DE69502750T2

DE69502750T2 - Plasmaerzeugungsvorrichtung und Plasmabearbeitungsvorrichtung

Info

Publication number: DE69502750T2
Application number: DE69502750T
Authority: DE
Inventors: Hajime Nishikyo-Ku Kyoto-Shi Kyoto Kuwahara; Takahiro Kyoto-Shi Kyoto Nakahigashi
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1994-03-02
Filing date: 1995-03-01
Publication date: 1999-01-28
Anticipated expiration: 2015-03-02
Also published as: EP0670666A1; US5651825A; EP0670666B1; JPH07245193A; DE69502750D1

Description

Hintergrund der Erfindung

Erfindungsbereich

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung und auf eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung, welche mit einer Plasma-Erzeugungsvorrichtung ausgestattet ist, und spezieller auf eine Plasma- Erzeugungsvorrichtung für Plasma-CVD, Plasma-Ätzen und andere Plasma- Bearbeitungen und auf einen Plasma-Bearbeitungsapparat, ausgestattet mit dieser Erzeugungsvorrichtung. Die Plasma-CVD ist zum Abscheiden eines Films auf einem Substrat in einem Verfahren zum Herstellen verschiedenartiger Sensoren ausgestattet, welche Sensoren mit Halbleitern ausgestattet sind und anderen Bauteilen, welche Halbleiter, Solarzellen und ähnliches benutzen. Die Plasma- Ätzung ist ausgestattet, z. B. für das Ätzen eines aufgetragenen Films gemäß einem vorgegebenen Muster, um Schaltungsmuster oder ähnliches herzustellen. Die Plasma-Erzeugungsvorrichtung wird auch benutzt für die Plasma-Bearbeitung, welche, ausgeführt ist, z. B. zur Oberflächenvergütung eines Substratoberfläche mit Plasma.

Beschreibung des Standes der Technik

Im allgemeinen wird Plasma hoher Dichte, welches in einem Plasma- Bearbeitungsverfahren gefordert ist, dadurch hergestellt, daß ein angeregtes Gas, durch Thermoelektronen, welche durch eine beheizte Wendel emittiert wurden, in Plasma übergeht und ein Prozeßgas innerhalb des Plasmas durch Ionen angeregt wird, um das Plasma zu bilden.
Die US-A-5,206,471 (Smith) offenbart eine mikrowellenaktivierte Gas- Erzeugungsvorrichtung. Die Gasströmung wird aufgeteilt in einen schnellen Gasstrom, angrenzend zu den Rohrwänden und in einen langsamen Gasstrom mittels eines Gegenstandes, welcher einen Stagnations-Bereich für den langsamen Gasstrom bildet. Dieser Gegenstand kann aus Quarz oder Bor-Nitrid beschaffen sein. Smith beschreibt nicht die Nutzung von Metalloxyden, um die Plasma- Erzeugung zu vergrößern.
Ein Beispiel eines Apparates, welcher für eine solche Plasma-Bearbeitung benutzt wird, wird nun im folgenden in Verbindung mit einer Plasma-Bearbeitungsvorrichtung beschrieben, wie in Fig. 2 gezeigt. Dieser Apparat beinhaltet eine Plasma- Erzeugungskammer 1 und eine Plasma-Bearbeitungskammer 2, welche miteinander verbunden sind und geerdet sind.
Ein Heizfaden 3 bildet die Plasmaquelle und ist innerhalb der Plasma- Erzeugungskammer 1 angeordnet. Der Heizfaden 3 ist mit einer Gleichspannungsquelle 4 verbunden. Eine Ionen-Führungselektrode 5 ist unterhalb des Heizfadens 3 angeordnet. Eine Gleichspannungsquelle 6 ist zwischen der Elektrode 5 und einem Substrathalter 10 angeschlossen, was später noch beschrieben wird. Die Plasma-Erzeugungskammer 1 ist mit einer Gaszuführung 7 mittels einer Rohrleitung verbunden. Die Gaszuführung 7 beinhaltet eine oder mehrere Gasquellen 731, 732, ... für erregte Gase, verbunden mit Rohrleitungen, welche mit Durchflußreglern 711, 712, ... und Ventilen 721, 722,... dementsprechend ausgestattet sind. Um die Plasma-Erzeugungskammer 1 herum ist ein ringförmiger Elektromagnet 8 angebracht, um die erzeugten Ionen in Richtung Plasma- Bearbeitungskammer 2 zu fokussieren.
Der Substrat-Träger 10 ist im unteren Teil der Plasma-Bearbeitungskammer 2 angeordnet und ist mit einem Erhitzer 10a zum Erhitzen des Substrats S2 bis zur Prozeßtemperatur ausgestattet, wobei das Substrat 52 auf dem Halter 10 befestigt ist. Da das Substrat S2 durch Strahlungswärme beheizt wird, ist der Erhitzer 10a vom Halter 10 beabstandet. Falls gefordert kann auch ein Kühler anstatt des Erhitzers 10a eingesetzt werden.
Der Halter 10 ist mit einer RF (Radiofrequenz) Energiequelle 12 mittels eines Adapters 11 verbunden oder ist mit einer Gleichspannungsquelle 13 oder 14 verbunden. Ein Wahlschalter 15 kann die Gleichspannungsquellen 13 oder 14 wahlweise zuschalten. Falls das Substrat S2, welches auf dem Halter 10 angebracht ist, elektrisch leitend ist; wird von den Gleichspannungsquellen 13 oder 14 eine Gleichspannung geliefert, um das auftretende Plasma zu regeln zur Regelung der Erzeugungsrate. Falls das Substrat S2 ein elektrischer Isolator ist, wird eine RF- Spannung durch eine Radiofrequenz-Energiequelle 12 geliefert, um das auftretende Plasma zu regeln zur Regelung der Erzeugungsrate.
Oberhalb des Halters 10 ist ein ringförmiges Einlaßrohr 16 angebracht, welches an seiner Unterseite in Richtung des Halters 10 mit einer großen Anzahl von Gasdüsen ausgestattet ist. Das Gaseinlaßrohr 16 ist mit einer Gasquelle 18 für das Prozeßgas mittels eines Gaszufuhrrohres 17 verbunden. Die Gasquelle 18 beinhaltet eine oder mehrere Gasquellen 183a, 183b, ... für das Plasma-Bearbeitungsgas mittels entsprechender Durchflußregeler 181a, 181b, ... und Ventile 182a, 182b, .... Die Vorrichtung zur Zuführung von angeregtem Gas 7 und die Gasquelle 18 für das Prozeßgas sind mit den Kammern 1 und 2 über verschiedene Rohrleitungen aus den folgenden Gründen verbunden. Wenn diese Gase zusammengemischt werden, würden vorzugsweise staubbildende Partikel erzeugt werden und dies würde die Oberfläche des Substrats S2 und das innere der Kammern 1 und 2 verunreinigen. Ein ringförmiger Elektromagnet 9 ist an der äußeren Oberfläche der Wand der Bearbeitungskammer 2 angebracht und eine Vakuumpumpe 19 ist mit der Bearbeitungskammer 2 verbunden. Der Elektromagnet 9 ist zur Fokussierung der Ionen in Richtung des auf dem Halter 10 angebrachten Substrats S2 vorgesehen.
Gemäß dieses Plasma-Bearbeitungsapparates wird das Substrat S2 auf dem Halter 10 gehalten und danach die Vakuumpumpe 19 in Betrieb gesetzt, um in den Kammern 1 und 2 ein vorgegebenes Vakuum zu erzeugen. Dann wird das angeregte Gas in die Erzeugungskammer 1 aus der Gaszuführung 7 eingeleitet und die Gleichstromenergie wird durch die Gleichspannungsquelle 4 dem Heizfaden 3 zugeführt. Dadurch werden Thermoelektronen von dem Heizfaden emittiert, so daß aus dem eingeführten, erregten Gas ein Plasma erzeugt wird. Die Ionen im Plasma werden beschleunigt und in die Prozeßkammer 2 mittels der Ionen- Führungselektrode 5 bewegt, welche durch eine Gleichspannungsquelle 6 versorgt wird.
Währenddessen wird das Plasma-Erzeugungsgas in die Nähe des Substrats S2 über das Gaszufuhrrohr 17 und das Gaseinlaßroht 16 aus der Gasquelle 18 eingeleitet. Die Ionen, welche aus der Plasma-Erzeugungskammer 1 geliefert werden, werden in Richtung des Substrats S2 fokussiert, infolge des magnetischen Feldes, welches durch des Elektromagnet 9 erzeugt wird. Das Plasma-Prozeßgas, welches in den Nähe des Substrates 2 eingebracht wird, wird durch die Ionen angeregt, um Plasma zu bilden, sodaß die beabsichtigte Plasma-Bearbeitung an der Oberfläche des Substrates S2 stattfindet. Durch diese Bearbeitung wird geätzt, wenn das Plasma-Bearbeitungsgas ein Gas zum Ätzen ist. Wenn das Gas zur Abscheidung dient, wird ein Film abgelagert. Wenn es ein Gas zur Oberflächenvergütung ist, wird die Oberfläche des Substrats vergütet.
In dieser Plasma-Bearbeitung neigt der Heizfaden 3 zum Bruch, wenn der Druck in den Kammern 1 und 2 zu hoch wird. Deswegen kann das in den Kammern beibehaltene Vakuum nicht höher als 1,33 · 10&supmin;² Pa(1 · 10&supmin;&sup4; Torr) sein. Dies erhöht die Kosten im Vergleich mit einer Plasma-Bearbeitung bei Normaldruck. Wenn das zu bearbeitende Substrat aus Kunststoff hergestellt ist, welches eher bei niedrigeren Drücken verdampft, ist es schwierig, den Evakuierungsgrad zu erhöhen.
Sogar bei der Plasma-Bearbeitung bei höherem Evakuierungsgrad mit Drücken nicht · höher wie 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) bricht der Heizfaden 3, wenn ein Inertgas oder ein ähnliches Gas als Hauptgas des Anregungsgases benutzt wird und ein Gas mit gasförmigem Sauerstoff (O&sub2;) zusätzlich im angeregten Gas enthalten ist zur Erzeugung von Sauerstoff (O) Plasma. Dies unter der Voraussetzung, daß die Bearbeitung für ungefähr 10 Stunden insgesamt durchgeführt wird, sogar wenn der Sauerstoff-Gasgehalt niedrig ist und nicht mehr als 10% beträgt.
Der Heizfäden ist im allgemeinen aus Metall mit hohem Schmelzpunkt wie z. B. Wolfram (W). Ähnlich wie beidem Fall, wo der gasförmige Sauerstoff als Anregunngsgas benutzt wird, wenn das Anregungsgas beispielsweise Sauerstoff oder Halogen beinhaltet, bildet das Metall des Heizfadens ein Oxyd oder Halid und diese Verbindung verdampft, so daß der Heizfaden verbraucht wird und seine Lebensdauer verkürzt wird. Weiterhin haftet das verdampfte Metalloxyd oder Metallhalid als Verunreinigung auf der Oberfläche des Substrats und/oder der Innenseite des Vakuumbehälters an und verunreinigt diese.

Zusammenfassung der Erfindung.

