DE4404067A1 - Strahlungsbeheizter Festkörpersensor - Google Patents

Strahlungsbeheizter Festkörpersensor

Info

Publication number
DE4404067A1
DE4404067A1 DE19944404067 DE4404067A DE4404067A1 DE 4404067 A1 DE4404067 A1 DE 4404067A1 DE 19944404067 DE19944404067 DE 19944404067 DE 4404067 A DE4404067 A DE 4404067A DE 4404067 A1 DE4404067 A1 DE 4404067A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solid state
state sensor
gas
sensor
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19944404067
Other languages
English (en)
Inventor
Heinz Prof Dr Kohler
Norbert Dr Link
Original Assignee
Heinz Prof Dr Kohler
Norbert Dr Link
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heinz Prof Dr Kohler, Norbert Dr Link filed Critical Heinz Prof Dr Kohler
Priority to DE19944404067 priority Critical patent/DE4404067A1/de
Publication of DE4404067A1 publication Critical patent/DE4404067A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/122Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
    • G01N27/123Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits for controlling the temperature
    • G01N27/124Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits for controlling the temperature varying the temperature, e.g. in a cyclic manner

Description

Die Erfindung betrifft einen Festkörpersensor zur Messung der Zusammensetzung eines Gasgemisches und der Konzentration der einzelnen Gaskomponenten, dessen ausgewertetes Sensorsignal die Impedanz oder der Ad­ mittanz einer sensitiven Schicht ist, dessen Sensorsignal von der Gaszusammensetzung und der Temperatur der sensitiven Schicht abhängt, wobei durch Strahlungsheizung der sensitiven Schicht eine in der Schicht ho­ mogene, zeitlich definiert modulierte Temperatur erreicht wird. Dadurch wird das gasspezifische Admittanz- oder Impedanz-Temperaturprofil in ein Admittanz- oder Impedanz-Zeitprofil (m.a.W. Aufheiz- oder Abkühl­ kurven) übergeführt, aus welchem selektive Aussagen über das vorliegende Gasgemisch durch Auswertung mit Mustererkennungsmethoden oder modellfreien Abbildungsoperatoren gewonnen werden. Die Erfindung betrifft weiter die Integration der sensitiven Schicht mit einer Strahlungsquelle mittels einer Vorrichtung zu einem strahlungsbeheizten Festkörper-Sensor.
Halbleiter-Gassensoren zeigen gute Sensitivität bei geringen Herstellungskosten, jedoch verhindert ihre geringe Selektivität bei den bisherigen Betriebsarten weitgehend den Einsatz in meßtechnischen Anwendungen, sei es im Bereich der Umwelt-Schadstoff-Überwachung, in der Gebäudeüberwachung, in der Arbeitsplatzüberwachung oder in der Meß- und Regeltechnik von Klimaanlagen oder technischen Prozessen.
Halbleiter-Gassensoren müssen im Betrieb geheizt werden, um bei ausreichend hoher Sensortemperatur (150°C < T < 700°C) eine genügend empfindliche Abhängigkeit der Sensorimpedanz oder -admittanz von der Konzen­ tration des zu bestimmenden Gases zu erhalten. Bisher werden diese Sensoren in den Anwendungen der Meß­ technik ausschließlich bei konstanter Heizspannung betrieben und weisen in diesem Betriebsmodus eine sehr hohe Sensitivität zu verschiedenen Gasen auf, m.a.W. sie besitzen starke Querempfindlichkeiten (insbesondere auch zu Wasserdampf).
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Beseitigung dieses Mangels, d. h. eine Selektivitätssteigerung unter Nutzung der bekannten Tatsache, daß das Signal (Admittanz oder Impedanz) der sensitiven Schicht von Halb­ leitersensoren eine für das jeweils umgebende Gasgemisch charakterisierte Abhängigkeit von der Temperatur und der Dotierung besitzt (Fig. 1). Analysiert wird also das Temperatur-Profil des Signals einer sensitiven Schicht durch Messung des Zeitverhaltens ihres Signals bei deren Aufheizen oder Abkühlen. Die Selektivität wird weiter gesteigert, wenn mehrere sensitive Schichtelemente mit unterschiedlicher Dotierung in einem Array auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet verwendet werden. Da die Aufheiz- bzw. Abkühlkurven der Elemente eines solchen Arrays jeweils unterschiedliche Temperaturabhängigkeit des Ansprechverhaltens für einzelne Gaskomponenten zeigen, entsteht insgesamt ein Muster mit bedeutend höherer Selektivität.
Bei der Bewältigung der genannten Aufgabe ergeben sich aufgrund der bisherigen Sensor-Konstruktionsprinzipien dreierlei wesentlich Hinternisse, die durch die vorgeschlagene Methode behoben werden:
  • - Bei der Benutzung von Dichtschichtsensoren (Fig. 2) und Sensoren vom Typ "figaro" (Fig. 3) ist die durch den Aufbau resultierende Wärmekapazität hoch und die Temperaturverteilung durch die verwendete Widerstandsheizung beim Aufheizen inhomogen. Um dennoch eine genügend schnelle Temperaturänderung zu erreichen, ist eine sehr hohe Heizleistung nötig, die durch die resultierende sehr starke Temperatur- Inhomogenität den Sensor mechanisch überfordert.
  • - Bei planaren Anordnungen mikrostrukturierter Sensoren ist die Integration der Widerstandsheizung sehr aufwendig, da mindestens zwei zusätzliche Maskenschritte (einer für die Heizbahnen und ein weiterer für deren Passivierung) benötigt werden.
  • - Wie berührungslose Temperaturmessungen zeigen, ist auch in planaren Anordnungen (bei transienter Widerstandsheizung) in der gassensitiven Schicht eine starke Inhomogenität der Temperaturverteilung durch die inhomogene Heizleistungsstromdichte vorhanden, was zu einer "Verschmierung" der charakteristischen Leitwertprofile (wie in Fig. 1) führt und damit die Selektivität bei deren Auswertung stark herabsetzt.
Die Erfindung beruht nun darauf, daß die genannten Nachteile durch Strahlungsbeheizung der sensitiven Schicht von außen behoben werden und dadurch bei definiert gesteuerter Strahlungsleistung ein Admittanz- oder Impedanz-Temperaturprofil wesentlich höherer Qualität als bisher möglich zur Verfügung steht (das mit Mustererkennungsmethoden ausgewertet werden kann), da bei geeigneter Geometrie der sensitiven Schicht, des Schichtsubstrates und des Strahlprofiles die oben genannten Nachteile vermieden werden.
Dabei besteht beispielsweise ein elementarer Unterschied des Erfindungsgegenstandes zu Oberflächenvergü­ tungsmethoden durch Strahlungsbeheizung (z. B. Laseranealing) darin, daß diese alleine die Veränderung der Oberflächenmorphologie z. B. einer sensitiven Schicht zum Ziel haben, während die hier vorgestellte Erfindung gerade die möglichst gut Stabilität und laterale Homogenität einer zuvor eingestellten Oberflächenmorphologie ausnutzt, um bei gegebenen Gasgemisch reproduzierbar ein konstantes Admittanz- oder Impedanz-Zeitprofil, bzw. Admittanz- oder Impedanz-Temperatur-Profil auswerten zu können.
Voraussetzung hierfür sind Sensorelemente mit geringer Heizleistungsaufnahme zum Erreichen der Endtemperatur, d. h. sie müssen eine geringe Wärmekapazität und eine geringe Wärmeleitfähigkeit zur Umgebung besitzen. Hierfür eignen sich besonders planare Sensor-Mikrostrukturen in Dünnschichttechnik (Fig. 4). Es sind je­ doch auch planare Strukturen auf massivem Träger-Material möglich (Fig. 5), wenn letzteres eine sehr geringe Wärmeleitfähigkeit aufweist oder die Tatsache benutzt wird, daß bei zeitlich modulierter Heizleistung die Wärmewelle an der Grenzschicht reflektiert wird. Hiebei kann durch konstruktive Interferenz der einlaufenden mit der reflektierten Wärmewelle eine stärkere Temperaturerhöhung in der sensitiven Schicht erreicht werden als bei einer freitragenden Schicht (S. Bauer, Dissertation, Karlsruhe 1990). Für ein gegebenes Leitfähig­ keitsverhältnis zwischen sensitiver Schicht und Träger kann dies natürlich nur für bestimmte Modulations­ frequenzen der eingestrahlten Leistung erzielt werden.
Das gassensitive Schicht (z. B. katalytisch aktive SnO₂-Oberfläche mit Pd-Dotierung) wird bei der vorgeschlagenen Anordnung von einer Strahlungsquelle (z. B. Laserdiode, thermische Quelle, usw.) direkt über den ab­ sorbierten eingestrahlten Energiestrom aufgeheizt (Fig. 6), was bei geeigneter Geometrie zu einer in der Schicht homogenen Temperatur führt.
Geschieht dies bei ausreichend konstanter Umgebungstemperatur mit einem definierten zeitlichen Verlauf der eingestrahlten Leistung, so resultiert ein für das anliegende Gasgemisch charakteristischer Verlauf der Admittanz oder der Impedanz der sensitiven Schicht als Funktion der Zeit. Dieser Verlauf kann daher zur Analyse des vorliegenden Gemisches verwendet werden. Eine Leistungssteuerung der Strahlungsquelle bietet zudem darüber hinaus den Vorteil, daß charakteristische Teile der Admittanz- oder Impedanz-Zeitkurve durch langsameres Aufheizen gestreckt und damit dichter abgetastet werden können.
Laserdioden sind aufgrund ihrer Kompaktheit, hohen Energiestromdichte und leichten Ansteuerbarkeit zum Aufbau eines integrierten Systems sehr gut geeignet. Für billigere Lösungen können jedoch auch andere Strah­ lungsquellen zur Erzeugung von Admittanz- (oder Impedanz-)Zeit-Kurven benutzt werden.
Diese Kurven können unter verschiedenen Aspekten ausgewertet werden, die hier in der Reihenfolge der Kom­ plexität der Aufgabe aufgeführt werden:
  • - Erkennung von Verunreinigungen (oder Störkomponenten) in einem Gemisch. Dadurch kann z. B. sichergestellt werden, daß der Sensorausgang nicht durch Störgase verfälscht wird.
  • - Erkennung und Konzentrationsbestimmung einzelner Gase in einem konstanten Gasgemisch.
  • - Konzentrationsbestimmung mehrerer Gase eines Gasgemischs.
Wegen der komplexen Abhängigkeiten der Sensitivität durch Adsorption, katalytische Reaktion und Diffusion von Gasgemischen an der Sensoroberfläche existieren selbst für einfache Systeme keine analytische Modelle.
Daher ist man bei der Bewältigung der o. g. Aufgaben zunächst auf Mustererkennungsverfahren (Clusteranalyse, Klassifikatoren, Hauptkomponentenanalyse) der auf "model-free mapping devices" (modellfreie Abbildungsoperatoren) angewiesen. Letztere stehen in Form künstlicher Neuronaler Netze oder genetischer Algorithmen zur Verfügung. Durch die Messung der strahlungsinduzierten Zeitabhängigkeit der Admittanz oder der Impedanz von mikrostrukturierten Halbleiter-Dünnschichtsensoren und deren Auswertung durch schnelle Neuronale Netze sind bei erhöhter Selektivität Meßzykluszeiten (einschließlich Auswertung) von weniger als 10 Sekunden zu erwarten, was für die meisten Anwendungen die Forderung nach quasikontinuierlicher Gasüberwachung erfüllt.
Die Forderung nach Integration in ein intelligentes Sensorsystem mit leichter Adaptierbarkeit an ein breites Aufgabenspektrum kann hier ebenfalls auf elegante Weise gelöst werden, wenn entweder Analog/Digital- Wandler zusammen mit speziellen Prozessoren zur digitalen Simulation neuronaler Netze oder gebräuchliche analoge Neuro-ICs zur direkten Auswertung der Sensorsignale verwendet werden.
Die analogen Neuro-ICs realisieren Neuronen und Synapsen von Feedforward-Netzen durch analoge elektronische Bauelemente und besitzen analoge Spannungs-Ein- und Ausgänge. Sie können daher direkt die Span­ nungsabfälle an den HL-Sensor als Eingänge verarbeiten und das Ergebnis innerhalb ihrer Schaltungslauf­ zeit als Spannungsausgang (z. B. Regelgröße) zur Verfügung stellen. Dabei sind zwei prinzipiell unterschiedliche Arten der Schaltung und Kombinationen daraus denkbar.
