DE3038908A1 - Verfahren zur lumineszenzspektroskopischen bestimmung von auftraegen und auftragsprofilen - Google Patents
Verfahren zur lumineszenzspektroskopischen bestimmung von auftraegen und auftragsprofilenInfo
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Description
AGFA-GEVAERT "-J-5090 Leverkusen, Bayerwerk
AKTIENGESELLSCHAFT
Patentabteilung HRS/Kü-c
Verfahren zur lumineszenzspektroskopischen Bestimmung von Auftragen und Auftragsprofilen
Die Erfindung beinhaltet ein Verfahren zur lumineszenzspektroskopischen
Bestimmung von Auftragen und Auftragsprofilen von Schichten und Schichtaufbauten und
zur Auffindung von Beschichtungsfehlern in Schichten und Schichtaufbauten.
Der Stand der Technik beinhaltet zahlreiche, teilweise
automatisch arbeitende Geräte und Verfahren zur Bestimmung des Gußauftrages auf Materialbahnen, seines
Quer- und Längsprofils sowie seiner lokalen Störungen wie Streifen und Punktfehler.
Alle auf radiometrischer Grundlage arbeitenden Verfahren, wie ß- und Q^Strahlenabsorption oder Röntgenfluoreszens,
mit denen ein Gußauftrag einer einzelnen · Schicht über Absorptions-, Rückstreuungsmessung bzw.
über Anregung der Röntgenfluorezensstrahlung bestimmt werden kann, lassen bei ihrer Anwendung auf
Mehrschichtengüsse nur eine Pauschalaussage über die Flächendichte, Konzentration oder Gesamtauftrag, ge-
AG 1742
r-
mittelt über alle Güsse des Schichtpaketes zu. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß die zur Gewähr-■
leistung einer ausreichenden Meßwert-Auflösung hohen
Zerfallsraten der Radioisotope oder hohen Strahlintensitäten
der Röntgenröhre nur mit ensprechender Sorg-. falt in Labor' und Betrieb eingesetzt werden dürfen.
Durch die Größe des Meßfeldes erfüllen die Verfahren auch oft nicht die Forderung nach einer guten Ortauflösung·
der Schichtdickenmessung. Darüberhinaus'
muß die Anwendung der genannten Verfahren in der
Produktion wegen der Gefahr der Anbeiichtung jeweils detalliert untersucht werden.
Als weiteres Verfahren zur Schichtdicken und Profilbestimmung
ist die photometrische Messung im IR-Bereich weit verbreitet. In mehrkanaliger Anordnung
gelingt hier auch eine Differenzierung der Einzelschichtaufträge
im Mehrschichtenguß allerdings nur, wenn diese über besondere Absorptionscharakteristiken
unterscheidbar sind, was zum Beispiel bei den gängigen
' Photoprodukten nicht, gegeben ist. Eine zweikanalige
Messung in und neben der Wasserbande ist für die Auftragsbestimmung von Silberhalogenid-Emulsionen aus
der DE'-AS 1 245 176 bekannt, wobei ein Einzelguß
unabhängig von bereits unterlagerten, trockenen Emulsionen-Schichten dadurch bestimmt wird, daß
Absorption und Streuung vergleichsweise analysiert werden. Eine die Schichtstreuung messende Anordnung
ist ebenfalls nicht für die Einzelschichtmessung in Vielfachgüssen geeignet bzw. kann nur eine Pauschal-
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aussage über alle silberhaltigen Emulsionsschichten
machen.
Aus der britischen Patentschrift GB 1 48 2 462 ist ein anderes Verfahren bekannt, das sich auf die Schichtdickenmessung
von Einzelschichten im Schichtenverband bezieht. Das Verfahren ist zwar durch Anwendung hochempfindlicher
Detektoren nach dem heutigen Stand.der Technik und bei unterschwelliger Belichtung zerstörungsfrei
auch bei Photoprodukten anwendbar, allerdings nur dann erfolgreich, wenn die interessierenden
Schichten jeweils eine Eigenfärbung und eine ausreichende Absorption besitzen, die sich von.denen
der übrigen Schichten unterscheiden.
Es sind auch spektroskopische Verfahren bekannt, die
zur Bestimmung von Aufträgern und Auftragsprofilen von Schichten und. Schichtaufbauten eingesetzt werden.
Diese Verfahren nutzen die Absorbtion, Transmission oder die Reflexion der Substanzen in diesen Schichten.
Bei diesen Verfahren wird der Meßwert aus einer Verhältnis-
oder Differenzmessung der Probe mit der betreffenden Substanz gegenüber einer Vergleichsprobe
ohne die betreffende Substanz ermittelt. Diese Vergleichsmessung
führt bei dünnen Schichten und kleinen Äbsorbtionskoeffizienten zu systematischen. Fehlern,
wenn die Meßwerte von Probe und Vergleichsprobe nahe beeinander liegen. Es ist auch schwierig Vergleichsproben
herzustellen, die sich von der Probe nur durch die zu bestimmende Substanz unterscheiden.
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- ί * «r
- y-
Ebenso fehlt bei den Absorbtionsmessungen die Selektivität,
wenn mehrere in demselben Spektralbereich absorbierende Substanzen vorliegen, so daß eine Abweichung
nicht auf die Fehldosierung einer bestimmten Substanz
zurückgeführt werden kann.
Die Empfindlichkeit von Absorptions- und Remissionsmessungen ist nicht sehr groß. Käufliche Geräte besitzen
eine Gesamtgenauigkeit mit 1Og1 Q (j? J^/ § T ^) , dem
dekadischen Logarithmus von dem Verhältnis der eingestrahlten Strahlung '$ ,-) zur transmittierten Strahlung
- · ' _3
0 J\ von selten mehr als TO Einheiten bei einer
optischen Schichtdicke von 10m.
Für Moleküle mittlerer Größe übersteigt der molare dekadische Absorptionskoeffizient selten den Wert
lz en
-5
von 10 mol m . Demnach beträgt die minimale Konzen-.
tration nach dem LAMBERT-BEER1sehen Gesetz C . -* 10
mm
mol · m . Bei den zum Beispiel in der Photograpie üblichen Schichtdicken von etwa 10 m beträgt C .
mm
_2 _3
—10 mol * m , die vorhanden sein muß, um eine
—10 mol * m , die vorhanden sein muß, um eine
Substanz nachzuweisen. ■
Auftrags- und Auftragsprofilbestimmungen an dünnen
Schichten über die :Farbdichte in den Schichten haben
den Nachteil, daß diese Messungen bei photographischen Materialien erst nach einem Verarbeitungsprozeß (einer
Belichtung, Entwicklung, Fixierung und Trocknung) durchgeführt werden können. Während der Behandlung im Verarbeitungsprozeß können jedoch Einflüsse stattfinden,
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- r-
die die Meßergebnisse für den Auftrag erheblich verfälschen.
Verfahren zur Bestimmung der Absorption .bzw. der Reflexion ohne Vergleichsprobenmessung, wie sie in
der oben bereits erwähnten britischen Patentschrift 1 482 462 an eingefärbten Schichtaufbauten beschrieben
werden, besitzen keine mit dem hier beschriebenen Verfahren vergleichbaren SubstanzSelektivität
bei einer nur geringen Empfindlichkeit. Die Methode versagen bei allen selektiven Bestimmungen der Aufträge
einzelner unterschiedlicher Schichten in Schichtaufbauten von zwei und mehr Schichten, wie
sie zum Beispiel in den photographischen' Filmen und Photopapieren vorliegen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe· zugrunde ein Verfahren
der einleitend genannten Art zu schaffen, mit dem es möglich ist, Serienmessungen oder
kontinuierliche Messungen zur Bestimmung von Aufträgen und Auftragsprofilen von Schichten und
Schichtaufbauten durchzuführen, wobei die.Aufträgein
Schichtaufbauten mit verschiedenen unterschiedlichen Schichten selektiv und in einer
einzigen Messung erfaßt werden und mit den Messungen eine Qualitätskontrolle und Qualitätssteue'rung. bei
der Herstellung dieser Schichten oder Schichtaufbauten vorgenommen werden können.
Ausgehend von einem Verfahren der eingangs genannten
Art, ist diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß die in den Schichten und Schichtaufbauten
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enthaltenen' oder zugefügten lumineszierenden Substanzen,
wie spektrale Sensibilisatoren, optische Aufheller, Färb- und Hilfsstoffe mit einem
emissionsspektroskopischen Verfahren photoselektiv im Auflicht und/oder in Transmission mit einem
Photonendetektor abgetastet und durch eine einzige Messung nebeneinander bestimmt werden.
Für den Fachmann war es überraschend, daß sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bei Anwendung der
Emissionsspektroskopie bei hohen Emissionsquantenaus-
— 1 2 — 3 beuten noch sicher 10 mol . m und bei besonderer
Anordnung auch Substanzmengen von
C .=10 mol - m nachweisen lassen. Das Vermin
- ■
.fahren eignet sich aufgrund seiner außerordentlichen-15.
Empfindlichkeit nicht nur zur Profilmessung einer
großen Anzahl von einzelnen aufeinandergegossenen Schichten für jede einzelne Schicht, sondern auch
zur Auffindung von kleinsten Veränderungen in einer der Schichten, wie sie zum Beispiel durch Fehler entstehen
können. ' ·
Eine gezielte Verbesserung des Verfahrens zeichnet sich dadurch' aus, .daß die Lösungen -zur Bildung der
Schichten vor dem Aufbringen mit den für das Ver-25' fahren geeigneten Substanzen, wie optischen Aufhellern,
spektralen Sensibilisatoren und Farbstoffen, in solch geringen Konzentrationen versetzt werden,
die die Eigenschaften der Schichten nicht negativ beeinflussen.
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-M-
Durch die Zugabe von Spuren von Substanzen ist es in überraschend einfacher Weise möglich, jede einzelne
Schicht einer Vielzahl von Schichten in ihrer spektralen Emission zu charakterisieren. Mit einer
■ 5 Messung über den Spektralbereich können die Profile, Fehler und andere Eigenschaften der einzelnen
Schichten erkannt, gemessen und zur Regelung, Steuerung oder zur Erstellung eines Fehlerpasses verwendet
werden.
Hierzu wurde als besonders vorteilhaft gefunden, daß die Photoselektivität des emissionsspektroskopischen
Verfahrens auf der auf die Substanz bezoge.ie Wahl des
Wellenlängenunterschiedes Δ ji, mit ^ JL = J^ -X
e a
beruht, wobei die Emissionswellenlänge %, und die
Anregungswellenlänge 31 versetzt um den .Wellenlängenunterschied
A X synchron über die Wellenlänge X verändert und die Emission in Auflicht beobachtet wird, so daß
mehrere spektral unterschiedlich lumineszierende Substanzen
selektiv nebeneinander vorzugsweise durch eine einzige Messung, quantitativ bestimmt werden können.
Nach einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Photoselektivität durch freie Wahl des
WellenlängenunterschiedesATVeingestellt.
Unter Gang- bzw. Phasenunterschieden werden, soweit in der vorliegenden Anmeldung auf diese Begriffe verwiesen wird,
stets Wellenlängenunterschiede verstanden. ■
Die Photoselektivität und die Möglichkeit, mehrere spektral unterschiedlich emittierende Substanzen, vorzugsweise
durch eine einzige Messung nebeneinander zu
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Photonenflußdichte jg" in Abhängigkeit der Anregungswellenlänge Λ und der Emissionswellenlänge j\
die Emissionsbande.
Der spektrale Photonenstrahlungsfluß β /^ ist gleich
dem partiellen Differentialquotienten, also
> a
>X sei ein normierter Formfaktor der Emission und durch
•~* e ■
die Gleichungen definiert
.· . _ ™e' -^- und 3.)
ie 1Aa' Ae '
Ae ■
somit ergibt sich die Bestimmungsgleichung für β ,jLzu.
wobei C ein Geometriefaktor, j der Transmissionsgrad
sämtlicher optischer Einrichtungen im Meßstrahlengang und [die Spaltfunktion ist, T (/L) ist die" absolute
a a
Intensitätsfunktion der- Anregung?strahlung, die durch
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eine Eichung mit Substanzen bekannten Quantenausbeute der Emission und der bekannten spektralen Photonenflußdichte
der Anregungslampe gewonnen wird. Weiterhin istX(a(J» )\ eine Apparatefunktion, die vom
a ι
dekadischen Absorptionskoeffizienten a ( J\ ) abhängig
ist. Das Produkt Ta (λ ) J6(a(Jt )) ist somit proportio
a a . '
nal zu der Zahl der absorbierten Quanten* Schließlich
XSt1^e-(Jv ) die Emissionsquantenausbeute als
Verhältnis der Zahl der emittierten zu der Zahl der absorbierten Quanten.
Liegen in einem Substanzgemisch mehrere emittierende Substanzen, gekennzeichnet mit den Index B vor, so
gilt für den totalen dekadischen Äbsorptiönskoeffizienten
a, gekennzeichnet mit dem Index t
und somit für den Formfaktor der Emission (j . (fi , ^y )
dann die Gleichung
^ a„ (a ) ψ π (K ) ^n „ (A ,vA )
~y . , ν BB a J eB a ' - eB a e 7 >
6 et ^a/JV ~, Ι ,. . /m}
w a, (J\ ) ψ . (A )
Läßt sich in einem Substanzgemisch eine Emissionswellenlänge^'
finden, bei der nur diese Substanz, gekennzeichnet durch den Index 2, emittiert, so erhält
man analog zur Gleichung 7 die Gleichung
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-KT-
. .. a2 (Aa)/e2 l/1a' ue2 V(a'Ae' 8.)
fret (Λ,Ά ϊ = " —
• at (/W J et
Dieses konventionelle Verfahren vereinfacht sich bedeutend,
wenn, wie in dem erfindungsgemäßen Verfahren sowohl die Anregungswellenlängen 5 ,als auch die
j a - Emissionswellenlängen j\ gleichzeitig mit einer
festen Phasenbeziehung A 7*- über die Wellenlänge Λ
verändert werden. Aus dem AnregungsSpektrum EXCI und dem .Emissionsspektrum EMI wird dann ein neues
Spektrum erhalten, das ein Produktspektrum aus Anregungs- und Emissionsspektrum ist und im weiteren EXEM (Produkt
aus EXCI und EMI) genannt wird.
Die Emissionsphotonenflußdichte ßA£ dieses Spektrums
ist die Photonenflußdichte 0 , j\ nach der obigen
Gleichung 5.) , integriert über ,") in den Grenzen
^1 und/L·'des Überlappungsbereiches.
Die Emissionsphotonenflußdichte 0^ ist damit proportional
der in diesem Bereich absorbierten Quanten und somit der Konzentration der emittierenden Substanz..
Durch eine Festlegung der Eichfunktionen lassen sich die
Konzentrationen -von Substanzen auch in.Substanzgemischen
öder'in Schichtaufbauten bestimmen.
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Liegen in einem Substanzgemisch oder in einem Schichtaufbau
mehrere spektral unterschiedlich emittierende Substanzen vor und lassen sich für diese Substanzen
Wellenlängen Λ ,j\_,_a 3, .... finden, bei denen
nur eine einzige Substanz ermittiert, so kann man
■ diese Substanz mittels der Wahl der festen Wellenlängenbeziehung
Δ A- photoselektieren. Man erhält zum Beispiel in photographischen Schichten für Emulsionsschichten oder Schichtpakete, die im blauen,' grünen
und roten Spekträlbereich sensibilisiert sind,·
drei spektral unterschiedliche Spektren mittels einer einzigen Messung durch Abfahren des gesamten
Spektralbereiches mit einer definierten .Phasenbe-/I.
· . ·
Eine vorteilhafte Ausführung des Verfahrens zeichnet,
sich dadurch aus, daß für die Anregung der Probe zur Emission unpolarisiertes Licht verwendet wird, und
für die Emissions- und Anregungsstrahlungsrichtung ein Winkel νοηΰ^=55° beziehungsweise 125° gewählt
wird.
Es ist bekannt, daß bei unpolarisierter Anregung die
Emission nur dann unabhängig von dem Beobachtungswinkel <L, bezogen auf die Anregung ist, wenn in der
Gleichung
—S = ί + ' R (3 cos5>
-1 ) 10.)
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* * %■ H
4-
der zweite Summand gleich O wird. R ist hierbei .der
Anisotropiegrad der Emission, 0 , .Λ (o) ist die
spektrale Photonenflußdichte bei totaler Depolarisation.
-Das Verhältnis in der Gleichung 10.) wird gleich „1", wenn der Winkel ·
1-1 j(y =' arccos _+ (-^) 2 -.11.)
ist. Daher ist die Bestimmung der Emission bei einem Winkel L·- 55° bzw. .i/ = 125° zur unpolar is ierten
Anregung unabhängig'von der Eigenpolärisation der Meßapparatur.
■
In vorteilhafter Weise kann auch ein Verfahren angewendet
werden, das sich dadurch auszeichnet, daß für die Anregung der Probe zur Emission linear
polarisiertes Licht verwendet wird und die Emissionsstrahlung auf ihre Polarisation so analysiert wird,
daß die Schwingungsebene des elektrischen Vektors entweder senkrecht oder parallel zu der von der
Anregungs- und EmissionsStrahlungsrichtung aufgespannten optischen Ebene steht.
Bei einer polarisierten Anregung und Bestimmung der Photonenflußdichte 0 parallel und der Photonen-
e' ■ . flußdichte $5 senkrecht zur Polarisationsrichtung
der Anregungsstrahlung, die meist mit der Richtung
des Monochromatorspaltes identisch ist, gilt für
die Gesamtemission die Beziehung
$T = ($ , senkrecht + 20 parallel
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wobei die senkrechten und parallelen Photonenflußdichten
hinsichtlich des Eigendepolarisationsgrades der Meßapparatur korrigiert sein sollten.
In einer besonderes Ausführungsform kann die An-. regung der Probe zur Emission mit stationären oder
.gepulsten Lichtquellen erfolgen und die Photonenflußdichte
der Lumineszenz der Probe mit einem Photonendetektor, wie mit einem Photomultiplier,
einen Photodiode, einem Dioden array oder, einem Vidikon gemessen werden.
Das Verfahren kann auch mit einer Einrichtung erfolgen, wobei die Probe zur Messung der Emission
mit zwei um eine feste Achse rotierenden Gittern abgetastet wird und die Gitter um einen Wellenlängenunterschied
von A % gegeneinander versetzt sind.
Weiterhin können Matrixeinflüsse wie Schichtdicken- und Konzentrationsschwankungen in .anderen Schichten als der
interessierenden Schicht dadurch eliminiert werden, daß man das von der Probe reflektierte Anregungslicht als
Referenz "benutzt und damit die Emission der.Probe korrigiert.
Zur kontinuierlichen Messung von Profilen, zürn Beispiel
dem Längprofil oder dem Querprofil einer beschichteten Bahn kann das Verfahren so abgewandelt
werden, daß die Auftragswelligkeit unmittelbar und kontinuierlich durch selektive Abtastung bei festem
Gangunterschied mit fester Anregungs- und Emissionswellenlänge bestimmt werden.
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-X-
Hierdurch wird das Verfahren für diese spezielle Aufgabe vereinfacht. Zweckmäßigerweise werden die Snregungsund
Emissionswellenlängen bei den Maximalintensitäten der Stoffe in den einzelnen Schichten'
benutzt. .
Hierdurch kann eine relative oder nach einer Eichung eine absolute Auftragswelligkeit sphneller gemessen
werden, als beim .Durchfahren des gesamten Spektralgebietes. .
Das Verfahren eignet sich überraschenderweise auch zur Auffindung von Beschichtungsfehlern in den
einzelnen Schichten, auch wenn diese durch andere Schichten überschichtet sind, wenn die Abtastung
der Schichten mit Lasern, Farbstofflasern oder sehr schmalbandig erfolgt und die Formgebung und Größe
des aufgestrahlten oder abgestrahlten Meßfleckes
den zu detektierenden Fehlern angepaßt ist.
Das Verfahren ist so zur on-line-Erkennung, Registrierung und Regelung der Einzelschichtaufträge im Schicht
paket und zur spezifischen on-line-Erkennung von
Punkt-, Längs- und Querfehlern in den einzelnen Schichten im Schichtpaket während des Beschichtungsprozesses
einsetzbar.
Schichtdickenänderungen können sofort beim Ent-5
stehen festgestellt und durch Regelung der Be- ■ Schichtungseinrichtung beseitigt werden. Das gleiche
gilt für Fehler, die sofort nach dem"Entstehen
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- χί -
bemerkt und abgestellt werden können, so'daß erhebliche
Verluste vermieden werden. Durch die hohe Empfindlichkeit des Verfahrens kann eine Feinregelung
der BeSchichtungseinrichtung und eine erhebliche Qualitätsverbesserung erreicht werden.
Wird das anregende Licht so gewählt, daß eine Anoder Vorbelichtung eines photographischen Materials
vermieden wird, so läßt sich das Verfahren in sehr vorteilhafter Weise für Photomaterialien verwenden,
insbesondere da diese Materialien in einem Arbeitsgang mit einer Vielzahl von Schichten gleichzeitig
beschichtet werden. Bereits ein Streifen in einer der Schichten kann das Photomaterial unbrauchbar
machen, so daß das beschriebene Verfahren erstmals die Möglichkeit gibt, derartige und andere Fehler
oder Schichtdickenänderungen sofort und selektiv festzustellen und für eine Ausmerzung zu sorgen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Zeichnungen und Beispielen aus Versuchstätigkeiten näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Vergleichsschaubild der konventionellen Emissionsspektroskopie mit der Emissionsproduktspektroskopie
am Beispiel eines Sensibilisators,
Fig. 2 eine Emissionsproduktspektroskopie an einem blau-, grün- und rotsensibilisiertem Photomaterial,
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Fig. 3. eine beispielsweise verwendete Emissionsapparatur t
Fig. 4 öas Spektrum einer Polyethylen-Unterlage die
mit'zwei Coloremulsionen begossen ist (Beispiel
1),
Fig. 5 die Welligkeit der Polyethylen-Unterlage gemessen mit der Emission des optischen Aufhellers
(Beispiel T) ,
Fig. 6 die Welligkeit der Colorschichten gemessen mit . den Emissionen der Sensibilisatoren (Beispiel
1) ,
Fig. 7 das Spektrum der Unterlage des Aufhellers
und der Schichten eines Colorpapieres (Beispiel 2) ,
Fig. 8 die Welligkeit der Unterlage und des Gesamt-•
' aufbaues des Colorpapieres, (Beispiel 2),
Fig. 9 das Spektrum eines Colornegativfilmes (Beispiel
3) ,
Fig. 10 die Messungen der Emission und der Gradation
. über die Bahnbreite eines ungehärteten Schichtaufbaues (Beispiel 3) , ·
' Fig, 11 die Messungen nach Fig. 10 eines gehärteten
Schichtaufbaues (Beispiel 3),
Fig. 12 eine Vorrichtung zur kontinuierlichen Messung
. der Emission über Bahnbreite,
Fig. 13 die Emissionsmessungen kontinuierlich über die Bahnbreite zur Schichtdickenbestimmung
AG 174 2
-if.
und zur Auffindung von Fehlern (Beispiel 4)
Fig. 14 die Messung des Silberauftrages zum Vergleich mit der Emissionsmessung (Beispiel 4).
In Fig. 1 ist das AnregungsSpektrum EXCI links und das
Emissionsspektrum EMI rechts nach einem konventionellen Verfahren dargestellt. Das Verfahren vereinfacht sich
erheblich, wenn sowohl die Anregungswellenlänge Ji,
links, als auch die Emissionswellenlängejl rechts
gleichzeitig mit einer festen Wellenlängenbeziehung A 3-über
die Wellenlänge -^- verändert werden. Man erhält
• beispielsweise ein Spektrum, was den Überlappungsbereich (schraffiert dargestellt) zwischen dem Absorptionsoder Anregungs Spektrum, gekennzeichnet durch Ta CiI )
JC (a (IL )) und dem Emissionsspektrum, gekennzeichnet
et
durch6"e (S ) , entspricht. Die erhaltenen Spektren,
• wie sie für viele Sensibilisatoren typisch sind, sind
Emissionsproduktspektren EXEM.
Fig. 2 zeigt, in idealisierter Form, drei spektral unter- ·
schiedliche Spektren, die mit einer einzigen Messung durch Abfahren des Spektralbereiches JL mit einer definierten
Wellenlängenbeziehung4 Jl. zwischenJJ. undjl; erhalten
wird. In diesem Beispiel liegen mehrere, in einem Substanzgemisch unterschiedlich emittierende■Substanzen
vor, die mit der Wahl der festen Wellenlärigenbeziehung
photoselektiert werden. Die Fig. 2 ist typisch für photographische Schichten oder Schichtpakete, die im
• blauen, grünen und roten Spektralbereich sensibilisiert
sind und im gelben (gb), purpurnen (pp) und blaugrünen (bg) Spektralbereich ihr Anregungs- und Emissions-
maximum besitzen.
AG 1742
- 18 -
Fig. 3 .zeigt eine beispielhafte Ausführung einer Vorrichtung
zur Emissionsmessung, wie sie von der Firma
Spex in USA .hergestellt wird. Die Vorrichtung besteht
■ im wesentlichen aus einer Lichtquelle 1 in einem Gehäuse 3, .aus zwei Doppelmonochromatoren 4, 16., einer Anregungs-Strahlungsmesseinrichtung
10 im Gehäuse 8, einem Probengehäuse 12, einer Transmissionsmeßeinrichtung 14 und einem
Emissionsdetektor 19.
Die Strahlungsquelle 1 ist eine Xenon-Hochdrucklampe deren Licht über einen elliptischen Spiegel 2 in einen
Anregungs^Monochromator 4 gestrahlt wird. Im Monochromator
4 wird das Licht über mehrere elliptische und plane Spiegel 5 über.zwei Gitter 6 dispergiert,
zwischen denen ein verstellbarer Schlitz 7 angeordnet ist. Die Gitter 6 sind in ihrer Oberfläche mit 1200
Linien/mm versehen'und geblazt bei 400 nm. Aus dem
Monochromator 4 gelangt der Lichtstrahl in ein Gehäuse 8 und .wird mit einem Strahlenteiler 9 in zwei Strahlen
aufgeteilt. Der eine Strahl wird über Spiegel 5 einem Lichtquantenzähler 10 zur Bestimmung· der Photonenflußdichte
der Anregungsstrahlung zugeleitet. Der· Lichtquanten.zähler
10 kann eine Rhodamin B-Photomultiplier
-Einheit (R) oder eine geeichte Diode sein.
Der zweite Lichtstrahl wird von dem Strahlenteiler 9 über Umlenkspiegel '5 in eine Meßkammer 12 gelenkt und
dient zur Messung der Probe im Auflicht und/oder einer rechtwinkligen Anordnung in einem thermostatischen
Filmprobenhalter 13. Das durch die Probe durchgehende
AG 1742
3 0 3 8 9 0 S
Licht kann in einen Transmissiöns-Detektor 14 zum Beispiel mittels einer Rhodamin-Photomulciplier Einheit
(T) gemessen werden.
Besonders vorteilhaft ist es, diese Einheit als zweiten Referenzkanal auszunutzen, in dem man das von der
Probe reflektierte Anregung sucht auf den um einen bestimmten Winkel gedrehten Spiegel 5 und weiter auf
die Rhodamin B - Photomultiplier-Einheit (T) fallen läßt. Dadurch können Matrixeinflüsse durch andere
Schichten als die interessierende Schicht eliminiert
werden.
Das von der Probe emittierte Licht wird über Spiegel 5 in den Emissionsmonochromator 16 geleitet und über
weitere Spiegel 5 einem ersten Gitter 17, einem ver-. stellbaren Schlitz 18, einem zweiten Gitter 17, dem
Emissionsdetektor 19 zugeleitet. Als Emissionsdetektor 19 wird ein Photomultiplier verwendet.
Die Lichtimpulse des Emissionsmonochromators 16 werden
mit einem Photonenzählverfahren ausgewertet.
Die beiden Monochromatoren 4, 16 werden durch einen Schrittmotor angetrieben und synchronisiert, so daß
der Phasenunterschied frei wählbar ist (nicht dargestellt) .
Die Steuerung des Schrittmotores, die Erfassung der
Signale der Emission, der Referenz und «ler Trans-
AG 1742
ty '
mission erfolgen nach einer Digitalisierung durch
einen 16 bit Mini-Computer (nicht dargestellt). ■
Die Erfindung und deren Anwendung soll im folgenden •anhand von Beispielen aus Versuchstätigkeiten weiter
erläutert werden·.
AG 174X
.Auf eine Polyethylen-Papierunterlage mit einer Breite
von 13 70 mm wurden mit einer Beschichtungseinrichtung, einem Kaskadengießer, zwei Schichten gleichzeitig
aufgebracht.
■ Die Zusammensetzung der Gießlösung war für die zwei
Schichten
Schicht 1: Grunsensxbilisator, gelöst in Methanol, ·
so daß mit 4 ml/1 10 prozentiger Gelatinelösung eine Konzentration von 10 mol ■
_3
m erhalten wurde
m erhalten wurde
Schicht 2: Rotsensibilisator, gelöst in Methanol,
so daß mit 6 ml/1 10 prozentiger Gelatinelösung eine Konzentration von 10 mol
-,- m erhalten wurde.
Die Lösungen wurden mit 40-10 m Naßschichtdicke
pro Schicht aufgetragen, so daß eine Trockenschicht-
—6
dicke von 8 · 10 m erhalten wurde., über die Bahnbreite
wurde ein Bahnstück bündig in 35 mm breite Streifen (Keile) aufgeschnitten und spektroskopisch vermessen.
Die spektroskopischen Messungen wurden in der oben ■ beschriebenen Apparatur (Fig. 3) durchgeführt, wobei
die unpolarisierte Anregungsstrahlung einen Winkel
cCvon 55° mit dem Emissionsstrahl bildete.
AG 174 2
ORIGINAL INSPECTED
-aa- -
Die auf der Probe beleuchtete Fläche betrug 5 χ 10 mm.
Die Photonenflußdichte (£ A ©/r wurde bezüglich der
Schwankung der Intensität der Lampe automatisch korrigiert, indem der Quotient aus der Photonen-flußdichte der
Emission und der Referenz gebildet wurde. Die Spaltbreite des Schlitzes der' Anregung lag bei 5 nm, die der
Emission bei 2 nm. Der Wellenlängenunterschied zwischen Anregung und Emission betrug A _Λ= 8 nm.
IQ Ein Spektrum einer Probe ist in Fig. 4 dargestellt.
Die kurzwellige Bande ist die Emission des optischen
Aufhellers A in dem Papierfilz der Unterlage.
Die beiden mittleren Banden sind die Emissionen des
Grünsensibilisators GS und die langwelligen Banden
sind die Emissionen des Rotsensibilisators RS.
In den Figuren 5 und 6 sind die Ergebnisse der Messungen
über die Bahnbreite [mj dargestellt. Ausgewertet wurden jeweils die Koordinaten der Emissionen. Die
Welligkeit A, Standardabweichung des optischen Aufhellers, die der Schichtdickenschwankung der Papierunterlage
entspricht, ist in Fig. 5 dargestellt und beträgt Q) - 4 % Fig. 6 zeigt die Kurven der DickenSchwankungen
des Grünsensibilisators GS, die der Schichtdicke der ersten Schicht entspricht, undQ) = 4 % beträgt und
die des Rotsensibilisators RS die der Schichtdicke der zweiten Schicht entspricht und^T= 7 % beträgt.
AG 1742
Statt der Sensibilisatoren lassen sich andere geeignete lumineszierende Substanzen in solch geringen Konzentrationen
einsetzen, daß die Schichteigenschaften nicht verändert werden, oder daß die Gußqualität unter Produktionsbedingungen
geprüft werden kann.
Aus einer 1370 mm breiten Colorpapierbahn auf Polyethylenunterlage
mit einem mehrschichtigen Aufbau wurden Proben mit einer Breite von 89 mm quer zur Be-Schichtungsrichtung
entnommen und wie im Beispiel 1 spektroskopisch vermessen. ·'.
Ein Spektrum ist in Fig. 7 dargestellt. Die beiden kurzwelligen Banden beiN ^420 nm sind, die Emissionen
des optischen Aufhellers A und der Unterlage U, beziehungsweise der Unterlage U alleine.
Die Differenz der integralen Photonenflußdichte der beiden Banden ist proportional zu dem Anteil des
optischen Aufhellers A, der sich in den einzelnen Schichten des Schichtaufbaues befindet.
Die mittlere Bande bei A ö? 520 nm ist die Emission des
Grünsensibilisators GS und die langwellige Bande bei /L680 nm ist die Emission des Rotsensibilisators
RS. Die Messungen für GS und RS sind mit einer um den Faktor zehn höheren Empfindlichkeit durchgeführt
worden.
AG 1742
- 24 -
Aufgrund der guten Bandenseparation wurden die integralen
Photonenflußdichten der Emissionen der einzelnen
■ Banden bestimmt und in Fig. 8 über die Bahnbreite
dargestellt.
■ 5 Die Kurve nach Fig. "8a gibt die Welligkeit des Gesamtaufbaues
und der Unterlage über die Bahnbreite wieder. D i.c Standardabweichung botrrägt^ = 1,94 ?..
Die Kurve nach Fig. 8c zeigt die Welligkeit des
Schichtaufbaues A alleine. Die Kurve wurde aus den Differenzmessungen des Gesamtaufbaues (A + U) und
der Unterlage U (Fig. 8d) erhalten. Die Standard-
■ abweichung beträgt ".? = 4,94 %. ·
Die Kurve nach Fig. 8d gibt die Welligkeit der Unterlage
mit der Standardabweichung von ">'- 4,08 % wieder.
15' Die Kurve Fig. 8b zeigt das Querprofil der Purpurschicht
dargestellt durch die Emission des Grün- '
sensibilisaors GS mit einer Standardabweichung von "^ = 1,17 % .und die Kurve Fig. 8e zeigt das Querprofil
der Blaugrünschicht dargestellt durch die Emission des Rotsensibilisators RS mit einer Standardabweichung von " = 3,21 %. .
Einer 1100 mm breite Colornegativ-Filmbahn mit einem
mehrschichtigen Aufbau wurden 30 Proben von einer Breite
AG 1742
von 35 mm quer zur Bahnbreite entnommen und wie in Beispiel 1 spektroskopisch vermessen. Ein Spektrum
ist in Fig. 9 dargestellt. Die Banden bei a ·= 520 nm
und -/I = 552 nm sind die Emissionen des Grünstabilisators
GS, die Banden bei Λ = 580 nm, Λ = 620 nm und .Λ = 657 nm sind die Emissionen des Rotsensibilisators
RS.
In Fig. 10 sind die Emissionsmessungen (ß~Ae · 10
der Proben über die Bahnbreite aufgezeichnet.
Die Messungen erfolgen für einen ungehärteten Schichtaufbau
für die' Purpurschicht, den Grünsensibxlisator
GS und die Blaugrünschicht, den Rotsensibilisator RS. Über der Emissionkurve wurde die Gradationskurve je
nach einer 20°C-Verarbeitung in einer Filmentwicklungs maschine aufgetragen.
In der Fig. 11 sind die Messungen eines angrenzenden, jedoch gehärteten Bahnstreifens über die Bahnbreite
dargestellt. Zum Vergleich wurden darüber wieder die Gradationskurven mit den Gradationswerten A*, die nach
einer 38°C-Verarbeitung in einer Filmentwicklungsmaschine
erhalten wurden, aufgezeichnet!
Die Welligkeiten oder Standardabweichungen über die Bahnbreite betragen
AG 1742
Shandardabweichung In % Härtung . Schicht ?(Emission) 'Ί (Gradation)
ungehärtet purpur ' 4,2 3,3
blaugrün 3,7 3,5
■ gehärtet · purpur 5,3 2,4
blaugrün 3,2 2,4.
Aus dem Vergleich der Fig. 10 und der Fig. 11 wird deutlich, daß die Gradation sehr stark von dem Härtungszustand
abhängig ist, die Emission dagegen praktisch nicht. Man kann daher mit Hilfe von Emissionsmessungen
die Welligkeit des Sehichtaufbaues sowohl vor, als auch
nach der Härtung kontrollieren.
. Beispiel 4 ;
Von.einer .1130 mm breiten Colorpapierbahn auf PoIyethylenuntsrlage
wurde quer zur Bahnlaufrichtung ein 35 mm breiter Streifen entnommen. Die Bahn hatte den
Aufbau : Unterlage, Blaugrünschicht, Schutzschicht, Purpurschicht, Schutzschicht.
Zur 'kontinuierlichen Auftragsmessung über die Bahnbreite
wurde der Streifen als Rolle" in eine Vorrichtung nach Fig. 12 eingelegt.
AG 174-2
- 27 -
Die Fig. 12 zeigt eine Abrolleinrichtung 51 und eine Aufrolleinrichtung 52 für den Meßstreifen.53. Zwischen
den Rolleinrichtungen 51, 52 sind Führungsrollen 54 angeordnet und zwischen den Führungsröllon 54 befindet
sich die Meßplatte 55 mit einer Einrichtung zum planen Andrücken des Meßstreifens 53. Die Meßplatte 55 ist
mit einem Meßfenster 56 versehen, auf welches der Lichtstrahl der Anregung a gerichtet ist und der auf
dem Meßstreifen 53 den Emissionsstrahl e erzeugt. ·
Diese Vorrichtung wird in die Apparatur nach Fig. 3 in die" Meßkammer 12 eingebracht und·dient
so als kontinuierliche Meßeinrichtung für Meßstreifen, die aus der Bahn geschnitten werden. Der Antrieb der
Rolleneinrichtungen 51, 52 erfolgt in Pfeilrichtung in üblicher Weise mit einem Synchronmotor (nicht
dargestellt).
Der Anregungsstrahl a traf auf den Meßstreifen 53 mit
einem Anregungsleuchtfleck von 2,5 mm Breite und TO mm Höhe. Die Anregungs- und Emxssionswellenlänge wurden
dabei auf die Maximalintensität (Fig. 7· und Beispiel 2) eingestellt und der Meßstreifen 53 bei dieser Einstellung
durchgemessen. Erhalten wurden dann unmittelbar die Querprofile der Blaugrün- und der Purpurschicht,
sowie die Gesamtwelligkeit des Auftrages des optischen Aufhellers in dem Schichtaufbau und in der Unterlage.
Die Bandbreiten betrugen für die Blaugrün- und die Purpurschicht 10 mn für die Anregung und 5 nm
AG 1742
für die Emission. Der Gangunterschied betrug ^. A = 12 nm.
Für den optischen Aufheller wurden Spaltbreiten und Gangunterschied wie im Beispiel 2 gewählt.
Die kontinuierliche Messung der Blaugrünschicht (Rotsensibilisator
RS) über die Bahnbreite ist in Fig. dargestellt'(unterste Kurve RS). Die scharfen Gießränder
(Begußbreite 1000 mm) sind leicht überhöht
und zeigen rechts und links Abweichungen von 4 - 5 % vom Mittelwert/ dessen mittlere Schwankung bei etwa ±. 2 %" liegt.
und zeigen rechts und links Abweichungen von 4 - 5 % vom Mittelwert/ dessen mittlere Schwankung bei etwa ±. 2 %" liegt.
Gießfehler F.... sind in einem Abstand von 174, 622
und 883 mm vom linken Bahnrand zu erkennen, über der unteren Kurve RS ist die Kurve der Messungen der
Grünsensibilisierten Schicht GS aufgetragen.
und 883 mm vom linken Bahnrand zu erkennen, über der unteren Kurve RS ist die Kurve der Messungen der
Grünsensibilisierten Schicht GS aufgetragen.
Aus dem Vergleich der Messungen für die RS- und-GS-.
Schicht ist zu ersehen, daß der Gießfehler F.- bei
174 mm nur in der RS-Schicht vorhanden ist.
174 mm nur in der RS-Schicht vorhanden ist.
Die Gießfehler F_ mit dem Zentrum bei 622 mm vom linken
Bahnrand treten am stärksten bei der RS-Schicht auf und erheblich schwächer in der GS-Schicht und nicht
bei der obersten Kurve A. für den optischen Aufheller.
Der Fehler F., bei 883 mm vom linken Bahnrand ist in
allen drei. Kurven RS, GS und A zu. sehen. ,Dieser
Fehler F, geht auf eine mechanische Beschädigung der Unterlage vor dem Beguß zurück.
Fehler F, geht auf eine mechanische Beschädigung der Unterlage vor dem Beguß zurück.
AG 1742
Nach der Color-Verarbeitung konnten die· Fehler F1-3 eindeutig
bestätigt werden, wobei die Breite der Fehler zwischen 0,05 und 0,2 min lag.
Die für die Fehler F1 ^ in die Kurven eingetragenen
Prozentzahlen, die bei den Messungen ermittelt wurden,
sind hier nur Anhaltswerte, da zur genauen Messung eines Gießfehler die Breite der Abtastung ein Fünftel
bis ein Drittel der Breite des Gießfehlers betragen sollte, was jedoch durch die Verwendung eines Lasers
ohne weiteres erfüllt werden kann.
Die Messung der. Purpurschicht GS 5 (Grünsensibilisator) zeigt, daß die Gießränder an den Bahnrädern einen
starken Wulst ausbilden. Bis auf den Rand und die Gießfehler F liegt die Welligkeit nur 1 bis 2 % über
dem Rauschen, das bei 1 _+ 0,2 % liegt.
Die Messung des optischen Aufhellers A zeigt die oberste Kurve in Fig. 13. Im begußfreien Rand fallen-nur Meßwerte
DU für die Unterlage ah. Innerhalb der Gießbreite von 0 bis 1000 mm zeigt die Kurve A eine Überlagerung
DA der Emissionen der Aufheller in der Unterlage und in dem Schichtaufbau. Diese Welligkeit stimmt annähernd
mit dem Gesamtsilberauftrag überein.
In Fig. 14 ist eine Kurve dargestellt, in der die Werte der Silberbestimmung über die Bahnbreite aufgetragen
sind. Dazu wurden an 36 Stellen über die Bahn- · breite mit einem 28 χ 28 mm großen Fenster die
AG 1742
Süberimpulse aus der Röntgenflureszenz bestimmt. Wie
ein Vergleich der Kurven nach Fig. 13. und Fig. 14 zeigt, werden die Gießfehler F nicht mehr aufgelöst. In der
Kurve entsprechen ca. 3,3 mm Höhenunterschied einer Silberauftragsschwankung von + 1 %.
AG 1742
Leerseite
Claims (14)
- PatentansprücheVerfahren zur lumineszenzspektroskopischen Bestimmung von Auftragen und Auftragsprofilen von Schichten und Schichtaufbauten,, dadurch gekennzeichnet, daß die in den Schichten und Schichtaufbauten enthaltenen lumineszierenden Substanzen, wie spektrale Sensibilisatoren, optische Aufheller, Färb- und Hilfsstoffe mit einem emissionsspektroskopischen Verfahren über Emissionsproduktspektren photoselektiv im Auflicht und/oder im Durchlicht mit einem Photonendetektor abgetastet und bestimmt werden, wobei die Photoselektivität des lumineszenzspektroskopischen Verfahrens durch die auf die Substanz bezogene Wahl des Wellenunterschiedes [\y- zwischen, der .Emissionswellenlänge /L und der Anregungswellenlänge TL eingesetzt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lumineszierenden Substanzen cäurch. eine einzige Messung nebeneinander bestimmt werden, indem die Emissionswellenlänge yL und die Anregungswellenlänge /t / versetzt um den WellenlängenunterschiedAa
]\.synchron über die Wellenlänge verändert unddie Emission im Auflicht und/oder im Durchlicht gemessen wird. - 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösungen zur Bildung der.Schichten vor dem Aufbringen mit lumineszierenden Substanzen wieAG 1742optische Aufhellern, spektralen Sensibilisatoren und Farbstoffen in solch geringen Konzentrationen . versetzt werden, die die Eigenschaften der Schichten nicht negativ beeinflussen.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß· die PhotoSelektivität des lumineszenzspektroskopischen Verfahrens durch die auf die Substanz bezogene freie Wahl des Wellenlängenunterschiedes eingestellt wird. .
- 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Anregung der Probe zur Emission unpölarisiertes.Licht verwendet wird und zwischen Emissions- und AnregungsStrahlungsrichtung ein Winke], gewählt wirdr so daß die Emission von der Beobachtungsrichtung unabhängig ist.
- 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel zwischen Emissions- und Anregungsstrahlungsrichtung 55°C bzw. 1250C beträgt,
- 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Anregung der Probe zur Emission linear polarisertes Licht verwendet wird und die Emissionsstrahlung auf.ihre Polarisation so analysiert wird, daß die Schwingungsebene des elektrischen Vektors entweder senkrecht oder parallel zu der von der Anregungs- und Emissionsstrahlungsrichtung aufgespannten optischen Ebene steht.AG 1742·
- 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Einflüsse in andere Schichten dadurch eliminiert werden, daß man das von der Probe reflektierte Anregungslicht als Referenz benutzt und damit die Emission korrigiert. . .
- 9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Optik, die aus zwei um eine feste Achse rotierenden Gittern besteht, wobei ein Gitter für die Anregung und ein Gitter für die Emission dient und' die Gitter um den WellenlängenunterschiedA ^gegeneinander versetzt sind. ■ . ■
- 10. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens, nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine stationäre oder gepulste Anregungslichtquelle und mindestens einen Photomultiplier, eine Photodiode, ein Dioden array oder ein Vidikon zur. Messung der Photonenflußdichte der Lumineszenz.
- 11. Verwendung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1-8 zur kontinuierlichen Profilmessung'von Schichten■ und Schichtaufbauten, dadurch gekennzeichnet, daß die Auftragswelligkeit unmittelbar und kontinuierlich durch selektive Abtastung bei festem Wellenlängenunterschied mit fester Anregungsund Emissionswellenlänge bestimmt wird.
- 12. Verwendung der Verfahren nach den Ansprüchen 1-8 und 11 zur schicht-selektiven Auffindung von Be-'AG 1742schiChtungsfehlern in den einzelnen Schichten und Schichtaufbauten, wie z.B. Punkt-, Längsfehlern, Querschlagen, dadurch gekennzeichnet, ■daß die Abtastung der Schichten mit Lasern, Farbstofflasern oder aber sehr schmalbandig erfolgt und die Formgebung und Größe des aufgestrahlten oder abgestrahlten Meßflecks den zu detektierenden Fehlern angepaßt ist.
- 13. Verwendung nach den Ansprüchen 11 und 12 zur online-Erkennung und Regelung der Einzelschichtaufträge im Schichtpaket, zur spezifischen on-line-Erkennung von Punkt-, Längs- und Querfehlern in den einzelnen Schichten im Schichtpaket während des Beschichtungsprozesses. ·
- 14. Verwendung nach den Ansprüchen 11 - 13 zur kontinuierlichen und diskontinuierlichen Profilmessung und Fehlerfindung bei Photomaterialien, dadurch gekennzeichnet, daß das anregende Licht so gewählt wird, daß eine Vor- oder Anbelichtung des Photomaterials vermieden wird.AG 1742
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19803038908 DE3038908A1 (de) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Verfahren zur lumineszenzspektroskopischen bestimmung von auftraegen und auftragsprofilen |
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Family
ID=6114423
Family Applications (1)
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DE19803038908 Granted DE3038908A1 (de) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Verfahren zur lumineszenzspektroskopischen bestimmung von auftraegen und auftragsprofilen |
Country Status (3)
Country | Link |
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DE3607658C2 (de) |
Legal Events
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
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|
D2 | Grant after examination | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |