DE4011935C2

DE4011935C2 -

Info

Publication number: DE4011935C2
Application number: DE4011935A
Authority: DE
Inventors: Kazutami Arimoto; Yoshio Matsuda; Tsukasa Ooishi; Masaki Tsukude; Kazuyasu Itami Hyogo Jp Fujishima
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1989-04-13
Filing date: 1990-04-12
Publication date: 1991-09-26
Also published as: JPH0349092A; US5022007A; JP2779538B2; DE4011935A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Testsignalgenerator für eine integrierte Halbleiterspeicherschaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 und auf ein Testverfahren zum Testen einer Spalte von Speicherzellen einer integrierten Halbleiterspeicherschaltung. Insbesondere wird ein derartiger Testsignalgenerator für dynamische RAMs ein gesetzt, die Schaltungen für Leitungstests zum Reduzieren der Zeit zum Testen der Speicherzellen bei Speichern großer Kapazität enthalten.

Fig. 13 ist ein schematisches Diagramm der gesamten Anordnung eines dynamischen RAMs. Wie in Fig. 13 gezeigt ist, ist ein Adreßsignal A an einen Adreßpuffer 31 angelegt. Der Adreß puffer 31 speichert das Adreßsignal Ai, legt ein Zeilenadreß signal an Zeilendecoder 36a und 36b an, legt ein Spalten adreßsignal an einen Spaltendecoder 40 an und legt einen Teil des Zeilenadreßsignales an eine Zeitgeberschaltung 32 an. Der Zeilendecoder 36a bezeichnet eine Zeilenadresse eines Speicherzellenfeldes 35a, der Zeilendecoder 36b bezeichnet eine Zeilenadresse eines Speicherzellenfeldes 35b, und der Spaltendecoder 40 bezeichnet eine Spaltenadresse der Spei cherzellenfelder 35a und 35b. Ein RAS-Signal, ein R/W-Signal und ein TE-Signal sind an die Zeitgeberschaltung 32 angelegt. Die Zeitgeberschaltung 32 legt ein Schaltsignal an Lesever stärker 37a und 37b zum Steuern des Schaltens des Daten schreibens in die Speicherzellenfelder 35a oder 35b oder des Lesens der geschriebenen Daten von den Feldern 35a oder 35b als Reaktion auf ein Signal eines Teiles des Zeilenadreß signales.

Eine Leitungsteststeuerung 33 legt ein Testmustersignal an Register 39a und 39b zum Steuern eines Leitungstestes an. Koinzidenznachweisschaltungen 38a und 38b bestimmen, ob die in den Registern 39a und 39b gespeicherten Testmuster und die in jeder Spalte von Speicherzellen in den Speicherzellen feldern 35a und 35b übereinstimmen oder nicht, und wenn sie nicht übereinstimmen, geben sie eine Fehlermarke durch einen I/O-Puffer 34 aus.

Fig. 14 ist ein Diagramm eines Teiles einer Feldanordnung eines dynamischen RAMs, der in sich selber eine Leitungs testschaltung enthält. Das in Fig. 14 gezeigte Beispiel ist in "ISSCC89 Digest of Technical Papers, FAM16.4", Seite 244 und 245" beschrieben. Wie in Fig. 14 gezeigt ist, sind gepaarte Bitleitungen 1 und 2 mit einem Leseverstärker 5 verbunden, und Speicher zellen 22 sind an Schnittpunkten der Bitleitung 1 und einer Wortleitung 13 angeschlossen. Zusätzlich ist der Lesever stärker 5 mit einer Koinzidenznachweisschaltung 8 verbunden, die zum Beispiel eine EXOR-Schaltung aufweist, und weiterhin ist er mit einem Ende der Knoten 3 und 4 über Übertragungs transistoren 6 und 7 verbunden.

Die Koinzidenznachweisschaltung 8 und ein Register 10 sind mit den Knoten 3 und 4 verbunden. Das Register 10 weist zwei Inverter mit Eingängen und Ausgängen auf, die miteinander zum Vorsehen eines Verriegelungseinganges verbunden sind. Die Koinzidenznachweisschaltung 8 ist vorgesehen zum Nach weisen, ob der in dem Register 10 verriegelte Erwartungswert und die in einer Speicherzelle 22 gespeicherten Daten über einstimmen oder nicht. Ein Paar von Haupt-I/O-Leitungen 11 und 12 sind mit den anderen Enden der Knoten 3 und 4 über Übertragungstransistoren 20 und 21 verbunden. Eine Koinzi denzleitung 9 zum Ausgeben eines Leitungstestresultates ist mit der Koinzidenznachweisschaltung 8 verbunden. Die Über tragungstransistoren 6 und 7 sind durch ein Taktsignal Φ₃ gesteuert, und die Übertragungstransistoren 20 und 21 sind durch ein Spaltendecoderausgangssignal Yn gesteuert.

Fig. 15 ist ein Ablaufdiagramm zum Erläutern des Betriebes zum Durchführen eines Leitungstestes in dem in Fig. 14 ge zeigten dynamischen RAM, Fig. 16 ist ein Diagramm eines Speicherzellenfeldes, das eine Matrix von m-Zeilen und n-Spalten aufweist, und Fig. 17 ist ein Diagramm eines Bei spieles eines Testmusters zum Testen einer Leitung in einem dynamischen RAM.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 13 bis 17 wird die Beschrei bung einer Tätigkeit zum Testen einer Leitung in einem dyna mischen RAM gegeben. Zuerst wird das Spaltendecoderausgangs signal Yn an die Übertragungstransistoren 20 und 21 angelegt, so daß die Übertragungstransistoren 20 und 21 leitend werden, dadurch werden die Knoten 3 und 4 mit dem Paar von Haupt- I/O-Leitungen 11 und 12 verbunden. Dann wird ein Zufallstest muster eingegeben und in das Register 10 durch das Paar von Haupt-I/O-Leitungen 11 und 12, die Übertragungstransistoren 20 und 21 und die Knoten 3 und 4 eingeschrieben.

Dann werden die Übertragungstransistoren 6 und 7 durch das Taktsignal Φ₃ leitend gemacht, und die Wortleitung 13 wird aktiviert, wodurch die in das Register 10 geschriebenen Daten auf das Bitleitungspaar 1 und 2 durch die Übertragungstran sistoren 6 und 7 übertragen werden und in eine Spalte von Speicherzellen 22 eingegeben werden, die durch die ausge wählte Wortleitung 13 bezeichnet sind. Wenn das Speicherfeld durch eine Matrix von m-Zeilen und n Spalten gebildet ist, wie in Fig. 16 gezeigt ist, werden n-Bitdaten zu einem Zeit punkt auf eine Spalte von Speicherzellen übertragen. Durch das Durchführen einer solchen Übertragungstätigkeit m-mal, d.h. für alle Wortleitungen, werden Daten in das gesamte Speicherfeld geschrieben.

Der Lesebetrieb wird wie folgt durchgeführt. Daten in einer Spalte von Speicherzellen 22, die durch eine Wortleitung 13 ausgewählt sind, weisen eine kleine Potentialdifferenz so auf, daß diese durch den Leseverstärker 5 verstärkt wird, um sie auf das Bitleitungspaar 1 und 2 auszulesen. Anderer seits werden die erwarteten Daten in einer Spalte des Re gisters 10 gehalten. Jetzt werden die Übertragungstransisto ren 6 und 7 geschlossen, d.h. nicht-leitend gemacht. Die Koinzidenznachweisschaltung 8 weist nach, ob die von der Speicherzelle 22 auf das Bitleitungspaar 1 und 2 ausgelesenen Daten und die erwarteten Daten, die in dem Register 10 ver riegelt sind, miteinander übereinstimmen oder nicht. Das nachgewiesene Resultat der Koinzidenz wird auf die Koinzi denzleitung 9 ausgegeben. D.h., die Koinzidenzleitung 9 wird auf einen hohen Pegel vorgeladen, und ein Ausgang der Koinzi denznachweisschaltung 8 ist als OR-Ausgang verdrahtet, so daß der Pegel auf der Koinzidenzleitung 9 auf einen niedrigen Pegel entladen wird und eine die entsprechende Koinzidenz anzeigende Marke ausgegeben wird, wenn irgendeiner der Werte in der Spalte von Speicherzellen 22 und der Werte in der Spalte des Registers 10 nicht übereinstimmen. Durch das Durchführen des Lesebetriebes zum Nachweisen der Koinzidenz (Leitungslesebetrieb) m-mal für alle Wortleitungen wird der Lesevergleich des gesamten Speicherfeldes beendet.

Eine einzelne Betriebszykluszeit sei durch t_c gegeben, dann wird die für einen Test notwendige Testzeit t wie folgt dar gestellt:

t = n × t_c + m × t_c + m × t_c = t_c (2m + n).

Dies ist der Gesamtbetrag der Zeit des Schreibens in das Register, der Zeit des Kopierschreibens und der Zeit des Leitungslesens. Bei einem Test werden verschiedene Testmuster bei einem DRAM großer Kapazität eingesetzt, damit die Nach weisempfindlichkeit der Wechselwirkung zwischen benachbarten Speicherzellen und ähnliches verbessert wird. Folglich wird ein Testverfahren benötigt, bei dem ein Testmuster mit so zufällig wie möglich verteilten Daten eingesetzt werden kann.

Obwohl, wie oben beschrieben, bei einem dynamischen RAM, der eine Leitungstestschaltung selbst enthält, das Testmuster in die Richtung der Wortleitung 13 zufällig verteilt sein kann, ist das Muster in die Richtung der Bitleitung immer nur das gleiche. Obwohl, wie in Fig. 17 gezeigt, ein zufäl liges Testmuster in die Spaltenrichtung erzeugt werden kann, kann nur immer das gleiche Muster in eine Zeilenrichtung erzeugt werden.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen Testsignalgenerator für eine integrierte Halbleiterspeicherschaltung zu schaffen, der ein zufälliges Testmuster nicht nur in die Wortleitungs richtung, sondern auch in die Bitleitungsrichtung erzeugen kann, weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, ein Testverfah ren dafür zu schaffen, dabei soll es möglich sein, ein Zu fallsmuster in eine Bitleitungsrichtung zu benutzen.

Erfindungsgemäß ist ein Testsignalgenerator vorgesehen für eine integrierte Halbleiterspeichereinrichtung, der durch die Merkmale des Patentanspruches gekennzeichnet ist.

Folglich ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, die Werte der ersten bzw. zweiten Spannung zu schreiben oder zu lesen, die dem ersten und dem zweiten logischen Pegel entsprechen, oder die Werte der Inversion der ersten und der zweiten Spannung zu schreiben und zu lesen, oder die Werte einer Kombination davon zu schreiben oder zu lesen, so daß ein Leitungsmodustest erzielt wird, der ein Zufalls muster auch in die Bitleitungsrichtung ermöglicht. Als Re sultat kann vorteilhafterweise die Testzeit kurz gehalten werden, wodurch signifikant die Empfindlichkeit zum Nachweis eines Fehlers bei einem Leitungsmodustest verbessert wird.

Bevorzugte Weiterbildungen des Testsignalgenerators sind in den Unteransprüchen 2 bis 5 gekennzeichnet.

Weiterhin ist erfindungsgemäß ein Verfahren zum Testen einer Spalte von Speicherzellen in einer integrierten Halbleiter speicherschaltung durch eine darin enthaltene Vergleichseinrichtung vorgesehen, das durch die Merkmale des Patentanspruches 6 gekennzeichnet ist.

Bevorzugt wird das Resultat des Vergleiches zeitweilig gespeichert.

Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigt:

Fig. 1 ein schematisches Diagramm einer Ausführungsform des Testsignalgenerators;

Fig. 2 ein Ablaufdiagramm zum Erläutern eines Betriebes der Ausführungsform nach Fig. 1;

Fig. 3 ein Diagramm eines Beispieles von Testmustern nach der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform;

Fig. 4 ein elektrisches Schaltungsdiagramm für einen Testmustererzeugungsabschnitt nach einer anderen Ausführungsform;

Fig. 5 ein Diagramm eines Beispieles eines Testmusters der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform;

Fig. 6 ein Ablaufdiagramm zum Erläutern des Betriebes zum Speichern von invertierten Testdaten in einer Speicherzellenspalte der gleichen Wortleitung, wobei die Daten in einem Register belassen werden;

Fig. 7 ein eine Änderung der Daten zeigendes Diagramm;

Fig. 8 ein Ablaufdiagramm zum Erläutern eines Betriebes zum Invertieren und Speichern von Daten, die aus einer Speicherzellenspalte der gleichen Wortlei tung gelesen sind und Schreiben der invertierten Daten in eine Speicherzellenspalte der gleichen Wortleitung, wobei keine Daten in einem Register belassen sind;

Fig. 9 ein eine Änderung der Daten zeigendes Diagramm;

Fig. 10 ein Ablaufdiagramm zum Erläutern eines Betriebes zum Invertieren und Speichern von Daten, die von einer Speicherzellenspalte, die einer Wortleitung entsprechen, gelesen sind, und Schreiben der invertierten Daten in eine Speicherzellenspalte, die einer anderen Wortleitung entspricht, wobei keine Daten in einem Register belassen sind;

Fig. 11 ein Ablaufdiagramm zum Erläutern eines Betriebes zum Speichern von Daten in einer Speicherzellen spalte, die einer anderen Wortleitung entspricht, wobei Daten in einem Register belassen werden;

Fig. 12 ein eine weitere Ausführungsform zeigendes Diagramm;

Fig. 13 ein schematisches Diagramm der gesamten Anordnung eines dynamischen RAMs;

Fig. 14 ein Diagramm eines Teiles einer Feldanordnung eines dynamischen RAMs, der selbst eine Leitungs testschaltung enthält;

Fig. 15 ein Ablaufdiagramm zum Erläutern eines Betriebes zum Ausführen eines Leitungstestes in dem in Fig. 14 gezeigten dynamischen RAM;

Fig. 16 ein Diagramm eines Speicherfeldes mit einer Matrix von m-Zeilen mal n-Spalten; und

Fig. 17 ein Diagramm eines Beispieles von Testmustern in einem Leitungstest in einem dynamischen RAM.

Fig. 1 entspricht der oben beschriebenen Fig. 14 mit den folgenden Ausnahmen. Das Register 10 ist über Übertra gungstransistoren 14 und 15 verbunden, und ein invertierter Ausgang des Registers 10 ist über Übertragungstransistoren 16 und 17 mit den Knoten 3 und 4 verbunden. Die Übertragungs transistoren 14 und 15 werden durch ein von einem Taktgene rator 18 ausgegebenes Taktsignal Φ₁ gesteuert, und die Über tragungstransistoren 16 und 17 werden durch ein von einem Taktgenerator 19 ausgegebenes Taktsignal Φ₂ gesteuert.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 wird im folgenden die Beschreibung eines Leitungstestes bzw. Leitungsmodus testes bei einer Ausführungsform der Erfindung gegeben. Zuerst wird das Spaltendecoderausgangssignal Yn an die Über tragungstransistoren 20 und 21 angelegt, so daß die Über tragungstransistoren 20 und 21 leitend werden. Gleichzeitig wird das auf dem "H"-Pegel liegende Taktsignal Φ₁ von dem Taktgenerator 18 an die Übertragungstransistoren 14 und 15 angelegt, so daß die Übertragungstransistoren 14 und 15 lei tend werden. Zu diesem Zeitpunkt ist das von dem Taktgenera tor 19 ausgegebene Taktsignal Φ₂ auf dem "L"-Pegel, und die Übertragungstransistoren 16 und 17 sind nicht-leitend. Eine Zufallstestmusterspalte D wird an eine Spalte des Registers 10 von dem I/O-Leitungspaar 11 und 12 durch die Übertragungs transistoren 20 und 21 sowie 14 und 15 so angelegt, daß die Zufallstestmusterspalte D in die Spalte des Registers 10 geschrieben wird.

Dann wird das Taktsignal Φ₃ an die Übertragungstransistoren 6 und 7 so angelegt, daß die Übertragungstransistoren 6 und 7 leitend werden. Daher wird die in die Spalte des Registers 10 geschriebene Testmusterspalte D von den Übertragungstran sistoren 14 und 15 über die Knoten 3 und 4 und die Übertra gungstransistoren 6 und 7 an das Bitleitungspaar 1 und 2 ausgegeben, und die Wortleitung 13 wird aktiviert, wodurch die Zufallstestmusterspalte D in eine Spalte der Speicher zellen 22 geschrieben wird. Durch die Kopierschreibtätigkeit wird die Zufallstestmusterspalte D in die durch die Wortlei tung 13 ausgewählte Spalte von Speicherzellen 22 geschrieben.

