DE4338246A1 - Device for producing wire contacts between terminals of a semiconductor chip and a lead frame - Google Patents

Device for producing wire contacts between terminals of a semiconductor chip and a lead frame

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DE4338246A1
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Abstract

The invention describes a device for producing wire contacts between terminals of a semiconductor chip (3) and a lead frame (4) with a heat table (1) and a holding down clamp (2) which contains an inserted mask (21) with predetermined modulus of elasticity, which is intended as a pressure zone, in particular for pressure on the lead frame (4). During production of wire contacts between the lead frame and the semiconductor chip, substantially more beneficial preconditions for reliable connection result at low temperatures. <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Herstellung von Drahtkontaktierungen zwischen Anschlüssen eines Halbleiter chips und eines Systemträgers mit einem Heiztisch und einem Niederhalter, insbesondere zum Andrücken des Systemträgers. The invention relates to a device for producing wire bonds between terminals of a semiconductor chip and a system carrier with a hot stage and a holding-down device, in particular for pressing the system carrier.

Bei der Herstellung integrierter Schaltkreise wird ein Halb leiterchip üblicherweise auf einem Systemträger (Leadframe) montiert. In the manufacture of integrated circuits, a semi-conductor chip is typically mounted on a system carrier (lead frame). Dabei wird der Chip auf einer Insel des Systemträ gers befestigt, die in der Regel mittig bezüglich den mit den Chipanschlüssen zu kontaktierenden Anschlußfingern angeordnet ist. The chip is mounted on an island of Systemträ gers, which is disposed generally centrally with respect to the chip terminals with the terminal to be contacted fingers. Typischerweise erfolgt die Verbindung der jeweiligen Anschlüsse des Systemträgers mit den entsprechenden An schlüssen des Halbleiterchips (Die) mit Hilfe von Drähten (Wirebond). Typically, the compound of the respective terminals of the system carrier with the corresponding circuits is performed on the semiconductor chip (die) by means of wires (wire bond). Für die Kontaktierung des Drahtes mit dem jewei ligen Anschluß sind verschiedene Verfahren üblich. are various conventional processes for contacting the wire with the jewei time connection. Aus der Veröffentlichung H.-J. From the publication H.-J. Hacke: Montage integrierter Schaltun gen, Springer-Verlag, 1987, Seite 50 ff. ist das Drahtbonden mit Hilfe des Thermokompressions-, des Ultraschall- oder des Thermosonic-Verfahrens bekannt. Hoe: mounting an integrated Circuits gen, Springer-Verlag, 1987, page 50 ff is wire bonding by means of thermocompression, the ultrasonic or thermosonic process known..

Bei den thermischen Verfahren erfolgt die Wärmezufuhr über einen Heiztisch. In the thermal process, the heat supply takes place over a hot stage. Fig. 5 zeigt schematisch eine bekannte Kon taktiervorrichtung. Fig. 5 shows schematically a known taktiervorrichtung Kon. Der Heiztisch 1 wird von einem Wärmeer zeuger 10 erwärmt und ist zur Aufnahme eines Systemträger 4 und den damit verbundenen Chips 3 vorgesehen. The heating stage 1 is heated by a Wärmeer generator 10 and is provided for receiving a lead frame 4 and the associated chips. 3 Um einen mög lichst guten Wärmeübergang vom Heiztisch auf die Anschlußbe reiche des Systemträgers zu gewährleisten, ist eine Wärmelei tung zwischen dem Heiztisch und den Anschlußbereichen des Systemträgers erforderlich. A AS POSSIBLE good heat transfer from the heating stage to the Anschlußbe of the system support to ensure rich, is a Wärmelei processing between a hot stage and the terminal portions of the system support required. Dazu müssen die Anschlußbereiche auf dem Heiztisch aufliegen. For this, the terminal regions must rest on a hot stage.

Während des Drahtbondprozesses ist ein metallischer Nieder halter 2 vorgesehen, der die Anschlüsse des Systemträgers auf den Heiztisch preßt, Fig. 5b. During the wire bonding process, a metallic holder 2 is provided, which presses the terminals of the system carrier on the hot stage, Fig. 5b. Die massive Niederhalterplatte aus hochlegiertem Stahl hat im Andruckbereich eine Öffnung, die den Konturen der Anschlußfinger des Systemträgers ent spricht. The solid-down plate of high-alloy steel has a press-on opening which speaks to the contours of the lead fingers of the leadframe ent. Auf der Unterseite der Niederhalterplatte 2 schließt sich an die Öffnung ein Rahmen an, der die Anschlußfinger des Systemträgers festklemmt. On the underside of the holding-down plate 2, a frame is adjacent to the opening, which clamps the lead fingers of the leadframe. Zwar wird dadurch der Wärmeübergang zwischen dem Heiztisch und dem Systemträger verbessert, je doch auf Kosten einer größeren Wärmeableitung über den Nie derhalter, so daß sich im Effekt ein Temperaturgradient zwi schen dem Heiztisch und den Anschlußbereichen des Systemträ gers einstellt. Although the heat transfer between the heating stage and the lead frame, thereby improving, according but derhalter at the expense of a greater dissipation of heat via the Never so that a temperature gradient rule Zvi in ​​effect adjusts the heating stage and the terminal areas of the Systemträ gers.

Aus der DD-PS 2 61 881 ist eine Anordnung zur Verringerung des Temperaturgradienten bei thermischen Drahtbondgeräten mit ei nem Heiztisch und einem Niederhalter bekannt. From DD-PS 2 61 881 an arrangement for reducing the temperature gradient in thermal wire bond devices with egg nem hot stage and a blank holder is known. In den Nieder haltergrundkörper ist ein in ein thermisch stabiles und elektrisch isolierendes Material eingebetteter Heizleiter integriert und von einem an der Unterseite offenen Überzug aus thermisch stabilen und wärmedämmenden Material umschlos sen. In the low-holder body, an embedded in a thermally stable and electrically insulating material and heat conductors is integrated sen umschlos by open at the bottom coating of thermally stable and heat-insulating material. Die Anordnung ist somit sehr kompliziert aufgebaut und wenig flexibel. The arrangement is thus very complicated and not very flexible.

Bei den üblichen hohen Temperaturen der thermischen Kontak tierverfahren von etwa 300°C kommt es bei großen Inseln des Systemträgers zur Ausbildung einer Oxidschicht an der Rück seite. With the usual high temperatures of thermal Kontak animal process of about 300 ° C it comes with large islands of the leadframe to form an oxide layer on the rear side. Durch diese Oxidschicht wird beim späteren Umhüllen der Anordnung mit einer Preßmasse eine dichte Verbindung zwi schen der Preßmasse und der Insel verhindert. Through this oxide layer during subsequent coating the assembly with a molding compound a tight connection is Zwi of the molding compound and the island rule prevented. Unmittelbar nach dem Umhüllvorgang und vor allem nach künstlicher Alte rung entsteht eine starke Delamination, die einen schwerwie genden Qualitätsverlust darstellt. Immediately after Umhüllvorgang and especially after artificial Old tion creates a strong delamination, which is a schwerwie constricting loss of quality. Zur Vermeidung der für diesen Effekt ursächlichen Oxidation sind niedrige Bondtempe raturen von etwa 170°C bis 220°C erforderlich. To avoid the causal for this effect oxidation are low Bond Tempe temperatures of about 170 ° C to 220 ° C is required.

Darüberhinaus erfordert die Einführung neuer Bauformen in der Halbleiterproduktion, wie beispielsweise der Lead-on-Chip (LOC)-Technologie oder der Wertkartenbauweisse (smart cards) niedrigere Bond-Temperaturen. Moreover, the introduction of new designs requires in the production of semiconductors, such as the lead-on-chip (LOC) technology or Wertkartenbauweisse (smart cards) lower bond temperatures. In der LOC-Bauweise besteht durch die Verwendung eines Polyimid-Bandes mit beidseitigem Klebstoffauftrag zur Verbindung des Halbleiterchips mit dem Systemträger die Gefahr der Versprödung des Klebers oder des Fließens bei einer Thermoplastbeschichtung. In the LOC structure is through the use of a polyimide tape with double-sided adhesive for connecting the semiconductor chip to the leadframe, the risk of embrittlement of the adhesive or the flow in a thermoplastic coating. Bei den in Ver bindung mit Wertkartenchips eingesetzten Kunststoffträger bändern besteht die Gefahr des Auskondensierens und von Wärmeverzug. bands in the used, in conjunction with value card chip plastic support is a risk of Auskondensierens and heat distortion. Für die beiden genannten Technologien ergeben sich somit extreme Temperaturempfindlichkeiten. thus resulting extreme temperature sensitivities for the two above-mentioned technologies.

