DE3879441T2

DE3879441T2 - Verfahren zur herstellung von koerpern mit einem kupferueberzug.

Info

Publication number: DE3879441T2
Application number: DE8888121504T
Authority: DE
Inventors: Kazuhiro C O Mitsubishi G Ando; Ryuji C O Mitsubishi G Fujiura; Takamasa C O Mitsubis Kawakami
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 1987-12-24
Filing date: 1988-12-22
Publication date: 1993-09-09
Anticipated expiration: 2008-12-23
Also published as: KR960010822B1; EP0322764A2; EP0322764B1; DE3879441D1; EP0322764A3; US4913938A; KR890009583A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Kupferfilms auf einem Gegenstand. Insbesondere betrifft sie ein Verfahren zur Herstellung eines Kupferfilms auf Gegenständen mit einer hohen Deflektionstemperatur (ohne Last; im folgenden so definiert) von mindestens 165 ºC, z.B. Platten, Formgegenstände, Fasern, Tücher, Papiere und Pulver von thermoplastischen Harzen; wärmehärtbaren Harzen; superhitzebeständigen Harzen, wie Polyimid, aromatisches Polyamid, Polyamidoimid, PPS (Polyphenylensulfid), und Polybenzimidazol; Keramiken, wie Aluminiumoxyd, Siliciumdioxyd (Quarzglas), Zirconiumoxyd, Magnesiumoxyd, Eisenoxyd, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Siliciumnitrid, Siliciumkarbid, Glas und Strontiumtitanat; und Kohlenstoff, die üblicherweise elektrisch isolierend sind. Bei den gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung mit einem Kupferfilm beschichteten Gegenständen wird das Kupfer ohne spezielle Vorbehandlung abgeschieden, und korrosive Elemente, wie z.B. Halogene, sind überhaupt nicht enthalten. Damit können die mit dem Kupferfilm beschichteten Gegenstände in geeigneter Weise als solche oder als Untergrund für das Plattieren von Metallen, wie Kupfer, in verschiedenen Gebieten, z.B. bei elektrischen Anwendungen und Klebstoffanwendungen, eingesetzt werden.
Für die Bildung eines Kupferfilms auf elektrisch isolierenden Gegenständen werden das nichtelektrolytische Plattierverfahren, das Verfahren der Gasphasenabscheidung, das Pressadhäsionsverfahren und ein Verfahren unter Verwendung eines Klebstoffs verwendet.
Das nichtelektrolytische Plattierverfahren wird am weitverbreitesten eingesetzt und ist ausgezeichnet, jedoch besitzt es Nachteile dahingehend, daß eine spezielle Vorbehandlung in Abhängigkeit von dem Gegenstand üblicherweise erforderlich ist, ein für das Plattieren modifiziertes Material in Abhängigkeit von dem Typ hiervon notwendig ist, und daß das Verfahren kompliziert ist. Z.B. ist, wenn ein Gegenstand aus einem wärmehärtbaren Harz oder einem thermoplastischen Harz verwendet wird, ein Verfahren bekannt, bei dem, um die Vorbehandlung auszulassen oder zu vereinfachen, ein Gegenstand mit einer Zusammensetzung mit einem Kunststoff auf der Basis eines Diens oder dergleichen, der im voraus mit dem Harz vermengt wird, verwendet wird. Bei diesem Verfahren werden die Eigenschaften des Harzes selbst häufig verschlechtert. Im Fall eines Gegenstandes, bei dem ein Füllmaterial, z.B. Glasfasern, beigemengt wird, kann, wenn das Füllmaterial auf der Oberfläche gelagert ist, eine gute Adhäsion nicht erhalten werden.
Das Gasphasenabscheidungsverfahren erfordert eine spezielle Ausrüstung für die Gasphasenabscheidung, und somit ist es schwierig, einen großen Gegenstand herzustellen. Weiterhin erfordert das Verfahren eine Vorbehandlung für die Steigerung der Adhäsionseigenschaften in Abhängigkeit von der Art des Gegenstandes.
Das Pressadhäsionsverfahren und das Verfahren unter Verwendung eines Klebstoffs werden manchmal eingesetzt, jedoch bestehen Nachteile dahingehend, daß häufig eine Pressadhäsion nicht möglich ist, die Form des gebildeten Gegenstandes begrenzt ist, und, wenn ein Klebstoff verwendet wird, die Adhäsionsschicht zunimmt und die physikalischen Eigenschaften der Adhäsionsschicht die physikalischen Eigenschaften des Gegenstandes verschlechtern.
