DE3720465A1 - Haftvermittler fuer negativresist zum aetzen tiefer graeben in siliciumscheiben mit glatter oberflaeche und verfahren zur herstellung des haftvermittlers - Google Patents

Haftvermittler fuer negativresist zum aetzen tiefer graeben in siliciumscheiben mit glatter oberflaeche und verfahren zur herstellung des haftvermittlers

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10206661A1 (de) 2001-02-20 2002-09-26 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT254648B (de) * 1965-06-03 1967-05-26 Vmw Ranshofen Berndorf Ag Verfahren zur chemischen oder elektrolytischen Behandlung von metallischen Oberflächen
DE2108327A1 (de) * 1970-02-26 1971-10-28 Western Electric Co Verfahren zum Verbessern des Haftens eines Maskiermusters auf einer metallischen Oberfläche
DE1920932B2 (de) * 1968-04-26 1971-11-25 Dow Corning Corp., Midland, Mich. (V.StA.) Photolack fuer die halbleitermaskierung
US3716390A (en) * 1970-05-27 1973-02-13 Bell Telephone Labor Inc Photoresist method and products produced thereby
DE2455357B2 (de) * 1974-04-15 1977-08-04 Hitachi, Ltd, Tokio Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE3334095A1 (de) * 1983-09-21 1985-04-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum aetzen tiefer graeben in siliziumscheiben mit glatter oberflaeche
DE3537626A1 (de) * 1984-10-26 1986-04-30 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Beschichtungsloesungen

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT254648B (de) * 1965-06-03 1967-05-26 Vmw Ranshofen Berndorf Ag Verfahren zur chemischen oder elektrolytischen Behandlung von metallischen Oberflächen
DE1920932B2 (de) * 1968-04-26 1971-11-25 Dow Corning Corp., Midland, Mich. (V.StA.) Photolack fuer die halbleitermaskierung
DE2108327A1 (de) * 1970-02-26 1971-10-28 Western Electric Co Verfahren zum Verbessern des Haftens eines Maskiermusters auf einer metallischen Oberfläche
US3716390A (en) * 1970-05-27 1973-02-13 Bell Telephone Labor Inc Photoresist method and products produced thereby
DE2455357B2 (de) * 1974-04-15 1977-08-04 Hitachi, Ltd, Tokio Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE3334095A1 (de) * 1983-09-21 1985-04-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum aetzen tiefer graeben in siliziumscheiben mit glatter oberflaeche
DE3537626A1 (de) * 1984-10-26 1986-04-30 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Beschichtungsloesungen

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Fröschle, Dr. E.: Fotomaskierungverfahren in der Halbleitertechnologie. In: Elektro-Anzeiger, 23. Jg., Nr. 27, 9.12.1970, S. 517-521, "Waycoat SC Resist Systems", Technical Bulletin Nr. 42-E der Fa. Hunt-Chemical *
US-Z: IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd.24, Nr. 7 B, Dez.1981, S.3880 *
US-Z: IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd.26, Nr.10 B, März 1984, S.5392 *
US-Z: J. Electrochem. Soc., Okt. 1982, S.2389 bis 2390 *

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