31 2002-08-13 The Ford Meter Box Company, Inc. Method for treating brass
US6749691B2 (en) 2001-02-14 2004-06-15 Air Liquide America, L.P. Methods of cleaning discolored metallic arrays using chemical compositions
JP4309602B2 (ja) * 2001-04-25 2009-08-05 メック株式会社 銅または銅合金と樹脂との接着性を向上させる方法、ならびに積層体
JP2002374066A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP4687852B2 (ja) 2001-06-25 2011-05-25 三菱瓦斯化学株式会社 銅および銅合金の表面処理剤
JP2003059971A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Nec Kansai Ltd 配線基板及びその製造方法並びに半導体装置
JP4142312B2 (ja) * 2002-02-28 2008-09-03 ハリマ化成株式会社 析出型はんだ組成物及びはんだ析出方法
US6746547B2 (en) * 2002-03-05 2004-06-08 Rd Chemical Company Methods and compositions for oxide production on copper
KR100459271B1 (ko) * 2002-04-26 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법
US6716281B2 (en) * 2002-05-10 2004-04-06 Electrochemicals, Inc. Composition and method for preparing chemically-resistant roughened copper surfaces for bonding to substrates
US7186305B2 (en) * 2002-11-26 2007-03-06 Donald Ferrier Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US7300601B2 (en) * 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
US7232478B2 (en) * 2003-07-14 2007-06-19 Enthone Inc. Adhesion promotion in printed circuit boards
TWI282377B (en) 2003-07-25 2007-06-11 Mec Co Ltd Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same
JP4368161B2 (ja) * 2003-08-08 2009-11-18 日鉱金属株式会社 銅、銅合金の表面処理剤
JP3952410B2 (ja) * 2004-02-10 2007-08-01 タムラ化研株式会社 金属の表面処理剤、プリント回路基板およびプリント回路基板の金属の表面処理方法
WO2005086551A1 (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Ibiden Co., Ltd. エッチング液、エッチング方法およびプリント配線板
EP1795296B1 (de) * 2004-08-31 2014-08-06 Senju Metal Industry Co., Ltd. Flussmittel zum löten
US7569490B2 (en) * 2005-03-15 2009-08-04 Wd Media, Inc. Electrochemical etching
US20060207890A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 Norbert Staud Electrochemical etching
KR101154244B1 (ko) * 2005-06-28 2012-06-18 주식회사 동진쎄미켐 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한 식각액
US7393461B2 (en) * 2005-08-23 2008-07-01 Kesheng Feng Microetching solution
US20100256034A1 (en) * 2005-09-22 2010-10-07 Pantheon Chemical, Inc. Copper chelating agent, composition including the agent, and methods of forming and using the agent and composition
US7456114B2 (en) * 2005-12-21 2008-11-25 Kesheng Feng Microetching composition and method of using the same
US7875558B2 (en) * 2005-12-21 2011-01-25 Kesheng Feng Microetching composition and method of using the same
US20070221503A1 (en) * 2006-03-22 2007-09-27 Brian Larson Precoat composition for organic solderability preservative
US20100087065A1 (en) * 2007-01-31 2010-04-08 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications
US8512504B2 (en) 2009-05-06 2013-08-20 Steven A. Castaldi Process for improving adhesion of polymeric materials to metal surfaces
CN102472938B (zh) * 2009-07-23 2016-03-30 东友精细化工有限公司 液晶显示装置用阵列基板的制造方法
US8444868B2 (en) * 2010-01-28 2013-05-21 International Business Machines Corporation Method for removing copper oxide layer
CN106995922A (zh) * 2010-04-29 2017-08-01 东友精细化工有限公司 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物
KR101958606B1 (ko) 2010-07-06 2019-03-14 아토테크 도이칠란드 게엠베하 인쇄회로기판의 제조 방법
CN103120037B (zh) 2010-07-06 2017-05-10 纳美仕有限公司 处理铜表面以增强对印刷电路板中使用的有机衬底的粘着力的方法