Wenn die oben beschriebenen Übertragungstransistoren 14 und 15 nicht-leitend werden und die Übertragungstransistoren 16 und 17 als Reaktion auf das Taktsignal Φ₂ leitend werden, wird ein invertiertes Datenmuster der Testmusterspalte D auf eine zu beschreibende Spalte von Speicherzellen über tragen. Wenn das Speicherzellenfeld durch eine Matrix von m-Zeilen und n-Spalten dargestellt wird, werden jedesmal n Bitdaten übertragen, und indem diese Tätigkeit m-mal durch geführt wird, d.h. für alle Wortleitungen, können die Daten der Testmusterspalte in das gesamte Speicherfeld auf die gleiche Weise wie zuvor beschrieben geschrieben werden. Nun können während eines m-fachen Übertragens durch abwechselndes Leitendmachen der Übertragungstransistoren 14 und 15 und der Übertragungstransistoren 16 und 17 durch die Taktsignale Φ₁ bzw. Φ₂ die Testmusterspalte D und die Testmusterspalte kombiniert werden, so daß eine Zufallstestmusterspalte in eine Bitleitungsrichtung geschrieben werden kann, was zuvor nicht möglich war.

Im folgenden wird die Lesetätigkeit beschrieben. Die Daten in der durch die Wortleitung 13 ausgewählten Spalte von Spei cherzellen 22 werden durch den Leseverstärker 5 verstärkt und auf das Bitleitungspaar 1 und 2 ausgelesen. Zu diesem Zeitpunkt wird eine Spalte von zu erwartenden Daten in einer Spalte des Registers 10 gehalten, und die Übertragungstran sistoren 6 und 7 sind nicht-leitend. Dann wird nachgewiesen, ob die aus der Speicherzelle 22 auf das Bitleitungspaar 1 und 2 ausgelesenen Daten und die in dem Register 10 verrie gelten Daten übereinstimmen oder nicht. Zu diesem Zeitpunkt werden die Übertragungstransistoren 14 und 15 leitend ge steuert, oder die Übertragungstransistoren 16 und 17 werden leitend gesteuert in Abhängigkeit von der gleichen Wortlei tungsadresse, wie sie bei der Kopierschreibtätigkeit vorlag. Das Resultat wird auf die Koinzidenzleitung 9 ausgegeben, und wenn irgendeiner der Werte in der Spalte der Speicher zellen 22 und ein Wert in der Spalte des Registers 10 nicht übereinstimmen, wird der Pegel der Koinzidenzleitung 9 auf einen niedrigen Pegel entladen, so daß eine Fehlermarke als Testresultat ausgegeben wird.

Die zum Durchführen eines Testes notwendige Zeit ist die gleiche wie die oben beschriebene, die durch t=t_c (2m+n) dargestellt wird.

Unter Bezugnahme auf das Ablaufdiagramm von Fig. 2 wird jetzt der Testbetrieb durch ein in Fig. 3 gezeigtes Prüfmuster beschrieben, wie er zuvor bei einem Leitungstest nicht durch geführt werden konnte. Zuerst werden die Werte "0" und "1" abwechselnd in eine Spalte des Registers 10 geschrieben. Dann, wenn das am wenigsten signifikante Bit des Adreßsi gnales zum Auswählen der Wortleitung 13 "0" ist, wird das Taktsignal Φ₁ aktiviert, so daß die Transistoren 14 und 15 leitend gemacht werden, wodurch die Testmusterspalte D zu einer Spalte von Speicherzellen 22 übertragen wird. Wenn dagegen das am wenigsten signifikante Bit des Adreßsignales "1" ist, wird das Taktsignal Φ₂ aktiviert, so daß die Über tragungstransistoren 16 und 17 leitend gemacht werden, wo durch eine invertierte Testmusterspalte von dem Register 10 zu den Speicherzellen 22 übertragen wird, wodurch ein Prüfmuster in das Speicherzellenfeld geschrieben wird.

Während der Lesetätigkeit dagegen wird das Taktsignal Φ₁ aktiviert, wenn das am wenigsten signifikante Bit des Adreß signales zum Auswählen der Wortleitung 13 "0" ist, so daß die Übertragungstransistoren 14 und 15 leitend gemacht wer den und die Übertragungstransistoren 6 und 7 nicht-leitend gemacht werden. Die Koinzidenznachweisschaltung 8 weist nach, ob die Spalte D der zu erwartenden Daten und die Speicher zellenspalte übereinstimmen oder nicht. Wenn zusätzlich das am wenigsten signifikante Bit des Adreßsignales "1" ist, wird das Taktsignal Φ₂ aktiviert, so daß die Übertragungs transistoren 16 und 17 leitend gemacht werden, die dadurch nachweisen, ob eine invertierte Spalte D der zu erwartenden Daten und die Speicherzellenspalte übereinstimmen oder nicht. Wenn ein Fehler vorliegt, wird eine entsprechende Marke aus gegeben.

Bei dem in Fig. 4 gezeigten Beispiel wird ein wie in Fig. 5 gezeigtes Testmuster in einer einfachen Anordnung erzeugt, bei der eine Datenerzeugungseinrichtung 10a vorgesehen ist und eine Versorgungsspannung Vcc und ein Massepotential Vss an die Knoten 3 und 4 ohne das Vorsehen des in Fig. 1 gezeig ten Registers 10 angelegt werden. Die Versorgungsspannung +Vcc ist an die entsprechenden Drains der Übertragungstran sistoren 14 und 17 angelegt, während die Drains der Über tragungstransistoren 15 und 16 auf Masse gelegt sind und mit dem Massepotential Vss versorgt werden. Entsprechende Drains von Übertragungstransistoren 24, 27 in den benachbar ten Spalten werden auf Masse gelegt, und die Versorgungs spannung +Vcc wird an die entsprechenden Drains von Über tragungstransistoren 25 und 26 gelegt. Indem somit die Ver sorgungsspannung Vcc und das Massepotential Vss an die Knoten 3 und 4 angelegt wird, kann ein Streifenmuster in die Zeilen richtung wie in Fig. 5 gezeigt und ein Zufallsmuster wie in Fig. 3 gezeigt erzielt werden.

In den vergangenen Jahren ist eine Anordnung eines Selbst testes vorgeschlagen, bei dem der Speicherchip selbst eine Funktion zum Erzeugen eines Testmusters ohne Benutzung eines Testers aufweist, wie in "ISSCC87 Digest of Technical Papers", Seite 286 und 287 von T. Osawa u.a. berichtet worden ist. Bei dem durch die vorliegende Erfindung eingeführten Lei tungstest kann ein derartiges Selbsttesten ebenfallls durch geführt werden, wodurch ein Zufallstestmuster erreicht werden kann. Im Falle eines Prüfmusters zum Beispiel können Muster von "0" und "1" leicht in eine Spalte des Registers als Funk tion einer Spaltenadresse eingegeben werden. Andererseits können die Muster von "0" und "1" in die Bitleitungsrichtung mit einer Funktion der niedrigen Adresse erreicht werden. Diese Muster können mit dem Zähler und der Adresse eingeführt werden, so daß sie leicht bekannt sind.

Solch eine Ausführungsform wird im folgenden unter der Bezug nahme auf die Fig. 6 und 7 beschrieben.

Es sei angenommen, daß in einer Spalte des in Fig. 1 gezeigten Registers 10 zum Beispiel solche Testdaten "01001" wie in Fig. 7(a) belassen sind, und daß solche Anfangsdaten "01001" wie in Fig. 7(b) in einer Spalte der Speicherzellen 22 ge speichert sind, mit der die Wortleitung 13 verbunden ist. Wenn die Übertragungstransistoren 16 und 17 als Reaktion auf das Taktsignal Φ₂ leitend gemacht werden, werden die in der Spalte des Registers 10 gespeicherten Daten "01001" wie in Fig. 7(c) gezeigt invertiert, und die invertierten Daten "10110" werden zu der Spalte der Speicherzellen 22 wie in Fig. 7(e) gezeigt übertragen. Dabei werden die Daten "10110" in die Spalte der Speicherzellen 22 geschrieben, wenn die Wortleitung 13 angehoben ist, wie in Fig. 7(f) ge zeigt ist.

Es folgt die Beschreibung gemäß der Ausführungsform nach den Fig. 8 und 9. Wenn zuerst die Wortleitung 13 angehoben wird, werden die in der Spalte der Speicherzellen 22 gespei cherten Daten "01001" wie in Fig. 9(b) gezeigt auf das Bit leitungspaar 1 und 2 ausgelesen und durch den Leseverstärker 5 verstärkt. Dann werden die Übertragungstransistoren 14 und 15 leitend als Reaktion auf das Taktsignal Φ₁ gemacht, so daß die durch den Leseverstärker 5 verstärkten Daten "01001" in dem Register 10 durch die Übertragungstransistoren 14 und 15 wie in Fig. 9(a) gezeigt gespeichert werden. Wenn die Übertragungstransistoren 16 und 17 als Reaktion auf das Taktsignal Φ₂ leitend gemacht sind, werden die in der Spalte des Registers 10 gespeicherten Daten "01001" invertiert, und dann werden die invertierten Daten "10110" wie in Fig. 9(g) gezeigt auf das Bitleitungspaar 1 und 2 durch die Über tragungstransistoren 6 und 7 ausgegeben. Wenn hierbei die Wortleitung 13 angehoben ist, werden die invertierten Daten "10110" wie in Fig. 9(j) gezeigt in die Spalte der Speicher zellen 22 geschrieben.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 10 wird die m-te Adreßwort leitung angehoben, so daß die in den entsprechenden Speicher zellen gespeicherten Daten auf das Bitleitungspaar 1 und 2 ausgelesen werden und durch den Leseverstärker 5 verstärkt werden. Wenn die Übertragungstransistoren 14 und 15 leitend gemacht sind, werden die durch den Leseverstärker 5 verstärk ten Daten in der Spalte des Registers 10 gespeichert. Wenn dann die Transistoren 16 und 17 leitend gemacht sind, wird ein invertierter Ausgang der in die Spalte des Registers 10 geschriebenen Daten auf das Bitleitungspaar 1 und 2 über tragen. Wenn die n-te Adreßwortleitung angehoben wird, werden die invertierten Daten in die entsprechende Speicherzellen spalte geschrieben.

In Fig. 11 ist ein Ablaufdiagramm gezeigt zum Erläutern einer Testtätigkeit zum Invertieren von Daten in einer Speicherzel lenspalte, die einer Wortleitung entspricht, und zum Schrei ben der invertierten Daten in eine Speicherzellenspalte, die einer anderen Wortleitung entspricht, wobei jedoch die Daten in dem Register belassen werden. Da bei dieser Aus führungsform die Daten in dem Register 10 belassen werden, wenn die Transistoren 16 und 17 leitend gemacht werden, wird eine invertierte Ausgabe der Daten in der einen Spalte der m-ten Adreßwortleitung, die in dem Register 10 gespeichert ist, auf das Bitleitungspaar 1 und 2 übertragen. Wenn dann die n-te Wortleitung angehoben wird, werden die invertierten Daten in der entsprechenden Speicherzellenspalte gespeichert.

Da bei der in bezug auf Fig. 1 oben beschriebenen Ausfüh rungsform ein Koinzidenznachweisausgang der Koinzidenznach weisschaltung 8 für jede Wortleitung ausgegeben wird, ist es notwendig, extern Daten in und von jeder Speicherzelle so zu schreiben und zu lesen, daß die ausgelesenen Daten mit einem erwarteten Wert durch eine Testeinrichtung ver glichen werden, die extern mit einem Speicher verbunden ist, so daß eine Spaltenadresse einer fehlerhaften Speicherzelle nachgewiesen werden kann.

Daher ist die in Fig. 12 gezeigte Ausführungsform so ange ordnet, daß eine Spaltenadresse einer fehlerhaften Speicher zelle erfaßt werden kann. Es ist insbesondere eine Verrie gelungsschaltung 30 zum Verriegeln des Ausganges der Koinzi denznachweisschaltung 8 vorgesehen, und ein Ausgang der Ver riegelungsschaltung 30 ist mit einem I/O-Leitungspaar 11 und 12 durch Übertragungstransistoren 131 und 132 verbunden. Die Gates der Übertragungstransistoren 131 und 132 sind mit einander verbunden, und ein Spaltendecoderausgangssignal Ym ist daran angelegt.

Die Koinzidenznachweisschaltung 8 weist nach, ob die in dem Register 10 gespeicherten Testdaten und die von der Spei cherzelle 22 ausgelesenen Daten übereinstimmen oder nicht und bewirkt, daß die Verriegelungsschaltung 30 den Koinzi denzausgang oder den Nicht-Koinzidenzausgang verriegelt. Wenn die Übertragungstransistoren 131 und 132 durch das Spal tendecoderausgangssignal Ym leitend gemacht sind, wird der Ausgang der Verriegelungsschaltung 30 dem I/O-Leitungspaar 11 und 12 zugeführt. Folglich kann die der fehlerhaften Spei cherzelle entsprechende Spaltenadresse leicht auf das I/O- Leitungspaar 11 und 12 ausgegeben werden.

Claims

1. Testsignalgenerator für eine integrierte Halbleiterspei cherschaltung mit
einem eine erste Bitleitung (1) und eine zweite Bitleitung (2) aufweisenden Bitleitungspaar,
einer Mehrzahl von mit den Bitleitungspaar verbundenen Speicherzellen (22),
einer mit dem Bitleitungspaar verbundenen Vergleichseinrichtung (8) und
mit einer mit dem Bitleitungspaar verbundenen Signalquelle (10) zum Ausgeben einer einem ersten und zweiten Pegel entsprechenden ersten bzw. zweiten Spannung, die als Testdaten, gekennzeichnet durch
eine zwischen der Signalquelle (10) und den Bitleitungspaar geschaltete erste Schalteinrichtung (14, 15) zum Anlegen der ersten und zweiten von der Signalquelle (10) ausgegebenen Spannung an die erste und zweite Bitleitung (1, 2) und
eine zwischen der Signalquelle (10) und dem Bitleitungspaar geschaltete zweite Schalteinrichtung (16, 17) zum Invertieren der ersten und zweiten von der Signalquelle (10) ausgegebenen Spannung und Anlegen der invertierten ersten und zweiten von der Signalquelle (10) ausgegebenen Spannung an die erste und zweite Bitleitung (1, 2).

2. Testsignalgenerator nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Übertragungsgatter (6, 7) zum Unter teilen jeder Bitleitung (1, 2) des Bitleitungs paares in erste Knoten (3, 4) und in mit den Speicherzellen (22) verbundene zweite Knoten und zum Verbinden der Speicherzellen (22) der integrierten Halbleiter speichereinrichtung mit den ersten Knoten (3, 4), wobei die Signalquelle (10) eine Registereinrichtung zum Speichern von nicht-invertierten und invertierten Logikpegel signalen auf den ersten Knoten (3, 4) des Bitleitungspaares aufweist,
die erste Schalteinrichtung (14, 15) so geschaltet ist, daß sie nicht-invertierte, in der Registereinrichtung (10) gespeicherte Logikpegelsignale auf die ersten Knoten (3, 4) des Bitlei tungspaares ausgibt, und
die zweite Schalteinrichtung (16, 17) so geschaltet ist, daß sie die invertierten, in der Register einrichtung (10) gespeicherten Logikpegelsignale auf die ersten Knoten (3, 4) des Bitleitungspaares ausgibt.

3. Testsignalgenerator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vergleichseinrichtung (8) zum Ver gleichen der auf den ersten Knoten (3, 4) des Bitleitungspaares erscheinenden nicht-invertierten und invertierten Logikpegel signale mit auf den zweiten Knoten des Bitleitungspaares erscheinenden Logikpegelsignalen ausgebildet ist und,
daß die erste und die zweite Schalteinrichtung (16, 17) zwischen die Vergleichseinrichtung (8) und die ersten Knoten (3, 4) geschaltet sind.

4. Testsignalgenerator nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch
eine Speichereinrichtung (30) zum zeit weiligen Speichern einer Vergleichsausgabe der Vergleichs einrichtung (8) und
eine dritte Schalteinrichtung (131, 132) zum Ausgeben der zeitweilig in der Speichereinrichtung (30) gespeicherten Vergleichsausgabe.

5. Testsignalgenerator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von Bitleitungspaaren und durch mit dem Bitleitungspaaren verbundene Leseverstärker (5).

6. Testverfahren zum Testen einer Spalte von Speicherzellen (22) einer integrierten Halbleiterspeicherschaltung durch eine darin enthaltene Vergleichseinrichtung (8), mit den Schritten:

- Erzeugen von entweder nicht-invertierten oder invertierten Logikpegelsignalen in einer Signalquelle (10) für die Spalte der Halbleiterspeicherschaltung,
- Übertragen der nicht-invertierten oder invertierten Logikpegelsignale zu einer Speicherzelle (22) und Speichern der nicht-invertierten oder invertierten Logikpegelsignale in der Speicherzelle (22),
- Wiederholen des ersten und zweiten Schrittes, bis Logikpegelsignale in einer Mehrzahl von Speicherzellen (22) gespeichert sind,
- Erzeugen von entweder nicht-invertierten oder invertierten Logikpegelsignalen in der Signalquelle (10) entsprechend den in einer Speicherzelle (22) gespeicherten Logikpegelsignalen,
- Auslesen der in dieser Speicherzelle (22) gespeicherten Logikpegelsignale und
- Vergleichen der zuletzt erzeugten nicht-invertierten oder invertierten Logikpegelsignale und der ausgelesenen Logikpegelsignale in der Vergleichseinrichtung (8).

7. Testverfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Resultat des Vergleiches zeitweilig gespeichert wird.