Wünschenswert ist deshalb eine Reduzierung der thermischen Belastungen während der Fertigungsschritte. therefore desirable to reduce the thermal stress during the manufacturing steps. Für das Drahtkon taktieren in der Chipmontage, vorzugsweise mit Golddrähten ist eine Verringerung der üblichen Verfahrenstemperaturen von 300°C auf etwa 170°C erstrebenswert. For the Drahtkon taktieren in the chip mounting, preferably with gold wires, a reduction of the usual processing temperatures of 300 ° C to about 170 ° C is desirable.

Ein Absenken der Bondtemperaturen bedeutet jedoch eine Ver schlechterung der Qualität der Bondverbindungen, weil die temperaturbedingte geringere Ausbildung der intermetallischen Phasen zwischen den Fügepartnern Draht und Pad des Halblei terchips einerseits bzw. Draht und Anschlußbereich des Sy stemträgers eine geringere Verbindungsfestigkeit und niedri gere Langzeitstabilität zur Folge hat. However, lowering the bonding temperature means a deterioration of the quality of the bond connections, because the temperature-induced lower formation of the intermetallic phase between the joining partners wire and pad of the semiconductor chips one hand, and wire and terminal region of the Sy stemträgers a lower bonding strength and niedri Gere long-term stability result has ,

Andererseits ergibt sich zwischen der Temperatur des Reglers der Bondvorrichtung und der tatsächlichen Temperatur an den Anschlüssen des Systemträgers oder des Chips ein Temperatur gradient von bis zu 50°C. On the other hand arises between the temperature of the regulator of the bonding apparatus and the actual temperature at the terminals of the system carrier or the chip, a temperature gradient of up to 50 ° C. Das bedeutet, daß das Gesamtsystem einschließlich der temperaturempfindlichen Komponenten mit wesentlich höheren Temperaturen belastet wird als zur Her stellung der Verbindungen an den Bondstellen effektiv zur Verfügung stehen. This means that the overall system including the temperature sensitive components with substantially higher temperatures will be charged for Her position of the compounds at the bonding sites are effectively available. Dies ist insbesondere bei LOC-Anordnungen der Fall, bei denen die Beheizung der Anschlüsse des System trägers von unten über den Chip und die Folie mit beidseiti gem Klebstoffauftrag erfolgt. This is particularly the case with LOC-assemblies in which the heating of the terminals of the lead frame from below over the chip and the sheet with beidseiti according adhesive is applied.

Bei der Herstellung von Drahtverbindungen von Wertkartenchips muß das temperaturempfindliche Kunststoffträgerband mit den Bondinseln und dem aufgeklebten Chip auf eine Temperatur von etwa 220°C erhitzt werden. In the production of wire connections of prepaid chip, the temperature-sensitive plastic carrier tape to the bonding pads and the chip adhered to a temperature of about 220 ° C must be heated. Dabei schlagen sich die aus dem Trägergurt austretenden Emissionen am Niederhalter nieder und bilden eine ungleichmäßige harte Schicht bis zu 2 mm Dicke. Here, the emerging from the carrier belt emissions are precipitated on the holder and form a non-uniform hard layer up to 2 mm thickness. Beim Bondvorgang drückt der so verunreinigte Niederhalter ungleichmäßig auf und kann Chips brechen. When bonding process of the so-contaminated down device presses on uneven and can break chips. Eine Reinigung des metallischen Niederhalters ist nicht möglich, da sich die Verunreinigungen zu fest einbrennen. A cleaning of the metallic-down device is not possible because the impurities burn too tight. Die Emissionen schlagen sich ebenso am Bondkopf der Vorrichtung nieder, wobei die Optik und der Transducer besonders kritisch sind. Emissions are reflected well on the bonding head of the device down, the optics and the transducer are particularly critical.

Die in die Bondverbindung eingebrachte Energie besteht aus den Energiebeiträgen der Bondkraft, der Bondtemperatur und des Ultraschalls. The introduced in the bond energy consists of the energy contributions of the bonding force, the bonding temperature and ultrasound. Die Temperatur weist dabei die größte Effektivität auf. The temperature in this case has the greatest effectiveness. Bei einer Verringerung der Bondtemperatur können die Bondkräfte jedoch nur bedingt erhöht werden, um eine mechanische Schädigung der Anordnung zu vermeiden. With a reduction in the bonding temperature, the bonding strength can be increased only conditionally, to avoid mechanical damage to the assembly. Eine Erhöhung der Ultraschallenergie erscheint deshalb zweckmäßig. therefore increasing the ultrasonic energy to be appropriate.

Die Erfindung will deshalb einen Beitrag zur Lösung der vorstehend genannten Probleme leisten. The invention therefore intends to make a contribution to solving the above problems.

Die Erfindung erreicht dies bei einer Vorrichtung der ein gangs genannten Art durch eine in den Niederhalter eingefügte Maske mit vorgegebenem Elastizitätsmodul, die als Druckzone vorgesehen ist. The invention achieves this with a device of the type mentioned by a an inserted into the hold-mask having a predetermined modulus of elasticity, which is provided as the printing zone.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung ermöglicht eine wirksame Be dämpfung der Anordnung. The device of the invention allows an effective attenuation of the loading assembly. Dadurch kann die ultraschallerregte Kapillare beim Kontakt mit dem zu bondenden Teil dieses nicht in Schwingungen versetzen, was einen Energieverlust bedeuten würde. This can not put this into vibrations, which would mean a loss of energy ultrasound-excited capillary in contact with the bond portion. Die Vorrichtung ermöglicht auch unter ungünstigen Voraussetzungen die gleiche Bedämpfung aller Bondfinger des Systemträgers, da der vorgegebene Elastizitätsmodul des Maskenmatrials eine optimale Anpassung an ungleichmäßige Oberflächen erlaubt. The apparatus allows even under unfavorable conditions, the same damping of all the bonding fingers of the lead frame, since the predetermined modulus of elasticity of Maskenmatrials allows an optimum adaptation to uneven surfaces. Insbesondere bei LOC-Bauteilen ist dies wichtig, da hier die Anschlüsse auf dem Chip liegen und durch den ausgehärteten Kleber der verbindenden Folie in ihrer Lage fixiert sind. In particular, in LOC components this is important, since the connections are located on the chip and are fixed by the hardened adhesive of the connecting foil in position. Mit der Erfindung sind formschlüssige Kontakte möglich. With the invention interlocking contacts are possible.

Bei einer Ausbildung der Maske aus einem Material mit gerin ger Wärmeleitzahl wird darüberhinaus die Konvenktion über den massiven großflächigen Metallniederhalter verringert. In an embodiment of the mask from a material having thermal conductivity of the clotting ger Konvenktion is furthermore reduced during the massive large-surface metal hold-down. Bei der Drahtkontaktierung von Wertkartenchips ergeben sich aufgrund der mit der Erfindung möglichen niedrigeren Temperaturen er heblich weniger Emissionen des temperaturempfindlichen Kunststoffträgerbandes, so daß die sich am Niederhalter nie derschlagende ungleichmäßige harte Schicht verringert und ein Brechen der Chips beim Andrücken des Niederhalters praktisch ausgeschlossen wird. In the wire bonding of value cards chips emerge due to the possible with the invention lower temperatures it considerably lower emissions of temperature-sensitive plastic carrier tape, so that the decrease in the holding-down device never Derschlag forming uneven hard layer and the breakage of the chip is practically excluded when pressing of the blank holder.

Ausgestaltungen der Erfindung sind in Unteransprüchen gekenn zeichnet. Embodiments of the invention are characterized in marked in subclaims.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläu tert. The invention will tert erläu detail below using an illustrated in the drawing figures embodiment. Es zeigen: Show it:

Fig. 1 eine räumliche Schemazeichnung eines Niederhalters einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, Fig. 1 is a perspective schematic drawing of a blank holder of a device according to the invention,

Fig. 2 schematische Detailzeichnungen eines Niederhalters, Fig. 2 shows a schematic detail drawing of a blank holder,

Fig. 3 schematische Detailzeichnungen einer Maske für den Niederhalter, Fig. 3 is a schematic detail drawing of a mask for the blank holder,

Fig. 4 ein Diagramm zur Erläuterung des mit der Erfindung erzielbaren verringerten Temperaturgradienten und Fig. 4 is a graph for explaining the advantages attainable with the invention reduced temperature gradient and

Fig. 5 die bereits erläuterte bekannte Anordnung. Fig. 5, the above-explained known arrangement.

Der in Fig. 1 gezeigte Niederhalter einer erfindungsgemäßen Vorrichtung enthält ein langgestrecktes, dem Heiztisch bzw. dem Trägerband angepaßtes metallisches Teil 20 , das vorzugs weise aus hochlegiertem Stahl besteht. The hold-down of a device according to the invention shown in FIG. 1 includes an elongated, adapted to the hot stage and the carrier tape metallic part 20, which is preferential example of high-alloy steel. Das Teil 20 kann die Außenabmessungen eines bekannten Niederhalters haben. The part 20 may have the external dimensions of a known-down device. Auf der Unterseite ist in eine Aussparung des Metallteils 20 eine Maske 21 eingefügt, die eine Öffnung 24 enthält, welche mit einer Öffnung 25 in dem Metallteil 20 korrespondiert. On the underside in a recess of the metal member 20, a mask 21 is inserted, and includes an opening 24 which corresponds with an opening 25 in the metal part of the twentieth Die Maske 21 kann beispielsweise mit Schrauben in entsprechenden Gewindelöchern 23 des Metallteils eingeschraubt sein. The mask 21 can be screwed, for example, with screws in corresponding threaded holes 23 of the metal part. Die Dicke der Maske ist so gewählt, daß diese über die Unterseite des metallischen Teils 20 hinausragt, also dicker als die Höhe der Aussparung ist. The thickness of the mask is that this projects beyond the underside of the metallic part 20, that is thicker than the height of the recess so selected. Die Unterseite des metallischen Teils 20 kann zusätzlich mit einem wärmeisolierenden Material 22 , z. The underside of the metallic part 20 may be additionally provided with a heat insulating material 22, for example. B. mit Polytetrafluorethylen überzogen sein. For example, be coated with polytetrafluoroethylene. Die Dicke des Überzugs wird dabei so gewählt, daß die Maske auf ihrer Unterseite auch bezüglich der Oberfläche des wärmeisolieren den Materials herausragt. The thickness of the coating is so selected that the mask projecting on their underside also with respect to the surface of the thermally isolate the material.

Fig. 2 zeigt ein Beispiel für ein metallisches Teil 20 in der Untersicht, im Schnitt und in der Draufsicht. Fig. 2 shows an example of a metallic part 20 in the bottom view, in section and in plan view. Die Öffnung 25 weist angeschrägte Flanken auf und hat an ihrer Unterseite eine Aussparung 26 , die zur Aufnahme der Maske vorgesehen ist. The aperture 25 has chamfered edges and has on its underside a recess 26, which is provided for receiving the mask.

Fig. 3 zeigt detaillierte Schnitte und eine Ansicht der Maske 21 für das Metallteil 20 . Fig. 3 shows a detailed section and a view of the mask 21 for the metal part 20. Die Dicke der Maske ist grö ßer als die Höhe der Aussparung 26 des Metallteils. The thickness of the mask is exceed ing the height of the recess 26 of the metal part. Nach Ein fügen der Maske 21 in das Metallteil 20 ergibt sich ein Nie derhalter für die erfindungsgemäße Vorrichtung, der großflä chig auf den Anschlußbereichen des Systemträgers aufliegen kann. After the mask 21 A paste in the metal part 20 results in a never derhalter for the inventive device, which can rest großflä chig to the terminal areas of the system carrier. Die Maskenöffnung bzw. der Maskenrahmen ist an die Geometrie des Halbleiterchips und des Systemträgers so ange paßt, daß optimale Andruckverhältnisse gegeben sind. The mask opening and the mask frame is fitted so attached to the geometry of the semiconductor chip and the system carrier, that optimum Andruckverhältnisse are given. Ein Austausch der Maske gegen eine andere Maske, z. An exchange of the mask with another mask, z. B. für ein anderes Produkt, ist einfach möglich und erlaubt hohe Flexi bilität. As for another product is easily possible, and allows high flexi bility.

Als Material für die Maske 21 eignet sich eine Kombination aus speziellen Glasseidengeweben, die mit hochwertigen Poly meren gebunden sind. As the material for the mask 21, a combination of special glass silk fabrics that are bound with high quality poly mers suitable. Im Handel erhältlich ist ein Kunststoff mit der Bezeichnung KV 3 der Firma Brandenburger Isoliertech nik GmbH, Taubensuhlstraße 6, Landau/Pfalz. commercially available is a plastic called KV 3 from Brandenburg Isoliertech nik GmbH, Taubensuhl 6, Landau / Pfalz. Dieses Material hat gemäß Firmenprospekt eine niedrige Wärmeleitzahl, die nur unwesentlich über Wärmeleitzahlen für Edelgase liegt, eine hohe Wärmebeständigkeit und eine hohe Druckfestigkeit. according to company brochure This material has a low coefficient of thermal conductivity, which is only marginally higher than thermal conductivities of noble gases, a high heat resistance and a high compressive strength. Bei geringem Wärmeausdehnungskoeffizienten und hoher Dauertempe raturbeständigkeit von über 250°C weist das Material einen Elastizitätsmodul von 3*104 N/mm² auf. With low thermal expansion coefficient and high continuous tempering raturbeständigkeit of over 250 ° C, the material has an elastic modulus of 3 × 104 N / mm². Andere Materialien eignen sich ebenfalls. Other materials are also suitable.

Der Niederhalter ermöglicht eine wirksame Bedämpfung und ei nen höheren Wirkungsgrad des beim Bonden in die Vorrichtung einzubringenden Ultraschalls. The holding-down device allows effective damping and ei NEN higher efficiency to be introduced into the apparatus during bonding ultrasound. Ein Rahmen des Niederhalters zum Andrücken der Anschlußbereiche des Systemträgers ist nicht erforderlich, da die gesamte Maske des Niederhalters großflächig auf den Systemträger aufdrückt und aufgrund der größeren Fläche die zu montierende Anordnung wirksam bedämp fen kann, weil der hohe Elastizitätsmodul des im Ausführungs beispiel verwendeten Maskenmaterials eine optimale Anpassung an ungleichmäßige Oberflächen oder Anschlußbereiche ermög licht. , a frame of the presser foot for pressing the terminal portions of the lead frame is not required, since the entire mask of the downholder impresses a large area on the leadframe and bedämp to assemble arrangement effectively due to the larger surface fen, because the high Young's modulus of the mask material, for example used in the execution a optimal adaptation to uneven surfaces or service areas made it light.

Die Maske des Niederhalters paßt sich ausreichend flexibel an mögliche Höhenunterschiede der Anschlußbereiche, die aufgrund von Fertigungstoleranzen und von Ungenauigkeiten des Prozesses bis zu 10 µm betragen können, an, so daß auch die Anschlußbereiche von LOC-Bauteilen sicher und zuverlässig geklemmt werden. The mask of the downholder adapts sufficiently flexible to possible differences in height of the connection areas, which can be up to 10 microns because of manufacturing tolerances and inaccuracies of the process, so that the terminal portions of LOC components are securely and reliably clamped.

Die niedrige Wärmeleitzahl der Maske des Ausführungsbeispiels verhindert darüberhinaus einen Wärmeübergang vom auszuheizen den Chip auf den Niederhalter. The low thermal conductivity of the mask of the embodiment in addition prevents heat transfer from to anneal the chip on the blank holder. Als weitere Maßnahme zur Ver ringerung des Wärmeübergangs auf den Niederhalter bzw. das metallische Teil 20 kann die Unterseite des metallischen Teils 20 mit einer selbstklebenden wärmeisolierenden Polyte trafluorethylenfolie (Markenname Teflon) überzogen werden. As a further measure for the heat transfer Ver ringerung on the blank holder or the metallic part 20, the underside of the metallic part 20 with a self-adhesive heat insulating Polyte trafluorethylenfolie (trade name Teflon) are coated. Dadurch wird die vom Heiztisch abgestrahlte Wärme reflektiert und das Trägerband auf dem Heiztisch wird für den eigentli chen Drahtkontaktierungsprozeß besser vorgeheizt. This radiated by the hot stage heat is reflected and the carrier tape on the hot stage is better preheated for eigentli chen Drahtkontaktierungsprozeß. Auf diese Weise verringert sich der Temperaturoffset zwischen dem Reg ler für den Heiztisch und der tatsächlichen Temperatur an den zu bondenden bzw. kontaktierenden Stellen. In this way, the temperature offset between the knobs for the heating stage and the actual temperature of the to be bonded or contacting points reduced.

Ablagerungen aufgrund eines Auskondensierens von Kunststoff- Trägerbändern für Wertkarten, die sich am Niederhalter bil den, lassen sich von einer Teflon-Beschichtung mit handelsüb lichen Lösungsmitteln leicht entfernen. Deposits due to a Auskondensierens of plastic carrier tapes for value cards on the hold-down bil can be easily removed by a Teflon coating with mercially solvents. Darüberhinaus ist es möglich, kostengünstig eine Teflonbeschichtung zu erneuern. Moreover, it is possible to renew cost a Teflon coating. Andererseits kommt die Teflonbeschichtung nicht in direkten Kontakt mit den Halbleiterchips, so daß ein Brechen der Chips aufgrund etwaiger Anpreßkräfte nicht möglich ist. On the other hand, the Teflon coating does not come into direct contact with the semiconductor chips, so that a breaking of the chip is not possible due to any pressure forces.

Fig. 4 zeigt ein Diagramm, in dem die effektive Temperatur an dem zu kontaktierenden Systemträger in Abhängigkeit von der mit dem Regler für den Heiztisch eingestellten Temperatur bei einer Aufheizzeit von 5 sec dargestellt ist. Fig. 4 shows a diagram in which the effective temperature is shown on the system carrier to be contacted depending on the time set in the controller for the hot stage temperature at a heating time of 5 sec. Kurve a zeigt einen Kurvenverlauf, der mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung erzielt werden kann, während Kurve b einen Kur venverlauf nach dem Stand der Technik wiedergibt. Curve a shows a curve which can be achieved with an inventive device, while curve b represents a cure venverlauf according to the prior art. Erkennbar wird durch die erfindungsgemäße Vorrichtung der Temperatur gradient zwischen dem Regler bzw. dem Heiztisch und der ef fektiven Temperatur an den Bondstellen verringert. Seen the temperature gradient is reduced at the bonding sites between the regulator and a hot stage and the ef fektiven temperature by the inventive device. Aus diesem Grund kann die Temperatur des Heiztisches zurückgenommen wer den, so daß sich die eingangs geschilderten temperaturbeding ten Probleme bei Heiztischen deutlich verringern. For this reason, the temperature of the hot stage is withdrawn to whoever so that the initially described temperaturbeding th problems with heating tables decrease significantly.

Claims (7)

1. Vorrichtung zur Herstellung von Drahtkontaktierungen zwi schen Anschlüssen eines Halbleiterchips und eines Systemträ gers mit einem Heiztisch und einem Niederhalter, insbesondere zum Andrücken des Systemträgers, dadurch gekennzeichnet, daß der Niederhalter ( 20 , 21 ) eine eingefügte Maske ( 21 ) mit vorgegebenem Elastizitätsmodul enthält, die als Druckzone vorgesehen ist. 1. An apparatus for producing wire bonds Zvi rule terminals of a semiconductor chip and a Systemträ gers with a hot stage and a holding-down device, in particular for pressing the system carrier, characterized in that the holding-down device (20, 21) an inserted mask (21) having a predetermined modulus of elasticity that is provided as the printing zone.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske ( 21 ) eine vorgegebene Wärmeleitzahl hat und insbesondere wärmeisolierend ist. 2. Device according to claim 1, characterized in that the mask (21) has a predetermined coefficient of thermal conductivity and is in particular heat-insulating.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß im wesentlichen die ganze Unterseite der Maske als Druck zone für den Systemträger vorgesehen ist. 3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that substantially the whole bottom side of the mask is provided as a compression zone for the system carrier.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske ( 21 ) aus Kunststoff gebildet ist. 4. Device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the mask (21) is formed of plastic.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske eine an die Geometrie zwischen Halbleiterchip ( 3 ) und Systemträger angepaßte Öffnung ( 24 ) enthält. 5. Device according to one of claims 1 to 4, characterized in that the mask includes a to the geometry between the semiconductor chip (3) and system carrier adapted opening (24).
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Niederhalter ( 20 , 21 ) auf an die Maske anschließenden Bereichen seiner Unterseite mit einem wärmeisolierenden Mate rial ( 22 ) überzogen ist. 6. Device according to one of claims 1 to 5, characterized in that the holding-down device (20, 21) on to the mask subsequent areas of its underside with a thermally insulating mate rial (22) is coated.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske ( 21 ) austauschbar ist. 7. Device according to one of claims 1 to 6, characterized in that the mask (21) is replaceable.
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