KR20120039925A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 제조 방법
US8524540B2 (en) * 2011-02-01 2013-09-03 Nilesh Kapadia Adhesion promoting composition for metal leadframes
KR101778296B1 (ko) * 2011-04-01 2017-09-14 삼성디스플레이 주식회사 식각액, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
JP5656081B2 (ja) * 2011-04-18 2015-01-21 メック株式会社 皮膜形成液及びこれを用いた皮膜形成方法
JP5813425B2 (ja) * 2011-09-07 2015-11-17 株式会社Jcu 金属または合金用の表面処理液およびそれを用いた表面処理方法
CN103668206A (zh) * 2012-09-19 2014-03-26 东友精细化工有限公司 用于铜层/钛层的蚀刻溶液组合物
KR102175313B1 (ko) * 2013-09-24 2020-11-09 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물, 및 이를 이용한 금속 배선과 박막 트랜지스터 기판 형성 방법
KR102178949B1 (ko) * 2013-11-21 2020-11-16 삼성디스플레이 주식회사 식각액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
CN103952702A (zh) * 2014-05-04 2014-07-30 深圳市实锐泰科技有限公司 蚀刻液及使用该蚀刻液进行软性线路板细线蚀刻的方法
CN104694909B (zh) * 2014-07-03 2017-01-25 广东丹邦科技有限公司 一种铜表面粗化剂
JP2016029681A (ja) 2014-07-25 2016-03-03 イビデン株式会社 多層配線板及びその製造方法
JP6473595B2 (ja) * 2014-10-10 2019-02-20 イビデン株式会社 多層配線板及びその製造方法
EP3159432B1 (de) * 2015-10-23 2020-08-05 ATOTECH Deutschland GmbH Oberflächenbehandlungsmittel für kupfer und kupferlegierungsoberflächen
CN107163947A (zh) * 2017-06-02 2017-09-15 合肥市惠科精密模具有限公司 一种用于液晶面板制造工艺的铜蚀刻液
JP6338232B1 (ja) * 2017-09-22 2018-06-06 メック株式会社 銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法
US11678433B2 (en) 2018-09-06 2023-06-13 D-Wave Systems Inc. Printed circuit board assembly for edge-coupling to an integrated circuit
US11647590B2 (en) 2019-06-18 2023-05-09 D-Wave Systems Inc. Systems and methods for etching of metals
US12033996B2 (en) 2019-09-23 2024-07-09 1372934 B.C. Ltd. Systems and methods for assembling processor systems
CN110527996B (zh) * 2019-09-27 2021-08-03 苏州天承化工有限公司 一种棕化液及其制备方法和应用
CN115110085A (zh) * 2021-10-23 2022-09-27 赵晓峰 一种铜及合金过氧化氢化学抛光体系中改进脱膜工序的新方法
CN114457335B (zh) * 2022-02-15 2023-10-27 江西省科学院应用物理研究所 一种铜铁碳合金金相浸蚀剂及其使用方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3933531A (en) * 1972-04-11 1976-01-20 Natsuo Sawa Method of rust-preventing for copper and copper alloy
DE2557269A1 (de) * 1975-12-19 1977-06-30 Licentia Gmbh Verfahren zum aetzen von kupfer oder kupferlegierungen
EP0364132A1 (de) * 1988-09-29 1990-04-18 Shikoku Chemicals Corporation Verfahren zur Herstellung eines Konversionsüberzuges auf Oberflächen aus Kupfer oder Kupferlegierungen
KR960008153B1 (ko) * 1989-10-03 1996-06-20 다찌바나 다이끼찌 금속 공작용 표면 처리제
EP0428383A1 (de) * 1989-11-13 1991-05-22 Shikoku Chemicals Corporation Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kupfer und Kupferlegierungen
JP2834885B2 (ja) * 1990-11-07 1998-12-14 四国化成工業株式会社 銅及び銅合金の表面処理方法
JPH04183874A (ja) * 1990-11-17 1992-06-30 Shikoku Chem Corp 銅及び銅合金の表面処理方法
JPH0593281A (ja) * 1991-09-24 1993-04-16 Hideaki Yamaguchi 金属の表面処理方法
TW217426B (de) * 1992-01-08 1993-12-11 Mekku Kk
JPH05230674A (ja) * 1992-02-24 1993-09-07 Hideaki Yamaguchi 金属の表面処理方法
JP3387528B2 (ja) * 1992-08-07 2003-03-17 朝日化学工業株式会社 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法
TW270944B (de) * 1993-05-10 1996-02-21 Shikoku Kakoki Co Ltd

Also Published As

Publication number Publication date
KR950032710A (ko) 1995-12-22
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US5532094A (en) 1996-07-02
CN1117090A (zh) 1996-02-21

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