DE69021217T2 - Schwachstelle eines drahtes erzeugt durch einen drahtverbinder. - Google Patents

Schwachstelle eines drahtes erzeugt durch einen drahtverbinder.

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Description

  • Die Erfindung betrifft einen Bondkopf für einen Drahtbonder und ein Verfahren zum Schwächen eines durch einen Bondkopf eines Drahtbonders zugeführten Verbindungsdrahts, das geeignet ist zum Herstellen einer Verbindung mit einem Kontakt an einem elektronischen Bauelement, wie beispielsweise IC- Chips, Chipträgern, Bauelementen, die optische Signale aussenden oder empfangen, und Leiterplatten.
  • Verbindungen mit elektronischen Bauelementen werden gewöhnlich mit Hilfe von Metalldrähten hergestellt (im allgemeinen mit Golddrähten, insbesondere hartgezogenen Golddrähten, obwohl auch Drähte verwendet werden können, die aus anderen Metallen, wie etwa Kupfer oder Aluminium bestehen), die an Kontakte an den Bauelementen ohne Verwendung anderer Materialien als denen des Kontakts und des Drahts gebondet werden, beispielsweise durch das Aufbringen von oder einer Kombination von Wärme, Druck und Schwingungen, beispielsweise durch Thermokompressionsbonden, wobei eine Kombination aus Wärme und Druck angewandt wird, oder durch Thermokompressions- und Ultraschallbonden, wobei eine Kombination aus Wärme, Druck und Schwingungen angewandt wird. Die Drähte sind an ihren oder in Richtung ihrer anderen Enden mit anderen Kontakten verbunden, häufig ebenfalls durch Thermokompressionsbonden oder eine ähnliche Technik.
  • Das Bauelement kann auf einem Substrat angebracht sein, wobei seine Kontakte nach oben weisen, und in diesem Fall erstrekken sich die Drähte im allgemeinen von einem Kontakt an dem Bauelement zu entsprechenden Kontakten an dem Substrat, die im allgemeinen um den Umfang des Bauelements herum angeordnet sind. Die Konfiguration einer mit dieser Technik hergestellten Verbindung entspricht der in US-4 417 392 beschriebenen.
  • Eine alternative Konfiguration einer Verbindung ist in der WO-A-88/04829 und der WO-A-88/09599 beschrieben, wobei Bauelemente einander zugewandt angebracht sind, wobei sich Verbindungsdrähte zwischen den jeweiligen Kontakten an den einander zugewandten Oberflächen der Bauelemente erstrecken. Die Drähte sind an dem einen Ende mit Kontakten an dem einen der Bauelemente durch Thermokompressionsbonden oder durch eine ähnliche Technik verbunden und sind bevorzugt an ihren anderen Enden mit Kontakten an dem anderen Bauelement durch Lot verbunden.
  • Wie auch immer ein Draht mit einem zweiten Bauelement verbunden ist, es muß ein an dem einen Ende mit einem elektronischen Bauelement verbundener Draht im allgemeinen auf ein gewünschte Länge abgeschnitten werden. Wenn die Verbindung die erste der vorstehend beschriebenen Konfigurationen hät, kann der Draht durchtrennt werden, nachdem er mit dem zweiten Bauelement verbunden worden ist. Wenn die Verbindung die zweite der vorstehend beschriebenen Konfigurationen hat, wird der Draht im allgemeinen durchtrennt, nachdem er mit dem Kontakt an dem ersten Bauelement verbunden worden ist, aber bevor er mit einem Kontakt an dem zweiten Bauelement verbunden worden ist. Wie in der WO-88/04829 und der WO-A-88/09599 beschrieben, kann ein Verbindungsdraht durchtrennt werden, indem er an einer Stelle geschwächt wird, die sich in einer gewünschten Entfernung von der Bondverbindung mit dem Kontakt befindet, so daß er unter einer Kraft bricht, die in einer von dem Kontakt wegführenden Richtung auf den Draht aufgebracht wird.
  • Ein Draht kann durch lokalisiertes Aufbringen von Wärme auf ihn geschwächt oder durchtrennt werden. Ein Drahtbonder, der eine Wärmequelle zum Schwächen eines Drahts aufweist, ist in der WO-A-88/04829 beschrieben (dieses Dokument beschreibt einen Bondkopf und ein Verfahren nach dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 6).
  • Die GB-A-1468974 beschreibt ein Verfahren zum Durchtrennen von Drähten, die zur Herstellung elektrischer Kontakte verwendet werden, indem ein elektrischer Funke zwischen Elektroden hindurchgeleitet wird. Die Verwendung eines elektrischen Felds innerhalb eines Bondkopfs oder das Problem der Steuerung der Streuung von geladenen Teilchen aus dem Draht wird nicht beschrieben.
  • Es ist bekannt, Wärme auf einen Draht aufzubringen, um das Material des Drahts zu schmelzen und um einen verbreiterten Bereich an dem Ende des Drahts zu bilden, durch den eine Bondverbindung mit einem Substrat hergestellt werden kann. Wärme kann durch eine Elektrode aufgebracht werden, von der man ein elektrisches Feld ausgehen und zu dem Draht verlaufen lassen kann, so daß ein Lichtbogen zwischen der Elektrode und dem Draht gezogen wird. Ein Drahtbonder, der mit einer solchen Elektrode ausgerüstet ist, wird von Kulicke und Soffa verkauft und macht von einem Lichtbogengenerator Gebrauch, der einen Kondensator aufweist, wobei die Elektrode mit einer Elektrode des Kondensators verbunden ist.
  • Diese Anordnung hat aber mehrere Nachteile; insbesondere kann es schwierig sein, die wichtigen Charakteristiken des elektrischen Felds zu steuern, wie etwa die Änderung der Spannung über die Zeit in jedem Zyklus, was in der vorliegenden Beschreibung als Wellenform des Felds bezeichnet wird. Ferner muß wegen der Forderung, daß die Energiemenge, die von dem Kondensator bei der Entladung freigesetzt wird, hoch ist, die zum Laden des Kondensators verwendete Energiequelle eine Hochspannungsquelle sein, und die Zeit, die der Kondensator zum Laden benötigt, ist unerwünscht lang, beispielsweise bis zu 300 ms.
  • Insbesondere dann, wenn ein Draht durch einen elektrischen Lichtbogen erwärmt wird, neigen geladene Teilchen im Material des Drahts dazu, von dem Draht emittiert zu werden. Es ist wünschenswert, daß die Streuung der emittierten Teilchen gesteuert wird, damit sie nicht zu der Bildung von Kurzschlüssen zwischen Kontakten an der Oberfläche von einem oder mehreren der Bauelemente führen. Insbesondere dann, wenn die Elektrode derart positioniert ist, daß der Draht an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs geschwächt wird, wie es in der WO-A-88/04829 beschrieben ist, neigt-außerdem Material des Drahts, das emittiert wird, wenn er erwärmt wird, dazu, sich an den Innenwänden des Bondkopfs zu sammeln, was unter anderem zu einem Blockieren der Passage innerhalb des Bondkopfs und zu einer unzuverlässigen Lichtbogenbildung führt.
  • Die Erfindung stellt eine Technik zum Schwächen eines an einem Kontakt an einem elektronischen Bauelement vorgesehenen Verbindungsdrahts bereit, die es ermöglicht, daß die Streuung von geladenen Teilchen, die von dem Draht emittiert werden, gesteuert wird.
  • Gemäß einem Aspekt stellt die Erfindung einen Bondkopf für einen Drahtbonder bereit, der eine ihn durchsetzende rohrförmige Passage hat, durch die ein Draht zum Bonden an einen Kontakt an einem elektronischen Bauelement zugeführt werden kann, wobei der Bondkopffolgendes aufweist:
  • (a) eine Elektrode, von der aus ein elektrisches Feld zu dem Draht, der durch den Bondkopf zugeführt wird, erzeugt werden kann; und
  • (b) einen Lichtbogengenerator, der mit der Elektrode elektrisch verbunden ist und der ein elektrisches Feld zwischen der Elektrode und dem Draht erzeugt;
  • (c) wobei die Elektrode so angeordnet ist, daß der Draht an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs dadurch geschwächt wird, daß man das elektrische Feld von der Elektrode an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs ausgehen läßt;
  • und ist dadurch gekennzeichnet, daß das Feld eine Wellenform hat, die folgendes aufweist: (i) einen ersten Bereich mit einer ersten Polarität, wobei die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht derart ist, daß ein Lichtbogen zwischen der Elektrode und dem Draht erzeugt wird, der bewirkt, daß der Draht geschwächt wird, und (ii) einen zweiten Bereich mit entgegengesetzter Polarität, um die Streuung von geladenen Teilchen, die von dem Draht emittiert werden, zu steuern, wobei die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht kleiner als die Potentialdifferenz in dem ersten Bereich ist.
  • Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Schwächen eines Verbindungsdrahts bereit, der geeignet ist, eine Verbindung mit einem Kontakt an einem elektronischen Bauelement herzustellen, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
  • (a) Zuführen von Draht durch einen Bondkopf an einem Drahtbonder, wobei der Bondkopf eine ihn durchsetzende rohrförmige Passage hat und mit einer Elektrode versehen ist, von der aus ein elektrischer Lichtbogen erzeugt werden kann, der sich von der Elektrode an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs zu dem Draht erstreckt, um den Draht an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs zu schwächen; und
  • (b) Erzeugen eines elektrischen Felds zwischen der Elektrode und dem Draht;
  • und ist dadurch gekennzeichnet, daß das Feld eine Wellenform hat, die folgendes aufweist: (i) einen ersten Bereich mit einer ersten Polarität, wobei die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht derart ist, daß ein Lichtbogen zwischen der Elektrode und dem Draht erzeugt wird, der bewirkt, daß der Draht geschwächt wird, und (ii) einen zweiten Bereich mit entgegengesetzter Polarität, um die Streuung von geladenen Teilchen, die von dem Draht emittiert werden, zu steuern, wobei die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht kleiner als die Potentialdifferenz in dem ersten Bereich ist.
  • Die Bondverbindung zwischen dem Draht und dem Kontakt kann zwischen der Umfangsoberfläche des Drahts und dem Kontakt gebildet werden, wobei der Draht angrenzend an den gebondeten Bereich gebogen wird, so daß er sich von dem Kontakt weg erstreckt. Diese Technik ist im allgemeinen als Keilbonden bekannt.
  • Stärker bevorzugt wird die Bondverbindung jedoch zwischen dem Ende des Drahts und dem Kontakt gebildet. Diese Technik umfaßt im allgemeinen das Erwärmen des Drahts an oder nahe seinem Ende, um eine Kugel zu bilden. Die Bondverbindung wird dann zwischen der Kugel und dem Kontakt gebildet. Diese Technik ist im allgemeinen als Kugelbonden bekannt.
  • Die Beschaffenheit des Bondkopfs wird von der Beschaffenheit der damit herzustellenden Bondverbindung bestimmt. Wenn der Bondkopf dazu dient, eine Kugelbondverbindung herzustellen, ist er im allgemeinen eine "Kapillare". Wenn der Bondkopf dazu dient, eine Keilbondverbindung herzustellen, ist er im allgemeinen ein "Keil", wobei diese Begriffe in der Technik anerkannte Bedeutungen haben.
  • Die Elektrode ist so angeordnet, daß der Draht an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs im allgemeinen dadurch geschwächt wird, daß man das elektrische Feld von der Elektrode an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs ausgehen läßt; beispielsweise kann bei einer bevorzugten Anordnung die Elektrode in einer Öffnung in der Wand des Bondkopfs positioniert sein, die mit der rohrförmigen Passage, durch die der Draht zugeführt wird, in Verbindung steht. Das Schwächen des Drahts innerhalb des Bondkopfs hat wesentliche Vorteile. Beispielsweise ermöglicht es, daß die Drähte reproduzierbar auf eine gewünschte Länge abgeschnitten werden, indem der Bondkopf auf den Kontakt, mit dem der Draht verbunden ist, oder auf einen verbreiterten Bereich des Drahts in der Nähe des Kontakts aufgelegt wird. Das Abschneiden des Drahts mit dem Bondkopf in dieser Position stellt sicher, daß der Draht eine vorbestimmte Länge, gemessen von dem Kontakt oder von einer Stelle unmittelbar über dem verbreiterten Bereich des Drahts, hat. Dies kann wichtig sein, wenn es erforderlich ist, Drähte genau auf eine gewünschte Länge abzuschneiden, was bei Verbindungen mit der in der WO-A-88/04829 beschriebenen Konfiguration der Fall ist.
  • Die Verwendung eines elektrischen Felds mit einer Wellenform, die zwei Bereiche aufweist, wobei ein Bondkopf eine innere Elektrode besitzt, hat den Vorteil, daß Material des Drahts, das infolge des Erwärmens durch den erzeugten Lichtbogen emittiert wird, dazu neigt, sich an der Elektrode anstatt an der Oberfläche des Bauelements, an das der Draht gebondet wird, oder insbesondere an der inneren Oberfläche des Bondkopfs zu sammeln.
  • Das Ansammeln von Material des Drahts an der inneren Oberfläche des Bondkopfs hat den wesentlichen Nachteil, daß sich der Lichtbogen, der durch den Bondkopf zugeführten Draht abschneiden soll, zwischen der Elektrode und emittiertem Drahtmaterial erstrecken kann, das sich an der inneren Oberfläche des Bondkopfs angesammelt hat, anstatt sich zwischen der Elektrode und dem eigentlichen Draht auszubilden. Dies kann die Genauigkeit, mit der der Draht auf eine gewünschte Länge durchtrennt werden kann, erheblich verringern, und in extremen Fällen kann es dazu führen, daß der Lichtbogen unfähig ist, den Draht zu schwächen. Außerdem kann es zu einem Blokkieren der rohrförmigen Passage innerhalb des Bondkopfs führen.
  • Das Ansammeln von Material, das von dem Draht an der Elektrode emittiert wird, die verwendet wird, um den Draht zu schwächen, hat den zusätzlichen Vorteil, daß emittiertes Material von dem Bondkopf entfernt werden kann, indem einfach die Elektrode entfernt und durch eine saubere Elektrode ersetzt wird; infolgedessen wird die Häufigkeit, mit der es erforderlich ist, wegen der Ansammlung von Drahtmaterial den Bondkopf innen zu reinigen oder auszuwechseln, erheblich verringert.
  • Es wird bevorzugt, daß der Bondkopf auch eine zweite Elektrode aufweist, von der ausgehend ein elektrisches Feld zu dem Draht an einer Stelle außerhalb der rohrförmigen Passage erzeugt werden kann. Das Verfahren der Erfindung kann die folgenden Schritte aufweisen: Weiterführen des Endes des Drahts über das Ende der rohrförmigen Passage hinaus, nachdem er durchtrennt worden ist, und Bilden eines verbreiterten Bereichs an dem Ende des Drahts, und der verbreiterte Bereich kann durch Erzeugen eines Lichtbogens zwischen dem Draht und der zweiten Elektrode gebildet werden. Es wird besonders bevorzugt, daß die Wellenform des Felds zwischen der zweiten Elektrode und dem Draht derart ist, daß die Elektrode ein positives Potential relativ zu dem Draht hat.
  • Die Elektrode kann aus einen Draht aus einem Material bestehen, das wegen seiner Fähigkeit ausgewählt wird, den hohen Temperaturen standzuhalten, denen es ausgesetzt ist, während der Lichtbogen besteht, wobei Wolfram ein Beispiel für ein geeignetes Material ist. Die durch einen Draht gebildete Elektrode kann in einer Öffnung in der Wand des Bondkopfs positioniert sein. Elektroden können auch hergestellt sein durch Überzüge aus leitendem Material auf einer Oberfläche des Bondkopfs, beispielsweise durch einen Streifen aus einem leitenden Anstrich, oder durch galvanisch abgeschiedenes Material, das an einer inneren Oberfläche des Bondkopfs, beispielsweise einer Oberfläche einer Öffnung in der Wand des Bondkopfs, vorgesehen sein kann.
  • Die Elektrode, die verwendet wird, um den Draht zu schwächen, kann an mehr als einer Stelle um den Draht herum einen Lichtbogen erzeugen. Beispielsweise kann sie an zwei diametral entgegengesetzten Stellen auf entgegengesetzten Seiten des Drahts, der aus zwei elektrisch miteinander verbundenen Drähten gebildet ist, den Lichtbogen erzeugen, oder sie kann die Form eines Rings haben, durch den der Draht verläuft. Bevorzugt ist die Anordnung der Elektrode um den Draht herum ungefähr symmetrisch. Die Verwendung einer Elektrode, die an mehr als einer Stelle um den Draht herum einen Lichtbogen erzeugen kann, hat den Vorteil, daß der Draht gleichmäßiger geschwächt wird, und sie kann eine Änderung in der Wirkung des Lichtbogens auf den Draht dadurch verringern, daß der Draht fähig ist, sich in der rohrförmigen Passage seitlich zu bewegen.
  • Es wird bevorzugt, daß der Innendurchmesser der rohrförmigen Passage in dem Bondkopf über eine Strecke an jeder Seite der Stelle konstant ist, an der der Draht geschwächt ist, stärker bevorzugt über eine Strecke von mindestens ungefähr , insbesondere mindestens ungefähr 2,5x, ganz besonders mindestens ungefähr 4x, wobei der Innendurchmesser der Passage an der Stelle ist, an der die Öffnung und die Passage Zusammentreffen. Es wurde gefunden, daß dieses Merkmal zu der Genauigkeit beiträgt, mit der der Draht abgeschnitten werden kann, da der Draht weniger fähig ist, sich in der rohrförmigen Passage seitlich zu bewegen, als in einem herkömmlichen Bondkopf, bei dem die rohrförmige Passage von einer Stelle aus nach außen erweitert ist, die sich in einer geringen Entfernung über der Öffnung befindet, durch die der Draht aus der Passage austritt.
  • Bevorzugt weist der Lichtbogengenerator einen Kondensator auf, der so angeordnet ist, daß er durch einen Transformator entladen wird. Diese Anordnung kann verwendet werden, um ein elektrisches Feld mit einer Wellenform zu erzeugen, das zwei Bereiche mit unterschiedlichen Polaritäten aufweist. Es hat den Vorteil, daß Einzelheiten der Wellenform, wie etwa die Peak-Spannung und die Dauer jedes Bereichs geändert werden können, indem einfach die Induktivität des Transformators oder die Kapazität des Kondensators oder beide auf eine bekannte Weise geändert werden; solche Änderungen können auch genutzt werden, um die Energie zu ändern, die freigesetzt wird, wenn der Lichtbogen erzeugt wird. Diese Anpassungsfähigkeit gestattet die Verwendung eines einzigen Lichtbogengenerators, um Lichtbögen mit Charakteristiken zu erzeugen, die geeignet sind, um unterschiedliche Drähte, beispielsweise Drähte von unterschiedlicher Größe oder aus unterschiedlichen Materialien oder beidem, auf eine zuverlässige und reproduzierbare Weise zu schwächen.
  • Ferner kann der Transformator verwendet werden, um die Peak- Spannung des von dem Kondensator emittierten Signals ansteigen zu lassen, was die Verwendung eines Kondensators gestattet, der eine relativ kleine Kapazität hat. Infolgedessen kann eine Energiequelle mit relativ niedriger Spannung verwendet werden, um den Kondensator zu laden, und die Zeit, die benötigt wird, um den Kondensator zu laden, nachdem er entladen worden ist, kann nur 30 us betragen.
  • Bevorzugt erzeugt der Lichtbogengenerator ein elektrisches Feld mit einer Wellenform, bei der in dem ersten Bereich der Welle die Elektrode ein positives Potential relativ zu dem Draht hat. Dies hat den Vorteil, daß die Spannung, die erforderlich ist, um einen Lichtbogen zwischen dem Draht und der Elektrode zu erzeugen, niedriger als diejenige ist, die erforderlich ist, wenn die Elektrode zu Beginn ein negatives Potential relativ zu dem Draht hat. Infolgedessen kann die Energie, die verbraucht wird, um den Draht zu schwächen, geringer sein, und der Draht wird in einem sehr viel geringeren Ausmaß geschmolzen, was es ermöglicht, daß das Schwächen des Drahts gesteuert wird, und es ermöglicht, daß der Draht auf eine besonders saubere Weise abgeschnitten wird. Die anschließende Polaritätsumkehr stellt sicher, daß alle positiv geladenen Teilchen, die von dem Draht dadurch emittiert werden, daß er dem Lichtbogen ausgesetzt ist, zu der Elektrode hin angezogen werden und sich nicht auf einer Oberfläche des Bondkopfs ansammeln. Material des Drahts, das sich an der Elektrode ansammelt, wird zerstreut, wenn ein anschließender Lichtbogen erzeugt wird. Anderes angesammeltes Material des Drahts kann durch Auswechseln der Elektrode entfernt werden.
  • Der Lichtbogengenerator kann ein elektrisches Feld mit einer Wellenform erzeugen, bei der in dem ersten Bereich der Welle die Elektrode ein negatives Potential relativ zu dem Draht hat. Dies hat den Vorteil, daß der Draht auf eine besonders saubere Weise durchtrennt werden kann, ohne dazu zu führen, daß die freien Enden des durchtrennten Drahts verbreitert werden, was häufig geschehen kann, wenn die Anordnung mit entgegengesetzter Polarität verwendet wird. Die anschließende Polaritätsumkehr kann sicherstellen, daß eine Streuung von positiv geladenen Teilchen, die von der Oberfläche des Drahts aufgrund des elektrischen Felds emittiert werden, auf eine solche Weise gesteuert wird, daß sich die Teilchen an der Oberfläche des Drahts ansammeln.
  • Die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht in dem ersten Bereich der Welle ist derart gewählte daß sie zu der Erzeugung eines Lichtbogens zwischen der Elektrode und dem Draht führt, was bewirkt, daß der Draht infolge von lokalisiertem Erwärmen des Drahts geschwächt wird. Es wird bevorzugt, daß die Peak-Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht in dem ersten Bereich der Welle mindestens ca. 1000 V, stärker bevorzugt mindestens ca. 1500 V, beispielsweise ca. 2000 V beträgt, wobei höhere Spannungen bevorzugt werden, wenn das von dem Lichtbogengenerator erzeugte elektrische Feld eine Wellenform hat, bei der in dem ersten Bereich der Welle die Elektrode ein negatives Potential relativ zu dem Draht hat.
  • Die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht in dem zweiten Bereich der Welle ist im allgemeinen kleiner als diejenige in dem ersten Bereich der Welle, da es im allgemeinen nicht erforderlich ist, daß sie zu der Erzeugung eines Lichtbogens-zwischen der Elektrode und dem Draht führt; häufig ist es sogar wünschenswert, daß kein Lichtbogen erzeugt wird. Die Potentialdifferenz ist bevorzugt kleiner als ungefähr die Hälfte derjenigen in dem ersten Bereich der Welle. Bevorzugt ist die Peak-Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht in dem zweiten Bereich der Welle kleiner als ca. 600 V, beispielsweise ca. 475 V.
  • Die Dauer des ersten Bereichs der Welle ist im allgemeinen so kurz wie möglich, um die Emission von geladenen Teilchen von dem Draht infolge eines Erwärmens durch den Lichtbogen zu minimieren, aber im Einklang mit der Forderung, daß der Draht in einem ausreichenden Ausmaß geschwächt wird, beispielsweise so, daß er unter einer aufgebrachten Kraft bricht. Es wurde gefunden, daß die Emission von geladenen Teilchen von einem Golddraht beginnt, nachdem dieser einem elektrischen Feld von ca. 2000 V für ca. 15 us ausgesetzt worden ist. Um den Draht signifikant zu schwächen, ist es jedoch erforderlich, ihn dem Feld für mindestens ca. 1 ms auszusetzen. Die Streuung von geladenen Teilchen, die während der letzteren Phasen einer solchen langen Einwirkung des elektrischen Felds emittiert werden, wird durch die anschließende Polaritätsumkehr des Felds gesteuert.
  • Die Dauer des zweiten Bereichs der Welle ist so kurz wie möglich, um die Taktzeit für den Lichtbogengenerator zu minimieren, aber im Einklang mit der Forderung, daß genügend viele von dem Draht emittierte geladene Teilchen eingefangen werden. Im allgemeinen ist die Dauer des zweiten Bereichs der Welle länger als diejenige des ersten Bereichs, bevorzugt mindestens ungefähr das Vierfache derjenigen des ersten Bereichs.
  • Der Verfahrensschritt des Schwächens des Drahts kann das unmittelbare Durchtrennen des Drahts umfassen. Alternativ kann der Draht durchtrennt werden, indem er an einer Stelle in einer gewünschten Entfernung von der Bondverbindung mit dem Kontakt auf eine solche Weise geschwächt wird, daß er unter einer aufgebrachten Kraft an der Stelle, an der er geschwächt worden ist, bricht. Bevorzugt umfaßt das Verfahren zunächst das Schwächen, so daß er bricht, wenn anschließend eine Kraft aufgebracht wird. Alternativ kann die Kraft auf den Draht aufgebracht werden, der dann während des Aufbringens der Kraft geschwächt wird. Die Kraft, die auf den Draht aufgebracht wird, reicht aus, um den Draht an der Stelle zu brechen, an der er geschwächt worden ist, sie sollte aber nicht so groß sein, daß die Bondverbindung zwischen dem Draht und dem Kontakt bricht. Die Kombination des Aufbringens von Kraft auf den Draht und des anschließenden Schwächens, um ihn dazu zu veranlassen, an einer vorbestimmten Stelle zu brechen, hat den Vorteil, daß es eine besonders zweckdienliche Weise ist, Drähte mit einer reproduzierbaren Länge zu brechen.
  • Bevorzugt weist das Verfahren den Schritt des Bondens des Drahts an einen Kontakt an einem elektronischen Bauelement auf. Stärker bevorzugt wird der Draht ohne die Verwendung eines Materials, das weder das Material des Kontakts noch das Material des Drahts ist, an den Kontakt gebondet.
  • Bevorzugt weist das Verfahren den Schritt des Aufbringens einer Kraft auf den Draht in einer von dem Kontakt wegführenden Richtung auf, wobei die Kraft bewirkt, daß der Draht an der Stelle durchtrennt wird, an der er geschwächt worden ist.
  • Der Draht, der verwendet wird, um Verbindungsdrähte gemäß der Erfindung zu bilden, ist so fein wie möglich, aber im Einklang mit den mechanischen und elektrischen Forderungen, die im Gebrauch an ihn gestellt werden, und mit den Forderungen für seine Handhabung und sein Bonden an die Kontakte. Im allgemeinen ist der Draht im wesentlichen rund und hat einen Durchmesser von weniger als ca. 375 um, bevorzugt weniger als ca. 250 um. Ein besonders bevorzugter Draht hat einen Durchmesser von ca. 12 um bis ca. 125 um, insbesondere von ca. 25 um bis ca. 75 um.
  • Der Kontakt an der Oberfläche des Bauelements, mit dem der Verbindungsdraht verbunden oder zu verbinden ist, kann beispielsweise in Form einer Kontaktierungsinsel oder ein Ende einer Leiterbahn sein, die parallel oder senkrecht (oder unter einem Winkel dazwischen) zu der Oberfläche verläuft, wie etwa ein Durchkontaktloch. Er kann vertieft, koplanar mit der umgebenden Oberfläche des Bauelements sein, oder er kann von der Oberfläche abstehen.
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend beispielsweise unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben; die Zeichnungen zeigen in:
  • Fig. 1 bis 4 schematische Darstellungen des Bondkopfs eines Drahtbonders und eines elektronischen Bauelements, wobei aufeinanderfolgende Schritte bei einem Verfahren gezeigt sind, durch das Verbindungsdrähte an Kontakten an dem elektronischen Bauelement vorgesehen werden;
  • Figur 5 ein schematisches Schaltbild einer Schaltung, die in einem Lichtbogengenerator verwendet werden kann; und
  • Figuren 6 bis 8 Wellenformen, die von dem Lichtbogengenerator erzeugt werden können.
  • In den Zeichnungen zeigt Figur 1 einen Bondkopf 1 eines Drahtbonders, der eine ihn durchsetzende rohrförmige Passage 3 hat, durch die Golddraht 5 zum Bonden an einen Kontakt 7 an einem elektronischen Bauelement 9 zugeführt wird. Eine Elektrode 11 in Form eines Wolframdrahts ist in einer Öffnung in der Wand des Bondkopfs vorgesehen, um ein elektrisches Feld zwischen ihr und dem Draht zu erzeugen. Auf jeder Seite der Öffnung, in der die Elektrode 11 positioniert ist, ist der Innendurchmesser der rohrförmigen Passage so ausgebildet, daß er über eine Strecke, die größer als 2,5x ist, konstant ist, wobei der Innendurchmesser der Passage an der Stelle ist, an der die Öffnung und die Passage zusammentreffen.
  • Der Draht 5 hat an dem Ende, das sich von dem Bondkopf 1 aus erstreckt, einen verbreiterten Bereich 13, der auf dem Kontakt 7 liegt. Eine Bondverbindung wird zwischen dem verbreiterten Bereich 13 des Drahts und dem Kontakt 7 gebildet, ohne daß ein anderes Material als die Materialien des Kontakts und des Drahts verwendet wird, und zwar durch Aufbringen von Wärme und Druck auf den Kontakt 7 durch den verbreiterten Bereich 13 des Drahts und den Bondkopf 1, d. h. durch Thermokompressionsbonden. Figur 2 zeigt das Bauelement 9, wobei der Draht 5 an den Kontakt 7 gebondet ist.
  • Der Draht 5 wird dadurch durchtrennt, daß er an einer Stelle in einer gewünschten Entfernung von der Bondverbindung mit dem Kontakt 7 geschwächt und daß dann Kraft in einer von dem Kontakt wegführenden Richtung aufgebracht wird. Der Draht wird geschwächt, indem ein elektrisches Feld zwischen ihm und der Elektrode 11 erzeugt wird, das eine Wellenform hat, die einen ersten Bereich aufweist, in dem die Elektrode ein negatives Potential relativ zu dem Draht hat, und die derart ist, daß ein Lichtbogen zwischen der Elektrode und dem Draht erzeugt wird, der bewirkt, daß der Draht geschwächt wird. Die Wellenform weist einen zweiten Bereich auf, in dem die Elektrode ein positives Potential relativ zu dem Draht hat, um die Streuung von geladenen Teilchen von dem Draht zu steuern. Charakteristiken des Lichtbogengenerators, der verwendet wird, um elektrische Felder mit geeigneten Wellenformen zu erzeugen, werden nachstehend erläutert. Figur 3 zeigt das Bauelement 9, wobei der Draht 5 an den Kontakt 7 gebondet ist und der Draht an einer Stelle in einer gewünschten Entfernung von der Bondverbindung mit dem Kontakt geschwächt worden ist.
  • Um den Draht 5 zu durchtrennen, wird eine Kraft auf ihn aufgebracht, indem er in dem Bondkopf 1 festgeklemmt und der Bondkopf dann von dem Kontakt 7 wegbewegt wird. Der resultierende Verbindungsdraht 17 ist in Figur 4 gezeigt. Nach dem Bilden eines Verbindungsdrahts kann der Bondkopf 1 über einem anderen Kontakt 15 an dem Bauelement 9 positioniert werden, an dem ein weiterer Verbindungsdraht zu bilden ist. Bevor die vorstehenden Schritte wiederholt werden können, ist es erforderlich, einen verbreiterten Bereich an dem Ende des Drahts 5 zu bilden, das sich durch das Abbrechen des Drahts nach der Bildung des vorherigen Verbindungsdrahts 17 ergeben hat. Zu diesem Zweck weist der Bondkopf 1 eine zweite Elektrode 19 auf, von der ausgehend ein elektrisches Feld zu dem Draht 5 an einer Stelle außerhalb der rohrförmigen Passage 3 erzeugt werden kann. Der verbreiterte Bereich wird gebildet, indem zunächst das Ende des Drahts 5 über das Ende der rohrförmigen Passage 3 hinaus weitergeführt und ein elektrisches Feld zwischen der zweiten Elektrode 19 und dem freiliegenden Ende des Drahts erzeugt wird, so daß zwischen ihnen ein Lichtbogen gezogen wird. Die Wellenform des Felds ist derart, daß die Elektrode ein positives Potential relativ zu dem Draht hat.
  • Figur 5 ist ein schematisches Schaltbild einer Schaltung, die in einem Lichtbogengenerator verwendet werden kann, um einen Lichtbogen zwischen einem Bonder zum Drahtbonden und einem Draht zu erzeugen, der sich durch den Bondkopf hindurch erstreckt. Die Charakteristiken von Bauelementen der Schaltung, wie etwa der Widerstände, Kondensatoren, Transistoren und Transformatoren, sind so gewählt, daß Lichtbögen mit einer gewünschten Wellenform erzeugt werden. Die Schaltung weist einen Kondensator 1 auf, der durch zwei HF-Transformatoren 3 und einen Hochspannungstransformator 5 entladen wird. Die Schaltung weist ferner zwei HF-Transistoren 7 mit kleiner Ausgangsleistung (ca. 2 W) und zwei HF-Transistoren 9 mit großer Ausgangsleistung (ca. 30 W) auf.
  • Figur 6 zeigt die Wellenform eines Lichtbogens, der verwendet werden kann, um einen Golddraht mit einem Durchmesser von ca. 25 um zu schwächen. In dem ersten Bereich der Welle hat die Elektrode ein negatives Potential relativ zu dem Draht.
  • Figur 7 zeigt die Wellenform eines Lichtbogens, der verwendet werden kann, um einen Golddraht mit einem Durchmesser von ca. 45 um zu schwächen. In dem ersten Bereich der Welle hat die Elektrode ein negatives Potential relativ zu dem Draht.
  • Figur 8 zeigt die Wellenform eines Lichtbogens, der verwendet werden kann, um einen Golddraht mit einem Durchmesser von ca. 75 us zu schwächen. In dem ersten Bereich der Welle hat die Elektrode ein negatives Potential relativ zu dem Draht.

Claims (10)

1. Bondkopf (1) für einen Drahtbonder, der eine ihn durchsetzende rohrförmige Passage (3) hat, durch die ein Draht (5) zum Bonden an einem Kontakt (7) an einem elektronischen Bauelement (9) zugeführt werden kann, wobei der Bondkopf folgendes aufweist:
(a) eine Elektrode (11), von der aus ein elektrisches Feld zu dem Draht, der durch den Bondkopf zugeführt wird, erzeugt werden kann; und
(b) einen Lichtbogengenerator, der mit der Elektrode elektrisch verbunden ist und der ein elektrisches Feld zwischen der Elektrode und dem Draht erzeugt;
(c) wobei die Elektrode so angeordnet ist, daß der Draht an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs dadurch geschwächt wird, daß man das elektrische Feld von der Elektrode an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs ausgehen läßt,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Feld eine Wellenform hat, die folgendes aufweist:
(i) einen ersten Bereich mit einer ersten Polarität, wobei die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht derart ist, daß ein Lichtbogen zwischen der Elektrode und dem Draht erzeugt wird, der bewirkt, daß der Draht geschwächt wird, und
(ii) einen zweiten Bereich mit entgegengesetzter Polarität, um die Streuung von geladenen Teilchen, die von dem Draht emittiert werden, zu steuern, wobei die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht kleiner als die Potentialdifferenz in dem ersten Bereich ist.
2. Bondkopf nach Anspruch 1, bei dem der Lichtbogengenerator einen Kondensator (1) aufweist, der durch einen Transformator entladen wird.
3. Bondkopf nach Anspruch 1, bei dem in dem ersten Bereich der Welle die Elektrode ein positives Potential relativ zu dem Draht hat.
4. Bondkopf nach Anspruch 1, bei dem die Peak-Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dein Draht in dem zweiten Bereich der Welle kleiner als die in ihrem ersten Bereich ist.
5. Bondkopf nach Anspruch 4, bei dem die Peak-Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht in dem zweiten Bereich der Welle kleiner als die Hälfte derjenigen in dem ersten Bereich ist.
6. Verfahren zum Schwächen eines Verbindungsdrahts (5), der geeignet ist, um eine Verbindung mit einem Kontakt (7) an einem elektronischen Bauelement (9) herzustellen, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
(a) Zuführen von Draht durch einen Bondkopf (1) an einein Drahtbonder, wobei der Bondkopf eine ihn durchsetzende rohrförmige Passage (3) hat und mit einer Elektrode (11) versehen ist, von der aus ein elektrischer Lichtbogen erzeugt werden kann, der sich von der Elektrode an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs zu dem Draht erstreckt, um den Draht an einer Stelle innerhalb des Bondkopfs zu schwächen; und
(b) Erzeugen eines elektrischen Felds zwischen der Elektrode und dem Draht, dadurch gekennzeichnet,
daß das Feld eine Wellenform hat, die folgendes aufweist:
(i) einen ersten Bereich mit einer ersten Polarität, wobei die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht derart ist, daß ein Lichtbogen zwischen der Elektrode und dem Draht erzeugt wird, der bewirkt, daß der Draht geschwächt wird, und
(ii) einen zweiten Bereich mit entgegengesetzter Polarität, um die Streuung von geladenen Teilchen, die von dem Draht emittiert werden, zu steuern, wobei die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Draht kleiner als die Potentialdifferenz in dem ersten Bereich ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Dauer des zweiten Bereichs der Welle größer als die ihres ersten Bereichs ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Dauer des zweiten Bereichs der Welle mindestens etwa das Vierfache von dem ihres ersten Bereichs ist.
9. Verfahren nach Anspruch 6, das die folgenden Schritte aufweist:
Durchtrennen der geschwächten Verbindung, Weiterführen des Endes des Drahts über das Ende der rohrförmigen Passage hinaus, nachdem der Draht durchtrennt worden ist, und
Bilden eines verbreiterten Bereichs an dem Ende des Drahts.
10. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Bondkopf eine zweite Elektrode aufweist, von der aus ein elektrisches Feld zu dem Draht an einer Stelle außerhalb der rohrförmigen Passage erzeugt werden kann, und bei dem das Verfahren den folgenden Schritt aufweist: Bilden des verbreiterten Bereichs an dem Ende des Drahts durch Erzeugen eines Lichtbogens zwischen dem Draht und der zweiten Elektrode.
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DE (1) DE69021217T2 (de)
WO (1) WO1991008857A1 (de)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5176310A (en) * 1988-11-28 1993-01-05 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for wire bond
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5820014A (en) 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
US6836962B2 (en) 1993-11-16 2005-01-04 Formfactor, Inc. Method and apparatus for shaping spring elements
US7200930B2 (en) * 1994-11-15 2007-04-10 Formfactor, Inc. Probe for semiconductor devices
US7084656B1 (en) 1993-11-16 2006-08-01 Formfactor, Inc. Probe for semiconductor devices
US5601740A (en) * 1993-11-16 1997-02-11 Formfactor, Inc. Method and apparatus for wirebonding, for severing bond wires, and for forming balls on the ends of bond wires
US6442831B1 (en) 1993-11-16 2002-09-03 Formfactor, Inc. Method for shaping spring elements
KR100394205B1 (ko) * 1994-11-15 2003-08-06 폼팩터, 인크. 시험된 반도체 장치 및 시험된 반도체 장치의 제조방법
KR100269706B1 (ko) * 1995-05-26 2000-10-16 이고르 와이. 칸드로스 와이어본딩, 와이어절단 및 본드와이어에 볼을 형성하는 방법 및 와이어본더
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US6133540A (en) * 1998-08-03 2000-10-17 International Business Machines Corporation Apparatus and method for producing punch pin with spherical head
US6644428B2 (en) * 2001-06-04 2003-11-11 Meritor Heavy Vehicle Technology, Llc Automatic axle traction control
US6523255B2 (en) * 2001-06-21 2003-02-25 International Business Machines Corporation Process and structure to repair damaged probes mounted on a space transformer
US20030176022A1 (en) * 2002-03-13 2003-09-18 Kurt Waldner Tool and method for welding to IC frames
US20050006862A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 Marvin Courson Cart for operating lawn equipment
US7227095B2 (en) * 2003-08-06 2007-06-05 Micron Technology, Inc. Wire bonders and methods of wire-bonding
CN101053079A (zh) 2004-11-03 2007-10-10 德塞拉股份有限公司 堆叠式封装的改进
SG133508A1 (en) * 2005-12-06 2007-07-30 Asm Tech Singapore Pte Ltd Capillary for a bonding tool
US8058101B2 (en) * 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US9349706B2 (en) * 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9530749B2 (en) 2015-04-28 2016-12-27 Invensas Corporation Coupling of side surface contacts to a circuit platform
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US10043779B2 (en) 2015-11-17 2018-08-07 Invensas Corporation Packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3431384A (en) * 1965-09-24 1969-03-04 Sperry Rand Corp Means for cutting wire by wire-melting electrical pulses
US3950631A (en) * 1970-06-19 1976-04-13 U.S. Philips Corporation Device for welding a wire by means of thermo-compression bonding
GB1468974A (en) * 1975-05-23 1977-03-30 Ferranti Ltd Manufacture of semiconductor devices
JPS53123663A (en) * 1977-04-04 1978-10-28 Mitsubishi Electric Corp Cutting device of metal thin wire
US4417392A (en) * 1980-05-15 1983-11-29 Cts Corporation Process of making multi-layer ceramic package
JPS5764944A (en) * 1980-10-08 1982-04-20 Hitachi Ltd Forming and bonding methods for ball of metallic wire
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
EP0376924A3 (de) * 1987-05-21 1990-08-22 RAYCHEM CORPORATION (a Delaware corporation) Gold-Kompressionsverbindung

Also Published As

Publication number Publication date
DE69021217D1 (de) 1995-08-31
EP0506786A1 (de) 1992-10-07
EP0506786B1 (de) 1995-07-26
US5095187A (en) 1992-03-10
ATE125480T1 (de) 1995-08-15
JPH05502335A (ja) 1993-04-22
CA2071219A1 (en) 1991-06-21
WO1991008857A1 (en) 1991-06-27

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