Demgemäß ist es ein erstes Ziel der Erfindung, eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung bereitzustellen gemäß Anspruch 1, welche zur Plasma-Bearbeitung benutzt werden kann und im speziellen, um eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung bereitzustellen, in der Plasma bei niedrigem Evakuierungsgrad oder Normaldruck erzeugt werden kann. Auch kann die Apparatur durch die Verminderung des Verbrauchs der Plasmaquelle für eine lange Zeit stabil benutzt werden, sogar wenn der Plasmadampf für die Anregung ein Aktivgas beinhaltet, welches beispielsweise Sauerstoff oder Halogen beinhaltet, um den Inhalt des Aktivgases nicht höher als ein vorgegebenes kleines Maß werden zu lassen. Weiterhin kann die Plasma- Erzeugungsvorrichtung die Produktion von Unreinheiten unterdrücken, dank der Reduktion der verbrauchten Plasmaquelle und so kann die Verunreinigung des Inneren der Plasma-Bearbeitungskammer unterdrückt werden.
Ein zweites Ziel der Erfindung ist ein Plasma-Bearbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 5 bereitzustellen, mit einer Plasma-Erzeugungsvörrichtung und einer Bearbeitungskammer zur Unterbringung des zu bearbeitenden Werkstücks, wobei die Plasma-Bearbeitungsvorrichtung in Verbindung mit der Plasma- Erzeugungsvorrichtung ist. Im speziellen ist das zweite Ziel eine Plasma- Bearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, welche die Plasma-Bearbeitung des Werkstücks sogar bei einem niedrigen Evakuierungsgrad oder bei Normaldruck durchführen kann Lind stabil für eine lange Zeit durch die Reduzierung des Verbrauchs der Plasmaquelle benutzt werden kann, sogar wenn der Plasmadampf für die Anregung ein Aktivgas beinhaltet, welches beispielsweise Sauerstoff oder Hologen wiederum beinhaltet, um den Bestandteil an Aktivgas nicht höher als einen vorgegebenen kleinen Wert werden zu lassen. Weiterhin kann die Plasma- Bearbeitungsvorrichtung die Produktion von Unreinheiten unterdrücken, dank einer Reduktion des Verbrauchs der Plasmaquelle und so kann die Verunreinigung der Plasma-Erzeugungsvorrichtung unterdrückt werden, die Verunreinigung der Innenteile der Bearbeitungskammer und des Werkstücks während der vorgegebenen Plasma-Bearbeitung des Werkstücks.
Die Erfinder haben darüber nachgedacht, wie sie die oben erwähnten Ziele erreichen könnten und haben folgendes herausgefunden. Statt des herkömmlichen Heizfadens aus Metall mit hohem Schmelzpunkt wie z. B. Wolfram, wird eine Plasmaquelle aus einem gesinterten Körper aus Metalloxyd benützt, ein Anregungsgas in die Umgebung der Plasmaquelle gebracht, und Mikrowellen in die Plasmaquelle eingestrahlt. Dadurch wird Plasma aus dem Gas erzeugt und diese Erzeugung des Plasmas kann nicht nur bei einem hohen Evakuierungsgrad erreicht werden, sondern bei einem niedrigen Evakuierungsgrad und bei Normaldruck. Weiterhin wird der Verbrauch der Plasmaquelle unterdrückt, sogar wenn das Anregungsgas eine kleine Menge Aktivgas beinhaltet, welches Sauerstoff, Halogen oder ähnliches beinhaltet. Die Erfindung wurde aufgrund dieser Tatsache weiterentwickelt.
Demgemäß liefert die Erfindung sowohl die Plasma-Erzeugungsvorrichtung, wie auch die Plasma-Bearbeitungsvorrichtung, welche mit einer Plasma- Erzeugungsvorrichtung ausgestattet ist.
Eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung gemäß der Erfindung, welche des oben beschriebene erste Ziel erreicht, beinhaltet eine Plasma-Erzeugungskammer, eine Vorrichtung zur Zuführung von Plasmadampf mit 90% oder mehr Innertgas zur Plasma-Erzeugungskammer, eine Plasmaquelle, welche innerhalb der Plasma- Erzeugungsvorrichtung angebracht ist und aus einem gesinterten Körper aus Metalloxyd besteht mit einem spezifischen Widerstand nicht höher als 10³ Ohm cm, und eine Vorrichtung zur Einstrahlung von Mikrowellen in die Plasmaquelle.
Eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung gemäß der Erfindung, welche das oben genannte zweite Ziel erreicht, beinhaltet die oben genannte Plasma- Erzeugungsvorrichtung, eine Bearbeitungskammer, welche verbunden ist, mit der Plasma-Erzeugungsvörrichtung und ausgestattet ist mit einer Vorrichtung zur Aufnahme eines zu bearbeitenden Werkstückes und einer Vorrichtung zur Beschleunigung und zum Einbringen von Ionen in das Plasma, welches Plasma durch die Plasma-Erzeugungsvorrichtung erzeugt wurde, in der Prozeßkammer.
Das Metalloxyd, welches in der Plasma-Erzeugungskammer benutzt wird und die · Plasma-Bearbeitungsvorrichtung gemäß der Erfindung können beispielsweise La(1-x)SrxCoO&sub3;, Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;Ox oder Bi&sub2;Sr&sub2;Ca&sub2;Cu&sub3;Ox sein. Eine oder mehrere dieser Verbindungen können benutzt werden.
Das Metalloxyd hat eine spezifischen Widerstand nicht höher als 10³ Ohm cm. Wenn der spezifische Widerstand höher als 10³ Ohm cm ist, kann kein genügender Mikrowellenstrom fließen und so kann kein genügendes Plasma erzeugt werden.
In der Plasma-Erzeugungsvorrichtung und der Plasma-Bearbeitungsvorrichtung gemäß der Erfindung kann das Plasmagas, welches in die Plasma- Bearbeitungskammer eingeleitet wird, ein in Erdgas, wie z. B. gasförmiges Helium(He), Neon(Ne), Argon(Ar), Krypton(Kr), oder Xenon(Xe) zu 90% oder mehr beinhalten und in anderen Worten kann das Plasmagas ein Aktivgas mit beispielsweise gasförmigem Sauerstoff oder Halogen mit einem Anteil von 10% oder weniger beinhalten. Der Grund dafür ist, wenn der Bestandteil an Aktivgas 10% übersteigt, die Dichte des produzierten Plasmas nachteiligerweise absinkt.
Natürlich kann das Gas aus Innertgas bestehen, ohne ein Aktivgas zu beinhalten. Das Aktivgas kann Sauerstoff sein; welches ein Gas beinhaltet, wie z. B. gasförmiger Sauerstoff, Stickstoffmonoxyd (NO) oder Distickstoffmonoxyd (N&sub2;O) oder ein Halogen, welches gasförmiges Fluor (F&sub2;) oder Chlor (Cl&sub2;) beinhaltet.
Die Plasma-Erzeugungsvorrichtung gemäß der Erfindung kann mit einer Evakuierungsvorrichtung ausgestattet sein, um die Plasma-Erzeugungskammer einem vorgegebenen Vakuum auszusetzen, um das Plasma zu regeln. Ebenso kann die Plasma-Bearbeitungsvorrichtung gemäß der Erfindung mit einer Evakuierungsvorrichtung ausgestattet sein, um die Plasma-Erzeugungskammer und die Bearbeitungskammer einem vorgegebenen Vakuum auszusetzen, um das Plasma und die Bearbeitung des Werkstücks zu regeln. In diesem Fall kann die Evakuierungsvorrichtung unabhängig voneinander vorgesehen sein, zum einen für die Plasma-Erzeugungskammer und zum anderen für die Bearbeitungskammer oder eine Evakuierungsvorrichtung gemeinsam besitzen.
Eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung gemäß der Erfindung kann mit einer Vorrichtung zur Zuführung von Prozeßgas zu der Bearbeitungskammer, in welcher das zu bearbeitende Werkstück sich befindet, vorgesehen sein, um einen vorgegebenen Prozeß mit dem Prozeßgas zu ermöglichen. Die Vorrichtung zur Zuführung des Prozeßgas kann ein Rohrleitungssystem zur Zuführung des Gases in die Umgebung des Substrats sein, wie beispielsweise ein ringförmiges Gaseinlaßrohr wie in den herkömmlichen Apparaten gemäß Fig. 2 gezeigt.
Ähnlich der herkömmlichen Vorrichtungen kann die Plasma-Erzeugungsvorrichtung und die Plasma-Bearbeitungsvorrichtung gemäß der Erfindung mit einem Magnet ausgestattet sein, wie beispielsweise einem ringförmigen um die Plasma- Erzeugungskammer angebrachten Magneten um die Ionen, welche in der Plasma- Erzeugungskammer erzeugt wurden, in Richtung der Bearbeitungskammer zu fokussieren und/oder diese Vorrichtungen können mit einem Magneten ausgestattet sein, wie beispielsweise einem ringförmigen um die Bearbeitungskammer angebrachten Magneten, um die Ionen in Richtung des Werkstücks zu fokussieren.
In der Plasma-Bearbeitungsvorrichtung gemäß der Erfindung kann die Vorrichtungen für die Beschleunigung und das Einführen der Ionen in das Plasma in der Bearbeitungskammer, welches in der Plasma-Erzeugungskammer produziert wurde, die Ionen-Führungselektrode beinhalten, wie z. B. in Fig. 2 gezeigt. In diesem Fall kann die Vorrichtung mit einer Vorrichtung zur Beaufschlagung einer Gleichspannung auf die Ionen-Führungselektrode ausgestattet sein und mit einer Vorrichtung zur Halterung des Werkstücks innerhalb der Bearbeitungskammer.
In dem Plasma-Bearbeitungsapparat gemäß der Erfindung kann eine Gleichspannungsquelle und/oder eine Radiofrequenz-Energiequelle zur Beaufschlagung einer Spannung mit der Tragvorrichtung des Werkstücks innerhalb der Bearbeitungskammer verbunden sein, um auftretendes Plasma zu regeln und so die Prozeßrate des Werkstücks zu kontrollieren.
In dem Plasma-Erzeugungsapparat gemäß der Erfindung wird der Plasmadampf in die Plasma-Erzeugungsvorrichtung eingeführt und Mikrowellen werden in die Plasmaquelle eingestrahlt durch die Mikrowellenvorrichtung, so daß das Plasma aus dem Gas erzeugt wird.
Der Mechanismus dabei kann sein, daß das Metalloxyd der Plasmaquelle, welches der Mikrowelleneinstrahlung ausgesetzt wurde, als Katalysator dient und erreicht somit den nächstliegenden Effekt, die Erzeugung von Plasma aus dem Plasmagas zu unterstützen.
Die Erzeugung des Plasma kann nicht nur in einem Hochvakuum bei einem Druck von nicht mehr wie 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) durchgeführt werden, sondern auch in einem Niedervakuumzustand bei einem Druck, welcher 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) übersteigt und bei einem Zustand mit Normaldruck.
Der Plasmadampf kann ein Aktivgas beinhalten, wie beispielsweise ein Gas mit. Sauerstoff oder Halogen. Solch ein Aktivgas reagiert gerne mit einem Metall, welches einen hohen Schmelzpunkt aufweist, wie z. B. Wismut, um Metalloxyd oder Metallhalid in bekannter Weise zu erzeugen. In diesem Fall reagiert der gesinterte Körper des Metalloxyds kaum mit einem solchen Aktivgas, so daß der Verbrauch der Plasmaquelle unterdrückt wird, wenn der Bestandteil des Aktivgases innerhalb des Dampfes nicht höher als 10% ist. Gemäß der Plasma-Bearbeitungsvorrichtung der Erfindung werden die so im Plasma erzeugten Ionen beschleunigt und in die Bearbeitungskammer, in der sich das Werkstück befindet, eingeführt und die Ionen bewirken eine vorgegebene Bearbeitung, wie beispielsweise eine Ionenimpfung oder eine Ätzung des Werkstücks.
Falls die Bearbeitungskammer mit einer Vorrichtung zur Zuführung des Prozeßgases ausgestattet ist, erzeugen die Ionen, welche beschleunigt wurden und in die Bearbeitungskammer eingeführt wurden; das Plasma aus dem Prozeßgas und eine vorgegebene Bearbeitung wird auf das Werkstück innerhalb des Plasmas ausgeübt.
Etwas spezieller ausgedrückt, wird eine Ätzung durchgeführt, wenn das Prozeßgas ein Ätzgas ist, ein Film aufgebracht, wenn es ein Abscheidegas ist, und die Oberfläche des Werkstücks vergütet, wenn es ein Oberflächenvergütungsgas ist.
Weil der Verbrauch der Plasmaquelle unterdrückt wird, wie bereits beschrieben, wird auch die Verunreinigung der Plasmaquelle vom Anhaften auf der Oberfläche des Werkstücks wie auch an zahlreichen Teilen der Plasma-Erzeugungskammer und der Plasma-Bearbeitungskammer abgehalten.
Wenn die Gleichspannungsquelle mit der Vorrichtung zum Tragen des Werkstücks in der Bearbeitungskammer verbunden ist, kann die Gleichspannung an die Tragvorrichtung angelegt werden, um das auftretende Plasma zu regeln, um die Prozeßrate zu regeln, wenn das Werkstück elektrische Leitfähigkeit aufweist.
Wenn die Radiofrequenz-Energiequelle mit der Werkstück tragenden Vorrichtung innerhalb der Bearbeitungskammer verbunden ist, kann die Tragvorrichtung mit der Radiofrequenz-Spannung versorgt werden, um das einfallenende Plasma zu regeln und die Prozeßrate zu regeln, wenn das Werkstück; welches durch die Tragvorrichtung getragen wird ein elektrischer Isolator ist.
Die vorher beschriebenen und andere Ziele, Eigenschaften, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden ersichtlicher aus den folgenden detailierteren Beschreibungen der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen:

Fig. 1 zeigt eine schematische Struktur eines Beispiels einer Plasma-Bearbeitungsvorrichtung gemäß der Erfindung; und
Fig. 2 zeigt eine schematische Struktur einer herkömmlichen Plasma- Bearbeitungsvorrichtung als Beispiel.

Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform:

Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung B gemäß Fig. 1 nutzt eine Plasma- Erzeugungsvorrichtung A gemäß der Erfindung. Der Apparat B unterscheidet sich von herkömmlichen Apparaten gemäß Fig. 2 darin, daß der Apparat B nicht mit einer Gleichspannungsquelle 4 und dem Heizfaden 3 ausgestattet ist wie der herkömmlichen Apparat gemäß Fig. 2, sondern mit einem ringförmigen Hohlkörper 20, welcher um die Plasma-Erzeugungskammer 1 angebracht ist, einem Mikrowellenradiator 21, welcher mit dem Hohlkörper 20 verbunden ist, und einer innerhalb der Kammer 1 befindlichen Abstimmvorrichtung 22 zur Änderung der Kapazität des Hohlkörpers 20 und einer netzartigen Plasmaquelle 23, welche aus einem gesinterten Körper aus Metalloxyd besteht. Die anderen Bauteile, welche nicht oben beschrieben wurden, sind die gleichen wie in Fig. 2 gezeigt. Die gleichen Teile und Bauteile wie in Fig. 2 tragen gleiche Referenznummern.
Der Zweck der Bereitstellung einer netzartigen Plasmaquelle 23 ist die Kontaktfläche -· zwischen der Plasmaquelle 23 und dem Plasmadampf zu erhöhen, welcher Plasmadampf von der Vorrichtung zur Zuführung von Plasmadampf 7 geliefert wird, dadurch daß das Gas während der. Erzeugung von Plasma durch diese netzartige Plasmaquelle 23 hindurchtritt. Die Plasma-Erzeugungskammer 1, die Vorrichtung zur Zuführung von Plasmadampf 7, der Hohlkörper 20, der Mikrowellenradiator 21 Lind die Plasmaquelle 23 bilden die Plasma-Erzeugungsvorrichtung A. Obwohl die gezeigte Ausführungsform nicht mit einem Magneten, um die Kammer 1 ausgebildet ist, kann der gleiche Magnet 8, wie in den herkömmlichen Vorrichtungen vorgesehen sein, wie bei der unterbrochenen Linie in der Fig. 1 angedeutet.
Die Plasma-Bearbeitungsvorrichtung B, wie oben beschrieben, führt die Plasma- Bearbeitung wie folgt aus.
Zuerst wird ein Substrat S1 auf dem Substrathalter 10 befestigt, wobei das Substrat eine spezielle Art von einem zu bearbeitenden Werkstück darstellt, und dann wird die Vakuumpumpe 19 falls nötig zugeschaltet, um die Kammern 1 und 2 einem vorgegebenen Vakuum auszusetzen. Anschließend liefert die Gaszuführvorrichtung 7 das angeregte Gas, das heißt, Plasmadampf in die Prozeßkammer 1 und der Hohlkörper 20 wird mit Mikrowellenenergie über den Mikrowellenradiator 21 beaufschlagt und daraufhin der Plasmaquelle 23 zugeführt. Das Anpassen der Mikrowellenstrahlung wird durch Änderung der Kapazität des Hohlkörpers 20 über die Abstimmvorrichtung 22 bewerkstelligt. Auf diese Art und Weise wird das Plasma durch das zugeführte, angeregte Gas erzeugt.
Die Ionen innerhalb des Plasma werden beschleunigt und in Richtung des Substrathalters 10 bewegt aufgrund der Protentialdifferenz, welche zwischen der Ionen-Führungselektrode 5 und dem Substrathalter 10 durch das Anlegen einer Gleichtspannungsquelle 6 an die Elektrode 5 gebildet wird: Zur gleichen Zeit wird Plasma-Prozeßgas in die Nähe des Substrates S1 aus der Gasquelle 18 über das Gaszufuhrrohr 17 und das Gaseinlaßrohr 16 geleitet. Die Ionen, welche aus der Plasma-Erzeugungskammer 1 geliefert werden, werden Richtung des Substrats S1 fokussiert aufgrund des magnetischen Feldes, welches durch den Elektromagnet 9 erzeugt wird. Die so fokussierten Ionen regen das Plasma-Prozeßgas an, welches in die Umgebung des Substrats S1 eingeleitet wurde, um das Plasma zu bilden, so daß die beabsichtigte Plasma-Bearbeitung auf der Oberfläche des Substrates S1 erzielt wird.
Wenn das Plasma-Prozeßgas nicht durch die Gasquelle 18 eingeleitet wird, wird die. Oberfläche des Substrates S1 auf eine beabsichtigte Art und Weise durch die fokussierten Ionen bearbeitet, in einer Lage oberhalb des Substrates S1.
Während des Bearbeitens des Substrates S1, falls nötig oder gefordert, liefern die Energiequellen 12, 13 oder 14 eine entsprechende Wechselspannung oder Gleichspannung an den Substratträger 10, wobei dadurch die Bearbeitungsrate geregelt wird.
Gemäß der oben beschriebenen Art und Weise kann eine gewünschte Plasma- Bearbeitung auf der Oberfläche des Substrates S1 erzielt werden, sogar wenn die Kammern 1 und 2 einem Niedervakuumzustand bei einem Druck ausgesetzt werden, der 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) übersteigt, oder bei einem Zustand mit Normaldruck.
Sogar wenn das angeregte Gas durch ein Gas gebildet wird, welches ein Aktivgas beinhaltet, und das Aktivgas beispielsweise Sauerstoff oder Halogen beinhaltet, ist es möglich, den Verbrauch der Plasmaquelle 23 dahingehend zu reduzieren, daß der Bestandteil des Aktivgases im Anregungsgas nicht höher als 10% ist und demgemäß ist es möglich, die Anhaftung von Verunreinigungen auf der Oberfläche des Substrates S1 zu unterdrücken, wie auch auf den verschiedenartigen Teilen der Kammern 1 und 2.
Obwohl in den Figuren nicht gezeigt, kann die Prozeßgasquelle 18 entfallen, falls Ionen oder dergleichen durch die Plasmaerzeugungsvorrichtung A erzeugt werden und dazu benutzt werden, eine Ätzung oder eine direkte Bearbeitung auf dem Werkstück durchzuführen.
Spezielle Bespiele in Verbindung mit der Plasma-CVD-Vorrichtung, wie in Vorrichtung gemäß Fig. 1 werden nun im folgenden beschrieben.

Beispiel 1:

Bildung eines amorphen Silikonfilmes:

Substrat: 152 mm (6-inch) Silikon (S1) wafer
Apparatebedingungen:
Plasmaquellenmaterial: La(1-x)SrxCoO&sub3;, gesintert
bei 1-373 K spezifischer Widerstand 1 · 10&supmin;&sup4; Ohm cm
Plasmaquellengröße: 100 mm (Durchmesser) · 3 mm
(Dicke) Maschengröße # 20-60
Größe der Plasma-Erzeugungskammer 100 mm (Durchmesser) · 150 mm
Abscheidebedingungen:
Mikrowellenleistung: 250 W
Abscheidungsvakuumdruck: 133 Pa (1 Torr)
Magnetische Feldintensität: 0,01 Wb/m² (100 Gauss)
Anregungsgas (Plasmadampf): Argon (Ar) gasförmig 1200 sccm
Ablagerungsdampf: Monosilan (SiH&sub4;) gasförmig 100 sccm
Substrattemperatur: 200ºC
Auftretende Plasmaregelung: durch Energiequelle 14-20 V
Abscheidungsergebnis:
Filmdicke: 200 nm (2000 Å)
Ablagerungsrate: 60 nm (600 Å)min
Dickentoleranz: ±5%
Ein Verunreinigungsanteil in der abgelagerten amorphen Silikonschicht wurde durch die SIMS-Analysenmethode gemessen. Die Menge war unter dem meßbaren Bereich. Ähnliche Verfahren wurden wiederholt auf neuen Substraten durchgeführt. Sogar nach einer Bearbeitungsdauer von 1000 Stunden warf die Bearbeitung keine Probleme auf bezüglich der Ablagerung im Hinblick auf die Plasmaquelle 23.

Beispiel 2:

Bildung eines amorphen Silikonfilmes:

Dies unterscheidet sich zum Beispiel 1 darin, daß das Änregungsgas aus gasförmigem Ar (1200 sccm, 99,8%) gebildet wurde und gasförmigem Stickstoffmonoxyd (NO) (2,4 sccm, 0,2%).. Andere Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 1. Ein amorpher Silikonfilm wurde auf dem Silikonsubstrat S1 abgeschieden.
Abscheideresultate:
Filmdicke: 200 nm (2000 Å)
Abscheidungsrate: 58 nm (580 Å)/min.
Dickentoleranz: ±4%
Die Verunreinigungsmenge in der abgeschiedenen amorphen Silikonschicht wurde durch die SIMS-Analysenmethode gemessen. Die Menge war geringer als meßbar. Einähnliches Verfahren wurde wiederholt auf neue Substrate angewendet. Sogar nach einer Prozeßdauer von 1000 Stunden wurden keine Probleme bezüglich der Abscheidung aufgeworfen im Hinblick auf den Verbrauch der Plasmaquelle 23.

Vergleichsbeispiel 1:

Bildung eines amorphen Silikonfilmes:

Einer amorpher Silikonfilm wurde auf dem Substrat abgelagert mit der konventionellen Plasma-Bearbeitungsvorrichtung wie in Fig. 2, anstatt der Vorrichtung gemäß Fig. 1. Die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 2 Wurden in Verbindung mit dem Substrat angewendet, die magnetische Feldintensität durch den Magnet 9, das Anregungsgas, der Abscheidungsdampf, die Substrattemperatur und - die einfallende Plasmaregelbedingungen. Das Abscheidungsvakuum, wurde auf 1,33 · 10&supmin;² Pa (1, · 10&supmin;&sup4; Torr) gesetzt. Der Heizfaden 3 aus Wolfram wurde verwendet und das Plasma wurde aus dem Anregungsgas erzeugt durch Anlegen einer Gleichspannungsversorgung von 1,0 kW an den Heizfaden. Die Intensität des Magnets 8 war 5 · 10&supmin;³ Wb/m² (50 Gauss).
Abscheidungsresultate:
Filmdicke: 10 nm (100 Å)
Abscheidungsrate: 1 nm (10 Å)/min
Dickentoleranz: ± 20%.
Die Verunreinigungsmenge in der abgeschiedenen amorphen Silikonschicht wurde durch die SIMS-Analysenmethode gemessen. Es wurde gemessen, daß der Film Wolfram-Atome mit einer Dichte von 4 · 10²¹ Atome/cm³ beinhaltet, was vermutlich durch den Heizfaden 3 erzeugt wurde. Ähnliche Verfahren wurden wiederholt auf neue Substrate angewendet. Der Heizfaden brach als der Prozeß für etwa eine Stunde angewendet wurde.
Gemäß der Abscheidung der Beispiele 1 und 2 ist die Abscheiderate etwa 60 Mal höher als in der Abscheidung in Vergleichsbeispiel 1 und das kann dahin interpretiert werden, daß eine extrem hohe Plasmadichte erzielt wurde. Die Dickentoleranz der Beispiele 1 und 2 wurden 4 oder 5 Mal durch das Vergleichsbeispiel 1 überschritten. Gemäß der Abscheidung nach Beispiel 2 beinhaltete das Anregungsgas gasförmiges Stickstoffmonoxyd von 0,2%. Trotz dieser Tatsache konnte die Plasmaquelle 23 des Beispiels 2 eine Lebensdauer von mehr wie 1000 Stunden erzielen, ähnlich wie der Abscheidung nach Beispiel 1, wo das Anregungsgas lediglich gasförmiges Argon beinhaltete. Die Plasmaquelle 23, welche in den Bespielen 1 und 2 benutzt wurde, hatte eine Lebensdauer, welche sich um den Faktor 1000 gegenüber den Heizfaden 3 gemäß Vergleichsbeispiel 1, verlängerte. Weiterhin ist die Verunreinigungsmenge in der Schicht geringer als die Meßempfindlichkeit einer SIMS-Analysenmethode feststellen kann, im Vergleich eines amorphen Silikonfilms gemäß Vergleichsbeispiel 1. Die Abscheidungen der Bespiele 1 und 2 konnten in einem Niedervakuumbereich bei einem Druck, welcher 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) überstieg, durchgeführt werden. Spezielle Bespiele der ' Vorrichtung nach Fig. 1, welche als Ätzvorrichtung benutzt wird, werden nun im folgenden beschrieben.
Beispiel 3:
Ätzen von Aluminium (Al) Film
Substrat: 152 mm (6-inch) Silikon (Si) wafer, oberflächenbeschichtet mit einem Aluminiumfilm von 1 um Dicke
Apparatebedingungen
Plasmaquellenmaterial: La(1-x)SrxCoO&sub3;, gesintert bei 1373 K spezifscher Widerstand 1 · 10&supmin;&sup4; Ohm cm
Plasmaquellengröße: 100 mm (Durchmesser) · 3 mm
(Dicke) Maschengröße # 20-60
Größe der Plasma-Erzeugungskämmer: 100 mm (Durchmesser) x 150 mm
Ätzbedingungen:
Ätz-Vakuumdruck: 6,67 Pa (5 · 10&supmin;² Torr)
Mikrowellenenergie: 250 W
Magnetische Feldintensität: 0,01 Wb/m² (100 Gauss)
Anregungsgas(Plasmadampf): Argon (Ar) gasförmig 1000 sccm
Ätzgas: gasförmiges Chlor (Cl&sub2;) 100 sccm
Substrattemperatur: 200ºC
Auftretende Plasmaregelung: durch Energiequelle 14: - 400 V
Ätzresultat:
Ätzrate: 400 nm (4000 Å)/min
Ätztoleranz der geätzten Oberfläche: ± 5%
Ätzform: Forward Taper
Ähnliche Verfahren wurden wiederholt neuen Substraten auferlegt. Sogar nach einer Prozeßdauer von 1000 Stunden wurden keine Probleme aufgeworfen bezüglich des Ätzens im Hinblick auf den Verbrauch der Plasmaquelle 23.

Vergleichsbeispiel 2:

Ätzen eines Aluminiumfilmes

Ein Aluminiumfilm auf einem Substrat würde mit einer konventionellen Plasma- Bearbeitungsvorrichtung nach Fig. 2 geätzt, anstatt der Vorrichtung nach Fig. 1. Die gleichen Bedingungen wie in Beispiel 3 wurden in Verbindung mit dem Substrat angewendet, magnetische Felddichte des Magneten 9, Anregungsgas, Ätzgas, Substrattemperatur und einfallende Plasmaregelbedingungen. Der Ätz-Vakuumdruck wurde auf 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) gesetzt. Der Heizfaden 3 aus Wolfram würde benutzt und das Plasma wurde aus dem Änregungsgas durch Anlegen einer Gleichspannungsquelle von 1,5 kW an den Heizfaden erzeugt. Die Intensität des Magnets 8 war 5 · 10&supmin;³ Wb/m² (50 Gauss).
Ätzergebnisse:
Ätzrate: 100 nm (1000 Å)/min
Ätztoleranzen der geätzten Oberflächen: ± 10%
Ätzoberfläche: Reverse Taper
Ähnliche Verfahren wurden wiederholt auf neue Substrate angewendet. Der Heizfaden brach, als das Verfahren ungefähr 5 Stunden angewendet würde.
Gemäß Beispiel 3 ist die Ätzrate ungefähr 4 Mal größer als die Ätzrate gemäß des Vergleichsbeispiels 2 und so kann daraus geschlossen werden, daß eine hohe Plasmadichte erzielt wurde. Die Ätztoleranzen der geätzten Oberfläche des Beispiels 3 wurden im Vergleich mit den Toleranzen des Vergleichsbeispiels 2 verbessert. In Verbindung mit der Ätzform konnte das Beispiel 3 Forward Taper erreichen, wohingegen Reverse Taper des Vergleichsbeispiels 2 erreicht würde und so eine anisotrope Ätzung erreicht werden konnte.
Das Ätzen des Beispiels 3 konnte auch in ein Niedervakuumzustand bei einem Druck von mehr als 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) erreicht werden.

Beispiel 4:

Ätzen eines Aluminiumfilmes

Dies unterscheidet sich zum Beispiel 3 darin, daß das Anregungsgas aus gasförmigem Argon (1000 sccm, ungefähr 91%) und gasförmigem Chlor (100 sccm, ungefähr 9%); gebildet wurde und daß das Ätzgas nicht über eine Gasquelle 18 geliefert wurde.
Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 3. Der Aluminiumfilm wurde geätzt.
Ätzergebnisse:
Ätzrate: 500 nm (5000 Å)/min
Ätztoleranz der geätzten Oberfläche: ± 6%
Ätzform: Forward Taper
Ähnliche Verfahren wurden wiederholt neuen Substraten auferlegt. Sogar nach einer Prozeßdauer von 2000 Stunden würden keine Probleme in Bezug auf die Ätzung im Hinblick auf den Verbrauch der Plasmaquelle 23 aufgeworfen.

Vergleichsbeispiel 3:

Ätzen von Aluminiumfilmen:

Ein Aluminiumfilm auf einem Substrat wurde mit einer konventionellen Plasma- Bearbeitungsvorrichtung nach Fig. 2 geätzt, anstatt mit der Vorrichtung nach Fig. 1. Die gleichen Bedingungen wie in Fig. 4 wurden in Verbindung mit den Substraten angewendet, der magnetischen Feldintensität des Magnets 9, des Anregungsgases, der Substrattemperatur und der auftretenden Plasmakontrollbedingung. Der Ätz-Vakuumdruck wurde auf 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) gesetzt. Der Heizfaden 3 aus Wolfram wurde benutzt und das Plasma wurde aus dem Anregungsgas durch Anlegen einer Gleichspannungsquelle von 1,5 kW an den Heizfäden erzeugt. Die Intensität des Magnets 8 war 5 · 10&supmin;³ Wb/m² (50 Gauss).
Ätzergebnisse:
Ätzrate: 200 nm (2000 Å)/min
Ätztoleranz der Ätzoberfläche: ± 10%
Ätzform: Reverse Taper
Ähnliche Verfahren wurden wiederholt neuen Substraten auferlegt. Der Heizfaden brach als der Prozeß für ungefähr 5 Stunden angewendet wurde.
Das Beispiel 4 kann eine höhere Ätzrate erzielen als das Vergleichsbeispiel 3 und so kann daraus geschlossen werden, daß eine hohe Plasmadichte erzielt wurde. Die Ätztoleranz der Ätzoberfläche des Beispiels 4 wurden verbessert im Vergleich mit dem Vergleichsbeispiel 3: In Verbindung mit der Ätzform konnte das Beispiel 4 Forward Taper erreichen, ganz im Gegenteil zum Reverse Taper des Vergleichsbeispiels 3 und so konnte eine anisotrope Ätzung erreicht werden. Trotz der Tatsache, daß das Anregungsgas ungefähr 9% gasförmiges Chlor beinhaltete war die Lebensdauer der Plasmaquelle mehr als 400 mal länger als die des Heizfadens 3, welcher im Vergleichsbeispiel 3 benutzt wurde.
Das Ätzen im Beispiel 4 konnte in einem niedrigen Vakuumzustand bei einem Druck von größer als 1,33 · 10&supmin;² Pa (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) erreicht werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung beschrieben wurde und im Detail aufgezeichnet wurde, ist es selbstverständlich, daß die Erfindung in den Figuren und in den Beispielen nur beispielhaft ist und sich nicht auf diese beschränkt.

Claims

1. Eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung (A), dadurch gekennzeichnet, daß diese folgendes umfaßt:

- eine Plasma-Erzeugungskammer (1);

- eine Vorrichtung zur Zuführung von Plasmadampf (7) in diese Plasma-Erzeugungskammer (1), wobei dieser Plasmadampf mehr wie 90% Innertgas enthält;

- einen gesinterten Körper, der in dieser Plasma- Erzeugungskammer (1) angebracht ist, als Plasmaquelle (23) wirkt, und aus, einer Metalloxyd-Verbindung, mit einem spezifischen Widerstand nicht größer als 10³ Ω cm hergestellt ist;

- einen Mikrowellenradiator (21), der Mikrowellen-Energie in diese Plasmaquelle (23) einstrahlt.

2. Eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung (A), nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dieses Metalloxyd mindestens eine Verbindung aus einer Gruppe ist, die La(1-x)SrxCuO&sub3;, Y&sub1;Ba&sub2;CuOx und Bi&sub2;Sr&sub2;Ca&sub2;Cu&sub3;Ox enthält.

3. Eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung (A), nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diese Plasmaquelle (23) ein netzartiger Körper ist, der aus Metalloxyd besteht.

4. Eine Plasma-Erzeugungsvorrichtung (A), nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diese Vorrichtung (A) weiterhin aus einer Vakuumpumpe (19) besteht, um in dieser Plasma- Erzeugungskammer (1) ein vorgegebenes Vakuum zu erzeugen.

5. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), die aus einer Plasma-Erzeugungsvorrichtung (A) nach Anspruch 1 besteht, dadurch gekennzeichnet, daß diese Plasma- Bearbeitungsvorrichtung (B) weiterhin folgendes umfaßt:

- eine Plasma-Bearbeitungskammer (2), die verbunden mit dieser Plasma-Erzeugungsvorrichtung (A) ist, und mit einem Substrat- Träger (10) ausgestattet ist, welcher das Substrat (S1) hält, um es zu bearbeiten;

- und eine Beschleunigungs- und Ablenkvorrichtung (5, 8) für Ionen in diesem Plasma, welches durch die Plasma- Erzeugungsvorrichtung (A) in der Plasma-Bearbeitungskammer (2) hergestellt wurde.

6. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß diese Beschleunigungs- und Ablenkvorrichtung (5, 8) für Ionen in diesem Plasma, welches durch die Plasma-Erzeugungsvorrichtung (A) in der Plasma- Bearbeitungskammer (2) hergestellt wurde, eine Ionen- Führungselektrode (5) beinhaltet.

7. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Metalloxyd mindestens eine Verbindung aus einer Gruppe ist, die La(1-X)SrxCuO&sub3;, Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;Ox und Bi&sub2;Sr&sub2;Ca&sub2;Cu3OX enthält.

8. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmaquelle (23) ein netzartiger Körper ist, der aus Metalloxyd besteht.

9. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß diese Plasma- Bearbeitungsvorrichtung (B) weiterhin eine Vorrichtung zur Zuführung von Prozeßgas (16-18) beinhaltet, um Prozeßgas in die Bearbeitungskammer (2) einzuleiten.

10. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß diese Plasma- Bearbeitungsvorrichtung (B) weiterhin einen Magneten (8) enthält, der um die Plasma-Erzeugungskammer (1) angeordnet ist, um die Ionen, die in der Plasma-Erzeugungskammer (1)erzeugt wurden, in Richtung der Plasma-Bearbeitungskammer (2) zufokussieren.

11. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B)·, nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß diese Plasma- Bearbeitungsvorrichtung (B) weiterhin einen Magneten (9) enthält, der um die Plasma-Bearbeitungskammer (2) angeordnet ist, um die Ionen von der Plasma-Erzeugungskammer (1) auf das Substrat (S1) zu fokussieren, das auf dem Substrat-Träger (10) liegt.

12. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Energiequelle (11 - 15) mit dem Substrat-Träger (10) verbunden ist, um eine Spannung für die Lenkung der einfallenden Ionen anzulegen.

13. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß diese Plasma- Bearbeitungsvorrichtung (B) weiterhin eine Vakuumpumpe (19) enthält, um in der Plasma-Erzeugungskammer (1) und in der Plasma-Bearbeitungskammer (2) ein vorgegebenes Vakuum zu erzeugen.

14. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Zuführung von Prozeßgas (16 - 18) ein Bedampfungsgas liefert, das einen Film auf dem Substrat (S1) abscheidet.

15. Eine Plasma-Bearbeitungsvorrichtung (B), nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Zuführung von Prozeßgas (16-18) ein Gas zum Ätzen dieses Substrats (S1) liefert.