DE69321274T2 - Positiv arbeitende Resistzusammensetzung - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 44
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 74
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 74
- -1 quinonediazide compound Chemical class 0.000 claims description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 39
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 25
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(O)=C1 OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 2,5-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1 NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XOUQAVYLRNOXDO-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-5-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(C(C)(C)C)C(O)=C1 XOUQAVYLRNOXDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 3,5-xylenol Chemical compound CC1=CC(C)=CC(O)=C1 TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 11
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 claims description 11
- QQOMQLYQAXGHSU-UHFFFAOYSA-N 236TMPh Natural products CC1=CC=C(C)C(O)=C1C QQOMQLYQAXGHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 claims 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Natural products OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 7
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 3,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 3-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1 HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical group [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- FJJYHTVHBVXEEQ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropanal Chemical compound CC(C)(C)C=O FJJYHTVHBVXEEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical class OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSZCGGBDNYTQHH-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(O)=C1OC QSZCGGBDNYTQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYFBKHRLIHDKPB-UHFFFAOYSA-N 2,5-Dimethoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(OC)C(O)=C1 KYFBKHRLIHDKPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 2,6-Dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1O NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QFYYAIBEHOEZKC-UHFFFAOYSA-N 2-Methoxyresorcinol Chemical compound COC1=C(O)C=CC=C1O QFYYAIBEHOEZKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1O WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQDNFAMOIPNVES-UHFFFAOYSA-N 3,5-Dimethoxyphenol Chemical compound COC1=CC(O)=CC(OC)=C1 XQDNFAMOIPNVES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPCJHUPMQKSPDC-UHFFFAOYSA-N 3,5-diethylphenol Chemical compound CCC1=CC(O)=CC(CC)=C1 LPCJHUPMQKSPDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC(C=O)=C1 IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ASHGTJPOSUFTGB-UHFFFAOYSA-N 3-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(O)=C1 ASHGTJPOSUFTGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYEKUDPFXBLGHH-UHFFFAOYSA-N 3-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 CYEKUDPFXBLGHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FNYDIAAMUCQQDE-UHFFFAOYSA-N 4-methylbenzene-1,3-diol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1O FNYDIAAMUCQQDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 QHPQWRBYOIRBIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N Acrolein Chemical compound C=CC=O HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMIMRNSIRUDHCM-UHFFFAOYSA-N Isopropylaldehyde Chemical compound CC(C)C=O AMIMRNSIRUDHCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- MLUCVPSAIODCQM-NSCUHMNNSA-N crotonaldehyde Chemical compound C\C=C\C=O MLUCVPSAIODCQM-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 2
- MLUCVPSAIODCQM-UHFFFAOYSA-N crotonaldehyde Natural products CC=CC=O MLUCVPSAIODCQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 2
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- OIPPWFOQEKKFEE-UHFFFAOYSA-N orcinol Chemical compound CC1=CC(O)=CC(O)=C1 OIPPWFOQEKKFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- ZRSNZINYAWTAHE-UHFFFAOYSA-N p-methoxybenzaldehyde Chemical compound COC1=CC=C(C=O)C=C1 ZRSNZINYAWTAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N phenylacetaldehyde Chemical compound O=CCC1=CC=CC=C1 DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UYBDKTYLTZZVEB-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentahydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=C(O)C(O)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 UYBDKTYLTZZVEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZVUJKLIMBKHGS-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-trihydroxyphenyl)-(2,3,5-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=C(O)C(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1 BZVUJKLIMBKHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEDWWPGWIXPVRQ-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-trihydroxyphenyl)-(3,4,5-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 XEDWWPGWIXPVRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLKJWNJPOGWYLH-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1O SLKJWNJPOGWYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZUVFQYWUNNWHX-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(2,4-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(O)=C1O WZUVFQYWUNNWHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIKXTXDEGMWPJZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)O)=C1O JIKXTXDEGMWPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTVXSEBDMOBJHI-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C=CC=2)O)=C1 BTVXSEBDMOBJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQCSLQBRPJWOID-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(O)=C1O WQCSLQBRPJWOID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQZZLQKUYLGFT-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O GBQZZLQKUYLGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLYXGBNUYGAFAC-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1O FLYXGBNUYGAFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBKYIYGREQXQJY-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC(O)=C1 NBKYIYGREQXQJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKJFKPFBSPZTAH-UHFFFAOYSA-N (2,4-dihydroxyphenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1O OKJFKPFBSPZTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXIIFBJDJHDNGW-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1 AXIIFBJDJHDNGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKVDGOSVDAOQCN-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 KKVDGOSVDAOQCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRXWMCBHRMJSBR-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(3,4-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C=C(O)C(O)=CC=2)=C1 ZRXWMCBHRMJSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VALZJSLSNXGUMF-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(3,5-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C=C(O)C=C(O)C=2)=C1 VALZJSLSNXGUMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOONHAXNKJMGRE-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=CC=C(O)C=2)O)=C1 QOONHAXNKJMGRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYVHNBIJFJZZNO-UHFFFAOYSA-N (2,5-dihydroxyphenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC(O)=CC=C1O ZYVHNBIJFJZZNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFNNWCSMHFTEQD-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-(2,3,4,5,6-pentahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=C(O)C(O)=C(O)C(O)=C1O NFNNWCSMHFTEQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APVNRHLATFVPPS-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1O APVNRHLATFVPPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJNDHHARPXNIFF-UHFFFAOYSA-N (3,4-dihydroxyphenyl)-(2-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1O UJNDHHARPXNIFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVWMZIXXIMKKOU-UHFFFAOYSA-N (3,4-dihydroxyphenyl)-(3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(O)C(O)=CC=2)=C1 WVWMZIXXIMKKOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFUDAGZTGYQJOT-UHFFFAOYSA-N (3,4-dihydroxyphenyl)-(4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 UFUDAGZTGYQJOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPILYRLRGZENJD-UHFFFAOYSA-N (3,5-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1 OPILYRLRGZENJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWZREQONUGCFIT-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1 HWZREQONUGCFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJPRLNWUNMBNBZ-QPJJXVBHSA-N (E)-cinnamaldehyde Chemical compound O=C\C=C\C1=CC=CC=C1 KJPRLNWUNMBNBZ-QPJJXVBHSA-N 0.000 description 1
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene Natural products C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMVMVUZVBQXURG-UHFFFAOYSA-N 1-methoxycyclohexa-3,5-diene-1,2-diol Chemical compound COC1(O)C=CC=CC1O OMVMVUZVBQXURG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEQDAWOXXAEEFU-UHFFFAOYSA-N 1-methoxycyclohexa-3,5-diene-1,3-diol Chemical compound COC1(O)CC(O)=CC=C1 UEQDAWOXXAEEFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCONCJFBSHTFFD-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-triethylphenol Chemical compound CCC1=CC(O)=C(CC)C(CC)=C1 ZCONCJFBSHTFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dihydroxybenzophenone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 ZXDDPOHVAMWLBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GISVICWQYMUPJF-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dimethylbenzaldehyde Chemical compound CC1=CC=C(C=O)C(C)=C1 GISVICWQYMUPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 2,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1 KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMUVABOERCFKRW-UHFFFAOYSA-N 2,5-Dimethylbenzaldehyde Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C=O)=C1 SMUVABOERCFKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQFCDVGUEQOTAC-UHFFFAOYSA-N 2,5-diethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(CC)C(O)=C1 AQFCDVGUEQOTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKZJLOCLABXVMC-UHFFFAOYSA-N 2-Methoxybenzaldehyde Chemical compound COC1=CC=CC=C1C=O PKZJLOCLABXVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBIQENSCDNJOIY-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methylbutyric acid Chemical compound CCC(C)(O)C(O)=O MBIQENSCDNJOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPJJASIJVRXZFI-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyresorcinol Natural products COC1=CC=C(O)C=C1O GPJJASIJVRXZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTMADXFOCUXMJE-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzene-1,3-diol Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1O ZTMADXFOCUXMJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKEHOXWJQXIQAG-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 IKEHOXWJQXIQAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POQJHLBMLVTHAU-UHFFFAOYSA-N 3,4-Dimethylbenzaldehyde Chemical compound CC1=CC=C(C=O)C=C1C POQJHLBMLVTHAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBEFMISJJNGCIZ-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylbenzaldehyde Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=O)=C1 NBEFMISJJNGCIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZIRCHXYMBFNFD-HNQUOIGGSA-N 3-(2-Furanyl)-2-propenal Chemical compound O=C\C=C\C1=CC=CO1 VZIRCHXYMBFNFD-HNQUOIGGSA-N 0.000 description 1
- WMPDAIZRQDCGFH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybenzaldehyde Chemical compound COC1=CC=CC(C=O)=C1 WMPDAIZRQDCGFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylcatechol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(O)=C1 XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 1
- WXNRYSGJLQFHBR-UHFFFAOYSA-N bis(2,4-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1O WXNRYSGJLQFHBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCJLQQGVBMWPGJ-UHFFFAOYSA-N bis(2,5-dihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C(C(=O)C=2C(=CC=C(O)C=2)O)=C1 UCJLQQGVBMWPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229940117916 cinnamic aldehyde Drugs 0.000 description 1
- KJPRLNWUNMBNBZ-UHFFFAOYSA-N cinnamic aldehyde Natural products O=CC=CC1=CC=CC=C1 KJPRLNWUNMBNBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229940118056 cresol / formaldehyde Drugs 0.000 description 1
- KVFDZFBHBWTVID-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarbaldehyde Chemical compound O=CC1CCCCC1 KVFDZFBHBWTVID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VELDYOPRLMJFIK-UHFFFAOYSA-N cyclopentanecarbaldehyde Chemical compound O=CC1CCCC1 VELDYOPRLMJFIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical class OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- 229960001867 guaiacol Drugs 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JARKCYVAAOWBJS-UHFFFAOYSA-N hexanal Chemical compound CCCCCC=O JARKCYVAAOWBJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- OVWYEQOVUDKZNU-UHFFFAOYSA-N m-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=CC(C=O)=C1 OVWYEQOVUDKZNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- XOOMNEFVDUTJPP-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,3-diol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC(O)=C21 XOOMNEFVDUTJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUVBIBLYOCVYJU-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,7-diol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=CC(O)=CC=C21 ZUVBIBLYOCVYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTFQKIATRPGRBS-UHFFFAOYSA-N o-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=O BTFQKIATRPGRBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N p-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=C(C=O)C=C1 FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical class OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100595 phenylacetaldehyde Drugs 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N vanillin Chemical compound COC1=CC(C=O)=CC=C1O MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012141 vanillin Nutrition 0.000 description 1
- FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N vanillin Natural products COC1=CC(O)=CC(C=O)=C1 FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 235000013904 zinc acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Description
- Die Erfindung betrifft eine Resistzusammensetzung vom Positivtyp, die zur Verwendung als Photolack des Positivtyps geeignet ist, der gegenüber Strahlungen, wie Ultraviolettstrahlen, einschließlich der g-Strahlen und i-Strahlen, Fernultraviolettstrahlen, einschließlich Excimer-Laser und dgl., Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder Röntgenstrahlen, empfindlich ist.
- Zusammensetzungen, die eine Chinondiazidverbindung und ein alkali-lösliches Harz umfassen, werden als Photolacke des Positivtyps verwendet, da sich ihre Chinondiazidgruppen zersetzen, wenn sie mit Licht mit einer Wellenlänge von 500 nm oder kürzer bestrahlt werden, und als Ergebnis sie sich von einem alkali-unlöslichen Material zu einem alkali-löslichen Material verändern. Da Photolacke des Positivtyps viel besser in der Auflösung als solche des Negativtyps sind, werden sie zur Herstellung integrierter Schaltungen, wie IC, LSI usw., verwendet.
- Bei den gegenwärtigen integrierten Schaltungen brachte die Verbesserung des Integrationsgrads eine Abnahme in der Breite der Anschlußdrähte mit sich, wodurch das bis jetzt verwendete Naßätzverfahren durch das Trockenätzverfahren ersetzt wurde. Das Trockenätzverfahren ist von einer Erhöhung der Substrattemperatur begleitet, die eine Verformung des Resistmusters und eine Abnahme in der Formgenauigkeit ergeben kann. So ist gegenwärtig eine Verbesserung der Hitzebeständigkeit des Resists in stärkerem Maße als je gefordert. Ferner werden, wenn nach Entwickeln ein Schaum verbleibt oder das Profil nicht rechtwinklig ist, unerwünschte Einflüsse auf die Form des Substrats nach Trockenätzen ausgeübt, sodaß ein von Schaum freier Resist, der gutes Profil ergibt, erforderlich ist. Jedoch wird, wenn ein gutes Musterprofil und hohe Auflösung gleichzeitig erwünscht sind, die Empfindlichkeit üblicherweise in starkem Maße vermindert. Von einem solchen Standpunkt kann von heutigen Photolacken des Positivtyps nicht gesagt werden, daß sie zufriedenstellend in der Ausgewogenheit zwischen den Eigenschaften, wie Empfindlichkeit, Profil, Schaum und Hitzebeständigkeit, sind.
- Die Aufgabe der Erfindung ist, eine Resistzusammensetzung des Positivtyps bereitzustellen, die ausgezeichnet in der Ausgewogenheit zwischen Eigenschaften, wie Empfindlichkeit, Profil und Hitzebeständigkeit, und frei von Schaum ist.
