DE68918576T4 - Verfahren zur erniedrigung der dielektrizitätskonstante von polyimiden mit hilfe von diaminosäurezusätzen. - Google Patents
Verfahren zur erniedrigung der dielektrizitätskonstante von polyimiden mit hilfe von diaminosäurezusätzen.Info
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Description
- Die Erfindung, welche hierin beschrieben ist, wurde von Angestellten der Regierung der Vereinigten Staaten gemacht, und kann durch oder für die Regierung zu Regierungszwecken hergestellt oder verwendet werden, ohne hierfür Lizenzgebühren zu zahlen.
- Lineare aromatische Kondensationspolyimide werden zunehmend als Hochleistungsfilm- und Beschichtungsmaterialien von der Elektronikindustrie verwendet. Wie bei Senturia, Proc. of ACS Polym. Matls. Sci. and Eng., Band 55, 385 (1986) zitiert, werden Polyimide für vier Hauptanwendungen auf dem Gebiet der Mikroelektronik verwertet: (1) als Fabrikationshilfen wie z.B. Photoresists, Planarisierungsschichten und Ionenimplantationsmasken; (2) als passivierende Deckschichten und Zwischenschichtisolatoren; (3) als Klebstoffe; und (4) als Substratbestandteile. Von äußerster Wichtigkeit für die Leistungsfähigkeit eines Polyimides, welches für elektronische Anwendungen verwendet wird, ist sein elektrisches Verhalten. Besonders, um als ein Passivierungsmittel oder eine schützende Deckschicht nützlich zu sein, muß das Material ein ausgezeichneter Isolator sein.
- Die Dielektrizitätskonstanten von kommerziell erhältlichen Polyimiden, welche derzeit als Materialien nach dem Stand der Technik für Passivierungsmittel und Zwischenschicht-Dielektrika verwendet werden, reichen von ungefähr 3,2 bis 4,0 (abhängig von Frequenz und Feuchtigkeitsgehalt). Die untere Grenze von 3,2 wird bei einem kommerziellen Polyimidfilm (Kapton H-Film von E.I. DuPont de Nemours and Company) nur erhalten, nachdem er vollständig getrocknet ist. Unglücklicherweise erhöht sich die Dielektrizitätskonstante, wenn der Film oder die Beschichtung Feuchtigkeit absorbiert, was Messungen und Betrieb von elektrischen Vorrichtungen kompliziert macht.
- Durch die vorliegende Erfindung werden aromatische Kondensationspolyimidfilme und -beschichtungen hergestellt, welche Dielektrizitätskonstanten haben, die durch die Beimengung von Diamidsäure-Zusätzen (diamic acid additives) erniedrigt wurden. Die Verwendung von Zusätzen mit niedrigem Molekulargewicht, wurde im U.S.-Patent 5,116,939 von James C. Fletcher et al., "Polyimide Processing Additives", Aktenzeichen 084,064, angemeldet am 11. August 1987, beschrieben. Diese Zusätze wurden verwendet, um die Schmelzviskosität von thermoplastischen Polyimiden zu senken.
- Die Beimengung der Diamidsäure-Zusätze der vorliegenden Erfindung in Polyimide hat Materialien zur Verfügung gestellt, die bessere elektrische Isolatoren sind als kommerzielle Polyimide nach dem Stand der Technik. Es wird erwartet, daß diese Polyimide mit niedrigen dielektrischen Konstanten sich für sowohl industrielle als auch Raumfahrtanwendungen, wo eine hohe elektrische Isolierung, mechanische Stärke und thermische Stabilität benötigt wird, als Film- und Beschichtungsmaterialien als nützlich erweisen werden.
- Demgemäß ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, um die Dielektrizitätskonstante eines aromatischen Kondensationspolyimids zu erniedrigen.
- Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, um aromatische Kondensationspolyimidf ilme und -beschichtungen herzustellen, welche Dielektrizitätskonstanten in dem Bereich von 2,4 bis 3,2 aufweisen.
- Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, um die Dielektrizitätskonstante eines aromatischen Kondensationspolyimids durch Beimengung einer Diamidsäure zu erniedrigen.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung werden die vorstehenden und zusätzliche Aufgaben erreicht, indem ein Verfahren zur Verfügung gestellt wird, durch welches lineare aromatische Polyimidfilme und -beschichtungen in hohem Grade elektrisch isolierend gemacht werden. Das Verfahren zur Herstellung von in hohem Grade isolierenden (schwach dielektrischen) aromatischen Polyimiden gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt die Beimengung von Diamidsäure-Zusätzen mit niedrigem Molekulargewicht zu einem Polymer, als ein Mittel, um Wechselwirkungen zwischen Polyrnerketten zu vermindern.
