DE3743131A1 - ARRANGEMENT FOR HIGH-RESOLUTION SPECTROSCOPY - Google Patents

ARRANGEMENT FOR HIGH-RESOLUTION SPECTROSCOPY

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DE3743131A1 DE19873743131 DE3743131A DE3743131A1 DE 3743131 A1 DE3743131 A1 DE 3743131A1 DE 19873743131 DE19873743131 DE 19873743131 DE 3743131 A DE3743131 A DE 3743131A DE 3743131 A1 DE3743131 A1 DE 3743131A1
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Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur hochauflösenden Spektroskopie, die ein wellenlängenselektives Diodenarray mit nebeneinander angeordneten Diodenelementen mit unterschiedlicher spektraler Empfindlichkeit enthält.The invention relates to an arrangement for high-resolution Spectroscopy using a wavelength selective diode array with side by side arranged diode elements contains different spectral sensitivity.

Spektroskopische Methoden spielen in der Physik und der Chemie eine bedeutende Rolle. In vielen Anwendungen ist es wünschenswert, handliche kompakte Spektrometer zu Verfügung zu haben.Spectroscopic methods play in physics and Chemistry plays an important role. It is in many applications desirable, compact compact spectrometer available to have.

Es ist bekannt (siehe zum Beispiel R. F. Wolffenbuttel, Proceedings of the International Conference on Solid State Sensors and Actuators - Transducers 87, Tokyo 1987, Seite 219 ff., F. Koike et. al., A new type amorphous silicon full color sensor, Transducers 87, Tokyo 1987, Seite 223 ff.), Photodioden mit "integriertem" Farbfilter als Spektrometer zu verwenden. Dabei wird ausgenutzt, daß die Eindringtiefe von optischer Strahlung in Silizium wellen­ längenabhängig ist. Der Einzugsbereich für Ladungsträger und damit die gesamte Wellenlängenabhängigkeit des Photo­ stroms kann durch die an die Diode angelegte Sperrspannung gesteuert werden. Die Photodiode wird so betrieben, daß sie drei Farbempfindlichkeitsbereiche hat.It is known (see for example R. F. Wolffenbuttel, Proceedings of the International Conference on Solid State Sensors and Actuators - Transducers 87, Tokyo 1987, page 219 ff., F. Koike et. al., A new type amorphous silicon full color sensor, Transducers 87, Tokyo 1987, page 223 ff.), photodiodes with "integrated" color filter as To use spectrometer. It takes advantage of the fact that Penetration depth of optical radiation in silicon waves is length dependent. The feed area for load carriers and thus the entire wavelength dependence of the photo current can flow through the reverse voltage applied to the diode to be controlled. The photodiode is operated so that it has three color sensitivity areas.

Aus W. Albertshofer, A. Gerhard, Flüssigkeitsanalyse unter Verwendung einer Spektrometerdiode, Proceedings of Sensoren-Technologie und Anwendung, Bad Nauheim, FRG, 1986, NTG-Fachberichte 93, appendix Seite 30, ist eine sogenannte Spektrometerdiode bekannt. Diese Spektrometerdiode ist eine Anordnung von Photodioden, die nebeneinander angeordnet sind und die in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen empfindlich sind. Die Diode ist als Schichtaufbau aus einem Halbleitermaterial mit stetig veränderlichem Bandabstand realisiert. Die Diode wird von der Seite mit dem größeren Bandabstand her bestrahlt. Die Photonen dringen bis in die Tiefe in den Halbleiter ein, in der sie aufgrund des Band­ abstandes absorbiert werden können. Durch Schrägschliff der Rückseite der Diode ist es möglich, an Stellen verschie­ denen Bandabstandes Schottky-Kontakte anzubringen, an denen jeweils ein der entsprechenden Wellenlänge zuzuordnendes Signal abgegriffen wird.From W. Albertshofer, A. Gerhard, liquid analysis under Use of a spectrometer diode, Proceedings of Sensor technology and application, Bad Nauheim, FRG, 1986, NTG Technical Reports 93, appendix page 30, is a so-called Spectrometer diode known. This spectrometer diode is one Arrangement of photodiodes arranged side by side are in different wavelength ranges are sensitive. The diode is a layer structure made of one Semiconductor material with a constantly changing band gap  realized. The diode is from the side with the larger one Band gap irradiated. The photons penetrate into the Depth in the semiconductor in which they are due to the tape distance can be absorbed. By beveling the Back of the diode it is possible to shift in places to attach the band gap Schottky contacts to which one each assigned to the corresponding wavelength Signal is tapped.

Die beschriebenen Dioden weisen ein Auflösungsvermögen auf, das für viele Anwendungen zu klein ist.The diodes described have a resolving power that is too small for many applications.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zur Spektroskopie anzugeben mit einem gegenüber dem Stand der Technik verbesserten Auflösungsvermögen.The invention has for its object an arrangement Specify for spectroscopy with a compared to the stand improved resolution.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Anordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 gelöst, wie dies im kenn­ zeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegeben ist. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.The object is achieved according to the invention by an arrangement the preamble of claim 1 solved, as is known in the drawing part of claim 1 is specified. Further Embodiments of the invention emerge from the subclaims forth.

Die Anordnung zur hochauflösenden Spektroskopie enthält ein wellenlängenselektives Diodenarray, das aus einem Halb­ leitermaterial besteht, und ein räumlich oder zeitlich abstimmbares Interferenzfilter. Es ist besonders vorteil­ haft, das wellenlängenselektive Diodenarray mit dem ab­ stimmbaren Interferenzfilter als integrierten Baustein aufzubauen.The arrangement for high-resolution spectroscopy contains a wavelength selective diode array made up of a half conductor material exists, and a spatial or temporal tunable interference filter. It is particularly beneficial adhesive, the wavelength-selective diode array with the Tunable interference filter as an integrated component build up.

Das Auflösevermögen, das für eine Halbleiterdiode erreicht werden kann, ist durch die grundlegenden Mechanismen im Halbleiter prinzipiell auf Werte um etwa 20 nm (s. A. Piotrowski, Entwurf optimaler Spektrometerdioden, Disser­ tation, TU München, Lehrstuhl für technische Elektronik, 1976) begrenzt. Mit einem Interferenzfilter kann diese Auf­ lösung bei weitem übertroffen werden. Interferenzfilter haben mehrere scharfe Durchlaßmaxima. Bei der Kombination eines wellenlängenselektiven Diodenarrays mit einem Inter­ ferenzfilter sind die Elemente so aufeinander abzustimmen, daß der Abstand zweier Interferenzmaxima dem Abstand der Empfindlichkeitsmaxima von zwei im Diodenarray enthaltenen Diodenelementen entspricht. Durch hintereinander Anordnen des Inferenzfilters und des Diodenarrays wird so die Auf­ lösung optimiert. Um den gesamten Empfindlichkeitsbereich des Diodenarrays abzudecken, wird je ein Durchlaßbereich des Interferenzfilters zwischen zwei benachbarten Empfind­ lichkeitsmaxima der Diodenelemente durchgestimmt.The resolving power achieved for a semiconductor diode is through the basic mechanisms in the Semiconductors in principle to values around 20 nm (see A. Piotrowski, design of optimal spectrometer diodes, doctor tation, TU Munich, Chair for Technical Electronics, 1976) limited. With an interference filter, this can be done solution far exceeded. Interference filter have several sharp transmission maxima. With the combination  of a wavelength-selective diode array with an inter reference filters, the elements must be coordinated that the distance between two interference maxima is the distance between the Sensitivity maxima of two contained in the diode array Corresponds to diode elements. By arranging one after the other of the inference filter and the diode array is thus the on solution optimized. Around the entire sensitivity range of the diode array becomes a pass band of the interference filter between two neighboring senses tuned maxima of the diode elements.

Durch die Integration des Interferenzfilters mit dem Diodenarray ist eine sehr kompakte Bauweise möglich.By integrating the interference filter with the Diode array is a very compact design possible.

Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen, die in den Figuren dargestellt sind, näher erläutert.The invention is based on exemplary embodiments, which in the figures are shown, explained in more detail.

Fig. 1 zeigt eine Anordnung zur hochauflösenden Spektros­ kopie mit einem wellenlängenselektiven Diodenarray und einem keilförmigen Interferenzfilter. Fig. 1 shows an arrangement for high-resolution spectroscopy with a wavelength-selective diode array and a wedge-shaped interference filter.

Fig. 2 zeigt die Empfindlichkeit der einzelnen Dioden­ elemente eines Diodenarrays als Funktion der Wellenlänge. Fig. 2 shows the sensitivity of the individual diode elements of a diode array as a function of the wavelength.

Fig. 3 zeigt die Wellenlängenempfindlichkeit der Dioden­ elemente, die Interferenzmaxima eines Interferenz­ filters und den Bereich, über den ein Interferenz­ maximum eines Interferenzfilters abstimmbar ist. Fig. 3 shows the wavelength sensitivity of the diode elements, the interference maxima of an interference filter and the range over which an interference maximum of an interference filter can be tuned.

Fig. 4 zeigt eine Anordnung zur hochauflösenden Spektros­ kopie mit einem wellenlängenselektiven Diodenarray und einem planparallelen Interferenzfilter. Fig. 4 shows an arrangement for high-resolution spectroscopy with a wavelength-selective diode array and a plane-parallel interference filter.

Fig. 5 zeigt ein planparalleles Interferenzfilter, das elektromechanisch abstimmbar ist und das z. B. Piezokristalle enthält. Fig. 5 shows a plane-parallel interference filter, which can be tuned electromechanically and which, for. B. contains piezo crystals.

Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführung eines planparallelen Interferenzfilters, das elektromechanisch oder thermisch abstimmbar ist. Fig. 6 shows a further embodiment of a plane-parallel interference filter, which is electro-mechanically, or thermally tunable.

Fig. 7 zeigt die Transmissionskurve einer dielektrischen planparallelen Platte für senkrechten Lichteinfall (durchgezogene Kurve) und für um 20° aus der Senk­ rechten verkippten Lichteinfall (gestrichelte Kurve). FIG. 7 shows the transmission curve of a dielectric plane-parallel plate for perpendicular light incidence (solid curve) and for light incidence tilted by 20 ° from the vertical (dashed curve).

Fig. 8 zeigt die relative Wellenlängenverschiebung in Ab­ hängigkeit vom Verkippungswinkel gegenüber senk­ rechtem Lichteinfall für eine planparallele dielektrische Platte mit einem effektiven Brechungsindex von 2,0 (durchgezogene Kurve) bzw. einem effektiven Brechungsindex von 1,45 (ge­ strichelte Kurve). Fig. 8 shows the relative wavelength shift as a function of the tilt angle with respect to perpendicular light incidence for a plane-parallel dielectric plate with an effective refractive index of 2.0 (solid curve) or an effective refractive index of 1.45 (dashed curve).

Fig. 9 zeigt ein Interferenzfilter, das eine dielektrische planparallele Platte enthält, die mit Hilfe zweier Piezokristalle verkippt werden kann. FIG. 9 shows an interference filter which contains a dielectric plane-parallel plate which can be tilted with the aid of two piezo crystals.

In der Anordnung in Fig. 1 ist ein keilförmiges Inter­ ferenzfilter 11 vorgesehen. Das keilförmige Interferenz­ filter 11 besteht aus einem für das zu untersuchende Licht durchlässigen Material. Es ist ein erstes Diodenarray 12 vorgesehen. Das erste Diodenarray 12 ist auf einem ersten Substrat 121 aufgebaut. Auf das erste Substrat 121 folgt ein erster Schichtaufbau 122. Das erste Diodenarray 12 besteht aus einem Halbleitermaterial. Der Bandabstand im Halbleitermaterial nimmt in der Richtung senkrecht zum ersten Schichtaufbau 122 vom ersten Substrat 121 her stetig ab. Im ersten Substrat 121 ist der Bandabstand am größten, an dem dem ersten Substrat 121 abgewandten Ende des ersten Schichtaufbaus 122 ist er am kleinsten. Die dem ersten Substrat 121 abgewandte Oberfläche des ersten Schichtauf­ baus 122 ist schräg abgeschliffen. Auf dieser schräg ab­ geschliffenen Fläche sind erste Kontakte 123 aufgebracht. Die ersten Kontakte 123 sind als zweidimensionales Feld, das von der Richtung der Neigung der abgeschliffenen Ober­ fläche und der Richtung senkrecht zur Richtung der Neigung und parallel zur abgeschliffenen Oberfläche aufgespannt wird, angeordnet. In Richtung der Neigung der abgeschlif­ fenen Oberfläche ändert sich der Bandabstand stetig, so daß in dieser Richtung je zwei benachbarte Kontakte einen unterschiedlichen Bandabstandsbereich sehen. Die ersten Kontakte 123 sind Schottky-Kontakte, d.h. sperrende Schottky-Dioden. Die ersten Kontakte 123 bestehen z. B. aus Gold. Auf der dem ersten Schichtaufbau 122 abgewandten Seite des ersten Substrats 121 ist ein erster ohmscher Kontakt 124 vorgesehen. Der erste ohmsche Kontakt 124 ist so mit Aussparungen versehen, daß das Licht, angedeutet als erste Pfeile 13, durch den ersten ohmschen Kontakt 124 in das erste Substrat 121 eindringen kann. Das erste Dioden­ array 12 ist zum Beispiel für den Wellenlängenbereich von 650 bis 900 nm empfindlich. In diesem Beispiel besteht das erste Substrat 121 und der erste Schichtaufbau 122 aus GaAs1-p P p , wobei im ersten Substrat 121 der Mischungsindex p den Wert 0,4 annimmt, im ersten Schichtaufbau 122 der Mischungsindex p die Werte zwischen 0,4 und 0 annimmt. Damit besteht die oberste Schicht des ersten Schichtaufbaus 122 aus GaAs.In the arrangement in Fig. 1, a wedge-shaped inter reference filter 11 is provided. The wedge-shaped interference filter 11 consists of a material that is transparent to the light to be examined. A first diode array 12 is provided. The first diode array 12 is built on a first substrate 121 . A first layer structure 122 follows the first substrate 121 . The first diode array 12 consists of a semiconductor material. The band gap in the semiconductor material decreases continuously in the direction perpendicular to the first layer structure 122 from the first substrate 121 . In the first substrate 121 is the band gap is greatest at which the first substrate 121 is facing away from he end of the first layered structure 122 at the smallest. The surface of the first layer structure 122 facing away from the first substrate 121 is ground at an angle. First contacts 123 are applied to this surface, which is ground at an angle. The first contacts 123 are arranged as a two-dimensional field which is spanned by the direction of the inclination of the ground surface and the direction perpendicular to the direction of the inclination and parallel to the ground surface. In the direction of the inclination of the abraded surface, the band gap changes continuously, so that two adjacent contacts each see a different band gap region in this direction. The first contacts 123 are Schottky contacts, ie blocking Schottky diodes. The first contacts 123 are e.g. B. made of gold. A first ohmic contact 124 is provided on the side of the first substrate 121 facing away from the first layer structure 122 . The first ohmic contact 124 is provided with recesses such that the light, indicated as first arrows 13 , can penetrate into the first substrate 121 through the first ohmic contact 124 . The first diode array 12 is, for example, sensitive to the wavelength range from 650 to 900 nm. In this example, the first substrate 121 and the first layer structure 122 consist of GaAs 1- p P p , the mixture index p taking the value 0.4 in the first substrate 121, the mixture index p the values between 0.4 and in the first layer structure 122 0 assumes. The uppermost layer of the first layer structure 122 thus consists of GaAs.

Die Empfindlichkeiten S der Diodenelemente des ersten Diodenarrays 12 sind als Funktion der Wellenlänge in Fig. 2 dargestellt. Die Empfindlichkeitskurve jedes einzelnen Diodenelementes ist näherungsweise glockenförmig. Die einzelnen Diodenelemente überlappen sich teilweise.The sensitivities S of the diode elements of the first diode array 12 are shown as a function of the wavelength in FIG. 2. The sensitivity curve of each individual diode element is approximately bell-shaped. The individual diode elements partially overlap.

Das keilförmige Interferenzfilter 11 wird so zum ersten Diodenarray 12 angeordnet, daß die Richtung der Neigung des keilförmigen Interferenzfilters 11 senkrecht zur Richtung der Neigung der abgeschliffenen Oberfläche des ersten Diodenarrays 12 verläuft. Das keilförmige Interferenzfilter 11 wird unterhalb des ersten Substrats 121 angeordnet, so daß das Licht einer zu untersuchenden Probe, angedeutet als erste Pfeile 13, zunächst das keilförmige Interferenzfilter 11 durchstrahlt und dann vom ersten Substrat 121 her in das erste Diodenarray 12 gelangt. Das Licht dringt so tief in den ersten Schichtaufbau 122 ein, bis es die Schicht mit dem seiner Wellenlänge entsprechenden Bandabstand erreicht hat. Bei der Absorption werden Ladungsträger erzeugt, die über Signale an dem entsprechenden ersten Kontakt 123 nach­ gewiesen werden können. Die ersten Kontakte 123 sind in einem zweidimensionalen Feld angeordnet, das aus der Richtung der Neigung des keilförmigen Interferenzfilters 11 und der Richtung der Neigung der abgeschliffenen Oberfläche des ersten Schichtaufbaus 122 aufgespannt wird.The wedge-shaped interference filter 11 is arranged in relation to the first diode array 12 such that the direction of the inclination of the wedge-shaped interference filter 11 is perpendicular to the direction of the inclination of the ground surface of the first diode array 12 . The wedge-shaped interference filter 11 is arranged below the first substrate 121 , so that the light of a sample to be examined, indicated as first arrows 13 , first shines through the wedge-shaped interference filter 11 and then passes from the first substrate 121 into the first diode array 12 . The light penetrates deep into the first layer structure 122 until it has reached the layer with the band gap corresponding to its wavelength. During the absorption, charge carriers are generated which can be detected via signals at the corresponding first contact 123 . The first contacts 123 are arranged in a two-dimensional field which is spanned from the direction of the inclination of the wedge-shaped interference filter 11 and the direction of the inclination of the ground surface of the first layer structure 122 .

Die Dicke und die Neigung des keilförmigen Interferenz­ filters 11 werden so gewählt, daß der Abstand der Durchlaß­ bereiche des keilförmigen Interferenzfilters 11 dem Abstand der Empfindlichkeitsmaxima des ersten Diodenarrays 12 ent­ spricht und daß die Verschiebung jedes Durchlaßbereichs des keilförmigen Interferenzfilters 11 über die Breite des Keils den Bereich zwischen zwei Empfindlichkeitsmaxima des ersten Diodenarrays 12 abdeckt. Das keilförmige Inter­ ferenzfilter 11 besteht z. B. aus Calciumfluorid, Magnesium­ fluorid, Siliziummonoxid. Die Dicke des keilförmigen Inter­ ferenzfilters 11 beträgt am Fuß der Neigung z.B. 14 µm und auf der Höhe der Neigung z.B. 14,2 µm, dabei wurde ein Brechungsindex von 1,5 angenommen, der im Bereich der Brechungsindices verwendeter Materialien liegt.The thickness and the inclination of the wedge-shaped interference filter 11 are selected so that the distance between the passage areas of the wedge-shaped interference filter 11 of the first diode array 12 is responsive ent the spacing of the sensitivity maxima and that the displacement of each passband of the wedge-shaped interference filter 11 over the width of the wedge the Area between two sensitivity maxima of the first diode array 12 covers. The wedge-shaped inter reference filter 11 consists, for. B. from calcium fluoride, magnesium fluoride, silicon monoxide. The thickness of the wedge-shaped interferential filter 11 is, for example, 14 μm at the foot of the inclination and, for example, 14.2 μm at the height of the inclination, a refractive index of 1.5 was assumed, which lies in the range of the refractive indices of the materials used.

Im Teil a der Fig. 3 sind Empfindlichkeitskurven für drei Diodenelemente dargestellt. Die Empfindlichkeitskurven haben Glockenform mit Maxima bei λ 1, λ 2 und g 3. Die Kurven überlappen sich teilweise. Im Teil b der Fig. 3 ist der Durchlaßbereich eines Interferenzfilters dargestellt. Er umfaßt ebenfalls drei Maxima. Das Interferenzfilter ist so gewählt, daß diese Maxima mit den Empfindlichkeitsmaxima λ 1, λ 2 und λ 3 zusammenfallen. Im Teil c der Fig. 3 ist schematisch der Bereich dargestellt über den die Lage eines Durchlaßbereiches des Interferenzfilters abgestimmt werden können muß. Diese Abstimmung kann räumlich zum Beispiel durch ein keilförmiges Interferenzfilter erfolgen. Sie kann auch durch zeitliche Trennung erfolgen, wie dies zum Beispiel bei thermischer oder elektrischer Abstimmung eines planparallelen Interferenzfilters der Fall ist.In part a of FIG. 3 sensitivity curves for three diode elements are shown. The sensitivity curves are bell-shaped with maxima at λ 1 , λ 2 and g 3 . The curves partially overlap. The pass band of an interference filter is shown in part b of FIG. 3. It also includes three maxima. The interference filter is selected so that these maxima coincide with the sensitivity maxima λ 1 , λ 2 and λ 3 . Part c of FIG. 3 schematically shows the area over which the position of a pass band of the interference filter must be able to be adjusted. This tuning can be done spatially, for example, using a wedge-shaped interference filter. It can also be done by temporal separation, as is the case, for example, with thermal or electrical tuning of a plane-parallel interference filter.

Ein Interferenzfilter der Dicke d läßt bei senkrechtem Einfall Licht der Wellenlänge durch, wenn die Wellenlänge λ der BedingungAn interference filter of thickness d allows light of the wavelength to pass through at normal incidence if the wavelength λ is the condition

genügt, wobei n die Brechzahl des Interferenzfilters und Z eine natürliche Zahl ist. Durch Veränderung der Dicke d oder der Brechzahl n kann die optische Länge des Filters verändert werden, dabei verändert sich auch die durchgelassene Wellen­ länge λ.is sufficient, where n is the refractive index of the interference filter and Z is a natural number. By changing the thickness d or the refractive index n , the optical length of the filter can be changed, thereby also changing the transmitted wavelength λ .

In Fig. 4 ist ein erstes planparalleles Interferenzfilter 41 dargestellt. Es besteht aus einem Material, das für das zu untersuchende Licht durchlässig ist. Ferner ist in Fig. 4 ein zweites Diodenarray 42 dargestellt. Wie das erste Diodenarray 12 ist das zweite Diodenarray 42 auf einem zweiten Substrat 421 aufgebaut. Es folgt ein zweiter Schichtaufbau 422 mit zweiten Kontakten 423. Das zweite Diodenarray 42 besteht aus einem Halbleitermaterial mit variablem Bandabstand. Im zweiten Substrat 421 ist der Bandabstand am größten und nimmt über den zweiten Schicht­ aufbau 422 hinweg ab. Die dem zweiten Substrat 421 abge­ wandte Oberfläche des zweiten Schichtaufbaus 422 ist schräg abgeschliffen. Auf dieser schrägen Oberfläche sind die zweiten Kontakte 423 angebracht. Pro Schicht des zweiten Schichtaufbaus 422 ist ein zweiter Kontakt 423 vorgesehen. Die zweiten Kontakte 423 sind ebenfalls Schottky-Kontakte. Auf der dem zweiten Schichtaufbau 422 abgewandten Seite des zweiten Substrats 421 ist ein zweiter ohmscher Kontakt 424 vorgesehen. Der zweite ohmsche Kontakt 424 ist so mit Aus­ sparungen versehen, daß das Licht angedeutet als zweite Pfeile 43, durch den zweiten ohmschen Kontakt 424 hindurch in das zweite Substrat 421 eindringen kann. Das erste planparallele Interferenzfilter 41 wird zeitlich variablen äußeren Einflüssen ausgesetzt und dadurch zeitlich abge­ stimmt. Durch zeitliche Auflösung der an den zweiten Kontakten 423 abgetasteten Signale ist es möglich, die durch die Abstimmung des ersten planparallelen Interferenz­ filters 41 erreichte Verbesserung der Auflösung mit nur einem zweiten Kontakt 423 pro Schicht des zweiten Schicht­ aufbaus 422 auszuwerten.In FIG. 4, a first plane-parallel interference filter 41 is shown. It consists of a material that is transparent to the light to be examined. A second diode array 42 is also shown in FIG. 4. Like the first diode array 12 , the second diode array 42 is constructed on a second substrate 421 . A second layer structure 422 with second contacts 423 follows. The second diode array 42 consists of a semiconductor material with a variable band gap. The band gap is greatest in the second substrate 421 and decreases over the second layer structure 422 . The abge facing the second substrate 421 surface of the second layer structure 422 is ground obliquely. The second contacts 423 are attached to this inclined surface. A second contact 423 is provided per layer of the second layer structure 422 . The second contacts 423 are also Schottky contacts. A second ohmic contact 424 is provided on the side of the second substrate 421 facing away from the second layer structure 422 . The second ohmic contact 424 is provided with savings that the light, indicated as second arrows 43 , can penetrate through the second ohmic contact 424 into the second substrate 421 . The first plane-parallel interference filter 41 is exposed to time-variable external influences and is therefore time-coordinated. Through temporal resolution of the signals sampled at the second contacts 423 , it is possible to evaluate the improvement in resolution achieved by tuning the first plane-parallel interference filter 41 with only one second contact 423 per layer of the second layer structure 422 .

Das erste planparallele Interferenzfilter 41 ist so zum zweiten Diodenarray 42 angeordnet, daß Licht einer zu untersuchenden Probe, angedeutet durch zweite Pfeile 43, erst das erste planparallele Interferenzfilter 41 durch­ strahlt und dann, vom zweiten Substrat 421 her, in das zweite Diodenarray 42 gelangt, wo es, wie oben beschrieben, analysiert wird.The first plane-parallel interference filter 41 is arranged in relation to the second diode array 42 such that light from a sample to be examined, indicated by second arrows 43 , first shines through the first plane-parallel interference filter 41 and then, from the second substrate 421, reaches the second diode array 42 . where it is analyzed as described above.

Die Abstimmung des planparallelen Interferenzfilters 41 durch äußere Einflüsse ist zum Beispiel thermisch, elektro­ mechanisch, magnetostriktiv oder elektrisch möglich. Das planparallele Interferenzfilter 41 ist zum Beispiel aus einem Piezokristall gefertigt, der für das zu untersuchende Licht durchlässig ist. Durch Anlegen einer elektrischen Spannung wird die Dicke des Interferenzfilters verändert. Dadurch ändern sich die von dem Interferenzfilter durchge­ lassenen Wellenlängen.The matching of the plane-parallel interference filter 41 by external influences is possible, for example, thermally, electromechanically, magnetostrictively or electrically. The plane-parallel interference filter 41 is made, for example, from a piezo crystal that is transparent to the light to be examined. The thickness of the interference filter is changed by applying an electrical voltage. This changes the wavelengths let through by the interference filter.

Das planparallele Interferenzfilter 41 ist zum Beispiel aus einem elektrisch doppelbrechenden Material, zum Beispiel Galliumarsenid, hergestellt. Durch Anlegen einer Spannung läßt sich auch in diesem Fall die Wellenlänge, die von dem planparallelen Interferenzfilter durchgelassen wird, beein­ flussen. The plane-parallel interference filter 41 is made, for example, from an electrically birefringent material, for example gallium arsenide. By applying a voltage, the wavelength that is allowed to pass through the plane-parallel interference filter can also be influenced in this case.

Die Abstimmung kann langsam, d.h. quasi stationär, oder durch rasches Wobbeln erfolgen. Dabei findet die Wechsel­ strommeßtechnik, z.B. lock-in-Technik, Anwendung. Für eine Abstimmung von einem Durchlaßbereich zum nächsten ist die sogenannte Halbwellenspannung erforderlich, die für die meisten Materialien einige kV beträgt.Voting can be slow, i.e. quasi stationary, or by wobbling quickly. The change takes place current measurement technology, e.g. lock-in technique, application. For one The tuning from one pass band to the next is so-called half-wave voltage required for the most materials is a few kV.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein zweites plan­ paralleles Interferenzfilter 51, das Piezokristalle ent­ hält, ist in Fig. 5 dargestellt. Das zweite planparallele Interferenzfilter 51 enthält zwei erste Platten 511, die planparallel zueinander angeordnet sind. Die ersten Platten 511 werden durch Stege 512 miteinander verbunden. Jeweils eine der planparallelen Oberflächen jeder der beiden ersten Platten 511 ist vergütet, jeweils die andere Oberfläche ist teilverspiegelt. Es wird die Interferenz von Licht ausge­ nutzt, das an den teilverspiegelten Oberflächen reflektiert wird. Die Stege 512 bestehen z. B. aus Piezokristallen. Dadurch ist es möglich, den Abstand der ersten Platten 511 durch Anlegen einer elektrischen Spannung an die Stege 512 zu beeinflussen. Damit kann das zweite planparallele Interferenzfilter 51 elektromechanisch für verschiedene Wellenlängen durchgestimmt werden.A further exemplary embodiment for a second plane-parallel interference filter 51 , which contains piezo crystals, is shown in FIG. 5. The second plane-parallel interference filter 51 contains two first plates 511 , which are arranged plane-parallel to one another. The first plates 511 are connected to one another by webs 512 . One of the plane-parallel surfaces of each of the first two plates 511 is coated, the other surface is partially mirrored. The interference from light is used, which is reflected on the partially mirrored surfaces. The webs 512 z. B. from piezo crystals. This makes it possible to influence the distance between the first plates 511 by applying an electrical voltage to the webs 512 . The second plane-parallel interference filter 51 can thus be tuned electromechanically for different wavelengths.

Die Stege 512 bestehen z. B. aus einem Material, das Magnetostriktion zeigt. Durch Magnetisieren der Stege 512 wird deren Länge verändert. Damit ändert sich auch der Abstand der beiden ersten Platten 511.The webs 512 z. B. from a material that shows magnetostriction. The length of the webs 512 is changed by magnetizing them. This also changes the distance between the first two plates 511 .

In Fig. 6 ist ein drittes planparalleles Interferenzfilter 61 dargestellt. Es ist ein Joch 611 vorgesehen. Das Joch 611 ist zylinderförmig und weist auf beiden Grundplatten je eine kreisförmige Öffnung auf. Das Joch 611 enthält zwei parallel angeordnete zweite Platten 613. Die eine zweite Platte 613 ist innerhalb des Jochs 611 auf einer Grund­ platte befestigt. Jeweils eine der planparallelen Ober­ flächen jeder der beiden zweiten Platten 613 ist vergütet, jeweils die andere Oberfläche ist teilverspiegelt. Das dritte planparallele Interferenzfilter 61 nutzt die Inter­ ferenz von Licht, das an den teilweise verspiegelten Ober­ flächen reflektiert wird. Die zweite Platte 613 ist über ein Abstandsstück 612 an der anderen Grundplatte im Joch 611 befestigt. Das Abstandsstück 612 ist zum Beispiel ringförmig. Durch Variation der Dicke des Abstandsstücks 612 kann der Abstand der planparallelen zweiten Platten 613 variiert werden. Die Dicke des Abstandsstücks 612 kann zum Beispiel elektromechanisch beeinflußt werden. Das Abstands­ stück 612 ist dann aus einem Piezokristall gefertigt. Durch Anlegen einer elektrischen Spannung an das Abstandsstück 612 wird dessen Dicke verändert. Da die eine zweite Platte 613 fest mit dem Abstandsstück 612 verbunden ist, verändert sich dadurch der Abstand der planparallelen zweiten Platten 613.In FIG. 6, a third plane parallel interference filter 61 is shown. A yoke 611 is provided. The yoke 611 is cylindrical and has a circular opening on each of the two base plates. The yoke 611 contains two parallel plates 613 arranged in parallel. A second plate 613 is fixed within the yoke 611 on a base plate. One of the plane-parallel upper surfaces of each of the two second plates 613 is coated, the other surface is partially mirrored. The third plane-parallel interference filter 61 uses the interference of light that is reflected on the partially mirrored surfaces. The second plate 613 is fastened to the other base plate in the yoke 611 via a spacer 612 . Spacer 612 is annular, for example. The distance between the plane-parallel second plates 613 can be varied by varying the thickness of the spacer 612 . For example, the thickness of the spacer 612 can be influenced electromechanically. The spacer 612 is then made of a piezo crystal. By applying an electrical voltage to the spacer 612 , its thickness is changed. Since the one second plate 613 is firmly connected to the spacer 612 , the distance between the plane-parallel second plates 613 changes as a result.

Eine weitere Möglichkeit, die Dicke des Abstandsstück 612 zu beeinflussen, besteht darin, die thermische Ausdehnung des Abstandsstücks 612 auszunutzen. Durch Aufheizen des Abstandsstücks 612 bei gleichzeitigem Kühlen des Jochs 611 verändert sich nur die Dicke des Abstandsstücks 612 und damit der Abstand der planparallelen zweiten Platten 613. In Fällen, in denen eine Kühlung des Jochs 611 unmöglich oder zu aufwendig ist, ist es günstig, das Joch 611 aus einem Material mit geringer Wärmeausdehnung, zum Beispiel Invar, zu fertigen.Another way of influencing the thickness of the spacer 612 is to take advantage of the thermal expansion of the spacer 612 . By heating the spacer 612 while cooling the yoke 611 at the same time, only the thickness of the spacer 612 and thus the distance of the plane-parallel second plates 613 change . In cases where cooling of the yoke 611 is impossible or too expensive, it is advantageous to manufacture the yoke 611 from a material with low thermal expansion, for example Invar.

Da die Dicke des Abstandsstücks 612 größer gewählt werden kann als die Dicke der Stege 512 im Ausführungsbeispiel der Fig. 5, kann durch Erwärmen des Abstandsstücks 612 eine größere Abstandsänderung der zweiten Platten 613 erzielt werden, als dies mit Erwärmung der Stege 512 im vorher­ gehenden Ausführungsbeispiel möglich wäre.Since the thickness of the spacer 612 can be selected to be greater than the thickness of the webs 512 in the exemplary embodiment in FIG. 5, a greater change in the spacing of the second plates 613 can be achieved by heating the spacer 612 than with heating the webs 512 in the previous exemplary embodiment it is possible.

Der Abstand d der zweiten Platten 613 beträgt z.B. 14 µm, die Abstandsänderung 0,2 µm. Das Abstandsstück 612 hat eine Dicke D von z.B. 280 µm, d.h. D =k 1×d mit k 1=20. Damit genügt zur Ausdehnung des Abstandsstücks 612 um 0,2 µ der k 1-te Bruchteil der Temperatur Δ T, die für eine Platte der Dicke d benötigt würde: Δ T₁ = Δ T/k₁. Um das Abstandsstück 612 aus z.B. Glas um 0,2 µm auszu­ dehnen, werden etwa 80° benötigt.The distance d between the second plates 613 is, for example, 14 μm, the change in distance is 0.2 μm. The spacer 612 has a thickness D of, for example, 280 μm, ie D = k 1 × d with k 1 = 20. This is enough to expand the spacer 612 by 0.2 μ the k 1 -th fraction of the temperature Δ T that would be required for a plate of thickness d : Δ T ₁ = Δ T / k ₁. In order to extend the spacer 612 from, for example, glass by 0.2 μm, approximately 80 ° are required.

Da der Abstand der ersten Platten 511 in Fig. 5 ebenfalls z. B. 14 µm und die Abstandsänderung 0.2 µm beträgt, wäre eine Erwärmung der Stege 512 um Δ T=k 1×Δ T 1 nötig, was für Glas einem Wert von etwa 1600° entspricht.Since the distance between the first plates 511 in FIG . B. 14 microns and the change in distance 0.2 microns, a heating of the webs 512 would be necessary by Δ T = k 1 × Δ T 1 , which corresponds to a value of about 1600 ° for glass.

Die Durchlaßcharakteristik einer planparallelen Platte, die aus dielektrischen Materialien besteht, z. B. aus ZnS oder Kryolith, ist vom Einfallswinkel der optischen Strahlung abhängig. Eine planparallele Platte der Dicke d läßt Licht der Wellenlänge durch, wenn die Wellenlänge der BedingungThe transmission characteristic of a plane-parallel plate, which consists of dielectric materials, for. B. from ZnS or cryolite, is dependent on the angle of incidence of the optical radiation. A plane-parallel plate of thickness d transmits light of the wavelength if the wavelength is the condition

genügt wobei n die Brechzahl des Dielektrikums, z eine natürliche Zahl und α der interne Einfallswinkel des Lichtes ist. Mit Hilfe der Fig. 7 und 8, die Oriel, Optical Filters, Katalog entnommen sind, wird dieser Effekt veranschaulicht. In Fig. 7 ist die Transmission durch eine planparallele Platte als Funktion der Wellenlänge λ für zwei verschiedene Einfallswinkel dargestellt. Der Brechungsindex der planparallelen Platte beträgt 2,0. Als durchgezogene Kurve ist die Transmission bei senkrechtem Lichteinfall, d. h. Einfallswinkel α=0°, dargestellt. Als gestrichelte Kurve ist die Transmission durch die planparallele Platte für einen Ein­ fallswinkel von 20° dargestellt. Man sieht deutlich, daß es zu einer Verschiebung der mittleren durchgelassenen Wellen­ länge kommt. In Fig. 8 ist das Verhältnis der durchge­ lassenen Wellenlänge bei Einfallswinkel 0° zur durchgelas­ senen Wellenlänge bei einem anderen Einfallswinkel als Funktion des Einfallswinkels für verschiedene Brechungs­ indices der planparallelen Platte dargestellt. Als durch­ gezogene Kurve ist diese relative Wellenlängenänderung für einen Brechungsindex von 2,0 dargestellt. Als gestrichelte Kurve ist die relative Wellenlängenänderung für einen Brechungsindex von 1,45 dargestellt. Der gestrichelten Kurve ist zu entnehmen, daß bei einem Einfallswinkel von 20° die Wellenlänge sich um 3% gegenüber einem Einfalls­ winkel von 0° verändert hat, bei einem Brechungsindex von 1,45. Im Fall einer durchgelassenen Wellenlänge von 700 nm bedeutet dies eine Verschiebung um 21 nm.it suffices where n is the refractive index of the dielectric, z is a natural number and α is the internal angle of incidence of the light. This effect is illustrated with the aid of FIGS. 7 and 8, which are taken from Oriel, Optical Filters, Katalog. In Fig. 7, the transmission is λ by a plane parallel plate as a function of wavelength for two different angles of incidence. The refractive index of the plane-parallel plate is 2.0. The transmission with vertical light incidence, ie angle of incidence α = 0 °, is shown as a solid curve. The dashed curve shows the transmission through the plane-parallel plate for an incident angle of 20 °. One can clearly see that there is a shift in the mean transmitted wavelength. In Fig. 8, the ratio of the let pass wavelength at angle of incidence 0 ° to the pass wavelength at another angle of incidence is shown as a function of the angle of incidence for different refractive indices of the plane-parallel plate. This relative change in wavelength for a refractive index of 2.0 is shown as a solid curve. The relative wavelength change for a refractive index of 1.45 is shown as a dashed curve. The dashed curve shows that at an angle of incidence of 20 °, the wavelength has changed by 3% compared to an angle of incidence of 0 °, with a refractive index of 1.45. In the case of a transmitted wavelength of 700 nm, this means a shift by 21 nm.

In Fig. 9 ist ein viertes planparalleles Interferenzfilter 91 dargestellt. Das vierte planparallele Interferenzfilter 91 enthält eine dielektrische planparallele Platte 92. Das vierte planparallele Interferenzfilter 91 enthält ferner zwei Piezokristalle 93. Die Piezokristalle 93 sind fest mit der dielektrischen planparallelen Platte 92 verbunden. Die Piezokristalle 93 sind stabförmig. Die Piezokristalle 93 sind mit einer schmalen Seite mit der dielektrischen plan­ parallelen Platte 92 verbunden. Sie sind an gegenüber­ liegenden Oberflächen der planparallelen Platte 92 senk­ recht zu diesen Oberflächen angeordnet. Die Oberflächen sind diejenigen, die von Licht aus der Richtung, die durch einen Richtungspfeil 94 angedeutet ist, die dielektrische planparallele Platte 92 durchstrahlen. Die Piezokristalle 93 sind so angeordnet, daß ihre Längsachsen entlang paral­ leler, nicht zusammenfallender Geraden verlaufen. Die Piezokristalle 93 sind mit der jeweils der dielektrischen planparallelen Platte 92 abgewandten Seite fest mit einer Halterung 95 verbunden. Die Halterung 95 enthält zwei senk­ rechte Teile 951, die über ein waagerechtes Teil 952 starr miteinander verbunden sind. Die senkrechten Teile 951 haben unterschiedliche Höhe. Der Höhenunterschied ist so be­ messen, daß die Piezokristalle 93, die fest mit der dielek­ trischen planparallelen Platte 92 verbunden sind, jeweils an der Oberkante mit dem senkrechten Teil 951 fest ver­ bunden sind. Die Höhendifferenz der senkrechten Teile 951 entspricht also in etwa dem Abstand der Befestigungspunkte der Piezokristalle 93 an der dielektrischen planparallelen Platte 92. Da die Piezokristalle fest mit der dielektrischen planparallelen Platte 92 und mit den senkrechten Teilen 951 der starren Halterung 95 verbunden sind, führt eine Längen­ änderung der Piezokristalle 93 in einer Richtung, die durch Längenänderungspfeile 931 angedeutet ist, zu einer Ver­ kippung der dielektrischen planparallelen Platte 92 um einen Winkel 97. Eine Verlängerung der Piezokristalle 93 bewirkt, daß auf die dielektrische planparallele Platte 92 ein Drehmoment wirkt. Da das Licht aus der festen Richtung, die durch den Richtungspfeil 94 angedeutet ist, auf die dielektrische planparallele Platte 92 strahlt, ändert sich durch Änderung des Winkels 97 der Einfallswinkel des Lichts auf die dielektrische planparallele Platte 92. Nach den Ausführungen zu Fig. 7 und 8 ändert sich demnach die durchgelassene Wellenlänge. Damit das Licht nach Durchgang durch die dielektrische planparallele Platte 92 in ein hinter dem vierten planparallelen Interferenzfilter 91 angeordnetes Diodenarray gelangen kann, weist der längere senkrechte Teil 951 eine Aussparung 96 auf. Die Aussparung 96 ist so angeordnet, daß Licht nach Durchgang durch die dielektrische planparallele Platte 92 ungehindert in ein Diodenarray gelangen kann.In Fig. 9 a fourth plane parallel interference filter 91 is shown. The fourth plane-parallel interference filter 91 contains a dielectric plane-parallel plate 92 . The fourth plane-parallel interference filter 91 also contains two piezo crystals 93 . The piezo crystals 93 are firmly connected to the dielectric plane-parallel plate 92 . The piezo crystals 93 are rod-shaped. The piezo crystals 93 are connected to the dielectric plane-parallel plate 92 with a narrow side. They are arranged on opposite surfaces of the plane-parallel plate 92 perpendicular to these surfaces. The surfaces are those that shine through the dielectric plane-parallel plate 92 from light from the direction indicated by a directional arrow 94 . The piezo crystals 93 are arranged so that their longitudinal axes run along parallel, non-coinciding straight lines. The piezo crystals 93 are fixedly connected to a holder 95 on the side facing away from the dielectric plane-parallel plate 92 . The bracket 95 contains two vertical parts 951 which are rigidly connected to one another via a horizontal part 952 . The vertical parts 951 have different heights. The difference in height is so be measured that the piezo crystals 93 , which are firmly connected to the dielectric plane-parallel plate 92 , are each firmly connected at the upper edge with the vertical part 951 . The height difference of the vertical parts 951 thus corresponds approximately to the distance between the fastening points of the piezo crystals 93 on the dielectric plane-parallel plate 92 . Since the piezocrystals are firmly connected to the dielectric plane-parallel plate 92 and to the vertical parts 951 of the rigid holder 95 , a change in length of the piezocrystals 93 in a direction indicated by length change arrows 931 leads to a tilting of the dielectric plane-parallel plate 92 through an angle 97 . An extension of the piezo crystals 93 causes a torque to act on the dielectric plane-parallel plate 92 . Since the light radiates from the fixed direction, which is indicated by the directional arrow 94 , onto the dielectric plane-parallel plate 92 , the angle of incidence of the light onto the dielectric plane-parallel plate 92 changes by changing the angle 97 . According to the explanations for FIGS. 7 and 8, the transmitted wavelength changes accordingly. The longer vertical part 951 has a cutout 96 so that the light can pass into a diode array arranged behind the fourth plane-parallel interference filter 91 after passing through the dielectric plane-parallel plate 92 . The recess 96 is arranged so that light can pass unhindered into a diode array after passing through the dielectric plane-parallel plate 92 .

Da bei einer Wellenlänge von 700 nm, einem Brechungsindex von 1,45 und einem Einfallswinkel von 20° die durchge­ lassene Wellenlänge um 21 nm verschoben wird und da im Diodenarray der Abstand zweier Empfindlichkeitsmaxima etwa 20 nm beträgt, ist das vierte planparallele Inter­ ferenzfilter gut geeignet zum Durchstimmen des Durchlaß­ bereiches von einem Empfindlichkeitsmaximum des Dioden­ arrays zu einem benachbarten durch Variation des Winkels 97 zwischen 0 und 20°.Since at a wavelength of 700 nm, a refractive index of 1.45 and an angle of incidence of 20 °, the transmitted wavelength is shifted by 21 nm and since the distance between two sensitivity maxima in the diode array is about 20 nm, the fourth plane-parallel interference filter is well suited for tuning the pass band from a sensitivity maximum of the diode array to an adjacent one by varying the angle 97 between 0 and 20 °.

Claims (15)

1. Anordnung zur hochauflösenden Spektroskopie, die ein wellenlängenselektives Diodenarray mit nebeneinander ange­ ordneten Diodenelementen mit unterschiedlicher spektraler Empfindlichkeit enthält, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zur Verbesserung der Auflösung ein Interferenzfilter (11, 41, 51, 61) vorgesehen ist, bei dem der Abstand seiner Durchlaßbereiche dem Abstand der Empfindlichkeitsmaxima der einzelnen Diodenelemente entspricht und das so abstimmbar ist, daß es den gesamten Wellenlängenbereich des Dioden­ arrays (12, 42) abdecken kann.1. Arrangement for high-resolution spectroscopy, which contains a wavelength-selective diode array with side by side arranged diode elements with different spectral sensitivity, characterized in that an interference filter ( 11 , 41 , 51 , 61 ) is provided in order to improve the resolution, in which the distance of its Passband corresponds to the distance between the sensitivity maxima of the individual diode elements and that can be tuned so that it can cover the entire wavelength range of the diode array ( 12 , 42 ). 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als Diodenarray (12, 42) ein Halbleiterschichtaufbau vorge­ sehen ist, der eine Schichtfolge mit stetig veränderlichem Bandabstand aufweist, und daß jede Schicht des Halbleiter­ schichtaufbaus mit mindestens einem Schottky-Kontakt (123, 423) zur Abnahme von Signalen versehen ist.2. Arrangement according to claim 1, characterized in that a semiconductor layer structure is provided as a diode array ( 12 , 42 ), which has a layer sequence with a continuously variable band gap, and that each layer of the semiconductor layer structure with at least one Schottky contact ( 123 , 423 ) is provided for the acceptance of signals. 3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Oberfläche des Schichtaufbaus (122, 422) schräg zu der Schichtenfolge abgeschliffen ist und daß die Kontakte (123, 423) der Schichten auf dieser schiefen Ebene angeordnet sind.3. Arrangement according to claim 2, characterized in that the surface of the layer structure ( 122 , 422 ) is ground obliquely to the layer sequence and that the contacts ( 123 , 423 ) of the layers are arranged on this inclined plane. 4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Diodenarray (12, 42) eine Schichtenfolge aus GaAs1-p P p mit 0 ≦ p ≦ 0,4 aufweist.4. Arrangement according to claim 3, characterized in that the diode array ( 12, 42 ) has a layer sequence of GaAs 1- p P p with 0 ≦ p ≦ 0.4. 5. Anordnung nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
  • a) das Interferenzfilter (11) ist keilförmig,
  • b) das Interferenzfilter (11) ist so zu dem Diodenarray (12) angeordnet, daß es zwischen der Lichtquelle und dem Diodenarray (12) liegt und daß dabei die geneigte Ober­ fläche des Keils im Strahlengang liegt,
  • c) die Neigung des Keils verläuft in der Richtung senkrecht zur Neigung der schiefene Ebene des Diodenarrays (12),
  • d) die Kontakte (123) auf der schiefen Ebene sind in einem zweidimensionalen Feld angeordnet, dessen Achsenrich­ tungen mit den Richtungen der Neigung des Keils und der Neigung der schiefen Ebene übereinstimmen.
5. Arrangement according to claim 3 or 4, characterized by the following features:
  • a) the interference filter ( 11 ) is wedge-shaped,
  • b) the interference filter ( 11 ) is arranged to the diode array ( 12 ) that it lies between the light source and the diode array ( 12 ) and that the inclined upper surface of the wedge lies in the beam path,
  • c) the inclination of the wedge runs in the direction perpendicular to the inclination of the inclined plane of the diode array ( 12 ),
  • d) the contacts ( 123 ) on the inclined plane are arranged in a two-dimensional field, the axes of which coincide with the directions of the inclination of the wedge and the inclination of the inclined plane.
6. Anordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Interferenzfilter (41, 51, 61) planparallel ist und auf elektromechanischem Weg abstimmbar ist.6. Arrangement according to claim 3 or 4, characterized in that the interference filter ( 41 , 51 , 61 ) is plane-parallel and can be tuned in an electromechanical way. 7. Anordnung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
  • a) das planparallele Interferenzfilter (61) enthält ein Joch (611),
  • b) in dem Joch (611) sind planparallele Platten (613) und ein Abstandsstück (612) so angeordnet, daß die Dicke des Interferenzfilters (61) über das Abstandsstück (612), das aus einem Piezokristall besteht, abstimmbar ist.
7. Arrangement according to claim 6, characterized by the following features:
  • a) the plane-parallel interference filter ( 61 ) contains a yoke ( 611 ),
  • b) plane-parallel plates ( 613 ) and a spacer ( 612 ) are arranged in the yoke ( 611 ) such that the thickness of the interference filter ( 61 ) can be adjusted via the spacer ( 612 ), which consists of a piezo crystal.
8. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Interferenzfilter (51) mindestens einen Piezokristall enthält.8. Arrangement according to claim 6, characterized in that the interference filter ( 51 ) contains at least one piezo crystal. 9. Anordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Interferenzfilter (61) planparallel ist und thermisch abstimmbar ist.9. Arrangement according to claim 3 or 4, characterized in that the interference filter ( 61 ) is plane-parallel and is thermally tunable. 10. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Interferenzfilter (61) mit einem Abstandsstück (612) in einem Joch (611) aus einem Material mit geringer Wärmeaus­ dehnung angeordnet ist und daß die Dicke des Interferenz­ filters (61) durch die thermische Ausdehnung des Abstands­ stücks (612) variabel ist.10. The arrangement according to claim 9, characterized in that the interference filter ( 61 ) with a spacer ( 612 ) in a yoke ( 611 ) made of a material with low thermal expansion is arranged and that the thickness of the interference filter ( 61 ) by the thermal Extension of the spacer ( 612 ) is variable. 11. Anordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Interferenzfilter (41) planparallel und elektrisch ab­ stimmbar ist.11. The arrangement according to claim 3 or 4, characterized in that the interference filter ( 41 ) is plane-parallel and electrically tunable from. 12. Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Interferenzfilter (41) aus elektrisch doppelbrechendem Material besteht.12. The arrangement according to claim 11, characterized in that the interference filter ( 41 ) consists of electrically birefringent material. 13. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Diodenarray (12, 41) mit dem Interferenzfilter (11, 41, 51, 61) integriert ist.13. Arrangement according to one of claims 1 to 12, characterized in that the diode array ( 12 , 41 ) with the interference filter ( 11 , 41 , 51 , 61 ) is integrated. 14. Anordnung nach Anspruch 8, gekenn­ zeichnet durch folgende Merkmale:.
  • a) es sind zwei Piezokristalle (93) vorgesehen,
  • b) es ist eine planparallele Platte (92) vorgesehen, die aus einem dielektrischen Material besteht,
  • c) die Piezokristalle (93) und die planparallele Platte (92) sind so in einer Halterung (95) angeordnet, daß durch elektrische Abstimmung der Länge der Piezo­ kristalle (93) der Neigungswinkel (97) der plan­ parallelen Platte (92) einstellbar ist,
  • d) die planparallele Platte (92) ist zwischen dem Dioden­ array und der Lichtquelle so angeordnet, daß sie vom Licht durchstrahlt wird.
14. Arrangement according to claim 8, characterized by the following features :.
  • a) two piezo crystals ( 93 ) are provided,
  • b) a plane-parallel plate ( 92 ) is provided, which consists of a dielectric material,
  • c) the piezo crystals ( 93 ) and the plane-parallel plate ( 92 ) are arranged in a holder ( 95 ) that the electrical angle of the length of the piezo crystals ( 93 ) of the angle of inclination ( 97 ) of the plane-parallel plate ( 92 ) is adjustable ,
  • d) the plane-parallel plate ( 92 ) is arranged between the diode array and the light source so that it is irradiated by the light.
15. Anordnung nach Anspruch 14, gekennzeich­ net durch folgende Merkmale:
  • a) die Piezokristalle (93) sind an zwei gegenüberliegenden Seiten der planparallelen Platte (92) so befestigt, daß die Längenveränderungen der Kristalle (93) senkrecht zur Oberfläche der planparallelen Platte (92) erfolgen,
  • b) die Piezokristalle (93) sind entlang zweier paralleler Geraden, die nicht zusammenfallen, angeordnet,
  • c) die Piezokristalle (93) sind mit der der planparallelen Platte (92) jeweils abgewandten Seite fest mit der Halterung (95) verbunden, die so starr ist, daß eine Längenänderung der Piezokristalle (93) zu einer Änderung des Neigungswinkels (97) der planparallelen Platte (92) führt.
15. Arrangement according to claim 14, characterized by the following features:
  • a) the piezoelectric crystals (93) of the plane-parallel plate are secured (92) so that the length variations of the crystals (93 carried) perpendicular to the surface of the plane-parallel plate (92) on two opposite sides,
  • b) the piezo crystals ( 93 ) are arranged along two parallel straight lines which do not coincide,
  • c) the piezo crystals ( 93 ) are firmly connected to the side facing away from the plane-parallel plate ( 92 ) with the holder ( 95 ), which is so rigid that a change in length of the piezo crystals ( 93 ) leads to a change in the angle of inclination ( 97 ) plane-parallel plate ( 92 ) leads.
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