- Diese Aufgabe wird durch eine Resistzusammensetzung des Positivtyps gelöst, die ein alkali-lösliches Harz und eine Chinondiazidverbindung umfaßt, wobei das alkali lösliche Harz, das das Harz (A) enthält, durch eine Kondensationsreaktion mit mindestens einer Phenolverbindung der allgemeinen Formel (I):
- in der R&sub1; bis R&sub3; unabhängig voneinander jeweils ein Wasserstoffatom oder einen Alkyl- oder Alkoxyrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen darstellen und k 1 oder 2 darstellt, mindestens einer Verbindung der allgemeinen Formel (II):
- in der R&sub4; ein Wasserstoffatom, einen Alkylrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen oder eine Phenylgruppe darstellt, R&sub5; bis R&sub7; unabhängig voneinander jeweils ein Wasserstoffatom oder einen Alkyl- oder Alkoxyrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen darstellen und n 1 oder 2 darstellt, und einer Aldehydverbindung erhältlich ist.
- Beispiele der Phenolverbindung der allgemeinen Formel (I) schließen Phenol, o- Cresol, m-Cresol, p-Cresol, 3,5-Xylenol, 2,5-Xylenol, 2,3-Xylenol, 3,4-Xylenol, 2,3,5-Trimethylphenol, 4-tert-Butylphenol, 2-tert-Butylphenol, 3-tert-Butylphenol, 2- tert-Butyl-4-methylphenol, 2-tert-Butyl-5-methylphenol, 2-Methylresorcin, 4-Methylresorcin, 5-Methylresorcin, 4-tert-Butylcatechin, 4-Methoxyphenol, 3-Methoxyphenol, 2-Methoxyphenol, 2-Methoxycatechin, 2-Methoxyresorcin, 3-Methoxyresorcin, 2,3- Dimethoxyphenol, 2,5-Dimethoxyphenol, 3,5-Dimethoxyphenol, 3-Ethylphenol, 2- Ethylphenol, 4-Ethylphenol, 2,3,5-Triethylphenol, 3,5-Diethylphenol, 2,5-Diethylphenol ein. Unter ihnen sind m-Cresol, p-Cresol, 3,5-Xylenol, 2,5-Xylenol, 2,3,5-Trimethylphenol und 2-tert-Butyl-5-methylphenol bevorzugt.
- Die Phenolverbindungen werden entweder einzeln oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Vertretern verwendet. Konkrete Beispiele des Gemisches schließen Gemische von m-Cresol und p-Cresol; m-Cresol und 3,5-Xylenol; m-Cresol und 2,3,5-Trimethylphenol; m-Cresol und 2-tert-Butyl-5-methylphenol; m-Cresol, p- Cresol und 3,5-Xylenol; m-Cresol, p-Cresol und 2,3,5-Trimethylphenol; m-Cresol, p- Cresol und 2-tert-Butyl-5-methylphenol ein.
- Das Mischverhältnis zum Zeitpunkt des Mischens der zwei oder mehreren Phenolverbindungen kann geeignet gewählt werden.
- Als durch R&sub4; bis R&sub7; in der allgemeinen Formel (II) wiedergegebene Alkylreste können lineare und verzweigte Alkylreste verwendet werden, von denen Methyl-, Ethyl- und tert-Butylgruppen bevorzugt sind.
- Unter den Verbindungen der allgemeinen Formel (II) sind jene der folgenden Formel:
- bevorzugt, in der m 0, 1, 2 oder 3 ist und n 1 oder 2 ist, von denen die Verbindung der folgenden Formel insbesondere bevorzugt ist:
- Das Molverhältnis zwischen der Phenolverbindung der allgemeinen Formel (I) und der Verbindung der allgemeinen Formel (II) liegt vorzugsweise im Bereich von 60 : 40 bis 99.5 : 0.5.
- Die Verbindungen der allgemeinen Formel (II) können durch Umsetzung der entsprechenden Phenolverbindung mit einer Aldehydverbindung der folgenden allgemeinen Formel (V):
- R&sub4;-CH=CH-CHO (V)
- in der R&sub4; ein Wasserstoffatom, einen Alkylrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen oder eine Phenylgruppe darstellt, in Gegenwart eines sauren Katalysators hergestellt werden.
- Beispiele des einer Kondensationsreaktion mit der Phenolverbindung der allgemeinen Formel (I) und der Verbindung der allgemeinen Formel (II) zu unterziehenden Aldehyds schließen Formaldehyd, Acetaldehyd, Propionaldehyd, n-Butyraldehyd, Isobutyraldehyd, Trimethylacetaldehyd, n-Hexylaldehyd, Acrolein, Crotonaldehyd, Cyclohexanaldehyd, Cyclopentanaldehyd, Furfural, Furylacrolein, Benzaldehyd, o-Tolualdehyd, p-Tolualdehyd, m-Tolualdehyd, p-Ethylbenzaldehyd, 2,4-Dimethylbenzaldehyd, 2,5-Dimethylbenzaldehyd, 3,4-Dimethylbenzaldehyd, 3,5-Dimethylbenzaldehyd, Phenylacetaldehyd, o-Hydroxybenzaldehyd, p-Hydroxybenzaldehyd, m-Hydroxybenzaldehyd, Zimtaldehyd, o-Anisaldehyd, p-Anisaldehyd, m-Anisaldehyd, Vanillin ein.
- Diese Aldehyde werden entweder einzeln oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Vertretern verwendet. Unter diesen Aldehyden ist Formaldehyd wegen seiner industriellen Verfügbarkeit bevorzugt.
- Der Aldehyd wird vorzugsweise in einer Menge von 0.35 - 2 mol, pro mol der Summe der Phenolverbindung der Formel (I) und der Verbindung der Formel (II), verwendet.
- Als bei der Kondensationsreaktion verwendeter saurer Katalysator können anorganische Säuren, wie Salzsäure, Schwefelsäure, Perchlorsäure, Phosphorsäure, organische Säuren, wie Ameisensäure, Essigsäure, Oxalsäure, Trichloressigsäure, p-Toluolsulfonsäure, und zweiwertige Metallsalze, wie Zinkacetat, Zinkchlorid, Magnesiumacetat, angegeben werden. Diese sauren Katalysatoren werden entweder einzeln oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Vertretern verwendet. Der saure Katalysator wird vorzugsweise in einer Menge von 0.005 - 2 mol, pro mol der Summe der Phenolverbindung der Formel (I) und der Verbindung der Formel (II), verwendet.
- Die Kondensationsreaktion wird üblicherweise 2-30 Stunden lang bei 60 - 250ºC durchgeführt. Bei der Durchführung der Reaktion werden eine Phenolverbindung der allgemeinen Formel (I), eine Verbindung der allgemeinen Formel (II), ein Aldehyd und ein saurer Katalysator entweder auf einmal oder portionsweise eingebracht. Die Kondensationsreaktion wird entweder in Masse oder in einem Lösungsmittel durchgeführt. Die Lösungsmittel, die verwendet werden können, schließen zum Beispiel Wasser, Alkohole, wie Methanol, Ethanol, iso-Propanol, n-Butanol, iso-Amylalkohol; Ketone, wie Methylisobutylketon, Methylethylketon, Cyclohexanon; Kohlenwasserstoffe, wie Hexan, Heptan, Cyclohexan, Benzol, Toluol, Xylol; und Methylcellosolve, Ethylcellosolve, Ethylcellosolveacetat ein. Üblicherweise werden diese Lösungsmittel in einer Menge von 10-1000 Gew.-Teilen pro 100 Gew.-Teile der Summe der Phenolverbindung der allgemeinen Formel (I) und der Verbindung der allgemeinen Formel (II) verwendet.
- Als Harz (A) sind jene bevorzugt, in denen bezogen auf die GPC-Peakfläche (unter Verwendung eines UV-254 nm-Detektors, nachstehend genauso) das Verhältnis des Bestandteils mit einem auf Polystyrol umgerechneten Molekulargewicht von 1000 oder weniger zum Gesamtharz (A), aus dem die unreagierte Phenolverbindung ausgenommen wird, nicht größer als 30% ist, und jene, die gleichzeitig die vorstehende Bedingung und eine andere Bedingung erfüllen, daß, ausgedruckt durch die GPC-Peakfläche, das Verhältnis des Bestandteils mit einem auf Polystyrol umgerechneten Molekulargewicht von 6000 oder weniger zum Gesamtharz (A), aus dem die unreagierte Phenolverbindung ausgenommen wird, nicht geringer als 15% und nicht größer als 65 % ist, vom Gesichtspunkt der Hitzebeständigkeit und der Verhinderung der Schaumerzeugung stärker bevorzugt. Solche Harze können leicht unter Durchführen einer Fraktionierung nach der Kondensationsreaktion erhalten werden. Die Fraktionierung wird mit einem Verfahren durchgeführt, das das Lösen eines durch die Kondensationsreaktion hergestellten Harzes in einem guten Lösungsmittel, wie Alkohole (Methanol, Ethanol), Ketone (Aceton, Methylethylketon, Methylisobutylketon), Ethylenglycol oder Ethern oder Ether-Estern (Ethylcellosolveacetat), Tetrahydrofuran, gefolgt von Gießen der entstandenen Lösung in Wasser, um das Harz auszufällen, oder durch Gießen der Lösung in ein Lösungsmittel, wie Pentan, Hexan, Heptan, Cyclohexan, und Rückgewinnen des Harzes aus den getrennten zwei flüssigen Schichten umfaßt.
- Als Harz (A) sind jene, deren auf Polystyrol umgerechnetes Gewichtsmittel des Molekulargewichts, gemessen aus dem GPC-Peak, im Bereich von 2000 - 20000 liegt, bevorzugt.
- Als bevorzugte Beispiele des alkali-löslichen Harzes können jene, die sowohl Harz (A) als auch ein niedermolekulares Novolakharz (B) mit einem auf Polystyrol umgerechneten Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 200-2000, gemessen mit GPC, enthalten, angegeben werden.
- Als stärker bevorzugte Beispiele des alkali-löslichen Harzes können jene angegeben werden, die gleichzeitig die vorstehend erwähnte Bedingung und die andere Bedin gung erfüllen, daß, bezogen auf die GPC-Peakfläche, das Verhältnis des Bestandteils mit einem auf Polystyrol umgerechneten Molekulargewicht von 1000 oder weniger, zum gesamten Harz (A), aus dem die unreagierte Phenolverbindung ausgenommen wird, 30% oder weniger beträgt. Als besonders bevorzugte Beispiele des alkali-löslichen Har- zes können jene, die gleichzeitig die vorstehend erwähnte Bedingung und eine andere Bedingung erfüllen, daß, bezogen auf die GPC-Peakfläche, das Verhältnis des Bestandteils mit einem Molekulargewicht von 6000 oder weniger zum gesamten Harz (A), aus dem die unreagierte Phenolverbindung ausgenommen wird, nicht geringer als 15% und nicht größer als 65% ist, angegeben werden.
- Das niedermolekulare Novolakharz (B) kann durch Umsetzung einer Phenolverbindung mit einem Aldehyd, wie Formaldehyd, Paraformaldehyd, Acetaldehyd, Glyoxal, in Gegenwart eines sauren Katalysators hergestellt werden. Beispiele der Phenolverbindung schließen Phenol, o-Cresol, m-Cresol, p-Cresol, 3,5-Xylenol, 2,5-Xylenol, 2,4-Xylenol, 2,6-Xylenol, 3,4-Xylenol, 2,3,5-Trimethylphenol und Resorcin ein. Diese Phenolverbindungen können entweder einzeln oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Vertretern unter Erwägen der Löslichkeit in der Alkalientwicklungslösung verwendet werden. Unter den vorstehend erwähnten Phenolverbindungen sind o-Cresol, m-Cresol und p-Cresol bevorzugt.
- Als saurer Katalysator können die gleichen anorganischen Säuren, organischen Säuren und zweiwertigen Metallsalze, wie vorstehend erwähnt, verwendet werden. Die Reaktionstemperatur beträgt 30-250ºC und die anderen Reaktionsbedingungen sind ähnlich zu denen bei der vorstehend erwähnten Kondensationsreaktion.
- Stärker bevorzugt weist das niedermolekulare Novolakharz (B) ein Molekulargewicht (auf Polystyrol umgerechnetes Gewichtsmittel des Molekulargewichts) von 200 - 1000 auf. Wenn das Molekulargewicht 2000 übersteigt, vermindert der Photolack des Positivtyps seine Empfindlichkeit. Wenn das Molekulargewicht geringer als 200 ist, sind seine Haftfähigkeit an das Substrat und seine Hitzebeständigkeit verschlechtert.
- Das Molekulargewicht des niedermolekularen Novolakharzes (B) kann leicht durch Ändern des Molverhältnisses des Aldehyds zur Phenolverbindung eingestellt werden. Ein niedermolekulares Novolakharz (B) mit einem Molekulargewicht von 200 - 2000 kann zum Beispiel im Fall eines m-Cresol/Formaldehyd-Harzes unter Durchführen der Reaktion in einem voreingestellten Molverhältnis [Formaldehyd/m-Cresol] von 0.65 bis 0.05 hergestellt werden. Nach der Reaktion wird das restliche Monomer vorzugsweise durch Destillation entfernt.
- Der Gehalt des niedermolekularen Novolakharzes (B) im alkali-löslichen Harz beträgt vorzugsweise 4-50 Gew.-Teile pro 100 Gew.-Teile des gesamten alkali-löslichen Harzes. Wenn der Gehalt des niedermolekularen Novolakharzes (B) geringer als 4 Gew.-Teile ist, ist die Löslichkeit in der Alkalientwicklungslösung verschlechtert. Wenn der Gehalt 50 Gew.-Teile übersteigt, werden die nicht bestrahlten Bereiche leicht in der Alkalientwicklungslösung löslich, was die Musterbildungsarbeit schwer durchführbar macht.
- Vorzugsweise umfaßt die erfindungsgemäße Resistzusammensetzung des Positivtyps zusätzlich zu der Chinondiazidverbindung und dem alkali-löslichen Harz, das das Harz (A) enthält, eine Verbindung der folgenden allgemeinen Formel (III) als Zusatz:
- in der R&sub9; bis R&sub1;&sub4; unabhängig voneinander jeweils ein Wasserstoffatom oder einen Alkyl- oder Alkoxyrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen darstellen, R&sub1;&sub5; ein Wasserstoffatom, einen Alkylrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen oder einen Arylrest darstellt und p, q und r jeweils 0, 1 oder 2 darstellen.
- In der allgemeinen Formel (III) stellen die durch R&sub9; bis R&sub1;&sub4; wiedergegebenen Alkyl- und Alkoxyreste jene mit linearen und verzweigten Kettenformen dar. Als bevorzugte Vertreter des Alkyl- oder Alkoxyrests können Methyl-, Ethyl-, Methoxy- und Ethoxygruppen aufgeführt werden. Als durch R&sub1;&sub5; wiedergegebener Arylrest können substituierte und unsubstituierte Arylreste aufgeführt werden. Bevorzugte Beispiele des Substituenten schließen Alkylreste und Hydroxylgruppen ein.
- Bevorzugte Beispiele der Verbindung der allgemeinen Formel (III) schließen folgende:
- ein und besonders bevorzugte Beispiele schließen folgende ein:
- Die Verbindung der allgemeinen Formel (III) kann zum Beispiel mit einem ähnlichen Verfahren zu dem in der japanischen Patentanmeldung KOKAI Nr. 2-275955 erwähnten hergestellt werden. Die Menge der Verbindung der allgemeinen Formel (III) beträgt 4-40 Gew.-Teile pro 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge des alkali-löslichen Harzes.
- In das alkali-lösliche Harz kann ein anderes alkali-lösliches Harz oder eine Verbindung zusätzlich zum vorstehend erwähnten Harz (A) und niedermolekularen Novolakharz (B) eingemischt werden, wenn die Wirkung der Erfindung dadurch nicht nachteilig beeinflußt wird. Beispiele des "anderen Harzes oder der Verbindung" schließen andere Novolakharze als das Harz (A) und das niedermolekulare Novolakharz (B) und Polyvinylphenol und dgl. ein.
- Beispiele der "anderen Novolakharze als das Harz (A) und Harz (B)" schließen Harze, hergestellt durch Kondensieren einer Phenolverbindung, wie Phenol, o-Cresol, m-Cresol, p-Cresol, 2,5-Xylenol, 3,4-Xylenol, 2,3,5-Trimethylphenol, 4-tert-Butylphenol, 2-tert-Butylphenol, 3-tert-Butylphenol, 2-tert-Butyl-5-methylphenol, 3-Ethylphenol, 2-Ethylphenol, 4-Ethylphenol, 2-Naphthol, 1,3-Dihydroxynaphthalin, 1,5-Dihydroxynaphthalin, 1,7-Dihydroxynaphthalin, entweder einzeln oder in Kombination von zwei oder mehreren Vertretern mit Formaldehyd auf übliche Weise ein.
- Die Chinondiazidverbindung ist nicht entscheidend und Beispiele schließen 1,2- Benzochinondiazid-4-sulfonsäureester, 1,2-Naphthochinondiazid-4-sulfonsäureester, 1,2- Naphthochinondiazid-5-sulfonsäureester ein. Diese Chinondiazidverbindungen können zum Beispiel durch Kondensieren von Benzochinondiazidsulfonsäure oder 1,2-Naphthochinondiazidsulfonsäure mit einer Verbindung mit einer Hydroxylgruppe in Gegenwart einer schwachen Alkalie hergestellt werden.
- Beispiele der Verbindung mit einer Hydroxylgruppe schließen Hydrochinon, Resorcin, Phloroglucin, 2,4-Dihydroxybenzophenon, Trihydroxybenzophenone, wie 2,3,4-Trihydroxybenzophenon, 2,2',3-Trihydroxybenzophenon, 2,2',4-Trihydroxybenzophenon, 2,2',5-Trihydroxybenzophenon, 2,3,3'-Trihydroxybenzophenon, 2,3,4'-Trihydroxybenzophenon, 2,3',4-Trihydroxybenzophenon, 2,3',5-Trihydroxybenzophenon, 2,4,4'-Trihydroxybenzophenon, 2,4',5-Trihydroxybenzophenon, 2',3,4-Trihydroxybenzophenon, 3,3',4-Trihydroxybenzophenon, 3,4,4'-Trihydroxybenzophenon, Tetrahydroxybenzophenone, wie 2, 3,3',4-Tetrahydroxybenzophenon, 2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',4,4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',3,4-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',3,4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',5,5'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,3',4',5- Tetrahydroxybenzophenon, 2,3',5,5'-Tetrahydroxybenzophenon, Pentahydroxybenzophenone, wie 2,2',3,4,4'-Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,4,5'-Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,3',4-Pentahydroxybenzophenon, 2, 3,3',4,5'-Pentahydroxybenzophenon, Hexahydroxybenzophenone, wie 2,3,3',4,4',5' -Hexahydroxybenzophenon, 2,2',3,3',4,5'-Hexahydroxybenzophenon, Alkylester von Gallussäure, die in der japanischen Patentanmeldung KOKAI Nr. 2-84650 als allgemeine Formel (I) erwähnten Oxyflavane, die in der japanischen Patentanmeldung KOKAI Nr. 2-269351 als allgemeine Formel (I) erwähnten Phenolverbindungen und die Phenolverbindungen der folgenden allgemeinen Formel (IV) ein:
- in der R&sub1;&sub5; bis R&sub1;&sub8; unabhängig voneinander jeweils ein Wasserstoffatom oder einen Alkyl-, Alkenyl-, Alkoxy- oder Arylrest darstellen, s, t und u jeweils 0, 1, 2, 3 oder 4 darstellen, mit der Maßgabe, daß s + t + u 2 oder größer ist und x, y und z jeweils 0, 1, 2, 3 oder 4 darstellen.
- Besonders bevorzugte Chinondiazidverbindungen schließen die in der japanischen Patentanmeldung KOKAI Nr. 2-84650 als allgemeine Formel (I) erwähnten Verbindungen und Kondensationsprodukte, gebildet zwischen einer Verbindung der allgemeinen Formel (IV) und 1,2-Naphthochinondiazid-5-sulfonsäure, wobei die Zahl der Estergruppen in den Kondensationsprodukten pro Molekül im Durchschnitt 2 oder größer ist, ein.
- Die Chinondiazidverbindungen werden entweder einzeln oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Vertretern verwendet. Die Menge der Chinondiazidverbindung beträgt üblicherweise 5-50 Gew.-% und vorzugsweise 10-40 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des alkali-löslichen Harzes, oder, wenn eine Verbindung der allgemeinen Formel (III) als Zusatz zugegeben wird, bezogen auf das summierte Gewicht der Verbindung und des alkali-löslichen Harzes.
- Als bei der Herstellung einer Photolacklösung des Positivtyps verwendetes Lösungsmittel sind jene mit geeigneter Trocknungsgeschwindigkeit, die zum Verdampfen fähig sind, wobei sie einen gleichmäßigen und glatten Beschichtungsfilm hinterlassen, bevorzugt. Als solche Lösungsmittel körnen Glycoletherester, wie Ethylcellosolveacetat, Propylenglycolmonomethyletheracetat und die in der japanischen Patentanmeldung KO- KAI Nr. 2-220056 erwähnten Lösungsmittel, sowie Brenztraubensäureethylester, Essigsäuren-amylester, Milchsäureethylester, 2-Heptanon und y-Butyrolacton angegeben werden. Diese Lösungsmittel können entweder einzeln oder in Form eines Gemisches von zwei oder mehreren Vertretern verwendet werden. Obwohl die Menge des Lösungsmittels nicht entscheidend ist, sofern ein in der Qualität gleichmäßiger Beschichtungsfilm, der frei von Nadellöchern und Unebenheit ist, auf einem Wafer gebildet werden kann, wird eine Photolacklösung des Positivtyps üblicherweise so hergestellt, daß die Konzentration des Feststoffbestandteils, einschließlich Chinondiazidverbindung, alkali-löslichem Harz und dgl., in der Resistlösung 3-50 Gew.-% beträgt.
- Falls gewünscht können ein Sensibilisator, ein anderes Harz, ein grenzflächenaktives Mittel, ein Stabilisator und ein Farbstoff zur Photolacklösung des Positivtyps gegeben werden.
- Die erfindungsgemäße Resistzusammensetzung des Positivtyps ist ausgezeichnet in der Ausgewogenheit zwischen Eigenschaften, wie Empfindlichkeit, Hitzebeständigkeit, Profil und ist frei von Schaum.
- Als nächstes wird die Erfindung genauer in bezug auf die folgenden Beispiele erklärt. In den Beispielen sind Teile Gew.-Teile.
- In ein Gemisch aus 347.3 g 2,5-Xylenol, 300 g Methylalkohol und 28.5 g p-Toluolsulfonsäure wurden 66.4 g Crotonaldehyd bei 65ºC innerhalb eines Zeitraums von einer Stunde unter Rühren getropft. Nach vollständigem Zutropfen wurde das erhaltene Gemisch 5 Stunden bei 65-75ºC umgesetzt. Nach Abkühlen des Gemisches auf Raumtemperatur wurden 300 g entionisiertes Wasser während eines Zeitraums von 10 Minuten zugegeben und für einen Zeitraum gerührt. Der erhaltene kristalline Niederschlag wurde durch Filtration abgetrennt, mit 500 ml eines 1/1-Gemisches von Methylalkohol und entionisiertem Wasser gewaschen und getrocknet, wobei eine Verbindung der folgenden Formel (b) erhalten wurde:
- In ein Gemisch aus 129.8 g m-Cresol, 86.5 g p-Cresol, 41.9 g der in Synthesebeispiel 1 erhaltenen Verbindung der Formel (b), 75.7 g 90%iger Essigsäure, 44.3 g 10%iger wäßriger Oxalsäurelösung und 266. 3 g Methylisobutylketon wurden 104.0 g 37%iges Formalin bei 80ºC während eines Zeitraums von 60 Minuten unter Rühren getropft. Dann wurde das erhaltene Gemisch 14 Stunden bei der gleichen Temperatur gerührt. Dann wurde das Gemisch mit Wasser gewaschen und entwässert, wobei eine Lösung eines Novolakharzes in Methylisobutylketon erhalten wurde. Gemessen mit GPC betrug das auf Polystyrol umgerechnete Gewichtsmittel des Molekulargewichts des Harzes 4770.
- Ein Gemisch aus 203 g der vorstehend erhaltenen Lösung eines Novolakharzes in Methylisobutylketon (Novolakharzgehalt 39.6%), 392.3 g Methylisobutylketon und 456.8 g n-Heptan wurde 30 Minuten bei 60ºC gerührt und danach stehengelassen und in zwei Schichten getrennt. Dann wurden 122 g 2-Heptanon zur unteren Schicht gegeben und das entstandene Gemisch durch einen Verdampfer konzentriert, um eine Lösung eines Novolakharzes in 2-Heptanon herzustellen.
- Mit GPC gemessen betrug das auf Polystyrol umgerechnete Gewichtsmittel des Molekulargewichts des Harzes 9580. Im GPC- Peak betrug das Verhältnis der Peakfläche des Bestandteils mit einem auf Polystyrol umgerechneten Molekulargewicht von 6000 oder weniger zur gesamten Peakfläche, aus der die Peakfläche der unreagierten Phenolverbindung ausgenommen wurde, 38.8% und das Verhältnis der Peakfläche des Bestandteils mit einem auf Polystyrol umgerechneten Molekulargewicht von 1000 oder weniger zur gesamten Peakfläche, aus der die Peakfläche der unreagierten Phenolverbindung ausgenommen wurde, 9.0%.
- Eine Lösung eines Novolakharzes in Methylisobutylketon wurde unter Durchführen einer Reaktion, Waschen des Reaktionsprodukts mit Wasser und Trocknen des Produkts wie in Synthesebeispiel 2 hergestellt, außer daß die Verbindung der Formel (b) nicht verwendet wurde und die Mengen an m-Cresol und p-Cresol beide auf 135 g geändert wurden. Gemessen mit GPC betrug das auf Polystyrol umgerechnete Gewichtsmittel des Molekulargewichts des Produkts 4550.
- Ein Gemisch aus 100 g der vorstehend erhaltenen Lösung von Novolakharz in Methylisobutylketon (Novolakharzgehalt 40%), 188.7 g Methylisobutylketon und 199.4 g n-Heptan wurde 30 Minuten bei 60ºC gerührt, stehengelassen und in zwei Schichten getrennt. Zur unteren Schicht wurden 120 g 2-Heptanon gegeben und das erhaltene Gemisch mit einem Verdampfer konzentriert, wobei eine Lösung von Novolakharz in 2- Heptanon erhalten wurde.
- Mit GPC gemessen wies das Harz ein auf Polystyrol umgerechnetes Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 9540 auf. Im GPC-Muster betrug das Verhältnis der Peakfläche des Bestandteils mit einem auf Polystyrol umgerechneten Molekulargewicht von 6000 oder weniger zur gesamten Peakfläche, aus der die Fläche der unreagierten Phenolverbindung ausgenommen wurde, 37.5% und das Verhältnis der Peakfläche des Bestandteils mit einem auf Polystyrol umgerechneten Molekulargewicht von 1000 oder weniger zur gesamten Peakfläche, aus der die Fläche der unreagierten Phenolverbindung ausgenommen wurde, 18.1%.
- Jedes der in den Bezugsbeispielen 1 und 2 erhaltenen Novolakharze, eine Verbindung der folgenden Formel (a):
- und eine Chinondiazidverbindung (Photosensibilisator) wurden in, 2-Heptanon gemäß der in der folgenden Tabelle gezeigten Formulierung gelöst, mit der Maßgabe, daß die Mengen der Lösungsmittel so eingestellt wurden, daß ein Beschichtungsfilm mit einer Dicke von 1.055 um unter den nachstehend erwähnten Beschichtungsbedingungen erhalten wurde, und die so erhaltenen Lösungen wurden durch ein Teflon-Filter mit einer Porengröße von 0.2 um filtriert, um Resistlösungen herzustellen. Jede Resistlösung wurde auf einen Siliciumwafer, der auf übliche Weise gewaschen worden war, unter Verwendung eines Rotationsbeschichters mit 4000 Upm aufgetragen. Anschließend wurde der Siliciumwafer für eine Minute auf einer heißen Platte des Vakuumabsorptionstyps bei 90ºC gehärtet. Dann wurde der Wafer mit einer Belichtungsapparatur des Verkleinerungsprojektionstyps (Nikon NSR1755i 7A) unter Verwendung einer Superhochdruckquecksilberlampe als Lichtquelle unter Ändern der Belichtungszeit von einem Versuch zum anderen Versuch belichtet. Dann wurde der belichtete Wafer mit Alkaline Developer SOPD (hergestellt von Sumitomo Chemical Co., Ltd.) entwickelt, wobei ein Muster des Positivtyps erhalten wurde.
- Dann wurde der Querschnitt von 0.4 um Linien und Abstand (L/S) optisch mit SEM (Rasterelektronenmikroskop) untersucht, um die Belichtungszeit zu messen, die 1 : 1 Linien und Abstand im besten Brennpunkt ergibt, aus der die Empfindlichkeit bestimmt wurde. Die Filmdickenretention wurde aus der verbliebenen Filmdicke im unbelichteten Teil berechnet. Ferner ließ man einen das entwickelte Resistmuster tragenden Siliciumwafer 30 Minuten in einer Luftatmosphäre in einem auf verschiedene Temperaturen voreingestellten Reinofen stehen, und danach wurde das Resistmuster mit SEM optisch untersucht, um die Hitzebeständigkeit zu beurteilen. Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle zusammengefaßt. Aus der Tabelle ist leicht zu ersehen, daß die erfindungsgemäße Resistzusammensetzung des Positivtyps ausgezeichnet in der Ausgewogenheit zwischen den Eigenschaften, wie Profil, Hitzebeständigkeit, Empfindlichkeit, und frei von Schaum ist. Tabelle 1
- *1 c ist eine Chinondiazidverbindung, hergestellt durch Kondensationsreaktion der folgenden Verbindung:
- und Naphthochinon-(1,2)-diazido-(2)-5-sulfonsäurechlorid, wobei 2.8 Hydroxylgruppen pro Molekül im Mittel verestert werden.
- *2 Ein Wert, bei dem 0,4 um L/S den ersten Abbruch im Verhältnis von 1 : 1 zeigt.
- *3 Die Innentemperatur des Reinofens, bei dem ein Resistmuster beginnt, ein Abrutschen zu zeigen.
- *4 Profil in 0,4 um L/S, wobei o "gut" bedeutet und Δ "mittel" bedeutet.
Claims (16)
1. Resistzusammensetzung des Positivtyps, die ein alkali-lösliches Harz und eine
Chinondiazidverbindung umfaßt, wobei das alkali-lösliche Harz, das das Harz
(A) enthält, durch eine Kondensationsreaktion mit mindestens einer
Phenolverbindung der folgenden allgemeinen Formel (I):
in der R&sub1; bis R&sub3; unabhängig voneinander jeweils ein Wasserstoffatom oder einen
Alkyl- oder Alkoxyrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen darstellen und k 1 oder 2
darstellt, mindestens einer Verbindung der folgenden allgemeinen Formel (II):
in der R&sub4; ein Wasserstoffatom, einen Alkylrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen oder
eine Phenylgruppe darstellt, R&sub5; bis R&sub7; unabhängig voneinander jeweils ein
Wasserstoffatom oder einen Alkyl- oder Alkoxyrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen
darstellen und n 1 oder 2 darstellt, und einer Aldehydverbindung erhältlich ist.
2. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach Anspruch 1, in der die Verbindung
der allgemeinen Formel (II) eine Verbindung der folgenden Formel:
ist, in der m 0, 1, 2 oder 3 ist und n 1 oder 2 ist.
3. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach Anspruch 2, in der die Verbindung
der allgemeinen Formel (II) eine Verbindung der folgenden Formel ist:
4. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 1 bis 3, in der
die Phenolverbindung der allgemeinen Formel (I) m-Cresol, p-Cresol,
3,5-Xylenol, 2,5-Xylenol, 2,3,5-Trimethylphenol oder 2-tert-Butyl-5-methylphenol ist.
5. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 1 bis 4, in der
das Molverhältnis der Phenolverbindung der allgemeinen Formel (I) zur
Verbindung der allgemeinen Formel (II) in der Kondensationsreaktion im Bereich von
60 : 40 bis 99.5 : 0.5 liegt.
6. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei, bezogen auf die GPC-Peakfläche, das Verhältnis des Bestandteils mit
einem auf Polystyrol umgerechneten Molekulargewicht von 1000 oder weniger
zum Gesamtharz (A), aus dem die unreagierte Phenolverbindung ausgenommen
wird, 30% oder weniger beträgt.
7. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach Anspruch 6, wobei, bezogen auf die
GPC-Peakfläche, das Verhältnis des Bestandteils mit einem auf Polystyrol
umgerechneten Molekulargewicht von 6000 oder weniger zum Gesamtharz (A), aus
dem die unreagierte Phenolverbindung ausgenommen wird, nicht geringer als
15% und nicht größer als 65% ist.
8. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei, aus dem GPC-Peak bestimmt, das auf Polystyrol umgerechnete
Gewichtsmittel des Molekulargewichts des Harzes (A) 2000 bis 20000 beträgt.
9. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei
das alkali-lösliche Harz zusätzlich ein niedermolekulares Novolakharz (B) mit
einem auf Polystyrol umgerechneten Gewichtsmittel des Molekulargewichts von
200 bis 2000, gemessen mit GPC, enthält.
10. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach Anspruch 9, wobei das
niedermolekulare Novolakharz (B) ein Cresolnovolakharz ist.
11. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 9 bis 10,
wobei das niedermolekulare Novolakharz (B) ein auf Polystyrol umgerechnetes
Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 200 bis 1000, gemessen mit GPC, auf
weist.
12. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 9 bis 11, in
der der Gehalt des niedermolekularen Novolakharzes (B) 4 bis 50 Gew.-Teile pro
100 Gew.-Teile der Gesamtmenge des alkali-löslichen Harzes beträgt.
13. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 1 bis 12, die
zusätzlich zum alkali-löslichen Harz und der Chinondiazidverbindung eine
Verbindung der folgenden allgemeinen Formel (III) enthält:
in der R&sub9; bis R&sub1;&sub4; unabhängig voneinander jeweils ein Wasserstoffatom oder
einen Alkyl- oder Alkoxyrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen darstellen, R&sub1;&sub5; ein
Wasserstoffatom, einen Alkylrest mit 1-4 Kohlenstoffatomen oder einen
Arylrest darstellt und p, q und r jeweils 0, 1 oder 2 darstellen.
14. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach Anspruch 13, in der die Verbindung
der allgemeinen Formel (III) eine der Verbindungen der folgenden Formeln ist:
15. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach Anspruch 14, in der die Verbindung
der allgemeinen Formel (III) eine Verbindung ist, die durch eine der folgenden
Formeln wiedergegeben wird:
16. Resistzusammensetzung des Positivtyps nach einem der Ansprüche 13 bis 15, in
der der Gehalt der Verbindung der allgemeinen Formel (III) 4 bis 40 Gew.-Teile
pro 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge des alkali-löslichen Harzes beträgt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4048438A JPH05249666A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69321274D1 DE69321274D1 (de) | 1998-11-05 |
DE69321274T2 true DE69321274T2 (de) | 1999-02-18 |
Family
ID=12803359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69321274T Expired - Fee Related DE69321274T2 (de) | 1992-03-05 | 1993-03-04 | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5326665A (de) |
EP (1) | EP0559204B1 (de) |
JP (1) | JPH05249666A (de) |
KR (1) | KR100247825B1 (de) |
CA (1) | CA2089634A1 (de) |
DE (1) | DE69321274T2 (de) |
MX (1) | MX9301211A (de) |
TW (1) | TW296440B (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0660186A1 (de) * | 1993-12-20 | 1995-06-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Lichtempfindliche Harzzusammensetzung und Verfahren zur Bildherstellung damit |
JPH07281428A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JP3424341B2 (ja) * | 1994-04-11 | 2003-07-07 | 住友化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP3230925B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2001-11-19 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JP3427562B2 (ja) * | 1995-05-09 | 2003-07-22 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US5985507A (en) * | 1998-02-18 | 1999-11-16 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Selected high thermal novolaks and positive-working radiation-sensitive compositions |
KR100708249B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2007-04-16 | 아사히 유키자이 고교 가부시키가이샤 | 노볼락형 페놀 수지의 제조방법 |
KR101020164B1 (ko) | 2003-07-17 | 2011-03-08 | 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 | 진보된 마이크로전자적 응용을 위한 평탄화 막, 및 이를제조하기 위한 장치 및 방법 |
WO2012077246A1 (ja) | 2010-12-07 | 2012-06-14 | 三菱電機株式会社 | 電力変換回路内蔵モーター、この電力変換回路内蔵モーターを搭載した流体ポンプ、この流体ポンプを搭載した空気調和機、給湯器、電力変換回路内蔵モーターを搭載した機器 |
JP7176844B2 (ja) * | 2015-10-19 | 2022-11-22 | 日産化学株式会社 | 長鎖アルキル基含有ノボラックを含むレジスト下層膜形成組成物 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0654384B2 (ja) * | 1985-08-09 | 1994-07-20 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
EP0239423B1 (de) * | 1986-03-28 | 1996-03-20 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Positiv arbeitende photoempfindliche Kunststoffzusammensetzung |
DE3811040A1 (de) * | 1988-03-31 | 1989-10-19 | Ciba Geigy Ag | Im nahen uv hochaufloesende positiv-fotoresists |
US5177172A (en) * | 1988-05-31 | 1993-01-05 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions |
JPH063544B2 (ja) * | 1988-07-07 | 1994-01-12 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
US5200293A (en) * | 1989-02-23 | 1993-04-06 | Ciba-Geigy Corporation | Photoresist composition containing specific amounts of a naphthoquinone diazide sulfonyl ester of tetrahydroxy diphenyl sulfide and a polyhydroxy compound |
JPH02272457A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感電離放射線性樹脂組成物 |
CA2023791A1 (en) * | 1989-08-24 | 1991-02-25 | Ayako Ida | Radiation-sensitive positive resist composition |
JPH087435B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1996-01-29 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JPH0450851A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
US5413896A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-09 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | I-ray sensitive positive resist composition |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4048438A patent/JPH05249666A/ja active Pending
-
1993
- 1993-02-16 CA CA002089634A patent/CA2089634A1/en not_active Abandoned
- 1993-03-01 US US08/024,499 patent/US5326665A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-03 KR KR1019930003062A patent/KR100247825B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-03-04 TW TW082101582A patent/TW296440B/zh active
- 1993-03-04 EP EP93103508A patent/EP0559204B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-04 MX MX9301211A patent/MX9301211A/es not_active IP Right Cessation
- 1993-03-04 DE DE69321274T patent/DE69321274T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2089634A1 (en) | 1993-09-06 |
US5326665A (en) | 1994-07-05 |
KR930020225A (ko) | 1993-10-19 |
EP0559204A1 (de) | 1993-09-08 |
EP0559204B1 (de) | 1998-09-30 |
DE69321274D1 (de) | 1998-11-05 |
JPH05249666A (ja) | 1993-09-28 |
KR100247825B1 (ko) | 2000-06-01 |
TW296440B (de) | 1997-01-21 |
MX9301211A (es) | 1993-09-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |