DE3222327A1 - Einrichtung zur vakuumbedampfung - Google Patents

Einrichtung zur vakuumbedampfung

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DE3222327A1
DE3222327A1 DE19823222327 DE3222327A DE3222327A1 DE 3222327 A1 DE3222327 A1 DE 3222327A1 DE 19823222327 DE19823222327 DE 19823222327 DE 3222327 A DE3222327 A DE 3222327A DE 3222327 A1 DE3222327 A1 DE 3222327A1
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cathode
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crucible
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hollow cathode
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Withdrawn
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DE19823222327
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English (en)
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Eckhard Dr.rer.nat. DDR 1530 Teltow Görnitz
Achim Dr.rer.nat. Lunk
Frank Dr.rer.nat. DDR 2200 Greifswald Schrade
Rüdiger Dipl.-Ing. DDR 8019 Dresden Wilberg
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Hochvakuum Dresden VEB
Original Assignee
Hochvakuum Dresden VEB
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/36Gas-filled discharge tubes for cleaning surfaces while plating with ions of materials introduced into the discharge, e.g. introduced by evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

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Description

  • Einrichtung zur Vakuwmbedampfung
  • Anwendungagebiet der Erfindung Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Vakuumbedampfunk, wie sie insbesondere in der plasmaaktivierten Beschichtungstechnik angewendet wird.
  • Charakteristik der bekannten technischen Lösungen In der plaamaaktivierten Beechichtungstechnik sind Einrichtungen bekannt, die das Plasma einer Hohlkatodenbogenentladung zur Verdampfung und zur Ionisierung von Baterialien ausnutzen Dsbei befindet sich die Katode über dem als Anode geschalteten Tiegel oder in einem bestimmten Winkel zur Tiegelnormalen.
  • Im letzteren Fall wird der aus der Katode austretende Plasmastrahl durch ein zum Strsahl transversales Magnetfeld umgelenkt. Die auf die Miode abgegebene Leistung (PA) beträgt bei den aus der Literatur bekannten Einrichtungen max. 50 X der Gesamtleistung.
  • Der Grundgedanke der aus der Literatur bekannten Einrichtungen besteht darin, daß durch ein geeignet dimensioniertes, einseitig gekühltes Röhrchen aus hochschmelzendem Material Gas in einen evakuierten Rezipienten strömt.
  • Durch Anlegen einer ausreichend hohen Spannung zwischen dem als Katode geschalteten Röhrchen und der Anode zündet zwischen diesen beiden Elektroden eine Glimmentladung.
  • Wird der Strom genügend hoch gewählt, heizt sich das nichtgekuhlte Ende der Katode soweit auf, daß thermische Elektronenemission auftritt und die Glimmentladung in die sogenannte Hohlkatodenbogenentladung Kbergeht. Im Plasma der Hohlkatodenbogeneütladung wird ein Teil der aus Entladungsstrom (IB) und;Entladun4aspannung (UB) zu bildenden Gesamtenergie Pg R U3 13 an die Anode abgegeben und zur Verdampfung des im Anodentiegel befindlichen Materials ausgenutzt.
  • Außer der o. a. relativ geringen Energieausnutzung besitzen die bisher bekannt gewordenen Binrichtungen den Nachteil, daß, besonderes bei über der Anode angeordneter Katode, eine BeeiniluBsung bzw. Verunreinigung der Katode durch aus dem Tiegel verdempftes Material bzw. durch Einwirkung reaktiver Gase nicht verhindert werden kann. Auch sind bisher keine Einrichtungen bekannt geworden, die eine kontinuierliche Regelung des Schmelzfleckdurchmessers im Tiegel ermöglichten.
  • Die Inbetriebnahme der bekannten Einrichtungen erfolgt nach der Evakuierung des Rezipienten im wesentlichen in vier Schritten: 1. Einstellung einer erhöhten Gasdurchsatsrate, 2. Anlegen einer Hochspannung (1 bis 2 kV) zwischen Katode und Anode zur Zündung einer stromstarken Glimmentladung (5 bis 10 A) über ein zusätzliches Netzgerät, das die benötigten hohen Zündspannungen liefert, 3. Hinzuschalten des Bogenversorgungagerätes (U = 70 V, I w 100 bis 200 A), 4. Reduzierung der Gasdurchsatzrato auf den Sollwert nach erfolgter Zündung des Eohlkatodenbogens.
  • Diese dem Stand der Technik anhaftenden Nachteile und der Umstand, daß spezielle Abschirmungen und Isolationen notwendig sind, um einen Uebergang der Glimmentladung in den thermischen Bogen zu verhindern, zeichnen wohl in erster Linie dafür verantwortlich, daß sich Einrichtungen, die den Plasmastrahl einer Hohlkatodenbogenentladung zur Verdampfung von Materialien und zur Beschichtung ausnutzen, industriell noch nicht durchgesetzt haben.
  • Ziel der Erfindung Die Erfindung hat das Ziel, eine Verdampferquelle zu entwickeln, die universell in der plasmaaktivierten Bedampfung eingesetst werden kann und die die bekannten Nachteile vermeidet.
  • Darlegung des Wesens der Erfindung Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einfach zu bedienende Einrichtung zu schaffen, die durch eine Optimierung der Anordnung Anode/Katode und der Plasmastrahl-Führung die kontinuierliche Regelung des Schmelzfleckdurchmessers ermUglicht, wobei die Energieausnutzung auf mindestens 80 % zu verbessern ist. Durch Verhinderung der Bedampfung der Katode und des Angriffe der Katode durch reaktive Gase ist deren Standzeit um mindestens die Hälfte zu erhöhen. Der apparative Aufwand der elektrischen Versorgungseinrichtungen ist zu senken.
  • Erfindungsgemä8 wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß eine an sich bekannte Hohlkatode derart in einem seitlichen Abstand von einem wassergekühlten Verdampfertiegel angeordnet ist, daß der beim Betrieb der Hohlkatode auftretende und durch ein transversales Magnetfeld auf den Tiegel zu lenkende Plasmastrahl einesI8nge zwischen 7 und 20 cm aufweist; der Raum über der Hohlkatode durch eine Abdeckkammer, die für den Durchtritt des Plasmastrahls eine Öffnung mit einem Durchmesser von 8 - 20 cm besitzt, begrenzt wird, der als Anode geschaltete Verdampfertiegel unter Zwischenschaltung eines Iaolierblockes suf der Verdampfer- grundplatte befestigt ist und von einer, die Form einer eisengekapselten Linse aufweisenden Spule umschlossen wird, die ein longitudinales Magnetfeld zur kontinuierlichen Regelung des Schmelzfleckdurchmessers erzeugt.
  • Die Longitudinalmagnetreldspule, die gegenüber dem Tiegel elektrisch isoliert ist, weist an ihrem Innendurchmesser in Sohle des Schmelzbadniveaus im Eisenmantel einen umlaufenden Spalt 8uf, wodurch ein Magnetfeld hoher Konzentration erzeugt wird.
  • Ein Gehäuse umgibt das System Tiegel-Spule bis auf die Öffnung über dem Tiegel vollständig und ist durch leicht lösbare Verbindungselemente an der Grundplatte befestigt. Gegenüber der Katode ist die Transversalmagnetfeldspule angeordnet, die durch eine Abdeckplatte vor den Einwirkungen des Plasmas geschützt wird. Beiderseits der Uransversalmagnetfeldspule sind am Gehäuse weichmagnetische Platten zur Ablenkung des Plasmastrahles angeordnet.
  • Die Inbetriebnahme der Anordnung ist dabei durch folgende Verfahrensschritte gekennzeichnet: 1. Einstellung des Sollwertes der Gasdurchsatzrate, 2. Aufheizung der Katode, 3. Einschaltung der Bogenversorgungsspannung.
  • Nach dem Einstellen von Gasdruck bzw. Gasdurchsatzrate wird die Hohlkatode auf die erforderliche Katodentemperatur aufgeheizt. Hat die Katode die Temperatur erreicht, bei der sie Elektronen emittiert, so können die Elektronen durch die angelegte Spannung das Entladungsgas ionisieren.
  • Der Vorgang der Ionisierung kann an einem Amperemeter, welches im Stromkreis zur Hilfsanode angeordnet ist, beobachtet werden. Als Rilfsanode dient hierbei der Rezipient, an den die Anodenspannung über einen Widerstand von 5 Ohm gelegt wird.
  • Bei ca. 10 A Entladungistrom brennt die Entladung atabil.
  • Durch den Spannungsabfall am Begrenzungswiderstand ändern sich die Potentialverhältnisse am Verdampfer, so daß ein Teil des Entladungsstromes von der Tiegelanode Ubernommen wird. Dabei ist am Amperemeter ein Rückgang des Stromes zu beobachten. Dieser Rückgang zeigt den stabilen Betrieb des Verdampfers an. Danach wird die Hilfsanode von der Tiegelanode getrennt und die gewünschte Verdampferleistung eingestellt.
  • Ausführungsbeispiel Anhand eines Ausführungsbeispieles soll die Erfindung näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt einen Längsschnitt durch die erfindungsgemäße Einrichtung.
  • Sie besteht dabei im wesentlichen aus vier Hauptgruppen: der Katodenanordnung 1, der Tiegelanode 2, der Transversalmagnetfeldspule 3 mit den Ablenkplatten 4 und der Longitudinalmagnetfeldspule 5. Der seitliche Abstand der Katodenanordnung 1 von der Tiegelanode 2 ist dabei so gewählt, daß der Plasmastrahl eine Länge von 10 cm aufweist.
  • Die Tiegelanode 2 mit dem Stromanschluß 6 ist durch Zwischenschaltung des Isolierblooks 7 auf der Verdampfergrundplatte 8 befestigt, die durch die Katodenanordnung 1 am Rezipienten 9 gehaltert wird. Uber der Katodenanordnung 1 befindet sich die Abdeckkammer 10 mit der Öffnung 11, die vorzugsweise einen Durchmesser von 15 mm besitzt. Das Gehäuse 12 schließt die Einrichtung allseitig ab und schwitzt, wie die Abdeckplatte 13 die Transversalmagnet feldspule 3, die Einrichtung vor der Einwirkung des Plasmas. Vorzugsweise sind die Verbindungen der Hauptgruppen zueinander leicht lösbar als Steck- bzw. Schraubverbindungen auagefthrt, so daß eine schnelle und einfache Mon-und Demontage möglich ist.
  • Der Spalt 14 im Innendurchmesser des Mantels der Longitudinalniagnetfeldspule 5 ist vorzugsweise so anzuordnen, daß sich das Absinken des Schmelzbadnivesus im Tiegel während einer Charge nicht auf die kontinuierliche Regelung des Schmelzfleckdurchmessers auswirkt. Jedoch sollte der Spalt in Abhängigkeit vom Tiegeldurchmeseer nicht breiter sein als 4 bis 10 mm. Aber auch eine kontinuierliche iegelnachfütterung über an sich bekannte Nachfütterungsbz. Dosiereinrichtungen ist möglich.
  • Die erfindungsgemäße Einrichtung weist gegenüber dem bisher bekannten Stand der Technik einige wesentliche technische und ökonomische Vorteile aui, so daß ihre Anwendung insbesondere in der plasmaaktivierten Beschichtung erfolgversprechend ist.
  • Durch die räumlich enge Anordnung von Katode zu Anode und der Begrenzung der Plasmastrahllänge auf vorsugsweise 10 cm wird die Energieausnutzung auf ca. 80 % erhöht. Die Anordnung der Abdeckkmmer über der Katode läßt in dieser Kammer einen Überdruck entstehen, der in Zusammenwirkung mit der 15 mm großen Öffnung das Eindringen von Gasen aus dem Rezipienten weitgehend verhindert. Damit wird die Katode bei reaktiver Verfahrensführung nicht angegriffen, da eine Oxydation, Karburierung oder Nitrierung entsprechend dem eingelaseenen reaktiven Gas vermeiden und ihre Standzeit wesentlich erhöht wird.
  • Dadurch, daß die Austrittsöffnung des Plasmastrahls aus der Katode unter dem Tiegelniveau liegt, wird eine Verunreinigung der Katode vermieden, gleichzeitig aber auch die Verunreinigung des Tiegelmateriale durch abgedampfte Katodenteil chen.
  • Das Auftreten von Abschatungen auf den Substraten ist nicht möglich, da der Raum über dem Tiegel frei für das zu verdampfende Material ist.
  • Nicht zuletzt trägt die besondere Porm der eisengekapselten Longitudinalmagnetfeldspule und das dadurch erzeugte und in seiner Stärke regulierbare Magnetfeld hoher Konzentration dazu bei, den Plasmastrahl zu führen und zu bündeln und die Verdampfungsrate zu steuern.
  • Leerseite

Claims (3)

  1. Erfindungsanspruch 1. Einrichtung zur Vakuumbedampfung unter Verwendung einer Hohlkatode, einem wassergektilliten Kupfertiegel und einem senkrecht zum PlasmastrahI gerichteten Kagnetfeld, dadurch gekennzeichnet, daß die Hohlkatode 8o in einem seitlichen Abstand.vom Kupfertiegel angeordnet ist, daß der beim Betrieb der Hohlkatode auftretende und auf den Tiegel gelenkte Plasmastrahl eine'lange zwischen 7 und 20 cm aufweist; der Raum über der Hohlkatode durch eine Abdeckkammer (10) begrenzt wird, die für den Durchtritt des Piasmastrahls eine Öffnung (11) mit einem Durchmesser von 8 - 20 mm besitzt und der Kupfertiegel (2) von einer, die Form einer eisengekapselten Linse aufweisenden Longitudinalmagnetfeldspule (5) umschlossen ist.
  2. 2. Einrichtung nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Longitudinalmagnetfeldspule (5) am Innendurchmesser des Mantels einen Spalt (14) zur Strahlfokussierung besitzt, der mindestens 1 mm und maximal 10 mm breit ist.
  3. 3. Einrichtung nach Punkt 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Inbetriebnahme der Rezipient (9) über einen Widerstand von 5 Ohm mit der Anodenspannung verbunden ist und sich in diesem abechaltbgren Stromkreis ein Anzeigegerät zur Kenntlichmachung der erfolgten Zündung befindet.
DE19823222327 1981-07-01 1982-06-14 Einrichtung zur vakuumbedampfung Withdrawn DE3222327A1 (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3814652A1 (de) * 1987-05-01 1988-11-10 Ulvac Corp Vorrichtung zur bildung einer reaktiven schicht auf einem gegenstand
DE4421045A1 (de) * 1994-06-17 1995-12-21 Dresden Vakuumtech Gmbh Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Material
DE19546827A1 (de) * 1995-12-15 1997-06-19 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur Erzeugung dichter Plasmen in Vakuumprozessen

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DE19546827C2 (de) * 1995-12-15 1999-03-25 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur Erzeugung dichter Plasmen in Vakuumprozessen

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DD201359A1 (de) 1983-07-13

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