- Die Herstellung von Polyimidfilmen und -beschichtungen umfaßt die Reaktion bei Raumtemperatur in einem Lösungsmittel von einem aromatischen Diamin mit einem aromatischen Dianhydrid, um eine Polyamidsäure (Polyamic acid) zu ergeben. Dieses Polymerharz wird dann zu einem Film gegossen und thermisch bei 250-300ºC ausgehärtet, um einen Polyimidfilm zu ergeben. Beispiele für geeignete Lösungsmittel sind N,N-Dimethylacetamid, N,N-Dimethylformamid, N-Methyl-2-pyrrolidon, Dimethylsulfoxid und Bis(2-methoxyethyl)ether. Beispiele von Dianhydriden und Diaminen sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1 AROMATISCHE DIAMINE Oxydianilin (ODA) Diaminobenzophenon Diaminodiphenylmethan Phenylendiamin Diaminodiphenylsulfon (DDSO&sub2;) Bis(aminophenoxy)phenyl-hexafluoropropan (BDAF) AROMATISCHE DIANHYDRIDE Pyromellithsäuredianhydrid (PMDA) 4,4,-Oxydiphthalsäureanhydrid (ODPA) 4,4'-Bis(3,4-dicarboxyphenoxy)diphenylsulfid-dianhydrid (BDSDA) 2,2'-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropan-dianhydrid (6FDA) 1,4-Bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzol-dianhydrid 3,3',4,4'-Benzophenon-tetracarboxylsäure-dianhydrid (BTDA) 3,4,3',4'-Biphenyl-tetracarboxylsäure-dianhydrid
- In der vorliegenden Erfindung wurde gefunden, daß die Beimengung von bestimmten Diamidsäure-Zusätzen ein Mittel zur Verfügung stellt, um die Dielektrizitätskonstanten in schwach dielektrischen aromatischen Kondensationspolyimiden zu erniedrigen. Beispiele von in der vorliegenden Erfindung verwendeten Zusätzen sind in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2 DIAMIDSÄURE-ZUSÄTZE 2,2-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropan-dianhydrid-anilin-diamidsäure (6FDA-An) 3,3'-Diaminodiphenylsulfon-phthalsäureanhydrid-diamidsäure (3,3'-DDSO&sub2;-PA) 4,4'-Oxydiphthalsäureanhydrid-anilin-diamidsäure (ODPA-An) 2,2-Bis[4(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropan-phthalsäureanhydrid-diamidsäure (4-BDAF-PA) 2,2-Bis[4(3-aminoPhenoxy)phenyl ]hexafluoropropan-phthalsäureanhydrid-diamidsäure (3-BDAF-PA) 4,4'-Oxydianilin-phthalsäureanhydrid-diamidsäure (4,4'-ODA-PA)
- Diese Zusätze wurden durch Umsetzen von Anhydriden und Aminen einer Polymergüte in Lösungsmitteln wie z.B. 1-Methyl- 2-pyrolidinon (NMP), N,N-Dimethylacetamid (DMAc), N,N-Dimethylformamid (DMF) und 2-Methoxyethylether (Diglyme) oder ihren Mischungen bei Raumtemperatur hergestellt. Die resultierenden Lösungen wurden in Wasser oder Toluol ausgefällt, um Pulver zu erzeugen, welche bei Raumtemperatur im Vakuum bis zu konstantem Gewicht getrocknet wurden. Beispiele für die Synthese der zwei Typen von Zusätzen, welche in diesem Patent beansprucht werden, sind nachfolgend gezeigt.
- Herstellung des 3,3',4,4'-Oxydiphthalsäureanhydrid-anilin- diamidsäure-Zusatzes (ODPA-An): 4,4'-Oxydiphthalsäureanhydrid (ODPA) (62,5 g, 0,201 mol) und Anilin (37,5 g, 0,403 mol) wurden zwei Stunden lang in jeweils 75 ml Diglyme und NMP umgesetzt. Die hergestellt Bis(amidsäure) wurde in einem Mischer in Wasser ausgefällt und luftgetrocknet. Das Pulver hatte bei Differentialthermoanalyse (DTA) eine Schmelzbeginn-Temperatur von 125ºC. Eine Umkristallisation einer Probe dieses Zusatzes aus Aceton-Wasser ergab große Kristalle des Produktes, Schmelzpunkt 292-94ºC.
- Herstellung des 2,2-Bis[4(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropan-phthalsäureanhydrid-diamidsäure-Zusatzes(4-BDAF- PA): Zu einer Lösung von Phthalsäureanhydrid (5,9 g, 0,040 rnol) in jeweils 12 ml von NMP und Diglyme bei Raumtemperatur wurde umkristallisiertes 2,2-Bis[4(4-aminophenoxy) phenyl]hexafluoropropan (4-BDAF) (10,4 g, 0,020 mol) zugegeben. Die resultierende Lösung wurde bei Raumtemperatur mehrere Stunden lang gerührt, bevor es in einem Mischer aus Wasser ausgefällt wurde. Nach dreimaligem Waschen mit Wasser wurde das Produkt drei Tage lang im Vakuum bei Raumtemperatur getrocknet. Der breite Schmelzpunktbeginn bei DTA betrug 115ºC.
- Andere Diamidsäure-Zusätze wurden hergestellt, indem das (die) Amin und/oder Anhydrid-Monomer(e) mit den unten gezeigten Endkappen umgesetzt wurde(n): Monomer-Reaktionspartner Endkappe Anilin Phthalsäureanhydrid
- Eine wirksame Erniedrigung der Dielektrizitätskonstante durch Verwendung von Diamidsäure-Zusätzen, wie sie in der vorliegenden Erfindung gelehrt wird, wird nur mit bestimmten Zusammensetzungen erreicht. Das Ausmaß der Erniedrigung der Dielektrizitätskonstante variiert mit der Menge des verwendeten Zusatzes.
- Die schwach dielektrischen Filme und Beschichtungen der vorliegenden Erfindung involvieren die Beimengung von Amidsäure-Zusätzen mit niedrigem Molekulargewicht in das Polyamidsäureharz vor der thermischen lmidisierung des Films.
- Obwohl die Beispiele, welche diese Erfindung darstellen, Diamidsäure-Zusätze in dem Bereich von 3 - 15 Gewichtsprozent verwendeten, ist die Erfindung nicht auf diesen Bereich beschränkt; ausgewählte Zusätze in niedrigeren und höheren Konzentrationen sollten ebenfalls nützlich sein, wobei gute Ergebnisse zwischen einem und zwanzig Gewichtsprozenten erwartet werden.
- Die folgenden bestimmten Beispiele liefern die Einzelheiten der Polyimidfilmbildung mit und ohne Diamidsäure-Zusätzen, deren Ergebnisse in den Tabellen 3 und 4 zusammengefaßt sind.
- Zu einem 300 ml Kolben, welcher mit Stickstoff gespült wurde, wurden 12,96 g 2,2-Bis[4(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropan (4-BDAF), welches aus Methylenchlorid umkristallisiert worden war, und 145,75 g trockenes Dimethylacetamid (DMAc) zugegeben. Nachdem sich das Diamin gelöst hatte wurden 12,76 g 4,4'-Bis(3,4-dicarboxyphenoxy)diphenylsulfid-dianhydrid (BDSDA) (14 Stunden lang bei 120ºC getrocknet) auf einmal zugegeben, und das Rühren wurde über Nacht fortgesetzt. Die logarithmische Viskositätszahl (inherent viscosity) des resultierenden Polymers wurde bei 35ºC auf 0,87 dl/g bestimmt. Die resultierende Polyamidsäurelösung (15 Prozent Feststoffe bezogen auf Gewicht) wurde gekühlt, bis sie zum Filmgießen verwendet wurde.
- Ein Film aus BDSDA/4-BDAF-Polyamidsäure wurde hergestellt, indem das Harz in einer staubfreien Kammer bei einer relativen Feuchtigkeit von 10 Prozent auf eine Natronkalkglas-Platte gegossen wurde. Die Lösung wurde mit einem Aluminiumblatt verteilt, wobei der Abstand so eingestellt war, daß eine endgültige Filrndicke von 1,0 Mil sichergestellt wurde. Der Polyamidsäurefilm wurde thermisch durch aufeinanderfolgende einstündige Erwärmungen in einem Luftgebläseofen bei 100ºC, 200ºC und 300ºC, zu dem entsprechenden Polyimid umgewandelt. Der resultierende Film wurde nach Abkühlung auf Raumtemperatur durch Eintauchen in warmes Wasser von der Glasplatte entfernt. Die Dielektrizitätskonstante dieses Films, welche bei Umgebungsbedingungen gemessen wurde, betrug 2,84 bei 10 GHz.
- Zu 10,69 g von dem BDSDA/4-BDAF-Polyamidsäureharz aus Beispiel 3 wurden 0,160 g (10 Gewichtsprozent bezogen auf Harz-Feststoffe) 2,2-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropan-dianhydrid-anilin-diamidsäure-Zusatz (6FDA-An) zugegeben. Ein Film wurde hergestellt, indem dasselbe Verfahren, wie in Beispiel 3 beschrieben, angewendet wurde. Die Dielektrizitätskonstante dieses Films wurde auf 2,80 bestimmt, etwas niedriger als die Dielektrizitätskonstante von 2,84 des BDSDA/4-BDAF-Basispolyimids aus Beispiel 3.
- Das Verfahren aus Beispiel 4 wurde unter Verwendung von 0,240 g (15 Gewichtsprozent) 6FDA-An wiederholt. Die Dielektrizitätskonstante des resultierenden Films betrug 2,73, deutlich niedriger als die des Basispolymers.
- Das Verfahren aus Beispiel 4 wurde unter Verwendung von 0,160 g (10 Gewichtsprozent) 3,3'-Diaminodiphenylsulfonphthalsäureanhydrid-diamidsäure-Zusatz (3,3'-DDSO&sub2;-PA) wiederholt. Dieser Film hatte eine Dielektrizitätskonstante von 2,71, beträchtlich niedriger als die von BDSDA/4-BDAF.
- Das Verfahren aus Beispiel 4 wurde unter Verwendung von 0,080 g (5 Gewichtsprozent) 4,4'-Oxydiphthalsäureanhydridanilin-diamidsäure-Zusatz (ODPA-An) wiederholt. Die Dielektrizitätskonstante dieses Films wurde mit 2,65 bei 10 GHz gemessen, verglichen mit 2,84 für BDSDA/4-BDAF ohne den Zusatz.
- Das Verfahren aus Beispiel 4 wurde unter Verwendung von 0,080 g (5 Gewichtsprozent) des 4-BDAF-PA-Zusatzes wiederholt, was zu einem Film mit einer Dielektrizitätskonstante von 2,61 bei 10 GHz führte, deutlich niedriger als die des BDSDA/4-BDAF-Basispolymers.
- Das Verfahren aus Beispiel 4 wurde unter Verwendung von 0,160 g (10 Gewichtsprozent) 4-BDAF-PA wiederholt. Der resultierende Film hatte eine Dielektrizitätskonstante von 2,59, viel niedriger als die Dielektrizitätskonstante von 2,84 des Basispolymers.
- Das Verfahren aus Beispiel 4 wurde unter Verwendung von 0,080 g (5 Gewichtsprozent) 2,2-Bis[4(3-aminophenoxy) phenyl]hexafluoropropan-phthalsäureanhydrid (3-BDAF-PA) wiederholt, um einen Polyimidfilm mit einer Dielektrizitätskonstante von 2,71 zu ergeben, niedriger als die des BDSDA/4-BDAF Basispolymers (2,84 bei 10 GHz).
- Zu einem Reaktionskolben wurden 64,19 g 4-BDAF, welche aus Ethanol umkristallisiert worden waren, und 675,40 g trockenes DMAc zugegeben. Dieses wurde bei Raumtemperatur unter Stickstoff gerührt. Nachdem sich das Diamin gelöst hatte wurden 55,00 g 6FDA, welches aus Toluol und Acetanhydrid umkristallisiert worden war, zugegeben und das Rühren wurde über Nacht fortgesetzt. Die logarithmische Viskositätszahl des resultierenden Polymers betrug bei 35ºC 1,06 dl/g. Diese Polyamidsäurelösung (15 Prozent Feststoffe bezogen auf Gewicht) wurde gekühlt, bis sie zum Filmgießen verwendet wurde.
- Ein Film aus 6FDA/4-BDAF-Polyamidsäure wurde hergestellt, indem das Harz in einer staubfreien Kammer bei einer relativen Feuchtigkeit von 10 Prozent auf eine Natronkalkglas- Platte gegossen wurde. Die Lösung wurde mit einem Aluminiumblatt verteilt, wobei der Abstand so eingestellt war, daß eine endgültige Filmdicke von 1,0 Mil sichergestellt wurde. Der Polyamidsäurefilm wurde thermisch durch aufeinanderfolgende einstündige Erwärmungen in einem Luftgebläseofen bei 100ºC, 200ºC und 300ºC, zu dem entsprechenden Polyimid umgewandelt. Der resultierende Film wurde nach Abkühlung auf Raumtemperatur durch Eintauchen in warmes Wasser von der Glasplatte entfernt. Die Dielektrizitätskonstante dieses Polyimidfilms betrug 2,53 bei 10 GHz.
- Zu 10,69 g des 6FDA/4-BDAF-Polyamidsäureharzes aus Beispiel 11 wurden 0,160 g (10 Gewichtsprozent bezogen auf Harz- Feststoffe) 6FDA-An zugegeben. Ein Film wurde hergestellt, indem dasselbe Verfahren, wie in Beispiel 11 beschrieben, angewendet wurde. Die Dielektrizitätskonstante dieses Films wurde mit 2,43 gemessen, wesentlich niedriger als die des Basispolymers.
- Das Verfahren aus Beispiel 12 wurde unter Verwendung von 0,080 g (5 Gewichtsprozent) ODPA-An wiederholt. Die Dielektrizitätskonstante des resultierenden Films wurde auf 2,48 bestimmt, etwas niedriger als die Dielektrizitätskonstante von 2,53 des 6FDA/4-BDAF-Basispolyimids aus Beispiel 11.
- Das Verfahren aus Beispiel 12 wurde unter Verwendung von 0,080 g (5 Gewichtsprozent) 4-BDAF-PA-Zusatz wiederholt. Die Dielektrizitätskonstante des Polyimidf ilms dieses Polymers betrug 2,48, etwas niedriger als das 6FDA/4-BDAF Basispolymer.
- Das Verfahren aus Beispiel 12 wurde unter Verwendung von 0,160 g (10 Gewichtsprozent) 4,4'-Oxydianilin-phthalsäureanhydrid (4,4'-ODA-PA) wiederholt. Die Dielektrizitätskonstante des resultierenden Films wurde mit 2,45 bei 10 GHz gemessen, niedriger als die von 2,53 des 6FDA/4-DBAF Basispolymers.
- Zu einem Reaktionsgefäß wurden 2,002 g sublimiertes 4,4'- Oxydianilin (4,4'-ODA) und 23,704 g trockenes DMAc zugegeben. Dieses wurde bei Raumtemperatur unter Stickstoff gerührt. Nachdem sich das Diamin gelöst hatte, wurden 2,181 g sublimiertes Pyromellithsäure-dianhydrid (PMDA) zugegeben und das Rühren wurde fünf Stunden lang fortgesetzt. Diese Lösung (15 Prozent Feststoffe bezogen auf Gewicht) wurde bis zur Verwendung gekühlt.
- Ein Film aus PMDA/4,4'-ODA wurde hergestellt, indem das Harz in einer staubfreien Kammer bei einer relativen Feuchtigkeit von 10 Prozent auf eine Natronkalkglas-Platte gegossen wurde. Die Lösung wurde mit einem Aluminiumblatt verteilt, wobei der Abstand so eingestellt war, daß eine endgültige Filmdicke von 1,0 Mil sichergestellt wurde. Der Polyamidsäurefilm wurde thermisch durch aufeinanderfolgende einstündige Erwärmungen in einem Luftgebläseofen bei 100ºC, 200ºC und 300ºC, zu dem entsprechenden Polyimid umgewandelt. Der resultierende Film wurde nach Abkühlung auf Raumtemperatur durch Eintauchen in warmes Wasser von der Glasplatte entfernt. Die Dielektrizitätskonstante dieses Polyimidfilms betrug 3,13 bei 10 GHz.
- Zu 5,345 g des PMDA/4,4'-ODA-Polyamidsäureharzes aus Beispiel 16 wurden 0,080 g (10 Gewichtsprozent bezogen auf Harz-Feststoffe) 4-BDAF-PA-Diamidsäure-Zusatz zugegeben. Ein Film wurde unter Verwendung des Verfahrens aus Beispiel 16 hergestellt. Die Dielektrizitätskonstante dieses Films wurde auf 3,09 bestimmt, etwas niedriger als die Dielektrizitätskonstante von 3,13 des PMDA/4,4'-ODA Basispolyimids aus Beispiel 16.
- Das Verfahren aus Beispiel 16 wurde unter Verwendung von 0,080 g (10 Gewichtsprozent) 6FDA-An-Diamidsäure-Zusatz wiederholt. Die Dielektrizitätskonstante des resultierenden Films betrug 3,02, wesentlich niedriger als die des Basispolymers.
- Die Tabellen 3 und 4 fassen die Ergebnisse von Diamidsäure- Zusätzen, wie sie auf die Basispolymere: BDSDA/4-BDAF bzw. 6FDA/4-BDAF angewendet wurden, zusammen. Tabelle 3 DIELEKTRIZITÄTSKONSTANTEN VON BDSDA/4-BDAF-POLYMEREN, WELCHE DIAMIDSÄUREDERIVATE ENTHALTEN Zusatz Konzentration des Zusatzes (Gew%) Dielektrizitätskonstante bei 10 GHz BDSDA/4-BDAF Basispolymer (kein Zusatz)
- Beispielsweise ist es aus Tabelle 3 ersichtlich, daß nicht alle der Diamidsäure-Zusätze gleich wirkungsvoll bei der Erniedrigung der Dielektrizitätskonstante von 2,84 des BDSDA/4-BDAF-Basispolymers waren. Manche der Zusätze (6FDA- An und 3,3'-DDSO&sub2;-PA) schienen nur, wenn sie in den höheren Konzentrationsgraden von 10 - 15 Gewichtsprozent verwendet wurden, beim Erniedrigen der Dielektrizitätskonstante günstig. Andere, wie z.B. ODPA-An und 4-BDAF-An, verminderten wirkungsvoll die Dielektrizitätskonstante des BDSDA/4-BDAF- Polymersystems, wenn sie in der Menge von 5 Gewichtsprozent verwendet wurden. Tabelle 4 DIELEKTRIZITÄTSKONSTANTEN VON 6FDA/4-BDAF, WELCHE DIAMIDSÄUREDERIVATE ENTHALTEN Zusatz Konzentration des Zusatzes (Gew%) Dielektrizitätskonstante bei 10 GHz 6FDA/4-BDAF Basispolymer (kein Zusatz)
- Tabelle 4 zeigt, daß das 6FDA/4-BDAF-Polymer eine niedrigere Dielektrizitätskonstante als das BDSDA/4-BDAF hat (2,53 verglichen mit 2,84). Wie in Tabelle 4 zusammengefaßt, war der 6FDA/An-Zusatz beim Erniedrigen der Dielektrizitätskonstante von 6FDA/4-BDAF von 2,53 auf 2,43 erfolgreich. Andere Zusätze, wenn auch nicht genauso wirkungsvoll, welche die Dielektrizitätskonstante erniedrigten, umfassen ODPA-An, 4-BDAF-PA und 4,4'-ODA-PA.
- Obwohl die Daten in Tabelle 3 und 4 die Verwendung von Amidsäure-Zusätzen darstellen, um die Dielektrizitätskonstante von schwach dielektrischen aromatischen Polyimidsystemen weiter zu erniedrigen, kann dieses Verfahren ebenfalls verwendet werden, um die Dielektrizitätskonstante von Polyimidsystemen mit relativ hohen Dielektrizitätskonstanten zu vermindern. Die Basisharze aus Tabelle 3 und 4 haben Dielektrizitätskonstanten, welche beträchtlich niedriger sind als ein Standard-Polyimid, wie z.B. ein Kapton H- Film von E.I. DuPont de Nemours and Company (3,2 - 4,0). Wenn die Amidsäure-Zusätze der vorliegenden Erfindung zu einem herkömmlichen Polyimid, PMDA/414'-ODA, zugegeben wurden, wurde die Dielektrizitätskonstante von 3,13 vermindert. Bei der Zugabe von 10 Gewichtsprozent 4-BDAF-PA wurde die Dielektrizitätskonstante auf 3,09 erniedrigt, während die Zugabe von 10 Gewichtsprozent 6FDA-An zu einer Dielektrizitätskonstante von 3,02 führte. Somit ist das Verfahren dieser Erfindung allgemein auflineare aromatische Polyimide anwendbar.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung von Hochtemperaturfilmen und
5-beschichtungen aus linearen aroinatischen Polyimiden
mit niedrigen Dielektrizitätskonstanten, welches
umfaßt:
Erzeugen einer Polyamidsäure-Lösung (polyamic acid
solution) durch chemisches Reagierenlassen äquimolarer
Mengen eines aromatischen Diamins und eines
aromatischen Dianhydrids in einem Lösungsmittelmedium;
Zugabe eines Diamidsäure-Zusatzes (diamic acid
additive) zu der Lösung der polymeren Säure, so daß die
Konzentration des Diamidsäure-Zusatzes - bezogen auf
die Prozent Feststoffe in dem Polyamidsäure-Harz - 1
bis 20 Gewichtsprozent beträgt, derartig daß die
verwendete Menge Diamidsäure-Zusatz einen positiven
Senkungseffekt auf die Dielektrizitätskonstante hat,
wobei der Diamidsäure-Zusatz aus der Gruppe ausgewählt
ist, die besteht aus:
2,2-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropan-dianhydrid-anilin-diamidsäure,
3,3'-Diaminodiphenylsulfon-phthalsäureanhydrid-diamidsäure,
4,4'-Oxydiphthalsäureanhydrid-anilin-diamidsäure,
2,2'-Bis[4(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropanphthalsäureanhydrid-diamidsäure,
2,2-Bis[4(3-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropanphthalsäureanhydrid-diamidsäure und
4,4'-Oxydianilin-phthalsäureanhydrid-diamidsäure;
Auftragen der Polyamidsäure-Lösung, die den
Diamidsäure-Zusatz enthält, als Filinschicht von gewünschter
Dicke auf eine Oberfläche; und
mindestens einstündiges thermisches Aushärten des
aufgetragenen Films im Temperaturbereich von 250 ºC bis
300 ºC, um eine Polyimidfilmschicht von geringer
Dielektrizität zu erzeugen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das aromatische Diamin
aus der Gruppe von Diaminen ausgewählt ist, die besteht
aus:
3,3'-, 3,4'- oder 4,4'-Oxydianilin,
3,3'-, 3,4'- oder 4,4'-Diaminobenzophenon,
3,3'-, 3,4'- oder 4,4'-Diaminodiphenylmethan,
Meta- oder Para-Phenylendiamin,
3,3'-, 3,4'- oder 4,4'-Diaminodiphenylsulfon,
2,2-Bis[4(4-Aminophenoxy)phenylhexafluoropropan und
2,2-Bis[4(3-Aminophenoxy)phenylhexafluoropropan.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Dianhydrid aus der
Gruppe aromatischer Dianhydride ausgewählt ist, die
besteht aus:
Pyromellitsäure-dianhydrid
2,2'-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropan-dianhydrid,
4,4'-Bis(3,4-dicarboxyphenoxy)diphenylsulfid-dianhydrid
4,4'-Oxydiphthalsäureanhydrid,
1,4-Bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzol-dianhydrid,
3,3', 4,4'-Benzophenon-tetracarboxylsäure-dianhydrid und
3,4,3',4'-Biphenyltetracarboxylsäure-dianhydrid.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Lösungsmittel aus
der Gruppe ausgewählt ist, die besteht aus:
N,N-Dimethylacetamid,
N,N-Dimethylformamid,
N-Methyl-2-Pyrrolidon,
Dimethylsulfoxid und
Bis(2-methoxyethyl)ether.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Konzentration des
Diamidsäure-Zusatzes - bezogen auf die Prozent
Feststoffe in dem Polyamidsäure-Harz - 3 bis 15
Gewichtsprozent beträgt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Polyamidsäure-Harz
aus der Gruppe ausgewählt ist, die besteht aus:
4,4'-Bis(3,4-Dicarboxyphenoxy)diphenyl-sulfid,
Dianhydrid/2,2-Bis[4(4-Aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropan und
2,2-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropan-dianhydrid/2,2-Bis[4(4-aminophenoxy)phenyl)hexafluoropropan
und
Pyromellitsäure-Dianhydrid/4,4'-Oxydianilin.
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