DE69204780T2 - Optisches aufzeichnungsmedium. - Google Patents

Optisches aufzeichnungsmedium.

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Description

    Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein wiederbeschreibbares optisches Aufzeichnungsmedium.
    • Hintergrund der Erfindung
  • Optische Aufzeichnungsmedien, und zwar typischerweise optische Aufzeichnungsplatten, sind als Informationsaufzeichnungsmedien mit großer Kapazität von großem Interesse. Solche optischen Aufzeichnungsmedien beinhalten solche des wiederbeschreibbaren Typs, wie z. E. optische Aufzeichnungsmedien mit Phasenveränderung und magnetooptische Aufzeichnungsmedien sowie solche des nur einmal beschreibbaren Typs, wie z. E. optische Aufzeichnungsmedien des Typs mit Bildung von Vertiefungen. Optische Aufzeichnungsmedien mit Phasenveränderung sind z. B. in der EP-A-0 347 801, der JP-A-1296441 und der JP-A-63151544 offenbart.
    • Offenbarung der Erfindung
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung einer neuartigen Konstruktion eines optischen Aufzeichnungsraediums des wiederbeschreibbaren Typs.
  • Diese und weitere Ziele werden durch die vorliegende Erfindung, wie sie im folgenden in (1) bis (7) definiert ist, erreicht.
  • 5 (1) Ein optisches Aufzeichnungsmedium mit einer Aufzeichnungsschicht, einer dielektrischen Dünnschicht und einer reflektierenden Dünnschicht, die in der genannten Reihenfolge auf einer Oberfläche eines Substrats aufgebracht sind, wobei die Aufzeichnungsschicht eine Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht und eine Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht aufweist, die auf wenigstens einer Seite der Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht angeordnet ist.
  • (2) Das optische Aufzeichnungsmedium nach (1), wobei die Formerinnerungslegierungs -Dünnschicht eine Dicke von 100 bis 1000 Å besitzt und die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht eine Dicke von 100 bis 500 Å besitzt.
  • (3) Optisches Aufzeichnungsmedium nach (1) oder (2), wobei die Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht aus einer Legierung auf der Basis von Cu-Zn-Al gebildet ist.
  • (4) Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem von (1) bis (3), wobei die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht aus einer Legierung auf der Basis von La-Ni oder Fe-Ti gebildet ist.
  • (5) Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem von (1) bis (4), wobei die dielektrische Dünnschicht eine Dicke von 500 bis 5000 Å besitzt.
  • (6) Optisches Auf zeichnungsmedium nach einem von (1) bis (5), wobei die dielektrische Dünnschicht Si und O und/oder N enthält.
  • (7) Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem von (1) bis (6), wobei die reflektierende Dünnschicht aus einem Element gebildet ist, das aus der Gruppe bestehend aus Ag, Al, Au, Pt und Cu sowie einer wenigstens eines dieser Elemente enthaltenden Legierung ausgewählt ist.
    • Betriebsweise und Vorteile der Erfindung
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 1 ist das optische Aufzeichnungsmedium 1 der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei dieses eine Aufzeichnungsschicht 3, eine dielektrische Dünnschicht 4 und eine reflektierende Dünnschicht 5, die übereinander auf einer Oberfläche eines Substrats 2 aufgebracht sind, sowie außerdem eine Schutzschicht 6 auf der reflektierenden Dünnschicht 5 aufweist, wobei die Aufzeichnungsschicht 3 aus einer Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht 311, einer Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 und einer Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht 312 besteht.
  • Die Aufzeichnung erfolgt durch Richten von Aufzeichnungslaserlicht auf die Aufzeichnungsschicht 3 von der Rückseite des Substrats 2 her durch das Substrat 2 hindurch. Die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32, die durch Aufsputtern in einer Wasserstoffatmosphäre gebildet ist, besitzt bereits darin eingeschlossenen Wasserstoff. Diese Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 wird durch das Aufzeichnungslaserlicht erwärmt, wodurch der darin eingeschlossene Wasserstoff freigesetzt wird. Da die Wasserstoffspeicherlegierung ihr Volumen als Ergebnis der Wasserstofffreisetzung um ca. 25 % vermindert, wird ein mit Wasserstoffgas gefüllter Raum 321 gebildet, wo das Aufzeichnungslaserlicht aufgestrahlt wird. Innerhalb des Raums 321 werden optische Konstanten, wie ein Brechungsindex n (der reale Teil eines komplexen Brechungsindexes) sowie ein Extinktionskoeffizient k (der imaginäre Teil eines komplexen Brechungsindexes) gegenüber denjenigen in der Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 verändert, woraus sich Änderungen bei mehreren Reflexionsbedingungen und damit eine Absenkung des Reflexionsvermögens ergeben.
  • Darüberhinaus sind Formerinnerungslegierungs- Dünnschichten 311 und 312 aus einer Formerinnerungslegierung gebildet, die zu einer reversiblen Formänderung nach Maßgabe von Abkühlung und Erwärmung in der Lage ist. Die Formerinnerungslegierung erfährt eine thermoelastische martensitische Umwandlung (M-Umwandlung), indem eine Martensitphase (M-Phase) gebildet wird, wenn die Matrixphase auf die M-Umwandlungstemperatur (Ms-Punkt) oder darunter abgekühlt wird. Wenn die Formerinnerungslegierung mit der darin ausgebildeten M-Phase verformt und dann erwärmt wird, wird die MPhase bei der umgekehrten Umwandlungstemperatur (As- Punkt) oder darüber in umgekehrter Weise in die Matrixphase umgewandelt, wonach die Matrixphase genau dieselbe kristallographische Orientierung wie vor der Verformung annimmt. Die Legierung nimmt daher wieder die vor der Verformung vorhandene Form ein, wenn sie auf den As-Punkt oder darüber erwärmt wird. Die Formerinnerungslegierung ändert ihre Form nicht mehr, wenn sie zur Umwandlung in die M-Phase wieder auf den Ms-Punkt oder darunter gekühlt wird.
  • Das Aufzeichnungslaserlicht erwärmt die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 unter Freisetzung von Wasserstoff, so daß in der Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 ein Raum 321 gebildet wird.
  • Gleichzeitig werden die Formerinnerungslegierungs- Dünnschichten 311, 312 erwärmt, wenn sie dem Aufzeichnungslaserlicht ausgesetzt werden. Der Ms- Punkt der Formerinnerungslegierung ändert sich zwar in bemerkenswerter Weise in Abhängigkeit von der Zusammensetzung derselben, doch bei der Ausführung der Erfindung wird eine Zusammensetzung vorzugsweise derart gewählt, daß der Ms-Punkt höher ist als die bei der Aufzeichnung erreichte Temperatur. Es versteht sich, daß der Ms-Punkt nicht immer höher liegen muß als die Temperatur, bei der die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht Wasserstoff freisetzt, da die Formerinnerungslegierungs- Dünnschichten aufgrund ihres Kontakts mit dem Substrat 2 und der dielektrischen Dünnschicht 4 Wärme rasch abführen.
  • Bei dieser Konstruktion werden die Formerinnerungslegierungs-Dünnschichten 311, 312 mit der darin erzeugten M-Phase durch Kräfte verformt, die durch den Druck des Wasserstoffgases in dem Raum 321 resultieren, so daß der Raum 321 seine Dicke vergrößert und dadurch eine weitere Verminderung des Reflexionsvermögens resultiert.
  • Außerdem wird bei Formerinnerungslegierungs- Dünnschichten 311, 312 bei Erwärmung derselben das diesen innewohnende Reflexionsvermögen vermindert, wobei dies auch zu einer Reduzierung des reflexionsvermögens des optischen Aufzeichnungsmediums 1 beiträgt.
  • Bei dem optischen Aufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung wird die zuvor aufgezeichnete Information dadurch gelöscht, daß man die Formerinnerungslegierungs-Dünnschichten 311, 312 auf den As-Punkt oder darüber erwärmt. Bei dieser Erwärmung haben die Formerinnerungslegierungs - Dünnschichten die Tendenz, wieder die Form vor der Aufstrahlung von Aufzeichnungslaserlicht einzunehmen, wodurch Druck auf das Wasserstoffgas in dem Raum 321 ausgeübt wird. Da die Wasserstoffspeicherlegierungs- Dünnschicht 32 in der Lage ist, Wasserstoff in reversibler Weise einzulagern und auszulagern, verursacht der von den Formerinnerungslegierungs- Dünnschichten 311, 312 aufgebrachte Druck, daß die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 das Wasserstoffgas von dem Raum 321 wieder aufnimmt, wodurch der Raum 321 praktisch ausgelöscht wird. Auf 25 diese Weise nimmt das optische Aufzeichnungsmedium 1 wieder den Zustand vor der Aufstrahlung von Aufzeichnungslaserlicht ein, und er ist wieder für eine Informationsaufzeichnung bereit.
  • Es versteht sich, daß jegliche Information selektiv gelöscht werden kann, indem Lösch-Laserlicht auf diezum Löschen bestimmte Auf zeichnungsstelle gerichtet wird. Das Löschen kann auch durch Erwärmen der Formerinnerungslegierungs-Dünnschichten 311, 312 über ihre gesamte Oberfläche erfolgen, wobei in diesem Fall das Substrat 2 vorzugsweise hitzebeständig sein sollte.
  • Die Figuren 2 und 3 zeigen optische Aufzeichnungsmedien 1, bei denen die Aufzeichnungsschicht 3 zweilagig ausgebildet ist und aus einer Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht 31 sowie einer Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 besteht. Die Vorgänge zum Aufzeichnen und Löschen von Information sind dieselben, wie sie für das optische Aufzeichnungsmedium der Fig. 1 beschrieben worden sind. Es versteht sich, daß die in Fig. 1 gezeigte Konstruktion eine bessere Löschleistung zeigt, da sich die Formerinnerungslegierungs-Dünnschichten 311, 312 auf gegenüberliegenden Seiten der Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 befinden, so daß im wesentlichen gleiche Drücke auf die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 von entgegengesetzten Seiten her ausgeübt werden können.
  • Es ist zu bemerken, daß das optische Aufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung als wiederbeschreibbare optische Auf zeichnungsplatte verwendet werden kann, die für eine Reproduktion gemäß dem Kompakt-Disk-Standard geeignet ist, da Bereiche ohne Aufzeichnung ein Reflexionsvermögen von 75 % oder höher und Bereiche mit Aufzeichnung ein auf 40 % oder darunter reduziertes Reflexionsvermögen besitzen. Da außerdem eine solche Reflexionsvermögens-Änderung in dem Wellenlängenbereich von ca. 300 bis 900 nm durch Einstellen der Dicke der jeweiligen Dünnschichten erzielbar ist, ist eine Aufzeichnung mit kurzer Wellenlänge möglich, wobei dies zu einer höheren Aufzeichnungsdichte führt.
    • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 zeigt eine fragmentarische Querschnittsansicht eines optischen Auf zeichnungsmediums gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 2 zeigt eine fragmentarische Querschnittsansicht eines optischen Auf zeichnungsmediums gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 3 zeigt eine fragmentarische Querschnittsansicht eines optischen Auf zeichnungsmediums gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    • Beste Art und Weise zur Ausführung der Erfindung
  • Im folgenden wird nun die der Erläuterung dienende Konstruktion der vorliegenden Erfindung ausführlicher beschrieben.
  • Die Figuren 1 bis 3 zeigen optische Aufzeichnungsmedien gemäß mehreren bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.
  • Das dargestellte optische Auf zeichnungsmedium 1 besitzt eine Aufzeichnungsschicht 3, eine dielektrische Dünnschicht 4, eine reflektierende Dünnschicht 5 sowie eine Schutzschicht 6, die in der genannten Reihenfolge auf einer Oberfläche eines Substrats 2 aufgebracht sind.
    • [Substrat 2]
  • Da das optische Aufzeichnungsmedium 1 derart ausgebildet ist, daß Aufzeichnungslicht und Wiedergabelicht durch das Substrat 2 hindurch auf die Aufzeichnungsschicht 3 gerichtet wird, sollte das Substrat 2 im wesentlichen lichtdurchlässig sein. Es können verschiedene Marze, einschließlich Acrylharzen, Polycarbonatharzen, Epoxidharzen und Polyolefinharzen, sowie auch Glas verwendet werden.
  • Das Substrat 2 unterliegt hinsichtlich Form und Abmessungen keinen besonderen Einschränkungen, obwohl es im allgemeinen scheibenförmig ist und typischerweise eine Dicke von ca. 0,5 bis 3 mm und einen Durchmesser von ca. 50 bis 360 mm aufweist.
  • Falls erforderlich, kann das Substrat 2 auf der Oberfläche mit einem vorbestimmten Muster von Rillen oder dergleichen für Spurführungs- und Adressierungszwecke versehen sein.
    • [Aufzeichnungsschicht 3]
  • Die Aufzeichnungsschicht 3, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, besteht aus Formerinnerungslegierungs- Dünnschichten 311, 312 auf gegenüberliegenden Seiten einer Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32. Die in den Figuren 2 und 3 gezeigte Aufzeichnungsschicht 3 besteht aus einer Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht 31 auf einer Seite einer Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32.
  • Die Formerinnerungslegierungs-Dünnschichten 31, 311, 312 sind aus Formerinnerungslegierungen gebildet. Die Zusammensetzung der verwendeten Formerinnerungslegierung unterliegt keinen besonderen Einschränkungen, obwohl Ni-Ti-Legierungen sowie Formerinnerungslegierungen auf Kupferbasis wegen des besseren Formerinnerungsvermögens und der einfachen Merstellbarkeit bevorzugt sind. Die stärker bevorzugten Formerinnerungslegierungen auf Kupferbasis sind Cu-Zn-Al-Legierungen. Die Zusammensetzung und das Verhalten dieser Formerinnerungslegierungen sind in "Fundamentals and Industrial Technology of Copper and Copper Alloys", Japan Copper Drawing Association, Mai 1988, beschrieben.
  • Vorzugsweise besitzen die Formerinnerungslegierungs-Dünnschichten 311, 312 eine Gesamtdicke von 100 bis 1000 Å, insbesondere von 300 bis 700 Å. Wenn die Gesamtdicke unter diesem Bereich liegt, wird die Wirkung des Auslöschraums 321 beim Löschen von aufgezeichneter Information unzulänglich, wodurch es schwierig wird, das optische Aufzeichnungsmedium als wiederbeschreibbares zu verwenden. Liegt die Gesamtdicke über diesem Bereich, wird das Reflexionsvermögen aufgrund der Lichtabsorption durch die Formerinnerungslegierungs -Dünnschichten gering.
  • Die Dicke der jeweiligen Formerinnerungslegierungs- Dünnschichten 311, 312 ist geeigneterweise derart gewählt, daß ihre Gesamtdicke in dem vorstehnd definierten Bereich liegen kann, obwohl es bevorzugt ist, daß die Dicke einer Dünnschicht wenigstens ca. 30% der Gesamtdicke beträgt.
  • Bei den in den Figuren 2 und 3 gezeigten Ausführungsbeispielen, die nur eine Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht aufweisen, liegt die Dicke derselben vorzugsweise in dem selben Bereich wie die vorstehnd genannte Gesamtdicke.
  • Vorzugsweise ist die Formerinnerungslegierungsdünnschicht gebildet durch Gasphasen- Aufwachstechniken, wie z. B. Aufsputtern und Aufdampftechniken.
  • Die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 ist aus einer Wasserstoffspeicherlegierung gebildet. Die vorliegend verwendete Wasserstoffspeicherlegierung kann aus herkömmlichen Wasserstoffspeicherlegierungen ausgewählt werden, wie z. B. Legierungen auf der Basis von La-Ni und Legierungen auf der Basis von Fe-Ti, wobei es sich hierbei um bevorzugte Legierungen handelt.
  • Die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 besitzt vorzugsweise eine Dicke von 100 bis 500 Å und insbesondere von 100 bis 300 Å. Wenn die Dicke unter diesem Bereich liegt, wird der Raum 321 auf eine unzulängliche Dicke ausgebildet, wodurch eine beträchtliche Reduzierung des Reflexionsvermögens entsteht. Liegt die Dicke über diesem Bereich, ist ein ausreichendes Reflexionsvermögen aufgrund der Lichtabsorbtion durch die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht kaum zu erzielen.
  • Da die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 gemäß der vorliegenden Erfindung darin eingeschlossenen Wasserstoff enthalten sollte, ist es bevorzugt, die Wasserstoffspeicherlegierungs- Dünnschicht 32 durch reaktives Aufsputtern in einer Wasserstoffgas enthaltenden Atmosphäre zu bilden. Der Druck während des reaktiven Aufsputterns beträgt vorzugsweise von 0,5 bis 10 Pa. Vorzugsweise wird Wasserstoffgas in einer Mischung mit einem Inertgas, wie Ar, verwendet, während die Strömungsrate des Wasserstoffgases vorzugsweise im Bereich von 10 bis 50% der Gesamtgasströmungsrate liegt. Die Wasserstoffspeicherung wäre bei einer Wasserstoffgas- Strömungsrate unter diesem Bereich oft unzulänglich, während eine Wasserstoffgas-Strömungsrate über diesem Bereich den Aufsputter-Wirkungsgrad beeinträchtigen würde, indem zuviel Zeit zum Aufwachsen einer Wasserstoffspeicherlegierungs-Schicht erforderlich ist.
  • Es ist darauf hinzuweisen, daß das Vorhandensein des in der Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 erzeugten Raums 321 in indirekter Weise durch die Tatsache bestätigt wird, daß das gemessene Reflexionsvermögen im wesentlichen mit dem berechneten Reflexionsvermögen übereinstimmt, und zwar unter der Voraussetzung, daß der Raum einen Brechungsindex von ca. 1 aufweist.
    • [Dielektrische Dünnschicht 4]
  • Die dielektrische Dünnschicht 4 ist zum Zweck der Verbesserung des Reflexionsvermögens sowie zur Verstärkung einer Anderung des Reflexionsvermögens vorgesehen. Das dielektrische Material, aus dem die dielektrische Dünnschicht 4 gebildet ist, unterliegt keinen besonderen Einschränkungen, und es können Siliziumoxid wie SiO&sub2;, Siliziumnitrid wie Si&sub3;N&sub4;, verschiedene dielektrische Materialien wie LaSiON und SIALON, verschiedene Glasmaterialien sowie Si und O und/oder N enthaltende dielektrische Materialien verwendet werden.
  • Ferner sind auch solche Materialien wie SiC und ZnS nutzbar. Mischungen der vorstehend genannten Verbindungen, wie z. B. eine Mischung aus SiO&sub2; und ca. 10 bis 50 % ZnS können verwendet werden.
  • Die Dicke der dielektrischen Dünnschicht 4 unterliegt keinen besonderen Einschränkungen und kann in Übereinstimmung mit den zugehörigen Bedingungen, wie der Art des verwendeten Materials, den optischen Parametern der Formerinnerungslegierungs -Dünnschicht und der Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht sowie der Wellenlänge des Wiedergabe-Laserlichts in angemessener Weise ausgewählt werden. Im allgemeinen besitzt sie eine Dicke von 1000 bis 5000 Å und vorzugsweise von 2000 bis 3500 Å.
  • Die dielektrische Dünnschicht 4 ist vorzugsweise durch Gasphasen-Aufwachstechniken, wie Aufspüttern und Aufdampftechniken, gebildet.
    • [Reflektierende Dünnschicht 5]
  • Die reflektierende Dünnschicht 5 ist vorzugsweise aus Metallen und Legierungen mit hohem Reflexionsvermögen gebildet, wobei diese in geeigneter Weiseaus Metallen, wie Ag, Al, Au, Pt und Cu sowieaus wenigstens eines dieser Elemente enthaltenden Legierungen ausgewählt werden können.
  • Die reflektierende Dünnschicht 5 ist vorzugsweise 300 bis 1500 Å dick. Eine Dicke unter diesem Bereich schafft wahrscheinlich kein ausreichendes Reflexionsvermögen. Eine Dicke über diesem Bereich erzielt nur eine geringfügige Verbesserung des Reflexionsvermögens auf Kosten des Preises.
  • Vorzugsweise ist die reflektierende Dünnschicht 5 durch Gasphasen-Aufwachstechniken, wie Auf sputtern und Aufdampftechniken gebildet.
    • [Schutzschicht 6]
  • Die Schutzschicht 6 ist zum Zweck der Verbesserung der Kratzbeständigkeit und der Korrosionsbeständigkeit vorgesehen und ist vorzugsweise aus verschiedenen a organischen Materialien gebildet, insbesondere aus durch Strahlung härtbaren Verbindungen oder Zusammensetzungen davon, die mittels Strahlung, wie z. B. Elektronenstrahlung und ultraviolettes Licht gehärtet werden.
  • Die Schutzschicht 6 besitzt üblicherweise eine Dicke von ca. 0,1 bis 100 um. Sie kann durch herkömmliche Techniken, wie Aufschleuderbeschichten, Gravurbeschichten, Sprühbeschichten sowie Eintauchtechniken gebildet sein.
    • [Ausbildung des Mediums]
  • Es sind zwar Ausführungsbeispiele beschrieben worden, bei denen die vorliegende Erfindung bei optischen Aufzeichnungsmedien des Typs mit einseitiger Aufzeichnung verwendet wird, jedoch ist die vorliegende Erfindung auch bei optischen Aufzeichnungsmedien des Typs mit doppelseitiger Aufzeichnung anwendbar.
  • Die vorliegende Erfindung wird bei optischen Aufzeichnungsmedien des Typs mit doppelseitiger Aufzeichnung angewendet, indem man ein Paar Substrate miteinander verbindet und die Auf zeichnungsschicht 3 dazwischen einschließt.
  • Vorliegend ist auch ein Medium des Typs mit einseitiger Aufzeichnung ins Auge gefaßt, das eine Schutzplatte aufweist, die auf den Schutzfilm 6 aufgeklebt ist. Die dabei verwendete Schutzplatte kann aus demselben Material wie das Substrat 2 sein, obwohl auch andere Materialien verwendet werden können, da die Schutzplatte nicht transparent zu sein braucht.
    • BEISPIELE
  • Im folgenden werden Beispiele der vorliegenden Erfindung zum Zweck der Veranschaulichung angegeben.
    • Beispiel 1
  • Eine optische Aufzeichnungsplatte, Muster Nr. 1, wurde hergestellt durch Bilden einer Auf zeichnungsschicht 3, einer dielektrischen Dünnschicht 4, einer reflektierenden Dünnschicht 5 und einer Schutzschicht 6 aus durch UV-Licht härtbarem Marz auf einer Oberfläche eines Substrats 2. Die Aufzeichnungsschicht 3 besaß die in Fig. 1 gezeigte Konstruktion, d. h. sie bestand aus einer Wasserstoffspeicherlegierungs- Dünnschicht 32, die zwischen einem Paar Formerinnerungslegierungs-Dünnschichten 311, 312 eingeschlossen ist.
  • Bei dem verwendeten Substrat 2 handelte es sich um eine Platte mit einem Durchmesser von 133 mm und einer Dicke von 1,2 mm, wobei diese durch Spritzgießen aus Polycarbonatharz mit gleichzeitig konfigurierten Rillen gebildet wurde.
  • Jede Formerinnerungslegieruflgs-Dünnschicht wurde aus einer Cu-Zn-Al-Legierung mit einer Dicke von 250 Å durch Aufsputtern gebildet.
  • Die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 wurde aus einer Fe-Ti-Legierung mit einer Dicke von 100 Å durch reaktives HF-Aufsputtern in einerWasserstoffgas und Ar-Gas enthaltenden Atmosphäre gebildet.Der Aufsputterdruck betrug 1 Pa, die Strömungsratedes Wasserstoffgases war 2 Standard-mm/min und die Strömungsrate des Ar-Gases war 10 Standard-m³/min.
  • Die dielektrische Dünnschicht 4 wurde aus SiO&sub2; mit einer Dicke von 3000 Å durch Aufsputtern gebildet.
  • Die reflektierende Dünnschicht 5 wurde aus Ag mit einer Dicke von 500 Å durch Aufsputtern gebildet.
  • Die Schutzschicht 6 wurde durch Aufbringen eines mittels UV-Licht härtbaren Harzes durch eine Schleuderbeschichtungstechnik sowie durch Aussetzen des Harzes gegenüber UV-Licht zum Härten gebildet. Am w Ende der Härtung war sie 5 um dick.
  • Das Muster Nr. 1 wurde einem Aufzeichnungs/Wiedergabe-Vorgang unterzogen. Laserlicht mit 8 mW wurde zum Zweck der Aufzeichnung und Laserlicht 0,5 mW wurde zum Zweck der Wiedergabe darauf gerichtet. Das Laserlicht besaß eine Wellenlänge von 780 nm.
  • Die Ergebnisse ergaben, daß Bereiche ohne Aufzeichnung ein Reflexionsvermögen von 75 % und Bereiche mit Aufzeichnug ein Reflexionsvermögen von 20 % besaßen.
  • Als nächstes wurde Laserlicht mit 15 mW auf die Aufzeichnungsstelle gerichtet, die wieder reproduziert wurde, wonach festgestellt wurde, daß das Reflexionsvermögen auf 70 % zurückgekehrt war, wobei dies anzeigt, daß die aufgezeichnete Information gelöscht wurde. Nach dem Löschen wurde wiederum Aufzeichnungslaserlicht aufgebracht, wonach festgestellt wurde, daß das Reflexionsvermögen auf 20 % gesunken war, wobei dies die Möglichkeit zum Wiedereinschreiben von Information anzeigt.
    • Beispiel 2
  • Optische Aufzeichnungsplatten mit den Konstruktionen der Figuren 2 und 3 wurden in derselben Weise wie bei Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht 31 eine Dicke von 500 Å besaß.
  • Diese Muster gewährleisteten Auf zeichnungs-, Löschund Wiederaufzeichnungs-Fähigkeiten wie das Muster Nr. 1 des Beispiels 1.
    • Beispiel 3
  • Es wurden Muster von optischen Aufzeichnungsplatten in derselben Weise wie bei jedem der vorausgehenden Beispiele hergestellt, mit der Ausnahme, daß die reflektierende Dünnschicht 5 aus Al, Au, Pt, Ou oder einer wenigstens eines dieser Elemente enthaltenden Legierung gebildet war.
  • Weiterhin waren die optischen Auf zeichnungsplatten- Muster in derselben Weise wie bei den vorausgehenden Beispielen hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht 32 aus einer La-Ni-Legierung gebildet wurde.
  • Weiterhin wurden optische Aufzeichnungsplatten-Muster in derselben Weise wie bei jedem der vorausgehenden Beispiele hergestellt, mit der Ausnahme, daß die dielektrische Dünnschicht 4 aus Si&sub3;N&sub4; mit einer Dicke von 2200 Å gebildet wurde.
  • Diese Muster gewährleisteten Aufzeichnungs-, Löschund Wiederaufzeichnungs-Fähigkeiten wie die vorstehend genannten Beispiele.

Claims (7)

1. Optisches Aufzeichnungsmedium mit einer Aufzeichnungsschicht, einer dielektrischen Dünnschicht und einer reflektierenden Dünnschicht, die in der genannten Reihenfolge auf einer Oberfläche eines Substrats aufgebracht sind, wobei die Aufzeichnungsschicht eine Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht und eine Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht aufweist, die auf wenigstens einer Seite der Wasserstoffspeicherlegierungs- Dünnschicht angeordnet ist.
2. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht eine Dicke von 100 bis 1000 Å besitzt und die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht eine Dicke von 100 bis 500 Å besitzt.
3. Optisches Auf zeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder
wobei die Formerinnerungslegierungs-Dünnschicht aus einer Legierung auf der Basis von Cu-Zn-Al gebildet ist.
4. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei die Wasserstoffspeicherlegierungs-Dünnschicht aus einer Legierung auf der Basis von La-Ni oder Fe-Ti gebildet ist.
5. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei die dielektrische Dünnschicht eine Dicke von 500 bis 5000 Å besitzt.
6. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei die dielektrische Dünnschicht Si und O und/oder N enthält.
7. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei die reflektierende Dünnschicht aus einem Element gebildet ist, das aus der Gruppe bestehend aus Ag, Al, Au, Pt und Cu sowie einer wenigstens eines dieser Elemente enthaltenden Legierung ausgewählt ist.
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