Als Ergebnis der Untersuchung zur Entwicklung eines Verfahrens, das ein mit einem Kupferfilm beschichtetes, geformtes Material schafft, das wirtschaftlich, qualitativ hochwertig und einfach ist, wurde die vorliegende Erfindung geschaffen.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung eines mit einem Kupferfilm überzogenen Gegenstandes, das das Auftragen einer Mischlösung, die eine Kupferverbindung, ausgewählt aus der Reihe Kupferhydroxyd und Kupfersalz einer organischen Säure, und einen mehrwertigen Alkohol umfaßt, auf der vorbestimmten Fläche eines Gegenstandes mit einer Wärmedeflektionstemperatur von mindestens 165 ºC und anschließend das Behandeln des Gegenstandes unter Erhitzen auf eine Temperatur von 165 ºC bis zu der Wärmedeflektionstemperatur des Gegenstandes in einer nicht oxydierenden Atmosphäre umfaßt.
Der Gegenstand mit einer Wärmedeflektionstemperatur von mindestens 165 ºC, der gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist ein üblicher, elektrisch isolierender Gegenstand, z.B. eine Platte, eine Form, eine Faser, ein Gewebe, ein Blatt und ein Pulver aus einem thermoplastischen Harz; einem wärmehärtbaren Harz; einem superhitzebeständigen Harz, wie Polyimid, aromatisches Polyamid, Polyamidoimid, PPS (Polyphenylensulfid), und Polybenzimidazol; einer Keramik, wie Aluminiumoxyd, Siliciumdioxyd (Quarzglas), Zirconiumoxyd, Magnesiumoxyd, Eisenoxyd, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Siliciumnitrid, Siliciumkarbid, Glas, und Strontiumtitanat; aus Kohlenstoff usw.
Spezielle Beispiele des thermoplastischen Harzes beinhalten für allgemeine Zwecke vorgesehene Ingenieurkunststoffe, z.B. Polyamidharze, wie Nylon-6, Nylon-66, Nylon-6/66, Nylon-11, Nylon-3 und MXD 6, MXD 6/10, die von Meta-Xylylendiamin und aliphatischen Dicarbonsäuren abgeleitet sind, und kristalline Polyesterharze, wie Polybutylenterephthalat und Polyethylenterephthalat, aromatische Polyester, enthaltend para-Hydroxybenzoesäure, Phthalsäure, Bisphenol und dergleichen als Hauptmonomere, aromatische kristalline Polyesterpolymere, erhalten durch Pfropfen von Polyethylenterephthalat zu die o.g. aromatischen Polyester, Polyetherimid, Polysulfon, Polysalfon, Polyethersulfon, Polyetheretherketon und Polyphenylenether, und Fasern aus den obigen Polymeren, Mineralien und andere füllende Verstärkungsmaterialien. Von diesen sind solche mit einer Wärmedeflektionstemperatur mit mindestens von 190 ºC bevorzugt. Insbesondere werden Polymere mit einer Wärmedeflektionstemperatur von mindestens 210 ºC dadurch bevorzugt, daß die Bedingungen zur Bildung des Kupferfilms aus einem weiteren Bereich ausgewählt werden können.
Spezielle Beispiele des wärmehärtbaren Harzes beinhalten die üblichen wärmehärtbaren Harze, wie ein Phenolharz, ein Diallylphthalatharz, ein Epoxyharz, Polyamin-Bismaleimid Harz, ein Polymaleimid-Epoxyharz, ein Polymaleimid- Isocyanatharz, ein Cyanatharz, ein Cyanat-Epoxyharz, ein Cyanat-Polymaleimidharz und ein Cyanat-Expoy- Polymaleimidharz; wärmehärtbare, sogenannte "IPN"-Harze, erhalten durch Vermengen der obigen wärmehärtbaren Harze mit Ingenieurkunststoffen, wie Polyamid (Nylon), aromatische Polyester, Polyetherimide, Polyetheretherketone, Polysulfone und Polyphenylenether, und durch weitere Zugabe eines Katalysators; vernetzbare Harze, erhalten durch Vermengen eines organischen Peroxids als Vernetzungsmittel und einer radikalisch polymerisierbaren, polyfunktionalen Verbindung, eines wärmehärtbaren Harzes und dergleichen mit Harzen, z.B. einem Polyolefin, wie Polyethylen und 1,2-Polybutadien; und verstärkte Materialien, erhalten durch Vermengen von Glas, Kohlenstoff, Aluminiumoxyd, anderen Fasern, Faserngewebe, Pulver und anderen Füllmaterialien mit den obigen Polymeren. Von diesen sind solche mit einem Glasübergangspunkt von mindestens 160 ºC bevorzugt. Insbesondere sind Polymere mit einem Glasübergangspunkt von mindestens 180 ºC dahingehend bevorzugt, daß die Bedingungen für die Bildung des Kupferfilms aus einem weiteren Bereich ausgewählt werden können.
Spezielle Beispiele des superhitzebeständigen Harzes beinhalten Polyimid, aromatisches Polyamid, Polyamidoimid, PPS (Polyphenylensulfid) und Polybenzimidazol.
Spezielle Beispiele der Keramik beinhalten Aluminiumoxyd, Siliciumoxyd (Quarzglas), Siliciumoxyd-Aluminiumoxyd, Zirconiumoxyd, Magnesiumoxyd, Eisenoxyd, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Siliciumnitrid, Siliciumkarbid, Glas (z.B. alkalifreies Glas, Alkaliglas und Bleiglas), Kohlenstoff (z.B. glasförmiger Kohlenstoff und Graphit) und Strontiumtitanat.
Zur Bildung des Kupferfilms auf dem Gegenstand wird eine Mischlösung, umfassend eine Kupferverbindung, ausgewählt aus Kupferhydroxyd und Kupfersalzen organischer Säuren, und einen mehrwertigen Alkohol (im folgenden als Verfahrenslösung bezeichnet) verwendet.
Die Kupferverbindung ist Kupferhydroxyd oder ein Kupfersalz einer organischen Säure. Verbindungen, die bei der Temperatur, bei der der Kupferfilm gebildet wird und leicht von der Oberfläche abgetrennt wird, nicht karbonisieren, sind bevorzugt. Berücksichtigt man die Kosten und die Verfügbarkeit, dann können geeigneterweise Kupfersalze von Monocarbonsäuren, wie Ameisensäure, Essigsäure, Propionsäure, Buttersäure, Pivalinsäure, Capronsäure, Caprinsäure, Laurinsäure, Stearinsäure, Naphthensäure, Benzoesäure, Ölsäure, Acrylsäure, Methacrylsäure, Crotonsäure und Phentensäure; Kupfersalze von mehrwertigen Carbonsäuren, wie Oxalsäure, Malonsäure, Bernsteinsäure, Glutarsäure, Adipinsäure, Pimerinsäure, Azelainsäure, Brassilinsäure, Maleinsäure, Fumarsäure, Phthalsäure, Tremellithsäure und Maleinsäure; und die Kupfersalze von Mono- oder Polycarbonsäureestern, Amiden und dergleichen, der Hydroxylgruppe der Glukolinsäure und dergleichen, und die Kupfersalze von Aminosäuren, wie Glutarsäure, eingesetzt werden. Von diesen Kupferverbindungen sind Kupferhydroxyd, Kupferformiat und Kupferacetat besonders bevorzugt.
Der mehrwertige Alkohol ist eine Verbindung, die eine oder mehrere Hydroxylgruppen enthält. Es bestehen keine speziellen Begrenzungen hinsichtlich des gemäß der vorliegenden Erfindung zu verwendenden mehrwertigen Alkohols. Jedoch sind Verbindungen, die gute Benetzungseigenschaften auf der Oberfläche des zu verwendenden Gegenstandes aufweisen und die leicht von der Oberfläche bei der Temperatur, bei der der Kupferfilm gebildet wird, entfernt werden können, bevorzugt. Spezielle Beispiele des mehrwertigen Alkohols sind Ethylenglycol, Propylenglycol, Butandiol, Pentandiol, Hexandiol, 1,5-Hexadien-3,4-Diol, 2,6-Octadien-4,5-Diol, Glyzerin, 1,2,3-Butantriol, 1,2,3-Pentantriol, Pentamethylglyzerin, Erythrit, Pentaerythrit, Adonit, Arabit, Diethylenglycol, Triethylenglycol, Dipropylenglycol und andere Polyalkylenglycole, und weiterhin Diethanolamin, Triethanolamin und dergleichen. Unter diesen ist Glyzerin bevorzugt.
Die Verfahrenslösung gemäß der vorliegenden Erfindung wird hergestellt, indem man Kupferhydroxyd oder ein Kupfersalz einer organischen Säure und den mehrwertigen Alkohol vermengt. Das Verhältnis von Kupferhydroxyd oder dem Kupfersalz der organischen Säure zu dem mehrwertigen Alkohol in der Verfahrenslösung ist nicht kritisch, solange wie eine gleichförmige Mischung erhalten wird. Es ist jedoch bevorzugt, daß das Kupferhydroxyd oder das Kupfersalz der organischen Säuren in einer größeren Menge eingesetzt wird. Das Kupferhydroxyd oder das Kupfersalz der organischen Säure wird in einer Menge von üblicherweise 10 - 70 Gewichtsprozent, und vorzugsweise in einer Menge von 20 - 60 Gewichtsprozent, verwendet. Die Mischung wird einheitlich hergestellt, indem man das Vermengen bei Raumtemperatur oder unter Erhitzen durchführt.
Bei der Herstellung der Verfahrenslösung gemäß der vorliegenden Erfindung können außer den oben genannten Komponenten Additive in Kombination hierzu verwendet werden. Beispiele solcher Additive beinhalten organische Säuren, Amine, organische Lösungsmittel, oberflächenaktive Mittel, Kupfer- und andere Metallsalze und Polyvinylalkohol.
Die obige Verfahrenslösung wird auf der gewünschten Fläche des Gegenstandes mittels Beschichtungstechniken, wie Drucken, Bürstbeschichten, Eintauchen, Sprühbeschichten, Stabbeschichten und Rollbeschichten, aufgetragen und dann in einer nichtoxidierenden Atmosphäre erhitzt, um den mit einem Kupferfilm überzogenen Gegenstand gemäß der vorliegenden Erfindung zu bilden.
Die nichtoxidierende Atmosphäre kann hergestellt werden, indem man Gase, wie N&sub2;, Ar, CO&sub2;, CO und H&sub2;, verwendet, oder indem man die beschichtete Oberfläche mit einem Film, wie Teflon, bedeckt und dann erhitzt, wobei man eine Atmosphäre des Zersetzungsgases aus der überzogenen Schicht beibehält. Das Erhitzen wird schrittweise oder kontinuierlich unter Verwendung von Wärmestrahlen, wie Infrarotstrahlen, Elektronenstrahlen, Mikrowellen, und dergleichen, oder unter Verwendung eines elektrischen Ofens, eines Ofens, einer Ölheizung, eines unter Druck stehenden Dampfes usw. durchgeführt. Das Erhitzen wird üblicherweise bei einer Temperaturanstiegsgeschwindigkeit von 50 - 2000 ºC pro Stunde und vorzugsweise bei einer Temperatursteigerungsgeschwindigkeit von 100 - 1000 ºC pro Stunde durchgeführt. Das Erhitzen wird innerhalb des Temperaturbereichs von 165 ºC bis nicht mehr als die Wärmedeflektionstemperatur des Gegenstandes, vorzugsweise innerhalb des Bereiches von 170 - 300 ºC und innerhalb des Temperaturbereiches, der nicht höher als die Wärmedeflektionstemperatur des Gegenstandes ist, durchgeführt, wobei die Temperatur innerhalb des obigen Temperaturbereichs nicht mehr als 3 Stunden, vorzugsweise einige Minuten bis ungefähr 2 Stunden, gehalten wird.
Im Einklang mit dem Verfahren der vorliegenden Erfindung unter Verwendung einer Mischlösung, die erhalten wird, indem man gleichmäßig Kupferhydroxyd oder ein Kupfersalz eines organischen Salzes und einen mehrwertigen Alkohol vermengt, kann ein Kupferfilm mit einer ausgezeichneten Adhäsionseigenschaft leicht über eine einfache Technik auf einem Gegenstand vorgesehen werden, auf dessen Oberfläche es schwierig ist, einen Kupferfilm zu bilden, wenn nicht eine spezielle Vorbehandlung angewandt wird. Der Kupferfilm kann als Unterlagenbehandlung z.B. beim Elektroplattieren, beim stromlosen Plattieren, bei der Vakuumabscheidung, als Ersatz einer Kupferfolienädhäsion und als Schweißunterlagenschicht bei einem Kupferüberzugsfilm, einer kupferüberzogenen Platte und bei anderen Anwendungen eingesetzt werden, oder er kann auch als elektrisch leitender und thermisch leitender Film als solcher oder nach Bildung einer antioxidierenden Beschichtung verwendet werden.
Die vorliegende Erfindung wird detaillierter in Bezug auf die folgenden Beispiele dargestellt. Alle Teile sind Gewichtsteile, wenn nichts anderes angegeben ist.

