DE3426911C2 - - Google Patents
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- C04B41/89—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines
Schutzüberzugs gegen einen thermischen Abbau in einer oxidierenden
Atmosphäre auf einen Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand.
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundmaterialien bilden eine
Klasse von einzigartigen Materialien, deren Eigenschaften,
insbesondere bei erhöhten Temperaturen, sie für verschiedene
Anwendungen auf dem Gebiet der Luft- und Raum-
Fahrt attraktiv machen. Die Materialien sind Verbundmaterialien,
obwohl alle Verbund-Elemente im wesentlichen
aus Kohlenstoff bestehen, und zwar in seinen verschiedenen
allotropen Formen. Kohlenstoff-Kohlenstoff-Materialien
werden dadurch hergestellt, daß man mit organischen Faser-
Vorläufern wie beispielsweise aus Polyacrylnitril,
Viskose oder Pech beginnt. Derartige Fasern werden üblicherweise
in Form von Bündeln (als Garn) produziert,
häufig nach Extrusionsverfahren. Die Vorläufer-Fasern
werden in einer Inert-Atmosphäre erhitzt, um sie zu
pyrolysieren oder zu verkohlen, wonach sie auf höhere
Temperaturen erhitzt werden können (z. B. 2204°C),
um Graphitfasern zu bilden. Diese Kohlenstoff- oder
Graphit-Materialien werden dann abgelegt, verwebt oder in
Lagen angeordnet, um Strukturen auszubilden, die als
1D, 2D, 3D usw. -Strukturen bezeichnet werden, in denen
D für die Richtung steht (d. h. in einer 2D-Struktur sind
die Fasern in zwei, üblicherweise zueinander senkrechten,
Richtungen abgelegt).
Diese gewebten Strukturen können dann mit einem Pech
oder Harzmaterial imprägniert werden, das in Kohlenstoff
und anschließend Graphit umgewandelt wird. Bei diesem Verfahren
wird zur Erzeugung einer dichten Struktur auch
ein Warmpressen verwendet. Es können wiederholte Imprägnierstufen
angewandt werden, um die Dichte zu erhöhen.
Bei einer alternativen Verarbeitung wird eine chemische
Gasphasenabscheidung (CVD) angewandt, um eine pyrolytische
Graphitmatrix abzuscheiden.
Das fertige Produkt besteht zu 90 und mehr % aus Kohlenstoff,
hat jedoch infolge der Faserausrichtung sowie
anderer Verarbeitungsdetails wie der Verdichtung
außergewöhnliche mechanische Eigenschaften, wenn es mit
anderen Materialien vom Kohlenstofftyp verglichen wird.
Die mechanischen Eigenschaften sind bei Temperaturen bis
zu etwa 2204°C konstant oder nehmen sogar leicht
zu. Diese Temperatur-Fähigkeiten machen Kohlenstoff-Kohlenstoff-
Materialien außerordentlich attraktiv für verschiedene
Anwendungen auf dem Gebiet der Luft- und Raumfahrt,
darunter auch für Gasturbinentriebwerke. Der offensichtliche
Nachteil ist die Empfindlichkeit von Kohlenstoff-
Kohlenstoff-Materialien gegenüber einer Oxidation.
Die vorliegende Erfindung betrifft das Aufbringen eines Überzugs,
mit dem Kohlenstoff-Kohlenstoff-Materialien gegen eine
katastrophale Oxidation bei Temperaturen bis zu wenigstens
1371°C geschützt werden.
Aus der DE 27 39 258 A1 ist bereits ein Oxidationsschutz
für Kohlenstoffmaterialien mittels eines zweischichtigen
Überzuges aus SiC und Si₃N₄ bekannt.
Es ist aus dem Stand der Technik auch bekannt, SiC-Konversions-
Überzüge dazu zu verwenden, Materialien auf Kohlenstoffbasis
zu schützen, darunter auch Kohlenstoff-Kohlenstoff-
Verbundmaterialien. Derartige Überzüge werden Konversions-
Überzüge genannt, da die Oberfläche des zu überziehenden
Gegenstandes durch ihre Umsetzung mit Silicium
in SiC umgewandelt wurde. Einbettungs-Überzugsverfahren
oder "Pack coating"-Verfahren sind gut bekannt. Ein Kohlenstoffgegenstand
kann in ein Packmaterial, das beim Erhitzen
Si- oder Si-Verbundungs-Dämpfe erzeugt, eingebettet
und in diesem erhitzt werden. Die US-PS 29 72 556 und
29 92 127 schlagen ferner das Aufbringen von Si₃N₄ auf
SiC-Überzüge vor, die nicht nach einem derartigen Einbettungsverfahren
erzeugt wurden.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zu
schaffen, mit dem verbesserte mehrschichtige Überzüge gegen
einen thermischen Abbau in einer oxidierenden Atmosphäre auf
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenständen erzeugt werden
können.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der angegebenen Art
durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 wiedergegebenen
Verfahrensschritte gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand bevorzugter
Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Figuren noch
näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 ein Fließdiagramm, in dem verschiedene Überzugs-
Kombinationen, die auf einen Kohlenstoff-
Kohlenstoff-Verbundgegenstand aufgebracht sind,
im Hinblick auf ihre Herstellung und das anschließende
Oxidationsverhalten miteinander
verglichen werden.
Fig. 2, 3, 4 und 5 zeigen das Oxidationsverhalten von
erfindungsgemäß überzogenen Kohlenstoff-
Kohlenstoff-Verbundgegenständen.
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundmaterialien werden geschaffen,
die eine außerordentliche Oxidationsbeständigkeit
bei erhöhten Temperaturen aufweisen, indem sie einen
zusammengesetzten oder mehrschichtigen Schutzüberzug auf
ihre freiliegenden Oberflächen aufweisen. Bei dem erfindungsgemäßen
Verfahren werden nacheinander drei Schichten aufgebracht,
nämlich zuerst eine Schicht aus pyrolytischem Graphit,
dann ein durch Einbettungsbehandlung erzeugter SiC-Konversionsüberzug,
und schließlich über diesem SiC-Einbettungs-
Überzug ein durch chemische Gasphasenabscheidung erzeugter
Si₃N₄-Überzug.
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Materialien mit derartigen Überzügen
haben sich als praktisch völlig unempfindlich gegen
eine Oxidation bei Temperaturen bis zu 1371°C
erwiesen, und zwar selbst nach mehr als 500 h Belastung.
Der SiC-Konversionsüberzug weist eine Dicke von
12,7 bis 762 µm und vorzugsweise von
25,4 bis 254 µm auf. Ein derartiger Überzug
kann dadurch geschaffen werden, daß man den zu überziehenden
Gegenstand mit einer Einbettungs-Pulvermischung
umgibt, die (nominell) 10% Al₂O₃, 60% SiC und 30% Si enthält,
und daß man die erhaltene Packung (mit dem Gegenstand)
bei etwa 1600°C 2 bis 10 h erhitzt. Es wird ein
verbesserter SiC-Konversionsüberzug erhalten, wenn man
der Einbettungsmischung 0,1% bis 3% (vorzugsweise 0,3%
bis 1,5%) Bor zusetzt. Ein solches Verfahren ist in
der US-PS 44 25 407 erwähnt.
Es wird jedoch angenommen, daß
auch andere Einbettungsmischungen formuliert werden können,
die einen äquivalenten SiC-Überzug erzeugen.
Nach dem Aufbringen des SiC-Konversionsüberzugs wird durch
chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ein äußerer Überzug
aus Se₃N₄ aufgebracht. Ein Beispiel für ein solches Verfahren
ist in der US-PS 32 26 194, deren Inhalt durch
ausdrückliche Bezugnahme der Offenbarung der vorliegenden
Anmeldung zuzurechnen ist, beschrieben. In kurzen Worten
beschreibt dieses Patent ein Verfahren zum Abscheiden
von pyrolytischem Siliciumnitrid auf einem Substrat dadurch,
daß man das Substrat auf einer erhöhten Temperatur,
z. B. 1500°C, hält und dann eine gasförmige Mischung
über das Substrat leitet, die SiF₄ enthält. Vorzugsweise
enthält das Gas etwa 75% Ammoniak, und der Partialdruck
der gasförmigen Reaktanten wird auf einem Wert von weniger
als etwa 100 mm Hg gehalten.
Das SiF₄ oder andere Siliciumhalogenide oder Silane können
an den heißen Substratoberflächen mit NH₃ oder N₂ reagieren,
wobei ein amorpher oder α-Si₃N₄-Überzug erzeugt
wird. Während die SiF₄-NH₃-Reaktion am besten bei 1400°C
bis 1600°C durchgeführt wird, kann die Reaktion von Silan
mit stickstoffhaltigen Gasen bei niedrigeren Temperaturen
ablaufen. Diese Verfahren können direkt dazu verwendet
werden, Siliciumnitrid auf Kohlenstoff-Kohlenstoff-
Materialien abzuscheiden, auf denen vorher ein SiC-Konversionsüberzug
erzeugt wurde. Für die Zwecke der vorliegenden
Erfindung wird eine Überzugsdicke von etwa 76,2
bis 762 µm, insbesondere 254 bis
508 µm angewandt. Der auf diese Weise erzeugte
überzogene Gegenstand ist in der Lage, einer Oxidation
unter drastischen Bedingungen zu widerstehen.
Vor dem Aufbringen des SiC-Konversionsüberzugs wird
ein zusätzlicher Überzugs-Bestandteil
auf den Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand
aufgebracht, und zwar eine Vorschicht aus pyrolytischem
Graphit. Eine solche Schicht mit einer Dicke
von 25,4 bis 127 µm kann dadurch erzeugt
werden, daß man eine Gasmischung (CH₄ und Argon in einem
Verhältnis 4 : 1) über die Oberfläche strömen läßt, während
die Oberfläche in einer Reaktionskammer, die auf
einem Druck von 1,33 bis 3,325 kPa gehalten
wird, auf eine Temperatur von etwa 1800°C erhitzt
wird.
Ein derartiger pyrolytischer Graphitüberzug ist besonders
bei Substraten nützlich, die keine 100%ige Dichtigkeit
aufweisen, keine pyrolytische Graphitmatrix aufweisen und
bei solchen Substraten, die einen positiven thermischen
Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. Die Graphitschicht
führt zu einem gleichmäßigen Oberflächenzustand, so daß
ein SiC-Konversionsüberzug mit einer gleichmäßigen Qualität
hergestellt werden kann, wodurch Unterschiede hinsichtlich
der Ausgangsmaterialien minimalisiert werden.
Fig. 1 beschreibt die anwendungstechnischen Vorteile, die
sich aus den verschiedenen Überzügen ergeben. Ein einfacher
CVD Si₃N₄-Überzug war im Hinblick auf die Verminderung
der Oxidation bei 1093°C relativ unwirksam,
indem der Gewichtsverlust in 1 h 5,8% betrug. Wenn man vor
dem CVD Si₃N₄-Überzug zusätzlich einen durch Einbettungs-
Behandlung erzeugten SiC-Überzug aufbrachte, wurde der
Schutz beträchtlich verbessert; so wurde in 47 h nur
ein Gewichtsverlust von etwa 5,3% erhalten.
Wenn man jedoch gemäß der vorliegenden Erfindung eine pyrolytische Graphitvorschicht zusätzlich
vorsah, stieg die Schutzwirkung weiter an, so daß der
Gewichtsverlust von 5,5% erst nach 165 h erhalten wurde.
Die Fig. 2, 3 und 4 zeigen das Oxidationsverhalten von
inhibierten Kohlenstoff-Kohlenstoff-Proben mit verschiedenen
Überzügen, und zwar zusammen mit einer Kurve, die
das Verhalten einer unbeschichteten, nicht-inhibierten
Probe zeigt. Inhibierte oder geschützte Kohlenstoff-Kohlenstoff-
Materialien enthalten Zusätze, die die inhärente
Oxidationsgeschwindigkeit der Probe vermindern. Das
Material, dessen Verhalten in den Fig. 2, 3 und 4 gezeigt
wird, ist ein geschütztes Material, hergestellt von
der HITCO Corp., von dem angenommen wird, daß seine grundlegenden
Inhibierungsadditive Wolfram und/oder Bor sind.
Die Fig. 2, 3 und 4 zeigen das Oxidationsverhalten bei
649°C, 1093°C bzw. 1204°C/1371°C.
Jede Figur enthält eine Bezugskurve
für eine unüberzogene, nicht-inhibierte Probe, eine
Kurve für eine nicht-überzogene inhibierte Probe, eine
Kurve für eine inhibierte Probe, die mit einem geschützten
Überzug aus dem Stand der Technik (vermutlich ein Einbettungs-
Überzug) versehen war, sowie eine Kurve, die
das Verhalten einer inhibierten Probe zeigt, die einen
erfindungsgemäßen Überzug aufweist. Die Einzelheiten des
erfindungsgemäßen Überzugs sind wie folgt:
Eine erste Schicht mit einer Dicke von 25,4 bis 50,8 µm aus pyrolytischem Graphit wurde in der ersten Stufe aufgebracht. Anschließend wurde unter Anwendung eines Einbettungs-Diffusions-Verfahrens eine Siliciumcarbid-Schicht hergestellt (76,2 bis 127 µm dick), und abschießend wurde ein CVD-Verfahren angewandt, um eine 127 bis 254 µm dicke Si₃N₄-Schicht aufzubringen. Eine Prüfung der Fig. 2, 3 und 4 zeigt, daß in allen Fällen der erfindungsgemäße Überzug allen anderen getesteten Überzügen überlegen war. Je höher die Temperatur wurde, desto deutlicher zeigte sich die Überlegenheit der vorliegenden Erfindung. Insbesondere ist darauf hinzuweisen, daß die Überzüge des Standes der Technik einen beträchtlich größeren oxidativen Gewichtsverlust bei 1204°C erleiden als bei 1093°C, und es ist ferner darauf hinzuweisen, daß der erfindungsgemäße Überzug bei 1371°C untersucht wurde, während die Überzüge des Standes der Technik nur bei 1204°C untersucht wurden.
Eine erste Schicht mit einer Dicke von 25,4 bis 50,8 µm aus pyrolytischem Graphit wurde in der ersten Stufe aufgebracht. Anschließend wurde unter Anwendung eines Einbettungs-Diffusions-Verfahrens eine Siliciumcarbid-Schicht hergestellt (76,2 bis 127 µm dick), und abschießend wurde ein CVD-Verfahren angewandt, um eine 127 bis 254 µm dicke Si₃N₄-Schicht aufzubringen. Eine Prüfung der Fig. 2, 3 und 4 zeigt, daß in allen Fällen der erfindungsgemäße Überzug allen anderen getesteten Überzügen überlegen war. Je höher die Temperatur wurde, desto deutlicher zeigte sich die Überlegenheit der vorliegenden Erfindung. Insbesondere ist darauf hinzuweisen, daß die Überzüge des Standes der Technik einen beträchtlich größeren oxidativen Gewichtsverlust bei 1204°C erleiden als bei 1093°C, und es ist ferner darauf hinzuweisen, daß der erfindungsgemäße Überzug bei 1371°C untersucht wurde, während die Überzüge des Standes der Technik nur bei 1204°C untersucht wurden.
Fig. 5 ist eine Darstellung ähnlich der in Fig. 4, außer
daß ein inhibiertes Kohlenstoff-Kohlenstoff-Substrat
eines anderen Typs verwendet wurde. Wieder ist darauf
hinzuweisen, daß der erfindungsgemäße Überzug für den
beispiellosen Zeitraum von 650 h bei 1371°C
getestet wurde, ohne daß er ein Zeichen eines nennenswerten
Gewichtsverlusts zeigte.
Claims (6)
1. Verfahren zum Aufbringen eines Schutzüberzugs gegen einen
thermischen Abbau in einer oxidierenden Atmosphäre auf einen
Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand,
mit den Schritten
- a) Aufbringen einer Schicht aus pyrolytischem Graphit mit einer Dicke von 25,4 bis 127 µm auf einen Kohlenstoff-Kohlenstoff- Verbundgegenstand,
- b) Aufbringen einer SiC-Schicht mit einer Dicke im Bereich von 12,7 bis 762 µm unter Diffusion von Si in die Oberfläche des Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstands aus Schritt a) durch Einbettungsbehandlung und
- c) Aufbringen einer Überzugsschicht von Si₃N₄ mit einer Dicke von 76,2 bis 762 µm durch chemische Gasphasenabscheidung auf die Außenoberfläche des SiC-Überzugs.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
als Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand ein durch chemische
Zusätze inhibierter Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundgegenstand
verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß in Schritt b) eine SiC-Schicht mit einem
Gehalt einer geringen Menge Bor erzeugt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß in Schritt b) eine SiC-Schicht mit einer
Dicke im Bereich von 25,4 bis 254 µm erzeugt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß in Schritt c) eine Si₃N₄-Überzugsschicht
mit einer Dicke von 127 bis 508 µm erzeugt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einbettungsbehandlung in Schritt b)
bei Temperaturen von etwa 1600°C in einem Zeitraum von 2
bis 10 h durchgeführt wird.
Priority Applications (2)
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DE19843426911 Granted DE3426911A1 (de) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | Kohlenstoff-kohlenstoff-verbundgegenstand mit hoher bestaendigkeit gegen einen abbau durch umgebungseinwirkung bei erhoehten temperaturen |
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