DE69210087T2 - Vorspannungseinschaltschaltkreis - Google Patents

Vorspannungseinschaltschaltkreis

Info

Publication number
DE69210087T2
DE69210087T2 DE69210087T DE69210087T DE69210087T2 DE 69210087 T2 DE69210087 T2 DE 69210087T2 DE 69210087 T DE69210087 T DE 69210087T DE 69210087 T DE69210087 T DE 69210087T DE 69210087 T2 DE69210087 T2 DE 69210087T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
node
circuit
generating circuit
bias generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69210087T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69210087D1 (de
Inventor
Eric J Ruetz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Semiconductor Inc filed Critical Samsung Semiconductor Inc
Publication of DE69210087D1 publication Critical patent/DE69210087D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69210087T2 publication Critical patent/DE69210087T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/267—Current mirrors using both bipolar and field-effect technology
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K2017/226—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in bipolar transistor switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)

Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Vorspannungen erzeugende Schaltungen, die mehrere Strompfade mit in Stromspiegelkonfiguration miteinander verbundenen Transistoren aufweisen, werden in weitem Umfang verwendet. Diese Schaltungen verfügen über zwei stabile Betriebszustände, einen solchen mit dem Strom null und einen solchen mit Konstantstromfluß. Wenn Spannung angelegt wird, kann sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung in einen der Zustände einschwingen.
  • Wenn die Schaltung in den Zustand mit dem Strom null einschwingt, muß sie zwangsweise in den Konstantstromzustand gebracht werden.
  • Wie es z. B. in "Bipolar and MOS analog integrated circuit design" von Alan G. Grebene, veröffentlicht von John Wiley & Sons (ISBN 0-471-08529-4) auf den Seiten 191 und 192 unter Bezugnahme auf die Fig. 4.22 offenbart ist, besteht eine Standardtechnik zum zwangsweisen Versetzen einer Vorspannungsschaltung in den Konstantstromzustand beim Spannungseinschalten darin, einen kleinen Anteil des Stroms in einem ausgewählten der Strompfade in einem Knoten abzuzapfen. Ein Problem bei dieser Technik besteht darin, daß weiterhin ein kleiner Strom durch den ausgewählten Strompfad fließt, nachdem die Vorspannungsschaltung arbeitet, der die Genauigkeit der Vorspannung und/oder der Stromstärken der Ausgangssignale verschlechtert.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung ist eine Startschaltung zum Zwingen einer eine Vorspannung erzeugenden Schaltung in einen Konstantstromzustand beim Einschalten.
  • Gemäß einer Erscheinungsform der Erfindung ist folgendes geschaffen: eine Startschaltung zum Laden eines ausgewählten Knotens in einem Strompfad einer eine Vorspannung erzeugenden Schaltung mit mehreren Strompfaden zum Zwingen der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung in einen Konstantstromzustand, wenn die Spannung eingeschaltet wird, wobei diese Startschaltung folgendes aufweist:
  • - eine Einrichtung, die eine Versorgungsspannung mit einem Ladeknoten verbindet, um einen Ladestrom zum Laden des Ladeknotens zu leiten, wenn die Spannung eingeschaltet wird und sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung in einem Zustand mit dem Strom null befindet;
  • - einem ersten Transistor, der eingeschaltet wird, wenn der Ladeknoten geladen ist, um Strom vom Ladeknoten zum ausgewählten Knoten im Strompfad zu leiten, um die eine Vorspannung erzeugende Schaltung in den Konstantstromzustand zu zwingen; und
  • - einem zweiten Transistor, der mit dem Ladeknoten verbunden ist, der eingeschaltet wird, wenn sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung im Konstantstromzustand befindet, um erheblich mehr Strom als den durch die Einrichtung zum Erzielen eines Leitvorgangs geführten Ladestrom zu leiten, um den Ladeknoten zu entladen, um den ersten Transistor abzuschalten und die Startschaltung von der Einrichtung zum Erzielen eines Leitvorgangs zu trennen, nachdem die eine Vorspannung erzeugende Schaltung in den Konstantstromzustand gezwungen wurde.
  • Gemäß einer anderen Erscheinungsform weist ein Verfahren zum Zwingen einer eine Vorspannung erzeugenden Schaltung mit mehreren Strompfaden während des Spannungseinschaltens unter Verwendung einer Startschaltung in einen Konstantstromzustand, folgende Schritte auf:
  • a. Anlegen von Spannung an die eine Vorspannung erzeugende Schaltung ;
  • b. Verbinden eines Startstroms mit einem Knoten eines der mehreren Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung, um diese eine Vorspannung erzeugende Schaltung in einen Konstantstromzustand zu zwingen;
  • c. Trennen dieses Startstroms von diesem Knoten des einen der mehreren Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung folgend auf das Einschalten der Spannung.
  • Bei einer Ausführungsform wird eine Stromquelle mit einem Knoten in einem der Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung verbunden, wenn die Spannung eingeschaltet wird und sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung im Zustand mit dem Strom null befindet. Dieser durch die Stromquelle zugeführte Startstrom zwingt die eine Vorspannung erzeugende Schaltung in den Konstantstromzustand. Anschließend an den Start wird die Stromquelle vom Knoten im Strompfad getrennt, so daß der Betrieb der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung nicht durch den Startstrom von der Stromquelle beeinträchtigt wird.
  • Bei einer Ausführungsform wird ein Ladeknoten in der Startschaltung durch die Stromquelle geladen, wenn die Spannung eingeschaltet wird und sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung im Zustand mit dem Strom null befindet. Wenn dieser Ladeknoten geladen ist, schaltet er einen Kopplungstransistor ein, der den Ladeknoten mit dem Knoten im Strompfad verbindet, und der Transistor leitet einen Startstrom von der Stromquelle zum Knoten im Strompfad, um die eine Vorspannung erzeugende Schaltung in den Konstantstromzustand zu zwingen. Ein Entladetransistor wird eingeschaltet, wenn sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung im Konstantstromzustand befindet, der den Ladeknoten entlädt und den Kopplungstransistor abschaltet. Demgemäß wird die Stromquelle vom Knoten im Strompfad getrennt, wenn sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung einmal im Konstantstromzustand befindet.
  • Andere Vorteile und Merkmale der Erfindung werden aus den beigefügten Zeichnungen und der folgenden detaillierten Beschreibung ersichtlich.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Fig. 1 ist ein schematisches Diagramm eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung.
    • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Fig. 1 ist ein Schaltbild eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung. In Fig. 1 besteht eine Vorspannungsschaltung 10 aus einem ersten und einem zweiten Strompfad 12 und 14. Jeder Strompfad besteht aus identischen Schaltungselementen, mit der Ausnahme, daß der erste Strompfad 12 einen Vorspannungswiderstand 16 enthält. Ein erster Vorspannungsausgang nb ist mit einem ersten Ausgangsknoten 18 im zweiten Strompfad 14 verbunden. Ein zweiter Vorspannungsausgang nb2 ist mit einem zweiten Ausgangsknoten 20 im ersten Strompfad 12 verbunden. Der erste und der zweite Ausgangsknoten 18 und 20 sind jeweils mit den Gates von Transistoren N40 und N86 verbunden, um für ein Vorstromsignal an einem Ausgang pb zu sorgen.
  • Eine Vorspannungs-Startschaltung 22 besteht aus einem p-Kanal-Transistor I3, dessen Source mit VCC verbunden ist, dessen Gate mit Masse verbunden ist und dessen Drain mit einem Ladeknoten 24 verbunden ist, einem n-Kanal-Transistor N31, dessen Drain und Gate mit dem Ladeknoten 24 verbunden sind und dessen Source mit dem zweiten Ausgangsknoten 20 verbunden ist und einem n-Kanal-Transitor N30, dessen Drain mit den Ladeknoten 24 verbunden ist, dessen Source mit Masse verbunden ist und dessen Gate mit dem Knoten 18 verbunden ist.
  • Es wird nun der Betrieb dieser Vorspannungs-Startschaltung beschrieben. Wenn die Spannung eingeschaltet wird, kann die Spannung am Drain von I17 den Wert VCC haben, so daß sich die Schaltung im Zustand mit dem Strom null befindet. Wenn jedoch die Spannung eingeschaltet wird und sich die Schaltung im Zustand mit dem Strom null befindet, ist I3 in der Startschaltung 22 eingeschaltet und N31 und N30 sind ausgeschaltet. I3 hat ein kleines W/L-Verhältnis und leitet nur wenige Mikroampere an Strom und arbeitet als Nebenschlußwiderstand, der Strom an den Ladeknoten 24 liefert. Der Ladeknoten 24 ist jedoch nach einer kurzen Zeit bis auf den Punkt geladen, an dem die Gatespannung von N31 ausreichend hoch dafür ist, daß N31 eingeschaltet wird. Dann fließt Strom durch I3 und N31 und lädt den zweiten Ausgangsknoten 20, um einen Spannungspegel an diesen Knoten aufzubauen, der die eine Vorspannung erzeugende Schaltung in den Konstantstromzustand zwingt.
  • Wenn sich die Vorspannungsschaltung einmal im Konstantstromzustand befindet, schaltet die Spannung, die sich am ersten Ausgangsknoten 18 aufgebaut hat, der mit dem Gate von N30 verbunden ist, N30 ein. Der Transistor I3 ist so bemessen, daß der den Ladeknoten 24 zugeführte Strom kleiner als 1/5 des Vorstroms durch N30 im Konstantstromzustand ist. So wird der Ladeknoten 24 entladen, um N31 abzuschalten, wenn sich der Vorstrom im Konstantstromzustand befindet.
  • Wenn N31 einmal abgeschaltet ist, führt die Startschaltung keinen Strom mehr in den zweiten Ausgangsknoten 20 und hat daher keine Wirkung auf den Betrieb der Vorspannungsschaltung. Das Entladen des Ladeknotens 24 trennt den durch I3 geführten Strom während des Betriebs wirksam von der Vorspannungsschaltung 10. Ferner ist der einzige von der Startschaltung gezogene Strom der Strom durch I3, der nur einige wenige Mikroampere ausmacht. Demgemäß ist die Verlustleistung der Startschaltung vernachlässigbar.
  • Die Erfindung wurde nun unter Bezugnahme auf ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel beschrieben. Alternativen und Ersatzkonstruktionen sind nun dem Fachmann ersichtlich. Insbesondere ist zwar ein p-Kanal-Transistor als Nebenschlußwiderstand verwendet, jedoch könnte dieser durch andere Arten von Schaltungselementen ersetzt werden, wie durch einen Polysilizium-Widerstand. Ferner können Bauelemente mit entgegengesetzter Polarität verwendet werden, wenn die Spannungsschienen und die Transistortypen umgeschaltet werden.

Claims (5)

1. Startschaltung (22) zum Laden eines ausgewählten Knotens (20) in einem Strompfad (12) einer eine Vorspannung erzeugenden Schaltung (10) mit mehreren Strompfaden (12, 14) zum Zwingen der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung (10) in einen Konstantstromzustand, wenn die Spannung eingeschaltet wird, wobei diese Startschaltung (22) folgendes aufweist:
- eine Einrichtung (I3), die eine Versorgungsspannung (VCC2) mit einem Ladeknoten (24) verbindet, um einen Ladestrom zum Laden des Ladeknotens (24) zu leiten, wenn die Spannung eingeschaltet wird und sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung (10) in einem Zustand mit dem Strom null befindet;
- einen ersten Transistor (N31), der eingeschaltet wird, wenn der Ladeknoten (24) geladen ist, um Strom vom Ladeknoten (24) zum ausgewählten Knoten (20) im Strompfad (12) zu leiten, um die eine Vorspannung erzeugende Schaltung (10) in den Konstantstromzustand zu zwingen; und
- einen zweiten Transistor (N30), der mit dem Ladeknoten (24) verbunden ist, der eingeschaltet wird, wenn sich die eine Vorspannung erzeugende Schaltung (10) im Konstantstromzustand befindet, um erheblich mehr Strom als den durch die Einrichtung zum Erzielen eines Leitvorgangs (I3) geführten Ladestrom zu leiten, um den Ladeknoten (24) zu entladen, um den ersten Transistor (N31) abzuschalten und die Startschaltung (22) von der Einrichtung zum Erzielen eines Leitvorgangs zu trennen, nachdem die eine Vorspannung erzeugende Schaltung (10) in den Konstantstromzustand gezwungen wurde.
2. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Einrichtung zum Erzielen eines Leitvorgangs (I3) ein in Durchlaßrichtung vorgespannter Transistor ist.
3. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Einrichtung zum Erzielen eines Leitvorgangs (I3) ein Widerstand ist.
4. Verfahren zum Zwingen einer eine Vorspannung erzeugenden Schaltung (10) mit mehreren Strompfaden (12, 14) während des Spannungseinschaltens unter Verwendung einer Startschaltung (22) in einen Konstantstromzustand, das folgende Schritte aufweist:
a. Anlegen von Spannung an die eine Vorspannung erzeugende Schaltung (10);
b. Verbinden eines Startstroms mit einem Knoten (20) eines (12) der mehreren Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung (10), um diese eine Vorspannung erzeugende Schaltung (10) in einen Konstantstromzustand zu zwingen;
c. Trennen dieses Startstroms von diesem Knoten (20) des einen (12) der mehreren Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung (10) folgend auf das Einschalten der Spannung.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt des Verbindens eines Startstroms mit einem Knoten (20) eines (12) der mehreren Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung (10) ferner die folgenden Schritte aufweist:
i. Laden eines Ladeknotens (24) der Startschaltung (22) mittels einer Startstromquelle (I3) und
ii. Verbinden des Ladeknotens (24) und der Startstromquelle mit einem Knoten (20) eines (12) der mehreren Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung;
- wobei der Schritt des Trennens des Startstroms vom Knoten (20) des einen (12) der mehreren Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung (10) ferner folgende Schritte umfaßt:
i. Entladen des Ladeknotens (24), wenn die eine Vorspannung erzeugende Schaltung (10) einen Konstantstromzustand erreicht, und
ii. Trennen des Ladeknotens (24) und des Startstroms vom Knoten (20) des einen (12) der mehreren Strompfade der eine Vorspannung erzeugenden Schaltung (10).
DE69210087T 1991-05-10 1992-05-08 Vorspannungseinschaltschaltkreis Expired - Lifetime DE69210087T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/698,423 US5155384A (en) 1991-05-10 1991-05-10 Bias start-up circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69210087D1 DE69210087D1 (de) 1996-05-30
DE69210087T2 true DE69210087T2 (de) 1996-11-28

Family

ID=24805179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69210087T Expired - Lifetime DE69210087T2 (de) 1991-05-10 1992-05-08 Vorspannungseinschaltschaltkreis

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5155384A (de)
EP (1) EP0515065B1 (de)
JP (1) JPH07123209B2 (de)
KR (1) KR960006630B1 (de)
DE (1) DE69210087T2 (de)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940004026Y1 (ko) * 1991-05-13 1994-06-17 금성일렉트론 주식회사 바이어스의 스타트업회로
GB9304954D0 (en) * 1993-03-11 1993-04-28 Sgs Thomson Microelectronics Reference current generating circuit
JP3037031B2 (ja) * 1993-08-02 2000-04-24 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 パワーオン信号発生回路
JPH07130170A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路
KR960004573B1 (ko) * 1994-02-15 1996-04-09 금성일렉트론주식회사 기동회로를 갖는 기준전압발생회로
US5638011A (en) * 1994-04-12 1997-06-10 I.C. Works, Inc. Digital to analog converter (DAC) current source arrangement
FR2721772B1 (fr) 1994-06-27 1996-09-06 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de commande d'une source de polarisation comportant un dispositif de mise en veille.
FR2721771B1 (fr) * 1994-06-27 1996-09-06 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif de mise en veille d'une source de polarisation.
US5646563A (en) * 1994-07-15 1997-07-08 National Semiconductor Corporation Charge pump with near zero offset current
JP3650186B2 (ja) * 1995-11-28 2005-05-18 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置および比較回路
FR2767976B1 (fr) * 1997-08-28 1999-11-12 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif d'aide au demarrage pour une pluralite de sources de courant
GB2336960B (en) * 1998-05-01 2003-08-27 Sgs Thomson Microelectronics Start up circuits and bias generators
US6525598B1 (en) 1999-01-29 2003-02-25 Cirrus Logic, Incorporated Bias start up circuit and method
US6124741A (en) * 1999-03-08 2000-09-26 Pericom Semiconductor Corp. Accurate PLL charge pump with matched up/down currents from Vds-compensated common-gate switches
US6459306B1 (en) * 1999-07-22 2002-10-01 Lucent Technologies Inc. Low power differential comparator with stable hysteresis
US6201435B1 (en) 1999-08-26 2001-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Low-power start-up circuit for a reference voltage generator
US6404252B1 (en) 2000-07-31 2002-06-11 National Semiconductor Corporation No standby current consuming start up circuit
US6342781B1 (en) 2001-04-13 2002-01-29 Ami Semiconductor, Inc. Circuits and methods for providing a bandgap voltage reference using composite resistors
US6351111B1 (en) 2001-04-13 2002-02-26 Ami Semiconductor, Inc. Circuits and methods for providing a current reference with a controlled temperature coefficient using a series composite resistor
FR2860307B1 (fr) * 2003-09-26 2005-11-18 Atmel Grenoble Sa Circuit integre avec fonction de demarrage automatique
US7015746B1 (en) 2004-05-06 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Bootstrapped bias mixer with soft start POR
US7145372B2 (en) * 2004-08-31 2006-12-05 Micron Technology, Inc. Startup circuit and method
TW200715092A (en) * 2005-10-06 2007-04-16 Denmos Technology Inc Current bias circuit and current bias start-up circuit thereof
US7446568B2 (en) * 2006-05-29 2008-11-04 Himax Technologies Limited Receiver start-up compensation circuit
US20080150594A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Taylor Stewart S Start-up circuit for supply independent biasing
TW200901608A (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Beyond Innovation Tech Co Ltd Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit
TW200903213A (en) * 2007-07-02 2009-01-16 Beyond Innovation Tech Co Ltd Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit
JP5424750B2 (ja) * 2009-07-09 2014-02-26 新日本無線株式会社 バイアス回路
WO2016098593A1 (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 ソニー株式会社 電源監視回路、パワーオンリセット回路、および半導体装置
JP7284593B2 (ja) * 2018-03-22 2023-05-31 株式会社東芝 電流駆動回路
US11867571B2 (en) * 2021-10-01 2024-01-09 Nxp B.V. Self-turn-on temperature detector circuit

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4342926A (en) * 1980-11-17 1982-08-03 Motorola, Inc. Bias current reference circuit
US4450367A (en) * 1981-12-14 1984-05-22 Motorola, Inc. Delta VBE bias current reference circuit
US4495425A (en) * 1982-06-24 1985-01-22 Motorola, Inc. VBE Voltage reference circuit
US4461991A (en) * 1983-02-28 1984-07-24 Motorola, Inc. Current source circuit having reduced error
JPS6310215A (ja) * 1986-07-02 1988-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 定電流回路
GB2228384A (en) * 1989-02-17 1990-08-22 Philips Electronic Associated Current conveyor circuit
JP2906522B2 (ja) * 1990-02-02 1999-06-21 日本電気株式会社 バイアス回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07123209B2 (ja) 1995-12-25
KR960006630B1 (ko) 1996-05-22
DE69210087D1 (de) 1996-05-30
EP0515065B1 (de) 1996-04-24
KR920022642A (ko) 1992-12-19
EP0515065A1 (de) 1992-11-25
JPH05283947A (ja) 1993-10-29
US5155384A (en) 1992-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69210087T2 (de) Vorspannungseinschaltschaltkreis
DE4211644C2 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer konstanten Spannung
DE68924394T2 (de) Vorrichtung zum Erzeugen einer Referenzspannung für einen eine kapazitive Bootstrapschaltung enthaltenden Schalter.
DE3880735T2 (de) Integrierter CMOS-Kreis mit Substratvorspannungsregler.
DE68910711T2 (de) Zeitlich abweichende Ansteuerung zur Verwendung in integrierten Schaltungen.
DE69224833T2 (de) Leistungs-mosfet-treiber mit reduzierung des querstroms
DE3888863T2 (de) BIFET-Logik-Schaltung.
DE3921395A1 (de) Strom- und spannungsgeregelte schaltung fuer eeprom-speicherzellen
DE69604702T2 (de) Negative ladungspumpe für niedrige versorgungsspannung
DE2411839B2 (de) Integrierte Feldeffekttransistor-Schaltung
DE19525237A1 (de) Pegelschieberschaltung
DE69902199T2 (de) Halbleiteranordnung mit einer Pegelverschiebungsschaltung
DE69216663T2 (de) Schaltkreis
DE3318537A1 (de) Schnell arbeitender analog-digital-konverter
DE69216997T2 (de) Multiplizierender Digital-Analogwandler
DE69024929T2 (de) Spannungsregler mit Leistungszusatzsystem
DE68925856T2 (de) Logische Bicmos-Schaltung
DE10134019A1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE2928224A1 (de) Verzoegerungsschaltung aus misfets
DE3781919T2 (de) Eingangsschaltung.
DE3630679A1 (de) Stromversorgungsschalter-schaltkreis fuer groesstintegration auf einem wafer
DE69931121T2 (de) Spannungsvergleicher
DE2314015B2 (de) Signalverstärker
DE69721940T2 (de) Pegelverschiebungsschaltung
DE69113414T2 (de) Integrierte Konstantstromversorgung.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SEOUL/SOUL, KR

R071 Expiry of right

Ref document number: 515065

Country of ref document: EP