Bezugsbeispiel 1 (Herstellung der Verfahrenslösung)

Die folgenden Kupferverbindungen und mehrwertigen Alkohole wurden gründlich vermengt, um eine gleichförmige, viskose Verfahrenslösung herzustellen.
Verfahrenslösung 1: Kupferhydroxyd/Glyzerin = 100/200
Verfahrenslösung 2: Kupferforminat/Ethylenglycol = 100/100
Verfahrenslösung 3: Kupferhydroxyd/Triethanolamin = 100/200
Verfahrenslösung 4: Kupferformiat/Glyzerin = 100/200
Verfahrenslösung 5: Kupferacetat/Glyzerin = 100/200
Verfahrenslösung 6: Kupferformiat/Triethanolamin = 100/200
Verfahrenslösung 7: Kupferhydroxyd/Glyzerin/Ameisensäure = 100/200/10

Beispiel 1

Die im Bezugsbeispiel 1 erhaltene Verfahrenslösung 1 wurde in einer Dicke von 60 um auf einer Seite einer 3 mm dicken Form aus Nylon MXD 6, hergestellt aus meta-Xylylendiamin und Adipinsäure und verstärkt mit Glasfasern, aufgetragen, und die so beschichtete Form wurde auf 180 ºC während 30 Minuten in einer Atmosphäre von Stickstoffgas aus einem Zylinder erhitzt, bei dieser Temperatur 60 Minuten lang gehalten und dann aus dieser Atmosphäre herausgenommen.
Auf der Oberfläche der Form aus Nylon MXD 6 wurde ein Kupferfilm gleichförmig gebildet.
Der Kupferfilm hat eine Dicke von 3 um und einen Volumenwiderstand von 3 x 10&supmin;&sup4; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren 100/100.

Beispiel 2

Ein Form aus Nylon MXD 6, auf der ein glänzender Kupferfilm gleichmäßig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die im Bezugsbeispiel erhaltene Verfahrenslösung 2 eingesetzt wurde.

Beispiel 3

Eine Form aus Nylon MXD 6, auf der ein Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die im Bezugsbeispiel verwendete Verfahrenslösung 3 eingesetzt wurde.

Beispiele 4 bis 11

Gemäß dem Beispiel 1 wurden unter Verwendung von Formgegenständen aus Polyacrylat (Warenzeichen: U Polymer , hergestellt von Unitika Ltd.; im folgenden als "U Polymer" bezeichnet), Polysulfon (Warenzeichen: Udel Polysulfon, hergestellt von Amoco Chemicals Corp.; im folgenden als "UPSF" bezeichnet), einem mit 20 Gew.% Glasfasern verstärkten Polyethersulfon (hergestellt von Mitsui Toatsu Chemicals Inc.; im folgenden als "PESF" bezeichnet), Polyetherimid (Warenzeichen: Ultem , hergestellt von General Electric Corp.; im folgenden als "Ultem" bezeichnet), und Polyetheretherketon (Warenzeichen: Victrex , hergestellt von ICI (GB) Corp.; im folgenden als "PEEK" bezeichnet) anstelle der Formung aus Nylon MXD 6 und durch eine Verfahrensführung und den Bedingungen gemäß Tabelle 1 Formartikel mit einem darauf gebildeten, gleichförmigen Kupferfilm erhalten. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1 Formartikel Verfahrenslösung Verfahrenstemperatur Verfahrenszeit äußere Erscheinungsform des Kupferfilms Beispiel U Polymer gleichförmige Bindung

Beispiel 12 (Wärmehärtung-1)

Die Verfahrenslösung 4 wurde in einer Dicke von 120 um auf einer Seite eines glasfaserverstärkten Cyanat-Maleimid- Epoxyharzlaminats (Warenname: BT-GHL 800, hergestellt von Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) aufgetragen, und das so beschichtete Laminat wurde auf 180 ºC während 30 Minuten in einer Stickstoffgasatmospäre aus einem Zylinder erhitzt, auf dieser Temperatur 60 Minuten lang gehalten und dann aus der Atmosphäre entnommen. Auf der Oberfläche des Laminats hatte sich ein Kupferfilm gleichförmig gebildet.
Der Kupferfilm hatte eine Dicke von 3 um und einen Volumenwiderstand von 1,0 x 10&supmin;&sup4; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen trat eine Quellung und ein Abschälen nicht auf.

Beispiel 13

Es wurde ein Laminat, auf dem ein glänzender Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, in der gleichen Weise wie in Beispiel 12 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 1 verwendet wurde.
Der Kupferfilm hatte eine Dicke von 6 um und einen Volumenwiderstand von 7,0 x 10&supmin;&sup5; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen trat keine Quellung und kein Abschälen auf.
Ein Laminat, auf dem ein glänzender Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie oben hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der aufgetragenen Verfahrenslösung 1 20 um betrug.
Der Kupferfilm hat eine Dicke von 0,5 um und einen Volumenwiderstand von 1,0 x 10&supmin;&sup4; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen trat kein Quellen und kein Abschälen auf.

Beispiel 14

Ein Laminat, auf dem ein glänzender Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 12 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 5 verwendet wurde.

Beispiel 15

Ein Laminat, auf dem ein Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 12 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 6 verwendet wurde.

Beispiele 16 bis 20

In Einklang mit Beispiel 12 wurden unter Verwendung eines glasfaserverstärkten Epoxyharzlaminats (Warenname: Glass Epoxy GEP 170, hergestellt von Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.; im folgenden als "GEP 1" bezeichnet) und eines glasfaserverstärkten Epoxyharzlaminats (mit folgendem als "GEP 2" bezeichnet) und unter Verwendung eines vierfunktionalen Epoxyharzes (Warenzeichen: Tetrad X, hergestellt von Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.), hergestellt aus Xylylendiamin und Epichlorohydrin, anstelle des glasfaserverstärkten Cyanat-Maleimid-Epoxyharzlaminats und durch eine Verfahrensführung unter den Bedingungen gemäß Tabelle 2 Formkörper erhalten, auf denen ein Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2 Formartikel Verfahrenslösung Verfahrenstemperatur Verfahrenszeit äußere Erscheinungsform des Kupferfilms Beispiel gleichförmige Bindung

Beispiel 21 (Superhitzebeständiges Harz-1)

Die Verfahrenslösung 4 wurde auf eine Oberfläche eines Polyimidfilms (Warenzeichen: Capton , hergestellt von Toray Du Pont Co., Ltd.; Dicke: 30 um), dessen beide Oberflächen glänzend waren, in einer Dicke von 20 um aufgetragen, und der Film wurde auf 200 ºC über 30 Minuten in einer Stickstoffgasatmosphäre aus einem Zylinder erhitzt, auf dieser Temperatur 60 Minuten lang gehalten und dann aus der Atmosphäre entnommen.
Auf dem Polyimidfilm hatte sich ein glänzender Kupferfilm gleichmäßig gebildet.
Der Kupferfilm hatte eine Dicke von 0,3 um und einen Volumenwiderstand von 1,0 x 10&supmin;&sup4; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen wurden kein Quellen und kein Abschälen beobachtet.
Ein gleichförmig ausgebildeter, glänzender Kupferfilm wurde auf die gleiche Weise wie oben erhalten, mit der Ausnahme, daß die Dicke der aufgetragenen Verfahrenslösung 120 um betrug.
Der Kupferfilm hat eine Dicke von 3 um und einen Volumenwiderstand von 7,0 x 10&supmin;&sup5; X cm. Der Abschältest gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren ergab 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen traten kein Quellen und kein Abschälen auf.

Beispiel 22

Ein Polyimidfilm, auf dem ein glänzender Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 21 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 1 verwendet wurde und in einer Dicke von 120 um aufgetragen wurde.
Der Kupferfilm hat eine Dicke von 6 um und einen Volumenwiderstand von 5,0 x 10&supmin;&sup5; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen traten kein Quellen und kein Abschälen auf.

Beispiel 23

Ein Polyimidfilm, auf dem ein glänzender Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 21 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 5 verwendet wurde.

Beispiel 24

Es wurde ein Polyimidfilm, auf dem ein glänzender Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, auf die gleiche Weise wie in Beispiel 21 erzeugt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 6 eingesetzt wurde.

Beispiel 25

Es wurde ein Polyimidfilm, auf dem ein glänzender Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, auf die gleiche Weise wie in Beispiel 21 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 2 eingesetzt wurde.

Beispiel 26

Ein Formkörper, auf dem ein Kupferfilm ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 21 hergestellt, mit der Ausnahme, daß eine 3 mm dicke PPS Form anstelle des Polyimidfilms verwendet wurde, und daß die Verfahrenslösung 4 in einer Dicke von 120 um aufgetragen wurde.
Der Kupferfilm hatte eine Dicke von 3 um, und der Abschältest ergab gemäß dem Querschnitt-Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen traten kein Quellen und kein Abschälen auf.

Beispiel 27

Eine Form, auf der ein Kupferfilm ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 26 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 7 eingesetzt wurde.

Beispiel 28

Eine Form, auf der ein Kupferfilm gleichmäßig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 26 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 5 verwendet wurde.

Beispiel 29

Die Verfahrenslösung 4 wurde auf einer Oberfläche einer Aluminiumoxidplatte (hergestellt von Nippon Kagaku Tougyou Co., Ltd.; Dicke: 0,6 mm) in einer Dicke von 120 um aufgetragen, und die Platte wurde auf 200 ºC über 30 Minuten hinweg in einer Stickstoffgasatmosphäre aus einem Zylinder erhitzt, auf dieser Temperatur 60 Minuten lang gehalten und dann aus der Atmosphäre entnommen.
Ein Kupferfilm wurde hierbei gleichförmig auf der Oberfläche der Aluminiumoxidplatte gebildet.
Der Kupferfilm hat eine Dicke von 3 um und einen Volumenwiderstand von 7,0 x 10&supmin;&sup5; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen traten kein Quellen und kein Abschälen auf.

Beispiel 30

Eine Aluminiumoxidplatte, auf der ein Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt.
Der Kupferfilm hat eine Dicke von 6 um und einen Volumenwiderstand von 4,0 x 10&supmin;&sup5; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt-Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen traten kein Quellen und kein Abschälen auf.

Beispiel 31

Eine Aluminiumoxidplatte, auf der ein Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 29 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 5 eingesetzt wurde.

Beispiel 32

Eine Aluminiumoxidplatte, auf der ein Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 29 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrenslösung 6 eingesetzt wurde.

Beispiel 33

Eine Aluminiumplatte, auf der ein Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 29 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Verfahrensbedingungen derart waren, daß die Temperatur auf 500 ºC während 60 Minuten angehoben und dann sofort gesenkt wurde.
Der Kupferfilm hat eine Dicke von 2 um und einen Volumenwiderstand von 3,0 x 10&supmin;&sup5; X cm. Der Abschältest ergab gemäß dem Celloklebebandquerschnitt Testverfahren 100/100. Selbst nach zweistündigem Kochen traten kein Quellen und kein Abschälen auf.

Beispiele 34 bis 42

Keramikplatten, auf denen ein Kupferfilm gleichförmig ausgebildet war, wurden auf die gleiche Weise wie in Beispiel 29 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die in Tabelle 3 gezeigten Keramikplatten anstelle der Aluminiumoxidplatte verwendet wurden, und daß das Verfahren unter den in Tabelle 3 gegebenen Bedingungen durchgeführt wurde.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 3 Probe Verfahrenslösung Verfahrenstemperatur Verfahrenszeit äußere Erscheinungsform des Kupferfilms Beispiel glasförmiger Kohlenstoff Quartzglas Gleitglas gleichmäßige Bindung

Claims

1. Verfahren zur Herstellung eines Kupferfilms auf einem Gegenstand, das das Auftragen einer Mischlösung, umfassend eine Kupferverbindung, ausgewählt aus der Reihe Kupferhydroxyd und Kupfersalze organischer Säuren, und einen mehrwertigen Alkohol, auf der gewünschten Fläche eines Gegenstands mit einer Wärmedeflektionstemperatur von mindestens 165 ºC und anschließend das Erhitzen und Behandeln des Gegenstands bei einer Temperatur von 165 ºC bis zu der Wärmedeflektionstemperatur des Gegenstandes in einer nicht oxidierenden Atmosphäre umfaßt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Mischlösung 10 - 70 Gew.% der Kupferverbindung und 90 - 30 Gew.% des mehrwertigen Alkohols umfaßt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Kupferverbindung mindestens eine Kupferverbindung, ausgewählt aus Kupferhydroxyd, Kupferformiat und Kupferacetat, ist.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der mehrwertige Alkohol Glyzerin ist.