Im ersten Fall werden die Ausgänge verschieden selektiver sensitiver Schichten parallel ausgewertet, um aus einem dadurch charakterisierten Prozeß- oder Systemzustand Maß- oder Regelgrößen abzuleiten. Die Eingänge werden dabei zeitkontinuierlich und synchron auf die Ausgänge abgebildet.
Die zweite Möglichkeit bezieht sich auf die Analyse von Zeitverläufen mit analogen Neuro-ICs (wie z. B. die bereits diskutierte Aufheiz- bzw. Abkühlkurven). Das zeitkontinuierliche Signal kann analog (z. B. mit phasen­ verschoben getakteten Sample & Hold-Verstärkern) abgetastet werden, so daß die Sensorsignale von unter­ schiedlichen Zeitpunkten gleichzeitig an den verschiedenen Eingängen des Neuro-IC anliegen. Die Ausgänge des Neuro-IC liefern dann die dem Admittanz-Zeit-Profil zugeordneten Ausgangswerte (z. B. Gaskonzentrationen).
Mit den diskutierten Verfahren können Sensor-Auswerte-Einheiten aufgebaut werden, die trotz ihrer Kom­ paktheit durch die massive Parallelität der Verarbeitung Auswertegeschwindigkeiten erreichen, die auf heutigen Workstations noch nicht erzielt werden können.
Die genannten Methoden können auch kombiniert werden, um das Zeitverhalten von Sensorarrays aus unter­ schiedlich dotierten Einzel-Sensor-Elementen zu analysieren und dadurch eine weitere Selektivitätssteigerung zu erreichen.
Ausführungsbeispiel
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 zeigt einen Sensor, der aus drei Teilen aufgebaut ist: Das gasempfindliche Sensorelement (Fig. 4) besteht aus einer sensitiven Schicht aus SnO₂ mit Dotierung, deren Leitwert durch zwei Metallelektroden in Interdigitalanordnung abgegriffen wird. Schicht und Elektroden sind in ihrer Geometrie dem kreisförmigen Strahlprofil der Strahlungsquelle angepaßt. Als solche dient eine Laserdiode mit integrierter Optik. Strahlungsquelle und Sensorelement werden schließlich durch einen geschlitzten Stahlzylinder als gas­ durchlässiger Halterungskörper zum eigentlichen Sensor integriert.
Im folgenden werden die Abbildungen erläutert:
Fig. 1 Meßkurven der Temperaturabhängigkeit des normierten Leitwertes für SnO₂ dotiert mit Pt, Pd und Ag (von links nach rechts)
aus: Yamazoe, N.; Kurokawa, Y.; Seiyama, T.
Effects of Additivs on Semiconductor Gas Sensors
Sensors, Actuators, 4 (1983), 283
Fig. 2 schematische Darstellung eines Halbleiter-Gassensors in Dickschicht-Technik
aus: Oyabu, T.; Kurobe, T.; Hidai, T.
Development of Tin Oxide Gas Sensor and Monitoring System
Proc. Int. Meeting Chem. Sensors, Jap. 1983, 12
Fig. 3 schematische Darstellung eines Halbleiter-Gassensors vom Typ "figaro"
aus: W. Hagen; R. E. Lambrich; J. Lagois
Festkörperprobleme XXIII (1983), 259
Fig. 4 Ausführungsbeispiel: Schnitt durch einen Halbleiter-Sensor auf Dünnschicht-Träger
1 Träger z. B. aus Si mit passivierter Oberfläche oder vollständig aus SiO₂
2 Gassensitive Schlitz z. B. SnO₂ mit Dotierung
3 Metallische Leiterbahn z. B. in Interdigital-Struktur zur Leiterwertmessung
Fig. 5 Ausführungsbeispiel: Schnitt durch einen Halbleiter-Sensor auf massivem Träger-Materail
1 Träger z. B. aus Si mit passivierter Oberfläche oder vollständig aus SiO₂
2 Gassensitive Schicht z. B. SnO₂ mit Dotierung
3 Metallische Leiterbahn z. B. in Interdigital-Struktur zur Leitwertmessung
Fig. 6 Ausführungsbeispiel einer Anordnung für einen strahlungsbeheizten Sensor
1 Strahlungsquelle (z. B. Laserdiode) mit integrierter Optik
2 Gasdurchlässiger Halterungskörper zur Integration und Positionierung von Strahlungsquelle und Sensor (z. B. geschlitzter Stahlzylinder oder Stahldrahtgitter) hier: Stahlzylinder
3 Öffnungsschlitze für Gasstrom
4 Planarer Halbleitergassensor auf Dünnschichtsubstrat Fig. 4
5 Strahlungskegel

Claims (21)

1. Festkörpersensor zur Messung von Gasen, der eine gassensitive Schicht besitzt, deren Parameter sich in Anwesenheit bestimmter Gase oder Gasgemische auf jeweils charakteristische Weise mit der Temperatur verändern, hierfür also einen für das anliegende Gasgemisch charakteristischen Parameterverlauf in Abhängigkeit von der Temperatur (Parameter-Temperatur-Verlauf) zeigen, wobei die Temperatur der gassensitiven Schicht des Sensors durch Beheizung mit einer zugehörigen Strahlungsquelle eingestellt und verändert wird.
2. Festkörpersensor nach Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, daß Impedanz oder Admittanz die bezeichneten Parameter sind.
3. Festkörpersensor nach Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, daß seine gassensitive Schicht aus Halbleitermaterial besteht, dessen Impedanz oder Admittanz sich in Abhängigkeit seiner Temperatur und des anliegenden Gasgemisches verändern.
4. Festkörpersensor nach Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, daß er zumindest eine gassensitive Schicht aufweist, die aus einem elektronisch leitenden Metalloxid besteht. Diese Schicht kann auch mit einem oder mehreren katalytischen Materialien dotiert sein (z. B. mit Pt, Pd, Ag).
5. Festkörpersensor nach Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, daß er zumindest eine gassensitive Schicht aufweist, die aus Zinndioxid (SnO₂) besteht. Diese Schicht kann auch mit einem oder mehreren katalytisch aktiven Materialien dotiert sein (z. B. mit Pt, Pd, Ag).
6. Festkörpersensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er aus mehreren Elementen gassensitiver Schichten mit unterschiedlichen Parameter-Temperatur-Verläufen auf einem Substrat mit einer gemeinsamen Strahlungsquelle besteht.
7. Festkörpersensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß seine gassensitiven Schichten als planare Strukturen mit geringer Wärmekapazität ausgeführt sind.
8. Festkörpersensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß seine gassensitive Schichten zur Verringerung der Wärmeverlustleistung auf einem dünnen Trägermaterial aufgebracht sind.
9. Festkörpersensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verringerung der Wärmeverlustleistung die konstruktive Interferenz der einlaufenden Wärmewelle mit der am Trägermaterial reflektierten Wärmewelle in der gassensitiven Schicht genutzt wird.
10. Festkörpersensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er mit einer thermischen Strahlungsquelle (auch Mikroheizer) geheizt wird.
11. Festkörpersensoren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er mit einer Leuchtdiode als Strahlungsquelle geheizt werden.
12. Festkörpersensoren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er mit einer Laserdiode als Strahlungsquelle geheizt wird.
13. Festkörpersensoren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er mit einer Gasentladungslampe als Strahlungsquelle geheizt wird.
14. Festkörpersensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die auftreffende Energiestromdichte der Strahlungsquelle durch eine optische Vorrichtung in bestimmter Weise beeinflußt wird.
15. Festkörpersensor nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß mit der optischen Vorrichtung eine möglichst homogene Energiestromdichte auf der sensitiven Schicht erzielt wird.
16. Festkörpersensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturänderung der sensitiven Schicht durch eine zeitliche Modulation der eingestrahlten Leistung ge­ steuert wird.
17. Festkörpersensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine gasdurchlässige Halterungsvorrichtung das gassensitive Sensorelement - bestehend aus sensitiver Schicht und Substrat - und die Strahlungsquelle aufnimmt und deren relative Positionen zueinander fixiert.
18. Festkörpersensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Muster­ erkennungsverfahren den Zusammenhang zwischen der Temperaturabhängigkeit der Parameter der Sensoren mit der Konzentration bestimmter anwesender Gase herstellen.
19. Festkörpersensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß modellfreie Abbildungsoperatoren den Zusammenhang zwischen der Temperaturabhängigkeit der Parameter der Sensoren mit der Konzentration bestimmter anwesender Gase herstellen.
20. Festkörpersensor nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß künstliche neuronale Netze als modellfreie Abbildungsoperatoren den Zusammenhang zwischen der Temperaturabhängigkeit der Parameter der Sensoren mit der Konzentration bestimmter anwesender Gase herstellen.
21. Festkörpersensor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die künstlichen neuronalen Netze durch analoge elektronische Schaltkreise gebildet werden.
DE19944404067 1994-02-09 1994-02-09 Strahlungsbeheizter Festkörpersensor Withdrawn DE4404067A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19944404067 DE4404067A1 (de) 1994-02-09 1994-02-09 Strahlungsbeheizter Festkörpersensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19944404067 DE4404067A1 (de) 1994-02-09 1994-02-09 Strahlungsbeheizter Festkörpersensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4404067A1 true DE4404067A1 (de) 1995-08-10

Family

ID=6509856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19944404067 Withdrawn DE4404067A1 (de) 1994-02-09 1994-02-09 Strahlungsbeheizter Festkörpersensor

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4404067A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10307247A1 (de) * 2003-02-17 2004-08-26 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Einrichtung zum Absaugen von Abluft eines Elektrowärmegeräts und Verfahren zum Betrieb derselben
DE10340146A1 (de) * 2003-08-25 2005-03-24 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Auswertung eines Gases, insbesondere zur Steuerung eines Elektrogeräts

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10307247A1 (de) * 2003-02-17 2004-08-26 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Einrichtung zum Absaugen von Abluft eines Elektrowärmegeräts und Verfahren zum Betrieb derselben
DE10340146A1 (de) * 2003-08-25 2005-03-24 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Auswertung eines Gases, insbesondere zur Steuerung eines Elektrogeräts

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0203561B1 (de) Betriebsverfahren für einen Sensor für Gasanalyse
DE10245947B4 (de) Mikrogasanalysesystem mit beheizbarem Filter und Verfahren zur Gasanalyse
EP0141089A2 (de) Vorrichtung zur selektiven Bestimmung der Bestandteile von Gasgemischen
EP1517132A1 (de) Kontaktlose Messung der Oberflächentemperatur von natürlich oder künstlich bewitterten Proben
DE102004028701B3 (de) Gassensor zur Bestimmung von Ammoniak
DE102005007746B4 (de) Ionenmobilitätsspektrometer mit parallel verlaufender Driftgas- und Ionenträgergasströmung
EP0464244B1 (de) Sensor zur Erfassung reduzierender Gase
DE4424342C1 (de) Sensorarray
EP0464243B1 (de) Sauerstoffsensor mit halbleitendem Galliumoxid
DE10245822B4 (de) Verfahren und Gasmesszelle zur Detektion unterschiedlicher Gase
EP1010002B1 (de) Wasserstoffsensor
DE10146321A1 (de) Sensorbaustein mit einem Sensorelement, das von einem Heizelement umgeben ist
DE10019853A1 (de) Gassensoranordnung
DE4404067A1 (de) Strahlungsbeheizter Festkörpersensor
DE19610911A1 (de) Gassensor
EP2908121A1 (de) Gassensor und Verfahren zur Detektion von Gasen
EP1602924B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Detektion von leichtflüchtigen Organischen Verbindungen
EP0527259A1 (de) Gassensor mit halbleitendem Galliumoxid
DE19924083C2 (de) Leitfähigkeitssensor zur Detektion von Ozon
EP0421100B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erkennen von Gefahrenzuständen in einem Raum
EP0945722A2 (de) Halbleitergassensor
DE19959925A1 (de) Verfahren zur Bestimmung von Gaskonzentrationen mit einem Dünnschicht-Halbleiter-Gassensor
DE3437442C2 (de)
DE102014211947A1 (de) Gassensor zum Detektieren eines Gases in einem Gasgemisch, Verfahren zum Herstellen eines solchen Gassensors und Verfahren zum Betreiben eines solchen Gassensors
DE4210397A1 (de) Anordnung zur Bestimmung eines Gaspartialdruckes eines Bestimmungsgases in einem Gasgemisch

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee