DE3877405D1 - Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung. - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung.

Info

Publication number
DE3877405D1
DE3877405D1 DE8888106211T DE3877405T DE3877405D1 DE 3877405 D1 DE3877405 D1 DE 3877405D1 DE 8888106211 T DE8888106211 T DE 8888106211T DE 3877405 T DE3877405 T DE 3877405T DE 3877405 D1 DE3877405 D1 DE 3877405D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
supral
implementation
producing
arrangement
thick layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8888106211T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3877405T2 (de
Inventor
Shuichi Nogawa
Eiji Kamijo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP62096786A external-priority patent/JPS63261627A/ja
Priority claimed from JP62096785A external-priority patent/JP2521950B2/ja
Priority claimed from JP62096787A external-priority patent/JPS63261628A/ja
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Publication of DE3877405D1 publication Critical patent/DE3877405D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3877405T2 publication Critical patent/DE3877405T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0408Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by sputtering
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0548Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by deposition and subsequent treatment, e.g. oxidation of pre-deposited material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
DE8888106211T 1987-04-20 1988-04-19 Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung. Expired - Fee Related DE3877405T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62096786A JPS63261627A (ja) 1987-04-20 1987-04-20 超電導薄膜の製造方法
JP62096785A JP2521950B2 (ja) 1987-04-20 1987-04-20 超電導薄膜の製造方法
JP62096787A JPS63261628A (ja) 1987-04-20 1987-04-20 超電導薄膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3877405D1 true DE3877405D1 (de) 1993-02-25
DE3877405T2 DE3877405T2 (de) 1993-05-06

Family

ID=27308213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8888106211T Expired - Fee Related DE3877405T2 (de) 1987-04-20 1988-04-19 Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4861750A (de)
EP (1) EP0288001B1 (de)
DE (1) DE3877405T2 (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4888202A (en) * 1986-07-31 1989-12-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of manufacturing thin compound oxide film and apparatus for manufacturing thin oxide film
CA1332324C (en) * 1987-03-30 1994-10-11 Jun Shioya Method for producing thin film of oxide superconductor
JPH075435B2 (ja) * 1987-03-31 1995-01-25 住友電気工業株式会社 超電導薄膜の製造方法及び装置
EP0292958B1 (de) * 1987-05-26 1993-12-29 Sumitomo Electric Industries Limited Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus supraleitendem Mischoxid
DE3815185A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer hybridstruktur mit halbleitendem und supraleitendem material
DE68922734T2 (de) * 1988-03-16 1995-09-14 Toshiba Kawasaki Kk VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DüNNSCHICHTOXYDSUPRALEITERS.
JPH031584A (ja) * 1989-02-04 1991-01-08 Riken Corp ジョセフソン接合素子の製造方法
JPH02310363A (ja) * 1989-05-24 1990-12-26 Mitsubishi Electric Corp レーザ蒸着装置
JPH03111578A (ja) * 1989-06-29 1991-05-13 Toshiba Corp 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP2767298B2 (ja) * 1989-09-05 1998-06-18 財団法人生産開発科学研究所 積層薄膜体及びその製造法
US5264413A (en) * 1990-03-07 1993-11-23 Ivan Bozovic Bi-Sr-Ca-Cu-O compounds and methods
CN1165073C (zh) 1999-10-04 2004-09-01 松下电器产业株式会社 半导体装置的制造方法
US7442654B2 (en) 2002-01-18 2008-10-28 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming an oxide layer on a compound semiconductor structure
US6756320B2 (en) * 2002-01-18 2004-06-29 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming article comprising an oxide layer on a GaAs-based semiconductor structure
US8261690B2 (en) * 2006-07-14 2012-09-11 Georgia Tech Research Corporation In-situ flux measurement devices, methods, and systems
US7846807B2 (en) * 2008-06-19 2010-12-07 Hermes-Epitek Corp. Method for forming memristor material and electrode structure with memristance
US9023422B1 (en) * 2011-08-31 2015-05-05 Maxim Integrated Products, Inc. High rate deposition method of magnetic nanocomposites

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6115967A (ja) * 1984-06-29 1986-01-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 表面処理方法
JPS6124214A (ja) * 1984-07-12 1986-02-01 Taiyo Yuden Co Ltd Co−O系薄膜型垂直磁気記録媒体の製造方法
CA1332324C (en) * 1987-03-30 1994-10-11 Jun Shioya Method for producing thin film of oxide superconductor
JPH075435B2 (ja) * 1987-03-31 1995-01-25 住友電気工業株式会社 超電導薄膜の製造方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0288001A2 (de) 1988-10-26
EP0288001B1 (de) 1993-01-13
EP0288001A3 (en) 1989-10-18
US4861750A (en) 1989-08-29
DE3877405T2 (de) 1993-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3789753D1 (de) Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer dünnen Schicht.
DE3788678D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Substrat.
DE3875515D1 (de) Substrat und verfahren zur herstellung eines substrates.
DE3877048D1 (de) Nahrungsmittel und verfahren zur herstellung eines nahrungsmittels.
DE3682357D1 (de) Probemittel, verfahren zu seiner herstellung und verfahren zur bestimmung einer komponente in einer probe.
DE3580514D1 (de) Waermeuebertragbare schicht und verfahren zur herstellung.
DE3877405D1 (de) Verfahren zur herstellung einer supraleitenden duennen schicht und anordnung zu seiner durchfuehrung.
DE68905556D1 (de) Verfahren zur herstellung einer transparenten schicht.
AT397664B (de) Verfahren zur herstellung einer lagergleitschicht
DE3751243D1 (de) Opto-elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung.
CH634190B (de) Auf einem zu dekorierenden substrat anbringbare dekorationsanordnung und verfahren zur herstellung derselben.
DE3865616D1 (de) Poroeser kohlenstoff-kohlenstoff-verbundwerkstoff und verfahren zu seiner herstellung.
DE3868128D1 (de) Verfahren zur herstellung eines supraleitenden gegenstandes.
DE3777015D1 (de) Verfahren zur herstellung einer verschleissbestaendigen schicht.
DE3784616D1 (de) Anordnung und verfahren zur herstellung einer polykristallinen schicht.
DE3872430D1 (de) Verfahren zur herstellung einer schicht aus supraleitendem material.
DE3777623D1 (de) Kolonie-stimulierender faktor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3578720D1 (de) Verfahren zur herstellung eines keramikverbundgefueges.
DE3577778D1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte anordnung.
DE69002502D1 (de) Verfahren zur herstellung einer metalloxidschicht.
DE58904910D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer tiefdruckform.
DE3785595D1 (de) Verfahren zur herstellung einer verschleissfesten schicht.
DE3672403D1 (de) Verfahren zur herstellung einer ein polysiloxanelastomer und wasser enthaltenden zusammensetzung.
ATA23585A (de) Verbundschichtkoerper und verfahren zu seiner herstellung
DE68906503D1 (de) Verfahren zur herstellung einer bogenfoermigen reissverschlusskette und verfahren zur herstellung eines bogenfoermigen reissverschlusses.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee