New! View global litigation for patent families

DE3618749C2 - Intelligente elektrische Leistungsvorrichtung mit monolithisch integrierter Schaltung - Google Patents

Intelligente elektrische Leistungsvorrichtung mit monolithisch integrierter Schaltung

Info

Publication number
DE3618749C2
DE3618749C2 DE19863618749 DE3618749A DE3618749C2 DE 3618749 C2 DE3618749 C2 DE 3618749C2 DE 19863618749 DE19863618749 DE 19863618749 DE 3618749 A DE3618749 A DE 3618749A DE 3618749 C2 DE3618749 C2 DE 3618749C2
Authority
DE
Grant status
Grant
Patent type
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19863618749
Other languages
English (en)
Other versions
DE3618749A1 (de )
Inventor
Giuseppe Faini
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SGS Microelettronica SpA
Original Assignee
SGS Microelettronica SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -braking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -braking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -braking characterised by the components used using semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -braking characterised by the components used using semiconductor devices using field-effect transistors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T307/00Electrical transmission or interconnection systems
    • Y10T307/25Plural load circuit systems
    • Y10T307/305Plural sources of supply
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T307/00Electrical transmission or interconnection systems
    • Y10T307/50Plural supply circuits or sources

Description

Die Erfindung betrifft eine intelligente elektrische Leistungsschaltvor­ richtung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Sogenannte "intelligente" elektrische Leistungsschaltvorrichtungen sind jene, welche ein oder mehrere interne Steuerelemente enthalten, die zum üblichen Schalten des Leistungsschaltelementes und auch zur Durchfüh­ rung einfacher Logikfunktionen, Überlastungsschutzfunktionen und Hilfs­ funktionen im allgemeinen verwendet werden können.

In Vorrichtungen dieser Art erfordert der Steuerteil normalerweise eine separate Energieversorgung.

Aus der Druckschrift GB-A-2,049,329 ist eine elektrische Leistungsvor­ richtung bekannt, die ein in Reihe mit einer Last geschaltetes MOS- Leistungselement aufweist. Der Steueranschluß dieses MOS-Leistungs­ elements ist mit einer Steuerschaltung verbunden, deren Betriebsspan­ nung aus einem Kondensator bezogen wird, der in den Zeiten, in denen das MOS-Leistungselement in einen gesperrten Zustand gesteuert ist, über eine Diode Spannung von der Leistungsschaltung abnimmt und so aufgeladen wird. Bei der aus der Druckschrift bekannten Leistungsvor­ richtung ist eine Oszillatorschaltung als Steuerschaltung vorgesehen.

Aus der Druckschrift EP-A1-0,106,119 ist ein fernbedienbarer Schalter bekannt, dessen Lastteil ein Halbleiter-Leistungselement aufweist, das in die Schaltung zum Speisen einer Last eingefügt ist. Das Leistungsele­ ment weist einen Steueranschluß auf, der mit einem Sensor verbunden ist. Die Stromversorgung des Sensors erfolgt durch einen Kondensator, der während der Zeiten, in denen das Halbleiter-Leistungselement sperrt, über eine Diode und einen Widerstand als Ladeschaltung durch die an die Leistungschaltung angelegte Spannung aufgeladen wird. Der Fach­ mann entnimmt der genannten Druckschrift, insbesondere aber deren Figur, daß es sich bei der bekannten Schaltung um eine Phasenanschnittsteuerung für starkstrombetriebene Verbraucher handelt, wobei das Halb­ leiter-Leistungselement als Triac ausgeführt ist.

Aus der Druckschrift DE-A1-31 28 077 ist eine Phasenanschnittsteuerung bekannt, die monolithisch integriert ist.

Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine intelligente elektrische Lei­ stungsschaltvorrichtung verfügbar zu machen, welche die für ihre eigene Steuerschaltung erforderliche Energie aus ihrem Inneren nimmt und ohne wesentliche Änderung ihres Betriebsmodus unabhängig von ihrem Schaltzustand ohne zeitliche Beschränkung zu arbeiten vermag.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer Leistungsschaltvorrich­ tung nach Anspruch 1 gelöst.

Durch die Verwendung eines Kondensators, der während Perioden, in welchen das Leistungsschaltelement gesperrt ist, periodisch von der Leistungsschaltung wieder aufgeladen wird, hält die Vorrichtung ihre Steuerschaltung ohne die Notwendigkeit einer Versorgung von außen in Betrieb. Dies ist möglich gemacht worden durch Kombinieren eines MOS-Leistungsschaltelementes mit einer CMOS-Steuerschaltung, die den Leit- oder Sperrzustand des Leistungselementes nicht durch den Durch­ fluß eines Gleichstroms, sondern durch Erwerb oder Verlust einer La­ dung am Gate zu Beginn des entsprechenden Zustandes bestimmt. Das Halten der Ladung am Gate ohne das Fließen eines Stroms ist eine aus­ reichende Bedingung für das Aufrechterhalten des leitenden Zustandes. Dies führt zu einem sehr geringen Stromverbrauch und daher zur Ver­ wendbarkeit des Kondensators für die Speisung der Steuerschaltung.

Es kann vorkommen, daß die Leistungsschaltung für Perioden leitet, die länger sind als die Kondensatorentladezeitkonstante, so daß die aufge­ nommene Spannung zum Wiederaufladen des Kondensators nicht aus­ reicht. Um diesen Nachteil zu vermeiden, wird eine Steuerlogikschaltung innerhalb der Vorrichtung vorgesehen, welche die Leistungsschaltung für eine sehr kurze Zeitdauer sperrt, so daß die Betriebsweise nicht signifikant geändert wird, und welche den gesamten Laststrom oder einen Teil des Laststroms zum Kondensator leitet, der­ art, daß die Spannung über den Kondensatoranschlüssen auf den Sollwert zurückgebracht wird.

In bevorzugter Weise ist die erfindungsgemäße Vorrichtung in einem einzigen monolithischen Chip untergebracht, mit Ausnahme des Kon­ densators, der in diesem Fall das einzige externe Element bleibt.

Die Erfindung sowie weitere Aufgabenaspekte, Vorteile und Merkmale werden nun anhand einer Ausführungsform, die auf beiliegender Zeich­ nung dargestellt ist, erläutert. Ein MOS-Leistungsschaltelement 1 ist eingefügt zwischen einen negativen Gemeinschaftsanschluß 2 und einen positiven Anschluß 3, an den eine Last 4 anschließbar ist. Parallel zum Leistungsschaltelement, genauer gesagt, zwischen die Drain-Elektrode und die Source-Elektrode des Leistungsschaltelementes 1, ist eine Diode 5 geschaltet. Beim Leistungsschaltelement 1 handelt es sich vorzugs­ weise um einen Typ, der zur Steuerung von Spannungen zwischen 100 V und 1.000 V und von Leistungen bis zu 10 kVA in der Lage ist.

Das Gate des Leistungsschaltelementes 1 wird von einer CMOS-Steuer­ schaltung 6 gesteuert, die ein P-MOS-Element 7 und ein N-MOS-Ele­ ment 8 umfaßt und ihrerseits von einer CMOS-Steuerlogikschaltung 9 gesteuert wird, die mit Eingangsanschlüssen 10 versehen ist. Die Steuer­ schaltung 6 steuert das periodische Schalten des Leistungsschaltelementes 1 vom leitenden Zustand in den Sperrzustand und umgekehrt.

Die Steuerschaltung 6 wird von einem Kondensator 11 gespeist, der während der Perioden des Sperrens des Leistungsschaltelementes 1 an eine Ladespannung V gelegt wird, die von der Leistungsschaltung abge­ nommen wird, zu welcher das Leistungsschaltelement 1 gehört.

Diese Ladespannung wird mittels einer Ladeschaltung 12 zugeführt, die ein MOS-Element 13 und einen Widerstand 14 umfaßt und die Steuerlo­ gikschaltung 9 versorgt, von welcher sie gesteuert wird.

Hinsichtlich weiterer Einzelheiten der Anordnung und der gegenseitigen Verschaltung der einzelnen Schaltungselemente wird auf die Darstellung in der Figur verwiesen.

Alle beschriebenen Elemente der Schaltungsanordnung mit Ausnahme des Kondensators 11 sind in einem einzigen monolithischen Chip 15 enthalten.

Im Betrieb führt die Steuerschaltung 6 dem Gate des Leistungsschalt­ elementes 1 bei jedem Zyklusbeginn eine Ladung zu, die dazu ausreicht, dieses Leistungsschaltelement im leitenden Zustand zu halten, und die Steuerschaltung 6 hält dann diese Ladung am Gate des Leistungsschalt­ elementes 1. Unter dieser Bedingung ist der Stromverbrauch sehr niedrig und proportional zur Schaltfrequenz der Schaltung, entsprechend dem wohlbekannten Verhalten von CMOS-Schaltungen.

Während der Perioden des Leitens des Leistungsschaltelementes 1 wird die Steuerschaltung 6 vom Kondensator 11 gespeist.

Während Perioden der Sperrung des Leistungsschaltelementes 11 nimmt die Ladeschaltung 12 die Spannung V von der Leistungsschaltung und liefert diese an den Kondensator 11 zur Aufladung.

Wenn die Leistungsschaltung für Perioden leitet, die länger sind als die Entladungszeit des Kondensators 11, wird die Steuerlogikschaltung 9 wirksam, um die Leistungsschaltung zu sperren und den Lade- oder Laststrom gänzlich oder teilweise zum Kondensator 11 zu leiten, bis die Spannung über dessen Anschlüssen auf den erforderlichen Wert zurück­ gebracht ist.

Die Vorteile der beschriebenen und erläuterten Schaltungsanordnung sind besonders bedeutsam im Fall von Leistungsschaltungen mit Einphasen- oder Mehrphasen-Brücken, in denen wenigstens ein Teil der Quellen- oder Source-Anschlüsse der Leistungsschaltvorrichtungen unterschiedli­ ches Potential haben und daher für die individuellen Steuerschaltungen mehrere externe Hilfsquellen erforderlich wären. Die beschriebene Schaltungsanordnung macht es möglich, die verschiedenen Hilfsspan­ nungen innerhalb eines jeden Chips zu erhalten, und zwar mit beträchtli­ chen Vorteilen hinsichtlich Kosten und Einfachheit.

Claims (2)

1. Intelligente elektronische Leistungsschaltvorrichtung, aufweisend:
  • a) ein MOS-Leistungsschaltelement (1),
  • b) eine Steuerlogikschaltung (9) zum Liefern periodischer Einschalt- und Ausschaltsignale an das MOS-Leistungsschaltelement (1) in Überein­ stimmung mit einem voreingestellten Betriebszyklus,
  • c) einen mit einer Ladeschaltung (12) versehenen Kondensator (11), der über die Ladeschaltung (12) der Drain-Source-Strecke des MOS-Lei­ stungsschaltelementes (1) parallelgeschaltet ist und zur Stromversor­ gung der Steuerlogikschaltung (9) vorgesehen ist, wobei beim Sperren des MOS-Leistungsschaltelementes (1) eine Aufladung des Kondensa­ tors (11) erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß
  • d) eine CMOS-Steuerschaltung (6), bestehend aus einem pMOS-Ele­ ment (7) und einem dazu in Reihe geschalteten nMOS-Element (8) zwi­ schen die Steuerlogikschaltung (9) und das MOS-Leistungsschaltele­ ment (1) geschaltet ist, und daß
  • e) die Ladeschaltung (12) ein NMOS-Element (13) aufweist über dessen Drain-Source-Strecke der Kondensator (11) der Drain-Source-Strecke des MOS-Leistungsschaltelementes (1) parallel geschaltet ist und der Kondensator (11) auch zur Speisung der Steuerlogikschaltung (9) und der CMOS-Steuerschaltung (6) vorgesehen ist, und
  • f) daß das NMOS-Element (13) der Ladeschaltung (12) derart in Steuerab­ hängigkeit der Steuerlogikschaltung (9) steht,
    • a) daß das NMOS-Element (13) bis zum nachfolgenden Einschalten des MOS-Leistungsschaltelementes (1) eingeschaltet ist und an die Steuerlogikschaltung (9) und an den Kondensator (11) Strom liefert, wenn das MOS-Leistungsschaltelement (1) ausgeschaltet ist, und
    • b) daß die Steuerlogikschaltung (9) das MOS-Leistungsschaltele­ ment (1) für eine sehr kurze Zeitdauer ausschaltet, so daß die Be­ triebsweise nicht signifikant geändert wird, und gleichzeitig das NMOS-Element (13) einschaltet, wenn die Leitzeit des MOS-Lei­ stungsschaltelementes (1) die Entladezeitkonstante des Kondensa­ tors (11) überschreitet.
2. Leistungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Leistungschaltvorrichtung mit Ausnahme des Kon­ densators (11) in einem einzigen monolithischen Chip (15) enthalten ist.
DE19863618749 1985-06-10 1986-06-04 Intelligente elektrische Leistungsvorrichtung mit monolithisch integrierter Schaltung Expired - Fee Related DE3618749C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT2108785 1985-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3618749A1 true DE3618749A1 (de) 1986-12-11
DE3618749C2 true DE3618749C2 (de) 2003-01-02

Family

ID=11176531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863618749 Expired - Fee Related DE3618749C2 (de) 1985-06-10 1986-06-04 Intelligente elektrische Leistungsvorrichtung mit monolithisch integrierter Schaltung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4720641A (de)
JP (1) JP2547544B2 (de)
DE (1) DE3618749C2 (de)
FR (1) FR2583236B1 (de)
GB (1) GB2176359B (de)
NL (1) NL8601491A (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4905300A (en) * 1987-05-21 1990-02-27 Black & Decker Inc. Motor control and power systems and methods of operation thereof
GB2207315B (en) * 1987-06-08 1991-08-07 Philips Electronic Associated High voltage semiconductor with integrated low voltage circuitry
FI921956A0 (fi) * 1992-04-30 1992-04-30 Ahlstroem Oy Elektronisk effektregulator.
US5418673A (en) * 1992-12-14 1995-05-23 North American Philips Corporation Control electrode disable circuit for power transistor
DE4309048C2 (de) * 1993-03-20 1995-02-02 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung eines Zweidrahtschalters
US5543740A (en) * 1995-04-10 1996-08-06 Philips Electronics North America Corporation Integrated half-bridge driver circuit
US5563759A (en) * 1995-04-11 1996-10-08 International Rectifier Corporation Protected three-pin mosgated power switch with separate input reset signal level
US5754065A (en) * 1995-11-07 1998-05-19 Philips Electronics North America Corporation Driving scheme for a bridge transistor
US6242967B1 (en) * 1998-06-15 2001-06-05 Fuji Electric Co., Ltd. Low on resistance high speed off switching device having unipolar transistors
US5982639A (en) * 1997-11-04 1999-11-09 Power Integrations, Inc. Two switch off-line switching converter
US6226190B1 (en) 1998-02-27 2001-05-01 Power Integrations, Inc. Off-line converter with digital control
US6876181B1 (en) 1998-02-27 2005-04-05 Power Integrations, Inc. Off-line converter with digital control
US6107851A (en) * 1998-05-18 2000-08-22 Power Integrations, Inc. Offline converter with integrated softstart and frequency jitter
US6525514B1 (en) * 2000-08-08 2003-02-25 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for reducing audio noise in a switching regulator
GB0019535D0 (en) * 2000-08-10 2000-09-27 Koninkl Philips Electronics Nv Two-terminal switch circuit and voltage threshold responsive circuit component
US20040183769A1 (en) * 2000-09-08 2004-09-23 Earl Schreyer Graphics digitizer
WO2002058218A3 (en) 2001-01-19 2002-11-07 James S Congdon Three terminal noninverting transistor switch
US6662091B2 (en) * 2001-06-29 2003-12-09 Battelle Memorial Institute Diagnostics/prognostics using wireless links
US6889165B2 (en) 2001-07-02 2005-05-03 Battelle Memorial Institute Application specific intelligent microsensors
US7233504B2 (en) * 2005-08-26 2007-06-19 Power Integration, Inc. Method and apparatus for digital control of a switching regulator
US20080106917A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 James Holt Variable edge modulation in a switching regulator
US8018694B1 (en) 2007-02-16 2011-09-13 Fairchild Semiconductor Corporation Over-current protection for a power converter
US7719243B1 (en) 2007-11-21 2010-05-18 Fairchild Semiconductor Corporation Soft-start system and method for power converter
US7872883B1 (en) 2008-01-29 2011-01-18 Fairchild Semiconductor Corporation Synchronous buck power converter with free-running oscillator
US7723972B1 (en) 2008-03-19 2010-05-25 Fairchild Semiconductor Corporation Reducing soft start delay and providing soft recovery in power system controllers
US8351168B2 (en) * 2010-04-27 2013-01-08 Freescale Semiconductor, Inc. Open circuit detector and method therefore

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2049329A (en) * 1979-05-14 1980-12-17 Honeywell Inc Electrical load control system
DE3128077A1 (de) * 1981-07-16 1983-02-10 Licentia Gmbh Verfahren zur phasenanschnittsteuerung
EP0106119A1 (de) * 1982-09-20 1984-04-25 Siemens Aktiengesellschaft Fernbedienbarer Schalter

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3555399A (en) * 1967-11-16 1971-01-12 Gen Systems Inc Commutation systems incorporating the energy logic concept
JPS51107826A (ja) * 1975-03-19 1976-09-24 Fuji Photo Film Co Ltd Kamerayodengenkairo
US4143282A (en) * 1976-12-03 1979-03-06 Rca Corporation Bilateral energy transfer apparatus
EP0078511B2 (de) * 1981-10-30 1991-08-07 Fuji Electric Co. Ltd. Elektronischer Näherungsschalter
DE3146709C1 (en) * 1981-11-25 1983-02-24 Siemens Ag Switching device which operates without being contacted or touched
JPH0357077Y2 (de) * 1982-04-20 1991-12-25

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2049329A (en) * 1979-05-14 1980-12-17 Honeywell Inc Electrical load control system
DE3128077A1 (de) * 1981-07-16 1983-02-10 Licentia Gmbh Verfahren zur phasenanschnittsteuerung
EP0106119A1 (de) * 1982-09-20 1984-04-25 Siemens Aktiengesellschaft Fernbedienbarer Schalter

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z. Der Elektroniker Nr.6 1985, S.38-45 *

Also Published As

Publication number Publication date Type
DE3618749A1 (de) 1986-12-11 application
GB2176359A (en) 1986-12-17 application
JP2547544B2 (ja) 1996-10-23 grant
US4720641A (en) 1988-01-19 grant
NL8601491A (nl) 1987-01-02 application
GB2176359B (en) 1989-09-06 grant
FR2583236A1 (fr) 1986-12-12 application
GB8613279D0 (en) 1986-07-09 grant
FR2583236B1 (fr) 1989-03-31 grant
JPS61285025A (en) 1986-12-15 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10064039A1 (de) Entladungslampen-Einschaltvorrichtung
DE19732828A1 (de) Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Leuchtdioden-Arrays
DE10103431A1 (de) Stromversorgungs-Einrichtung
DE19701897A1 (de) Solarstromversorgung für Kleingeräte
EP0206253A1 (de) Schaltungsanordnung zur Speisung einer elektrischen Last aus einem Solargenerator
DE10018943A1 (de) Photovoltaik-Wechselrichter
DE19618882A1 (de) Schaltungsanordnung zur Stromversorgung eines Verbrauchers durch einen Solargenerator
DE19705192A1 (de) Batterie-Überwachungssystem
DE102005036153A1 (de) Schutzschalteinrichtung für ein Solarmodul
DE4131981A1 (de) Batteriebetriebenes geraet
EP0423885A1 (de) Stromversorgungseinrichtung mit Einschaltstrombegrenzungsschaltung
DE19921146A1 (de) Stromversorgungsanordnung mit einem Energiespeicher
EP0653798A1 (de) Batterie mit einem an der Batterie angeschlossenen Spannungsumsetzer
DE4031288C1 (en) Incorrect polarity protection CCT - has drain-source connected into minus or positive line between DC source
EP0060336A2 (de) Verfahren zur Ansteuerung eines Leistungs-Feldeffekt-Schalttransistors und Schaltungsanordnungen zur Durchführung des Verfahrens
DE3526045A1 (de) Verfahren zum laden von nc-akkumulatoren
DE10236872A1 (de) Schaltungsanordnung zur steuerbaren Stromversorgung, insbesondere Schaltungsanordnung zum Dimmen von Leuchtdiodenanordnungen
DE3608082A1 (de) Schaltungsanordnung zur konstanthaltung der ausgangsgleichspannung bei wechselnder eingangsgleichspannung einer tiefsetz-hochsetzstellerkombination
DE3525942A1 (de) Schaltnetzgeraet
DE19841972A1 (de) Getakteter Shuntregler
DE102005012662A1 (de) Anordnung mit Spannungskonverter zur Spannungsversorgung einer elektrischen Last und Verfahren zur Spannungsversorgung einer elektrischen Last
EP0319941A1 (de) Verfahren für die Stromversorgung von mit Solarzellen betriebenen elektronischen Schaltungen und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
EP0030276A1 (de) Schaltungsanordnung zum Laden einer Batterie
DE19646666A1 (de) Ladevorrichtung für ein batteriebetriebenes Fahrzeug
DE4429101A1 (de) Schaltung zum Verhindern einer exzessiven Entladung einer wiederaufladbaren Batterie

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee