DE3817319C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3817319C2 DE3817319C2 DE3817319A DE3817319A DE3817319C2 DE 3817319 C2 DE3817319 C2 DE 3817319C2 DE 3817319 A DE3817319 A DE 3817319A DE 3817319 A DE3817319 A DE 3817319A DE 3817319 C2 DE3817319 C2 DE 3817319C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- oxide
- earth metal
- rare earth
- alkaline earth
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 48
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 38
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 33
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 12
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 8
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002561 K2NiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
- C04B35/4508—Type 1-2-3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0408—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
eines Supraleiter-Materials zur Verwendung in
Hochenergie-Magneten, Josephson-Elementen, supraleitenden
Quanteninterferenz-Geräten (SQUID) usw. Die Erfindung
betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung von
Sinterkörpern oder Filmen von bei hoher Temperatur leitenden
Supraleitern, deren Arbeitstemperatur oberhalb der
Temperatur des flüssigen Stickstoffs liegt.
Der von Bednorz und Müller 1986 gefundene (La,Sr)₂CuO₄-
Supraleiter mit K₂NiF₄-Struktur hat eine kritische Temperatur,
die bei 40 K liegt (Z. Phys. B64 (1986) Seite 189
ff.). Der von Chu et al. 1987 gefundene (Y,Ba)CuO z -Supraleiter
mit Perowskit-Struktur hat jedoch eine viel höhere
kritische Temperatur (T c) von 90 K und ist sogar bei der
Temperatur des flüssigen Stickstoffs (77 K) verwendbar
(Phys. Rev. Lett. 58 (1987) 908 ff.; Japan. J. Appl. Phys.
26 (1987) 473 ff.). Seit dieser Zeit wurden auf dem Gebiet
der Supraleiter durch Mitarbeiter der Universität Tokyo
umfangreiche Untersuchungen durchgeführt. Dabei stellte
sich heraus, daß von
Chu et al. gefundene Supraleiter eine Zusammensetzung gemäß der Formel
YBa₂Cu₃O7- δ
aufweist, worin
δ im Werte-Bereich 0 < δ < 2,0 liegt und
δ vom Sauerstoff-Partial-Druck beim Glühvorgang abhängt.
δ im Werte-Bereich 0 < δ < 2,0 liegt und
δ vom Sauerstoff-Partial-Druck beim Glühvorgang abhängt.
In "Keramische Zeitschrift 39 (1987), Seite 527" werden Supraleitwerkstoffe
der allgemeinen Formel ABa₂Cu₃O6 +x beschrieben,
worin A für Yttrium oder ein anderes Lanthanid und x für
eine Zahl im Bereich zwischen 0,5 und 1,0 stehen. Es wird angegeben,
daß derartige Verbindungen mit stöchiometrischem Sauerstoffmangel
bis hin zu 90 K Supraleitung zeigen.
Eine derart hohe kritische Temperatur (T c) konnte ebenfalls
mit anderen Stoffen erhalten werden, wie zum
Beispiel
(SE,Me)CuO z
worin SE für wenigstens ein Element aus der Gruppe Sc, Y
und Seltenerd-Metalle der Gruppe III des Periodensystems
der Elemente und Me für wenigstens ein Element der Erdalkalimetalle
steht. Wenn die Substanz der angegebenen allgemeinen
Formel (SE,Me)CuO z (Y,Ba)CuO z ist, werden die
entsprechenden Ausgangsstoffe (BaCO₃, Y₂O₃ und CuO) im
vorbestimmten molaren Verhältnis vereinigt, in einem
Achat-Tiegel gemischt und bei 900-1000°C entsprechend
der nachfolgenden chemischen Gleichung zur Reaktion gebracht,
wobei der gewünschte Stoff entsteht:
4 BaCO₃ + Y₂O₃ + 6 CuO → 2 YBa₂Cu₃O7- δ + 4 CO₂ ↑ (1)
In der vorangehenden Reaktionsgleichung (1) wird jedoch
BaCO₃ unterhalb von 900°C nicht thermisch zersetzt. Wenn
die Ausgangsstoffe in Form von Pulverpreßlingen eingesetzt
werden, entweicht das CO₂-Gas nur unvollständig aus
dem Inneren der Pulverpreßlinge. Nur die Oberfläche des
Pulverpreßlings wird dabei in eine Supraleiter-Schicht
umgewandelt. Daher müssen die Verfahrensschritte des
Pulverisierens der gesamten Probe nach der chemischen
Reaktion, erneuten Herstellens eines Pulverpreßlings aus
der pulverisierten Probe und der chemischen Umsetzung
drei- bis viermal wiederholt werden.
Außerdem bringt die oben beschriebene chemische Reaktion
das Problem mit sich, daß die Ausgangsstoffe voneinander
sehr verschiedene Dampfdrucke haben. Dadurch wird der
Anteil der CuO-Komponente vermindert. Die Verminderung
des CuO-Gehaltes ist dann beachtlich, wenn ein durch Zerstäuben
oder Verdampfen gebildeter Film in der Hitze behandelt
wird, um ihn in einen Supraleiter-Film umzuwandeln.
