DE3717275A1 - Verfahren bzw. einrichtung zur einstellung der kompensationsspannung von verstaerkern in integrierter schaltungsbauweise - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft allgemein integrierte Schaltungen und im einzelnen Einrichtungen und Maßnahmen zur Justierung der Kompensationsspannung oder Offsetspannung von Differentialverstärkern in integrierten Schaltungen.

Wie allgemein bekannt ist, enthalten integrierte Schaltungen (IC), beispielsweise Operationsverstärker (op amp), Vergleicher oder Analog-/Digitalumsetzer (A/D) oder Digital-/Analogumsetzer (D/A) im allgemeinen einen Differentialverstärker als eine ihrer Verstärkerstufen. Der Differentialverstärker enthält charakteristischerweise ein Paar emitter-gekoppelter Bipolartransistoren, deren Basiselektroden durch zwei Eingangssignale beaufschlagt werden. Die gekoppelten Emitter sind an eine Konstantstromquelle angeschlossen. Die Kollektoren des Paares von Transistoren sind jeweils über einen bestimmten Widerstand an eine Speisespannung angeschlossen, wobei der Differentialausgang des Transistorpaares zwischen den Kollektorelektroden abgenommen wird. Aufgrund herstellungsbedingter Fehlanpassungen des Transistorpaares bedarf der Differentialverstärker einer ganz bestimmten Kompensationsspannung, um die differentielle Ausgangsspannung des Transistorpaares auf null Volt einzustellen. Bekanntlich ist diese Kompensationsspannung oder Offsetspannung eine Funktion des Wertes der Kollektorwiderstände des Transistorpaares des Differentialverstärkers; das bedeutet, daß eine Einstellung des Wertes dieser Widerstände die Kompensationsspannung verändert.

Herkömmlicherweise erfolgt die Einstellung der Kompensationsspannung, während sich die integrierte Schaltung noch im Produktionszustand der Halbleiterscheibe befindet, d. h., bevor das einzelne integrierte Schaltungsträgerchip, auch als Plättchen bezeichnet, umgrenzt und von der die integrierten Schaltungen tragenden Scheibe abgetrennt worden ist, wobei letztere charakteristischerweise eine ganze Anordnung von Plättchen trägt, und bevor eine Packung der einzelnen integrierten Schaltung in einer Schaltungspackung stattfindet. Beispielsweise wird der Gesamtkollektorwiderstand jedes der Transistoren des Differentialverstärkers der integrierten Schaltung als eine Mehrzahl diskreter in Reihe geschalteter Widerstände verwirklicht, welche zwischen die Speisespannung und die Kollektorelektrode gelegt sind, und ein ausgewählter der diskreten Widerstände oder mehrere davon wird bzw. werden zu einer zugehörigen Zenerdiode oder zugehörigen Zenerdioden parallel geschaltet. Das bedeutet, einzelne Zenerdioden werden parallel an ausgewählte einzelne Kollektorwiderstände gelegt. An jedem einzelnen integrierten Schaltungschip oder -plättchen sind am Orte der Anode und Kathode jeder Zenerdiode Anschlußpunkte vorgesehen. Eine große Gegenvorspannung wird jeweils an die ausgewählte oder die ausgewählten Zenerdioden gelegt, wodurch ein ausreichend großer Sperrstrom durch die betreffende Zenerdiode geführt wird, um die ausgewählte Zenerdiode oder die ausgewählten Zenerdioden permanent kurzzuschließen. Die Widerstände, zu denen die kurzgeschlossenen Zenerdioden parallel liegen, werden auf diese Weise elektrisch überbrückt, so daß schrittweise der Kollektorwiderstand des betreffenden des Paares von Transistoren, der mit dem Kollektorwiderstand verbunden ist, vermindert werden kann und dadurch die Kompensationsspannung des Transistorpaares des Differentialverstärkers justiert werden kann. Die Kompensationsspannung oder Offsetpannung wird in dieser Weise justiert, um die Größe des Spannungsversatzes so nahe wie möglich auf null Volt zu bringen. Das bedeutet, daß die Offsetspannung auf Null eingestellt wird.

Zwar sind die Maßnahmen zur Einstellung der Kompensationsspannung oder Offsetspannung des Differentialverstärkers einer integrierten Schaltung in vielen Fällen zielführend, doch ist festzustellen, daß, nachdem ein einzelnes integriertes Schaltungsplättchen oder Chip von der Halbleiterscheibe abgetrennt worden ist, das betreffende Chip beipsielsweise in eine integrierte Schaltungspackung, etwa in eine Dual-in-line-Packung (DIP), eine Flachpackung oder eine TO-5-Kapselung, eingebracht wird, welche jeweils eine vorbestimmte und begrenzte Anzahl von Anschlußleitern oder Kontaktstiften haben. Eine derartige integrierte Schaltungspackung bietet also typischerweise keinen Zugang zu Anschlußleitern oder Kontaktstiften, die mit den Anschlußpunkten auf dem Chip zu den zur Kompensation der Offsetspannung dienenden Zenerdioden verbunden wären. Das bedeutet, daß die Anschlußpunkte für die zur Justierung der Offsetspannung dienenden Zenerdioden über die Anschlußleiter der Packung, welche den Differentialverstärker der betreffenden integrierten Schaltung enthält, nicht zugänglich sind. Die oben beschriebene Justierung der Offsetspannung wird somit nur im Herstellungszustand der integrierten Schaltung, während diese noch auf der Halbleiterscheibe mit integrierten Schaltungen ist, vorgenommen, d. h. bevor eine einzelne integrierte Schaltung als Chip oder Plättchen in eine integrierte Schaltungspackung eingebracht wird. Somit ist eine Kompensation von Änderungen der Offsetspannung des Differentialverstärkers, welche beispielsweise während des Abtrennens des integrierten Schaltungsplättchens zur Bildung eines Chips eingeführt werden und welche durch Einbringen der einzelnen integrierten Schaltung in eine Packung und durch das sogenannte Einbrennen der gepackten integrierten Schaltung eingeführt werden, nicht mehr möglich. Die Offsetspannung des fertiggepackten integrierten Schaltungschips hat sich oft um etliche zehn Mikrovolt von der Offsetspannung Null verschoben, wie sie noch für die integrierte Schaltung galt als diese noch auf der Halbleiterscheibe war.

Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, ein Verfahren bzw. eine Einrichtung zur Einstellung der Kompensationsspannung von Verstärkern in integrierter Schaltungsbauweise so auszugestalten, daß eine zuverlässige Einstellung der Kompensationsspannung im fertiggepackten integrierten Schaltungsträgerchip erreicht wird.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale von Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sowie ein Verfahren zur Erzielung der gewünschten Kompensation sind in den dem Patentanspruch 1 nachgeordneten Ansprüchen gekennzeichnet.

Bei der hier angegebenen Einrichtung ist eine integrierte Schaltung in einer Schaltungspackung untergebracht, welche elektrische Anschlußleitungen aufweist und welche einen Differentialverstärker enthält, der eine Nenn-Offsetspannung besitzt. Der Differentialverstärker enthält weiter innerhalb der Packung befindliche und mit den elektrischen Anschlußleitungen verbundene Mittel zur Einstellung der Offsetspannung des Differentialverstärkers relativ zur Nenn-Offsetspannung in Abhängigkeit von einem Steuersignal, welches den elektrischen Anschlußleitungen zugeführt wird. Bei einer solchen Anordnung kann die Kompensationsspannung oder Offsetspannung auch nach Abtrennen der integrierten Schaltung von einer Halbleiterscheibe (diese enthält beispielsweise eine große Anzahl gleicher integrierter Schaltungen) sowie nach Einbringen der integrierten Schaltung in eine integrierte Schaltungspackung sowie nach dem sogenannten Einbrennen der gepackten integrierten Schaltung einjustiert werden, wodurch Änderungen der Offsetspannung des Differentialverstärkers der integrierten Schaltung aufgrund des Abtrennvorganges, des Packungsvorganges und des "Einbrenn"-Vorganges kompensiert werden können. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist die integrierte Schaltung in einer Schaltungspackung untergebracht, welche eine Mehrzahl elektrischer Anschlußleitungen besitzt, wobei eine erste dieser Anschlußleitungen ein Eingangssignal während des normalen Betriebs der integrierten Schaltung aufzunehmen bestimmt ist. Die integrierte Schaltung enthält eine Speisespannungs-Leiteranordnung, welche mit einer zweiten Anschlußleitung verbunden ist und mit einem Bezugspotential beaufschlagt ist; ferner enthält die integrierte Schaltung einen Differentialverstärker mit einem Paar emitter-gekoppelter Transistoren und einer Nenn-Offsetspannung, welche eine Funktion eines Nenn-Widerstandes zwischen einer Kollektorelektrode eines ersten des Transistorpaares und einem Bezugspotential ist; weiter sind Mittel zur Erzeugung eines Nenn-Widerstandes vorgesehen, welche eine Mehrzahl in Serie geschalteter Widerstände enthalten. Zwischen die Speisespannungs-Leiteranordnung und die Kollektorelektrode ist eine Schaltung oder ein Netzwerk gelegt. Letztgenannte Schaltung bzw. letztgenanntes Netzwerk enthält einen ersten Widerstand, der normalerweise elektrisch von der Verbindung zwischen der Speisespannungs-Leiteranordnung und der Kollektorelektrode abgetrennt ist. Es sind Schaltungsmittel vorgesehen, welche auf ein programmierendes Signal ansprechen, das zwischen die erstgenannte und die zweitgenannte Verbindungsleitung während eines Programmierbetriebes der integrierten Schaltung angelegt wird, um den ersten Widerstand elektrisch zwischen die Speisespannungs-Leiteranordnung und die Kollektorelektrode zu schalten, so daß die Offsetspannung von der Nominal-Offsetspannung um einen vorbestimmten Betrag unterschiedlich wird. Steuermittel werden während des Programmierbetriebes wirksam, um elektrisch die vorgenannten Schaltmittel zwischen dem ersten und dem zweiten Anschlußleiter anzusteuern und während des Normalbetriebes zu bewirken, daß die genannten Schaltmittel von der ersten Verbindungsleitung abgetrennt werden. Mit einer derartigen Anordnung läßt sich die Offsetspannung über die Anschlußleitungen der Schaltungspackung justieren, welche eine doppelte Funktion erfüllen: Zum einen empfangen die Anschlußleitungen Eingangssignale für die integrierte Schaltung während des Normalbetriebes und zum anderen empfangen die Anschlußleitungen Programmiersignale während des Programmierbetriebes für die Justierung der Offsetspannung im Zustand der hergestellten integrierten Schaltung nach Bildung der Packung.

Vorliegend wird auch ein Verfahren angegeben, welches folgende Schritte enthält: Messen der Offsetspannung eines Differentialverstärkers einer integrierten Schaltung, welche sich in einer Packung befindet, wobei die Offsetspannung eine Funktion eines Widerstandes ist, der zwischen den Differentialverstärker und eine Bezugsspannung gelegt ist; und Anlegen eines Programmiersignals an eine Anschlußleitung dieser Schaltungspackung zum elektrischen Koppeln eines zuvor elektrisch abgetrennten Widerstandes an die Schaltung zwischen dem Differentialverstärker und dem Bezugspotential zur Justierung der gemessenen Offsetspannung um einen vorbestimmten Betrag.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Zeichnung im einzelnen beschrieben. Es stellt dar

Fig. 1 ein schematisches Blockdiagramm einer integrierten Schaltung mit Schaltungsmittel zur Justierung der Offsetspannung entsprechend den hier angegebenen Prinzipien und

Fig. 2 ein schematisches Blockdiagramm einer integrierten Schaltung mit Einrichtungen zur Justierung der Offsetspannung oder Kompensationsspannung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.

In Fig. 1 ist eine integrierte Schaltung mit 10 bezeichnet, wobei diese Schaltung einen Operationsverstäkrer (op amp) enthält und, wie aus der schematischen Darstellung ersichtlich, einen Eingangsabschnitt 12, einen Ausgangsabschnitt 14 und Anschlüsse T 1 bis T 8 aufweist. Die integrierte Schaltung ist vorliegend in einer herkömmlichen integrierten Schaltungspackung (nicht dargestellt) untergebracht, beispielsweise in Gestalt einer dual-in-line-Packung (DIP), einer Flachpackung oder einer TO-5-Kapselung, wobei die Anschlüsse T 1 bis T 8 mit den elektrischen Anschlußleitungen oder Kontaktstiften der Packung in Verbindung stehen. Der Eingangsabschnitt 12 enthält einen Differentialverstärker 16, welcher ein Paar von Transistoren 18 und 20 enthält und der eine Nenn-Offsetspannung oder Kompensationsspannung aufweist, welche beispielsweise auf Fehlanpassungen zwischen den Transistoren 18 und 20 und/oder auf dem Packungsvorgang und/oder auf dem Einbrennvorgang der integrierten Schaltung 10 beruht. Die integrierte Schaltung 10 enthält Schaltungsmittel 36 und 38 zur Justierung der Offsetspannung, wobei diese Schaltungsmittel an die Anschlüsse T 6 bzw. T 7 gelegt sind und außerdem Verbindung zum Anschluß T 3 haben, um die Offsetspannung von dem nominalen Spannungswert in Abhängigkeit von einem Steuersignal oder Programmierungssignal, welches den genannten Anschlüssen von einer äußeren Spannungsquelle her zur Packung hin in einer unten angegebenen Weise zugeführt wird, zu justieren. Mit einer derartigen Anordnung kann die Offsetspannung des Differentialverstärkers 16 auch nach Einbeziehung der integrierten Schaltung 10 in eine IC-Schaltungspackung und nach dem Einfahren der gepackten integrierten Schaltung justiert werden, so daß integrierte Schaltungen geschaffen werden können, welche sicher niedrigere Offsetspannungen aufweisen und daher als genauere Schaltungsbauteile anzusprechen sind. Außerdem ist zu bemerken, daß die genannte Offsetspannung unter Verwendung der Kontaktstifte oder Anschlußleiter der Schaltung (nämlich der Kontaktstifte, die mit den Anschlüssen T 3, T 6, T 7 gemäß Fig. 1 verbunden sind) justiert wird, wobei diese Kontaktstifte unabhängig von der Einstellmöglichkeit der Offsetspannung vorgesehen sind und während des Normalbetriebes der integrierten Schaltung 10 die Eingangssignale für die integrierte Schaltung 10 empfangen, wie weiter unten in Einzelheiten ausgeführt wird, beispielsweise, wenn die integrierte Schaltung als Operationsverstärker Einsatz findet. Die Transistoren 18 und 20 sind vorliegend bipolar-n-p-n- Transistoren, doch versteht es sich, daß in entsprechend komplementären Schaltungen p-n-p-Transistoren hierfür eingesetzt werden. Die Transistoren 18 und 20 können aber auch anstelle der Bipolartransistoren in Gestalt von Feldeffekttransistoren vorgesehen sein. Die Basiselektroden der Transistoren 18 und 20 sind an die Anschlüsse T 1, T 2, gelegt, welche , wie nachfolgend ausgeführt wird, mit den Kontaktstiften der integrierten Schaltungspackung verbunden sind, um die positiven bzw. negativen Eingangsdatensignale (+V _IN , -V _IN ) aufzunehmen, die der integrierten Schaltung 10 zugeführt werden. Die Emitterelektroden der Transistoren 18 und 20 des Transistorpaares sind zusammengeschaltet und an eine Konstantstromquelle 22 angeschlossen, welche in der dargestellten Weise mit der ersten Spannungsanschlußleitung 24 verbunden ist. Eine zweite Spannungsanschlußleitung 26 ist mit der Kollektorelektrode des Transistors 18 über eine Mehrzahl von vorliegend vier in Serie geschaltete diskrete Widerstände 28 a, 28 b, 28 c und 28 d angeschlossen. In entsprechender Weise sind in Serie geschaltete Widerstände 30 a, 30 b, 30 c und 30 d zwischen die zweite Spannungsanschlußleitung 26 und die Kollektorelektrode des Transistors 20 geschaltet. Vorliegend stellen die Widerstände 28 d und 30 d konzentrierte Widerstände als Kollektorwiderstände der zugehörigen Transistoren 18 und 20 dar, während die Widerstände 28 a bis 28 c und die Widerstände 30 a bis 30 c binär abgestufte Widerstandswerte für den nachfolgend angegebenen Zweck haben. Die Widerstände 28 a bis 28 d und 30 a bis 30 d sind vorliegend Dünnfilmwiderstände für die unten angegebenen Aufgaben. Die Leitung 19 verbindet die Kollektorelektrode des Transistors 18 mit dem Ausgangsabschnitt 14, während die Kollektorelektrode des Transistors 20 über die Leitung 21 in der dargestellten Weise mit dem Ausgangsabschnitt 14 verbunden ist. Außerdem haben mit dem Ausgangsabschnitt 14 die erste Spannungsanschlußleitung 24 und die zweite Spannungsanschlußleitung 26 Verbindung. Die zweite Spannungsanschlußleitung 26 ist außerdem an den Anschluß T 3 der integrierten Schaltung 10 gelegt. Der Anschluß T 4 der integrierten Schaltung 10 ist mit der ersten Spannungsanschlußleitung 24 verbunden. Die Anschlüsse T 3 und T 4 der integrierten Schaltung haben mit einem entsprechenden Paar von Kontaktstiften oder Anschlußleitern der integrierten Schaltungspackung Verbindung und werden im Betrieb mit Eingangssignalen beaufschlagt, wozu die positiven und negativen Betriebspotentiale +V _s und -V _s für die integrierte Schaltung 10 gehören. Der Ausgang der integrierten Schaltung 10 wird in herkömmlicher Weise durch den Ausgangsabschnitt 14 an dem Anschluß T 5 in Gestalt des Signals V _OUT entsprechend den von den Transistoren 18 und 20 zugeführten Signalen dargeboten.

Der Eingangsabschnitt 12 enthält auch eine erste Gruppe von Zenerdioden 32 a, 32 b und 32 c, welche, wie aus dem Schaltbild ersichtlich, parallel zu entsprechenden Widerständen 28 a, 28 b und 28 c geschaltet sind, um den nachfolgend angegebenen Aufgaben zu dienen. Der Anschlußpunkt P 1 ist an dem Verbindungspunkt der Anode der Zenerdiode 32a und der Kathode der Zenerdiode 32 b gebildet. In entsprechender Weise ist der Anschlußpunkt P 2 an der Verbindung zwischen der Anode der Zenerdiode 32b und der Kathode der Zenerdiode 32 c gebildet, wobei die Anode der Zenerdiode 32 c mit dem Anschluß T 6 Verbindung hat. Der Anschluß T 3 ist mit der Kathode der Zenerdiode 32a verbunden. In entsprechender Weise ist eine zweite Gruppe von Zenerdioden 34 a, 34 b, 34 c, parallel an entsprechende jeweils zugehörige Widerstände 30 a, 30 b und 30 c gelegt, wie aus dem Schaltungsdiagramm entnehmbar ist, wobei der Anschluß T 3 mit der Kathode der Zenerdiode 34a Verbindung hat und der Anschluß T 7 die Anode der Zenerdiode 34c beaufschlagt. Die Anschlußpunkte P 3 und P 4 sind elektrisch so geschaltet, daß sie an den Verbindungspunkt zwischen der Anode und der Kathode der Zenerdioden 34a und 34 b bzw. 34 b und 34 c gelegt sind. Die Schaltungsanschlüsse T 6 und T 7 stellen die Anschlüsse für die Offsetspannungs-Nulleinstellung der integrierten Schaltung 10 dar und sind, wie angegeben, mit den entsprechenden Anschlußleitern oder Kontaktstiften der Schaltungspackung der integrierten Schaltung 10 verbunden. Wie bekannt wird während des Normalbetriebes der integrierten Schaltung 10 den Anschlüssen T 6 und T 7 für die Offset-Nullspannungsjustierung eine Eingangssignalbeaufschlagung von Schaltungsteilen (nicht dargestellt) außerhalb der gepackten integrierten Schaltung 10 vermittelt, um ein Driften der Offsetspannung beipsielsweise aufgrund von Temperaturveränderungen, zu kompensieren. Die Anschlußpunkte P 1 bis P 4 stellen andererseits die Kontaktpunkte dar, die in herkömmlicher Weise auf dem betreffenden Schaltungschip oder -plättchen (nicht dargestellt) gebildet werden, auf dem sich die integrierte Schaltung 10 befindet, und enden auch auf diesem integrierten Schaltungschip. Mit anderen Worten, die Anschlußpunkte P 1 bis P 4 sind nicht unmittelbar mit einem der Anschlüsse T 1 bis T 8 verbunden und sind damit auch nicht in Verbindung mit den Anschlußleitern oder Kontaktstiften der Packung, in der sich die integrierte Schaltung 10 befindet. Schaltungen 36 und 38, die zur Einstellung der Offsetspannung oder Kompensationsspannung nach Herstellen der Packung der integrierten Schaltung dienen, sind, wie aus der Zeichnung ersichtlich, zwischen die zweite Spannungsanschlußleitung 26 (und damit den Anschluß T 3) und die Anschlüsse T 6 und T 7 zur Offsetspannungs-Nulljustierung jeweils eingeschaltet. Im einzelnen enthält die Justierungsschaltung 36 die mit je einer Klemme in Serie zusammengeschalteten Widerstände 40a und 40 b, wobei die zweite Klemme des Widerstandes 40 a an die Spannungszuführungsleitung 26 gelegt ist, während die jeweils andere Klemme des Widerstandes 40 b Verbindung zu dem Zusammenschluß des Anschlusses T 6, der Anode der Zenerdiode 32c und der Widerstände 28 c und 28 d hat. Parallel zu den Widerständen 40 a und 40 b sind gegeneinander geschaltete Zenerdioden 42 a und 42 b in die Schaltung gelegt. Das bedeutet, daß die Zenerdioden 42 a und 42 b über ihre Kathoden zusammengeschaltet sind. Wie weiter unten angegeben, entspricht die Zenerdiode 42 a in der Schaltungsanalogie einem geöffneten Schalter. Die Anode der Zenerdiode 42 a wird von der Spannungszuführungsleitung 26 beaufschlagt und die Anode der Zenerdiode 42 b ist an die zweite Klemme des Widerstandes 40 b gelegt. Damit liegen die Anoden der Zenerdioden 42 a und 42 b elektrisch an den Anschlüssen T 3 bzw. T 6. Der Widerstand 40c ist zwischen die Verbindung der Widerstände 40 a und 40 b einerseits und die Kathoden der Zenerdioden 42 a und 42 b andererseits geschaltet. Die Justierschaltung 38 enthält die Widerstände 44 a und 44 b, die in Serie über ihre eine Klemme zusammengeschaltet sind, während die andere Klemme des Widerstandes 44 a an die zweite Spannungszuführungsleitung 26 gelegt ist, während die andere Klemme des Widerstandes 44 b an der Verbindung zwischen dem Anschluß T 7, der Anode der Zenerdiode 34c und den Widerständen 30 c und 30 d liegt. Ferner enthält die Justierschaltung 38 die gegeneinander geschalteten Zenerdioden 46 a und 46 b, die vorliegend mit ihren Kathoden zusammengeschaltet sind, wobei diese Kathoden weiter über den Widerstand 44 c mit dem Zusammenschluß der Widerstände 44 a und 44 b Verbindung haben. Die Anode der Zenerdiode 46 a hat Verbindung zur Spannungszuführungsleitung 26 und die Anode der Zenerdiode 46 b hat zu der zweiten Klemme des Widerstandes 44 b Verbindung. Die Anoden der Zenerdioden 46 a und 46 b sind somit elektrisch an die Anschlüsse T 3 bzw. T 7 gelegt. Es sei bemerkt, daß die Widerstände 40a bis 40 c und 44 a bis 44 c vorliegend Dünnfilmwiderstände sind. Weiter sei festgestellt, daß die Justierschaltungen 36 und 38 über die Widerstände 28 d bzw. 30 d mit dem jeweils zugehörigen des Transistorpaares 18, 20, des Differentialverstärkers Verbindung haben und daß jede der Justierschaltungen 36 und 38 elektrisch an ein Paar von Anschlüssen des integrierten Schaltungschips 10 angeschlossen ist. Das bedeutet, daß die Justierschaltung 36 Verbindung zu den Anschlüssen T 3 und T 6 hat und daß die Justierschaltung 38 Verbindung zu den Anschlüssen T 3 und T 7 hat. Da die Anschlüsse T 3, T 6 und T 7 mit entsprechenden Anschlußleitern oder Kontaktstiften der Schaltungspackung, welche die betreffende integrierte Schaltung 10 enthält, verbunden sind, erkennt man, daß die Justierschaltungen 36 und 38 über die Kontaktstifte der Schaltungspackung, welche mit den Anschlüssen T 3 und T 6 bzw. T 3 und T 7 verbunden sind, zugänglich sind. Im Betrieb und, wie bereits gesagt, während der Herstellung der integrierten Schaltung 10 an einem einzelnen Chip (nicht dargestellt) innerhalb einer ebenfalls nicht dargestellten Halbleiterscheibe, welche charakteristischerweise eine große Anzahl identischer Plättchen oder Chips enthält, sind Fehlanpassungen unvermeidlich. Diese Fehlanpassungen oder Abstimmungsfehler werden in die baulichen Charakteristiken der Transistoren 18 und 20 des Differentialverstärkers hineingetragen, beispielsweise in Gestalt von Unterschieden der jeweiligen Dotierungskonzentration, der Breite der Basis und der Emitterfläche der Transistoren. Derartige fabrikationsbedingte Fehlanpassungen zwischen den Transistoren 18 und 20 des Transistorpaares verursachen einen endlichen differentiellen Spannungsausgang zwischen den Kollektorelektroden der Transistoren 18 und 20, wenn den Basiselektroden der Transistoren die Spannung Null zugeführt wird. Es muß also eine Kompensationsspannung oder Offsetspannung (V _os ) von beispielsweise 500 Mikrovolt zwischen den den Basiselektroden der Transistoren 18 und 20 zugeführten Eingangsspannungen V _{IN 1}, V _{IN 2} eingeführt werden, um die differentielle Ausgangsspannung V₀ auf null Volt einzustellen. Wie bekannt folgt die Offsetspannung oder Kompensationsspannung V _os der nachstehend angegebenen Gleichung:

V _os = V _{IN 1}-V _{IN 2}

Hierin ist K Boltzmann'sche Konstante, T bedeutet die absolute Temperatur (°K) und q ist die Ladung eines Elektron. Die Größe RC 1 ist der äquivalente Kollektorwiderstand des Transistors 18, während der äquivalente Kollektorwiderstand des Transistors 20 durch die Größe RC 2 angegeben ist. Die Werte A 1 und A 2 bedeuten die Emitterflächen der Transistoren 18 bzw. 20. Man sieht also aus Gleichung (1), daß die Offsetspannung oder Kompensationsspannung V _os des Differentialverstärkers 16 durch Änderung der effektiven Werte der Kollektorwiderstände der Transistoren 18 und 20 justiert werden kann. Wie bei Betrachtung von Fig. 1 erkennbar ist, bestimmt sich der Kollektorwiderstand des Transistors 18 (RC 1) durch die Widerstände 28a bis 28 d und 40 a bis 40 c.

Die Offsetspannung V _os des Differentialverstärkers 16 ist anfänglich auf Null eingestellt (d. h., so eingestellt, daß sie so nahe wie möglich an Null Volt liegt), während sich die integrierte Schaltung 10 noch auf der Halbleiterscheibe befindet, d. h., bevor das einzelne Chip, das die integrierte Schaltung 10 enthält, von der Halbleiterscheibe abgetrennt ist und in die Schaltungspackung eingebracht ist. Die Anschlußpunkte P 1 bis P 4 und die Anschlüsse T 3, T 6 und T 7 werden für diese anfängliche Einstellung der Offsetspannung verwendet. Die Größe und Polarität von V _os wird zwischen den Leitungen 19 und 21 (nämlich zwischen den Kollektorelektroden des Transistorpaares 18 und 20 des Differentialverstärkers) in herkömmlicher Weise gemessen. Beispielsweise wird ein ausgewählter der Eingangsanschlüsse T 1 und T 2 der integrierten Schaltung 10 geerdet und der Ausgangsanschluß T 5 der integrierten Schaltung 10 wird auf Null Volt gebracht. Die Größe und Polarität der an dem anderen der Eingangsanschlüsse T 1 und T 2 gemessenen Spannung stellt die Offsetspannung V _os des Differentialverstärkers 16 dar. Ein ausgewählter oder mehrere ausgewählte der Kollektorwiderstände 28 a, 28 b, 28 c oder 30 a, 30 b, 30 c wird bzw. werden elektrisch entsprechend der Größe und Polarität der genannten Offsetspannung überbrückt, indem die zugehörige oder die zugehörigen der Zenerdioden 32 a, 32 b, 32 c oder 34 a, 34 b, 34 c unter Verwendung der entsprechenden Anschlußpunkte P 1 bis P 4 und der Anschlüsse T 3, T 6 und T 7, welche damit verbunden sind, individuell kurzgeschlossen werden, so daß die gemessene Offsetspannung V _os justiert wird, so daß sie so nahe wie möglich an Null Volt herankommt. Um beispielsweise den Widerstand 28 a zu überbrücken, wird eine große Sperrspannung von beispielsweise 20 Volt angelegt und über die Zenerdiode 32 a geleitet, was unter Verwendung des Anschlußpunktes P 1 und des Anschlusses T 3 geschieht, was bedeutet, daß der Anschlußpunkt P 1 ein hohes negatives Potential gegenüber dem Anschluß T 3 erhält. Dieses Gegenspannungs- oder Sperrspannungspotential erzeugt einen großen Sperrstrom durch die Zenerdiode 32a, so daß die nicht dargestellten Metallkontakte dieser Zenerdiode 32 a durch Elektromigration zusammenschmelzen und die Zenerdiode 32 a permanent kurzgeschlossen wird und somit der Widerstand 28 a elektrisch überbrückt wird. Das bedeutet, daß die Spannungsanschlußleitung 26 unmittelbar über die kurzgeschlossene Zenerdiode 32 a an eine Klemme des Widerstandes 28 b gelegt wird und praktisch der Widerstand 28 a aus dem Kollektorwiderstand des Transistors 18 herausgenommen wird. Falls erforderlich kann der Widerstand 28 b in entsprechender Weise elektrisch überbrückt werden, um den Widerstand 28 b aus dem Kollektorwiderstand des Transistor 18 zu entfernen, indem eine große Gegenvorspannung an die Anschlußpunkte P 1 und P 2 gelegt wird. In gleicher Weise bewirkt das Anlegen einer großen Gegenvorspannung an den Anschlußpunkt P 2 und den Anschlußpunkt T 6 einen permanenten Kurzschluß der Zenerdiode 34c und damit eine elektrische Überbrückung des Widerstandes 28 c. Der Kollektorwiderstand des Transistors 20 kann in entsprechender Weise justiert werden, was unter Verwendung der Anschlußpunkte P 3 und P 4 sowie der Anschlüsse T 3 und T 7 geschieht. Durch Anlegen einer großen Gegenvorspannung an den Anschlußpunkt P 3 und den Anschluß T 3 wird ein Kurzschluß der Zenerdiode 34a erreicht und der Widerstand 30 a elektrisch überbrückt. Auch der Widerstand 30 b kann elektrisch überbrückt werden, indem eine große Gegenvorspannung zwischen den Anschlußpunkten P 3 und P 4 angelegt wird, wodurch die Zenerdiode 34b dauerhaft kurzgeschlossen wird. In entsprechender Weise bewirkt das Anlegen einer großen Gegenvorspannung zwischen den Anschlußpunkt 4 und dem Anschluß T 7 einen dauerhaften Kurzschluß der Zenerdiode 34c und dadurch eine elektrische Überbrückung des Widerstandes 30 c. Wie gesagt, sind die Widerstandswerte der Widerstände 28 a bis 28 c und 30 a bis 30 c binär abgestuft, wie dies an sich bekannt ist, um einen ausreichenden Bereich und eine ausreichende Auflösung für die Justierung dieser Kollektorwiderstände zu ermöglichen. Durch Kurzschließen einer ausgewählten oder mehrerer ausgewählter der Zenerdioden 32 a bis 32 c und 34 a bis 34 c entsprechend Polarität und Größe der gemessenen Offsetspanung des Differentialverstärkers 16 wird diese Offsetspannung an der sich noch auf der Halbleiterscheibe befindenden integrierten Schaltung 10 auf Null einjustiert bzw. so einjustiert, daß sie so nahe wie möglich an Null Volt herangeführt wird. Hier führt die Justierung der integrierten Schaltung auf der Halbleiterscheibe zu einer Offsetspannung in der Größenordnung von 40 Mikrovolt. Es sei bemerkt, daß zusätzliche Widerstände, von denen einige oder sämtliche mit parallelliegenden Zenerdioden und zugehörigen Anschlußpunkten versehen sind, zu den Widerständen 28 a bis 28 d oder 30 a bis 30 d in Serie geschaltet und zwischen die Spannungsanschlußleitung 26 und die Kollektorelektroden der Widerstände 18 oder 20 gelegt werden können, um den verfügbaren Einstellbereich und die Auflösung für die Justierung der Kollektorwiderstände der Transistoren 18 und 20 im Herstellungszustand auf der Halbleiterscheibe und damit Einstellbereich und Auflösung bezüglich der Offsetspannung des Differentialverstärkers 16 zu vergrößern.

Nach der anfänglichen Justierung der Offsetspannung in der oben beschriebenen Weise wird die Halbleiterscheibe, welche die einzelnen Chips, auf denen die integrierte Schaltung 10 gebildet worden ist, enthält, in die Chips unterteilt und die einzelnen Chips werden abgetrennt. Die einzelne integrierte Schaltung bzw. das entsprechende Chip, welches die Schaltungskonfiguration 10 enthält, wird in eine IC-Packung (nicht dargestellt), beispielsweise eine DIP-Packung, eine Flachpackung oder in eine Kapselung TO-5 eingebracht. Die gepackte integrierte Schaltung hat eine vorbestimmte Anzahl elektrischer Anschlußstifte oder Leiter, beispielsweise acht Kontaktstifte, von denen sieben in herkömmlicher Art mit den Anschlüssen T 1 bis T 7 verbunden sind. Der achte Anschlußleiter der integrierten Schaltung kann unverbunden gelassen werden oder kann mit dem Anschluß T 8 gekoppelt werden, um beispielsweise in bekannter Art eine Frequenzkompensation für die integrierte Schaltung 10 vorzusehen. Die integrierte Schaltungspackung kann selbstverständlich auch mehr als acht Anschlußstifte aufweisen, je nachdem, für welchen Anwendungsfall die integrierte Schaltung 10 vorgesehen ist. Es sei jedoch bemerkt, daß die Anschlußpunkte P 1 bis P 4 üblicherweise nicht unmittelbar mit den Anschlußleitern der integrierten Schaltungspackung verbunden sind. Das bedeutet, daß Anschlußstifte nicht typischerweise an einer integrierten Schaltungspackung dem Zwecke dienen, die Verbindung zu einem oder mehreren der Anschlußpunkte P 1 bis P 4 zur Justierung der Offsetspannung herzustellen. Nachdem also die integrierte Schaltung 10 in der Schaltungspackung untergebracht ist, ist die zuvor ausgewählt Zenerdiode oder sind die zuvor ausgewählten Zenerdioden 32a bis 32 c, 34 a bis 34 c, welche während der Justierung der Offsetspannung V _os im Produktionszustand der Halbleiterscheibe noch nicht kurzgeschlossen worden sind, nicht mehr für eine selektive Kurzschließung zur weiteren Justierung der Kollektorwiderstände des Differentialverstärker- Transistorpaares 18, 20 und zur Justierung der Offsetspannung des Differentialverstärkers 16 zugänglich.

Es hat sich gezeigt, daß die Offsetspannung V _os von Differentialverstärkern 16 in integrierter Bauweise sich in der Größenordnung von 20 Mikrovolt gegenüber dem Wert verschiebt, welcher im Produktionszustand der gesamten Halbleiterscheibe justiert wurde, nämlich 40 Mikrovolt, was durch Verschiebungen während des Vorganges der Abtrennung einzelner Chips von der Halbleiterscheibe und während der Packung der einzelnen integrierten Schaltungen 10 geschieht. Zusätzliche Verschiebungen in der Größenordnung von 20 Mikrovolt der Offsetspannung treten bei dem herkömmlichen Einfahrvorgang oder Einbrennvorgang der gepackten integrierten Schaltung 10 auf. Je nach Polarität der Verschiebung der Offsetspannung nach dem Einbrennen der gepackten integrierten Schaltung 10 ergibt sich also eine Offsetspannung von dem Zweifachen des Weres, der während der obigen Justierung im Zustand der gesamten Halbleiterscheibe berücksichtigt wurde, nämlich 80 Mikrovolt gegenüber 40 Mikrovolt. Wie oben angegeben, können bei bekannten Schaltungen derartige Verschiebungen der Offsetspannung durch selektives elektrisches Überbrücken von zuvor noch nicht ausgewählten Widerständen 28 a bis 28 c und 30 a bis 30 c bzw. durch selektives Kurzschließen der entsprechenden Zenerdioden 32 a bis 32 c und 34 a bis 34 c nicht mehr kompensiert werden, da die Anschlußpunkte P 1 bis P 4 für die Zenerdioden 32a bis 32 c und 34 a bis 34 c über die Anschlußleiter der gepackten integrierten Schaltung 10 nicht mehr zugänglich sind.

Durch die hier angegebene Schaltungskonfiguration ist jedoch eine Justierung der Offsetspannung V _os nach der Packung der integrierten Schaltung 10 innerhalb der Schaltungspackung noch möglich, nachdem Justierschaltungen 36 und 38 vorgesehen sind, die zwischen die zweite Spannungsanschlußleitung 26 und die Kollektoren der Transistoren 18 und 20 gelegt sind. Die Justierschaltungen 36 und 38 sind in der gepackten integrierten Schaltung 10 über die bereits existierenden Justier- Anschlußstifte zur Null-Justierung (mit den Anschlüssen T 6 und T 7 gekoppelt) und den Packungs-Anschlußstift zugänglich, der mit dem Anschluß T 3 verbunden ist. Das bedeutet, daß eine Null-Justierung der Offsetspannung nach der Packung der integrierten Schaltung 10 möglich ist, ohne daß zusätzliche Anschlußstifte oder Anschlußkleiter an der Packung vorgesehen werden müssen, um diese Justierung durchzuführen. Zusätzlich sei gesagt, daß die Offsetspannungs-Justierung nach dem Packen der integrierten Schaltung unter Verwendung von Anschlußstiften der Packung vor sich geht, welche andere Funktionen während des Normalbetriebs der integrierten Schaltung 10 haben, wie weiter unten erklärt wird. Es sei hier nur bemerkt, daß während des Normalbetriebes der integrierten Schaltung 10 der Anschlußleiter der Packung, welcher mit dem Anschluß T 3 verbunden ist, mit einer positiven Speisespannung +V _s beaufschlagt wird und daß die Anschlußleiter der Packung, welche mit den Anschlüssen T 6 und T 7 gekoppelt sind, Eingangssignale aufnehmen, um die Null-Justierung der Offsetspannung der integrierten Schaltung 10 vorzunehmen, während bei einem Programmierbetrieb, bei welchem die Offsetspannung der gepackten integrierten Schaltung 10 durch die Justierschaltungen 36 und 38 justiert wird, Programmiersignale oder Steuersignale zu den Anschlußleitern geführt werden, welche mit den Anschlüssen T 3, T 6 und T 8 verbunden sind. Es ist festzustellen, daß nach der oben beschriebenen Justierung der Offsetspannung im Herstellungszustand der gesamten Halbleiterscheibe der nominelle Kollektorwiderstand des Transistors 18 dem Widerstandswert des Widerstandes 28d zuzüglich folgender Parallelschaltung entspricht: 1) Der Widerstand der Serienschaltung der nicht überbrückten Widerstände 28 a bis 28 c und 2) der Serien-Summenwiderstandswert der Widerstände 40 a und 40 b. In entsprechender Weise ist der effektive Nennkollektorwiderstand des Transistors 20 der Widerstandswert des Widerstandes 30 d zuzüglich des Widerstandes der Parallelkombination folgender Schaltungsteile: 1) Der Serienschaltung der elektrisch nicht überbrückten Widerstände 30 a bis 30 c und 2) der Serien-Summenwiderstandswert der Widerstände 44 a und 44 b. Die Widerstände 40 c und 44 c sind beide nominell elektrisch von den entsprechenden Transistoren 18 und 20 durch die Zenerdioden 42 a, 42 b und 46 a, 46 b jeweils abgetrennt. Nachdem das Chip, welches die integrierte Schaltung 10 trägt, von der Halbleiterscheibe abgetrennt worden ist, in die integrierte Schaltungspackung eingebracht worden ist und nachdem die integrierte Schaltung 10 eingefahren oder eingebrannt ist, wird die Offsetspannung V _os des Differentialverstärkers 16 wiederum in beschriebener Weise gemessen. Wenn der Wert und die Polarität der auf diese Weise gemessenen Offsetspannung derart ist, daß durch eine effektive Änderung des Kollektorwiderstandes des Transistors 18 beispielsweise eine Kompensation der Verschiebung der Offsetspannung aufgrund der Packung des Einbrennens kompensiert werden kann, wird der Kollektorwiderstand des Transistors 18 schrittweise oder stufenweise in der vorliegend angegebenen Art justiert, indem ein Programmiersignal oder Steuersignal zugeführt wird, welches die Gestalt eines verhältnismäßig großen positiven Potentials (beispielsweise +20 Volt) hat und an die Anschlußleiter der integrierten Schaltungspackung gelegt wird, welche mit den Anschlüssen T 6 und T 3 verbunden sind, was zu einer bestimmten Zeit geschieht. Das bedeutet, daß dem Anspruch T 6 eine um 20 Volt positivere Spannung aufgeprägt wird, als dem Anschluß T 3. Hierdurch wird die Zenerdiode 42b als in Durchlaßrichtung vorgespanntes Bauelement leitend und koppelt das Programmiersignal an die Zenerdiode 42 a an, so daß diese Zenerdiode mit einem hohen Spannungswert in Sperrichtung beaufschlagt wird. Der Pegel des Programmiersignals ist vorliegend so gewählt, daß er ausreichend groß ist, um die in Sperrichtung beaufschlagte Zenerdiode 42 a dauerhaft kurzzuschließen, was auf einer Metall-Elektromigration beruht. Es handelt sich hierbei um denselben Effekt, der zum Kurzschließen der ausgewählten Zenerdioden 32 a, 32 b und 32 c während der Justierung der Offsetspannung an der gesamten Halbleiterscheibe eingesetzt wurde. Es ergibt sich somit ein permanenter Kurzschluß zwischen den jeweils zweiten Klemmen der Widerstände 40 a und 40 c, so daß die Widerstände 40 a und 40 c parallelgeschaltet werden. Mit anderen Worten, der Widerstand 40 c wird elektrisch zwischen die Spannungsanschlußleitung 26 und den Kollektor des Transistors 18 parallel zu dem Widerstand 40 a geschaltet, nämlich in Abhängigkeit von dem Programmiersignal, das den Anschlüssen T 6 und T 3 zugeführt wird. Die Zenerdiode 42a entspricht somit einem normalerweise offenen Schalter oder der inversen Funktion einer Sicherung, welche in Abhängigkeit von dem Programmiersignal dauerhaft kurzschließt oder eine Schmelzverbindung schafft. Es wurde gefunden, daß die in Sperrrichtung beaufschlagte Zenerdiode 42 a einen Kurzschluß vor der in Durchlaßrichtung beaufschlagten Zenerdiode 42 b herbeiführt, da eine höhere elektrische Feldstärke an der in Sperrichtung beaufschlagten Zenerdiode 42 a auftritt. Das große Potential zwischen den Anschlüssen T 6 und T 3 wird abgeschaltet, nachdem die Zenerdiode 42a kurzgeschlossen ist und bevor die Zenerdiode 42 b Zeit findet, einen Kurzschluß herbeizuführen. Nebenbei sei gesagt, daß diejenige oder diejenigen der Zenerdioden 32 a, 32 b und 32 c, welche über die Anschlüsse T 3 und T 6 sowie die Anschlußpunkte P 1 und P 2 während des anfänglichen, im Zustand der gesamten Halbleiterscheibe durchgeführten Justiervorgangs der Offsetspannung nicht kurzgeschlossen worden ist bzw. sind, in Vorwärtsrichtung beaufschlagt werden, ähnlich wie die Zenerdiode 42b, wenn das Programmiersignal über die Anschlußstifte der intetrierten Schaltungspackung, die mit den Anschlüssen T 6 und T 3 verbunden sind, zugeführt wird. Somit werden diese Zenerdioden 32a, 32 b und 32 c von dem Programmiersignal nicht in den Kurzschluß geführt.

Wenn nach dem Packen und nach dem Einbrennen andererseits die Offsetspannung der integrierten Schaltung 10 sich als verschoben herausstellt, so daß eine Justierung des effektiven Kollektorwiderstandes des Transistors 20 notwendig ist, um diese Offsetspannungsverschiebung zu kompensieren, so wird der Kollektorwiderstand im vorliegenden Falle durch Einwirkung auf die Justierschaltung 38 über die Anschlußleiter der Schaltungspackung vorgenommen, die so beschaltet sind, daß ein entsprechendes Programmiersignal dem zur Justierung dienenden Anschluß T 7 und dem Speiseanschluß T 3 zugeführt wird. Der Anschluß T 7 wird auf ein hohes positives Potential (beispielsweise 20 Volt) gegenüber den Anschluß T 3 für eine vorbestimmte Zeit gebracht, so daß eine Beaufschlagung der Zenerdiode 46b in Durchlaßrichtung erfolgt (dies gilt auch für die zuvor nicht kurzgeschlossene oder die zuvor nicht kurzgeschlosenen der Zenerdioden 34 a, 34 b und 34 c) und eine Beaufschlagung der Zenerdiode 46 a in Sperrichtung erfolgt. Diese in Sperrichtung beaufschlagte Zenerdiode 46 a wird durch das Programmiersignal dauerhaft kurzgeschlossen, so daß der Widerstand 44 c zu dem Widerstand 44 a parallelgelegt wird. Mit anderen Worten, der Widerstand 44 c wird elektrisch zwischen die Spannungsanschlußleitung 26 und den Kollektor des Transistors 20 gelegt. Dieser Schaltungsvorgang erfolgt in Abhängigkeit von dem Programmiersignal, das an die Anschlüsse T 7 und T 3 angelegt wird. Die vorbestimmte Dauer des Programmiersignales ist so gewählt, daß das Signal an den Anschlüssen T 7 und T 3 verschwindet, bevor das Signal Zeit hat, auch die Zenerdiode 46b (oder die zuvor noch nicht kurzgeschlossenen Zenerdioden 34 a, 34 b und 34 c) kurzzuschließen.

Man erkennt also, daß bei der hier vorgeschlagenen Schaltung eine Justierung der Offsetspannung V _os des Differentialverstärkers 16 möglich ist, nachdem die integrierte Schaltung 10 gepackt ist, indem eine Einjustierung der effektiven Kollektorwiderstände der Transistoren 18 und 20 des Differentialverstärkers über bereits existierende Anschlußleiter der Packung oder Kontaktstifte vorgenommen wird, die mit den Anschlüssen T 6, T 7 und T 3 der integrierten Schaltungspackung Verbindung haben. Diese Justierung geschieht also unter Verwendung von Anschlußleitern oder Kontaktstiften an der integrierten Schaltung, die unabhängig von irgendwelchen Justierungsschaltungen zur Einstellung der Offsetspannung vorgesehen sind, wobei bei der Ausführungsform nach Fig. 1 diese Kontaktstifte folgendermaßen zu bezeichnen sind. Kontaktstift der positiven Speisespannung +V _s , mit dem Anschluß T 3 verbunden; Kontaktstifte zur Justierung der Offsetspannung auf Null, mit den Anschlüssen T 6 und T 7 gekoppelt. Es sind also keine zusätzlichen Anschlußleiter an der integrierten Schaltungspackung 10 erforderlich, um die Einstellung oder Justierung der Offsetspannung V _os nach der Herstellung der Packung zu ermöglichen.

Es muß festgestellt werden, daß zwar die Justierschaltungen 36 und 38 als verhältnismäßig einfache Schaltungen dargestellt sind, welche drei Widerstände und zwei Zenerdioden enthalten, doch versteht es sich, daß die Justierschaltungen 36 und 38 auch erweitert werden können, so daß zusätzliche Widerstände und Zenerdioden vorgesehen sind. Die Widerstandswerte der Widerstände 40 a bis 40 c und 44 a bis 44 c können empirisch gewählt werden, so daß eine Justierung des Kollektorwiderstandes der Transistoren 18 und 20 um Beträge möglich ist, die proportional zu der erwarteten Verschiebung der Offsetspannung während der Packung und des Einbrennens oder Einfahrens der integrierten Schaltung 10 sind.

Während des normalen Betriebes der integrierten Schaltung 10 vorliegend als Operationsverstärker betrachtet, wird eine positive Speisespannung +V _s von hier 15 Volt Gleichspannung an den Anschlußleiter der integrierten Schaltungspackung gelegt, welcher mit den Anschluß T 3 verbunden ist. Der mit den Anschluß T 4 verbundene Anschlußleiter der Packung wird mit einer Speisespannung -V _s (etwa mit Erdpotential) verbunden. Bei dem hier betrachteten Beispiel wird eine an sich bekannte Schaltung zur Justierung der Offsetspannung auf Null (nicht dargestellt), beispielsweise ein Potentiometer mit Mittelanzapfung, das von einer Bezugsspannungsquelle gespeist ist, mit der integrierten Schaltung 10 verbunden, etwa durch Verbindung eines Paares der Ausgangsklemmen des Potentiometers mit den Anschlußleitern der Packung, welche mit den Anschlüssen T 6 und T 7 verbunden sind. Ein Paar von Eingangssignalen +V _IN und -V _IN wird den Anschlußleitern der integrierten Schaltungspackung, welche Verbindung zu den Anschlüssen T 1 und T 2 Verbindung haben, zugeführt und durch den Differentialverstärker 16 verstärkt, um eine differentielle Ausgangsspannung V₀ zwischen den Kollektorelektroden zu erzeugen, die für die Differenz zwischen den genannten Eingangssignalen repräsentativ ist. Dieses Differenzsignal V₀ wird dem in üblicher Weise aufgebauten Ausgangsabschnitt 14 der Schaltung über die Leitungen 19 und 21 zugeführt, wobei das Signal V₀ in bekannter Weise in ein einseitiges Ausgangssignal V _OUT umgeformt wird, das am Anschluß T 5 dargeboten wird. Der Anschluß T 5 ist mit einem Anschlußleiter der integrierten Schaltungspackung verbunden, der vorliegend beispielsweise mit einer Belastung (nicht dargestellt) oder einer Rückkopplungsschaltung (ebenfalls nicht dargestellt) außerhalb der integrierten Schaltungspackung Verbindung hat. Während des betrachteten Normalbetriebes ist der Spannungsnennabfall von der Spannungsanschlußleitung 26 zu den Anschlüssen T 6 und T 7 hin weniger als 0,5 Volt. Die nicht kurzgeschlossenen der Zenerdioden 32a bis 32 c, 34 a bis 34 c, 42 a, 46 a sowie die Zenerdioden 42 b und 46 b sind also während des Normalbetriebes der integrierten Schaltung 10 sämtlich nichtleitend und haben keinen Einfluß weder auf den Betrieb der integrierten Schaltung 10, beispielsweise als Operationsverstärker oder Vergleicher, oder auf die externe Schaltung zur Offsetspannungsjustierung. Das bedeutet, daß der nominelle Spannungsabfall von 0,5 Volt zwischen den Anschlüssen T 3, T 6 und den Anschlüssen T 3, T 7 nicht dazu ausreicht, die Zenerdioden 42a und 46 a in Durchlaßrichtung vorzuspannen, (wobei davon ausgegangen wird, daß die Zenerdioden 42 a und 46 a nicht durch entsprechende Programmierung in der oben beschriebenen Weise kurzgeschlossen worden sind), so daß eine elektrische Isolation der jeweils ersten Klemmen der Widerstände 40 c und 44 c von der Spannungsanschlußleitung 26 und dem Anschluß T 3 herrscht (wobei die genannten Anschlußklemmen der Widerstände mit den Kathoden der Zenerdioden 42a und 46 a gekoppelt sind). Der Potentialunterschied von 0,5 Volt bewirkt auch eine Beaufschlagung der Zenerdioden 42 b und 46 b in Sperrichtung, so daß diese Zenerdioden eine hohe Impedanz zwischen dem Anschluß T 6 und der Kathode der Zenerdiode 42a sowie auch zwischen dem Anschluß T 7 und der Kathode der Zenerdiode 46a darstellen. Weiter wird der Pegel der den Anschlüssen T 6 und T 7 während des Normalbetriebs zugeführten Eingangssignale zur Offsetspannungsjustierung so gewählt, daß er gegenüber der Spannung +V _s nicht dazu ausreicht, die Zenerdioden 42 b und 46 b in Durchlaßrichtung vorzuspannen. Die Zenerdioden 42 b und 46 b wirken daher als Steuermittel zur elektrischen Abtrennung der Eingangssignale an den Anschlüssen T 6 und T 7 von den Zenerdioden 42a bzw. 42 b während des Normalbetriebes der integrierten Schaltung 10, während die Programmiersignale in der Höhe von 20 Volt an den Anschlüssen T 6 und T 7 den Zenerdioden 42a und 46 a während des Programmierbetriebes zugeführt werden, um die Offsetspannung des Differentialverstärkers 16 entsprechend einzustellen.

Es ist festzustellen, daß den Widerständen 28 a bis 28 d und 30 a bis 30 d sowie 40 a bis 40 c und 44 a bis 44 c während des Programmierbetriebes bezüglich der Justierung der Offsetspannung eine erste Spannungspolarität aufgeprägt wird und während des Normalbetriebs der integrierten Schaltung 10 eine zweite Spannungspolarität aufgeprägt wird. Das heißt, während der Justierung der Offsetspannung nach der Herstellung der Schaltungspackung wird der Anschluß T 3 auf hohem negativem Potential gegenüber dem ausgewählten oder den ausgewählten der zur Null-Spannungsjustierung dienenden Anschlüsse T 6, T 7 gebracht, während im Normalbetrieb, wenn die Spannung +V _s an den Anschluß T 3 gelegt wird, dieser Anschluß positiv gegenüber den Anschlüssen T 6 und T 7 ist. Die Widerstände 28a bis 28 d, 30 a bis 30 d, 40 a bis 40 c und 44 a bis 44 c sind im allgemeinen, wie bereits gesagt, Dünnfilmwiderstände oder entsprechende Widerstandselemente, wobei die Widerstandscharakteristiken dieser Widerstände nicht wesentlich durch die Polarität der jeweils angelegten Spannung beeinflußt werden. Durch Diffusion oder Ionenimplantation gebildete Widerstände, welche beispielsweise einen p-leitenden Bereich in einem n-leitenden Umgebungsbereich enthalten und mit +V _s vorgespannt werden (und daher mit der Spannung +V _s über eine intrinsisch arbeitende, gesperrte Diode gekoppelt sind), sind daher ungeeignet zur Verwendung als Widerstände 28 a bis 28 d, 30 a bis 30 d, 40 a bis 40 c und 44 a bis 44 c, da die intrinsisch arbeitende, gesperrte Diode davon die maximale Spannung an jedem Anschlußende des Widerstandes auf +V _s plus ein Diodenspannungsabfall festhalten würde. Dies würde dazu führen, daß die volle Größe des Programmiersignales (beispielsweise 20 Volt) an einem Ende des Widerstandes erschiene, so daß das Programmiersignal daran gehindert würde, eine ausgewählte Zenerdiode in den Kurzschluß zu führen und unter Verwendung der betreffenden Zenerdiode eine Justierung der Offsetspannung herbeizuführen.

Der hier angegebene Konstruktionsgedanke ist nicht auf das Justieren der Offsetspannung einer integrierten Schaltung in Gestalt eines Differentialverstärkers nach der Bildung der Schaltungspackung unter Verwendung von Anschlußstiften der Packung beschränkt, die mit den Anschlüssen zur Null- Justierung (nämlich den Anschlüssen T 6 und T 7 nach Fig. 1) verbunden sind. Fig. 2 zeigt eine integrierte Schaltung 10′, bei welcher die Offsetspannung V _os des Transistorpaares 18 und 20 des Differentialverstärkers mittels modifizierter Justierschaltungen 36′ und 38′ zur Justierung nach der Packung eingestellt wird, wobei die Dateneingangssignalanschlüsse T 1 und T 2 sowie der Speisespannungsanschluß T 3 verwendet werden. Bei der integrierten Schaltung 10′ nach Fig. 2 werden keine zur Null-Justierung dienenden Anschlüsse nach der Art der Anschlüsse T 6 und T 7 von Fig. 1 benötigt. Die Justierschaltungen 36′ und 38′ sind gegenüber den Justierschaltungen 36 und 38 nach Fig. 1 dadurch abgewandelt, daß die Zenerdioden 42b und 46 b (Fig. 1) durch Transistoren 118 und 120 in der dargestellten Weise ersetzt sind. Im einzelnen hat der Transistor 118 vorliegend die Gestalt eines Bipolartransistors ohne einen Emitterbereich und ist hier zur besseren Verdeutlichung getrennt von der Schaltung 36′ dargestellt, wobei eine Basiselektrode mit dem Eingangsanschluß T 1 und mit der Basis des Transistors 18 verbunden ist. Die Kollektorelektrode des Transistors 118 ist an die Kathode der Zenerdiode 42a und den Widerstand 40 c gelegt. In entsprechender Weise ist der Transistor 120, der ebenfalls aus Gründen der deutlicheren Darstellung getrennt von der Justierschaltung 38′ eingezeichnet ist, ein Bipolartransistor ohne einen Emitterbereich und weist eine Basiselektrode auf, die an den Eingangsanschluß T 2 und an die Basiselektrode des Transistors 20 gelegt ist. Die Kollektorelektrode des Transistors 120 ist mit der Verbindung zwischen dem Widerstand 44c und der Kathode der Zenerdiode 46 a zusammengeschaltet. Die Spannungsanschlußleitung 26 ist von dem Anschluß T 3 herbeiführend in der dargestellten Weise mit den Justierschaltungen 36′ und 38′ verbunden. Die Widerstände 40c und 44 c sind praktisch elektrisch von den Transistoren 18 und 20 durch die Zenerdioden 42 a und 118 bzw. die Zenerdioden 46 a und 120 abgetrennt.

Im Herstellungszustand der noch unzerteilten Halbleiterscheibe wird die Offsetspannung der integrierten Schaltung 10′ in derselben Weise justiert, wie zuvor ausgeführt wurde. Die jeweils ausgewählten Kollektorwiderstände 28 a bis 28 c, 30 a bis 30 c werden elektrisch durch Kurzschließen der zugehörigen Zenerdioden 32 a bis 32 c und 34 a bis 34 c aufgrund der Durchleitung entsprechender Programmiersignale überbrückt. Es sei bemerkt, daß, nachdem die integrierte Schaltung 10′ keine zur Offsetspannungs-Null-Justierung dienenden Anschlüsse (entsprechend den Anschlüssen T 6 und T 7 von Fig. 1) aufweist, die Schaltungspunkte P 5 und P 6 in der integrierten Schaltung 10′ mit den Anoden der Zenerdioden 32c bzw. 34 c verbunden sind, um das Programmiersignal in Sperrichtung bei noch auf der Halbleiterscheibe befindlichen integrierten Schaltungen anlegen zu können.

Ein einzelnes integriertes Schaltungschip mit der integrierten Schaltung 10′ wird dann in eine herkömmliche Schaltungspackung (nicht dargestellt), etwa eine DIP-Packung, eine Flachpackung oder ein gekapseltes Bauelement TO-5 eingebracht, welche bzw. welches Anschlußleiter oder Kontaktstifte aufweist, die elektrisch mit den Anschlüssen T 1 bis T 5 der integrierten Schaltung 10′ verbunden sind. Es sei bemerkt, daß die Anschlußleiter oder Kontaktstifte der Packung nicht auch solche enthalten, welche vorgesehen sind, um Zugang zu den Zenerdioden 32a bis 32 c, 34 a bis 34 c zu haben, um eine weitere Justierung der Offsetspannung unter Verwendung der genannten Dioden nach der Packung der integrierten Schaltung 10′ vorzunehmen.

Man erkennt jedoch, daß die Anschlüsse T 1 und T 2, welche in normaler Weise als Anschlüsse für die Eingangssignale des Differentialverstärkers 16 vorgesehen sind, in der aus Fig. 2 ersichtlichen Weise elektrisch mit den Transistoren 118 bzw. 120 der zur Justierung nach der Packung dienenden Justierschaltungen 36′ und 38′ verbunden sind. Die Justierschaltungen 36′ und 38′ sind also in der gepackten integrierten Schaltung 10′ über die bereits vorhandenen Kontaktstifte, welche mit den Anschlüssen T 1 und T 2 Verbindung haben, sowie über den Kontaktstift zugänglich, der mit dem Speisespannungsanschluß T 3 verbunden ist. Wenn also nach dem Packen und Einbrennen der integrierten Schaltung 10′ die Offsetspannung V _os einen Wert und eine Polarität hat, welche eine Änderung des effektiven Kollektorwiderstandes des Transistors 18 notwendig machen, so wird beispielsweise ein Programmiersignal, das ein verhältnismäßig großes positives Potential von +20 Volt aufweist, an diejenigen Anschlußleiter der integrierten Schaltungspackung angelegt, welche mit den Anschlüssen T 1 und T 3 verbunden sind, was für eine vorbestimmte Zeit geschieht. Das bedeutet, der Anschluß T 1 wird gegenüber dem Anschluß T 3 stärker positiv gemacht. Der Transistor 118 wird zwischen seiner p-leitenden Basis und seinem n-leitenden Kollektor in starkem Maße positiv vorgespannt und die Zenerdiode 42a wird mit hoher Spannung in Sperrichtung beaufschlagt. Diese starke Beaufschlagung in Sperrichtung reicht dazu aus, um die Zenerdiode 42 a aufgrund des zuvor erwähnten Metall-Elektromigrationseffektes dauerhaft kurzzuschließen, so daß die Widerstände 40 a und 40 c elektrisch parallelgeschaltet werden und der effektive Kollektorwiderstand des Transistors 18 schrittweise verändert wird, wodurch die Offsetspannung des Differentialverstärkers 16 justiert wird. Es hat sich gezeigt, daß die in Sperrichtung vorgespannte Zenerdiode 42 a kurzgeschlossen wird, bevor der in Durchlaßrichtung vorgespannte Basis-Kollektorübergang des Transistors 118 kurzgeschlossen wird, nachdem höhere elektrische Feldstärken in dem in Sperrichtung vorgespannten p-n-Übergang der Zenerdiode 42 a herrschen. Das Programmiersignal wird von den Anschlüssen T 1 und T 3 fortgenommen, nachdem die Zenerdiode 42a in den Kurzschluß geführt ist und bevor der Transistor 118 die Zeit findet, sich kurzzuschließen.

Alternativ kann die Offsetspannung des Differentialverstärkers 16 auch schrittweise in entgegengesetzter Richtung durch Anlegen des Programmiersignales zwischen den Kontaktstiften verändert werden, welche mit dem Eingangsanschluß T 2 bzw. dem Anschluß T 3 verbunden sind. Der Übergang zwischen der p-leitenden Basis und dem n-leitenden Kollektor des Transistors 120 wird in Durchlaßrichtung vorgespannt, wobei die Zenerdiode 46b mit hoher Spannung in Sperrichtung beaufschlagt wird und dadurch kurzgeschlossen wird, bevor der Transistor 120 die Zeit findet, sich kurzzuschließen. Die Widerstände 44 a und 44 c werden daher elektrisch parallelgeschaltet und bewirken eine inkrementelle Veränderung des effektiven Kollektorwiderstandes des Transistors 20 und dadurch eine Justierung der Offsetspannung des Differentialverstärkers 16 der fertig gepackten integrierten Schaltung 10′.

Nebenbei sei angemerkt, daß der Pegel der Eingangssignale, welcher den Anschlüssen T 1 und T 2 während des normalen Betriebes zugeführt wird, charakteristischerweise ein einige wenige Volt beträgt, während der Pegel des Programmiersignales typischerweise bedeutend höher ist und etwa 20 Volt beträgt. Die Transistoren 18 und 20 werden so ausgewählt, daß sie eine sehr hohe Zusammenbruchspannung an ihren Basis- Kollektor-Übergängen aufweisen, beispielsweise 80 Volt. Eine kurze Überlegung zeigt, daß die Justierschaltungen 36′ und 38′ von den Eingängen des Differentialverstärkers 16 (nämlich von den Basiselektroden der Transistoren 18 und 20) während des Normalbetriebes isoliert sind und daher nicht mit den Normalfunktionen der integrierten Schaltung 10′ kollidieren. Das bedeutet, daß während des Normalbetriebes der integrierten Schaltung 10′ die Transistoren 118 und 120 als Steuerelemente wirksam sind, um elektrisch die Eingangssignale an den Anschlüssen T 1 und T 2 von den Zenerdioden 42a bzw. 46 a getrennt zu halten, während im Programmierbetrieb diese Transistoren 118 und 120 die an den Anschlüssen T 1 oder T 2 anstehenden Programmiersignale mit einem Spannungspegel von 20 Volt an die entsprechenden Zenerdioden 42a oder 46 a leiten, um in der angegebenen Weise die Offsetspannung justieren zu können.

Claims (19)

1. Verfahren zur Einstellung der Kompensationsspannung von Verstärkern in integrierter Schaltungsbauweise, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Messung der Offsetspannung des Differentialverstärkers der integrierten Schaltung, welche sich in einer Schaltungspackung befindet, wobei die Offsetspannung eine Funktion eines zwischen den Differentialverstärker und ein Bezugspotential gelegten Widerstandes ist, ein Programmiersignal an eine Anschlußleitungsanordnung der Packung geführt wird, um elektrisch einen zuvor elektrisch nicht wirksamen Widerstand zwischen den Differentialverstärker und eine Bezugsspannungsquelle einzuschalten oder einen zuvor in der Schaltung wirksamen Widerstand insbesondere durch Kurzschließung auszuschalten.

2. Einrichtung zur Einstellung der Kompensationsspannung von Verstärkern in integrierter Schaltungsbauweise, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Schaltungspackung befindliche, mit elektrischen Anschlußleitern der Schaltungspackung in Verbindung stehende integrierte Schaltung, welche einen Differentialverstärker mit einer bestimmten Offsetspannung enthält, mit Schaltungsmitteln zur Justierung der Offsetspannung bzw. der Kompensationsspannung in Abhängigkeit von einem Steuersignal versehen ist, welches den elektrischen Anschlußleitern der integrierten Schaltung zuführbar ist.

3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsmittel zur Justierung der Offsetspannung ein Steuersignal während eines ersten Arbeitsbetriebes der integrierten Schaltung sowie ein Eingangssignal während eines zweiten Betriebes der integrierten Schaltung empfangen.

4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuersignal mit einem ersten Signalpegel und einem zweiten Signalpegel relativ zu einem Bezugspotential zuführbar ist und daß mindestens eine Offsetspannungs-Justierschaltung (36, 38) vorgesehen ist, welche auf das Steuersignal anspricht und gegenüber dem normalen Eingangssignal der integrierten Schaltung unempfindlich bleibt.

5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen einen Differentialverstärker (16) der integrierten Schaltung (10) und eine Speisespanung eine Widerstandsanordnung geschaltet ist, deren Widerstandswert die Größe einer Nenn-Offsetspannung bestimmt und daß die Offsetspannungs- Justierschaltung (36, 38) einen normalerweise von der Widerstandsanordnung elektrisch getrennten Widerstand enthält, der durch Schaltmittel in Abhängigkeit von dem Steuersignal in die Widerstandsanordnung einbeziehbar ist und daß weiter Steuermittel zwischen die elektrischen Anschlußleiter und die Schaltmittel gelegt sind, um die elektrischen Anschlußleiter mit den Schaltmitteln zu verbinden, wenn das Steuersignal an die elektrischen Anschlußleiter gelegt wird, um elektrisch den Anschlußleiter von den Schaltmitteln zu entkoppeln, wenn das Eingangssignal an den Anschlußleiter gelegt wird.

6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Klemme des genannten Widerstandes mit der Widerstandsanordnung verbunden ist und daß die Schaltmittel eine an die andere Klemme des Widerstandes und die Speisespannung gelegte Zenerdiode enthalten, welche die andere Klemme des Widerstandes normalerweise von der Speisespannung getrennt hält und abhängig von dem Steuersignal die genannte zweite Klemme des Widerstandes mit der Speisespannung verbindet.

7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuermittel einen p-n-Übergang enthalten, der in Abhängigkeit von dem Eingangssignal nichtleitend bleibt und in Abhängigkeit von dem Steuersignal elektrisch leitfähig ist.

8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der p-n-Übergang durch eine weitere Zenerdiode verwirklicht ist.

9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuersignal die zweite Zenerdiode in Durchlaßrichtung beaufschlagt und die erste Zenerdiode in Sperrichtung in solchen Maße beaufschlagt, daß diese erste Zenerdiode dauerhaft kurzgeschlossen wird.

10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die intergrierte Schaltung in einer Schaltungspackung angeordnet ist, welche eine Mehrzahl elektrischer Anschlußleiter aufweist, von denen an einen ersten Normalbetrieb ein Eingangssignal anlegbar ist, wobei die integrierte Schaltung eine Spannungsanschlußleitung aufweist, die mit einem zweiten Anschlußleiter verbunden ist und an einer Bezugsspannung liegt, daß der Differentialverstärker der integrierten Schaltung ein Paar emittergekoppelter Transistoren enthält, und eine Nominal-Offsetspannung aufweist, die eine Funktion des zwischen der Kollektorelektrode eines ersten der Transistoren und der Bezugsspannung liegenden Widerstandes ist, daß eine Reihe in Serie geschalteter Widerstände zur Bildung des an die genannte Kollektorelektrode angeschlossenen Widerstandes dient und daß eine Justierschaltung zwischen die Spannungszuführungsleitung und die Kollektorelektrode des ersten des Transistorpaares geschaltet ist, welche einen normalerweise elektrisch aus der Verbindung zwischen der Spannungszuführungsleitung und der Kollektorelektrode abgetrennten Widerstand, ferner Schaltmittel, welche auf ein Programmierungssignal, das zwischen den ersten und zweiten der Mehrzahl der Anschlußleiter während eines Programmierbetriebs der integrierten Schaltung angelegtes Programmiersignal ansprechen, um den genannten ersten Widerstand zwischen die Spannungszuführungsleitung und die Kollektorelektrode zu legen und die Offsetspannung gegenüber der zunächst vorhandenen Offsetspannung um einen vorbestimmten Betrag zu ändern, sowie Steuermittel enthält, die während des Programmierbetriebes wirksam sind und die Schaltmittel elektrisch an die erste der Anschlußleitungen ankoppeln und während des Normalbetriebes die Schaltmittel von dem ersten Anschlußleiter der genannten Mehrzahl von Anschlußleiter abkoppeln.

11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltmittel eine zwischen eine Klemme des ersten Widerstandes und die Spannungszuführungsleitung gelegte Zenerdiode enthalten.

12. Einrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuermittel einen p-n-Übergang enthalten, der zwischen die erste der Anschlußleitungen und die zweite Klemme des genannten ersten Widerstandes gelegt ist, wobei die Größe und die Polarität des Eingangssignales so gewählt sind, daß es nicht dazu ausreicht, den p-n-Übergang elektrisch leitfähig zu machen, während der Pegel des Programmierungssignales so gewählt ist, daß er den p-n-Übergang leitfähig macht.

13. Einrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Pegel des Programmierungssignales weiterhin so gewählt ist, daß er die Zenerdiode in Sperrichtung ausreichend beaufschlagt, um die Zenerdiode dauerhaft kurzzuschließen.

14. Einrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Anschlußleiter elektrisch mit der Reihenschaltung der Widerstände verbunden ist und daß p-n-Übergang elektrisch zwischen die Reihenschaltung der Widerstände und die zweite Klemme des ersten Widerstandes geschaltet ist.

15. Einrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der p-n-Übergang durch eine Zenerdiode verwirklicht ist.

16. Einrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Anschlußleiter elektrisch mit der Basiselektrode des ersten des Paares emittergekoppelter Transistoren verbunden ist und daß der p-n-Übergang zwischen diese Basiselektrode und die zweite Klemme des ersten Widerstandes gelegt ist.

17. Einrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der p-n-Übergang einen dritten Transistor enthält, dessen Basiselektrode an die Basiselektrode des ersten des Paares emittergekoppelter Transistoren gelegt ist und dessen Kollektor mit der zweiten Klemme des genannten ersten Widerstandes verbunden ist.

18. Einrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Transistor ohne Emitterbereich ausgebildet ist.

19. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände bzw. der genannte erste Widerstand als Dünnfilmwiderstände ausgebildet sind.