Trotz des ausgeprägten Wunsches, keramische Supraleiter-
Filme auf verschiedene, im Gebiet der Elektronik verwendbare
Geräte aufzubringen, beispielsweise lineare
(SE, Me)CuO z -Sinterkörper (Drähte), gab es immer wieder
Schwierigkeiten bei der Herstellung solcher Elektronik-
Geräte.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, ein Verfahren
zur Herstellung eines Sinterkörpers und ein Verfahren zur Herstellung eines Films aus
einem keramischen Supraleiter mit gleichmäßiger Zusammensetzung
innerhalb des gesamten Sinterkörpers oder Films
und mit einer hohen kritischen Temperatur zur Verfügung
zu stellen, das gut reproduzierbar ist.
Die vorangehend geschilderte Aufgabe kann durch das nachfolgend
im Detail beschriebene Verfahren gelöst werden.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
eines Supraleiters aus
SEMe z Cu₃O7- δ
worin SE für wenigstens ein Element aus der Gruppe Sc, Y und Seltenerd-Metalle der Gruppe III des Periodensystems
und Me für wenigstens ein Element der Erdalkalimetalle
und δ für eine Zahl im Bereich 0 < δ < 2,0
steht, wobei δ vom Sauerstoff-Partialdruck beim Glühvorgang abhängt,
das dadurch gekennzeichnet ist, daß man
- (a) ein Ausgangsmaterial, das eine Verbindung wenigstens eines Seltenerd-Metalls SE enthält, und ein Ausgangsmaterial, das eine Cu-Verbindung enthält, miteinander mischt, die entstehende Mischung calciniert und so ein Seltenerd- Metall(e) SE und Cu enthaltendes Oxid A bildet, und/oder
- (b) ein Ausgangsmaterial, das eine Verbindung wenigstens eines Erdalkalimetalls Me enthält, und ein Ausgangsmaterial, das eine Cu-Verbindung enthält, miteinander mischt, die entstehende Mischung calciniert und so ein Erdalkalimetall(e) Me und Cu enthaltendes Oxid B bildet, und nachfolgend entweder
- (c1) ein Ausgangsmaterial, das eine Verbindung wenigstens eines Seltenerd-Metalls SE enthält, und ein Ausgangsmaterial, das eine Cu-Verbindung enthält, mit dem vorangehend erhaltenen, Erdalkalimetall(e) Me und Cu enthaltenden Oxid B mischt, oder
- (c2) ein Ausgangsmaterial, das eine Verbindung wenigstens eines Erdalkalimetalls Me enthält, und ein Ausgangsmaterial, das eine Cu-Verbindung enthält, mit dem vorangehend erhaltenen, Seltenerd-Metall(e) SE und Cu enthaltenden Oxid A mischt, oder
- (c3) das vorangehend erhaltenen, Seltenerd-Metall(e) SE und Cu enthaltende Oxid A mit dem vorangehend erhaltenen, Erdalkalimetall(e) Me und Cu enthaltenden Oxid B mischt und danach
- (d) die jeweils entstehende Mischung bei 900 bis 1000°C reagieren läßt.
Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren, das
in einem ersten Schritt dadurch gekennzeichnet ist, daß
man einen Ausgangsstoff aus Verbindungen, die wenigstens
ein Erdalkalimetall Me enthalten, mit einem Cu enthaltenden
Ausgangsmaterial vorab mischt und die resultierende
Mischung calciniert. Dabei wird ein Oxid B gebildet, das
ein oder mehrere Erdalkalimetalle Me und Cu enthält.
Genauer gesagt wird in einem Verfahren zur Herstellung
eines oxidischen Supraleiters der Formel
SEMe₂Cu₃O7- δ
worin SE mindestens ein Element aus der Gruppe Sc, Y und Seltenerd-Metalle der Gruppe III des Periodensystems und
Me mindestens ein Element der Erdalkalimetalle bedeutet,
ein Oxid B, das mindestens ein Erdalkalimetall Me und Cu
enthält, und eine Verbindung, die mindestens eine Seltenerd-
Metall SE und Cu enthält, als Ausgangsstoffe vor der
Calcinierung des oxidischen Supraleiters zusammengemischt,
und die resultierende Mischung wird dann calciniert.
Damit kann dann die der vorliegenden Erfindung
gestellte Aufgabe gelöst werden.
Vorher wird eine mindestens ein Erdalkalimetall Me enthaltende
Verbindung, die in der Lage ist, CO₂-Gas freizusetzen,
in Gegenwart einer Cu-Verbindung in das entsprechende
mindestens ein Alkalimetall Me und Cu enthaltende
Oxid B umgewandelt. Dadurch treten die oben erwähnten Probleme
bei der Durchführung der vorliegenden Erfindung
nicht auf.
Weiter wird ein Ausgangsstoff, der wenigstens ein Seltenerd-
Metall SE enthält, mit einem anderen, Cu enthaltenden
Ausgangsstoff vorab gemischt. Die resultierende Mischung
wird calciniert und dabei ein mindestens ein Seltenerd-
Metall SE und Cu enthaltendes Oxid A erhalten. Vorzugsweise
wird das resultierende, mindestens ein Seltenerd-Metall
SE und Cu enthaltende Oxid A zusammen mit dem oben genannten,
mindestens ein Erdalkalimetall Me und Cu enthaltenden
Oxid B calciniert. Die Cu-Komponente ist fest in den
Oxiden gebunden. Dadurch wird eine Verdampfung der Cu-Komponente
unterdrückt. Auf diesem Wege kann ein Supraleiter
mit einheitlicher Zusammensetzung erhalten werden.
Beispielsweise wird YBa₂Cu₃O7- δ auf einem durch die
nachfolgenden chemischen Gleichungen wiedergegebenen Reaktionsweg
erhalten. Man stellt dazu vorab zwei binäre
Oxide mit einer stabilen chemischen Bindung her, nämlich
Y₂Cu₂O₅ und BaCuO₂. Diese Oxide werden im vorbestimmten
molaren Verhältnis miteinander gemischt, und die resultierende
Mischung wird anschließend calciniert, das heißt
einer chemischen Reaktion bei erhöhter Temperatur unterworfen:
Y₂O₃ + 2 CuO → Y₂Cu₂O₅ (2)
BaCO₃ + CuO → BaCuO₂ + CO₂ (3)
Y₂Cu₂O₅ + 4 BaCuO₂ → 2 YBa₂Cu₃O7- δ (4)
δ ist vom O₂-Druck abhängig und liegt zwischen 0 und 2,0.
Erfindungsgemäß verwendbare Seltenerd-Elemente umfassen
beispielsweise La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho,
Er, Tm, Yb und Lu. Es wurde herausgefunden,
daß aus der Sicht einer leichten Bildung der oxidischen
Supraleiter-Phase die Seltenerd-Elemente La, Nd, Sm, Eu,
Gd, Dy, Ho und Er besonders empfehlenswert sind.
Die erfindungsgemäß verwendbaren Erdalkalimetalle umfassen
beispielsweise die Elemente Ba, Sr, Ca, Mg und Be.
Es wurde gefunden, daß aus dem oben für die
Seltenerd-Metalle schon genannten Grund die Elemente Ba,
Sr und Ca besonders empfehlenswert sind.
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
besteht darin, daß man eine erste Schicht aus einem Oxid
von SE, worin SE für wenigstens eines der Elemente der Gruppe
Sc, Y und Seltenerdmetalle der Gruppe III des Periodensystems
der Elemente steht, und eine zweite Schicht eines Cu-Oxids auf
ein Substrat aufbringt, eine dritte Schicht aus einem Oxid, bestehend
wenigstens aus Me, worin Me für wenigstens ein Erdalkalimetall
steht, und aus einem Cu-Oxid darüber aufbringt, die
Schichten bei 900 bis 1000°C chemisch reagieren läßt und dadurch
einen Film der Zusammensetzung SEMe₂Cu₃O7- w ausbildet,
worin δ für eine Zahl im Bereich 0 < δ < 2,0 steht und vom
Sauerstoff-Partialdruck beim Glühvorgang abhängt und SE und Me
die oben angegebenen Bedeutungen haben.
Das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte
Supraleiter-Material kann entweder einfach als calciniertes
Produkt hergestellt werden oder auf einem vorbestimmten
Substrat, wie beispielsweise einem flachen Substrat oder
einem linearen Substrat, gebildet werden.
Ein Film aus einem Supraleiter-Material kann darüberhinaus
dadurch hergestellt werden, daß man die jeweiligen
Ausgangsstoffe in Schichtenstruktur übereinanderlegt und
die resultierenden Schichten calciniert. In diesem Fall
ist es erforderlich, als Ausgangsstoffe wenigstens die
Oxide B zu verwenden, die mindestens ein Erdalkalimetall Me
und Cu enthalten. Andererseits ist es jedoch auch möglich,
das wenigstens ein Erdalkalimetall Me und Cu enthaltende
Oxid und das wenigstens ein Seltenerd-Metall SE
und Cu enthaltende Oxid übereinander anzuordnen. Es
kommen dafür beispielsweise Oxide wie Y₂Cu₂O₅ und BaCuO₂
in Frage. Die resultierenden Schichten können dann calciniert
werden.
Wenn ein Film aus einem Supraleiter hergestellt wird, muß
die Zusammensetzung der jeweiligen Ausgangsstoffe auf die
gewünschte Zusammensetzung des herzustellenden Supraleiters
abgestimmt werden. Das gleiche gilt für die gewünschte
Filmdicke.
Die Erfindung wird weiter unter Bezugnahme auf die
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Flußdiagramm der Schritte zur Herstellung
eines Supraleiters der Formel YBa₂Cu₃O7- δ gemäß der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 schematisch ein an einem Pulver des Reaktionsproduktes
aufgenommenes Röntgenbeugungsmuster. Das untersuchte
Produkt wurde durch chemische Reaktion einer Mischung
aus BaCuO₂ und Y₂Cu₂O₅ bei unterschiedlich hohen Temperaturen
erhalten;
Fig. 3 ein Diagramm, auf dem die Abhängigkeit der Temperatur
vom elektrischen Widerstand eines Supraleiters der
Formel YBa₂Cu₃O7- δ , der entsprechend der vorliegenden
Erfindung hergestellt wurde, wiedergegeben ist; und
Fig. 4 eine schematische Ansicht der Schichtenstruktur,
die von einer (Y,Cu,O)-Schicht, einer (Ba,Cu,O)-Schicht
und einer (Y,Cu,O)-Schicht auf einem Al₂O₃-Substrat gebildet
wird, wobei die einzelnen Schichten übereinander
liegend angeordnet sind.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme
auf die Beispiele und Zeichnungen im einzelnen
erläutert und beschrieben.
Entsprechend den in Fig. 1 angegebenen Reaktionsschritten,
wurde eine Supraleiter-Phase aus YBa₂Cu₃O7- δ hergestellt.
Dies geschah wie folgt:
Es wurden 1 Mol (140 g) Y₂O₃-Pulver und 2 Mol (159 g)
CuO-Pulver eingewogen. Diese Mengen entsprachen
dem Molverhältnis der beiden Komponenten in der voranstehend
angegebenen Gleichung (2). Die Komponenten wurden
sorgfältig gemischt und in einer Kugelmühle und anschließend
in einer Pulvermühle gemahlen. Die Mischung wurde
dann in einer Atmosphäre von Sauerstoffgas zur Reaktion
gebracht. Durch Röntgenbeugung an einer Pulverprobe des
Produktes wurde festgestellt, daß sich eine einzige Phase
aus Y₂Cu₂O₅ mit orthorhombischer Elementarzelle gebildet
hatte.
Nachfolgend wurden 1 Mol (197 g) BaCO₃-Pulver und 1 Mol
(79,7 g) CuO-Pulver eingewogen. Diese Mengen entsprachen
dem Molverhältnis der beiden Komponenten in der voranstehend
angegebenen Gleichung (3). Die Komponenten wurden
gemischt, pulverisiert und in der gleichen Weise wie im
vorangehenden Fall der Bildung von Y₂Cu₂O₅ zur Reaktion
gebracht. Es wurde durch Röntgenbeugung an einer Pulverprobe
festgestellt, daß sich eine einzige Phase von
BaCuO₂ mit kubischer Elementarzelle gebildet hatte.
Danach wurden das Y₂Cu₂O₅-Pulver und das BaCuO₂-Pulver in
einem molaren Verhältnis der ersten zu der zweiten Verbindung
von 1 : 4 eingewogen, wie es der oben angegebenen
Reaktionsgleichung (4) entspricht. Die Komponenten wurden
sorgfältig durchgemischt und in einer Kugelmühle und
nachfolgend in einer Pulvermühle gemahlen. Die entstehende
Mischung wurde in einer Presse zu Tabletten aus gepreßtem
Pulver mit einem Durchmesser von 20 mm und einer
Dicke von 5 mm verpreßt. Die Pulverpreßlinge wurden 1 h
lang bei 800°C, 900°C, 950°C bzw. bei 1000°C chemisch
umgesetzt. Nach der chemischen Reaktion wurden die Tabletten
durch Pulver-Röntgenstrahlbeugung (CuK α -Strahl)
untersucht. Die Ergebnisse sind in Fig. 2 gezeigt.
Aus Fig. 2 wird ersichtlich, daß die Supraleiter-Phase
aus YBa₂Cu₂O7- δ mit Perowskit-Kristallstruktur erst ab
einer Temperatur von 900°C gebildet wird. Ein Produkt
mit einer einheitlichen Phase wird erst ab 950°C erhalten.
Mit Röntgenbeugung wurden folgende Daten der Elementarzelle
herausgefunden:
a = 0,382 nm,
b = 0,389 nm und
c = 1,168 nm.
b = 0,389 nm und
c = 1,168 nm.
Oberhalb von 1000°C wurde die Tendenz beobachtet, daß
die Orientierung in Richtung der c-Achse ausgeprägt war.
Daraus ließ sich als Ergebnis ableiten, daß eine geeignete
Reaktionstemperatur für die Umsetzung der Komponenten
miteinander bei 900-1000°C liegt.
Aus dem bei 950°C chemisch umgesetzten Pulverpreßling
wurde ein Stäbchen mit quadratischem Querschnitt (Seitenlänge
des Querschnittquadrats: 5 mm; Länge des Stäbchens:
10 mm) ausgeschnitten. Vier Anschlüsse für Strom- und
Potential-Meßelektroden wurden mit einer Silberpaste an
dem quadratischen Stäbchen angebracht, um die Abhängigkeit
des elektrischen Widerstands von der Temperatur zu
bestimmen. Die Ergebnisse sind in Fig. 3 abgebildet. Aus
Fig. 3 wird ersichtlich, daß die kritische Temperatur
für das Produkt ungefähr bei 90 K liegt.
Von den oben angegebenen Seltenerd-Metallen können anstelle
von Y Sc, La, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho und Er verwendet
werden, wobei ähnliche Ergebnisse erzielt werden,
wie sie im vorangehenden Beispiel 1 beschrieben sind.
Pulverförmiges BaCuO₂ wurde aus BaCO₃-Pulver und CuO-Pulver
entsprechend der Reaktionsgleichung (3) hergestellt
und danach mit Y₂O₃-Pulver und CuO-Pulver in einem Molverhältnis
vermischt, wie es der Reaktionsgleichung (5)
entspricht. Die Mischung der Komponenten wurde anschließend
zerkleinert und gemahlen und entsprechend der nach
folgenden Reaktionsgleichung (5) unter denselben Bedingungen
wie in Beispiel 1 chemisch umgesetzt.
4 BaCuO₂ + Y₂O₃ + 2 CuO → 2 YBa₂Cu₃O7- δ (5)
δ ist vom O₂-Druck abhängig und liegt zwischen 0 und 2,0.
Es wurde gefunden, daß Y₂Cu₂O₅ aus Y₂O₃ und CuO ab einer
Temperatur von 800°C gebildet wird. Das Endprodukt
YBa₂Cu₃O7- δ wird aus Y₂Cu₂O₅ und BaCuO₂ bei 900°C gemäß
der oben angegebenen Reaktionsgleichung (4) gebildet.
In einer Magnetron-Zerstäuberanlage
wurde ein Film aus YBa₂Cu₃O7- δ dadurch hergestellt,
daß man alternativ als Target eine Y₂Cu₂O₅-Platte
und eine BaCuO₂-Platte verwendete. Wie im Zusammenhang
mit Fig. 4 ersichtlich ist, wurden so auf einem Al₂O₃-
Substrat 1 in der nachstehend angegebenen Reihenfolge
aufeinander 3 Schichten abgeschieden, nämlich eine
(Y,Cu,O)-Schicht 2 mit einer Dicke von 0,21 µm, eine
(Ba,Cu,O)-Schicht 3 mit einer Dicke von 1,4 µm und eine
(Y,Cu,O)-Schicht 4 mit einer Dicke von 0,16 µm. Die Dicke
der einzelnen Schichten läßt sich aus den Dichten berechnen,
die die Zusammensetzung des Films aus YBa₂Cu₃O7- w
ausmachen. Das Gas in der Zerstäuberanlage war Argon mit
einem Sauerstoffgehalt von 10 Vol.-%. Der erhaltene Film
wurde 2 h lang bei 930°C erhitzt. Dabei wurde ein Film
aus YBa₂Cu₃O7- δ mit Perowskit-Kristallstruktur gebildet.
Die einzelnen Schichten, die nach dem Vorgang des Sputterns
erhalten werden, sind Schichten amorpher Substanzen
der Zusammensetzung (Y,Cu,O) bzw. der Zusammensetzung
(Ba,Cu,O). Sie können in Schichten aus Y₂Cu₂O₅ bzw.
BaCuO₂ dadurch umgewandelt werden, daß man sie bei niedriger
Temperatur, beispielsweise bei 700-800°C 1 h
lang glüht, wobei man die Temperatur steigert. Aus den so
gebildeten Y₂Cu₂O₅- bzw. BaCuO₂-Schichten kann dann ein
YBa₂Cu₃O7- δ -Film gebildet werden. Untersuchungen durch
chemische Analysen ergaben, daß der Film im Anschluß an
die chemische Reaktion nicht an der Cu-Komponente bzw.
der Ba-Komponente verarmt ist.
In einer Magnetron-Zerstäuberanlage
wurde ein Film aus YBa₂Cu₃O₇- δ dadurch
hergestellt, daß man alternativ eine Platte aus BaCuO₂,
eine Platte aus Y₂O₃ und eine Platte aus CuO als Targets
verwendete. In derselben Weise wie in Beispiel 3 wurden
so auf einem Al₂O₃-Substrat nacheinander in der nachfolgend
angegebenen Reihenfolge eine Schicht aus (Ba,Cu,O),
eine Schicht aus (Cu,O) und eine Schicht aus (Y,O) gebildet.
Der Film wurde danach 2 Stunden lang auf 950°C
erhitzt. Auf diesem Wege wurde ein Film der Zusammensetzung
YBa₂Cu₃O7- δ mit Perowskit-Kristallstruktur erhalten.
Die in den Beispielen 1-4 beschriebenen Verfahren zur
Herstellung von bei hoher Temperatur leitenden Supraleitern
wurden auf andere Systeme übertragen.
Sinterkörper mit Perowskit-Kristallstruktur aus
(SEMe₂Cu₃O7- δ ) lassen sich dadurch herstellen, daß man
Mischungen aus SECuO x , worin SE für wenigstens ein
Element aus der Gruppe Sc und Seltenerd-Metalle der
Gruppe III des Periodensystems der Elemente steht, und
MeCuO y , worin Me für wenigstens ein Element aus der
Gruppe Ca und Sr steht, bei 900 bis 1000°C chemisch
miteinander reagieren läßt, wie dies in Beispiel 2
beschrieben wurde. In den oben angegebenen Formeln der
binären Oxide liegen die Werte für x und y üblicherweise
bei 2,5 bzw. 2,0. In den Verfahren zur Herstellung eines
Oxid-Films kann jedoch der Sauerstoffgehalt in dem Film
von der exakten Zusammensetzung einer derartigen Formel
um einen Betrag von ungefähr 20% abweichen. Dies bedeutet,
daß sich für x ein Bereich von 2,0 < x < 2,5 und für
y ein Bereich von 1,6 < y < 2,4 ergibt.
Außerdem können SEMe₂Cu₃O7- δ -Filme mit Perowskit-Kristallstruktur
dadurch erhalten werden, daß man Schichten einer
Verbindung oder eines amorphen Stoffen aus SECuO x und
Schichten einer Verbindung oder eines amorphen Stoffes aus
MeCuO y , worin SE und Me die oben angegebenen Bedeutungen
haben, alternierend in der angegebenen Reihenfolge auf
einem Al₂O₃-Substrat niederschlägt und diese anschließend
bei 900 bis 1000°C chemisch zur Reaktion bringt.
Wenn man außerdem eine Mischung, die Oxide wenigstens
eines der Elemente Me bzw. Cu, die man vorher hergestellt
hat, beispielsweise binäre Oxide wie SECuO x bzw. MeCuO y ,
worin SE und Me die oben angegebenen Bedeutungen haben,
enthält, als einzige Bestandteile chemisch miteinander
bei 900 bis 1000°C reagieren läßt, kann man daraus
einen gesinterten Supraleiter der Zusammensetzung
(SEMe₂Cu₃O7- δ ) mit Perowskit-Kristallstruktur erhalten. Auch
in dieser Formel stehen SE für mindestens ein Seltenerd-
Metall und Me für mindestens ein Erdalkalimetall.
Außerdem kann ein Supraleiter-Film der Zusammensetzung
SEMe₂Cu₃O7- δ mit Perowskit-Kristallstruktur problemlos
dadurch erhalten werden, daß man Schichten eines Oxids
wenigstens eines Erdalkalimetalls Me bzw. wenigstens
eines Cu-Oxids auf einem Substrat übereinander niederschlägt
und die entsprechenden Schichten bei 900 bis 1000°C
chemisch miteinander reagieren läßt. Für dieses
Verfahren sind beispielsweise Schichten binärer Oxide,
wie Schichten aus SECuO x bzw. aus MeCuO y , worin SE für
wenigstens ein Seltenerd-Metall und Me für wenigstens ein
Erdalkalimetall stehen, geeignet.
Von den angegebenen Seltenerd-Elementen, die die Elemente
La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu
umfassen, sind die Elemente La, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho
und Er für die Verwendung in dem erfindungsgemäßen Verfahren
besonders empfehlenswert, da sich mit ihnen Supraleiter-
Oxidphasen besonders leicht bilden lassen.
Von den Erdalkalimetallen, die die Elemente Ba, Sr, Ca,
Mg und Be umfassen, sind die Elemente Ba, Sr und Ca
besonders empfehlenswert, da sich damit leicht Supraleiter-
Oxidphasen bilden lassen.
Als Seltenerd-Metall SE in der allgemeinen Formel wurde
in verschiedenen Experimenten je eines der Lanthanide des
Periodensystems der Elemente (La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy,
Ho, Er, Yb bzw. Lu) ausgewählt. Ein Oxid des ausgewählten
Lanthaniden-Elements wurde mit CuO-Pulver (Mol-Verhältnis
1 : 2) vermischt. Die resultierende Mischung wurde unter
denselben Bedingungen, wie sie in Beispiel 1 angegeben
sind, wärmebehandelt. Dabei wurde ein Oxid der allgemeinen
Formel
SECuO x
erhalten, in dem SE eines der obengenannten Lanthaniden-
Elemente bedeutet.
Als Erdalkalimetall wurde eines der Elemente Ba, Sr und Ca
gewählt. Ein Oxid des ausgewählten Erdalkalimetalls wurde
mit CuO (Molverhältnis 1 : 1) vermischt. Die resultierende
Mischung wurde wärmebehandelt. Dabei wurden die gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 angewendet. Man erhielt ein
Oxid der allgemeinen Formel
MeCuO y ,
worin Me für eines der ausgewählten Erdalkalimetalle
steht.
Die auf dem beschriebenen Wege erhaltenen Oxide SECuO x
und MeCuO y wurden im molaren Verhältnis von etwa 1 : 4
eingewogen und miteinander vermischt. Die resultierende
Mischung wurde unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1
wärmebehandelt. Dabei wurde ein Supraleiter-Material
der allgemeinen Formel
SEMe₂Cu₃O7- δ
erhalten, worin SE für das gewählte Lanthaniden-Element,
Me für das gewählte Erdalkalimetall und δ für eine Zahl
im Bereich zwischen 0 und 0,5 steht. Die kritischen
Temperaturen für die genannten Verbindungen lagen in dem
in Beispiel 1 angegebenen Bereich.
Eine gesinterte Probe von SECuO x , die wenigstens eines
der Lanthaniden-Elemente des Periodensystems (La, Nd, Sm,
Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Yb bzw. Lu) enthielt, sowie eine
gesinterte Probe von Me, Eu, O y , die wenigstens ein Erdalkalimetall
Me aus der Gruppe Ba, Sr und Ca enthielt,
wurden auf dem in Beispiel 3 beschriebenen Weg hergestellt.
Ebenfalls in der in Beispiel 3 beschriebenen Weise
wurden Schichten von (SE,Cu,O) und (Me,Cu,O), worin SE für
eines der obengenannten Seltenerd-Metalle und Me für eines
der obengenannten Erdalkalimetalle stehen, durch Aufstäuben
(sputtering) hergestellt. Die so erhaltenen
Materialien wurden Hitze-behandelt, wobei die gleichen
Bedingungen angewendet wurden, wie sie in Beispiel 3 beschrieben
sind. Durch Reaktion der Schichten miteinander
wurde ein Film aus SEMe₂Cu₃O7- δ gebildet, worin SE
für eines der obengenannten Seltenerd-Metalle und Me für
eines der obengenannten Erdalkalimetalle stehen und δ
eine Zahl im Bereich von 0 bis 0,5 ist.
Die erhaltenen Filme hatten die gleichen Eigenschaften,
wie sie auch in Beispiel 3 für Filme beschrieben sind, die
Y als Seltenerd-Metall enthalten.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters aus
SEMe₂Cu₃O7- δ worin SE für wenigstens ein Element aus der Gruppe Sc, Y
und Seltenerd-Metalle der Gruppe III des Periodensystems
und Me für wenigstens ein Element der Erdalkalimetalle
und δ für eine Zahl im Bereich 0 < δ < 2,0 steht, wobei
δ vom Sauerstoff-Partialdruck beim Glühvorgang abhängt,
dadurch gekennzeichnet, daß man
- (a) ein Ausgangsmaterial, das eine Verbindung wenigstens eines Seltenerd-Metalls SE enthält, und ein Ausgangsmaterial, das eine Cu-Verbindung enthält, miteinander mischt, die entstehende Mischung calciniert und so ein Seltenerd- Metall(e) SE und Cu enthaltendes Oxid A bildet, und/oder
- (b) ein Ausgangsmaterial, das eine Verbindung wenigstens eines Erdalkalimetalls Me enthält, und ein Ausgangsmaterial, das eine Cu-Verbindung enthält, miteinander mischt, die entstehende Mischung calciniert und so ein Erdalkalimetall(e) Me und Cu enthaltendes Oxid B bildet, und nachfolgend entweder
- (c1) ein Ausgangsmaterial, das eine Verbindung wenigstens eines Seltenerd-Metalls SE enthält, und ein Ausgangsmaterial, das eine Cu-Verbindung enthält, mit dem vorangehend erhaltenen, Erdalkalimetall(e) Me und Cu enthaltenden Oxid B mischt, oder
- (c2) ein Ausgangsmaterial, das eine Verbindung wenigstens eines Erdalkalimetalls Me enthält, und ein Ausgangsmaterial, das eine Cu-Verbindung enthält, mit dem vorangehend erhaltenen, Seltenerd-Metall(e) SE und Cu enthaltenden Oxid A mischt, oder
- (c3) das vorangehend erhaltene, Seltenerd-Metall(e) SE und Cu enthaltende Oxid A mit dem vorangehend erhaltenen, Erdalkalimetall(e) Me und Cu enthaltenden Oxid B mischt und danach
- (d) die jeweils entstehende Mischung bei 900 bis 1000°C reagieren läßt.
2. Verfahren zur Herstellung eines bei hoher Temperatur
leitenden Supraleiters auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet,
daß man eine Oxidschicht der Zusammensetzung
SECuO x worin SE für wenigstens ein Element aus der Gruppe Sc, Y
und Seltenerd-Metalle der Gruppe III des Periodensystems
der Elemente steht und für x die Beziehung 2,0 < x < 2,5
gilt und die durch Calcinieren der entsprechenden Ausgangsmaterialien
hergestellt wurde, und eine Oxidschicht
der ZusammensetzungMeCuO y worin Me für wenigstens ein Element der Erdalkalimetalle
steht und für y die Beziehung 1,6 < y < 2,4 gilt und die
durch Calcinieren der entsprechenden Ausgangsmaterialien
hergestellt wurde, auf dem Substrat übereinander in der
angegebenen Reihenfolge aufbringt und die Schichten bei
900 bis 1000°C chemisch reagieren läßt und dabei einen
Film der ZusammensetzungSEMe₂Cu₃O7- δ bildet, worin δ für eine Zahl im Bereich 0 < δ < 2,0
steht und vom Sauerstoff-Partialdruck beim Glühvorgang
abhängt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß man eine erste Schicht aus einem
Oxid mit SE, worin SE für wenigstens ein Element aus der
Gruppe Sc, Y und Seltenerd-Metalle der Gruppe III des
Periodensystem der Elemente steht, und Kupferoxid und
eine zweite Schicht aus einem Oxid mit Me, worin Me für
wenigstens ein Element der Erdalkalimetalle steht, und
Kupferoxid auf einem Substrat übereinander aufbringt, die
Schichten bei 900 bis 100°C chemisch reagieren läßt und
dabei einen Film der Zusammensetzung
SEMe₂Cu₃O7- δ ausbildet, worin SE, Me und s die in Anspruch 2 angegebenen
Bedeutungen haben.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß man eine erste Schicht
aus einem Oxid von SE, worin SE für wenigstens eines der
Elemente der Gruppe Sc, Y und Seltenerd-Metalle der Gruppe III
des Periodensystems steht, und eine zweite Schicht
eines Cu-Oxids auf ein Substrat aufbringt, eine dritte
Schicht aus einem Oxid, bestehend wenigstens aus Me, worin
Me für wenigstens ein Erdalkalimetall steht, und aus
einem Cu-Oxid darüber aufbringt, die Schichten bei 900
bis 1000°C chemisch reagieren läßt und dadurch einen
Film der Zusammensetzung
SEMe₂Cu₃O7- δ ausbildet, worin SE, Me und δ die in Anspruch 2 angegebenen
Bedeutungen haben.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis
4, dadurch gekennzeichnet, daß ein in
linearer Form vorliegendes Substrat beschichtet wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62123800A JPS63288944A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 高温超電導体の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3817319A1 DE3817319A1 (de) | 1988-12-01 |
DE3817319C2 true DE3817319C2 (de) | 1990-03-22 |
Family
ID=14869627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3817319A Granted DE3817319A1 (de) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | Verfahren zur herstellung von supraleitern |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63288944A (de) |
DE (1) | DE3817319A1 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1228263B (it) * | 1987-07-10 | 1991-06-05 | Getters Spa | Metodo perfezionato per la produzione di superconduttori sotto forma di pellicole depositate per evaporazione |
US4861751A (en) * | 1987-07-23 | 1989-08-29 | Standard Oil Company | Production of high temperature superconducting materials |
US5032570A (en) * | 1987-08-04 | 1991-07-16 | Hitachi Metals, Ltd. | Method for producing ceramic superconducting material using intermediate products |
FR2647434A1 (fr) * | 1989-05-23 | 1990-11-30 | Rhone Poulenc Chimie | Materiau ceramique supraconducteur, composition precurseur de ce materiau et procede de preparation |
WO1990015023A1 (en) * | 1989-05-27 | 1990-12-13 | Foundational Juridical Person International Superconductivity Technology Center | Oxide superconductor |
DE3923845A1 (de) * | 1989-07-19 | 1991-01-31 | Hoechst Ag | Dichte, supraleitende koerper mit textur |
US5455223A (en) * | 1993-02-24 | 1995-10-03 | American Superconductor Corporation | Coated precursor powder for oxide superdonductors |
FR2727676A1 (fr) * | 1994-12-06 | 1996-06-07 | Ferraz | Procede d'obtention de ceramiques industrielles faisant intervenir des oxydes mixtes au cours de leur elaboration. application a la fabrication de semi-conducteurs, de varistances et de supraconducteurs |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62123800A patent/JPS63288944A/ja active Pending
-
1988
- 1988-05-20 DE DE3817319A patent/DE3817319A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63288944A (ja) | 1988-11-25 |
DE3817319A1 (de) | 1988-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68908215T2 (de) | Einrichtungen und Systeme, basierend auf supraleitenden Materialien. | |
DE3854238T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Elements. | |
DD301618A9 (de) | Supraleitung in viereckig-planaren mischsystemen | |
DE3855371T2 (de) | Auf neuen supraleitenden Materialien basierende Anordnungen und Systeme | |
DE68922920T2 (de) | Hochtemperatursupraleitendes Oxyd. | |
DE68928155T2 (de) | Oxidischer Supraleiter und Methode zu dessen Herstellung | |
DE68916302T2 (de) | Metalloxid-Material. | |
DE3817319C2 (de) | ||
DE3853900T2 (de) | Supraleitendes Material und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE3790872C2 (de) | Verwendung gesinterter Metalloxidkomplexe als Supraleiter sowie supraleitender Metalloxidkomplex der Formel LM¶2¶CU¶3¶O¶6¶+¶delta¶ | |
DE68914817T2 (de) | Oxydisches supraleitendes Material, dessen Herstellungsprozess und Anwendung. | |
DE3885125T2 (de) | Apparat mit einem supraleitenden Teil und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE4445405A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines langgestreckten Supraleiters mit einer Bismut-Phase hoher Sprungtemperatur | |
DE69509844T2 (de) | Oxidischer Supraleiter und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE68926070T2 (de) | Herstellung eines oxidischen Supraleiters des Wismutsystems | |
DE69019181T2 (de) | Supraleitfähiges Oxidmaterial und ein Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE3854493T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsupraleiters. | |
DE3854400T3 (de) | Verfahren zur herstellung von supraleitenden oxyden. | |
DE3856473T2 (de) | Supraleitende Werkstoffe und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE69108172T2 (de) | Geschichtete Kupferoxide. | |
DE3881620T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines länglichen Supraleiters. | |
DE68907295T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer supraleitenden Dünnschicht vom Wismut-Typ. | |
DE68914921T2 (de) | Prozess zur Herstellung thalliumartiger supraleitender Dünnfilme. | |
DE68904260T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines pulvers aus supraleitfaehigem oxid auf der basis von wismut, das blei enthaelt, und verfahren zur herstellung eines sinterkoerpers daraus. | |
DE69724454T2 (de) | BIS ZU 126K SUPRALEITENDE Ba-Ca-Cu-O-ZUSAMMENSETZUNGEN UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING. SCHUEBEL-HOPF, U., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. GROENING, H.,DIPL.-ING., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |